JP3523464B2 - 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路Info
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- Japan
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- dielectric
- high frequency
- dielectric ceramic
- resonator
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波、ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体組成
物に係わり、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等の
マイクロ波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、
誘電体共振器、誘電体共振器用支持部材、誘電体導波
路、誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、および誘電体磁器を支持部材を介して基
板に固定した誘電体共振器、並びに一対の平行平板導体
の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導波路に関する
ものである。
波、ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体組成
物に係わり、例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等の
マイクロ波、ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、
誘電体共振器、誘電体共振器用支持部材、誘電体導波
路、誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、および誘電体磁器を支持部材を介して基
板に固定した誘電体共振器、並びに一対の平行平板導体
の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導波路に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波、ミリ波集積回路をはじめとす
る高周波用回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介し
て基板に固定する構造が採用される場合がある。例え
ば、誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、第１図に
示すように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基
板３に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界
Ｈを利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に
結合させ、これらを金属ケース５に収容させた構造を有
している。
る高周波用回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介し
て基板に固定する構造が採用される場合がある。例え
ば、誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、第１図に
示すように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基
板３に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界
Ｈを利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に
結合させ、これらを金属ケース５に収容させた構造を有
している。
【０００３】この種の高周波回路においては、誘電体磁
器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御するこ
とによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることに
なるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損失（ｔ
ａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要
がある。このため、従来、支持部材の材料としては比誘
電率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５０
００のフォルステライトが採用され、また、磁器基板３
の材料としては主として比誘電率が約１０、測定周波数
１０ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が
採用されていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号
公報等参照）。
器１の電界が支持部材２を介して漏れるのを制御するこ
とによって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることに
なるため、支持部材２には比誘電率が低く誘電損失（ｔ
ａｎδ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要
がある。このため、従来、支持部材の材料としては比誘
電率が約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５０
００のフォルステライトが採用され、また、磁器基板３
の材料としては主として比誘電率が約１０、測定周波数
１０ＧＨｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が
採用されていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号
公報等参照）。
【０００４】一方、比誘電率が低い材料としては、従
来、比誘電率が４〜６、１０ＧＨｚでのＱ値が１０００
程度のガラスセラミックが知られている（例えば、特開
昭６３−８９４５４号公報等参照）。
来、比誘電率が４〜６、１０ＧＨｚでのＱ値が１０００
程度のガラスセラミックが知られている（例えば、特開
昭６３−８９４５４号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低誘電率
材料が求められていた。
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低誘電率
材料が求められていた。
【０００６】一方、低誘電率材料として用いられている
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
いが、Ｑ値が１０ＧＨｚで１０００程度であり、近年に
おける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高
いＱ値の低誘電率材料が求められていた。
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
いが、Ｑ値が１０ＧＨｚで１０００程度であり、近年に
おける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高
いＱ値の低誘電率材料が求められていた。
【０００７】また、共振器の磁器基板に主として使用さ
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピーダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピーダンスを高めることができ、このため、より低
誘電率材料が求められていた。
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピーダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピーダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピーダンスを高めることができ、このため、より低
誘電率材料が求められていた。
【０００８】本発明は、アルミナ、フォルステライトよ
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物および誘
電体共振器並びに誘電体導波路を提供することをことを
目的とする。
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物および誘
電体共振器並びに誘電体導波路を提供することをことを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ、Ｓｉからなり、これらの元素の酸化物によるモル比
組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2 と表した時にｘ、ｙが一
定の値である場合には、アルミナ、フォルステライトよ
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができることを見い出し、本発明に至った。
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ、Ｓｉからなり、これらの元素の酸化物によるモル比
組成式をｘＭｇＯ−ｙＳｉＯ2 と表した時にｘ、ｙが一
定の値である場合には、アルミナ、フォルステライトよ
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができることを見い出し、本発明に至った。
【００１０】即ち、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなる複合酸化物であ
って、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇ
Ｏ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが、１５≦ｘ≦
３９、６１≦ｙ≦８５、ｘ＋ｙ＝１００を満足するとと
もに、クリストバライトを主結晶相とし、さらに比誘電
率が５未満で、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００
以上のものである。
は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなる複合酸化物であ
って、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇ
Ｏ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが、１５≦ｘ≦
３９、６１≦ｙ≦８５、ｘ＋ｙ＝１００を満足するとと
もに、クリストバライトを主結晶相とし、さらに比誘電
率が５未満で、かつ１０ＧＨｚにおけるＱ値が２０００
以上のものである。
【００１１】また、本発明の誘電体共振器は、基板上に
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、前記基板および／または前記支持部材が、
上記高周波用誘電体磁器組成物からなるものである。
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、前記基板および／または前記支持部材が、
上記高周波用誘電体磁器組成物からなるものである。
【００１２】さらに、本発明の誘電体導波路は、一対の
平行平板導体の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導
波路において、前記誘電体磁器が、上記高周波用誘電体
磁器組成物からなるものである。
平行平板導体の間に誘電体磁器を介装してなる誘電体導
波路において、前記誘電体磁器が、上記高周波用誘電体
磁器組成物からなるものである。
【００１３】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、比誘電率が５
未満、１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の低誘電率お
よび高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体共振器の支
持部材または基板に用いることにより、高インピーダン
スのマイクロ波用集積回路などの高周波用回路素子を信
頼性を損なうことなく製造することができる。
未満、１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の低誘電率お
よび高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体共振器の支
持部材または基板に用いることにより、高インピーダン
スのマイクロ波用集積回路などの高周波用回路素子を信
頼性を損なうことなく製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用誘電体磁器組成
物は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなる複合酸化物で
あって、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭ
ｇＯ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが１５≦ｘ≦
３９、６１≦ｙ≦８５、ｘ＋ｙ＝１００を満足するもの
である。
物は、金属元素としてＭｇ、Ｓｉからなる複合酸化物で
あって、各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭ
ｇＯ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが１５≦ｘ≦
３９、６１≦ｙ≦８５、ｘ＋ｙ＝１００を満足するもの
である。
【００１５】本発明の高周波用誘電体磁器組成物の成分
組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、ＭｇＯのモル百分率ｘを１５≦ｘ≦３９としたの
は、ｘが１５モル％よりも小さい場合は焼結体が緻密化
せず、３９モル％を越えると比誘電率が５以上となるか
らである。ＭｇＯ量を示すｘはＱ値を３０００以上とす
る点から２０≦ｘ≦３９が望ましい。特に比誘電率を小
さくかつＱ値を３０００以上とする点からは２０≦ｘ≦
３０がより望ましい。
組成を前記範囲に限定したのは、次の理由による。即
ち、ＭｇＯのモル百分率ｘを１５≦ｘ≦３９としたの
は、ｘが１５モル％よりも小さい場合は焼結体が緻密化
せず、３９モル％を越えると比誘電率が５以上となるか
らである。ＭｇＯ量を示すｘはＱ値を３０００以上とす
る点から２０≦ｘ≦３９が望ましい。特に比誘電率を小
さくかつＱ値を３０００以上とする点からは２０≦ｘ≦
３０がより望ましい。
【００１６】測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上であることが望ましい。
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が３０００以上であることが望ましい。
【００１７】また、本発明の誘電体磁器組成物では、主
結晶相がクリストバライトであり、他に結晶相として、
クリノエンスタタイト、プロトエンスタタイト、トリジ
マイト等が析出する場合があるが、組成によってその析
出相が異なる。
結晶相がクリストバライトであり、他に結晶相として、
クリノエンスタタイト、プロトエンスタタイト、トリジ
マイト等が析出する場合があるが、組成によってその析
出相が異なる。
【００１８】また、本発明の誘電体共振器は、図１に示
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記高周波用誘電体磁器組成物か
らなるものである。
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記高周波用誘電体磁器組成物か
らなるものである。
【００１９】さらに、本発明の誘電体導波路は、図２に
示すように、一対の平行平板導体１１の間に誘電体磁器
１２を介装したものであり、誘電体磁器１２が上記高周
波用誘電体磁器組成物からなるものである。
示すように、一対の平行平板導体１１の間に誘電体磁器
１２を介装したものであり、誘電体磁器１２が上記高周
波用誘電体磁器組成物からなるものである。
【００２０】本発明の高周波用誘電体磁器は、原料粉末
として、例えば、ＭｇＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末を用
い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この
混合物を大気中において１１００〜１３００℃で０．５
〜３時間仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量の
バインダを加えて成形し、この成形体を大気中等の酸化
性雰囲気において１４００〜１５００℃で０．５〜３時
間焼成することにより得られる。
として、例えば、ＭｇＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末を用
い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この
混合物を大気中において１１００〜１３００℃で０．５
〜３時間仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量の
バインダを加えて成形し、この成形体を大気中等の酸化
性雰囲気において１４００〜１５００℃で０．５〜３時
間焼成することにより得られる。
【００２１】そして、ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ2 系の組成物
において、焼結が困難であったＭｇＯが３９モル％より
も少ない範囲の組成物の焼結性を向上するため、原料粉
末や焼成条件の制御が必要となる。例えば、ＳｉＯ2 粉
末として非晶質ＳｉＯ2 粉末を用いることによっても焼
結性を向上できる。つまり、本発明者等が先に出願した
特願平７−３３９７８０号においては緻密化できなかっ
た上記組成物を緻密化できるのである。
において、焼結が困難であったＭｇＯが３９モル％より
も少ない範囲の組成物の焼結性を向上するため、原料粉
末や焼成条件の制御が必要となる。例えば、ＳｉＯ2 粉
末として非晶質ＳｉＯ2 粉末を用いることによっても焼
結性を向上できる。つまり、本発明者等が先に出願した
特願平７−３３９７８０号においては緻密化できなかっ
た上記組成物を緻密化できるのである。
【００２２】尚、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素として、Ｍｇ、Ｓｉからなるものである
が、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ａ
ｌ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｐ、Ｎａ、
Ｔｉ等が混入する場合があるが、この場合も、上記組成
を満足する限り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることが
できる。
は、金属元素として、Ｍｇ、Ｓｉからなるものである
が、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ａ
ｌ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｐ、Ｎａ、
Ｔｉ等が混入する場合があるが、この場合も、上記組成
を満足する限り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることが
できる。
【００２３】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
では、低誘電率および高Ｑ値が求められるものであれ
ば、例えば、回路素子用基板、誘電体共振器の誘電体磁
器、誘電体導波路、誘電体アンテナ等、どのようなもの
でも適用できるが、上記したように、誘電体共振器の支
持部材または基板、また、誘電体導波路の平行平板導体
間の誘電体としても最適である。また、本発明の誘電体
磁器組成物は図３に示すように、基板１３の上下面に導
体１４を形成してなる誘電体アンテナの前記基板１３と
しても最適である。
では、低誘電率および高Ｑ値が求められるものであれ
ば、例えば、回路素子用基板、誘電体共振器の誘電体磁
器、誘電体導波路、誘電体アンテナ等、どのようなもの
でも適用できるが、上記したように、誘電体共振器の支
持部材または基板、また、誘電体導波路の平行平板導体
間の誘電体としても最適である。また、本発明の誘電体
磁器組成物は図３に示すように、基板１３の上下面に導
体１４を形成してなる誘電体アンテナの前記基板１３と
しても最適である。
【００２４】
【実施例】原料粉末として純度９９％のＭｇＣＯ3 、純
度９９％の非晶質ＳｉＯ2 粉末を用い、これらを焼結体
が表１に示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混
合した後、乾燥し、この混合物を１２００℃で２時間仮
焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを
加えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下
で成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。こ
の成形体を表１に示す温度で２時間焼成して誘電体磁器
試料を得た。
度９９％の非晶質ＳｉＯ2 粉末を用い、これらを焼結体
が表１に示す組成となるように秤量し、１５時間湿式混
合した後、乾燥し、この混合物を１２００℃で２時間仮
焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバインダを
加えて造粒し、これを１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下
で成形して直径１２ｍｍ厚さ８ｍｍの成形体を得た。こ
の成形体を表１に示す温度で２時間焼成して誘電体磁器
試料を得た。
【００２５】この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて
周波数２０ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ値を測定し
た。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１０ＧＨｚに
おけるＱ値を求めた。その結果を表１に示す。
周波数２０ＧＨｚにおいて比誘電率およびＱ値を測定し
た。Ｑ値に関してはＱｆ＝一定とみなして１０ＧＨｚに
おけるＱ値を求めた。その結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１によれば、本発明に係る高周波用誘電
体磁器組成物は、比誘電率が５未満と低く、しかも測定
周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
体磁器組成物は、比誘電率が５未満と低く、しかも測定
周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
【００２８】尚、図４に試料Ｎo.３のＸ線回折チャート
図を示す。この図４から、クリストバライトの他にプロ
トエンスタタイトが析出していることが判る。
図を示す。この図４から、クリストバライトの他にプロ
トエンスタタイトが析出していることが判る。
【００２９】
【発明の効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物で
は、５未満の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ波、
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共振器
用支持台、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体アンテ
ナ等の材料として最適である。
は、５未満の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波、ミリ波集積回路等のマイクロ波、
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板、誘電体共振器
用支持台、誘電体共振器、誘電体導波路、誘電体アンテ
ナ等の材料として最適である。
【図１】高周波用回路素子の一例を示す誘電体共振器制
御型マイクロ波発振器の概略断面図である。
御型マイクロ波発振器の概略断面図である。
【図２】本発明の誘電体導波路を示す斜視図である。
【図３】誘電体アンテナを示す斜視図である。
【図４】試料Ｎo.３のＸ線回折チャート図である。
１・・・誘電体磁器
２・・・支持部材
３・・・磁器基板
４・・・ストリップライン
５・・・金属ケース
１１・・・平行平板導体
１２・・・誘電体磁器
１３・・・基板
１４・・・導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/14
C04B 35/20
Claims (3)
- 【請求項１】金属元素としてＭｇおよびＳｉからなる複
合酸化物であって、各金属元素の酸化物によるモル比組
成式を ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ、ｙが １５≦ｘ≦３９ ６１≦ｙ≦８５ ｘ＋ｙ＝１００ を満足するとともに、クリストバライトを主結晶相と
し、さらに比誘電率が５未満で、かつ１０ＧＨｚにおけ
るＱ値が２０００以上であることを特徴とする高周波用
誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】基板上に支持部材を介して誘電体磁器を固
定してなる誘電体共振器において、前記基板および／ま
たは前記支持部材が、請求項１記載の高周波用誘電体磁
器組成物からなることを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項３】一対の平行平板導体の間に誘電体磁器を介
装してなる誘電体導波路において、前記誘電体磁器が、
請求項１記載の高周波用誘電体磁器組成物からなること
を特徴とする誘電体導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26005897A JP3523464B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26005897A JP3523464B2 (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器並びに誘電体導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100260A JPH11100260A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3523464B2 true JP3523464B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=17342727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1997
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