JP3551654B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄肉部を有する半導体装置の製造方法に関し、例えば、ダイヤフラムを有する半導体圧力センサ等の半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム部を電気化学ストップエッチングにより形成する。この電気化学ストップエッチングを行うに際し、ダイアフラム部に所定電圧を印加する必要がある。
ところで、一般的に半導体装置を製造するにあたって、1つのウェハにより多数のチップを形成するため、上記所定電圧をこれら多数のチップに印加しなければならない。このため、各チップに電気的に導通した配線を形成し、その配線を介して所定電圧を印加して電気化学ストップエッチングを行っている。
【0003】
具体的には、図7に示すように、ウェハ内の多数のチップに並列的に接続された電気配線9を形成し、電気化学ストップエッチング時には、この電気配線9を介してダイヤフラム部に所定電圧Vccが印加される。
そして、ダイヤフラムを形成した後、スクライブラインに沿ってダイシングカットし、チップ単位に分割する。しかしこのとき、図8に示すように、チップ端面に配線の残粕50が付着し、半導体圧力センサ作動時において電気配線9とP− 型シリコン基板1が短絡してしまう場合がある。これを防ぐために、図9に示すように、P+ 型拡散層5及びN+ 型拡散層7にて電気化学ストップエッチング時の印加電圧においては順方向バイアスとなり、半導体圧力センサ実動作時においては逆方向バイアスとなるダイオードを形成している。
【0004】
しかしながら、このダイオードにおけるP+ 型領域5とN− 型エピタキシャル層2及びP− 型シリコン基板1にて寄生トランジスタが形成される。そして、電気化学ストップエッチング時においてこの寄生トランジスタがオンし、電気配線9からP− 型シリコン基板1に電流が流れてしまいダイヤフラム部Bを形成するための所定電圧Vccを加えることができない。この寄生トランジスタの影響をなくすために、従来においてはダイオードの下のN− 型エピタキシャル層2とP− 型シリコン基板1間にキャリアストッパーとしてN+ 埋め込み拡散層を形成している。
【0005】
このN+ 埋め込み拡散層は、P− 型シリコン基板1、N− 型エピタキシャル層2の両方向に厚み広がりを持ち、N+ 埋め込み層がないダイヤフラム部においては数μm程度N− 型エピタキシャル層2の厚さが厚くなる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体圧力センサの高度化、小型化を図るためには、ダイヤフラムの薄化が考えられる。そして、ダイヤフラムの厚さは、印加電圧による空乏層広がりやN− 型エピタキシャル層2の厚さにより決定されるため、N− 型エピタキシャル層2の薄化が必要となる。
【0007】
このN− 型エピタキシャル層2の薄化のために、上述したN+ 埋め込み拡散層を廃止することが考えられるが、電気化学ストップエッチング時において寄生トランジスタの影響が生じるという問題がある。
本発明は上記点に鑑みてなされたもので、N+ 埋め込み拡散層をなくし、寄生トランジスタの影響のない半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、以下の技術的手段を採用する。
請求項1に記載の発明においては、第1導電型の半導体基板(1)上に、形成された第2導電型の半導体層(2)を少なくともダイオード部(A)とダイヤフラム部(B)とに分離し、ダイオード部(A)における半導体層(2)の表層部に第1導電型の拡散層(5)を形成し、この拡散層(5)の表層部に第2導電型の拡散層(7)を形成する。また、第1導電型の拡散層(5)の周辺に第2導電型の拡散層(6)を形成する。
【0009】
そして、第1の導電型拡散層(5)と、この第1の導電型拡散層(5)の周辺に形成した第2の導電型の拡散層(7)とを電気的に接続する電気配線(9)と、第1導電型の拡散層(5)の表層部に形成した第2導電型の拡散層(7)とダイヤフラム部(B)における半導体層(2)とを電気的に接続する電気配線(10)を形成する。
【0010】
次に、第1導電型の拡散層(5)と電気的に接続された電気配線(11)側から所定電圧を印加して電気化学ストップエッチングを行い、ダイヤフラム部(B)における半導体基板(1)裏面に、凹部(13)を形成することを特徴とする。
このように、ダイオード部(A)における第2導電型の半導体層(2)の表層部に形成される第1導電型の拡散層(5)の周辺に第1導電型の拡散層(6)を形成して、第1導電型の拡散層(5)と第2導電型の拡散層(6)とを短絡させることにより、電気化学ストップエッチング時に所定電圧Vccを印加したときにおいて寄生トランジスタがオンしないようにすることができる。
【0011】
これにより、寄生トランジスタをオンさせないために必要としていた、第1導電型の半導体基板(1)と第2導電型の半導体層(2)との間に形成するN+ 埋め込み層を排除することができるため、半導体圧力センサの薄化を図ることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図1に本発明の一実施形態であって、電気化学ストップエッチング時における半導体圧力センサの説明図を示す。
本実施形態における半導体圧力センサの製造工程について説明する。まず、P− 型シリコン基板(第1導電型の半導体基板)1上にエピタキシャル成長法によりN− 型エピタキシャル領域(第2導電型の半導体層)2を形成する。そして、N− 型エピタキシャル領域2に、素子分離のためのアイソレーションP+ 型拡散層3を形成する。
【0013】
このアイソレーションP+ 型拡散層(第1導電型の拡散層)3により分離された領域は、ダイオード部Aとダイヤフラム部B及びスクライブ部Cに区別される。そして、ダイヤフラム部BにおけるN− 型エピタキシャル領域2の表層部にイオン注入を行いブリッジ状にゲージ抵抗となるP+ 型拡散層4を形成し、また、ダイオード部AにおけるN− 型エピタキシャル領域2の表層部にイオン注入を行い、P+ 型拡散層5を形成する。
【0014】
次に、ダイオード部AにおけるP+ 型拡散層5の表層部とN− 型エピタキシャル領域2の表層部のうちP+ 型拡散層5の周辺及びダイヤフラム部BにおけるP+ 型領域4の近傍にそれぞれリンイオン等を拡散させ、N− 型拡散層(第2導電型の拡散層)6、7、8を形成する。このときの半導体圧力センサのダイオード部Aにおける上面図を図2(a)に示す。
【0015】
なお、ダイオード部AにおけるP+ 型拡散層5、N− 型エピタキシャル領域2、P− 型シリコン基板1により形成されるPNP接続は、電気化学ストップエッチング時においては、寄生トランジスタとして作用し、それぞれエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域となる。
そして、図示しないが所定の領域に酸化膜を形成し、その後、この上面全面に、配線層を形成し、エッチングにより電気配線9、10をパターニング形成する。このとき、N+ 型拡散層6を形成したことにより電気配線9にて、ダイオード部Aにおけるエミッタ領域であるP+ 型拡散層5とベース領域であるN− 型エピタキシャル領域とが電気的に接続される。また、このとき電気配線10によりN+ 型拡散層7とダイヤフラム部BにおけるN− 型拡散層とを電気的に接続する。この後、電気配線9と電気的に接続されたボンディングパッド11と、電気配線10と電気的に接続されたボンディングパッド12をそれぞれ形成する。
【0016】
次に、図示しないが、P− 型シリコン基板1の底面側を、ダイヤフラム部Bに穴が形成されたマスクで覆う。そして、配線電極10側から所定電圧Vccを印加した状態でKOH水溶液にて電気化学ストップエッチングを行い、ダイヤフラム部Bの所定部分の薄膜化を行う。
ここで、電気化学ストップエッチングは、シリコンの電位がパッシベーション電圧以上になると、陽極酸化反応により酸化膜が形成されるためシリコンのエッチングが停止することを利用している。N型エピタキシャル層にパッシベーション電圧以上の所定電圧Vccが印加されるため、PN接合で空乏層が発生する。P− 型シリコン基板1側の空乏層の先端は略パッシベーション電圧と等しいため、P− 型シリコン基板1側の空乏層でエッチングが停止する。
【0017】
この方法に基づき、電気化学ストップエッチングを行う。
ところで、前述したように、ダイオード部Aにおいて、P+ 型拡散層5とN− 型エピタキシャル領域2及びP− 型シリコン基板1にてPNP接合が形成され寄生トランジスタとして作用する。このとき、図1に示すようにエミッタ領域となるP+ 型拡散層5とベース領域となるN− 型エピタキシャル領域2とを電気的に接続しているため、これらの領域は同電位に保持される。このため、エミッタ、ベース領域間に電位差が生じず、寄生トランジスタがオンしない。
【0018】
例えば、電気化学ストップエッチングにおいて、図1に示す本実施形態におけるダイオード構造を採用した場合と、図1に示す構造においてベース領域となるN+ 型拡散層6を形成しないダイオード構造を採用した場合についての、寄生トランジスタの電流増幅率hfe(Ic/Ib)のシミュレーション結果を図3に示す。
【0019】
このように、本実施形態におけるダイオード構造を採用した場合においては寄生トランジスタの電流増幅率hfe(Ic/Ib)は、ほぼ零であり、寄生トランジスタがオンしない。
このため、印加された所定電圧Vccにより空乏層が発生し、正常な電気化学ストップエッチングがなされ、空乏層の先端でエッチングが停止する。これにより、電気化学ストップエッチングが終了し、図4に示すようにダイヤフラム部Bに凹部13が形成される。
【0020】
なお、この後、スクライブ部Cにてスクライブラインに沿ってP− 型シリコン基板1をチップ単位にダイシングカットし、図5に示す半導体圧力センサは完成する。
このように、ダイオード部AにおけるN− 型エピタキシャル領域2の表層部に形成されるP+ 型拡散層(ベース領域)5の周辺にN+ 型拡散層(コレクタ領域)6を形成してベース領域とコレクタ領域とを短絡させることにより、電気化学ストップエッチング時に所定電圧Vccを印加したときにおいて寄生トランジスタがオンしないようにすることができる。
【0021】
これにより、寄生トランジスタをオンさせないために必要としていたP− 型シリコン基板1とN− 型エピタキシャル領域2との間に形成するN+ 埋め込み層を排除することができるため、半導体圧力センサの薄化を図ることができる。
次に、このように形成された半導体圧力センサについて実動作時における半導体圧力センサの回路図を図6に示す。
【0022】
図6に示すように、実動作時における回路はダイヤフラム部Bの表層面にブリッジ状に形成されたゲージ抵抗となるP+ 型拡散層4に例えば1.4Vの定電圧Vgを印加する。そして、P+ 型拡散層5及びN− 型エピタキシャル領域2により形成されるダイオードを流れてボンディングパッド3側に電流が流れないように、Vgよりも高電圧となる電圧Vbをボンディングパッド12に印加する。
【0023】
そして、ダイヤフラム部BにおけるP+ 型拡散層4が液体や気体から受圧して変形する。これにより、P+ 型拡散層4の抵抗値が変化し、ゲージ抵抗のブリッジに設けられた出力部における電圧(電流)値にてこの変化を読み取り、半導体圧力センサにかかる圧力を検出する。
なお、エミッタ領域となるP+ 型拡散層5と、その表層部に形成されたN+ 型拡散層7は、半導体圧力センサ実動作時においてはダイオードとして働く。そして、ボンディングパッド3から電圧を印加したときにおいて、上述したように、ダイシングカット時における電気配線の残粕50によりN− 型エピタキシャル領域2とP− 型シリコン基板1が短絡してたとしても、このダイオードにより、電気配線5側に電流が流れるのを防止できるため、半導体圧力センサは正常な動作を行うことができる。
【0024】
本実施形態においては、図2(a)に示すようにP+ 型拡散層5の周辺の一部にN+ 型拡散層6を形成したが、図2(b)に示すように、P+ 型拡散層5の周囲を囲むようにN+ 型拡散層6を形成してもよい。
また、本実施形態においては、半導体圧力センサについて本発明を適用したが、半導体加速度センサ等についても適用可能することができる。
【0025】
また、本実施形態においては、第1導電型にP型の半導体材料を適用し、第2導電型にN型の半導体材料を適用しているが、これを第1導電型にN型の半導体材料を適用し、第2導電型にP型の半導体材料を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態であって電気化学ストップエッチング時における半導体圧力センサの断面図である。
【図2】図1における、ダイオード部Aの上面図である。
【図3】電気化学ストップエッチングにおけるシミュレーションによる比較図である。
【図4】電気化学ストップエッチング後における半導体圧力センサの断面図である。
【図5】実動作時における半導体圧力センサの断面図である。
【図6】実動作時における半導体圧力センサの回路図である。
【図7】ウェハにおいて、多数形成される半導体圧力センサの観念図である。
【図8】半導体圧力センサをチップ単位でダイシングカットした時の断面図である。
【図9】従来における半導体圧力センサにおいて、ダイオードの下層部におけるN+ 型埋め込み層を排除した時の説明図である。
【符号の説明】
1…P− 型シリコン基板、2…N− 型エピタキシャル領域、
3…アイソレーション領域、4…ゲージ抵抗、
5…エミッタ領域となるP+ 型拡散層、6…ベース領域となるN+ 型拡散層、
7…N+ 型拡散層、8…N+ 型拡散層、9…電気配線、10…電気配線。
Claims (1)
- 第1導電型の半導体基板(1)上に、第2導電型の半導体層(2)を形成し、前記半導体層(2)を少なくともダイオード部(A)とダイヤフラム部(B)とに分離する素子分離層(3)を形成する工程と、
前記ダイオード部(A)における前記半導体層(2)の表層部に第1導電型の拡散層(5)を形成し、この拡散層(5)の表層部に第2導電型の拡散層(7)を形成する工程と、
前記第1導電型の拡散層(5)の周辺に第2導電型の拡散層(6)を形成する工程と、
前記第1導電型の拡散層(5)と、この第1導電型の拡散層(5)の周辺に形成した前記第2導電型の拡散層(7)とを電気的に接続する電気配線(9)を形成する工程と、
前記第1導電型の拡散層(5)の表層部に形成した前記第2導電型の拡散層(7)と、前記ダイヤフラム部(B)における半導体層(2)とを電気的に接続する電気配線(10)を形成する工程と、
前記第1導電型の拡散層(5)と電気的に接続された電気配線(9)側から所定電圧を印加して電気化学ストップエッチングを行い、前記ダイヤフラム部(B)における前記半導体基板(1)裏面に、凹部(13)を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP26994496A JP3551654B2 (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | 半導体装置の製造方法 |
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