JP3578163B2 - 昇圧トランス - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数層に絶縁性フィルムを介して積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数の2次巻線を有する例えば高圧発生用トランスに使用して好適な昇圧トランスに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来陰極線管の高圧を発生する昇圧トランスとして図9に示す如き複数例えば8層に絶縁性フィルムを介して積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数例えば8つの2次巻線を有するものが提案されている。
【0003】
この図9につき説明するに、10は例えば100V、50Hzの商用電源を示し、この商用電源10の一端及び他端をダイオードブリッジ構成の整流回路11の一方及び他方の入力端子に接続し、この整流回路11の正出力端子を平滑用コンデンサ12を介して接地すると共にこの整流回路11の負出力端子を接地する。
【0004】
この整流回路11の正出力端子を抵抗器13を介して発振駆動回路14の電源端子に接続すると共にこの正出力端子を例えばMOS−FETのスイッチング素子Q1及びQ2の直列回路からなるスイッチング回路15を介して接地する。このスイッチング回路15はスイッチング素子Q1及びQ2が発振駆動回路14によって所定の周波数で交互に導通するように駆動される。
【0005】
更にこのスイッチング回路15はハーフブリッジ回路を構成し、整流回路11の正出力端子をスイッチング素子Q1のドレインに接続し、スイッチング素子Q2のソースを接地する。またスイッチング素子Q1及びQ2に夫々並列にダンパーダイオードD1及びD2を接続する。
【0006】
そしてスイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの接続点を共振用コンデンサ16、コイル17及び昇圧トランスTの1次巻線18の直列回路を介して接地する。
【0007】
この昇圧トランスTの1次巻線18には、この発振駆動回路14の発振周波数に応じた共振電流が供給される。
【0008】
19a,19b‥‥19hは図11に示す如くボビン107に絶縁性フィルム105を介して積層して例えば同一巻数で分割され、それぞれの一端が開放された8つの2次巻線を示し、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hのうち、隣り合う2次巻線の他端間に整流用のダイオード20a,20b‥‥20hを縦列接続する。
【0009】
即ち2次巻線19a及び19bの他端間にダイオード20aを接続し、2次巻線19b及び19cの他端間にダイオード20bを接続し、2次巻線19c及び19dの他端間にダイオード20cを接続し、2次巻線19d及び19eの他端間にダイオード20dを接続し、2次巻線19e及び19fの他端間にダイオード20eを接続し、2次巻線19f及び19gの他端間にダイオード20fを接続し、2次巻線19g及び19hの他端間にダイオード20gを接続し、2次巻線19hの他端及び大地間にダイオード20hを接続する。
【0010】
この8つの2次巻線19a,19b‥‥19h及び8つの整流用のダイオード20a,20b‥‥20hより成る2次巻線装置の等価回路は図10に示す如くなり、2次巻線19a,19b‥‥19hに得られる電圧を全波倍圧整流して直流電圧を生成するとともにこの直流電圧を積み上げて高直流電圧例えば32.4kVを得ることができる。この図10においてコンデンサ21a,21b‥‥21hは2次巻線19a,19b‥‥19hの層間容量である。
【0011】
また2次巻線19aの他端をダイオード22を介して高圧出力端子23に接続すると共にこのダイオード22及び高圧出力端子23の接続点を平滑用のコンデンサ24を介して接地する。
【0012】
またこの高圧出力端子23を抵抗器25及び26の直列回路を介して接地し、この抵抗器25及び26の接続点に得られる高電圧の検出電圧を制御回路27に供給し、この制御回路27により高圧出力端子23に得られる直流電圧に応じて発振駆動回路14の発振周波数を制御し、この高圧出力端子23に得られる高圧直流電圧が一定になる如くする。
【0013】
ところで、図9に示す如き高圧発生トランスの全体構成例の断面図は図12に示す如くで、101は2次巻線装置を示し、この2次巻線装置101は図11、図13に示す如く両側の縁に沿った壁を有するほぼ円筒形状のボビン107の外周面に絶縁性フィルム105を介して8つの2次巻線19a,19b‥‥19hが8層に積層されて巻装されたものであり、絶縁性フィルム105は例えば帯状であり、2次巻線19a,19b‥‥19hはその絶縁性フィルム105の幅よりもやや幅が狭く巻装されたものである。
【0014】
従来は、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの夫々の一端及び他端はそれぞれボビン107の一側及び他側に端子台103a及び104aを介して設けた端子103及び104にからげて固定し、この端子103,104にダイオード20等を接続して図9に示す如き回路を組立てる如くしている。
【0015】
また、この2次巻線装置101は図12に示す如くボビン102a及び1次巻線18より成る1次巻線装置102と共にその中心に閉磁路を構成するコア142を貫通する如くする。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら、従来の如く複数例えば8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの一端及び他端を端子103及び104にからげて固定するようにしたときには必要に応じ結線される2次巻線19a,19b‥‥19hが例えば8つのときはこのボビン107に設ける端子103及び104が図13に示す如く夫々8本づつの16本必要であり、端子の数が多くなると共にこのボビン107がそれだけ大型化する不都合があった。
【0017】
本発明は斯る点に鑑み、ボビンの端子数を少なくし、小型化が図れるようにすることを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明昇圧トランスは所定周波数でスイッチングされたスイッチング電圧が供給される1次巻線と、この1次巻線に供給されるこのスイッチング電圧を昇圧するとともに、複数の層に積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数の2次巻線と、この複数の2次巻線をこの1次巻線に対して所定間隔とするとともに、この複数の2次巻線の他端がそれぞれ巻き付けられる複数の端子を有するボビンと、このボビンに挿入され、この1次巻線に供給されるこのスイッチング電圧により励磁され、閉磁路が形成されるコアと、この複数の2次巻線をそれぞれ所定厚で隔てるようにこのボビンに巻き付けられる絶縁性フィルムと、この複数の2次巻線の他端にそれぞれ設けられ、この2次巻線の他端に得られる昇圧された電圧を整流する整流部と、この絶縁性フィルムを切り起こして形成され、この2次巻線の一端を巻き付けるフィルム突起部とを備えるものである。
【0019】
斯る本発明によれば、複数の2次巻線の開放されている一端を層間に設けた絶縁性フィルムを切り起こして形成したフィルム突起部に巻き付けて固定するようにしたので、ボビンの端子の数を例えば1/2に減少することができ、ボビンを小型化することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明昇圧トランスの実施の形態の例につき説明する。
本例も図9に示す如き昇圧トランスに適用した例につき説明する。
【0021】
即ち、図9において、10は例えば100V、50Hzの商用電源を示し、この商用電源10の一端及び他端をダイオードブリッジ構成の整流回路11の一方及び他方の入力端子に接続し、この整流回路11の正出力端子を平滑用コンデンサ12を介して接地すると共にこの整流回路11の負出力端子を接地する。
【0022】
この整流回路11の正出力端子を抵抗器13を介して発振駆動回路14の電源端子に接続すると共にこの正出力端子を例えば電界効果トランジスタ(MOS−FET)のスイッチング素子Q1及びQ2の直列回路からなるスイッチング回路15を介して接地する。このスイッチング回路15はスイッチング素子Q1及びQ2が発振駆動回路14によって所定の周波数で交互に導通するように駆動される。
【0023】
更にこのスイッチング回路15はハーフブリッジ回路を構成し、整流回路11の正出力端子をスイッチング素子Q1のドレインに接続し、スイッチング素子Q2のソースを接地する。またスイッチング素子Q1及びQ2にそれぞれ並列にダンパーダイオードD1及びD2を接続する。
【0024】
そしてスイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの接続点を共振用コンデンサ16、コイル17及び昇圧トランスTの1次巻線18の直列回路を介して接地する。
【0025】
この昇圧トランスTの1次巻線18には、この発振駆動回路14の発振周波数に応じた共振電流が供給される。
【0026】
19a,19b‥‥19hは図11に示す如くボビン107に絶縁性フィルム105を介して積層して例えば同一巻数で分割され、それぞれの一端が開放された8つの2次巻線を示し、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hのうち、隣り合う2次巻線の他端間に整流用のダイオード20a,20b‥‥20hを縦列接続する。
【0027】
即ち2次巻線19a及び19bの他端間にダイオード20aを接続し、2次巻線19b及び19cの他端間にダイオード20bを接続し、2次巻線19c及び19dの他端間にダイオード20cを接続し、2次巻線19d及び19eの他端間にダイオード20dを接続し、2次巻線19e及び19fの他端間にダイオード20eを接続し、2次巻線19f及び19gの他端間にダイオード20fを接続し、2次巻線19g及び19hの他端間にダイオード20gを接続し、2次巻線19hの他端及び大地間にダイオード20hを接続する。
【0028】
この8つの2次巻線19a,19b‥‥19h及び8つの整流用のダイオード20a,20b‥‥20hより成る2次巻線装置の等価回路は図10に示す如くなり、2次巻線19a,19b‥‥19hに得られる電圧を全波倍圧整流して直流電圧を生成するとともにこの直流電圧を積み上げて高直流電圧例えば32.4kVを得ることができる。この図10においてコンデンサ21a,21b‥‥21hは2次巻線19a,19b‥‥19hの層間容量である。
【0029】
また2次巻線19aの他端をダイオード22を介して高圧出力端子23に接続すると共にこのダイオード22及び高圧出力端子23の接続点を平滑用のコンデンサ24を介して接地する。
【0030】
またこの高圧出力端子23を抵抗器25及び26の直列回路を介して接地し、この抵抗器25及び26の接続点に得られる高電圧の検出電圧を制御回路27に供給し、この制御回路27により高圧出力端子23に得られる直流電圧に応じて発振駆動回路14の発振周波数を制御し、この高圧出力端子23に得られる高圧直流電圧が一定になる如くする。
【0031】
ところで、図9に示す如き昇圧トランスの全体構成例の断面図は図12に示す如くで、101は2次巻線装置を示し、この2次巻線装置101は図1、図4、図11に示す如く両側の縁に沿った壁を有するほぼ円筒形状のボビン107の外周面に絶縁性フィルム105を介して8つの2次巻線19a,19b‥‥19hが8層に積層されて巻装されたものであり、絶縁性フィルム105は例えば帯状であり、2次巻線19a,19b‥‥19hはその絶縁性フィルム105の幅よりもやや幅が狭く巻装されたものである。
【0032】
本例においては、図1、図2、図3に示すこの2次巻線装置101の2次巻線19a,19b‥‥19hを構成する巻線が巻き付けられていない絶縁性フィルム105の両縁にこの絶縁性フィルム105を切り起こしてフィルム突起部109を形成する。
【0033】
このフィルム突起部109は図1、図2例では短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有する。
このフィルム突起部109の左縁部112aが直線状であり、右縁部111a(一方の辺)の中央部110bにおいて凹形状(留め用凹部)となっている。
【0034】
本例においては、8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの夫々の開放されている一端をこのフィルム突起部109に巻き付ける(からげる)如くする。
【0035】
このフィルム突起部109を図1、図2に示す如く中央部110bを凹形状としたときは、この2次巻線19a,19b‥‥19hの一端を巻き付けたときは、中央部110bの幅W2よりも先端部110aの幅W1が広いので、巻き付けた2次巻線19a,19b‥‥19hの一端がほどけにくく、確実に固定することができる。
【0036】
また、本例においてはこの2次巻線19a,19b‥‥19hの他端を図3に示す如く、この一端を巻き付けたフィルム突起部109とは他側のフィルム突起部109で挟んでボビン107の一側及び他側に端子台103a及び104aを介して設けた端子103及び104の端子103または104に巻き付け固定し、ダイオード20a,20b‥‥20h等を接続して図9に示す如き回路を組立てる如くする。
【0037】
またこの2次巻線装置101は図12に示す如くボビン102a及び1次巻線18より成る1次巻線装置102と共にその中心に閉磁路を構成するコア142を貫通する如くする。
【0038】
斯る本例によれば8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの開放された一端を層間に設けた絶縁性フィルム105の側部を切り起こして形成したフィルム突起部109に巻き付けて固定するようにしたので、2次巻線19a,19b‥‥19hが8つのときはボビン107に設ける端子103及び104を図1、図4に示す如く4本づつの8本とすることができ、従来の端子数に比較し1/2にすることができ、ボビン107をそれだけ小型化することができる。
【0039】
また、図5〜図8はそれぞれ絶縁性フィルム105の2次巻線19a,19b‥‥19hの一端を巻き付けるフィルム突起部109の他の例を示す。この図5〜図8につき説明するに図2に対応する部分には同一符号を付しその詳細な説明は省略する。
【0040】
図5例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、この右縁部111aが直線状であり、左縁部112aが中央部110bにおいて凹んだ形状となっている。
【0041】
斯る図5例においても図2例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0042】
図6例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aが共に中央部110bが凹んだ形状となっている。
【0043】
斯る図6例においても図2例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0044】
図7例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間における長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、基部110dから先端部110aに進むにつれて幅が狭くなり、その先端部110aの直前の部分がもっとも凹んだ構成となっており、このフィルム突起部109全体としては狭部110cにおいて凹んだ形状となっている。
【0045】
斯る図7例においては、2次巻線19a,19b‥‥19hの一端をこのフィルム突起部109に巻き付けた際、この狭部110cの幅W2よりも先端部110aの幅W1が広いので、巻き付けた2次巻線19a,19b‥‥19hの一端がほどけにくく、確実に固定することができる。
【0046】
図8例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間における長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、この右縁部111a及び左縁部112aを図7例と逆形状としたもので、基部110dから先端部110aに進むにつれて幅が狭くなり先端部110aの直前の部分が最も深く凹んだ構成であり、フィルム突起部109全体としては、狭部110cにおいて凹んだ形状となっている。
【0047】
斯る図8例においても図7例と同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0048】
尚上述例は2次巻線を8つ設けた例につき述べたが、この2次巻線の数は必要とする高圧電圧に応じた必要な複数個を設けるようにするもので、8つに限らない複数個であっても良いことは勿論である。
【0049】
また本発明は上述例に限ることなく本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の2次巻線の開放されている一端を層間に設けた絶縁性フィルムを切り起こして形成したフィルム突起部に巻き付けて固定するようにしたので、このフィルム突起部に巻き付けて固定する分のボビンの端子を省略することができ、ボビンの端子数を減少することができ、ボビンを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明昇圧トランスの実施の形態の例の2次巻線装置の例を示す斜視図である。
【図2】図1の要部の例の一部拡大斜視図である。
【図3】図1の説明に供する一部拡大斜視図である。
【図4】図1の2次巻線装置の例を示す正面図である。
【図5】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図6】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図7】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図8】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図9】昇圧トランスの例を示す回路図である。
【図10】図9の昇圧トランスの2次巻線装置の等価回路図である。
【図11】2次巻線装置の例の一部拡大断面図である。
【図12】昇圧トランスの例の全体構成を示す断面図である。
【図13】従来の2次巻線装置の例を示す正面図である。
【符号の説明】
10・・・商用電源、11・・・整流回路、14・・・発振駆動回路、15・・・スイッチング回路、16・・・共振用コンデンサ、17・・・コイル、18・・・1次巻線、19a,19b‥‥19h・・・2次巻線、20a,20b‥‥20h・・・整流用ダイオード、23・・・高圧出力端子、27・・・制御回路、101・・・2次巻線装置、102・・・1次巻線装置、103,104・・・端子、105・・・絶縁性フィルム、107・・・ボビン、109・・・フィルム突起部
【発明の属する技術分野】
本発明は複数層に絶縁性フィルムを介して積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数の2次巻線を有する例えば高圧発生用トランスに使用して好適な昇圧トランスに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来陰極線管の高圧を発生する昇圧トランスとして図9に示す如き複数例えば8層に絶縁性フィルムを介して積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数例えば8つの2次巻線を有するものが提案されている。
【0003】
この図9につき説明するに、10は例えば100V、50Hzの商用電源を示し、この商用電源10の一端及び他端をダイオードブリッジ構成の整流回路11の一方及び他方の入力端子に接続し、この整流回路11の正出力端子を平滑用コンデンサ12を介して接地すると共にこの整流回路11の負出力端子を接地する。
【0004】
この整流回路11の正出力端子を抵抗器13を介して発振駆動回路14の電源端子に接続すると共にこの正出力端子を例えばMOS−FETのスイッチング素子Q1及びQ2の直列回路からなるスイッチング回路15を介して接地する。このスイッチング回路15はスイッチング素子Q1及びQ2が発振駆動回路14によって所定の周波数で交互に導通するように駆動される。
【0005】
更にこのスイッチング回路15はハーフブリッジ回路を構成し、整流回路11の正出力端子をスイッチング素子Q1のドレインに接続し、スイッチング素子Q2のソースを接地する。またスイッチング素子Q1及びQ2に夫々並列にダンパーダイオードD1及びD2を接続する。
【0006】
そしてスイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの接続点を共振用コンデンサ16、コイル17及び昇圧トランスTの1次巻線18の直列回路を介して接地する。
【0007】
この昇圧トランスTの1次巻線18には、この発振駆動回路14の発振周波数に応じた共振電流が供給される。
【0008】
19a,19b‥‥19hは図11に示す如くボビン107に絶縁性フィルム105を介して積層して例えば同一巻数で分割され、それぞれの一端が開放された8つの2次巻線を示し、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hのうち、隣り合う2次巻線の他端間に整流用のダイオード20a,20b‥‥20hを縦列接続する。
【0009】
即ち2次巻線19a及び19bの他端間にダイオード20aを接続し、2次巻線19b及び19cの他端間にダイオード20bを接続し、2次巻線19c及び19dの他端間にダイオード20cを接続し、2次巻線19d及び19eの他端間にダイオード20dを接続し、2次巻線19e及び19fの他端間にダイオード20eを接続し、2次巻線19f及び19gの他端間にダイオード20fを接続し、2次巻線19g及び19hの他端間にダイオード20gを接続し、2次巻線19hの他端及び大地間にダイオード20hを接続する。
【0010】
この8つの2次巻線19a,19b‥‥19h及び8つの整流用のダイオード20a,20b‥‥20hより成る2次巻線装置の等価回路は図10に示す如くなり、2次巻線19a,19b‥‥19hに得られる電圧を全波倍圧整流して直流電圧を生成するとともにこの直流電圧を積み上げて高直流電圧例えば32.4kVを得ることができる。この図10においてコンデンサ21a,21b‥‥21hは2次巻線19a,19b‥‥19hの層間容量である。
【0011】
また2次巻線19aの他端をダイオード22を介して高圧出力端子23に接続すると共にこのダイオード22及び高圧出力端子23の接続点を平滑用のコンデンサ24を介して接地する。
【0012】
またこの高圧出力端子23を抵抗器25及び26の直列回路を介して接地し、この抵抗器25及び26の接続点に得られる高電圧の検出電圧を制御回路27に供給し、この制御回路27により高圧出力端子23に得られる直流電圧に応じて発振駆動回路14の発振周波数を制御し、この高圧出力端子23に得られる高圧直流電圧が一定になる如くする。
【0013】
ところで、図9に示す如き高圧発生トランスの全体構成例の断面図は図12に示す如くで、101は2次巻線装置を示し、この2次巻線装置101は図11、図13に示す如く両側の縁に沿った壁を有するほぼ円筒形状のボビン107の外周面に絶縁性フィルム105を介して8つの2次巻線19a,19b‥‥19hが8層に積層されて巻装されたものであり、絶縁性フィルム105は例えば帯状であり、2次巻線19a,19b‥‥19hはその絶縁性フィルム105の幅よりもやや幅が狭く巻装されたものである。
【0014】
従来は、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの夫々の一端及び他端はそれぞれボビン107の一側及び他側に端子台103a及び104aを介して設けた端子103及び104にからげて固定し、この端子103,104にダイオード20等を接続して図9に示す如き回路を組立てる如くしている。
【0015】
また、この2次巻線装置101は図12に示す如くボビン102a及び1次巻線18より成る1次巻線装置102と共にその中心に閉磁路を構成するコア142を貫通する如くする。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら、従来の如く複数例えば8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの一端及び他端を端子103及び104にからげて固定するようにしたときには必要に応じ結線される2次巻線19a,19b‥‥19hが例えば8つのときはこのボビン107に設ける端子103及び104が図13に示す如く夫々8本づつの16本必要であり、端子の数が多くなると共にこのボビン107がそれだけ大型化する不都合があった。
【0017】
本発明は斯る点に鑑み、ボビンの端子数を少なくし、小型化が図れるようにすることを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明昇圧トランスは所定周波数でスイッチングされたスイッチング電圧が供給される1次巻線と、この1次巻線に供給されるこのスイッチング電圧を昇圧するとともに、複数の層に積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数の2次巻線と、この複数の2次巻線をこの1次巻線に対して所定間隔とするとともに、この複数の2次巻線の他端がそれぞれ巻き付けられる複数の端子を有するボビンと、このボビンに挿入され、この1次巻線に供給されるこのスイッチング電圧により励磁され、閉磁路が形成されるコアと、この複数の2次巻線をそれぞれ所定厚で隔てるようにこのボビンに巻き付けられる絶縁性フィルムと、この複数の2次巻線の他端にそれぞれ設けられ、この2次巻線の他端に得られる昇圧された電圧を整流する整流部と、この絶縁性フィルムを切り起こして形成され、この2次巻線の一端を巻き付けるフィルム突起部とを備えるものである。
【0019】
斯る本発明によれば、複数の2次巻線の開放されている一端を層間に設けた絶縁性フィルムを切り起こして形成したフィルム突起部に巻き付けて固定するようにしたので、ボビンの端子の数を例えば1/2に減少することができ、ボビンを小型化することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明昇圧トランスの実施の形態の例につき説明する。
本例も図9に示す如き昇圧トランスに適用した例につき説明する。
【0021】
即ち、図9において、10は例えば100V、50Hzの商用電源を示し、この商用電源10の一端及び他端をダイオードブリッジ構成の整流回路11の一方及び他方の入力端子に接続し、この整流回路11の正出力端子を平滑用コンデンサ12を介して接地すると共にこの整流回路11の負出力端子を接地する。
【0022】
この整流回路11の正出力端子を抵抗器13を介して発振駆動回路14の電源端子に接続すると共にこの正出力端子を例えば電界効果トランジスタ(MOS−FET)のスイッチング素子Q1及びQ2の直列回路からなるスイッチング回路15を介して接地する。このスイッチング回路15はスイッチング素子Q1及びQ2が発振駆動回路14によって所定の周波数で交互に導通するように駆動される。
【0023】
更にこのスイッチング回路15はハーフブリッジ回路を構成し、整流回路11の正出力端子をスイッチング素子Q1のドレインに接続し、スイッチング素子Q2のソースを接地する。またスイッチング素子Q1及びQ2にそれぞれ並列にダンパーダイオードD1及びD2を接続する。
【0024】
そしてスイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの接続点を共振用コンデンサ16、コイル17及び昇圧トランスTの1次巻線18の直列回路を介して接地する。
【0025】
この昇圧トランスTの1次巻線18には、この発振駆動回路14の発振周波数に応じた共振電流が供給される。
【0026】
19a,19b‥‥19hは図11に示す如くボビン107に絶縁性フィルム105を介して積層して例えば同一巻数で分割され、それぞれの一端が開放された8つの2次巻線を示し、この8つの2次巻線19a,19b‥‥19hのうち、隣り合う2次巻線の他端間に整流用のダイオード20a,20b‥‥20hを縦列接続する。
【0027】
即ち2次巻線19a及び19bの他端間にダイオード20aを接続し、2次巻線19b及び19cの他端間にダイオード20bを接続し、2次巻線19c及び19dの他端間にダイオード20cを接続し、2次巻線19d及び19eの他端間にダイオード20dを接続し、2次巻線19e及び19fの他端間にダイオード20eを接続し、2次巻線19f及び19gの他端間にダイオード20fを接続し、2次巻線19g及び19hの他端間にダイオード20gを接続し、2次巻線19hの他端及び大地間にダイオード20hを接続する。
【0028】
この8つの2次巻線19a,19b‥‥19h及び8つの整流用のダイオード20a,20b‥‥20hより成る2次巻線装置の等価回路は図10に示す如くなり、2次巻線19a,19b‥‥19hに得られる電圧を全波倍圧整流して直流電圧を生成するとともにこの直流電圧を積み上げて高直流電圧例えば32.4kVを得ることができる。この図10においてコンデンサ21a,21b‥‥21hは2次巻線19a,19b‥‥19hの層間容量である。
【0029】
また2次巻線19aの他端をダイオード22を介して高圧出力端子23に接続すると共にこのダイオード22及び高圧出力端子23の接続点を平滑用のコンデンサ24を介して接地する。
【0030】
またこの高圧出力端子23を抵抗器25及び26の直列回路を介して接地し、この抵抗器25及び26の接続点に得られる高電圧の検出電圧を制御回路27に供給し、この制御回路27により高圧出力端子23に得られる直流電圧に応じて発振駆動回路14の発振周波数を制御し、この高圧出力端子23に得られる高圧直流電圧が一定になる如くする。
【0031】
ところで、図9に示す如き昇圧トランスの全体構成例の断面図は図12に示す如くで、101は2次巻線装置を示し、この2次巻線装置101は図1、図4、図11に示す如く両側の縁に沿った壁を有するほぼ円筒形状のボビン107の外周面に絶縁性フィルム105を介して8つの2次巻線19a,19b‥‥19hが8層に積層されて巻装されたものであり、絶縁性フィルム105は例えば帯状であり、2次巻線19a,19b‥‥19hはその絶縁性フィルム105の幅よりもやや幅が狭く巻装されたものである。
【0032】
本例においては、図1、図2、図3に示すこの2次巻線装置101の2次巻線19a,19b‥‥19hを構成する巻線が巻き付けられていない絶縁性フィルム105の両縁にこの絶縁性フィルム105を切り起こしてフィルム突起部109を形成する。
【0033】
このフィルム突起部109は図1、図2例では短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有する。
このフィルム突起部109の左縁部112aが直線状であり、右縁部111a(一方の辺)の中央部110bにおいて凹形状(留め用凹部)となっている。
【0034】
本例においては、8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの夫々の開放されている一端をこのフィルム突起部109に巻き付ける(からげる)如くする。
【0035】
このフィルム突起部109を図1、図2に示す如く中央部110bを凹形状としたときは、この2次巻線19a,19b‥‥19hの一端を巻き付けたときは、中央部110bの幅W2よりも先端部110aの幅W1が広いので、巻き付けた2次巻線19a,19b‥‥19hの一端がほどけにくく、確実に固定することができる。
【0036】
また、本例においてはこの2次巻線19a,19b‥‥19hの他端を図3に示す如く、この一端を巻き付けたフィルム突起部109とは他側のフィルム突起部109で挟んでボビン107の一側及び他側に端子台103a及び104aを介して設けた端子103及び104の端子103または104に巻き付け固定し、ダイオード20a,20b‥‥20h等を接続して図9に示す如き回路を組立てる如くする。
【0037】
またこの2次巻線装置101は図12に示す如くボビン102a及び1次巻線18より成る1次巻線装置102と共にその中心に閉磁路を構成するコア142を貫通する如くする。
【0038】
斯る本例によれば8つの2次巻線19a,19b‥‥19hの開放された一端を層間に設けた絶縁性フィルム105の側部を切り起こして形成したフィルム突起部109に巻き付けて固定するようにしたので、2次巻線19a,19b‥‥19hが8つのときはボビン107に設ける端子103及び104を図1、図4に示す如く4本づつの8本とすることができ、従来の端子数に比較し1/2にすることができ、ボビン107をそれだけ小型化することができる。
【0039】
また、図5〜図8はそれぞれ絶縁性フィルム105の2次巻線19a,19b‥‥19hの一端を巻き付けるフィルム突起部109の他の例を示す。この図5〜図8につき説明するに図2に対応する部分には同一符号を付しその詳細な説明は省略する。
【0040】
図5例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、この右縁部111aが直線状であり、左縁部112aが中央部110bにおいて凹んだ形状となっている。
【0041】
斯る図5例においても図2例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0042】
図6例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間の長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aが共に中央部110bが凹んだ形状となっている。
【0043】
斯る図6例においても図2例同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0044】
図7例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間における長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、基部110dから先端部110aに進むにつれて幅が狭くなり、その先端部110aの直前の部分がもっとも凹んだ構成となっており、このフィルム突起部109全体としては狭部110cにおいて凹んだ形状となっている。
【0045】
斯る図7例においては、2次巻線19a,19b‥‥19hの一端をこのフィルム突起部109に巻き付けた際、この狭部110cの幅W2よりも先端部110aの幅W1が広いので、巻き付けた2次巻線19a,19b‥‥19hの一端がほどけにくく、確実に固定することができる。
【0046】
図8例のフィルム突起部109は短冊状であり、先端部110aと基部110dとの間における長手方向の両辺としての右縁部111a及び左縁部112aを有し、この右縁部111a及び左縁部112aを図7例と逆形状としたもので、基部110dから先端部110aに進むにつれて幅が狭くなり先端部110aの直前の部分が最も深く凹んだ構成であり、フィルム突起部109全体としては、狭部110cにおいて凹んだ形状となっている。
【0047】
斯る図8例においても図7例と同様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。
【0048】
尚上述例は2次巻線を8つ設けた例につき述べたが、この2次巻線の数は必要とする高圧電圧に応じた必要な複数個を設けるようにするもので、8つに限らない複数個であっても良いことは勿論である。
【0049】
また本発明は上述例に限ることなく本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の2次巻線の開放されている一端を層間に設けた絶縁性フィルムを切り起こして形成したフィルム突起部に巻き付けて固定するようにしたので、このフィルム突起部に巻き付けて固定する分のボビンの端子を省略することができ、ボビンの端子数を減少することができ、ボビンを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明昇圧トランスの実施の形態の例の2次巻線装置の例を示す斜視図である。
【図2】図1の要部の例の一部拡大斜視図である。
【図3】図1の説明に供する一部拡大斜視図である。
【図4】図1の2次巻線装置の例を示す正面図である。
【図5】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図6】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図7】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図8】図1の要部の他の例の一部拡大斜視図である。
【図9】昇圧トランスの例を示す回路図である。
【図10】図9の昇圧トランスの2次巻線装置の等価回路図である。
【図11】2次巻線装置の例の一部拡大断面図である。
【図12】昇圧トランスの例の全体構成を示す断面図である。
【図13】従来の2次巻線装置の例を示す正面図である。
【符号の説明】
10・・・商用電源、11・・・整流回路、14・・・発振駆動回路、15・・・スイッチング回路、16・・・共振用コンデンサ、17・・・コイル、18・・・1次巻線、19a,19b‥‥19h・・・2次巻線、20a,20b‥‥20h・・・整流用ダイオード、23・・・高圧出力端子、27・・・制御回路、101・・・2次巻線装置、102・・・1次巻線装置、103,104・・・端子、105・・・絶縁性フィルム、107・・・ボビン、109・・・フィルム突起部
Claims (7)
- 所定周波数でスイッチングされたスイッチング電圧が供給される1次巻線と、
該1次巻線に供給される前記スイッチング電圧を昇圧するとともに、複数の層に積層して所定巻数で分割され、一端が開放された複数の2次巻線と、
該複数の2次巻線を前記1次巻線に対して所定間隔とするとともに、前記複数の2次巻線の他端がそれぞれ巻き付けられる複数の端子を有するボビンと、
該ボビンに挿入され、前記1次巻線に供給される前記スイッチング電圧により励磁され、閉磁路が形成されるコアと、
前記複数の2次巻線をそれぞれ所定厚で隔てるように前記ボビンに巻き付けられる絶縁性フィルムと、
前記複数の2次巻線の他端にそれぞれ設けられ、前記2次巻線の他端に得られる昇圧された電圧を整流する整流部と、
前記絶縁性フィルムを切り起こして形成され、前記2次巻線の一端を巻き付けるフィルム突起部とを備えることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項1記載の昇圧トランスにおいて、
前記フィルム突起部には、前記2次巻線の一端を巻き付けた際に前記2次巻線の一端を固定するための留め用凹部が形成されていることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項1記載の昇圧トランスにおいて、
前記フィルム突起部は、その先端部と基部との間における長手方向の一方の辺または両方の辺が凹んだ形状であることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項1記載の昇圧トランスにおいて、
前記フィルム突起部は、基部から先端部に進むにつれて幅が細くなり、前記先端部直前の部分が最も細い形状であることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項1記載の昇圧トランスにおいて、
前記1次巻線に対して共振コンデンサとインダクタが接続され、前記1次巻線に供給されるスイッチング電圧を共振波形とすることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項1記載の昇圧トランスにおいて、
前記整流部は前記複数の2次巻線のうち、隣り合う2次巻線の他端間にダイオードが縦列接続され、前記2次巻線に得られる電圧を全波倍圧整流して直流電圧を生成するとともに、該直流電圧を積み上げて高電圧を得ることを特徴とする昇圧トランス。 - 請求項6記載の昇圧トランスにおいて、
出力高電圧に基づき、前記スイッチング電圧の周波数を制御する制御回路を備えることを特徴とする昇圧トランス。
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