JP2003238244A - 高周波用誘電体磁器、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 - Google Patents
高周波用誘電体磁器、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比誘電率εr が１７から７５の範囲で、Ｑ値
が高く、共振周波数の温度係数τf を０ｐｐｍ／℃付近
で任意に制御でき、さらに、めっき膜の密着強度を高め
ることができる、誘電体共振器に備える誘電体磁器とし
て用いるのに適した高周波用誘電体磁器を提供する。 【解決手段】 Ｍｇ、Ｂａ、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの少なく
とも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器であって、
組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００
−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ＝３、ＲｅがＰｒの
場合は、ｎ＝１１／３、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４）
で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わし
て、１０．０≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、およ
び０＜ｃ≦１６．５の条件を満たす、高周波用誘電体磁
器。
が高く、共振周波数の温度係数τf を０ｐｐｍ／℃付近
で任意に制御でき、さらに、めっき膜の密着強度を高め
ることができる、誘電体共振器に備える誘電体磁器とし
て用いるのに適した高周波用誘電体磁器を提供する。 【解決手段】 Ｍｇ、Ｂａ、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの少なく
とも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器であって、
組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn −（１００
−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ＝３、ＲｅがＰｒの
場合は、ｎ＝１１／３、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４）
で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わし
て、１０．０≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、およ
び０＜ｃ≦１６．５の条件を満たす、高周波用誘電体磁
器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波やミ
リ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体
磁器、ならびに、それを用いて構成される誘電体共振
器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機
装置に関するものである。
リ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体
磁器、ならびに、それを用いて構成される誘電体共振
器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波やミリ波等の高周波領域にお
いて、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料とし
て、誘電体磁器が広く利用されている。
いて、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料とし
て、誘電体磁器が広く利用されている。
【０００３】たとえば、移動体通信端末機器において用
いられる誘電体磁器としては、このような移動体通信端
末機器の小型化を実現するため、比誘電率εr が高く、
また、めっき膜の密着強度の高いものが主として用いら
れている。より具体的には、この用途に向けられる誘電
体磁器として、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＰｂＯ
系やＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 系のε
r が９０のもの、あるいは、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｏ2 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 系のεr が１１０のものなど
が主に用いられている。
いられる誘電体磁器としては、このような移動体通信端
末機器の小型化を実現するため、比誘電率εr が高く、
また、めっき膜の密着強度の高いものが主として用いら
れている。より具体的には、この用途に向けられる誘電
体磁器として、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −ＰｂＯ
系やＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ3 系のε
r が９０のもの、あるいは、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｏ2 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 系のεr が１１０のものなど
が主に用いられている。
【０００４】しかしながら、最近の移動体通信の発展に
伴い、利用周波数帯域が高周波側にシフトし、波長が短
くなったため、共振器の軸長が短くなり過ぎ、無負荷Ｑ
が低下するという新たな問題に遭遇し始めている。
伴い、利用周波数帯域が高周波側にシフトし、波長が短
くなったため、共振器の軸長が短くなり過ぎ、無負荷Ｑ
が低下するという新たな問題に遭遇し始めている。
【０００５】そこで、εr が比較的低く、高いＱ値を有
し、共振周波数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃にできる
だけ近く、さらに、めっき膜の密着強度の高い誘電体磁
器の実現が望まれている。また、τf を０ｐｐｍ／℃付
近に保ちながら、εr を調節できる材料は、素子設計の
自由度を大幅に向上させることができるので、このよう
な誘電体磁器の実現も望まれている。
し、共振周波数の温度係数τf が０ｐｐｍ／℃にできる
だけ近く、さらに、めっき膜の密着強度の高い誘電体磁
器の実現が望まれている。また、τf を０ｐｐｍ／℃付
近に保ちながら、εr を調節できる材料は、素子設計の
自由度を大幅に向上させることができるので、このよう
な誘電体磁器の実現も望まれている。
【０００６】これに関して、現在までのところ、以下の
ような誘電体磁器が提案されている。
ような誘電体磁器が提案されている。
【０００７】特開平３−２１６９１１号公報では、（Ｂ
ａＯ，ＭｇＯ）−Ｒｅ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の材料（Ｒｅ
はランタニド系希土類元素）であって、ＢａＯの５０モ
ル％以下をＭｇＯで置換した誘電体磁器が提案されてい
る（第１の従来技術）。このように、ＢａＯをＭｇＯで
置換することにより、εr やＱ値を大きく変えることな
く、τf 特性を向上させることができる。
ａＯ，ＭｇＯ）−Ｒｅ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の材料（Ｒｅ
はランタニド系希土類元素）であって、ＢａＯの５０モ
ル％以下をＭｇＯで置換した誘電体磁器が提案されてい
る（第１の従来技術）。このように、ＢａＯをＭｇＯで
置換することにより、εr やＱ値を大きく変えることな
く、τf 特性を向上させることができる。
【０００８】次に、特開平２−２５２６５４号公報で
は、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＭｎＯ
2 −ＭｇＯの組成を有する誘電体磁器が提案されている
（第２の従来技術）。この誘電体磁器によれば、εr が
３９から４４であって、良好な誘電特性を得ている。
は、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｙ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＭｎＯ
2 −ＭｇＯの組成を有する誘電体磁器が提案されている
（第２の従来技術）。この誘電体磁器によれば、εr が
３９から４４であって、良好な誘電特性を得ている。
【０００９】次に、特公昭６１−１３３２６号公報で
は、ＺｒＯ−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系の組成を有する誘電
体磁器が提案されている（第３の従来技術）。この誘電
体磁器によれば、εr が３０から４０であって、良好な
誘電特性を得ている。
は、ＺｒＯ−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系の組成を有する誘電
体磁器が提案されている（第３の従来技術）。この誘電
体磁器によれば、εr が３０から４０であって、良好な
誘電特性を得ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た第１ないし第３の従来技術には、それぞれ、以下のよ
うな解決されるべき課題がある。
た第１ないし第３の従来技術には、それぞれ、以下のよ
うな解決されるべき課題がある。
【００１１】まず、第１の従来技術では、組成中のＭｇ
Ｏが少なく、Ｒｅ2 Ｏ3 が多いため、Ｑ値が十分に高く
なく、τf も実用上問題となる特性である。
Ｏが少なく、Ｒｅ2 Ｏ3 が多いため、Ｑ値が十分に高く
なく、τf も実用上問題となる特性である。
【００１２】次に、第２の従来技術では、τf が０ｐｐ
ｍ／℃付近であるという特性を実現しているが、組成中
のＭｇＯが少なく（１モル％以下）、εr が４０前後と
いうように実質的に固定されてしまう。
ｍ／℃付近であるという特性を実現しているが、組成中
のＭｇＯが少なく（１モル％以下）、εr が４０前後と
いうように実質的に固定されてしまう。
【００１３】次に、第３の従来技術では、誘電特性は良
好であるが、めっき膜の密着強度が低いという問題があ
る。
好であるが、めっき膜の密着強度が低いという問題があ
る。
【００１４】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な種々の問題を解決し得る高周波用誘電体磁器を提供し
ようとすることである。
な種々の問題を解決し得る高周波用誘電体磁器を提供し
ようとすることである。
【００１５】この発明の他の目的は、上述したような高
周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器、誘
電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を
提供しようとすることである。
周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器、誘
電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を
提供しようとすることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波用
誘電体磁器は、上述した技術的課題を解決するため、元
素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ば
れた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器
であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn
−（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ
＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であ
り、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わした
とき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１０．０
≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０＜ｃ≦１
６．５の条件を満たすことを特徴としている。
誘電体磁器は、上述した技術的課題を解決するため、元
素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ば
れた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器
であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn
−（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ
＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であ
り、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わした
とき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１０．０
≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０＜ｃ≦１
６．５の条件を満たすことを特徴としている。
【００１７】好ましくは、上記ａ、ｂおよびｃは、モル
％で表わしたとき、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７＜
ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満た
すようにされる。
％で表わしたとき、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７＜
ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満た
すようにされる。
【００１８】この発明は、また、誘電体磁器が入出力端
子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器にも向けら
れる。この発明に係る誘電体共振器において、誘電体磁
器が、上述したこの発明に係る高周波用誘電体磁器から
なることを特徴としている。
子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器にも向けら
れる。この発明に係る誘電体共振器において、誘電体磁
器が、上述したこの発明に係る高周波用誘電体磁器から
なることを特徴としている。
【００１９】上述した誘電体磁器の表面に、好ましく
は、銅めっき導体が形成される。
は、銅めっき導体が形成される。
【００２０】また、この発明は、上述した誘電体共振器
と、この誘電体共振器の入出力端子に接続される外部接
合手段とを備える、誘電体フィルタにも向けられる。
と、この誘電体共振器の入出力端子に接続される外部接
合手段とを備える、誘電体フィルタにも向けられる。
【００２１】この発明は、また、少なくとも２つの誘電
体フィルタと、誘電体フィルタのそれぞれに接続される
入出力接続手段と、誘電体フィルタに共通に接続される
アンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサにも
向けられる。この発明に係る誘電体デュプレクサにおい
て、誘電体フィルタの少なくとも１つが上述したこの発
明に係る誘電体フィルタであることを特徴としている。
体フィルタと、誘電体フィルタのそれぞれに接続される
入出力接続手段と、誘電体フィルタに共通に接続される
アンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサにも
向けられる。この発明に係る誘電体デュプレクサにおい
て、誘電体フィルタの少なくとも１つが上述したこの発
明に係る誘電体フィルタであることを特徴としている。
【００２２】この発明は、さらに、上述の誘電体デュプ
レクサと、この誘電体デュプレクサの少なくとも１つの
入出力接続手段に接続される送信用回路と、この送信用
回路に接続される上述の入出力手段とは異なる少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、誘
電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアン
テナとを備える、通信機装置にも向けられる。
レクサと、この誘電体デュプレクサの少なくとも１つの
入出力接続手段に接続される送信用回路と、この送信用
回路に接続される上述の入出力手段とは異なる少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、誘
電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアン
テナとを備える、通信機装置にも向けられる。
【００２３】
【発明の実施の形態】まず、この発明に係る高周波用誘
電体磁器が適用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、
誘電体デュプレクサおよび通信機装置について説明す
る。
電体磁器が適用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、
誘電体デュプレクサおよび通信機装置について説明す
る。
【００２４】図１は、この発明に係る高周波用誘電体磁
器を用いて構成される誘電体共振器の一例を示す斜視図
であり、図２は、図１に示した誘電体共振器１の中央縦
断正面図である。
器を用いて構成される誘電体共振器の一例を示す斜視図
であり、図２は、図１に示した誘電体共振器１の中央縦
断正面図である。
【００２５】誘電体共振器１は、貫通孔２を有する角柱
状の誘電体磁器３を備えている。誘電体磁器３の貫通孔
２の内面上には、内導体４が形成され、他方、誘電体磁
器３の外面上には、外導体５が形成されている。
状の誘電体磁器３を備えている。誘電体磁器３の貫通孔
２の内面上には、内導体４が形成され、他方、誘電体磁
器３の外面上には、外導体５が形成されている。
【００２６】誘電体磁器３に入出力端子すなわち外部結
合手段を電磁界結合させることにより、誘電体共振器１
は共振器として作動する。
合手段を電磁界結合させることにより、誘電体共振器１
は共振器として作動する。
【００２７】このような誘電体共振器１に備える誘電体
磁器３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成
される。
磁器３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成
される。
【００２８】また、内導体４および外導体５は、銅めっ
き膜によって形成される。これによって、生産性を高
め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
き膜によって形成される。これによって、生産性を高
め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
【００２９】上述の銅めっき膜は、たとえば無電解めっ
きによって形成される。後述する実験例から明らかにな
るように、この発明に係る高周波用誘電体磁器は、この
ような銅めっき膜に対して、高い密着強度を与えること
ができる。より具体的には、めっき膜の密着強度を、Ｊ
ＩＳ Ｈ ８５０４の「めっきの密着性試験方法」に基
づいて求めた場合、この発明に係る高周波用誘電体磁器
は、銅めっき膜に対して、実用上十分な７０Ｎ／２ｍｍ
□以上の密着強度を与えることができる。
きによって形成される。後述する実験例から明らかにな
るように、この発明に係る高周波用誘電体磁器は、この
ような銅めっき膜に対して、高い密着強度を与えること
ができる。より具体的には、めっき膜の密着強度を、Ｊ
ＩＳ Ｈ ８５０４の「めっきの密着性試験方法」に基
づいて求めた場合、この発明に係る高周波用誘電体磁器
は、銅めっき膜に対して、実用上十分な７０Ｎ／２ｍｍ
□以上の密着強度を与えることができる。
【００３０】なお、図１に示した誘電体共振器１は、角
柱状の誘電体磁器３を備え、ＴＥＭモードの誘電体共振
器の一例であったが、他の形状や、他のＴＥＭモードや
ＴＭモード、ＴＥモードなどの誘電体共振器において
も、そこに備える誘電体磁器として、この発明に係る高
周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
柱状の誘電体磁器３を備え、ＴＥＭモードの誘電体共振
器の一例であったが、他の形状や、他のＴＥＭモードや
ＴＭモード、ＴＥモードなどの誘電体共振器において
も、そこに備える誘電体磁器として、この発明に係る高
周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
【００３１】図３は、この発明に係る高周波用誘電体磁
器を用いて構成される誘電体フィルタの一例を示す斜視
図である。
器を用いて構成される誘電体フィルタの一例を示す斜視
図である。
【００３２】図３に示した誘電体フィルタ１１は、貫通
孔１２を有する誘電体磁器１３を備えている。誘電体磁
器１３の貫通孔１２の内面上には、銅めっき膜からなる
内導体１４が形成され、誘電体磁器１３の外面上には、
同じく銅めっき膜からなる外導体１５が形成されてい
る。
孔１２を有する誘電体磁器１３を備えている。誘電体磁
器１３の貫通孔１２の内面上には、銅めっき膜からなる
内導体１４が形成され、誘電体磁器１３の外面上には、
同じく銅めっき膜からなる外導体１５が形成されてい
る。
【００３３】上述の誘電体磁器１３ならびに内導体１４
および外導体１５をもって、誘電体共振器が構成され、
この誘電体共振器には、外部結合手段１６が形成され、
それによって、誘電体フィルタ１１が構成される。
および外導体１５をもって、誘電体共振器が構成され、
この誘電体共振器には、外部結合手段１６が形成され、
それによって、誘電体フィルタ１１が構成される。
【００３４】このような誘電体フィルタ１１において、
誘電体磁器１３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器
から構成される。
誘電体磁器１３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器
から構成される。
【００３５】なお、図３に示した誘電体フィルタ１１
は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリート
タイプの誘電体フィルタにおいても、この発明に係る高
周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリート
タイプの誘電体フィルタにおいても、この発明に係る高
周波用誘電体磁器を同様に用いることができる。
【００３６】図４は、この発明に係る高周波用誘電体磁
器を用いて構成される誘電体デュプレクサの一例を示す
斜視図である。
器を用いて構成される誘電体デュプレクサの一例を示す
斜視図である。
【００３７】図４に示した誘電体デュプレクサ２１は、
貫通孔２２を有する誘電体磁器２３を備えている。誘電
体磁器２３における貫通孔２２の内面上には、銅めっき
膜からなる内導体２４が形成され、他方、誘電体磁器２
３の外面上には、同じく銅めっき膜からなる外導体２５
が形成されている。
貫通孔２２を有する誘電体磁器２３を備えている。誘電
体磁器２３における貫通孔２２の内面上には、銅めっき
膜からなる内導体２４が形成され、他方、誘電体磁器２
３の外面上には、同じく銅めっき膜からなる外導体２５
が形成されている。
【００３８】上述の誘電体磁器２３ならびに内導体２４
および外導体２５によって、誘電体共振器を備えた２つ
の誘電体フィルタが構成される。そして、誘電体デュプ
レクサ２１は、一方の誘電体フィルタに接続される入力
接続手段２６と、他方の誘電体フィルタに接続される出
力接続手段２７と、これら誘電体フィルタに共通に接続
されるアンテナ接続手段２８とをさらに備えている。
および外導体２５によって、誘電体共振器を備えた２つ
の誘電体フィルタが構成される。そして、誘電体デュプ
レクサ２１は、一方の誘電体フィルタに接続される入力
接続手段２６と、他方の誘電体フィルタに接続される出
力接続手段２７と、これら誘電体フィルタに共通に接続
されるアンテナ接続手段２８とをさらに備えている。
【００３９】このような誘電体デュプレクサ２１におい
て、誘電体磁器２３は、この発明に係る高周波用誘電体
磁器から構成される。
て、誘電体磁器２３は、この発明に係る高周波用誘電体
磁器から構成される。
【００４０】なお、図４に示した誘電体デュプレクサ２
１は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリー
トタイプの誘電体デュプレクサにおいても、この発明に
係る高周波用誘電体磁器を用いることができる。ディス
クリートタイプの誘電体デュプレクサの場合には、そこ
に構成される複数の誘電体フィルタのすべてにおいて、
この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いる必要はな
い。すなわち、少なくとも１つの誘電体フィルタにおい
て、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いればよ
い。
１は、ブロックタイプのものであったが、ディスクリー
トタイプの誘電体デュプレクサにおいても、この発明に
係る高周波用誘電体磁器を用いることができる。ディス
クリートタイプの誘電体デュプレクサの場合には、そこ
に構成される複数の誘電体フィルタのすべてにおいて、
この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いる必要はな
い。すなわち、少なくとも１つの誘電体フィルタにおい
て、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いればよ
い。
【００４１】図５は、上述の図４に例示したような誘電
体デュプレクサを用いて構成される通信機装置の一例を
示すブロック図である。
体デュプレクサを用いて構成される通信機装置の一例を
示すブロック図である。
【００４２】図５に示した通信機装置３１は、誘電体デ
ュプレクサ３２、送信用回路３３、受信用回路３４およ
びアンテナ３５を含む。
ュプレクサ３２、送信用回路３３、受信用回路３４およ
びアンテナ３５を含む。
【００４３】送信用回路３３は、誘電体デュプレクサ３
２の入力接続手段３６に接続され、受信用回路３４は、
誘電体デュプレクサ３２の出力接続手段３７に接続され
る。また、アンテナ３５は、誘電体デュプレクサ３２の
アンテナ接続手段３８に接続される。
２の入力接続手段３６に接続され、受信用回路３４は、
誘電体デュプレクサ３２の出力接続手段３７に接続され
る。また、アンテナ３５は、誘電体デュプレクサ３２の
アンテナ接続手段３８に接続される。
【００４４】誘電体デュプレクサ３２は、２つの誘電体
フィルタ３９および４０を含む。誘電体フィルタ３９お
よび４０は、誘電体共振器に外部結合手段を接続して構
成されるものである。図示の実施形態では、たとえば、
図１に示した誘電体共振器１にそれぞれ外部結合手段４
１を接続して、誘電体フィルタ３９および４０の各々が
構成される。そして、一方の誘電体フィルタ３９は、入
力接続手段３６と他方の誘電体フィルタ４０との間に接
続され、他方の誘電体フィルタ４０は、一方の誘電体フ
ィルタ３９と出力接続手段３７との間に接続される。
フィルタ３９および４０を含む。誘電体フィルタ３９お
よび４０は、誘電体共振器に外部結合手段を接続して構
成されるものである。図示の実施形態では、たとえば、
図１に示した誘電体共振器１にそれぞれ外部結合手段４
１を接続して、誘電体フィルタ３９および４０の各々が
構成される。そして、一方の誘電体フィルタ３９は、入
力接続手段３６と他方の誘電体フィルタ４０との間に接
続され、他方の誘電体フィルタ４０は、一方の誘電体フ
ィルタ３９と出力接続手段３７との間に接続される。
【００４５】次に、図１に示した誘電体磁器３、図３に
示した誘電体磁器１３および図４に示した誘電体磁器２
３などにおいて、それらを構成するために有利に用いら
れる、この発明に係る高周波用誘電体磁器について説明
する。
示した誘電体磁器１３および図４に示した誘電体磁器２
３などにおいて、それらを構成するために有利に用いら
れる、この発明に係る高周波用誘電体磁器について説明
する。
【００４６】この発明に係る高周波用誘電体磁器は、元
素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ば
れた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器
であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn
−（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ
＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であ
り、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わした
とき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１０．０
≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０＜ｃ≦１
６．５の条件を満たすことを特徴としている。
素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒから選ば
れた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯを含む酸化物磁器
であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2 Ｏn
−（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 （ただし、ＲｅがＬ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒの各場合は、ｎ
＝３であり、ＲｅがＰｒの場合は、ｎ＝１１／３であ
り、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４である。）で表わした
とき、ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わして、１０．０
≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０＜ｃ≦１
６．５の条件を満たすことを特徴としている。
【００４７】上述のように、ａ（モル％）の範囲を、１
０．０≦ａ≦６２．０としたのは、ａが６２．０モル％
を超えると、τf が負側に大きくなり過ぎ、他方、ａが
１０．０モル％未満では、Ｑ値が低下するためである。
０．０≦ａ≦６２．０としたのは、ａが６２．０モル％
を超えると、τf が負側に大きくなり過ぎ、他方、ａが
１０．０モル％未満では、Ｑ値が低下するためである。
【００４８】また、ｂ（モル％）の範囲を、０＜ｂ≦１
４．０としたのは、ｂが１４．０モル％を超えると、Ｑ
値が低下し、他方、ｂが０モル％では、τf が負側に大
きくなり過ぎるためである。
４．０としたのは、ｂが１４．０モル％を超えると、Ｑ
値が低下し、他方、ｂが０モル％では、τf が負側に大
きくなり過ぎるためである。
【００４９】さらに、ｃ（モル％）の範囲を、０＜ｃ≦
１６．５としたのは、ｃが１６．５モル％を超えると、
Ｑ値が大幅に低下し、実用上問題となり、他方、ｃが０
モル％では、τf が負側に大きくなり過ぎるためであ
る。
１６．５としたのは、ｃが１６．５モル％を超えると、
Ｑ値が大幅に低下し、実用上問題となり、他方、ｃが０
モル％では、τf が負側に大きくなり過ぎるためであ
る。
【００５０】また、Ｒｅ2 Ｏn におけるランタニド系希
土類元素としてのＲｅを、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒに限定したのは、これらのラ
ンタニド系希土類元素のいずれかを適当な組成比で含有
させることにより、εr を１７から７５の範囲としなが
ら、τf を０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御できるからで
ある。
土類元素としてのＲｅを、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、ＤｙおよびＥｒに限定したのは、これらのラ
ンタニド系希土類元素のいずれかを適当な組成比で含有
させることにより、εr を１７から７５の範囲としなが
ら、τf を０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御できるからで
ある。
【００５１】このように、この発明に係る高周波用誘電
体磁器によれば、εr を１７から７５の範囲としなが
ら、高いＱ値を得ることができ、かつτf を小さくする
ことができ、さらに、密着強度の高いめっき膜を形成す
ることができる。
体磁器によれば、εr を１７から７５の範囲としなが
ら、高いＱ値を得ることができ、かつτf を小さくする
ことができ、さらに、密着強度の高いめっき膜を形成す
ることができる。
【００５２】好ましくは、前述した組成式において、
ａ、ｂおよびｃ（モル％）は、１４．３≦ａ≦５７．
０、０．７＜ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０
といった、より限定的な条件を満たすようにされる。
ａ、ｂおよびｃ（モル％）は、１４．３≦ａ≦５７．
０、０．７＜ｂ≦９．０、および０．７＜ｃ≦１０．０
といった、より限定的な条件を満たすようにされる。
【００５３】上述のように、ａ、ｂおよびｃの各範囲を
より限定すれば、Ｑ値をより高めることができるととも
に、τf をより小さくすることができる。
より限定すれば、Ｑ値をより高めることができるととも
に、τf をより小さくすることができる。
【００５４】この発明に係る高周波用誘電体磁器は、特
定の組成を有する仮焼物を焼成して得られた焼結体であ
るが、この仮焼物を得るにあたっては、高周波用誘電体
磁器のための出発原料をすべて一括して混合した状態で
仮焼を行なっても、あるいは、高周波用誘電体磁器のた
めの出発原料の一部のみ、たとえば、ＭｇＯとＴｉＯ 2
の少なくとも一部とを調合しかつ混合した状態で仮焼
し、第１の仮焼物を得、他方、残りの出発原料を調合し
かつ混合した状態で仮焼し、第２の仮焼物を得、これら
第１および第２の仮焼物を粉砕・混合したものを仮焼物
としてもよい。いずれの場合でも、同様の良好な特性を
得ることができる。
定の組成を有する仮焼物を焼成して得られた焼結体であ
るが、この仮焼物を得るにあたっては、高周波用誘電体
磁器のための出発原料をすべて一括して混合した状態で
仮焼を行なっても、あるいは、高周波用誘電体磁器のた
めの出発原料の一部のみ、たとえば、ＭｇＯとＴｉＯ 2
の少なくとも一部とを調合しかつ混合した状態で仮焼
し、第１の仮焼物を得、他方、残りの出発原料を調合し
かつ混合した状態で仮焼し、第２の仮焼物を得、これら
第１および第２の仮焼物を粉砕・混合したものを仮焼物
としてもよい。いずれの場合でも、同様の良好な特性を
得ることができる。
【００５５】この発明に係る誘電体磁器において、前述
した組成物を主成分としながら、これに、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｂｉ、Ｙ、Ｐｂ、Ｂの各成分が添加されてもよい。
これらは、その添加成分の種類にもよるが、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 の各々に換算し
て、ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。
たとえば、ＳｉＯ2 を０．５重量部以下添加すると、無
添加の場合よりも焼結温度を低下させることができるた
め、誘電体磁器の製造が容易になる。
した組成物を主成分としながら、これに、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａ
ｌ、Ｂｉ、Ｙ、Ｐｂ、Ｂの各成分が添加されてもよい。
これらは、その添加成分の種類にもよるが、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯ、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 の各々に換算し
て、ほぼ５重量％以下の割合で添加することができる。
たとえば、ＳｉＯ2 を０．５重量部以下添加すると、無
添加の場合よりも焼結温度を低下させることができるた
め、誘電体磁器の製造が容易になる。
【００５６】また、誘電体磁器の出発素材（原料）に
は、酸化物の他に、水酸化物、炭酸塩、蓚酸塩、アルコ
キシド等を用いても、同様の特性を得ることができる。
は、酸化物の他に、水酸化物、炭酸塩、蓚酸塩、アルコ
キシド等を用いても、同様の特性を得ることができる。
【００５７】次に、この発明に係る高周波用誘電体磁器
によって得られる効果を確認するために実施した実験例
について説明する。
によって得られる効果を確認するために実施した実験例
について説明する。
【００５８】（実験例１）誘電体磁器の出発原料とし
て、ＭｇＯ、ＢａＣＯ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｐｒ
6 Ｏ11、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 の各粉末
を準備した。
て、ＭｇＯ、ＢａＣＯ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｐｒ
6 Ｏ11、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 の各粉末
を準備した。
【００５９】次に、表１ないし表３に示す組成比率を有
する各試料に係る誘電体磁器が得られるように、上述の
出発原料粉末を調合し、混合した後、大気中において、
１０００〜１２００℃の温度で１時間以上仮焼した。次
いで、各仮焼物を粉砕し混合し、これに有機バインダを
加えた。
する各試料に係る誘電体磁器が得られるように、上述の
出発原料粉末を調合し、混合した後、大気中において、
１０００〜１２００℃の温度で１時間以上仮焼した。次
いで、各仮焼物を粉砕し混合し、これに有機バインダを
加えた。
【００６０】なお、表１ないし表３において、「組成」
の欄にあるＭｇＯ、ＢａＯ、Ｒｅ2Ｏn およびＴｉＯ2
の組成比率はモル％で示し、「Ｒｅ」の欄には、用いた
Ｒｅの元素が示されるとともに、２種類以上のＲｅを用
いた試料については、その混合割合がモル比で示されて
いる。
の欄にあるＭｇＯ、ＢａＯ、Ｒｅ2Ｏn およびＴｉＯ2
の組成比率はモル％で示し、「Ｒｅ」の欄には、用いた
Ｒｅの元素が示されるとともに、２種類以上のＲｅを用
いた試料については、その混合割合がモル比で示されて
いる。
【００６１】次に、上述の有機バインダを加えた仮焼物
を、直径１５ｍｍおよび厚さ７．５ｍｍの円柱状に成形
加工した後、大気中において、１２００〜１４００℃の
温度で焼成し、円柱状の焼結体を得た。
を、直径１５ｍｍおよび厚さ７．５ｍｍの円柱状に成形
加工した後、大気中において、１２００〜１４００℃の
温度で焼成し、円柱状の焼結体を得た。
【００６２】このようにして得られた各試料に係る円柱
状の焼結体を適当な大きさに切り出し、各試料につい
て、２５℃の温度かつ測定周波数３〜７ＧＨｚ付近にお
ける比誘電率εr およびＱをそれぞれ求めるとともに、
２５〜５５℃の温度における共振周波数の温度係数τf
を求めた。これらの結果が、表１ないし表３に示されて
いる。
状の焼結体を適当な大きさに切り出し、各試料につい
て、２５℃の温度かつ測定周波数３〜７ＧＨｚ付近にお
ける比誘電率εr およびＱをそれぞれ求めるとともに、
２５〜５５℃の温度における共振周波数の温度係数τf
を求めた。これらの結果が、表１ないし表３に示されて
いる。
【００６３】
【表１】
【００６４】
【表２】
【００６５】
【表３】
【００６６】表１ないし表３において、試料番号に＊を
付したものは、この発明の範囲外の試料であり、試料番
号に△を付したものは、この発明の範囲内にあるが、よ
り好ましい範囲から外れた試料である。
付したものは、この発明の範囲外の試料であり、試料番
号に△を付したものは、この発明の範囲内にあるが、よ
り好ましい範囲から外れた試料である。
【００６７】表１ないし表３、特に表３に示すように、
ａ＞６２．０モル％では、試料３９のように、τf が負
側に大きくなり過ぎている。他方、ａ＜１０．０モル％
では、試料４３のように、Ｑ値が低下している。
ａ＞６２．０モル％では、試料３９のように、τf が負
側に大きくなり過ぎている。他方、ａ＜１０．０モル％
では、試料４３のように、Ｑ値が低下している。
【００６８】また、ｂ＞１４．０モル％では、試料４４
のように、Ｑ値が低下している。他方、ｂ＝０モル％で
は、試料４１のように、τf が負側に大きくなり過ぎて
いる。
のように、Ｑ値が低下している。他方、ｂ＝０モル％で
は、試料４１のように、τf が負側に大きくなり過ぎて
いる。
【００６９】さらに、ｃ＞１６．５モル％では、試料４
２のように、Ｑ値が、実用上問題となるほど大幅に低下
している。他方、ｃ＝０モル％では、試料４０のよう
に、τ f が負側に大きくなり過ぎている。
２のように、Ｑ値が、実用上問題となるほど大幅に低下
している。他方、ｃ＝０モル％では、試料４０のよう
に、τ f が負側に大きくなり過ぎている。
【００７０】これらに対して、表１ないし表３に示した
試料１〜３８によれば、ａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2
Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 の組成におい
て、ａ、ｂおよびｃの各々のモル％で表わした範囲が、
１０．０≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０
＜ｃ≦１６．５の条件を満たしているので、εr が１７
から７５の範囲にあり、６０００以上の比較的高いＱ値
を与え、かつτf が±３０ｐｐｍ／℃以内であり、実用
上優れた誘電体磁器を実現することができる。
試料１〜３８によれば、ａＭｇＯ−ｂＢａＯ−ｃＲｅ2
Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ2 の組成におい
て、ａ、ｂおよびｃの各々のモル％で表わした範囲が、
１０．０≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．０、および０
＜ｃ≦１６．５の条件を満たしているので、εr が１７
から７５の範囲にあり、６０００以上の比較的高いＱ値
を与え、かつτf が±３０ｐｐｍ／℃以内であり、実用
上優れた誘電体磁器を実現することができる。
【００７１】また、試料１〜３８の間で比較すると、Ｒ
ｅ2 Ｏn におけるＲｅの選択およびＲｅ2 Ｏn の組成比
の選択により、τf を、０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御
できることがわかる。
ｅ2 Ｏn におけるＲｅの選択およびＲｅ2 Ｏn の組成比
の選択により、τf を、０ｐｐｍ／℃付近で任意に制御
できることがわかる。
【００７２】前述したａ、ｂおよびｃ（モル％）の範囲
に関して、より限定的に、１４．３≦ａ≦５７．０、
０．７≦ｂ≦９．０、および０．７≦ｃ≦１０．０の条
件を満たす試料５〜２５および２７〜３１によれば、ε
r が１９から５２の範囲で、９０００以上といったより
高いＱ値を与え、かつ±１５ｐｐｍ／℃以内のτf を与
えることができ、実用上さらに優れた誘電体磁器を得る
ことができる。
に関して、より限定的に、１４．３≦ａ≦５７．０、
０．７≦ｂ≦９．０、および０．７≦ｃ≦１０．０の条
件を満たす試料５〜２５および２７〜３１によれば、ε
r が１９から５２の範囲で、９０００以上といったより
高いＱ値を与え、かつ±１５ｐｐｍ／℃以内のτf を与
えることができ、実用上さらに優れた誘電体磁器を得る
ことができる。
【００７３】（実験例２）実験例１において得られた、
この発明の範囲内にある試料１〜３８の各々に係る仮焼
物に、有機バインダを加えて、短辺長さ３ｍｍ、厚み３
ｍｍおよび長辺長さ６ｍｍの寸法の角筒状となるように
成形加工した後、大気中において、１２００〜１４００
℃の温度で焼成し、角筒状の焼結体を得た。
この発明の範囲内にある試料１〜３８の各々に係る仮焼
物に、有機バインダを加えて、短辺長さ３ｍｍ、厚み３
ｍｍおよび長辺長さ６ｍｍの寸法の角筒状となるように
成形加工した後、大気中において、１２００〜１４００
℃の温度で焼成し、角筒状の焼結体を得た。
【００７４】このようにして得られた各試料に係る角筒
状の焼結体を、フッ酸および塩酸を含む、６０℃の温度
のエッチング浴に、１０〜２０分間浸し、焼結体の表面
をエッチング処理し、その後、無電解銅めっきにより、
厚さ２〜５μｍのめっき膜を形成した。
状の焼結体を、フッ酸および塩酸を含む、６０℃の温度
のエッチング浴に、１０〜２０分間浸し、焼結体の表面
をエッチング処理し、その後、無電解銅めっきにより、
厚さ２〜５μｍのめっき膜を形成した。
【００７５】次に、これら各試料について、所望の周波
数となるようにチューニングを行ない、無負荷Ｑを求め
た。また、めっき膜の密着強度を求めるため、Ｌ字状に
屈曲されたワイヤの屈曲部を介して一方側を、めっき膜
に２ｍｍ□の面積で半田付けした後、ワイヤの屈曲部を
介して他方側を、めっき膜に対して垂直方向に引っ張
り、めっき膜が焼結体から引き剥がされた時点での力を
測定した。
数となるようにチューニングを行ない、無負荷Ｑを求め
た。また、めっき膜の密着強度を求めるため、Ｌ字状に
屈曲されたワイヤの屈曲部を介して一方側を、めっき膜
に２ｍｍ□の面積で半田付けした後、ワイヤの屈曲部を
介して他方側を、めっき膜に対して垂直方向に引っ張
り、めっき膜が焼結体から引き剥がされた時点での力を
測定した。
【００７６】これらの結果が、表４に示されている。
【００７７】
【表４】
【００７８】表４から、この発明の範囲内にある試料１
〜３８によれば、良好な無負荷Ｑを得ることができるば
かりでなく、７０Ｎ／２ｍｍ□以上といった高い密着強
度を有するめっき膜を誘電体磁器表面に形成できること
を確認することができる。
〜３８によれば、良好な無負荷Ｑを得ることができるば
かりでなく、７０Ｎ／２ｍｍ□以上といった高い密着強
度を有するめっき膜を誘電体磁器表面に形成できること
を確認することができる。
【００７９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る高周波用
誘電体磁器によれば、比誘電率εr を１７から７５の範
囲にしながら、比較的高いＱ値を与えることができる。
また、共振周波数の温度係数τf を、０ｐｐｍ／℃付近
で任意に制御することができる。
誘電体磁器によれば、比誘電率εr を１７から７５の範
囲にしながら、比較的高いＱ値を与えることができる。
また、共振周波数の温度係数τf を、０ｐｐｍ／℃付近
で任意に制御することができる。
【００８０】また、この発明に係る高周波用誘電体磁器
によれば、その表面上に形成される銅めっき膜等のめっ
き膜の密着強度を７０Ｎ／２ｍｍ□以上に高めることが
できる。
によれば、その表面上に形成される銅めっき膜等のめっ
き膜の密着強度を７０Ｎ／２ｍｍ□以上に高めることが
できる。
【００８１】したがって、たとえば誘電体共振器に形成
されるべき内導体および外導体を、このような銅めっき
膜によって形成することができ、誘電体共振器の生産性
を高め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
されるべき内導体および外導体を、このような銅めっき
膜によって形成することができ、誘電体共振器の生産性
を高め、かつ生産コストの低減を図ることができる。
【００８２】また、上述のように、めっき膜の密着強度
が高められると、誘電体磁器とめっき膜との界面の空隙
が減り、したがって、誘電体共振器、誘電体フィルタま
たは誘電体デュプレクサに適用された場合、エネルギー
ロスを少なくすることができ、それゆえ、無負荷Ｑを大
きくすることができる。
が高められると、誘電体磁器とめっき膜との界面の空隙
が減り、したがって、誘電体共振器、誘電体フィルタま
たは誘電体デュプレクサに適用された場合、エネルギー
ロスを少なくすることができ、それゆえ、無負荷Ｑを大
きくすることができる。
【図１】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構
成される誘電体共振器１を示す斜視図である。
成される誘電体共振器１を示す斜視図である。
【図２】図１に示した誘電体共振器１の中央縦断正面図
である。
である。
【図３】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構
成される誘電体フィルタ１１を示す斜視図である。
成される誘電体フィルタ１１を示す斜視図である。
【図４】この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構
成される誘電体デュプレクサ２１を示す斜視図である。
成される誘電体デュプレクサ２１を示す斜視図である。
【図５】図１に示した誘電体共振器１を用いて構成され
る通信機装置３１を示すブロック図である。
る通信機装置３１を示すブロック図である。
１ 誘電体共振器
３，１３，２３ 誘電体磁器
１１，３９，４０ 誘電体フィルタ
１６，４１ 外部結合手段
２１，３２ 誘電体デュプレクサ
２６，３６ 入力接続手段
２７，３７ 出力接続手段
２８，３８ アンテナ接続手段
３１ 通信機装置
３３ 送信用回路
３４ 受信用回路
３５ アンテナ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 藤浪 直勝
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式
会社村田製作所内
Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA06 AA07 AA09 AA11
BA09
5G303 AA02 AA05 AB06 AB08 AB11
BA12 CA01 CB03 CB08 CB15
CB17 CB22 CB26 CB35 CB41
CB43
5J006 HC07
Claims (7)
- 【請求項１】 元素としてＭｇ、Ｂａ、Ｒｅ（ただし、
Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙお
よびＥｒから選ばれた少なくとも１種）、ＴｉおよびＯ
を含む酸化物磁器であって、組成式をａＭｇＯ−ｂＢａ
Ｏ−ｃＲｅ2Ｏn −（１００−ａ−ｂ−ｃ）ＴｉＯ
2 （ただし、ＲｅがＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙおよ
びＥｒの各場合は、ｎ＝３であり、ＲｅがＰｒの場合
は、ｎ＝１１／３であり、ＲｅがＣｅの場合は、ｎ＝４
である。）で表わしたとき、ａ、ｂおよびｃは、モル％
で表わして、１０．０≦ａ≦６２．０、０＜ｂ≦１４．
０、および０＜ｃ≦１６．５の条件を満たす、高周波用
誘電体磁器。 - 【請求項２】 ａ、ｂおよびｃは、モル％で表わしたと
き、１４．３≦ａ≦５７．０、０．７＜ｂ≦９．０、お
よび０．７＜ｃ≦１０．０の条件を満たす、請求項１に
記載の高周波用誘電体磁器。 - 【請求項３】 誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合し
て作動する、誘電体共振器であって、前記誘電体磁器
は、請求項１または２に記載の高周波用誘電体磁器から
なる、誘電体共振器。 - 【請求項４】 前記誘電体磁器の表面に銅めっき導体が
形成されている、請求項３に記載の誘電体共振器。 - 【請求項５】 請求項３または４に記載の誘電体共振器
と、前記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結
合手段とを備える、誘電体フィルタ。 - 【請求項６】 少なくとも２つの誘電体フィルタと、前
記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手
段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ
接続手段とを備える、誘電体デュプレクサであって、前
記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項５に記載の
誘電体フィルタである、誘電体デュプレクサ。 - 【請求項７】 請求項６に記載の誘電体デュプレクサ
と、前記誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力
接続手段に接続される送信用回路と、前記送信用回路に
接続される前記入出力接続手段とは異なる少なくとも１
つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘
電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアン
テナとを備える、通信機装置。
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| JP3152700B2 (ja) * | 1991-10-14 | 2001-04-03 | 京セラ株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器の製法 |
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