JP3580529B2 - 同軸型サーキュレータ及び共用器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は同軸型サーキュレータ及び共用器に関し、更に詳しくはY字ストリップ導体の交点に静磁界を加えたフェライトを配置して構成される同軸型サーキュレータ及び該サーキュレータを利用した共用器に関する。
【0002】
従来、多重無線装置の分波装置に使用される共用器は導波管コンポーネントで構成されていたが、近年装置が小型化・コストダウンされるのに伴い、共用器を同軸コンポーネントで構成する要求が高まっている。
【0003】
ところで、共用器のように多数の送信周波数が通過する箇所では、送信周波数の任意の2波又は3波等により高調波歪(2f2 −f1 ,f1 +f2 −f3 等)が発生することが分かっており、この高調波歪が受信周波数帯域に入ると本来の受信信号を劣化させてしまう。通常、送信側で発生した高調波歪は共用器に使用されているサーキュレータのアイソレーション機能により受信側へ漏れ込むレベルが落とされるため問題は無いが、共用器内部で発生した高調波歪についてはそのままのレベルで受信側へ伝送されるので問題となることが多い。そこで、共用器(サーキュレータ)内部では高調波歪を発生させないことが望まれる。
【0004】
【従来の技術】
図16〜図19は従来技術を説明する図(1)〜(4)で、図16は従来の同軸型サーキュレータの組立図を示している。図において、金属製よりなる筐体ブロック11の3つの側面開口部に同軸コネクタ311 〜313 を取り付け、これらの中心導体間にY字状(中央に円形ジャンクション部を有する)の内部導体13をはんだ付け固定する。この内部導体13の上側にテフロンサポート15a及びこれにより位置決めされるフェライト17aと、銅円板19aと、アルミ製のリング21a及びこれにより位置決めされるマグネット23aとを順に搭載し、その上からヨーク25aを筐体ブロック11にネジ止めする。内部導体13の下側の構成も同様である。図17(A)に内部導体13の平面図、また図17(B)に組立後の同軸型サーキュレータの断面図{図17(A)のa−a断面図}を示す。この様な同軸サーキュレータが自ら高調波歪を生じないためには、フェライト17a,17bに接する銅円板19a,19bが確実にアースされている必要がある。
【0005】
図18に図17(B)の右上の部分拡大図を示す。従来は、リング21aを幾分厚めに構成しておき、ネジ35を筐体ブロック11のネジ穴33に締めつけると、ヨーク25aがリング21aを下方に付勢して銅円板19aを筐体ブロック11の内側段付き部分に押しつけ、こうして銅円板19aのアースを得ていた。銅円板19bについても同様である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、銅円板19の内側部品(フェライト17,テフロンサポート15等)に寸法誤差があると、銅円板19と筐体ブロック11の段付き部分との接触が部分的に不完全となり、その不完全接触部分で高調波歪が発生する不都合があった。図19(A)に高調波歪(2波歪,3波歪)が発生している場合の出力特性を示す。なお、この高調波歪は、筐体ブロック11の段付き部分と銅円板19との間に銅箔等を挟むことにより筐体アースとの接触状態を改善することで、出力特性を改善できることが確かめられている。図19(B)に改善された出力特性を示す。
【0007】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたもので、その目的とする所は、簡単な構成により高調波歪の発生が十分に抑制された同軸型サーキュレータ及び共用器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は例えば図1の構成により解決される。即ち、本発明(1)の同軸型サーキュレータは、Y字ストリップ導体の交点に静磁界を加えたフェライトを配置して構成される同軸型サーキュレータにおいて、誘電体基板41の表面中央にY字状の内導体パターン13及びその周囲の表裏面にスルーホールで互いに短絡されたアースパターン14a,14bを夫々設け、該基板をその上下に装荷したフェライト17a,17bと共に上下筐体ブロック11a,11bで挟み込み、前記アースパターン14a,14bを筐体ブロック11a,11bの各アース面に接触させたものである。
【0009】
本発明(1)においては、誘電体基板41上に内導体パターン13を設ける構成により、周辺のアースパターン14a,14bと共に様々な導波路構造(特性)を精密かつ安定に実現できる。また内導体パターン13には容易に変更を加えることが可能であり、よって周辺部品の特性バラツキ等によらず、同軸型サーキュレータとしての所要の特性が得られる。また基板41のアースパターン14a,14bを内導体上下のフェライト17a,17bと共に筐体ブロック11a,11bのアース面で挟み込み、これらを共締めする構成により、内導体13の周辺の導波路(特にフェライト17a,17bの上下端面)には完全なアース面が得られ、よってサーキュレータ内部で発生する様な高調波歪を十分に抑制できる。
【0010】
好ましくは本発明(2)においては、上記本発明(1)において、例えば図4に示す如く、誘電体基板41は多層構造を備え、その中心層に内導体パターン13を設けたものである。
【0011】
本発明(2)においては、内導体パターン13の表裏に同サイズの誘電体層が存在する構成により、内導体パターン13を中心とする導波路構造の対称性が改善される。
【0012】
また好ましくは本発明(3)においては、上記本発明(1)において、例えば図5に示す如く、内導体パターン13の周囲に複数のランド18を設けたものである。
【0013】
本発明(3)によれば、このランドを利用して内導体パターン13の上に大き目の箔(内導体)20を半田付けすることが可能であり、これにより内導体パターン13の大きさを実質的に変更し、通過周波数範囲を微調整可能となる。
【0014】
また好ましくは本発明(4)においては、上記本発明(1)において、例えば図8(B)に示す如く、内導体パターン13を同軸コネクタ31に変換するパターン部分に筐体ブロック11aからネジ53を挿入可能としたものである。
【0015】
従って、ネジ53により各端子の入出力インピーダンスの調整が精密に行える。又は、逆に内部導体13のパターン精度をラフにしておくことが可能であり、その最終的な調整を、内部導体13に対するパターン削りや箔調整無しに、サーキュレータ完成体の状態で行うことが容易に可能となる。
【0016】
また好ましくは本発明(5)においては、上記本発明(1)において、例えば図9に示す如く、同軸コネクタ31と内導体パターン13との接続部分にローパスフィルタパターンを形成したものである。
【0017】
本発明(5)においては、誘電体基板41上に内導体パターン13を設ける構成により、比較的複雑な形状の各種フィルタパターンを容易に形成できる。またローパスフィルタパターンを形成する構成により外来の不要高周波成分を有効に除去できる。
【0018】
また本発明(6)の共用器は、例えば図11に示す如く、請求項1に記載の誘電体基板41を複数直結した構造の単一の誘電体基板43を備え、該誘電体基板43を介して複数の同軸型サーキュレータを直結したものである。
【0019】
本発明(6)においては、単一の誘電体基板43を介して複数の同軸型サーキュレータを直結する構成により、従来のコネクタ結合部で発生する様な高調波歪を有効に抑制できる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に従って本発明に好適なる複数の実施の形態を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一又は相当部分を示すものとする。
【0023】
図1〜図3は第1の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1)〜(3)で、図1はその組立図を示している。この同軸型サーキュレータは、中間の誘電体基板41及びその上下に装荷されるフェライト17a,17b等を上下の筐体ブロック11a,11bにより挟み込み、これらを3つのネジ孔34を使用してネジで共締めする構成となっており、これにより内導体パターン13の周囲には確実なアース面が得られる。
【0024】
図2(A)にサーキュレータ組立後の断面図を示す。上部の筐体ブロック11aはその上下にザグリ穴を備えており、上側の穴にはマグネット23aが直接収容され、また下側の穴にはテフロンサポート15aと、これにより位置決めされたフェライト17aとが収容される。この状態では、フェライト17aの上端面は筐体ブロック11aのアース面(ザグリ穴面)に確実に接触しており、よって高調波歪みを発生しない。下部の筐体ブロック11bについても同様である。
【0025】
図2(B)〜(D)に誘電体基板41の表面、側面及び裏面図を示す。誘電体基板41の表面にはY字状の内導体パターン13と、その周囲を囲む様に設けられたアースパターン14a(筐体ブロック11aの内径と同形状)とを備える。また誘電体基板41の裏面には表面と同一形状のアースパターン14bを備え、かつ両アースパターン14a,14bの間は内導体パターン13になるべく近い場所で多数のスルーホール16により電気的に短絡(結合)されている。
【0026】
かかる構成では、内導体パターン13は誘電体基板41により安定に支持される。またその周囲面ではアースパターン14a,14b及びスルーホール16により確実なアース面が形成されており、これはあたかも内導体パターン13が筐体ブロック11aの延長部分で囲まれているのと同様の関係にある。
【0027】
図3(A)〜(C)に筐体ブロック11aの表面、側面及び裏面図を示す。図3(A)において、筐体ブロック11aの表面側にはマグネット23aと略同一サイズのザグリ穴24aが設けられており、ここにマグネット23aを直接に収容する。これにより、従来のアルミリング21aを省略し、部品点数を削減している。図3(B)において、筐体ブロック11aの側面には下側の筐体ブロック11bと共に同軸コネクタ31の接続開口部を形成するための溝部18aが形成されている。図3(C)において、筐体ブロック11aの裏面側には、テフロンサポート15aと、これにより内導体パターン13の中央(円形ジャンクション部)に位置決めされるフェライト17aとを収容するためのザグリ穴16aが設けられている。図3(B)に戻り、上下のザグリ穴24a,16aの間は連通しておらず、筐体(金属)材料によって仕切られている。この境界面はフェライト17aの上面に接する共に、筐体ブロック11aと一体となってサーキュレータの導波路部分の完全なアース面を構成している。これにより、従来の銅円板19aを省略し、部品点数を削減している。図3(C)に戻り、ザグリ穴16aと溝部18aとは連通し、またそれ以外の部分は平面となっており、よって基板41のアースパターン14aとの確実なアース接触が得られる。筐体ブロック11bについても同様である。
【0028】
この様な上下筐体ブロック11a,11bで上記誘電体基板41を挟み込み、これらをネジで共締めする構成により、従来の様にアース強化用部品(金属箔等)を必要とすることなく、内導体パターン13の周囲(導波路)には常に安定なアース面が確実に形成される。そして、外部回路とのインターフェースは内導体パターン13の円形ジャンクション部分から3方に伸びたパターンの各基板端部でコネクタに変換される。
【0029】
図4〜図10は第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(1)〜(7)である。図4は上記図2の誘電体基板41の変形例を示しており、誘電体基板41を多層(3層)構造にした場合を示している。図4(C)はこの例の誘電体基板の側面、図4(B)は表面、図4(D)は裏面、そして図4(A)は中間層のパターンを夫々示している。図4(C)において、この例の誘電体基板41は2層になっている。図4(A)において、この例の誘電体基板41の中間層には内導体パターン13及びアースパターン14aを備える。また図4(B),(D)において、その表面及び裏面には中間層のアースパターン14aと同一形状のアースパターン14c,14bを夫々備え、これらのアースパターン14a,14b,14cの間はスルーホール16によって電気的に短絡(結合)されている。従って、この例の内導体パターン13は上下筐体ブロック11a,11bで構成される導波路空間部の中心に位置することになり、導波路構造の対称性(バランス)が改善されている。
【0030】
図5は上記図2の誘電体基板41の他の変形例を示しており、図5(A)は内導体パターン13の周囲に複数のランド18を設けた場合を示している。この種の同軸型サーキュレータではフェライト17のバラツキや特性変動等により、サーキュレータの特性が高周波側にシフトしてしまう場合も少なくない。図6に一例のリターンロス特性を示す。図6(A)は端子1のリターンロスS11を示しており、所要周波数帯域がマーカ(△)1〜2の範囲であるところ、この例ではリターンロス最小となる点が幾分高周波側にシフトしている。図6(B)は端子2のリターンロスS22を示しており、同じく所要周波数帯域がマーカ(△)1〜2の範囲であるところ、この例ではリターンロス最小となる点が幾分高周波側にシフトしている。
【0031】
係る場合には、図5(B)に示す如く、少し大き目の銅箔円板20を用意し、多数のランド18を使用して内導体パターン13上に半田付けをする。銅箔円板20はランド18の作用によって内導体パターン13上に一様な高さで確実に半田付けされるため、フェライト17aとの間にも均一な接触が得られる。これにより見かけ上のジャンクション径が大きくなり、フェライト17における共振周波数が低下し、こうして別段の部品の変更なしに、所要の周波数帯域へ調整することが可能となる。図7に上記調整後の一例のリターンロス特性を示す。図7(A)は端子1のリターンロスS11を示しており、リターンロス最小となる点が所要周波数帯域(マーカ1〜2)の中間にシフトしている。図7(B)は端子2のリターンロスS22を示しており、同じくリターンロス最小となる点が所要周波数帯域(マーカ1〜2)の中間にシフトしている。
【0032】
更に、図8に示す如く、誘電体基板41上の内導体パターン13に対しては様々な加工を行うことが比較的容易に可能である。図8(A)において、例えば銅箔51を半田付けし、又は内導体パターン13に切り欠き52を設ける事で、入出力インピーダンスを容易に調整出来る。好ましくは、図8(B)に示す如く、内導体パターン13の内の同軸コネクタ31との変換に使用されるパターン部分に筐体ブロック11aからネジ53を挿入し、挿入長の変化に応じて入出力インピーダンスを調整可能とする。
【0033】
また、図9(A)に示す如く、誘電体基板41上の内導体パターン13に対してはローパスフィルタ(LPF)等の複雑なパターンを形成することが容易である。図9(B)に一例のローパスフィルタパターンをその寸法と共に示す。この例におけるプリント板材料は厚さ0.4mmのテフロンガラス基板、フィルタの通過帯域は3.6GHz〜4.2GHz、カットオフ周波数は5GHz、段数は5段である。
【0034】
図10は一例のローパスフィルタの通過特性を示す。横軸は周波数、縦軸は通過特性S21である。マーカ(△)1〜1の範囲がサーキュレータの所要帯域であるとすると、ローパスフィルタを設けない場合の初期通過特性は所要帯域よりもかなり高域まで延びている。このため、もしマーカ(△)5の付近にハイパワーの信号(例えばレーダ等)が存在すると、受信盤のローノイズアンプ(LNA)の能力(帯域)が十分な場合には、この不要波によってLNAが飽和してしまう。そこで、サーキュレータにローパスフィルタを設けることにより不要波の通過を十分に制限できる。
【0035】
図11は第1の実施の形態による共用器を説明する図で、該図はその組立図を示している。なお組立後の構成を図示しないが、上記の説明から容易に理解できる。この共用器は基本的には上記第1の実施の形態による同軸型サーキュレータを複数直結した構造により実現される。但し、従来の様に各サーキュレータを単に同軸コネクタで直結するのではなく、上記第1の実施の形態における誘電体基板41(図2,図4,図5等)を複数直結した構造の単一の誘電体基板43を備え、該誘電体基板43を介して複数の同軸型サーキュレータを直結し、全体として単一の共用器を実現している。即ち、共通の誘電体基板43上では内導体パターン131 の端子2側と内導体パターン132 の端子1側とが図示の如く直結されており、その周囲では各内導体パターン131 ,132 を基準として上記第1の実施の形態におけると同様の各部品が組み立てられる。この時、2つのサーキュレータの直結部分には隙間はなく、共通の誘電体基板43上に完全な導波路結合部が形成され、これにより従来のコネクタ結合部で発生していた様な高調波歪を有効に抑制できる。
【0036】
また、内導体パターンを3個以上直結することが可能であり、こうして任意段数の共用器を高性能で構成できる。この場合でも同軸サーキュレータ単体の各部品をそのまま利用出来るため、経済的である。また段毎に独立して必要な調整も行える。また従来の様なコネクタ結合部での高調波歪を気にせずに任意段数の同軸型共用器を提供可能となる。
【0037】
また、この共用器に上記ローパスフィルタの構成を適用すれば、外来高周波の不要波成分を除去可能となるため、受信系の前段にあるローノイズアンプが不要な高周波成分によって飽和してしまうことを有効に防ぐことが可能となる。
【0038】
なお、上記複数の同軸型サーキュレータを直結する際には共通の誘電体基板43以外は同軸サーキュレータ単体の各部品をそのまま利用出来ると述べたが、これに限らない。筐体11a,11b等については夫々2段用,3段用等のものを一体化して成形しても良い。こうすれば、機械的強度も、また電気的な接地性能も共に改善される。
【0039】
図12,図13は第2の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1),(2)で、サーキュレータの導波路空間内に確実なアース面の得られる他の構成例を示している。図12はその組立図である。中央の筐体ブロック11の3つの側面開口部に同軸コネクタ311 〜313 を取り付け、これらの中心導体間にY字状の内部導体13をはんだ付け固定する。更にこの内部導体13の上下にテフロンサポート15a,15b及びフェライト17a,17bを夫々収容する。上部筐体ブロック11aの底面は平面になっており、これを筐体ブロック11の上面に被せる。また下部筐体ブロック11bの上面も図示の如く平面になっており、これを筐体ブロック11の下面に押し当てる。そして、これらの各筐体ブロック11a,11,11bをネジで共締めすることにより、サーキュレータの導波路空間内には確実なアース面が得られる。図13に組立後の断面図を示す。
【0040】
図14,図15は第3の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1),(2)で、サーキュレータの導波路空間内に確実なアース面の得られる更に他の構成例を示している。図14はその組立図である。下側の筐体ブロック11bのザグリ穴16b内にテフロンサポート15bを挿入する。このテフロンサポート15bは上部のテフロンサポート15aの機能を兼ねるべくその高さ方向に延長されており、よって上部のテフロンサポート15aは省略されている。このテフロンサポート15bの中にフェライト17b,Y字状の内部導体13、フェライト17aを順に挿入する。また筐体ブロック11bの3つの側面半開口部に同軸コネクタ311 〜313 を取り付け、これらの中心導体間にY字状の内部導体13をはんだ付け固定する。その際には、テフロンサポート15bに設けた縦方向の切り欠き部が内導体13の位置出しを容易にさせる。そして、筐体ブロック11bの上に対称な形状の筐体ブロック11aを被せ、これらをネジで共締めする。これにより、サーキュレータの導波路空間内には確実なアース面が得られる。図15に組立後の断面図を示す。
【0041】
なお、上記本発明に好適なる複数の実施の形態を述べたが、本発明思想を逸脱しない範囲内で各部の構成及びこれらの組合せの様々な変更が行えることは言うまでも無い。
【0042】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、簡単な構成により高調波歪の発生を十分に抑制でき、高性能、高信頼性の同軸型サーキュレータ及び共用器を安価に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1)である。
【図2】第1の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(2)である。
【図3】第1の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(3)である。
【図4】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(1)である。
【図5】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(2)である。
【図6】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(3)である。
【図7】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(4)である。
【図8】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(5)である。
【図9】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(6)である。
【図10】第1の実施の形態における様々な変形例を説明する図(7)である。
【図11】第1の実施の形態による共用器を説明する図である。
【図12】第2の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1)である。
【図13】第2の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(2)である。
【図14】第3の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(1)である。
【図15】第3の実施の形態による同軸型サーキュレータを説明する図(2)である。
【図16】従来技術を説明する図(1)である。
【図17】従来技術を説明する図(2)である。
【図18】従来技術を説明する図(3)である。
【図19】従来技術を説明する図(4)である。
【符号の説明】
11 筐体ブロック
13 内部導体(内導体パターン)
14 アースパターン
15 テフロンサポート
16 スルーホール
17 フェライト
18 ランド
19 銅円板
20 箔円板
21 アルミリング
23 マグネット
25 ヨーク
31 同軸コネクタ
41,43 誘電体基板
Claims (6)
- Y字ストリップ導体の交点に静磁界を加えたフェライトを配置して構成される同軸型サーキュレータにおいて、
誘電体基板の表面中央にY字状の内導体パターン及びその周囲の表裏面にスルーホールで互いに短絡されたアースパターンを夫々設け、該基板をその上下に装荷したフェライトと共に上下筐体ブロックで挟み込み、前記アースパターンを筐体ブロックの各アース面に接触させたことを特徴とする同軸型サーキュレータ。 - 誘電体基板は多層構造を備え、その中心層に内導体パターンを設けたことを特徴とする請求項1に記載の同軸型サーキュレータ。
- 内導体パターンの周囲に複数のランドを設けたことを特徴とする請求項1に記載の同軸型サーキュレータ。
- 内導体パターンを同軸コネクタに変換するパターン部分に筐体ブロックからネジを挿入可能としたことを特徴とする請求項1に記載の同軸型サーキュレータ。
- 同軸コネクタと内導体パターンとの接続部分にローパスフィルタパターンを形成したことを特徴とする請求項1に記載の同軸型サーキュレータ。
- 請求項1に記載の誘電体基板を複数直結した構造の単一の誘電体基板を備え、該誘電体基板を介して複数の同軸型サーキュレータを直結したことを特徴とする共用器。
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