JP3510948B2 - 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器Info
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- JP3510948B2 JP3510948B2 JP33978095A JP33978095A JP3510948B2 JP 3510948 B2 JP3510948 B2 JP 3510948B2 JP 33978095 A JP33978095 A JP 33978095A JP 33978095 A JP33978095 A JP 33978095A JP 3510948 B2 JP3510948 B2 JP 3510948B2
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- dielectric
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波，ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体磁器
組成物に係わり、例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路
等のマイクロ波，ミリ波帯域で用いられる回路素子用基
板，誘電体共振器用支持台，誘電体共振器，誘電体導波
路，誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、並びに誘電体磁器を支持台を介して基板
に固定した誘電体共振器に関するものである。
波，ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体磁器
組成物に係わり、例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路
等のマイクロ波，ミリ波帯域で用いられる回路素子用基
板，誘電体共振器用支持台，誘電体共振器，誘電体導波
路，誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、並びに誘電体磁器を支持台を介して基板
に固定した誘電体共振器に関するものである。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波，ミリ波集積回路をはじめとす
る高周波回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介して
基板に固定する構造が採用される場合がある。例えば、
誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、図１に示すよ
うに、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板３に
取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈを利
用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結合さ
せ、これらを金属ケ−ス５に収容させた構造を有してい
る。
る高周波回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介して
基板に固定する構造が採用される場合がある。例えば、
誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、図１に示すよ
うに、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板３に
取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈを利
用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結合さ
せ、これらを金属ケ−ス５に収容させた構造を有してい
る。
【０００３】この種の高周波回路においては、誘電体磁
器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御するこ
とによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることに
なるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損失（ｔ
ａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要
がある。このため、従来、支持部材材料としては比誘電
率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５００
０のフォルステライトが採用され、また、磁器基板の材
料としては主として比誘電率が約１０、測定周波数１０
ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用
されていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報
等参照）。
器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御するこ
とによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることに
なるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損失（ｔ
ａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要
がある。このため、従来、支持部材材料としては比誘電
率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５００
０のフォルステライトが採用され、また、磁器基板の材
料としては主として比誘電率が約１０、測定周波数１０
ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用
されていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報
等参照）。
【０００４】一方、比誘電率が低い材料としては、従
来、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値
が１０００程度のガラスセラミックが知られている（例
えば、特開昭６１−２３４１２８号公報等参照）。
来、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値
が１０００程度のガラスセラミックが知られている（例
えば、特開昭６１−２３４１２８号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低い比誘
電率の材料が求められていた。
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低い比誘
電率の材料が求められていた。
【０００６】一方、低誘電率材料として用いられている
ガラスセラミック、ステアタイト等の磁器は比誘電率が
約４〜６と小さいが、Ｑ値が１０ＧＨｚにおいて１００
０程度であり、近年における高周波数帯の誘電体共振器
の普及に伴い、より高いＱ値の低誘電率材料が求められ
ていた。
ガラスセラミック、ステアタイト等の磁器は比誘電率が
約４〜６と小さいが、Ｑ値が１０ＧＨｚにおいて１００
０程度であり、近年における高周波数帯の誘電体共振器
の普及に伴い、より高いＱ値の低誘電率材料が求められ
ていた。
【０００７】また、共振器の磁器基板に主として使用さ
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピ−ダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピ−ダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。
【０００８】他方、この種の磁器基板におけるストリッ
プラインのインピ−ダンスは、基板の厚さが一定であれ
ば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそれぞれ
反比例するため、ライン幅を小さくする代わりに、比誘
電率の低い基板材料を使用することによってもインピ−
ダンスを高めることができ、このため，より低誘電率材
料が求められていた。
プラインのインピ−ダンスは、基板の厚さが一定であれ
ば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそれぞれ
反比例するため、ライン幅を小さくする代わりに、比誘
電率の低い基板材料を使用することによってもインピ−
ダンスを高めることができ、このため，より低誘電率材
料が求められていた。
【０００９】本発明は、アルミナ，フォルステライトよ
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミック、ス
テアタイトよりも高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器
組成物を提供することを目的とする。
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミック、ス
テアタイトよりも高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器
組成物を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ，Ｓｉのみからなり、これらの元素の酸化物によるモ
ル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2 と表した時にｘ，ｙ
が一定の範囲である場合には、アルミナ、フォルステラ
イトよりも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミッ
クよりも高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができることを見い出し、本発明に至った。
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ，Ｓｉのみからなり、これらの元素の酸化物によるモ
ル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2 と表した時にｘ，ｙ
が一定の範囲である場合には、アルミナ、フォルステラ
イトよりも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミッ
クよりも高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を
得ることができることを見い出し、本発明に至った。
【００１１】即ち、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなり、原料粉末を成
形し、焼成してなる高周波用誘電体磁器組成物であっ
て、複合酸化物のモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2
と表した時、前記ｘ、ｙが４０≦ｘ≦５０、５０≦ｙ≦
６０、ｘ＋ｙ＝１００を満足するとともに、比誘電率が
６．０７以下、かつ、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２００
０以上であることを特徴とする。
は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなり、原料粉末を成
形し、焼成してなる高周波用誘電体磁器組成物であっ
て、複合酸化物のモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2
と表した時、前記ｘ、ｙが４０≦ｘ≦５０、５０≦ｙ≦
６０、ｘ＋ｙ＝１００を満足するとともに、比誘電率が
６．０７以下、かつ、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２００
０以上であることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の誘電体共振器は、基板上に
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、基板および／または支持部材が、金属元素
としてＭｇ、Ｓｉからなり、原料粉末を成形し、焼成し
てなる高周波用誘電体磁器組成物であって、複合酸化物
のモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2と表した時、前
記ｘ、ｙが、４０≦ｘ≦５０、５０≦ｙ≦６０、ｘ＋ｙ
＝１００を満足するとともに、比誘電率が６．０７以
下、かつ、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上であ
ることを特徴とする。
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、基板および／または支持部材が、金属元素
としてＭｇ、Ｓｉからなり、原料粉末を成形し、焼成し
てなる高周波用誘電体磁器組成物であって、複合酸化物
のモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2と表した時、前
記ｘ、ｙが、４０≦ｘ≦５０、５０≦ｙ≦６０、ｘ＋ｙ
＝１００を満足するとともに、比誘電率が６．０７以
下、かつ、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上であ
ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、比誘電率が
６．０７以下、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上
の特性を有することができ、このような低誘電率および
高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体共振器の支持部
材または基板に用いることにより、高インピーダンスの
マイクロ波用集積回路などの高周波用回路素子を信頼性
を損なうことなく製造することができる。
６．０７以下、１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上
の特性を有することができ、このような低誘電率および
高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体共振器の支持部
材または基板に用いることにより、高インピーダンスの
マイクロ波用集積回路などの高周波用回路素子を信頼性
を損なうことなく製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、各
金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳ
ｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙが４０≦ｘ≦５０、５０
≦ｙ≦６０、ｘ＋ｙ＝１００を満足するものである。
金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＳ
ｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙが４０≦ｘ≦５０、５０
≦ｙ≦６０、ｘ＋ｙ＝１００を満足するものである。
【００１５】本発明の高周波用誘電体磁器組成物の成分
組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、ＭｇＯのモル百分率ｘを４０≦ｘ≦５０（５０≦ｙ
≦６０）としたのは、ｘが４０よりも小さい場合（ｙが
６０よりも大きい場合）は焼結体が緻密化せず、ｘが５
０を越えると（ｙが５０よりも小さい場合）良好な焼結
体が得られずＱ値が低くなる。ＭｇＯ量を示すｘは、Ｑ
値を５０００以上とするという点から４４〜５０（５０
≦ｙ≦５６）が望ましい。
組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、ＭｇＯのモル百分率ｘを４０≦ｘ≦５０（５０≦ｙ
≦６０）としたのは、ｘが４０よりも小さい場合（ｙが
６０よりも大きい場合）は焼結体が緻密化せず、ｘが５
０を越えると（ｙが５０よりも小さい場合）良好な焼結
体が得られずＱ値が低くなる。ＭｇＯ量を示すｘは、Ｑ
値を５０００以上とするという点から４４〜５０（５０
≦ｙ≦５６）が望ましい。
【００１６】測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
【００１７】また、本発明の誘電体磁器組成物では、図
２に示すように、主結晶相がプロトエンスタタイトであ
り、他に結晶相として、クリノエンスタタイト，クリス
トバライト，トリジマイト等が析出する場合があるが、
組成によってその析出相が異なる。本発明の誘電体磁器
組成物では、プロトエンスタタイトのみからなる結晶相
（Ｘ線回折装置では検出されない程度の異相が析出する
場合も含む）であっても良い。
２に示すように、主結晶相がプロトエンスタタイトであ
り、他に結晶相として、クリノエンスタタイト，クリス
トバライト，トリジマイト等が析出する場合があるが、
組成によってその析出相が異なる。本発明の誘電体磁器
組成物では、プロトエンスタタイトのみからなる結晶相
（Ｘ線回折装置では検出されない程度の異相が析出する
場合も含む）であっても良い。
【００１８】また、本発明の誘電体共振器は、図１に示
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記誘電体磁器組成物からなるも
のである。
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記誘電体磁器組成物からなるも
のである。
【００１９】本発明の誘電体磁器は、原料粉末として、
例えば、ＭｇＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2粉末を用い、所定の
割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大
気中において１１００〜１３００℃で仮焼した後、粉砕
した。得られた粉末に適量のバインダーを加えて成形
し、この成形体を大気中１３００〜１５００℃で焼成す
ることにより得られる。焼成温度については、緻密な焼
結体が得られるように最適温度で厳密に制御して焼成す
る必要がある。
例えば、ＭｇＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2粉末を用い、所定の
割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大
気中において１１００〜１３００℃で仮焼した後、粉砕
した。得られた粉末に適量のバインダーを加えて成形
し、この成形体を大気中１３００〜１５００℃で焼成す
ることにより得られる。焼成温度については、緻密な焼
結体が得られるように最適温度で厳密に制御して焼成す
る必要がある。
【００２０】尚、本発明においては、Ｍｇ，Ｓｉを含む
原料粉末は、それぞれの金属元素を含有する酸化物，炭
酸塩，酢酸塩等の無機化合物、もしくは有機金属等の有
機化合物のいずれであっても、焼成により酸化物となる
ものであれば良い。
原料粉末は、それぞれの金属元素を含有する酸化物，炭
酸塩，酢酸塩等の無機化合物、もしくは有機金属等の有
機化合物のいずれであっても、焼成により酸化物となる
ものであれば良い。
【００２１】また、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として、Ｍｇ，Ｓｉのみからなるものであるが、例
えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ａｌ、Ｚ
ｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入
する場合があるが、この場合も、上記組成を満足する限
り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
元素として、Ｍｇ，Ｓｉのみからなるものであるが、例
えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ａｌ、Ｚ
ｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入
する場合があるが、この場合も、上記組成を満足する限
り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
【００２２】また、本発明の誘電体磁器組成物では、低
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板，誘電体共振器の誘電体磁器，誘電
体導波路，誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に最適である。さらに、本発明の誘電体磁器組
成物では、主結晶であるプロトエンスタタイトは、平均
結晶粒径が０．５〜５μｍで存在していることが望まし
い。
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板，誘電体共振器の誘電体磁器，誘電
体導波路，誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に最適である。さらに、本発明の誘電体磁器組
成物では、主結晶であるプロトエンスタタイトは、平均
結晶粒径が０．５〜５μｍで存在していることが望まし
い。
【００２３】
【実施例】原料粉末として純度９９％のＭｇＣＯ3 、純
度９９．４％のＳｉＯ2 粉末を用い、これらを焼結体が
表１に示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混合
した後、乾燥し、この混合物を１２００℃で２時間仮焼
した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを加
えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で
成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この
成形体を大気中１３００〜１５００℃で２時間焼成し
て、直径１０ｍｍ厚さ５ｍｍに研摩し誘電体磁器試料を
得た。
度９９．４％のＳｉＯ2 粉末を用い、これらを焼結体が
表１に示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混合
した後、乾燥し、この混合物を１２００℃で２時間仮焼
した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを加
えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で
成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この
成形体を大気中１３００〜１５００℃で２時間焼成し
て、直径１０ｍｍ厚さ５ｍｍに研摩し誘電体磁器試料を
得た。
【００２４】この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて
測定周波数１５〜１７ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ
値を測定した。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１
０ＧＨｚにおけるＱ値を求めた。その結果を表１に示
す。
測定周波数１５〜１７ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ
値を測定した。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１
０ＧＨｚにおけるＱ値を求めた。その結果を表１に示
す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１によれば、本発明に係る高周波用誘電
体磁器組成物は、比誘電率が６．０７以下と低く、しか
も１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
体磁器組成物は、比誘電率が６．０７以下と低く、しか
も１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
【００２７】尚、図２に試料Ｎo.６のＸ線回折チャート
図を示す。この図２から、プロトエンスタタイトの他
に、クリノエンスタタイト，クリストバライトが析出し
ていることが判る．
図を示す。この図２から、プロトエンスタタイトの他
に、クリノエンスタタイト，クリストバライトが析出し
ていることが判る．
【００２８】
【発明の効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物で
は、６．０７以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚで
のＱ値が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、
例えば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いるこ
とにより、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路な
どの高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造す
ることができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるた
め、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ
波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共
振器用支持台、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体ア
ンテナ等の材料として最適である。
は、６．０７以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚで
のＱ値が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、
例えば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いるこ
とにより、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路な
どの高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造す
ることができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるた
め、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ
波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共
振器用支持台、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体ア
ンテナ等の材料として最適である。
【図１】高周波用回路素子の一例を示す誘電体共振器制
御型マイクロ波発信器の概略断面図である。
御型マイクロ波発信器の概略断面図である。
【図２】試料Ｎｏ．６の結晶構造を示すＸ線回折図であ
る。
る。
１・・・誘電体磁器
２・・・支持部材
３・・・磁器基板
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなり、原料
粉末を成形し、焼成してなる高周波用誘電体磁器組成物
であって、複合酸化物のモル比組成式を ｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが ４０≦ｘ≦５０ ５０≦ｙ≦６０ ｘ＋ｙ＝１００ を満足するとともに、比誘電率が６．０７以下、かつ、
１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上であることを特
徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】基板上に支持部材を介して誘電体磁器を固
定してなる誘電体共振器において、前記基板および／ま
たは前記支持部材が、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからな
り、原料粉末を成形し、焼成してなる高周波用誘電体磁
器組成物であって、複合酸化物のモル比組成式をｘＭｇ
Ｏ−ｙＳｉＯ2と表した時、前記ｘ、ｙが ４０≦ｘ≦５０ ５０≦ｙ≦６０ ｘ＋ｙ＝１００ を満足するとともに、比誘電率が６．０７以下、かつ、
１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上であることを特
徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33978095A JP3510948B2 (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33978095A JP3510948B2 (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09175858A JPH09175858A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3510948B2 true JP3510948B2 (ja) | 2004-03-29 |
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ID=18330747
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33978095A Expired - Fee Related JP3510948B2 (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3510948B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4700526B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2011-06-15 | 株式会社リコー | 静電潜像用現像剤 |
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1995
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