JP3574894B2 - 半導体装置のフリップチップ実装構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田バンプを用いた半導体装置のフリップチップ実装構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置と電気回路が形成された基板とを電気的に接続する手段として、ワイヤボンディングが一般的である。しかし、近年ではより高密度に実装でき、さらに電気信号を高速処理することができるフリップチップボンディング(以下、「FCB」と略す)やテープオートメイテッドボンディング(以下、「TAB」と略す)が注目され、既にこれらの接続方法が用いられている。TABは、半導体装置を引出線が配線されている写真フィルム状のテープキャリアに装着し、このテープキャリアから切り離すと同時に熱圧着で基板に接続する方法である。
【0003】
一方、FCBは、半導体装置の電極上に半田バンプを形成し、半導体装置を実装する基板上の電極に半田バンプが略対向するように半導体装置を基板に配置し、基板上の電極と半田バンプとをリフロー接合した後、半導体装置と基板との間の隙間に樹脂を流し込んで硬化させる接続方法である。
【0004】
このようなFCBを用いて従来より、例えば図3に示すように、半導体装置1に設けられたSiを重量比約1%含有するAl電極2と、セラミック製の基板11上にAgPt厚膜ペーストにて形成されたAgPt電極12とを、Pbリッチ(重量比80%)のSnPb半田による半田バンプ30で接合し、半導体装置1を基板11にフリップチップ実装している。
【0005】
このフリップチップ実装方法について、以下に具体的に説明する。
【0006】
先に、半導体装置1のAl電極2とSnPb半田との接合性を向上するため、主にCr/Ni/CuからなるUBMと呼ばれるバリア層31をAl電極2の表面に形成し、さらにコア材としてCuメッキ32を形成する。その後、このCuメッキ32上にSnPb半田の半田バンプ30をメッキにて形成する。ここでCuメッキ32をコア材として形成しているのは、SnPb半田が耐熱疲労性に劣り、熱サイクルによって機械的強度が低下するのを防止し、半導体装置1と基板11との間のギャップを一定に保つためである。
【0007】
次に、半導体装置1に形成された半田バンプ30にフラックスを転写し、この半田バンプ30が基板11上のAgPt電極12に当接するように配置する。このとき、フラックスの粘性により半導体装置1は基板11に仮止めされる。
【0008】
そして、半導体装置1が配置された基板11を、空気又は窒素雰囲気中で、SnPb半田の溶融温度以上に加熱する。これによって半田バンプ30が溶融し、半田バンプ30と基板11上のAgPt電極12とがリフロー接合される。なお、窒素雰囲気の場合には、半田バンプ30の酸化が防止されて、濡れ性が向上する。また、必要であればリフローの後に、フラックスを超音波やジェット洗浄法で除去しておく。
【0009】
最後に、半導体装置1と基板11の外的保護及び接着強度を向上させるために、半導体装置1と基板11との間の隙間に樹脂20を流し込んで硬化させる。この樹脂20は、例えばガラス転移温度(Tg)が約180℃のエポキシ系樹脂であり、基板11が約150℃の高温度環境下におかれても、樹脂20の熱膨張率などの物性が急激に変わらないようにしている。
【0010】
このように半導体装置1が実装された基板11では、図3に示すように、半導体装置1のAl電極2と基板11のAgPt電極12との間に、Al電極2の表面から順にバリア層31と、Cuメッキ32と、AgPt電極12に接合する半田バンプ30とが形成され、これらはAl電極2とAgPt電極12を含めて半導体装置1と基板11との間の隙間に流入された樹脂20により封止されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の車載分野では約150℃以上の高耐熱化が求められている一方で、上述のようなフリップチップ実装構造は高温度環境下における信頼性を確保することが難しい。この半導体装置1を実装した基板11を周囲温度約180℃に保つ高温放置試験を実施した結果、約1000時間放置した場合、図4(a)に示すように、半田バンプ30とCuメッキ32との界面にCu3Snの合金層33が形成され、さらに、約3000時間放置した場合、図4(b)に示すように、半田バンプ30とCuメッキ32との界面付近にボイド(図示せず)やクラック34が発生することが明らかになった。すなわち、上記従来例においては、SnPb半田で半田バンプ30を形成する場合には、耐熱疲労性向上のためにCuメッキ32のコア材が必要となるが、このCuメッキ32によって上述のようにボイドやクラック34の発生という別の問題が生じてしまう。また、SnPb半田にはPbが約80%含まれており、環境への悪影響が懸念されている。
【0012】
本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、高温度環境下においても信頼性を確保した半導体装置のフリップチップ実装構造を提供する。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1の発明は、半導体装置に設けられたAl電極に、SnAgを主成分とする半田により半田バンプを形成し、該半田バンプと、絶縁材料からなる基板に設けられたAgPt電極とを接合し、半導体装置と基板との間の隙間を樹脂材料にて封止したことを特徴とし、従来より用いられているSnPb半田よりも耐熱疲労性に優れたSnAgを主成分とする半田を用いて半田バンプを形成しているため、半田の機械的強度の低下を防ぐコア材を必要としない。その結果、従来のCuメッキのコア材が不要となり、高温度環境下において半田バンプとAl電極又はAgPt電極との界面付近に合金層が形成されてボイドやクラックが発生することがなく、半導体装置のAl電極と基板上のAgPt電極間の電気的な接続状態を良好に保って断線を防ぐことができ、信頼性を確保することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本実施形態における基本構成は従来例と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【0015】
本実施形態の実装方法について、図2を参照して以下に説明する。
【0016】
先に、図2(a)に示すように、Al電極2が上面になるように半導体装置1を配置し、Agが重量比約1%含有されたSnAgを主成分としZn,Sb、Cu,Ni,Pdが微量添加されたSnAg半田の半田バンプ3をスタッドバンプ方式によりAl電極2の表面に形成する。このスタッドバンプ方式は、ワイヤボンディングを応用したバンプ形成方法で、ArにH2を体積比約10%含めた雰囲気のアーク放電によって略紐状のSnAg半田の先端部を略球状に形成し、この略球状の先端部を超音波併用熱圧着によりAl電極2に接合させる。そしてSnAg半田の先端部付近にある略紐状部分の再結晶脆弱部を破断させることによって表面側略中央部に突出した突部3aを有する半田バンプ3が形成される。なお、スタッドバンプ方式は、メッキによるバンプ形成方法と比べてマスクを製作する必要がなく、少量多品種の半導体装置1のバンプ形成に適している。
【0017】
次に、半導体装置1を反転して、図2(b)に示すように、半田バンプ3の突部3aを基板11上に設けられたAgPt電極12に当接させ、半導体装置1を基板11上に配置する。そして図2(c)に示すように、半田バンプ3とAgPt電極12を従来例と同様にリフロー接合し、最後に、図2(d)に示すように、半導体装置1と基板11との隙間に樹脂20を流し込んで硬化させ、Al電極2と半田バンプ3とAgPt電極12とを封止することによって、図1に示すように、半導体装置1のフリップチップ実装構造が完成する。
【0018】
本実施形態では、従来より用いられているSnPb半田よりも耐熱疲労性に優れたSnAg半田を用いて半田バンプ3を形成しているため、従来例のように熱サイクルによる機械的強度の低下を防止するためのCuメッキのコア材を必要としない。その結果、高温度環境下においてSnAg半田の半田バンプ3とAl電極2又はAgPt電極12との界面付近に従来例のようなCu3Snの合金層が形成されることがなく、ボイドやクラックの発生がない。よって半導体装置1のAl電極2と基板11上のAgPt電極12間の電気的な接続状態を良好に保って断線を防ぐことができ、信頼性を確保することができる。また、SnAg半田にはPbが含有されていないので、環境に悪影響を与えることがない。
【0019】
実際に本実施形態の実装構造にて半導体装置1が実装された基板11を、約150℃,約165℃,約180℃の各高温度環境下において約3000時間放置する高温放置試験、及び約−40℃と約165℃の温度環境下に約30分ずつ放置するヒートサイクル試験を実施したところ、半田バンプ3とAl電極2又はAgPt電極12との界面にクラックやボイドが発生することがなく、またAl電極2とAgPt電極12との電極間の接続抵抗の値も有意な変化を示すことなく、電気的に良好な状態が保たれていることが確かめられた。
【0020】
【発明の効果】
請求項1の発明は、半導体装置に設けられたAl電極に、SnAgを主成分とする半田により半田バンプを形成し、該半田バンプと、絶縁材料からなる基板に設けられたAgPt電極とを接合し、半導体装置と基板との間の隙間を樹脂材料にて封止したので、従来より用いられているSnPb半田よりも耐熱疲労性に優れたSnAgを主成分とする半田を用いて半田バンプを形成しているため、半田の機械的強度の低下を防ぐコア材を必要としない。その結果、従来のCuメッキのコア材が不要となり、高温度環境下において半田バンプとAl電極又はAgPt電極との界面付近に合金層が形成されてボイドやクラックが発生することなく、半導体装置のAl電極と基板上のAgPt電極間の電気的な接続状態を良好に保って断線を防ぐことができ、信頼性を確保することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態を示す断面図である。
【図2】(a)〜(b)は、同上の実装工程の説明図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
【図4】(a)及び(b)は、同上の他の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置
2 Al電極
3 半田バンプ
11 基板
12 AgPt電極
20 樹脂
Claims (1)
- 半導体装置に設けられたAl電極に、SnAgを主成分とする半田により半田バンプを形成し、該半田バンプと、絶縁材料からなる基板に設けられたAgPt電極とを接合し、半導体装置と基板との間の隙間を樹脂材料にて封止したことを特徴とする半導体装置のフリップチップ実装構造。
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