JP3559465B2 - 非放射性誘電体線路 - Google Patents
非放射性誘電体線路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3559465B2 JP3559465B2 JP37117398A JP37117398A JP3559465B2 JP 3559465 B2 JP3559465 B2 JP 3559465B2 JP 37117398 A JP37117398 A JP 37117398A JP 37117398 A JP37117398 A JP 37117398A JP 3559465 B2 JP3559465 B2 JP 3559465B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- strip
- region
- signal attenuation
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等に組み込まれ、高周波信号のガイドとして用いられる非放射性誘電体線路に関し、特に高周波信号を減衰される信号減衰領域を具備する非放射性誘電体線路に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
非放射性誘電体線路（Ｎｏｎｒａｄｉａｔｉｖｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，以下、単にＮＲＤガイドという場合がある。）は、間隔ｄの平行平板導体間に誘電体ストリップを介装し、平行平板導体間の間隔ｄを、ｄ＜λ／２（λ：信号波長）となるように設計することによって、外部からＮＲＤガイドへのノイズの侵入をなくし、かつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送できるものである。
【０００３】
従来、この種のＮＲＤガイドにおいては、誘電体線路を形成する誘電体ストリップの材料として、テフロン、ポリスチレンなど比誘電率が２〜４の樹脂系の材料が多用されている。
【０００４】
一方、回路を設計する上では、ＮＲＤガイドに終端が存在する場合があり、また、高周波デバイスを保護するために、入力信号の強度を減衰させる場合もある。具体的には、終端部に設けられて反射を防ぐターミネータ（無反射終端器）や、線路途中に挿入されて電磁波を減衰させるアッテネータ（減衰器）などが用いられている。
【０００５】
従来、ＮＲＤガイド用のターミネータとしては、図３のように、ＮＲＤガイドにおける誘電体ストリップ１０の終端部を樹脂からなる誘電体材料中に金属抵抗体粉や電波吸収体粉を分散混合した材料１１により構成したもの（特開平７−９４９１６号公報）や、図４のように誘電体ストリップ１０の終端部に金属抵抗体や電波吸収体１２を貼付したもの（特開平９−１８１５０５号公報、”非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積回路”米山 務、電子情報通信学会誌Ｃ−Ｉ，ｖｏｌ，Ｊ７３，Ｎｏ．３，Ｐ８７〜９４，１９９０、”３５ＧＨｚ帯ＮＲＤガイド送受信機の小型化”内田 偉津美他、電子情報通信学会誌Ｃ−Ｉ，ｖｏｌ，Ｊ７６，Ｎｏ．７，Ｐ２７０〜２７６，１９９３）が知られている。
【０００６】
この種のターミネータは、樹脂系の誘電体中に異なる材質、例えば、金属、磁性体、カーボン等の電波吸収体を存在させることにより、電気抵抗による損失や電磁波の吸収によって高周波信号を減衰させるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、比誘電率が２〜４の樹脂系材料により誘電体ストリップを構成した場合、高周波帯においては、誘電体ストリップ中に曲線部を形成する際、曲線部での曲げ損失が大きいため曲率半径の小さい曲線部を形成することができず、回路が大型化してしまうという問題があった。また、樹脂系材料は、経時変化により変質または変形する恐れがあるため、誘電体ストリップ材料としての信頼性が低かった。さらに、テフロンを誘電体ストリップとして用いた場合には、テフロンと平行平板導体とを接着剤を用いて接着することが難しいために、取扱により誘電体ストリップの設置位置がずれたりして不具合が生じる場合があった。
【０００８】
また、特開平７−９４９１６号公報のように、樹脂からなる誘電体材料中に金属抵抗体粉や電波吸収体粉を混合した材料を配置する方法では、前記樹脂の誘電率が２〜４と低く、前記金属抵抗体粉や電波吸収体粉の誘電率が高いために、信号減衰領域の誘電体ストリップと該信号減衰領域以外の誘電体ストリップ間で誘電率が極端に変化し、インピーダンスの不整合が起こり、高周波信号の反射の原因となっていた。
【０００９】
すなわち、高周波信号を伝送するＮＲＤガイドにおいては、誘電体ストリップ中の組織内にて誘電率が急激に変化してインピーダンスの急激な変化が生じると、その部分で高周波信号の反射が生じたり、入力信号波と反射信号波とが合成されて、定在波が発生し、高周波回路に悪影響を及ぼすという問題があった。しかも、このＮＲＤガイドでは、金属抵抗体粉や電波吸収体粉を混在させた材料を配置するにあたり、線路に対してインピーダンスの不整合を解消すべく、図３に示すように複雑な形状にて配置する必要があり、組み立てが難しく、量産性を妨げていた。
【００１０】
また、図４のように誘電体ストリップに金属抵抗体や電波吸収体を貼付する方法では、インピーダンスの急激な変化を抑制するために複雑な形状の金属抵抗体や電波吸収体を精度良く貼付する必要があるため、量産性が低く、コスト高を招いていた。また、製造時や運搬時等の取り扱いにより、金属抵抗体や電波吸収体がずれたり、剥離したりして所望の特性が得られない等の問題があった。
【００１１】
したがって、本発明は、良好な減衰特性を有するとともに、簡単な構造で容易に作製できる信号減衰領域を具備した非放射性誘電体線路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に対して検討を重ねた結果、誘電体ストリップをセラミックスで作製するとともに、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成することにより、特にコーディライト質セラミックスについては、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のアルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量の多いセラミックスにて形成することにより、簡単な構造で反射等の少ない良好な信号減衰特性を有する非放射性誘電体線路が得られることを知見した。
【００１５】
また、誘電体ストリップがコーディライト質セラミックスからなる場合には、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりもアルカリ金属、カーボンの含有量の多いセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成するとともに、前記アルカリ金属、カーボンがコーディライト結晶内に固溶していることを特徴とするものである。
【００１６】
また、前記アルカリ金属以外に、カーボン、炭化珪素、遷移金属またはその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量の多いセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成したことを特徴とするものである。
【００１７】
なお、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上、また前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下であることが望ましい。
【００１８】
また、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のカーボンの最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上、また前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のカーボンの含有量が全量中０．１重量％以下であることが望ましい。
【００１９】
さらに、前記信号減衰領域における誘電体ストリップ中のアルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量は、少なくとも前記信号減衰領域以外の領域との境界部において、該信号減衰領域以外の領域に向かって次第に減少していることが望ましい。
【００２０】
【作用】
本発明は、ＮＲＤガイドにおいて、誘電体の誘電損失によって高周波信号が減衰し、信号強度が低下する、すなわち誘電体ストリップにおけるＱ値が小さいほど高周波信号が減衰し、信号強度が低下するという挙動に基づくものであり、一対の平行平板導体間に、セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなる非放射性誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる誘電体ストリップを設け、この低Ｑ値の誘電体ストリップとその上下の平行平板導体によって、線路内を伝送される信号の強度を減衰させる信号減衰領域を形成することができるものである。
【００２１】
具体的な例としては、前記セラミックス内にＱ値を低下せしめる低Ｑ値化材料を含有させることによって、誘電体ストリップのＱ値を低下させることが可能である。すなわち、その誘電体ストリップをセラミックスによって形成すると、成分の制御によりＱ値を容易に変化できる。
【００２２】
より具体的には、誘電体ストリップをコーディライト質セラミックス（誘電率４．５〜８）により構成し、Ｑ値を低下せしめる材料として、アルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種（以下、低Ｑ値化材料と略す。）（誘電率５〜９）を用いることにより、信号減衰領域において、誘電率が極端に変化することがないために、インピーダンスの不整合による高周波信号の反射がなく、高周波回路への影響を及ぼすことがない。また、信号減衰領域の低Ｑ値化材料の含有量を制御することにより、容易にＱ値を制御することができるために、容易に所望の減衰特性を得ることができる。
【００２３】
さらに、低Ｑ値化材料のうち、アルカリ金属およびカーボンについては、その大部分がコーディライト結晶内に固溶し、信号減衰領域の誘電体ストリップ中に独立した相として存在する割合が低いと推測されるために、インピーダンスの不整合をより小さくでき、高周波回路への影響がより低減される。
【００２４】
また、アルカリ金属およびカーボンについては、コーディライト結晶内に格子欠陥を生成すると推測されるが、コーディライトに対して少ない添加量で大幅にＱ値を低下させる効果があるために、低Ｑ値化材料として好適である。
【００２５】
さらに、かかる信号減衰領域の形成にあたり、セラミックスを用いて信号減衰領域の誘電体ストリップとその他の領域の誘電体ストリップとを同時焼成することにより、低Ｑ値化材料の量を拡散等によって境界部における含有量を該信号減衰領域以外の領域した構造に容易に形成できるために、単純な構造で容易に作製することが可能である。
【００２６】
また、その誘電体ストリップをセラミックスによって形成すると、６０ＧＨｚ以上の高周波帯においても、誘電体ストリップ内に曲率半径の小さい曲線部を形成することができるため、回路の小型化が可能である。しかも、セラミックスは経時変化が無いことから、信頼性の高い誘電体ストリップとなる。さらに、接着剤を使用できるために、回路設計の自由度が向上する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明のＮＲＤガイドによれば、一対の平行平板導体間に、セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなるものであり、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる低Ｑ値誘電体ストリップ（以下、減衰用ストリップと略す。）を前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域が形成されている。つまり、本発明のＮＲＤガイドにおける誘電体ストリップは、少なくとも一般線路部を形成するための誘電体ストリップ（以下、線路用ストリップと略す。）と、信号減衰領域を形成するための減衰用ストリップとから形成されている。
【００２８】
（ターミネータ）
図１は、信号減衰領域を誘電体線路の終端部に形成し、ターミネータとしての機能を発揮できるように構成された一例である。図１のＮＲＤガイドＡによれば、一対の平行平板導体１ａ、１ｂ間に、セラミックスからなる誘電体ストリップが配置された構成からなるものであるが、その終端部に位置する誘電体ストリップを、低Ｑ値のセラミックスからなる減衰用ストリップ３によって形成し、その上下を平行平板導体１ａ、１ｂによって挟持することにより、ターミネータとなる信号減衰領域Ｂが形成されている。なお、ＮＲＤガイドＡの信号減衰領域Ｂ以外の領域には、少なくとも線路用ストリップ２を一対の平行平板導体１ａ、１ｂによって挟持してなる一般線路部Ｃが形成されている。
【００２９】
平行平板導体１ａ、１ｂは、高い電気伝導度を有すること、および加工性の点で、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵＳ（ステンレス）、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体板、あるいはこれらの材料からなる導体層を表面に形成したセラミックス、樹脂等の絶縁体により形成される。
【００３０】
（ストリップ）
一方、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３は、誘電特性、加工性、強度などの点で、コーディライト、アルミナ、ガラスセラミックス等のセラミックスによって形成されるものであるが、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との誘電率の違いによるインピーダンスの急激な変化を避けるために、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との誘電率を近似させる点で、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３とは主成分が同じ材料により構成されることが望ましい。
【００３１】
また、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３とは、低誘電率でＱ値の制御が容易であるという点からコーディライト質セラミックスが最も望ましい。さらに、このコーディライト質セラミックスに対し、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の酸化物を含有せしめることにより、Ｑ値を向上させることができる。
【００３２】
本発明においては、減衰用ストリップ３のＱ値が線路用ストリップ２のＱ値よりも小さいことが重要である。Ｑ値の大きい（誘電損失の小さい）線路用ストリップ２内を通過してきた高周波信号が、Ｑ値の小さい（誘電損失の大きい）減衰用ストリップ３にて熱に変換されて減衰する。
【００３３】
また、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３がコーディライト質セラミックスからなる場合には、減衰用ストリップ３を構成するセラミックス中に低Ｑ値化材料を含有せしめ、その含有量が線路用ストリップ２の低Ｑ値化材料の含有量よりも多くなるように制御することが重要である。すなわち、コーディライト質セラミックスにおいては、低Ｑ値化材料の含有量が増加するに従い、Ｑ値が減少する傾向にあることから、この低Ｑ値化材料の含有量によって、Ｑ値の制御を容易に行うことができる。
【００３４】
なお、低Ｑ値化材料がアルカリ金属またはカーボンである場合は、その含有量が少ない範囲ではコーディライト結晶内に固溶するものと推測され、誘電体ストリップが実質的に均一な材料からなるために、独立した異相の存在によるインピ−ダンス不整合等が生じることがないことから、高周波信号の反射をより小さくすることができる。また、コーディライト結晶中に固溶するアルカリ金属および／またはカーボンは、結晶内に格子欠陥等を生成せしめることから少ない添加量で大幅にＱ値を低める効果がある。さらに、低Ｑ値化材料が、炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、コーディライト結晶の粒界に存在する。
【００３５】
なお、前記低Ｑ値化材料のうち、炭化珪素をコーディライト質セラミックス中に含有せしめることにより、コーディライトの粒界を強化することができるためにストリップの強度を高めることができる。
【００３６】
なお、低Ｑ値化材料のストリップ中の含有量については、低Ｑ値化材料がアルカリ金属である場合には、減衰用ストリップ３中のアルカリ金属の最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましく、また、低Ｑ値化材料がカーボンである場合には、減衰用ストリップ３中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００３７】
さらに、低Ｑ値化材料が炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、減衰用ストリップ３中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００３８】
また、上述した低Ｑ値化材料については、１種の材料のみを含有しても良いが、２種以上の組合せでもよく、これにより信号減衰効果を高めることができることから、それぞれの含有量を上述した量よりも少なくすることができる。
【００３９】
なお、前記低Ｑ値化材料のうちアルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムのうち少なくとも１種が使用可能であるが、少ない添加量でＱ値を大幅に変化させる少なくともカリウムを含むことが望ましい。
【００４０】
また、コーディライト質セラミックス中には、コーディライ結晶の粒界に存在する非晶質相が含まれてもよく、また、Ｓｉ系のガラスおよびそれに窒素を含むもの、金属酸化物、ホウ素等を含有するガラスを含有してもよいが、これらガラスは、コーディライトのＱ値を低める効果があることから、減衰用ストリップ中に多く存在することが望ましい。また、Ｑ値を低める上では、前記ガラス中にアルカリ金属、特にカリウムを含有することが望ましい。
【００４１】
さらに、前記低Ｑ値化材料のうち遷移金属としては、４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８、１Ｂ族の遷移金属が使用可能であるが、特に、低いＱ値を有するＷ、Ｍｎ、Ｃｕを含有することが望ましく、また、これらはコーディライトセラミックス中に金属または前記遷移金属の酸化物、窒化物等の化合物として存在する。
【００４２】
上記の低Ｑ値化材料により、減衰用ストリップ３の６０ＧＨｚにおけるＱ値を５００以下、特に１００以下とすることにより、信号減衰領域Ｂでの充分な減衰特性を得ることができる。
【００４３】
一方、線路用ストリップ２中には、高Ｑ値であることの要求に対しては、アルカリ金属の含有量は０％であることが最も望ましいが、不可避的不純物としての混入を考慮すれば、線路用ストリップ２中のアルカリ金属の含有量は、酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下であることが望ましい。また、前記カーボンについても、同様に、線路用ストリップ２中の含有量は０％であることが最も望ましいが、不可避的不純物としての混入を考慮すれば、線路用ストリップ２中のカーボンの含有量は、酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下であることが望ましい。
【００４４】
線路用ストリップ２は、６０ＧＨｚにおけるＱ値が１０００以上、特に２０００以上とすることにより損失が小さくなるために、優れた透過特性を有する線路となる。
【００４５】
また、減衰用ストリップ３の少なくとも線路用ストリップ２との境界部においては、該境界部の低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ３に向かって該信号減衰領域以外の領域、具体的には線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させて、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との境界での誘電率およびＱ値の差を小さくすることにより、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができるため、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｂとの境界での反射をさらに低減できる。
【００４６】
なお、上記ターミネータとしての信号減衰領域における信号減衰率は、低Ｑ値化材の含有量と信号減衰領域の長さによって適宜調整され、特に終端部で信号強度がゼロになるように制御されることが望ましい。
【００４７】
（アッテネータ）
図１の非放射性誘電体線路においては、信号減衰領域をターミネータとして用いたものであるが、本発明によれば、信号減衰領域を誘電体線路の途中に設け、アッテネータとして機能させることも可能である。
【００４８】
図２は、信号減衰領域Ｅを誘電体線路の途中に形成し、アッテネータとしての機能を発揮できるように構成された一例である。図２のＮＲＤガイドＤによれば、減衰用ストリップ４が線路用ストリップ２、２の間に形成されている以外は図１と同様の構成であり、この場合においても減衰用ストリップ４のＱ値が線路用ストリップ２のＱ値よりも小さいことが重要である。
【００４９】
なお、減衰用ストリップ４中の低Ｑ値化材料がアルカリ金属である場合、その最大含有量は、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であること、カーボンである場合は、減衰用ストリップ４中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であること、さらに、炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、減衰用ストリップ４中の最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００５０】
上記アッテネータとしての信号減衰領域Ｅにおける信号減衰率は、低Ｑ値化材料の含有量と信号減衰領域の長さによって適宜調整される。
【００５１】
また、減衰用ストリップ４においては、低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ４の少なくとも線路用ストリップ２との両境界部において、該境界部から低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ４に向かって該信号減衰領域以外の領域、具体的には線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させて、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ４との境界での誘電率およびＱ値の差を小さくすることにより、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができるため、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｅとの境界での反射をさらに低減できる。
【００５２】
（信号減衰領域のその他の形態）
本発明においては、上述したように低Ｑ値化材料の含有量の多いセラミックスを用いたストリップをターミネータまたはアッテネータとして機能させることができるが、かかる構成に加え、該ストリップにおける信号の進行方向に平行な内面および／または外面に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することもでき、これにより信号減衰効果が高まることから、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５３】
さらに、前記構成に加え、ターミネータについては、信号の進行方向に垂直な終端面に、アッテネータについては、信号の進行方向に垂直で、かつ信号減衰領域においてＱ値が低い少なくとも一面に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することもでき、これによっても信号減衰効果が高まることから、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５４】
また、上記方法の組合せにより、さらに、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５５】
（製造方法）
本発明の非放射性誘電体線路は、以下の方法によって作製される。
まず、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４とを作製する方法としては、例えば、ＭｇＣＯ３ 粉末（純度９９％以上）、Ａｌ２ Ｏ３ 粉末（純度９９％以上）、ＳｉＯ２ 粉末（純度９９％以上）を用いてコーディライト組成となるように秤量し、これにＫ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属の炭酸塩、硝酸塩等の粉末（純度９９％以上）を添加、混合する。
【００５６】
また、この混合粉末に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の粉末（純度９９％以上）を添加することにより、焼結温度範囲を広げるとともに、緻密化を促進することができる。
【００５７】
この混合粉末を、所望により大気中１１００℃〜１３００℃にて仮焼した後、粉砕し、これに、カーボン粉末、炭化珪素粉末、遷移金属およびその化合物粉末の群から選ばれる少なくとも１種を添加、混合する。これらの粉末は、信号減衰領域のインピーダンスの整合性の点で、平均粒径０．５〜５．０μｍであることが望ましい。
【００５８】
そして、これに適量の有機バインダを添加して、例えば、プレス成形法、ＣＩＰ成形法、ドクターブレード法、圧延法等のテープ成形法、押し出し成形法、射出成形法等の周知の成形方法によりストリップ形状の成形体を作製する。
【００５９】
その後、該成形体を大気中、所定温度で脱バインダ処理し、大気中１３００℃〜１５００℃、または非酸化性雰囲気中、１３００℃〜１５００℃で焼成することにより、ストリップ形状のセラミックスを形成することができる。また、焼結体の密度を高めるためにホットプレス、ＧＰＳ等公知の加圧焼成を用いることもできる。
【００６０】
上記焼結体のアルカリ金属およびカーボン含有量は、原料として添加したアルカリ金属およびカーボンの他に、原料中の不可避的不純物あるいは製造工程において粉砕ボール等から混入するアルカリ金属や、脱バインダ処理後も残存する残留カーボン、あるいは焼成雰囲気より拡散するアルカリ金属およびカーボン分が含まれる。
【００６１】
この時、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４との接続方法としては、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４とを上記のようにして個別に作製し、接着剤等で接続することもできるが、例えば、低Ｑ値化材料の含有量の異なる少なくとも２種以上の成形体を接続した状態で同時焼成する方法により、低Ｑ値化材料の含有量が段階的に増加した減衰用ストリップが得られる。
【００６２】
さらに、他の方法としては、低Ｑ値化材料の含有量が段階的に異なるものを作製し、これらを接続一体化する方法や、低Ｑ値化材料がアルカリ金属および／またはカーボンである場合には、線路用ストリップ２となる成形体の端部または途中にアルカリ金属および／またはカーボン粉末を含むペースト等を塗布して焼成する方法、あるいは焼成時にアルカリ金属および／またはカーボン含有物を成形体周囲に配置して焼成時に拡散させる方法により、焼結体中にアルカリ金属および／またはカーボンが拡散し、減衰用ストリップ３、４において、アルカリ金属および／またはカーボンの含有量を線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させることができる。
【００６３】
これにより、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４との境界での誘電率の差を小さくなるため、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができ、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｂ、Ｅとの境界での反射をさらに低減できる。
【００６４】
本発明においては、線路用ストリップ２は、焼結体中のアルカリ金属の含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下、また、カーボンの含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下にすることが望ましいが、アルカリ金属およびカーボンの含有量を上記範囲とするためには、純度の高い原料を使用したり、製造工程中の粉砕ボール等はアルカリ金属を含まないものを使用する、脱バインダを充分に行う等、不純物としてのアルカリ金属およびカーボンの混入を防ぐことが望ましい。
【００６５】
また、アルカリ金属については、焼成時に成形体中からアルカリ金属が蒸発したり、逆に焼成雰囲気から焼結体中にアルカリ金属が混入したりし、特に表面の組成が変動することを避けるため、匣鉢内で焼成したり、アルカリ金属粉末を成形体周囲に配置して同時に焼成する等により焼成雰囲気を一定に保つことが望ましい。
【００６６】
さらに、焼成中にアルカリ金属および／またはカーボンが混入または揮発し、含有量が変動した焼結体表面を研磨してアルカリ金属および／またはカーボンの含有量を調整してもよい。
【００６７】
また、原料中あるいは製造工程における粉砕ボール等から混入する不純物として、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐ、Ｔｉ等があるが、これらの金属がごく微量混入しても、Ｑ値や誘電率がほとんど変化することがなく、誘電体線路の特性に影響を及ぼさないが、上記不純物のうち遷移金属については所定量添加することにより、６０ＧＨｚにおけるストリップのＱ値を、特に５００以下と低めることができ、信号減衰効果を高めることができる。
【００６８】
上記のようにして得られた焼結体を、一対の平行平板導体１ａ、１ｂ間に配設することにより、容易にかつ優れた特性を有するＮＲＤガイドが得られる。なお、平行平板導体１ａ、１ｂと線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４とを所望によって接着剤等で接着することにより、取扱等による位置ずれを防ぐことができる。
【００６９】
このようなＮＲＤガイドは、５０ＧＨｚ以上、特に６０ＧＨｚ以上、さらには７０ＧＨｚ以上の高周波帯で好適に使用可能である。
【００７０】
なお、本発明のＮＲＤガイドによれば、減衰用ストリップ３、４をＮＲＤガイド中に複数設けてもよい。
【００７１】
また、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４が、コーディライト質セラミックス以外のセラミックス材料からなる場合、前記コーディライト質セラミックスと同様に、そのセラミックスのＱ値を低下せしめる成分を用い、その組成比率を調整して、低Ｑ値セラミックスを用いて信号減衰領域を形成することによって上記と同様の効果が得られる。
【００７２】
この場合でも、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４のセラミックスの同時焼成により、前述したコーディライト質セラミックスと同様な方法によって作製でき、また、低Ｑ値化材料の濃度の傾斜をつけることも可能である。
【００７３】
【実施例】
実施例１（材料特性、アルカリ金属添加）
ＭｇＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）、Ａｌ２ Ｏ３ 粉末（純度９９．７％、平均粒径１μｍ）、ＳｉＯ２ 粉末（純度９９．４％、平均粒径１μｍ）、Ｋ２ ＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）およびＮａ２ ＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）を、焼結体の組成が表１の組成となるように、秤量混合し、この混合物を大気中１２００℃で２時間仮焼した後、粉砕した。
【００７４】
次いで、これに純度９９％以上、平均粒径が１．０〜２．０μｍのカーボン粉末、炭化珪素粉末（ＳｉＣ）、および表１に示す遷移金属酸化物を添加し、適量のバインダを加えて造粒した造粒粉を作製した。これを１０００ｋｇ／ｃｍ２ の圧力でプレス成形して直径１２ｍｍ×厚み８ｍｍの成形体を作製し、この成形体に対し、６００℃で２時間脱バインダ処理を行った後、大気中、１４００℃または窒素中、１４００℃で２時間焼成した。
【００７５】
得られた焼結体についてＩＣＰ分析を行い、表１に示した。また、得られた焼結体について、６０ＧＨｚにおける比誘電率および誘電損失をネットワークアナライザ、シンセサイズドスイーパを用いて誘電体共振器法により測定し、Ｑ値を算出した。結果は、表１に示した。
【００７６】
一方、上記の造粒粉を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ１２０ｍｍの成形体を作製し、６００℃で２時間脱バインダ処理を行った後、大気中１４００℃、または窒素中、１４００℃で２時間焼成した。
【００７７】
得られた焼結体を高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ１００ｍｍに切り出し、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み８ｍｍの２枚の銅からなる平行平板導体間に配置し、図１のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、ネットワークアナライザを用いて６０ＧＨｚにおける高周波信号の透過特性を測定した。結果は表１に示した。
【００７８】
【表１】
【００７９】
表１の結果から明らかなように、低Ｑ値化材料の含有量が増加するとＱ値が大きく減少することがわかる。また、高周波信号の伝送特性については、アルカリ金属およびカーボンの含有量が少ないほど透過率が高く、アルカ金属含有量が酸化物換算で０．０５重量％以下、カーボン含有量が０．０３重量％以下では、測定器の検出限界−０．９ｄＢとなった。
【００８０】
実施例２（ターミネータ）
実施例１における造粒粉を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ１００ｍｍの線路部用の成形体および幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ４０ｍｍの信号減衰領域用の成形体を作製した。表２に示す２種類の材料からなる成形体を、成形体同士を接触させた状態で、実施例１と同様に脱バインダ処理および焼成を行った。
【００８１】
得られた焼結体を高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ３０ｍｍ）に加工し、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み８ｍｍの２枚の銅からなる平行平板導体間に配置し、図１のターミネータの構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、ネットワークアナライザを用いて６０ＧＨｚにおける入力信号に対する反射率を測定し、表２に示した。
【００８２】
【表２】
【００８３】
表２の結果から明らかなように、線路部のＱ値が信号減衰領域のＱ値と同じ試料Ｎｏ．８においては、反射率が−１．４ｄＢと大きくなった。これに対し、本発明の範囲内の試料については、反射率が−２．３ｄＢ以下と小さくなり、特に信号減衰領域のアルカリ金属の含有量が全量中１重量％以上の試料Ｎｏ．１〜７、１２、１３については、反射率が−６．８以下の良好な減衰特性を示した。
【００８４】
実施例３（アッテネータ）
実施例１の表１の材料Ｎｏ．３を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ５０ｍｍの線路用ストリップ用の成形体を２つと、表１の材料Ｎｏ．１１を用いて幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ３０ｍｍの減衰用ストリップ用の成形体１つを作製した。この成形体を線路用ストリップ間に減衰用ストリップが介在するように配置し、実施例１と同様の方法で接触させ、１４００℃にて焼成し、高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ３０ｍｍ）の形状に加工を行い、実施例２と同様のＣｕ板間に設置して図２のアッテネータ構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、実施例１と同様に高周波信号の透過特性および減衰特性を測定したところ、６０ＧＨｚにおいて、透過率が−３．５ｄＢ、反射率が−２８．０ｄＢの良好な減衰特性を示した。
【００８５】
実施例４
実施例１の表１の材料Ｎｏ．３を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ５０ｍｍの線路用ストリップ用の成形体と、表１の材料Ｎｏ．１１を用いて幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ４０ｍｍの減衰用ストリップ用の成形体を作製し、実施例２と同様に接触させた状態で焼成し、高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ１５ｍｍ）の形状に加工を行った。この焼成体の材料Ｎｏ．１１側の終端部にカーボンを含有するペーストを０．５ｍｍの厚みに塗布し、乾燥した。
【００８６】
これを実施例２と同様のＣｕ板間に設置して信号の進行方向に垂直な終端面に電波吸収体を貼付したターミネータ構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、実施例１と同様に高周波信号の透過特性および減衰特性を測定したところ、６０ＧＨｚにおいて、透過率が−３．３ｄＢ、反射率が−２８．５ｄＢの良好な減衰特性を示した。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、ＮＲＤガイドにおいて、信号減衰領域のＱ値を線路部のＱ値よりも小さくすることにより、複雑な構造や高い精度を必要とせずに容易に作製でき、安価で量産性の高いターミネータやアッテネータを作製することが可能である。また、線路用ストリップと減衰用ストリップとの境界部でのインピーダンスの急激な変化がないため、信号減衰領域での反射の小さい優れた特性を有する非放射性誘電体線路が得られる。さらに、上記構造に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することにより、ターミネータやアッテネータの小型化ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非放射性誘電体線路の一例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】本発明の非放射性誘電体線路の他の一例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図３】従来の信号減衰領域を有する非放射性誘電体線路の一例を示し、平行平板導体を省略したものの斜視図である。
【図４】従来の信号減衰領域を有する非放射性誘電体線路の他の一例を示し、平行平板導体を省略したものの斜視図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ・・・平行平板導体
２・・・線路用ストリップ
３、４・・・減衰用ストリップ
Ａ、Ｄ・・・ＮＲＤガイド
Ｃ・・・一般線路部
Ｂ・・・信号減衰領域（ターミネータ）
Ｅ・・・信号減衰領域（アッテネータ）
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等に組み込まれ、高周波信号のガイドとして用いられる非放射性誘電体線路に関し、特に高周波信号を減衰される信号減衰領域を具備する非放射性誘電体線路に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
非放射性誘電体線路（Ｎｏｎｒａｄｉａｔｉｖｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ，以下、単にＮＲＤガイドという場合がある。）は、間隔ｄの平行平板導体間に誘電体ストリップを介装し、平行平板導体間の間隔ｄを、ｄ＜λ／２（λ：信号波長）となるように設計することによって、外部からＮＲＤガイドへのノイズの侵入をなくし、かつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送できるものである。
【０００３】
従来、この種のＮＲＤガイドにおいては、誘電体線路を形成する誘電体ストリップの材料として、テフロン、ポリスチレンなど比誘電率が２〜４の樹脂系の材料が多用されている。
【０００４】
一方、回路を設計する上では、ＮＲＤガイドに終端が存在する場合があり、また、高周波デバイスを保護するために、入力信号の強度を減衰させる場合もある。具体的には、終端部に設けられて反射を防ぐターミネータ（無反射終端器）や、線路途中に挿入されて電磁波を減衰させるアッテネータ（減衰器）などが用いられている。
【０００５】
従来、ＮＲＤガイド用のターミネータとしては、図３のように、ＮＲＤガイドにおける誘電体ストリップ１０の終端部を樹脂からなる誘電体材料中に金属抵抗体粉や電波吸収体粉を分散混合した材料１１により構成したもの（特開平７−９４９１６号公報）や、図４のように誘電体ストリップ１０の終端部に金属抵抗体や電波吸収体１２を貼付したもの（特開平９−１８１５０５号公報、”非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積回路”米山 務、電子情報通信学会誌Ｃ−Ｉ，ｖｏｌ，Ｊ７３，Ｎｏ．３，Ｐ８７〜９４，１９９０、”３５ＧＨｚ帯ＮＲＤガイド送受信機の小型化”内田 偉津美他、電子情報通信学会誌Ｃ−Ｉ，ｖｏｌ，Ｊ７６，Ｎｏ．７，Ｐ２７０〜２７６，１９９３）が知られている。
【０００６】
この種のターミネータは、樹脂系の誘電体中に異なる材質、例えば、金属、磁性体、カーボン等の電波吸収体を存在させることにより、電気抵抗による損失や電磁波の吸収によって高周波信号を減衰させるものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、比誘電率が２〜４の樹脂系材料により誘電体ストリップを構成した場合、高周波帯においては、誘電体ストリップ中に曲線部を形成する際、曲線部での曲げ損失が大きいため曲率半径の小さい曲線部を形成することができず、回路が大型化してしまうという問題があった。また、樹脂系材料は、経時変化により変質または変形する恐れがあるため、誘電体ストリップ材料としての信頼性が低かった。さらに、テフロンを誘電体ストリップとして用いた場合には、テフロンと平行平板導体とを接着剤を用いて接着することが難しいために、取扱により誘電体ストリップの設置位置がずれたりして不具合が生じる場合があった。
【０００８】
また、特開平７−９４９１６号公報のように、樹脂からなる誘電体材料中に金属抵抗体粉や電波吸収体粉を混合した材料を配置する方法では、前記樹脂の誘電率が２〜４と低く、前記金属抵抗体粉や電波吸収体粉の誘電率が高いために、信号減衰領域の誘電体ストリップと該信号減衰領域以外の誘電体ストリップ間で誘電率が極端に変化し、インピーダンスの不整合が起こり、高周波信号の反射の原因となっていた。
【０００９】
すなわち、高周波信号を伝送するＮＲＤガイドにおいては、誘電体ストリップ中の組織内にて誘電率が急激に変化してインピーダンスの急激な変化が生じると、その部分で高周波信号の反射が生じたり、入力信号波と反射信号波とが合成されて、定在波が発生し、高周波回路に悪影響を及ぼすという問題があった。しかも、このＮＲＤガイドでは、金属抵抗体粉や電波吸収体粉を混在させた材料を配置するにあたり、線路に対してインピーダンスの不整合を解消すべく、図３に示すように複雑な形状にて配置する必要があり、組み立てが難しく、量産性を妨げていた。
【００１０】
また、図４のように誘電体ストリップに金属抵抗体や電波吸収体を貼付する方法では、インピーダンスの急激な変化を抑制するために複雑な形状の金属抵抗体や電波吸収体を精度良く貼付する必要があるため、量産性が低く、コスト高を招いていた。また、製造時や運搬時等の取り扱いにより、金属抵抗体や電波吸収体がずれたり、剥離したりして所望の特性が得られない等の問題があった。
【００１１】
したがって、本発明は、良好な減衰特性を有するとともに、簡単な構造で容易に作製できる信号減衰領域を具備した非放射性誘電体線路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に対して検討を重ねた結果、誘電体ストリップをセラミックスで作製するとともに、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成することにより、特にコーディライト質セラミックスについては、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のアルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量の多いセラミックスにて形成することにより、簡単な構造で反射等の少ない良好な信号減衰特性を有する非放射性誘電体線路が得られることを知見した。
【００１５】
また、誘電体ストリップがコーディライト質セラミックスからなる場合には、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりもアルカリ金属、カーボンの含有量の多いセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成するとともに、前記アルカリ金属、カーボンがコーディライト結晶内に固溶していることを特徴とするものである。
【００１６】
また、前記アルカリ金属以外に、カーボン、炭化珪素、遷移金属またはその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量の多いセラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成したことを特徴とするものである。
【００１７】
なお、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上、また前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下であることが望ましい。
【００１８】
また、前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のカーボンの最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上、また前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のカーボンの含有量が全量中０．１重量％以下であることが望ましい。
【００１９】
さらに、前記信号減衰領域における誘電体ストリップ中のアルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量は、少なくとも前記信号減衰領域以外の領域との境界部において、該信号減衰領域以外の領域に向かって次第に減少していることが望ましい。
【００２０】
【作用】
本発明は、ＮＲＤガイドにおいて、誘電体の誘電損失によって高周波信号が減衰し、信号強度が低下する、すなわち誘電体ストリップにおけるＱ値が小さいほど高周波信号が減衰し、信号強度が低下するという挙動に基づくものであり、一対の平行平板導体間に、セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなる非放射性誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる誘電体ストリップを設け、この低Ｑ値の誘電体ストリップとその上下の平行平板導体によって、線路内を伝送される信号の強度を減衰させる信号減衰領域を形成することができるものである。
【００２１】
具体的な例としては、前記セラミックス内にＱ値を低下せしめる低Ｑ値化材料を含有させることによって、誘電体ストリップのＱ値を低下させることが可能である。すなわち、その誘電体ストリップをセラミックスによって形成すると、成分の制御によりＱ値を容易に変化できる。
【００２２】
より具体的には、誘電体ストリップをコーディライト質セラミックス（誘電率４．５〜８）により構成し、Ｑ値を低下せしめる材料として、アルカリ金属、カーボン、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種（以下、低Ｑ値化材料と略す。）（誘電率５〜９）を用いることにより、信号減衰領域において、誘電率が極端に変化することがないために、インピーダンスの不整合による高周波信号の反射がなく、高周波回路への影響を及ぼすことがない。また、信号減衰領域の低Ｑ値化材料の含有量を制御することにより、容易にＱ値を制御することができるために、容易に所望の減衰特性を得ることができる。
【００２３】
さらに、低Ｑ値化材料のうち、アルカリ金属およびカーボンについては、その大部分がコーディライト結晶内に固溶し、信号減衰領域の誘電体ストリップ中に独立した相として存在する割合が低いと推測されるために、インピーダンスの不整合をより小さくでき、高周波回路への影響がより低減される。
【００２４】
また、アルカリ金属およびカーボンについては、コーディライト結晶内に格子欠陥を生成すると推測されるが、コーディライトに対して少ない添加量で大幅にＱ値を低下させる効果があるために、低Ｑ値化材料として好適である。
【００２５】
さらに、かかる信号減衰領域の形成にあたり、セラミックスを用いて信号減衰領域の誘電体ストリップとその他の領域の誘電体ストリップとを同時焼成することにより、低Ｑ値化材料の量を拡散等によって境界部における含有量を該信号減衰領域以外の領域した構造に容易に形成できるために、単純な構造で容易に作製することが可能である。
【００２６】
また、その誘電体ストリップをセラミックスによって形成すると、６０ＧＨｚ以上の高周波帯においても、誘電体ストリップ内に曲率半径の小さい曲線部を形成することができるため、回路の小型化が可能である。しかも、セラミックスは経時変化が無いことから、信頼性の高い誘電体ストリップとなる。さらに、接着剤を使用できるために、回路設計の自由度が向上する。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明のＮＲＤガイドによれば、一対の平行平板導体間に、セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなるものであり、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりも低いＱ値を有するセラミックスからなる低Ｑ値誘電体ストリップ（以下、減衰用ストリップと略す。）を前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域が形成されている。つまり、本発明のＮＲＤガイドにおける誘電体ストリップは、少なくとも一般線路部を形成するための誘電体ストリップ（以下、線路用ストリップと略す。）と、信号減衰領域を形成するための減衰用ストリップとから形成されている。
【００２８】
（ターミネータ）
図１は、信号減衰領域を誘電体線路の終端部に形成し、ターミネータとしての機能を発揮できるように構成された一例である。図１のＮＲＤガイドＡによれば、一対の平行平板導体１ａ、１ｂ間に、セラミックスからなる誘電体ストリップが配置された構成からなるものであるが、その終端部に位置する誘電体ストリップを、低Ｑ値のセラミックスからなる減衰用ストリップ３によって形成し、その上下を平行平板導体１ａ、１ｂによって挟持することにより、ターミネータとなる信号減衰領域Ｂが形成されている。なお、ＮＲＤガイドＡの信号減衰領域Ｂ以外の領域には、少なくとも線路用ストリップ２を一対の平行平板導体１ａ、１ｂによって挟持してなる一般線路部Ｃが形成されている。
【００２９】
平行平板導体１ａ、１ｂは、高い電気伝導度を有すること、および加工性の点で、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、ＳＵＳ（ステンレス）、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の導体板、あるいはこれらの材料からなる導体層を表面に形成したセラミックス、樹脂等の絶縁体により形成される。
【００３０】
（ストリップ）
一方、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３は、誘電特性、加工性、強度などの点で、コーディライト、アルミナ、ガラスセラミックス等のセラミックスによって形成されるものであるが、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との誘電率の違いによるインピーダンスの急激な変化を避けるために、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との誘電率を近似させる点で、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３とは主成分が同じ材料により構成されることが望ましい。
【００３１】
また、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３とは、低誘電率でＱ値の制御が容易であるという点からコーディライト質セラミックスが最も望ましい。さらに、このコーディライト質セラミックスに対し、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の酸化物を含有せしめることにより、Ｑ値を向上させることができる。
【００３２】
本発明においては、減衰用ストリップ３のＱ値が線路用ストリップ２のＱ値よりも小さいことが重要である。Ｑ値の大きい（誘電損失の小さい）線路用ストリップ２内を通過してきた高周波信号が、Ｑ値の小さい（誘電損失の大きい）減衰用ストリップ３にて熱に変換されて減衰する。
【００３３】
また、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３がコーディライト質セラミックスからなる場合には、減衰用ストリップ３を構成するセラミックス中に低Ｑ値化材料を含有せしめ、その含有量が線路用ストリップ２の低Ｑ値化材料の含有量よりも多くなるように制御することが重要である。すなわち、コーディライト質セラミックスにおいては、低Ｑ値化材料の含有量が増加するに従い、Ｑ値が減少する傾向にあることから、この低Ｑ値化材料の含有量によって、Ｑ値の制御を容易に行うことができる。
【００３４】
なお、低Ｑ値化材料がアルカリ金属またはカーボンである場合は、その含有量が少ない範囲ではコーディライト結晶内に固溶するものと推測され、誘電体ストリップが実質的に均一な材料からなるために、独立した異相の存在によるインピ−ダンス不整合等が生じることがないことから、高周波信号の反射をより小さくすることができる。また、コーディライト結晶中に固溶するアルカリ金属および／またはカーボンは、結晶内に格子欠陥等を生成せしめることから少ない添加量で大幅にＱ値を低める効果がある。さらに、低Ｑ値化材料が、炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、コーディライト結晶の粒界に存在する。
【００３５】
なお、前記低Ｑ値化材料のうち、炭化珪素をコーディライト質セラミックス中に含有せしめることにより、コーディライトの粒界を強化することができるためにストリップの強度を高めることができる。
【００３６】
なお、低Ｑ値化材料のストリップ中の含有量については、低Ｑ値化材料がアルカリ金属である場合には、減衰用ストリップ３中のアルカリ金属の最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましく、また、低Ｑ値化材料がカーボンである場合には、減衰用ストリップ３中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００３７】
さらに、低Ｑ値化材料が炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、減衰用ストリップ３中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００３８】
また、上述した低Ｑ値化材料については、１種の材料のみを含有しても良いが、２種以上の組合せでもよく、これにより信号減衰効果を高めることができることから、それぞれの含有量を上述した量よりも少なくすることができる。
【００３９】
なお、前記低Ｑ値化材料のうちアルカリ金属としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムのうち少なくとも１種が使用可能であるが、少ない添加量でＱ値を大幅に変化させる少なくともカリウムを含むことが望ましい。
【００４０】
また、コーディライト質セラミックス中には、コーディライ結晶の粒界に存在する非晶質相が含まれてもよく、また、Ｓｉ系のガラスおよびそれに窒素を含むもの、金属酸化物、ホウ素等を含有するガラスを含有してもよいが、これらガラスは、コーディライトのＱ値を低める効果があることから、減衰用ストリップ中に多く存在することが望ましい。また、Ｑ値を低める上では、前記ガラス中にアルカリ金属、特にカリウムを含有することが望ましい。
【００４１】
さらに、前記低Ｑ値化材料のうち遷移金属としては、４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８、１Ｂ族の遷移金属が使用可能であるが、特に、低いＱ値を有するＷ、Ｍｎ、Ｃｕを含有することが望ましく、また、これらはコーディライトセラミックス中に金属または前記遷移金属の酸化物、窒化物等の化合物として存在する。
【００４２】
上記の低Ｑ値化材料により、減衰用ストリップ３の６０ＧＨｚにおけるＱ値を５００以下、特に１００以下とすることにより、信号減衰領域Ｂでの充分な減衰特性を得ることができる。
【００４３】
一方、線路用ストリップ２中には、高Ｑ値であることの要求に対しては、アルカリ金属の含有量は０％であることが最も望ましいが、不可避的不純物としての混入を考慮すれば、線路用ストリップ２中のアルカリ金属の含有量は、酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下であることが望ましい。また、前記カーボンについても、同様に、線路用ストリップ２中の含有量は０％であることが最も望ましいが、不可避的不純物としての混入を考慮すれば、線路用ストリップ２中のカーボンの含有量は、酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下であることが望ましい。
【００４４】
線路用ストリップ２は、６０ＧＨｚにおけるＱ値が１０００以上、特に２０００以上とすることにより損失が小さくなるために、優れた透過特性を有する線路となる。
【００４５】
また、減衰用ストリップ３の少なくとも線路用ストリップ２との境界部においては、該境界部の低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ３に向かって該信号減衰領域以外の領域、具体的には線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させて、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３との境界での誘電率およびＱ値の差を小さくすることにより、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができるため、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｂとの境界での反射をさらに低減できる。
【００４６】
なお、上記ターミネータとしての信号減衰領域における信号減衰率は、低Ｑ値化材の含有量と信号減衰領域の長さによって適宜調整され、特に終端部で信号強度がゼロになるように制御されることが望ましい。
【００４７】
（アッテネータ）
図１の非放射性誘電体線路においては、信号減衰領域をターミネータとして用いたものであるが、本発明によれば、信号減衰領域を誘電体線路の途中に設け、アッテネータとして機能させることも可能である。
【００４８】
図２は、信号減衰領域Ｅを誘電体線路の途中に形成し、アッテネータとしての機能を発揮できるように構成された一例である。図２のＮＲＤガイドＤによれば、減衰用ストリップ４が線路用ストリップ２、２の間に形成されている以外は図１と同様の構成であり、この場合においても減衰用ストリップ４のＱ値が線路用ストリップ２のＱ値よりも小さいことが重要である。
【００４９】
なお、減衰用ストリップ４中の低Ｑ値化材料がアルカリ金属である場合、その最大含有量は、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であること、カーボンである場合は、減衰用ストリップ４中のカーボンの最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であること、さらに、炭化珪素、遷移金属およびその化合物である場合には、減衰用ストリップ４中の最大含有量が、酸化物換算で全量中０．３重量％以上、特に１．０重量％以上であることが望ましい。
【００５０】
上記アッテネータとしての信号減衰領域Ｅにおける信号減衰率は、低Ｑ値化材料の含有量と信号減衰領域の長さによって適宜調整される。
【００５１】
また、減衰用ストリップ４においては、低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ４の少なくとも線路用ストリップ２との両境界部において、該境界部から低Ｑ値化材の含有量が減衰用ストリップ４に向かって該信号減衰領域以外の領域、具体的には線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させて、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ４との境界での誘電率およびＱ値の差を小さくすることにより、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができるため、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｅとの境界での反射をさらに低減できる。
【００５２】
（信号減衰領域のその他の形態）
本発明においては、上述したように低Ｑ値化材料の含有量の多いセラミックスを用いたストリップをターミネータまたはアッテネータとして機能させることができるが、かかる構成に加え、該ストリップにおける信号の進行方向に平行な内面および／または外面に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することもでき、これにより信号減衰効果が高まることから、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５３】
さらに、前記構成に加え、ターミネータについては、信号の進行方向に垂直な終端面に、アッテネータについては、信号の進行方向に垂直で、かつ信号減衰領域においてＱ値が低い少なくとも一面に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することもでき、これによっても信号減衰効果が高まることから、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５４】
また、上記方法の組合せにより、さらに、信号減衰領域の長さを短くすることができる。
【００５５】
（製造方法）
本発明の非放射性誘電体線路は、以下の方法によって作製される。
まず、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４とを作製する方法としては、例えば、ＭｇＣＯ３ 粉末（純度９９％以上）、Ａｌ２ Ｏ３ 粉末（純度９９％以上）、ＳｉＯ２ 粉末（純度９９％以上）を用いてコーディライト組成となるように秤量し、これにＫ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属の炭酸塩、硝酸塩等の粉末（純度９９％以上）を添加、混合する。
【００５６】
また、この混合粉末に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１種の酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の粉末（純度９９％以上）を添加することにより、焼結温度範囲を広げるとともに、緻密化を促進することができる。
【００５７】
この混合粉末を、所望により大気中１１００℃〜１３００℃にて仮焼した後、粉砕し、これに、カーボン粉末、炭化珪素粉末、遷移金属およびその化合物粉末の群から選ばれる少なくとも１種を添加、混合する。これらの粉末は、信号減衰領域のインピーダンスの整合性の点で、平均粒径０．５〜５．０μｍであることが望ましい。
【００５８】
そして、これに適量の有機バインダを添加して、例えば、プレス成形法、ＣＩＰ成形法、ドクターブレード法、圧延法等のテープ成形法、押し出し成形法、射出成形法等の周知の成形方法によりストリップ形状の成形体を作製する。
【００５９】
その後、該成形体を大気中、所定温度で脱バインダ処理し、大気中１３００℃〜１５００℃、または非酸化性雰囲気中、１３００℃〜１５００℃で焼成することにより、ストリップ形状のセラミックスを形成することができる。また、焼結体の密度を高めるためにホットプレス、ＧＰＳ等公知の加圧焼成を用いることもできる。
【００６０】
上記焼結体のアルカリ金属およびカーボン含有量は、原料として添加したアルカリ金属およびカーボンの他に、原料中の不可避的不純物あるいは製造工程において粉砕ボール等から混入するアルカリ金属や、脱バインダ処理後も残存する残留カーボン、あるいは焼成雰囲気より拡散するアルカリ金属およびカーボン分が含まれる。
【００６１】
この時、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４との接続方法としては、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４とを上記のようにして個別に作製し、接着剤等で接続することもできるが、例えば、低Ｑ値化材料の含有量の異なる少なくとも２種以上の成形体を接続した状態で同時焼成する方法により、低Ｑ値化材料の含有量が段階的に増加した減衰用ストリップが得られる。
【００６２】
さらに、他の方法としては、低Ｑ値化材料の含有量が段階的に異なるものを作製し、これらを接続一体化する方法や、低Ｑ値化材料がアルカリ金属および／またはカーボンである場合には、線路用ストリップ２となる成形体の端部または途中にアルカリ金属および／またはカーボン粉末を含むペースト等を塗布して焼成する方法、あるいは焼成時にアルカリ金属および／またはカーボン含有物を成形体周囲に配置して焼成時に拡散させる方法により、焼結体中にアルカリ金属および／またはカーボンが拡散し、減衰用ストリップ３、４において、アルカリ金属および／またはカーボンの含有量を線路用ストリップ２側から連続的あるいは段階的に増加させることができる。
【００６３】
これにより、線路用ストリップ２と減衰用ストリップ３、４との境界での誘電率の差を小さくなるため、インピーダンスの変化をさらに緩やかにすることができ、一般線路部Ｃと信号減衰領域Ｂ、Ｅとの境界での反射をさらに低減できる。
【００６４】
本発明においては、線路用ストリップ２は、焼結体中のアルカリ金属の含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下、また、カーボンの含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下、特に０．０３重量％以下にすることが望ましいが、アルカリ金属およびカーボンの含有量を上記範囲とするためには、純度の高い原料を使用したり、製造工程中の粉砕ボール等はアルカリ金属を含まないものを使用する、脱バインダを充分に行う等、不純物としてのアルカリ金属およびカーボンの混入を防ぐことが望ましい。
【００６５】
また、アルカリ金属については、焼成時に成形体中からアルカリ金属が蒸発したり、逆に焼成雰囲気から焼結体中にアルカリ金属が混入したりし、特に表面の組成が変動することを避けるため、匣鉢内で焼成したり、アルカリ金属粉末を成形体周囲に配置して同時に焼成する等により焼成雰囲気を一定に保つことが望ましい。
【００６６】
さらに、焼成中にアルカリ金属および／またはカーボンが混入または揮発し、含有量が変動した焼結体表面を研磨してアルカリ金属および／またはカーボンの含有量を調整してもよい。
【００６７】
また、原料中あるいは製造工程における粉砕ボール等から混入する不純物として、Ｃａ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐ、Ｔｉ等があるが、これらの金属がごく微量混入しても、Ｑ値や誘電率がほとんど変化することがなく、誘電体線路の特性に影響を及ぼさないが、上記不純物のうち遷移金属については所定量添加することにより、６０ＧＨｚにおけるストリップのＱ値を、特に５００以下と低めることができ、信号減衰効果を高めることができる。
【００６８】
上記のようにして得られた焼結体を、一対の平行平板導体１ａ、１ｂ間に配設することにより、容易にかつ優れた特性を有するＮＲＤガイドが得られる。なお、平行平板導体１ａ、１ｂと線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４とを所望によって接着剤等で接着することにより、取扱等による位置ずれを防ぐことができる。
【００６９】
このようなＮＲＤガイドは、５０ＧＨｚ以上、特に６０ＧＨｚ以上、さらには７０ＧＨｚ以上の高周波帯で好適に使用可能である。
【００７０】
なお、本発明のＮＲＤガイドによれば、減衰用ストリップ３、４をＮＲＤガイド中に複数設けてもよい。
【００７１】
また、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４が、コーディライト質セラミックス以外のセラミックス材料からなる場合、前記コーディライト質セラミックスと同様に、そのセラミックスのＱ値を低下せしめる成分を用い、その組成比率を調整して、低Ｑ値セラミックスを用いて信号減衰領域を形成することによって上記と同様の効果が得られる。
【００７２】
この場合でも、線路用ストリップ２および減衰用ストリップ３、４のセラミックスの同時焼成により、前述したコーディライト質セラミックスと同様な方法によって作製でき、また、低Ｑ値化材料の濃度の傾斜をつけることも可能である。
【００７３】
【実施例】
実施例１（材料特性、アルカリ金属添加）
ＭｇＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）、Ａｌ２ Ｏ３ 粉末（純度９９．７％、平均粒径１μｍ）、ＳｉＯ２ 粉末（純度９９．４％、平均粒径１μｍ）、Ｋ２ ＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）およびＮａ２ ＣＯ３ 粉末（純度９９％、平均粒径１μｍ）を、焼結体の組成が表１の組成となるように、秤量混合し、この混合物を大気中１２００℃で２時間仮焼した後、粉砕した。
【００７４】
次いで、これに純度９９％以上、平均粒径が１．０〜２．０μｍのカーボン粉末、炭化珪素粉末（ＳｉＣ）、および表１に示す遷移金属酸化物を添加し、適量のバインダを加えて造粒した造粒粉を作製した。これを１０００ｋｇ／ｃｍ２ の圧力でプレス成形して直径１２ｍｍ×厚み８ｍｍの成形体を作製し、この成形体に対し、６００℃で２時間脱バインダ処理を行った後、大気中、１４００℃または窒素中、１４００℃で２時間焼成した。
【００７５】
得られた焼結体についてＩＣＰ分析を行い、表１に示した。また、得られた焼結体について、６０ＧＨｚにおける比誘電率および誘電損失をネットワークアナライザ、シンセサイズドスイーパを用いて誘電体共振器法により測定し、Ｑ値を算出した。結果は、表１に示した。
【００７６】
一方、上記の造粒粉を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ１２０ｍｍの成形体を作製し、６００℃で２時間脱バインダ処理を行った後、大気中１４００℃、または窒素中、１４００℃で２時間焼成した。
【００７７】
得られた焼結体を高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ１００ｍｍに切り出し、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み８ｍｍの２枚の銅からなる平行平板導体間に配置し、図１のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、ネットワークアナライザを用いて６０ＧＨｚにおける高周波信号の透過特性を測定した。結果は表１に示した。
【００７８】
【表１】
表１の結果から明らかなように、低Ｑ値化材料の含有量が増加するとＱ値が大きく減少することがわかる。また、高周波信号の伝送特性については、アルカリ金属およびカーボンの含有量が少ないほど透過率が高く、アルカ金属含有量が酸化物換算で０．０５重量％以下、カーボン含有量が０．０３重量％以下では、測定器の検出限界−０．９ｄＢとなった。
【００８０】
実施例２（ターミネータ）
実施例１における造粒粉を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ１００ｍｍの線路部用の成形体および幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ４０ｍｍの信号減衰領域用の成形体を作製した。表２に示す２種類の材料からなる成形体を、成形体同士を接触させた状態で、実施例１と同様に脱バインダ処理および焼成を行った。
【００８１】
得られた焼結体を高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ３０ｍｍ）に加工し、縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚み８ｍｍの２枚の銅からなる平行平板導体間に配置し、図１のターミネータの構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、ネットワークアナライザを用いて６０ＧＨｚにおける入力信号に対する反射率を測定し、表２に示した。
【００８２】
【表２】
表２の結果から明らかなように、線路部のＱ値が信号減衰領域のＱ値と同じ試料Ｎｏ．８においては、反射率が−１．４ｄＢと大きくなった。これに対し、本発明の範囲内の試料については、反射率が−２．３ｄＢ以下と小さくなり、特に信号減衰領域のアルカリ金属の含有量が全量中１重量％以上の試料Ｎｏ．１〜７、１２、１３については、反射率が−６．８以下の良好な減衰特性を示した。
【００８４】
実施例３（アッテネータ）
実施例１の表１の材料Ｎｏ．３を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ５０ｍｍの線路用ストリップ用の成形体を２つと、表１の材料Ｎｏ．１１を用いて幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ３０ｍｍの減衰用ストリップ用の成形体１つを作製した。この成形体を線路用ストリップ間に減衰用ストリップが介在するように配置し、実施例１と同様の方法で接触させ、１４００℃にて焼成し、高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ３０ｍｍ）の形状に加工を行い、実施例２と同様のＣｕ板間に設置して図２のアッテネータ構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、実施例１と同様に高周波信号の透過特性および減衰特性を測定したところ、６０ＧＨｚにおいて、透過率が−３．５ｄＢ、反射率が−２８．０ｄＢの良好な減衰特性を示した。
【００８５】
実施例４
実施例１の表１の材料Ｎｏ．３を用いて、幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ５０ｍｍの線路用ストリップ用の成形体と、表１の材料Ｎｏ．１１を用いて幅３ｍｍ×厚み２ｍｍ×長さ４０ｍｍの減衰用ストリップ用の成形体を作製し、実施例２と同様に接触させた状態で焼成し、高さ２．２５ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ７０ｍｍ（信号減衰領域の長さ１５ｍｍ）の形状に加工を行った。この焼成体の材料Ｎｏ．１１側の終端部にカーボンを含有するペーストを０．５ｍｍの厚みに塗布し、乾燥した。
【００８６】
これを実施例２と同様のＣｕ板間に設置して信号の進行方向に垂直な終端面に電波吸収体を貼付したターミネータ構造のＮＲＤガイドとした。そして、このＮＲＤガイドに対して、実施例１と同様に高周波信号の透過特性および減衰特性を測定したところ、６０ＧＨｚにおいて、透過率が−３．３ｄＢ、反射率が−２８．５ｄＢの良好な減衰特性を示した。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、ＮＲＤガイドにおいて、信号減衰領域のＱ値を線路部のＱ値よりも小さくすることにより、複雑な構造や高い精度を必要とせずに容易に作製でき、安価で量産性の高いターミネータやアッテネータを作製することが可能である。また、線路用ストリップと減衰用ストリップとの境界部でのインピーダンスの急激な変化がないため、信号減衰領域での反射の小さい優れた特性を有する非放射性誘電体線路が得られる。さらに、上記構造に金属抵抗体や電波吸収体を貼付することにより、ターミネータやアッテネータの小型化ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非放射性誘電体線路の一例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】本発明の非放射性誘電体線路の他の一例を示す一部切り欠き斜視図である。
【図３】従来の信号減衰領域を有する非放射性誘電体線路の一例を示し、平行平板導体を省略したものの斜視図である。
【図４】従来の信号減衰領域を有する非放射性誘電体線路の他の一例を示し、平行平板導体を省略したものの斜視図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ・・・平行平板導体
２・・・線路用ストリップ
３、４・・・減衰用ストリップ
Ａ、Ｄ・・・ＮＲＤガイド
Ｃ・・・一般線路部
Ｂ・・・信号減衰領域（ターミネータ）
Ｅ・・・信号減衰領域（アッテネータ）
Claims (11)
- 一対の平行平板導体間にコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなる非放射性誘電体線路において、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりもアルカリ金属含有量の多いコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成するとともに、前記アルカリ金属がコーディライト結晶内に固溶していることを特徴とする非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上であることを特徴する請求項１記載の非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のアルカリ金属の含有量が酸化物換算で全量中０．１重量％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の非放射性誘電体線路。
- 前記アルカリ金属がカリウムであることを特徴とする請求項１乃至３記載の非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域と前記信号減衰領域以外の領域との境界部における前記誘電体ストリップ中のアルカリ金属の含有量が該信号減衰領域以外の領域に向かって次第に増加していることを特徴とする請求項１乃至４記載の非放射性誘電体線路。
- 一対の平行平板導体間にコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなる非放射性誘電体線路において、該誘電体線路の途中または終端に、前記セラミックスよりもカーボン含有量の多いコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成するとともに、前記カーボンがコーディライト結晶内に固溶していることを特徴とする非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域の誘電体ストリップ中のカーボンの最大含有量が酸化物換算で全量中０．３重量％以上であることを特徴する請求項６記載の非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域以外の誘電体ストリップ中のカーボンの含有量が全量中０．１重量％以下であることを特徴とする請求項６または７記載の非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域と前記信号減衰領域以外の領域との境界部における誘電体ストリップ中の前記カーボンの含有量が該信号減衰領域以外の領域に向かって次第に増加していることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか記載の非放射性誘電体線路。
- 一対の平行平板導体間にコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを介装してなる非放射性誘電体線路において、該誘電体線路の途中または終端に、炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種を含有する低いＱ値を有するコーディライト質セラミックスからなる誘電体ストリップを、前記一対の平行平板導体によって挟持してなる信号減衰領域を形成したことを特徴とする非放射性誘電体線路。
- 前記信号減衰領域と前記信号減衰領域以外の領域との境界部における誘電体ストリップ中の前記炭化珪素、遷移金属およびその化合物の群から選ばれる少なくとも１種の含有量が該信号減衰領域以外の領域に向かって次第に減少していることを特徴とする請求項１０記載の非放射性誘電体線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37117398A JP3559465B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-12-25 | 非放射性誘電体線路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-222118 | 1998-08-05 | ||
| JP22211898 | 1998-08-05 | ||
| JP37117398A JP3559465B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-12-25 | 非放射性誘電体線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114816A JP2000114816A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3559465B2 true JP3559465B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=26524691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37117398A Expired - Fee Related JP3559465B2 (ja) | 1998-08-05 | 1998-12-25 | 非放射性誘電体線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3559465B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3559495B2 (ja) | 2000-03-28 | 2004-09-02 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた誘電体共振器並びに非放射性誘電体線路 |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP37117398A patent/JP3559465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000114816A (ja) | 2000-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1170269A2 (en) | High frequency dielectric ceramic compact, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus | |
| JP3559495B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた誘電体共振器並びに非放射性誘電体線路 | |
| KR100406123B1 (ko) | 고주파용 유전체 세라믹 조성물, 유전체 공진기, 유전체필터, 유전체 듀플렉서 및 통신시스템 | |
| EP0966002B1 (en) | Dielectric material and process for producing the same | |
| JP2003238244A (ja) | 高周波用誘電体磁器、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 | |
| JP3559465B2 (ja) | 非放射性誘電体線路 | |
| JP3744660B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| US6844284B2 (en) | Dielectric porcelain composition | |
| JP2005514298A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| WO1996008019A1 (fr) | Composition de porcelaine dielectrique et fabrication | |
| JP2000095561A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4303369B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP4494881B2 (ja) | 低温焼成誘電体磁器組成物及び誘電体部品 | |
| JP3346721B2 (ja) | 非放射性誘電体線路 | |
| JP3398281B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP3493316B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| US20040041662A1 (en) | High frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device | |
| JP3510948B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP3523463B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 | |
| JPH10188674A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JP3623093B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP3309048B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP3523474B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 | |
| JP3439972B2 (ja) | 高強度誘電体磁器およびその製造方法 | |
| JP3523464B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040405 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040511 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040521 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |