JP3523463B2 - 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路Info
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- JP3523463B2 JP3523463B2 JP26005797A JP26005797A JP3523463B2 JP 3523463 B2 JP3523463 B2 JP 3523463B2 JP 26005797 A JP26005797 A JP 26005797A JP 26005797 A JP26005797 A JP 26005797A JP 3523463 B2 JP3523463 B2 JP 3523463B2
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- resonator
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波、ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体組成
物に係わり、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等の
マイクロ波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、
誘電体共振器、誘電体共振器用支持部材、誘電体導波
路、誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、および基板上に支持部材を介して誘電体
磁器を固定した誘電体共振器、並びに一対の平行平板導
体の間に誘電体磁器を介装した誘電体導波路に関するも
のである。
波、ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体組成
物に係わり、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等の
マイクロ波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、
誘電体共振器、誘電体共振器用支持部材、誘電体導波
路、誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、および基板上に支持部材を介して誘電体
磁器を固定した誘電体共振器、並びに一対の平行平板導
体の間に誘電体磁器を介装した誘電体導波路に関するも
のである。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波，ミリ波集積回路をはじめとす
る高周波用回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介し
て基板に固定する構造が採用される場合がある。例え
ば、誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、図１に示
すように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板
３に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈ
を利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結
合させ、これらを金属ケース５に収容させた構造を有し
ている。
る高周波用回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介し
て基板に固定する構造が採用される場合がある。例え
ば、誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、図１に示
すように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板
３に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈ
を利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結
合させ、これらを金属ケース５に収容させた構造を有し
ている。
【０００３】この種の高周波用回路素子においては、誘
電体磁器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御
することによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成される
ことになるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損
失（ｔａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用す
る必要がある。このため、従来、支持部材２の材料とし
ては比誘電率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が
約１５０００のフォルステライトが採用され、また、磁
器基板３の材料としては主として比誘電率が約１０、測
定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミ
ナ磁器が採用されていた（例えば、特開昭６２−１０３
９０４号公報等参照）。
電体磁器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御
することによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成される
ことになるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損
失（ｔａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用す
る必要がある。このため、従来、支持部材２の材料とし
ては比誘電率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が
約１５０００のフォルステライトが採用され、また、磁
器基板３の材料としては主として比誘電率が約１０、測
定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミ
ナ磁器が採用されていた（例えば、特開昭６２−１０３
９０４号公報等参照）。
【０００４】一方、比誘電率が低い材料としては、従
来、比誘電率が４〜６、１０ＧＨｚでのＱ値が１０００
程度のガラスセラミックが用いられている（例えば、特
開昭６３−８９４５４号公報等参照）。
来、比誘電率が４〜６、１０ＧＨｚでのＱ値が１０００
程度のガラスセラミックが用いられている（例えば、特
開昭６３−８９４５４号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低誘電率
材料が求められていた。
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低誘電率
材料が求められていた。
【０００６】一方、低誘電率材料として用いられている
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
いが、Ｑ値が１０ＧＨｚで１０００程度であり、近年に
おける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高
いＱ値の低誘電率材料が求められていた。
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
いが、Ｑ値が１０ＧＨｚで１０００程度であり、近年に
おける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高
いＱ値の低誘電率材料が求められていた。
【０００７】また、共振器の磁器基板に主として使用さ
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピーダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピーダンスを高めることができ、このため、より低
誘電率材料が求められていた。
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピーダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピーダンスを高めることができ、このため、より低
誘電率材料が求められていた。
【０００８】本発明は、低誘電率で、かつ、測定周波数
１０ＧＨｚにおいて高いＱ値を有する高周波用誘電体磁
器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路を提供
することを目的とする。
１０ＧＨｚにおいて高いＱ値を有する高周波用誘電体磁
器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器組成物は、金属元素としてＢ、Ｓｉからなる複合酸
化物であって、各金属元素の酸化物による重量比組成式
をｘＢ2 Ｏ3 ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが
０．１≦ｘ≦２０、８０≦ｙ≦９９．９、ｘ＋ｙ＝１０
０を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対して
希土類元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．１
〜１５重量部含有するものである。ここで、比誘電率が
４以下、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上で
あることが望ましい。
磁器組成物は、金属元素としてＢ、Ｓｉからなる複合酸
化物であって、各金属元素の酸化物による重量比組成式
をｘＢ2 Ｏ3 ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが
０．１≦ｘ≦２０、８０≦ｙ≦９９．９、ｘ＋ｙ＝１０
０を満足する主成分と、該主成分１００重量部に対して
希土類元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．１
〜１５重量部含有するものである。ここで、比誘電率が
４以下、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以上で
あることが望ましい。
【００１０】また、本発明の誘電体共振器は、基板上に
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、前記基板および／または前記支持部材が上
記高周波用誘電体磁器組成物からなるものである。
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、前記基板および／または前記支持部材が上
記高周波用誘電体磁器組成物からなるものである。
【００１１】さらに、本発明の誘電体導波路は、一対の
平行平板導体の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導
波路において、前記誘電体磁器が上記高周波用誘電体磁
器組成物からなるものである。
平行平板導体の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導
波路において、前記誘電体磁器が上記高周波用誘電体磁
器組成物からなるものである。
【００１２】
【作用】本発明の高周波用誘電体磁器組成物では、Ｂ、
Ｓｉからなる特定組成の複合酸化物に対して、希土類元
素の少なくとも一種を所定量含有することにより、比誘
電率が４以下、１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の低
誘電率および高Ｑ値を得ることができる。特に、希土類
元素の少なくとも一種を所定量含有することにより、Ｑ
値を向上することができる。
Ｓｉからなる特定組成の複合酸化物に対して、希土類元
素の少なくとも一種を所定量含有することにより、比誘
電率が４以下、１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の低
誘電率および高Ｑ値を得ることができる。特に、希土類
元素の少なくとも一種を所定量含有することにより、Ｑ
値を向上することができる。
【００１３】そして、このような高周波用誘電体磁器組
成物を、例えば、誘電体共振器の支持部材または基板に
用いることにより、高インピーダンスのマイクロ波用集
積回路などの高周波用回路素子を信頼性を損なうことな
く製造することができる。さらに、一対の平行平板導体
の間に介装された誘電体磁器に用いることにより、伝送
損失が少なく、かつ安価で高精度な誘電体線路を作製で
きる。
成物を、例えば、誘電体共振器の支持部材または基板に
用いることにより、高インピーダンスのマイクロ波用集
積回路などの高周波用回路素子を信頼性を損なうことな
く製造することができる。さらに、一対の平行平板導体
の間に介装された誘電体磁器に用いることにより、伝送
損失が少なく、かつ安価で高精度な誘電体線路を作製で
きる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用誘電体磁器組成
物は、金属元素としてＢ、Ｓｉからなる複合酸化物であ
って、各金属元素の酸化物による重量比組成式をｘＢ2
Ｏ3 ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが０．１≦ｘ
≦２０、８０≦ｙ≦９９．９、ｘ＋ｙ＝１００を満足す
るものを主成分とする。
物は、金属元素としてＢ、Ｓｉからなる複合酸化物であ
って、各金属元素の酸化物による重量比組成式をｘＢ2
Ｏ3 ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが０．１≦ｘ
≦２０、８０≦ｙ≦９９．９、ｘ＋ｙ＝１００を満足す
るものを主成分とする。
【００１５】本発明の高周波用誘電体磁器組成物の主成
分組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、Ｂ2 Ｏ3 の重量百分率ｘを０．１≦ｘ≦２０（８０
≦ｙ≦９９．９）としたのは、ｘが０．１重量％よりも
小さい場合（ｙが９９．９重量％よりも大きい場合）は
焼結体が緻密化せず、２０重量％を越えると（ｙが８０
重量％よりも小さい場合）良好な焼結体が得られずＱ値
が低くなるからである。特に、Ｂ2 Ｏ3 量を示すｘはＱ
値を３０００以上とする点から０．２≦ｘ≦１０（９０
≦ｙ≦９９．８）が望ましい。
分組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、Ｂ2 Ｏ3 の重量百分率ｘを０．１≦ｘ≦２０（８０
≦ｙ≦９９．９）としたのは、ｘが０．１重量％よりも
小さい場合（ｙが９９．９重量％よりも大きい場合）は
焼結体が緻密化せず、２０重量％を越えると（ｙが８０
重量％よりも小さい場合）良好な焼結体が得られずＱ値
が低くなるからである。特に、Ｂ2 Ｏ3 量を示すｘはＱ
値を３０００以上とする点から０．２≦ｘ≦１０（９０
≦ｙ≦９９．８）が望ましい。
【００１６】そして、本発明では、上記主成分１００重
量部に対して、さらに希土類元素のうち少なくとも１種
を酸化物換算で０．１〜１５重量部含有するものであ
る。主成分１００重量部に対して、さらにＹおよび希土
類元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．１〜１
５重量部含有せしめたのは、この範囲ならばＱ値がさら
に向上するからである。一方、０．１重量部よりも少な
い場合にはその添加効果が小さく、また１５重量部より
も多くなると比誘電率が４よりも大きくなるからであ
る。
量部に対して、さらに希土類元素のうち少なくとも１種
を酸化物換算で０．１〜１５重量部含有するものであ
る。主成分１００重量部に対して、さらにＹおよび希土
類元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．１〜１
５重量部含有せしめたのは、この範囲ならばＱ値がさら
に向上するからである。一方、０．１重量部よりも少な
い場合にはその添加効果が小さく、また１５重量部より
も多くなると比誘電率が４よりも大きくなるからであ
る。
【００１７】希土類元素は、Ｑ値向上、より低誘電率と
いう観点から、上記主成分１００重量部に対して酸化物
換算で０．１〜１０重量部含有することが望ましい。
いう観点から、上記主成分１００重量部に対して酸化物
換算で０．１〜１０重量部含有することが望ましい。
【００１８】希土類元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕがあり、これらのう
ちＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ、Ｌｕが高Ｑ値と
いう理由で最も望ましい。
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕがあり、これらのう
ちＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ、Ｌｕが高Ｑ値と
いう理由で最も望ましい。
【００１９】測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上であることが望ましい。
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上であることが望ましい。
【００２０】本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、原
料粉末として、例えば、Ｂ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、
希土類元素のうち少なくとも１種の酸化物粉末を用い、
所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、得られた
粉末に適量のバインダを加えて成形し、この成形体を大
気中１２５０〜１４００℃で焼成することにより得られ
る。
料粉末として、例えば、Ｂ2 Ｏ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、
希土類元素のうち少なくとも１種の酸化物粉末を用い、
所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、得られた
粉末に適量のバインダを加えて成形し、この成形体を大
気中１２５０〜１４００℃で焼成することにより得られ
る。
【００２１】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
では、主相がガラス相であり、他に結晶相として、クリ
ストバライト、トリジマイト、クオーツ、希土類元素と
Ｓｉとが化合した酸化物等が析出する場合があるが、組
成によってその析出相が異なる。
では、主相がガラス相であり、他に結晶相として、クリ
ストバライト、トリジマイト、クオーツ、希土類元素と
Ｓｉとが化合した酸化物等が析出する場合があるが、組
成によってその析出相が異なる。
【００２２】また、本発明の誘電体共振器は、図１に示
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記高周波用誘電体磁器組成物か
らなるものである。
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記高周波用誘電体磁器組成物か
らなるものである。
【００２３】さらに、本発明の誘電体導波路は、図２に
示すように、一対の平行平板導体１１の間に誘電体磁器
１２を介装したものであり、誘電体磁器１２が上記高周
波用誘電体磁器組成物からなるものである。
示すように、一対の平行平板導体１１の間に誘電体磁器
１２を介装したものであり、誘電体磁器１２が上記高周
波用誘電体磁器組成物からなるものである。
【００２４】また、本発明の誘電体磁器組成物では、低
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板、誘電体共振器の誘電体磁器、誘電
体導波路、誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に、または平行平板導体の間により誘電体磁器
を挟持してなる誘電体導波管の前記誘電体磁器としても
最適である。
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板、誘電体共振器の誘電体磁器、誘電
体導波路、誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に、または平行平板導体の間により誘電体磁器
を挟持してなる誘電体導波管の前記誘電体磁器としても
最適である。
【００２５】さらに、本発明の高周波用誘電体磁器組成
物は、図３に示すように、基板１３の上下面に導体１４
を形成してなる誘電体アンテナの前記基板１３としても
最適である。
物は、図３に示すように、基板１３の上下面に導体１４
を形成してなる誘電体アンテナの前記基板１３としても
最適である。
【００２６】尚、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素として、Ｂ、Ｓｉおよび希土類元素を含有
するものであるが、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不
純物としてＡｌ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ
ａ、Ｐ、Ｎａ、Ｔｉ等が混入する場合があるが、この場
合も、上記組成を満足する限り低誘電率で、高Ｑ値の磁
器を得ることができる。
は、金属元素として、Ｂ、Ｓｉおよび希土類元素を含有
するものであるが、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不
純物としてＡｌ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃ
ａ、Ｐ、Ｎａ、Ｔｉ等が混入する場合があるが、この場
合も、上記組成を満足する限り低誘電率で、高Ｑ値の磁
器を得ることができる。
【００２７】
【実施例】原料粉末として純度９５％のＢ2 Ｏ3 、純度
９９％のＳｉＯ2 粉末、純度９９％以上の希土類元素の
酸化物粉末を用い、これらを焼結体が表１に示す組成と
なるように秤量し、１５時間湿式混合した後、乾燥し、
得られた粉末に適量のバインダを加えて造粒し、これを
１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して直径１２ｍ
ｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この成形体を表１に示す
温度で２時間焼成して誘電体磁器試料を得た。
９９％のＳｉＯ2 粉末、純度９９％以上の希土類元素の
酸化物粉末を用い、これらを焼結体が表１に示す組成と
なるように秤量し、１５時間湿式混合した後、乾燥し、
得られた粉末に適量のバインダを加えて造粒し、これを
１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して直径１２ｍ
ｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。この成形体を表１に示す
温度で２時間焼成して誘電体磁器試料を得た。
【００２８】この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて
測定周波数２０ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ値を測
定した。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１０ＧＨ
ｚにおけるＱ値を求めた。その結果を表１に示す。
測定周波数２０ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ値を測
定した。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１０ＧＨ
ｚにおけるＱ値を求めた。その結果を表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】この表１より、本発明の試料では、比誘電
率が４以下、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以
上であることが判る。また、希土類元素酸化物量を添加
することによりＱ値を向上することが判る。
率が４以下、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００以
上であることが判る。また、希土類元素酸化物量を添加
することによりＱ値を向上することが判る。
【００３１】尚、図４に試料Ｎo.３８のＸ線回折チャー
ト図を示す。この図４から、ガラス相の他にクリストバ
ライト、Ｙｂ2 Ｓｉ2 Ｏ7 が析出していることが判る。
ト図を示す。この図４から、ガラス相の他にクリストバ
ライト、Ｙｂ2 Ｓｉ2 Ｏ7 が析出していることが判る。
【００３２】
【発明の効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物で
は、４以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ波、
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共振器
用支持部材、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体アン
テナ等の材料として最適である。
は、４以下の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ波、
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共振器
用支持部材、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体アン
テナ等の材料として最適である。
【図１】高周波用回路素子の一例を示す誘電体共振器制
御型マイクロ波発振器の概略断面図である。
御型マイクロ波発振器の概略断面図である。
【図２】本発明の誘電体導波路を示す斜視図である。
【図３】誘電体アンテナを示す斜視図である。
【図４】試料Ｎo.３８のＸ線回折チャート図である。
１・・・誘電体磁器
２・・・支持部材
３・・・磁器基板
４・・・ストリップライン
５・・・金属ケース
１１・・・平行平板導体
１２・・・誘電体磁器
１３・・・基板
１４・・・導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/14
C04B 35/16
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素としてＢ、Ｓｉからなる複合酸化
物であって、各金属元素酸化物による重量比組成式をｘ
Ｂ2 Ｏ3 ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが０．１
≦ｘ≦２０、８０≦ｙ≦９９．９、ｘ＋ｙ＝１００を満
足する主成分と、該主成分１００重量部に対して希土類
元素のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．１〜１５
重量部含有することを特徴とする高周波用誘電体磁器組
成物。 - 【請求項２】比誘電率が４以下、かつ１０ＧＨｚにおけ
るＱ値が２０００以上であることを特徴とする請求項１
記載の高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】基板上に支持部材を介して誘電体磁器を固
定してなる誘電体共振器において、前記基板および／ま
たは前記支持部材が請求項１記載の高周波用誘電体磁器
組成物からなることを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項４】一対の平行平板導体の間に誘電体磁器を介
装してなる誘電体導波路において、前記誘電体磁器が請
求項１記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを
特徴とする誘電体導波路。
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| JP26005797A JP3523463B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
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| JP26005797A JP3523463B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
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| JPH11100257A JPH11100257A (ja) | 1999-04-13 |
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| JP26005797A Expired - Fee Related JP3523463B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
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-
1997
- 1997-09-25 JP JP26005797A patent/JP3523463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH11100257A (ja) | 1999-04-13 |
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