JP3549425B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、より詳細には、LSIの配線間容量の低減化を図る半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIの性能の向上は、基本的に素子の集積度を高めること、すなわち素子の微細化を図ることにより達成できる。しかし、素子の集積度が極端に高くなると、
1)配線サイズ(配線幅、膜厚)のコンパクト化により、配線が高抵抗化し、
2)配線スペースのコンパクト化により、配線間の容量が増大するため、
LSIの動作速度がRC遅延に律速されるようになる。
抵抗に関しては、アルミニウム合金より抵抗率が30%低い銅を用いることが研究されている。
容量に関しては、配線間の材料として低誘電率材料であるSiOF又は有機系材料が研究されており、さらに、構造面においても研究がすすめられている。
例えば、特開平5−21617号公報では、水平方向に併設された配線間を空洞にすることにより、配線間のさらなる低誘電率化を実現する方法が提案されている。
【0003】
この方法によれば、まず、シリコン基板50上にシリコン酸化膜52を形成した後、Al配線パターン53を形成する。続いて、Al配線パターン53上にシリコン酸化膜54、SOG膜55を形成する(図5(a))。次いで、シリコン酸化膜54が露出するまでエッチバックした(図5(b))後、得られたシリコン基板50上にシリコン酸化膜56を形成し、SOG膜55上であって、かつシリコン酸化膜56に開口56aを形成する(図5(c))。さらに、シリコン酸化膜56上にCVDシリコン酸化膜を形成し、エッチバックすることにより、シリコン酸化膜56の開口56aの側壁にスペーサ57を形成する(図5(d))。続いて、フッ酸を用いたウェットエッチング法により開口56a下のSOG膜55を選択的にエッチバックして空洞58を形成し(図5(e))、得られたシリコン基板50上に、シリコン酸化膜59を形成して開口56aを閉じる(図5(f))。シリコン酸化膜59上に、再度SOG膜51を塗布し、その表面を平坦化する(図5(g))。
【0004】
また、特開平7−45701号公報では、予め配線間に満たしておいた氷膜を蒸発させることにより同じレベルの配線間を空洞にする技術が提案されている。この方法によれば、まず、シリコン基板に、トランジスタ等の所望の素子を形成した後、CVD法による酸化シリコン膜61を形成し、酸化シリコン膜61上に配線パターン62を形成する(図6(a))。続いて、雰囲気を0℃以下にして水を滴下し、酸化シリコン膜61表面に氷膜63を形成し(図6(b))、化学機械研磨により配線パターン62が露出するまで氷膜63を研磨する(図6(c))。次いで、平坦化された氷膜63上に、0℃以下の温度によりポーラスなシリコン酸化膜65を形成する。この後、100℃以上の熱処理を行うことにより、シリコン酸化膜65の微細孔を介して、氷膜63を構成していた水分64が蒸発し、空洞66が形成される(図6(d))。
【0005】
さらに、特開平9−237831号公報では、空洞を形成する部分にカーボン層を形成し、熱酸化あるいは酸素プラズマ処理により灰化することにより、水平方向、垂直方向の配線間を空洞にする技術が提案されている。
この方法によれば、まず、シリコン基板71に、トランジスタ等の所望の素子を形成した後、CVD法による酸化シリコン膜72、スパッタリング法によりカーボン層73、マスク材74を順次形成し、このマスク材74を用いて、カーボン層73をパターニングする(図7(a))。続いて、配線パターン75をカーボン層73間に埋め込み(図7(b))、マスク材74を除去し、さらに、カーボン層73及び配線パターン75上に絶縁層76を形成する(図7(c))。次いで、酸素雰囲気下での熱処理又は酸素プラズマ処理により、カーボン層73を灰化して配線パターン75間に空洞77を形成する(図7(d))。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平5−21617号公報の方法におけるウェットエッチング法や特開平7−45701号公報での氷膜の使用は、後の工程において水分の完全除去が難しく、最終的に得られた半導体装置の信頼性を低下する恐れがある。
また、特開平7−45701号公報の氷膜の蒸発や特開平9−237831号公報のカーボン層の灰化では、その構造及びその蒸気圧に起因して、工程中に空洞が破裂する可能性がある。
さらに、特開平9−23783号公報のように、カーボン層上にシリコン酸化膜を形成する際、カーボン層中の炭素が酸化してガス化してしまうため、カーボン層上にシリコン酸化膜を形成する方法が制限される。加えて、炭素が酸素プラズマに触れるようなエッチングやレジストアッシングも制限される。
【0007】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、配線間の容量を低減する空洞を備えることにより、さらなる高速化を実現することができる半導体装置を提供するとともに、形成過程で生じる半導体装置の信頼性低下の要因及び配線の破裂等を極力排除することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、配線を備える基板上の前記配線間に、絶縁膜を含む内壁で覆われてなる空洞を有し、前記内壁の前記空洞に面する一部が、金属層をシリサイド化反応により変換させた金属シリサイド層で形成されてなり、かつ前記空洞が、前記金属層をシリサイド化反応により前記金属シリサイド層に変換することにより形成されてなる半導体装置が提供される。
また、本発明によれば、基板上に第1絶縁膜及びシリコン層を形成する工程、配線を形成しようとする領域に存在する前記シリコン層を除去し、残存するシリコン層を被覆する第2絶縁膜を形成する工程、前記残存するシリコン層表面上の前記第2絶縁膜に1以上の開孔を形成する工程、前記第2絶縁膜の少なくとも1つの開孔を塞ぐように金属層を形成する工程、得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記配線を形成しようとする領域間であって、前記第2絶縁膜に被覆された前記残存するシリコン層が存在した部分に空洞を形成する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【0009】
さらに、本発明によれば、基板上に第1絶縁膜を形成する工程、配線を形成しようとする領域間の前記第1絶縁膜に溝を形成し、該溝をシリコン層で埋め込み、少なくとも該シリコン層を第2絶縁膜で被覆する工程、前記シリコン層表面上の前記第2絶縁膜に1以上の開孔を形成する工程、前記第2絶縁膜の少なくとも1の開孔を塞ぐように金属層を形成する工程、得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記シリコン層が埋め込まれた第1絶縁膜の溝に空洞を形成する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【0010】
また、本発明によれば、基板上に第1絶縁層、シリコン層/金属層又は金属層/シリコン層を形成する工程、前記シリコン層及び金属層を所望の形状にパターニングし、得られたシリコン層及び金属層を被覆する第2絶縁膜を形成する工程、得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記シリコン層が存在した部分に空洞を形成する工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置は、絶縁膜を含む内壁で覆われてなる空洞を有し、前記内壁の前記空洞に面する一部が、金属層をシリサイド化反応により変換させた金属シリサイド層で形成されてなり、かつ前記空洞が、前記金属層をシリサイド化反応により前記金属シリサイド層に変換することにより形成されてなる。
【0012】
本発明の半導体装置が形成される基板は、通常半導体装置が製造される半導体基板であれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の半導体基板、SiC、GaAs、InGaAs等の化合物半導体等種々のものが挙げられる。なかでも、シリコン基板が好ましい。また、SOI基板、つまり、通常支持基板上に、埋め込み絶縁膜、さらにその上に表面半導体層が形成されてなる貼り合わせSOI(BESOI)、SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)型等の基板であってもよい。なお、支持基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の半導体基板、GaAs、InGaAs等の化合物半導体、サファイア、石英、ガラス、プラスチック等の絶縁性基板等、埋め込み絶縁膜としては、例えば膜厚50〜500nm程度のSiO2 膜、SiN膜等、表面半導体層としては、例えば膜厚150〜200nm程度のシリコン、ゲルマニウム等の半導体、GaAs、InGaAs等の化合物半導体等による薄膜が挙げられる。SOI基板を用いることにより、通常の半導体基板を用いたデバイスよりも、さらに高速化が実現されたデバイスを得ることができ、RC遅延に対する対策として有効である。なお、基板には、PMOS、NMOS及びCMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、デュアルゲート型トランジスタ、容量、抵抗等の素子や、メモリ及び/又は論理回路等の所望の回路、絶縁層、配線層等が形成されていてもよい。
【0013】
基板が備える配線は、トランジスタやキャパシタ等の素子間、回路間、外部との電気的な接続を得るために導電層により形成されるものであり、その材料、形状、膜厚等は特に限定されるものではない。
【0014】
本発明の半導体装置が有する空洞は、配線間において、通常、配線同士を電気的に分離するため又は配線を保護するため等により形成されている絶縁膜によって、実質的に被覆されて形成される空間、つまり、その内壁が実質的に絶縁膜で覆われてなる空間を意味するが、空洞の内壁の一部が、金属シリサイド層により形成されている、つまり、空洞がその外周の一部において金属シリサイド層と接するものである。また、本発明における空洞は、空洞の内壁の他の一部が配線、その他の導電層で形成されているもの、空洞の内壁に1つ以上の孔を有しているものも含まれる。ここで、孔とは、空洞が外気と接するように形成されるものを意味し、空洞が外気と接する場合には、内壁の金属シリサイド層が露出する部分が、パッシベーション膜にて直接又は間接に覆われてなるものも本発明の空洞に含まれる。空洞が外気と接し、その内壁がパッシベーション膜に覆われている場合には、最終的に得られる半導体装置の信頼性を高めるとともに、より一層の冷却効果とを得ることができる。また、配線間とは、基板表面に対する水平方向に存在する配線間と、多層配線構造のように垂直方向に依存する配線間と、多層配線構造における斜め方向に存在する配線間のいずれも含まれる。また、空洞は、一組の配線間に1つ形成されていてもよいし、2以上形成されていてもよい。空洞の大きさは特に限定されるものではなく、得られる半導体装置の配線のパターンにより適宜調整することができる。
【0015】
空洞の内壁を覆うための絶縁膜としては、後述する金属シリサイド層を構成する金属と反応しにくい絶縁膜であることが好ましく、例えば、CVD法によるシリコン酸化膜、CVD法によるプラズマTEOS(Tetra−Ethoxy Silane)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜、HTO(High Temperature Oxide)膜、NSG(None−Doped
Silicate Glass)膜又はスピンコート法により塗布形成したSOG(Spin On Glass)膜、シリコン窒化膜等が挙げられる。なかでも、CVD法によるシリコン酸化膜がより好ましい。
【0016】
空洞の内壁の一部を覆う金属シリサイド層は、適切な熱処理によりSiが拡散種となり得る金属によるシリサイド層であれば、特にその材料は限定されないが、例えば、Ti、Hf、V、Ta、Mo、W及びFeからなる群から選択される1種又は2種以上の金属又は合金のシリサイド層が挙げられる。具体的には、TiSi2、HfSi2、VSi2、TaSi2、MoSi2、WSi2、FeSi2等があげられる。金属シリサイド層が覆う空洞の内壁の一部の大きさは、空洞の大きさ、金属シリサイド層の種類、金属シリサイド層を形成する際の温度等により、適宜調整することができる。なお、この金属シリサイド層は、空洞の内壁の一部を覆うのみならず、配線自体又は配線の一部として機能させてもよい。
なお、空洞の内壁の一部を覆っていてもよい配線及び導電層は、例えば、TiSi2、HfSi2、VSi2、TaSi2、MoSi2、WSi2、FeSi2等により形成することができる。また、空洞の内壁の一部を覆っていてもよいパッシベーション膜は、例えば、シリコン窒化膜、PSG(リンドープシリコン酸化膜)等により形成することができる。
【0017】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン層と金属層との反応における現象を利用することにより配線間に空洞を形成するものである。第1の現象としては、例えば、チタンのように拡散種がシリコンとなる金属層を用いて、シリコン層の一部を金属層と接触させ、シリコン層の他の部分は絶縁膜で被覆した場合、熱処理を行うことにより、金属層にシリコンの吸い上げ現象が生じ、シリコンが存在した部分に空洞が形成される。また、第2の現象として、例えば、チタンのような金属1に対してシリコン2.3の体積を反応させた場合、最終的に金属+シリコンの体積は、初期の体積に対して約2.4/3.3に減少する。このため、金属層とシリコン層とを反応性の低い絶縁膜で被覆した場合、絶縁膜で覆われた部分は金属層とシリコン層とが反応して体積が減少し、空洞が形成される。
【0018】
本発明の半導体装置の製造方法においては、まず、基板上に第1絶縁層及びシリコン層を形成し、配線を形成しようとする領域に存在する前記シリコン層を除去し、該シリコン層を被覆する第2絶縁膜を形成する。ここで、第1及び第2絶縁膜の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、上述した絶縁膜と同様のものが挙げられる。なかでも、後述する金属層と反応しにくい材料であることが好ましく、例えば、CVD法によるシリコン酸化膜が好ましい。なお、第1絶縁膜は、基板上に形成された素子や回路を被覆する層間絶縁膜として形成されていてもよく、また、第1絶縁膜を形成した後に平坦化処理が施されたものであってもよい。第1絶縁膜の膜厚は、例えば、5000〜20000Å程度が挙げられる。
【0019】
第1絶縁膜上に形成されるシリコン層は、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンのいずれからなる層であってもよいが、アモルファスシリコンからなる層であることが好ましい。シリコン層は、例えば、1000〜15000Å程度の膜厚で形成することができる。このシリコン層は、後工程において、空洞が形成される領域を規定するものであり、通常、後工程で形成される配線間に存在するように形成する。具体的には、シリコン層は、第1絶縁膜上全面にシリコン層を形成した後、配線を形成しようとする領域に存在するシリコン層を、公知方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程等を用いてエッチング除去することにより形成する。
【0020】
シリコン層を完全に被覆する第2絶縁膜は、後工程で形成される金属層とシリコン層との反応を防止することができる膜厚で形成することが好ましい。具体的には、100〜1000Å程度が挙げられる。
次いで、シリコン層表面上の第2絶縁膜に開孔を形成する。ここで形成する開孔は、1つ又は2つ以上でもよく、シリコン層の上面及び側面のいずれに配置する第2絶縁膜に形成してもよい。孔の大きさは、特に限定されるものではないが、1つの場合には、この孔を通してシリコン層と後述する金属層とのシリサイド化反応が行われることとなるため、シリサイド化反応が十分に行われる程度の大きさであることが必要である。つまり、孔の大きさは、シリコン層の膜厚、幅及び長さ等に応じて決定することができ、たとえば、10μm□、2000Åの膜厚のポリシリコン層の場合には、1μm程度の径の孔が挙げられる。また、2つ以上の場合には、少なくとも1つの孔は、最終的に形成された空洞が外気と接するための孔とすることが好ましく、例えば、空洞に隣接する配線によって発生した熱を効率的に放出できる程度の大きさとすることが好ましい。
【0021】
続いて、第2絶縁膜上に金属層を形成する。金属層は、シリコン層とシリサイド化して金属シリサイドを形成することができる金属原子からなる層であれば特に限定されるものではなく、例えば、Ti、Hf、V、Ta、Mo、W及びFeからなる群から選択される1種又は2種以上の金属又は合金からなる単層又は複数層が挙げられる。形状は、特に限定されるものではないが、第2絶縁膜の開孔が1つの場合には、その開孔を通してシリコン層と接触するように1つの開孔を塞ぐような形状に形成することが必要である。また、開孔が2つ以上の場合には、少なくとも開孔の1つは塞がないような形状とすることが好ましい。金属層の膜厚は、先に形成されたシリコン層と、開孔を通してシリコン層が完全にシリサイド化反応するのに必要な金属原子を確保することができる程度の膜厚であることが必要であり、先に形成されたシリコン層の膜厚、大きさ等により適宜調整することができる。例えば430〜7000Å程度の膜厚が挙げられる。なお、金属層は、上述した金属又は合金の単層又は複数層の他、上述の金属又は合金と上述の金属又は合金からなるシリサイドの積層層であってもよい。シリサイドが金属の下層に配置して金属層を構成する場合には、第2絶縁膜に形成した開孔の上に、より平坦に金属層を形成することができるとなるため有利である。積層層としては、例えば、Ti/TiSi2、Ti/TaSi2、Ti/MoSi2、Ti/WSi2、Ti/FeSi2、Ta/TiSi2、Ta/TaSi2、Ti/WSi2、W/TiSi2、W/TaSi2、W/MoSi2、W/WSi2、W/FeSi2等が挙げられる。
【0022】
次に、得られた基板を熱処理する。ここでの熱処理は、シリコン層と金属層とがシリサイド化反応する温度以上で行うことが必要であり、例えば、400〜900℃程度の温度範囲での熱処理が挙げられる。これにより、金属層を金属シリサイド層に変換することができるとともに、シリコン層が第2絶縁膜に形成された孔を通して金属層に拡散するために吸い上げられ、第1絶縁膜と第2絶縁膜との間、つまり、シリコン層が存在していた空間に空洞を形成することができる。ここでの熱処理の他の条件は、シリサイド化反応を確実に行うことができる条件であれば特に限定されるものではなく、例えば、窒素、空気、アルゴン、ヘリウム等の雰囲気下、数秒〜60分間程度が挙げられる。
【0023】
本発明の半導体装置の製造方法においては、上記の工程の後に、さらに、配線を形成しようとする領域に存在する第1絶縁膜及び第2絶縁膜にスルーホールを形成し、このスルーホール及び配線を形成しようとする領域を含む基板上にバリアメタル及び配線層を形成し、これらバリアメタル及び配線層をパターニングすることにより、所望の領域に配線を形成することができる。
【0024】
ここで、第1及び第2絶縁膜に形成するスルーホールは、これら絶縁膜を貫通し、第1絶縁膜下に存在する基板、配線又はトランジスタ等の素子等と第1絶縁膜又は第2絶縁膜上に形成される配線又はトランジスタ等の素子等とを接続するために形成されるものである。バリアメタル及び配線層を構成する材料、膜厚、形成方法等は、公知の技術にしたがって、適宜最適なものを選択して用いることができる。バリアメタル及び配線層は、公知の方法、例えばフォトリソグラフィ及びエッチング工程、化学機械研磨法等により、所望の形状にパターニングすることができるが、なかでも化学機械研磨法を用いて、スルーホール及び配線を形成しようとする領域にバリアメタル及び配線層を埋め込み、バリアメタル及び配線層の表面を第2絶縁膜の表面と平坦化することが好ましい。なお、バリアメタル及び/又は配線は、空洞形成により形成された金属シリサイド層に直接接続されるように形成して、金属シリサイド層を配線自体又は配線の一部として使用してもよい。
【0025】
本発明においては、上記した第1絶縁膜の形成工程からバリアメタル及び配線層をパターニングする工程までを複数回繰り返して行うことにより、多層配線構造のデバイスを形成することができる。また、上記の工程を複数回繰り返して多層配線構造とした場合に、設計上、多層配線の各層における空洞が上からみて重なるように配置し、最終的にこれら空洞を貫通する貫通孔を形成することにより、空洞を外気に接するように構成してもよい。この場合には、貫通孔内にパッシベーション膜を形成し、空洞がパッシベーション膜に覆われる構成にすることが好ましい。
【0026】
さらに、本発明における別の半導体装置の製造方法によれば、まず、基板上に第1絶縁層を形成し、配線を形成しようとする領域間の第1絶縁膜に溝を形成し、溝をシリコン層で埋め込み、少なくともシリコン層を被覆するように第2絶縁膜を形成する。第1絶縁膜及び第2絶縁膜は、上述したのと同様のものを用いることができる。第1絶縁膜に形成する溝は、後工程において、空洞が形成される領域を規定するものであり、通常、後工程で形成される配線間に存在するように形成される。具体的には、配線を形成しようとする領域間に存在する第1絶縁膜を、公知方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程等によりエッチング除去する。この際の溝の深さ及び形状は、形成しようとする空洞の大きさ及び形状等にしたがって適宜調整することができる。その後、シリコン層を、第1絶縁膜上に、好ましくは溝の深さよりも厚膜で形成し、エッチバック又は化学機械研磨することにより、溝をシリコン層で埋め込む。
【0027】
その後、シリコン層表面上の第2絶縁膜に開孔を形成する工程、第2絶縁膜上に金属層を形成する工程、得られた基板を熱処理する工程は、実質的に上述した方法と同様に行うことができる。
また、上記方法に続いて、さらに、金属シリサイド層を含む基板上に金属シリサイド層と表面を略平坦とする第3絶縁膜を形成し、配線を形成しようとする領域に存在する第1絶縁膜、第2絶縁膜及び第3絶縁膜にスルホールを形成するとともに、配線を形成しようとする領域の第3絶縁膜及び金属シリサイド層に溝を形成し、スルーホール及び溝含む基板上にバリアメタル及び配線層を形成し、これらバリアメタル及び配線層をパターニングすることにより、所望の領域に配線を形成することができる。これらの工程も、実質的に上述した方法を同様に行うことができる。なお、ここで形成されるバリアメタル及び配線層は、空洞を形成する際に形成された金属シリサイド層の一部と直接接触しているため、金属シリサイド層を配線自体又は配線の一部として機能させることができる。
【0028】
本発明におけるさらに別の半導体装置の製造方法によれば、まず、基板上に第1絶縁層を形成し、第1絶縁層上にシリコン層/金属層又は金属層/シリコン層を形成し、これらシリコン層及び金属層を所望の形状にパターニングし、得られたシリコン層及び金属層を被覆する第2絶縁膜を形成する。それ以降の工程は、上述したのと実質的に同様の方法により空洞を形成することができる。ここで、第1絶縁層上であって、かつ第2絶縁膜により被覆される層は、シリコン層/金属層、シリコン層/金属シリサイド層/金属層、金属層/シリコン層、金属層/金属シリサイド層/シリコン層等の積層構造が挙げられる。これらの層は、上述の方法と実質的に同様に形成することができる。なお、これら層の膜厚は、最終的に、金属層とシリコン層とがシリサイド化反応することにより体積減少して形成される空洞の大きさを考慮して、適宜調整することができる。この方法においても、第2絶縁膜上面又は側面に開孔を形成してもよい。なお、ここで形成した空洞の直下に位置する金属シリコン層は配線又は配線の一部として利用することができる。また、第1絶縁膜の形成工程から空洞形成までも工程を複数回繰り返すことにより、多層配線構造のデバイスを形成することができる。
【0029】
以下に、本発明の半導体装置及びその製造方法について図面に基いて説明する。
【0030】
実施の形態1
まず、図1(a)に示したように、シリコン基板11上にCVD法によるシリコン酸化膜12を10000Å形成する。
続いて、図1(b)に示したように、シリコン酸化膜12上全面にアモルファスシリコン膜13をCVD法により2300Å形成し、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、配線を形成しようとする領域30bのアモルファスシリコン膜13を除去するように、所望の形状にパターニングする。その後、CVD法により、さらにシリコン酸化膜14を500Å形成する。
【0031】
次に、図1(c)に示したように、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、アモルファスシリコン膜13上のシリコン酸化膜14に1個以上、例えば3個の孔を開ける。続いて、得られたシリコン基板11上全面に、CVD法によるWSi2層15を300Å、さらにその上にスパッタリング法によるTi膜16を2000Å形成し、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、Ti層16及びWSi2層15をパターニングする。ここで、WSi2膜15とアモルファスシリコン膜13が接触する孔と、アモルファスシリコン膜13が外気と接触する孔を各1つずつ以上形成する。
【0032】
続いて、図1(d)に示したように、得られたシリコン基板11を、窒素雰囲気下、700℃で、5分間アニールすることにより、アモルファスシリコン膜13中のシリコンを、WSi2膜15を介してTi層16中に吸い出し、Ti層16をTiSix(x≦2)膜18に変換する。これによりアモルファスシリコン膜13が形成されていた部分に空洞17が形成される。
【0033】
実施の形態2
まず、図2(a)に示したように、トランジスタ等の所望の素子(図示せず)が形成されたシリコン基板11上にCVD法によるシリコン酸化膜12を15000Å形成し、化学機械研磨によりシリコン酸化膜12の表面を5000Å除去する。続いて、アモルファスシリコン膜23をスパッタリング法により2300Å形成し、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、後工程で配線を形成する領域のアモルファスシリコン膜23を除去し、得られたシリコン基板11上にCVD法によるシリコン酸化膜24を500Å形成する。
【0034】
次いで、図2(b)に示したように、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、アモルファスシリコン膜23上のシリコン酸化膜24に孔を開ける。得られたシリコン基板11上に、WSi2膜25をCVD法により300Å形成し、さらにその上にTi膜26を1000Å形成する。
続いて、図2(c)に示したように、後工程で配線を形成する領域に存在するTi膜26及びWSi2膜25を、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程によりパターニングする。この際、アモルファスシリコン膜23の側壁には、Ti膜26及びWSi2膜25がサイドウォール状に残る。
【0035】
次いで、図2(d)に示したように、得られたシリコン基板11を、窒素雰囲気下、700℃で、5分間のアニールすることにより、アモルファスシリコン層23中のシリコンをTi膜26中に吸い出し、Ti膜26をTiSix(x≦2)27に変換するとともに、空洞28を形成する。
続いて、図2(e)に示したように、シリコン基板11とのコンタクトをとるため、シリコン酸化膜24とシリコン酸化膜12とにコンタクトホール20を、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により形成する。その後、バリアメタルとしてTiN/Ti層29を500Å形成する。
【0036】
次いで、図2(f)に示したように、TiN/Ti層29上にCu膜21をCVD法により3000Å形成し、シリコン酸化膜24の表面が露出するまで化学機械研磨を行い、表面を平坦化し、配線を形成する。
なお、複数配線層を得る場合には、複数回、図2(a)〜図2(f)の工程を経ることにより図2(g)に示したような多層配線構造を得ることができる。
最後に、得られた平坦な配線構造上全面にPSG膜22を形成し、通常のフォトリソグラフィ及びドライエッチング工程により、ボンディング用のパッド部の窓あけを行い、さらにホンディングを行う(図示せず)。
【0037】
実施の形態3
まず、図3(a)に示したように、トランジスタ等の所望の素子(図示せず)が形成されたシリコン基板11上にCVD法によるシリコン酸化膜12を15000Å形成し、化学機械研磨によりシリコン酸化膜12の表面を5000Å除去する。続いて、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、後工程で空洞を形成する領域のシリコン酸化膜12を深さ4600Å除去して溝を形成する。得られたシリコン基板11上全面にアモルファスシリコン膜23を、CVD法により5000Å形成し、化学機械研磨により、シリコン酸化膜12の表面が露出するまで研磨して、表面を平坦化する。得られたシリコン基板11上にCVD法によるシリコン酸化膜24を500Å形成する。
【0038】
続いて、図3(b)に示したように、アモルファスシリコン膜23上のシリコン酸化膜24に、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により孔を開ける。次いで、WSi2層35をCVD法により300Å、Ti膜36を2000Å形成し、上記溝を形成した際に使用したマスクに対し反転したマスク(又は溝形成がポジ型レジストであれば同一マスクによりネガ型レジストで形成)を用いた通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、後工程で空洞を形成する領域上にTi層36とWSi2層35を残すようにパターニングする。
【0039】
さらに、図3(c)に示したように、窒素雰囲気下、700℃で、5分間アニールし、アモルファスシリコン膜23中のシリコンをTi層36中に吸い出す。この際、Ti層36は、約4800Åのチタンシリサイド層37に変換されるとともに、空洞38が形成される。続いて、得られたシリコン基板11上に、プラズマCVD法によるシリコン酸化膜39を6000Å形成し、チタンシリサイド層37表面が露出するまで化学機械研磨により研磨する。この際、アモルファスシリコン膜23上に開けたシリコン酸化膜24の孔の上部でチタンシリサイド層37が凹型になるため、シリコン酸化膜39が残留する。よって、さらにシリコン酸化膜39を選択的に500Åオーバーエッチし、チタンシリサイド層37上のシリコン酸化膜39を完全に除去する。
【0040】
続いて、図3(d)に示したように、シリコン酸化膜39、シリコン酸化膜24及びシリコン酸化膜12に、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、スルーホール30aを形成するとともに、スルーホール30aを含む領域に、深さ5000Åの溝30bを形成する。
【0041】
さらに、図3(e)に示したように、チタンシリサイド層37を選択的に4000Åエッチバックし、先に形成した溝30bとともに、後工程で配線を形成するための溝を形成する。
その後、図3(f)に示したように、TiN/Ti膜31を順に400Å/100Åとなるようにスパッタ法により形成し、さらに、Cu膜32をCVD法により6000Å形成する。続いて、Cu膜32及びTiN/Ti膜31を、シリコン酸化膜39表面が露出するまで化学機械研磨により研磨し、表面を平坦化し、配線を形成する。
【0042】
なお、複数配線層を得る場合には、複数回、図3(a)〜図3(f)の工程を経ることにより図3(g)に示したような多層配線構造を得ることができる。
最後に、最上の配線層をボンディングパッド34とし、得られた平坦な配線構造上全面にパッシベーション膜33を形成し、通常のフォトリソグラフィ及びドライエッチング技術により、ボンディング用のパッド部の窓あけを行い、ホンディングを行う(図示せず)。
【0043】
実施の形態4
まず、図4(a)に示したように、シリコン基板41上に、4000ÅのCVD法によるシリコン酸化膜42、Ti膜43を2000Å、WSi2膜44を300Å及びCVD法によるアモルファスシリコン層45を4600Å順次形成する。つづいて、通常のフォトリソグラフィ及びエッチング工程により、アモルファスシリコン層45、WSi2膜44及びTi膜43を、配線として所望の形状にパターニングする。
【0044】
続いて、図4(b)に示したように、得られたシリコン基板41上に、2000Åのシリコン酸化膜46を形成する。
その後、図4(c)に示したように、窒素雰囲気下、700℃、5分間アニールし、シリサイド化反応を生じさせる。これにより、アモルファスシリコン層45中のシリコンがWSi2膜44を介してTi膜43中に吸い出され、Ti膜43がチタンシリサイド層47に変換するとともに、WSi2膜44上に1800Åの空洞48が形成される。
【0045】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、配線を備える基板上の前記配線間に、内壁が絶縁膜で覆われてなる空洞を有し、該空洞の内壁の一部が金属シリサイド層で形成されてなるため、配線間の容量を減少させることができる。しかも、水分等が残存しない完全に空洞化された空洞を配線間に配置させることができ、信号の遅延を大幅に減少させた高速動作が実現され、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【0046】
また、金属シリサイド層が配線又は配線の一部となる場合には、空洞を形成する際に使用した層をそのまま配線として使用することができるため有利である。さらに、空洞が外気と接する孔を1又は2以上有する場合には、得られた半導体装置の自己発熱による放熱効果をより高めることができ、より一層半導体装置の高速化を図ることが可能となる。
また、空洞がパッシベーション膜に覆われてなる場合には、得られる半導体装置又は配線を保護することができるため有利である。
【0047】
さらに、基板がSOI基板である場合には、寄生容量を防止し、より高速化を図ることができるため、RC遅延に対する対策として有利である。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、シリコン層と金属層とのシリサイド化反応により空洞を形成するため、製造工程中における水分等の腐食性材料等の残留物を空洞内に発生させることを防止することができるとともに、空洞の上等に形成される絶縁膜等の材料、形成方法等が制限されることがない。しかも、空洞を形成するために空洞形成領域に存在する材料を気化する工程がないため、製造工程中における灰化や蒸気圧の影響により空洞を破壊することもなく、簡便かつ確実に配線間に空洞を形成することができる。
【0048】
また、金属層がTi、Hf、V、Ta、Mo、W及びFeからなる群から選択される1種又は2種以上の合金からなる単層又は複数層、あるいはこれら金属とこれら金属からなるシリサイドとの積層層である場合には、その膜厚を最適化するという簡便な方法で、空洞を容易に形成でき、その大きさを制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図2】本発明の半導体装置の製造方法の別の実施例を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図3】本発明の半導体装置の製造方法のさらに別の実施例を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図4】本発明の半導体装置の製造方法のさらに異なる実施例を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図5】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図6】従来の別の半導体装置の製造方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図7】従来のさらに別の半導体装置の製造方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【符号の説明】
11、41 シリコン基板(基板)
12、42 CVDシリコン酸化膜(第1絶縁膜)
13、23、45 CVDアモルファスシリコン膜(シリコン層)
14、24、46 CVDシリコン酸化膜(第2絶縁膜)
15、25、35、44 タングステンシリサイド膜(金属シリサイド層)
16、26、36、43 チタン膜(金属層)
17、28、38、48 空洞
18、27、37、47 チタンシリサイド膜(金属シリサイド層)
20 コンタクト孔
21 Cu膜(配線)
22 PSG膜
29 バリアメタル
30a スルーホール
30b 配線を形成しようとする領域
33 パッシベーション膜
34 ボンディングパッド
39 CVDシリコン酸化膜(第3絶縁膜)
Claims (15)
- 配線を備える基板上の前記配線間に、絶縁膜を含む内壁で覆われてなる空洞を有し、前記内壁の前記空洞に面する一部が、金属層をシリサイド化反応により変換させた金属シリサイド層で形成されてなり、かつ前記空洞が、前記金属層をシリサイド化反応により前記金属シリサイド層に変換することにより形成されてなる半導体装置。
- 金属シリサイド層が、配線又は配線の一部である請求項1に記載の半導体装置。
- 空洞が、外気と接する孔を1又は2以上有する請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 内壁の金属シリサイド層が露出する部分が、パッシベーション膜にて直接又は間接に覆われてなる請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 金属シリサイド層が、Ti、Hf、V、Ta、Mo、W及びFeからなる群から選択される1種又は2種以上の金属又は合金のシリサイド層の単層又は複数層である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 基板が、SOI基板である請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 基板上に第1絶縁膜及びシリコン層を形成する工程、
配線を形成しようとする領域に存在する前記シリコン層を除去し、残存するシリコン層を被覆する第2絶縁膜を形成する工程、
前記残存するシリコン層表面上の前記第2絶縁膜に1以上の開孔を形成する工程、
前記第2絶縁膜の少なくとも1つの開孔を塞ぐように金属層を形成する工程、得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記配線を形成しようとする領域間であって、前記第2絶縁膜に被覆された前記残存するシリコン層が存在した部分に空洞を形成する工程
を含む半導体装置の製造方法。 - シリコン層表面上の第2絶縁膜に2以上の開孔を形成し、かつ金属層を、少なくとも1の開孔を該金属層が塞がない形状に形成する請求項7記載の方法。
- さらに、配線を形成しようとする領域に存在する第1絶縁膜及び第2絶縁膜にスルーホールを形成する工程、
該スルーホール及び前記配線を形成しようとする領域を含む前記基板上にバリアメタル及び導電膜を形成し、これらバリアメタル及び導電膜をパターニングして配線を形成する工程
を含む請求項7記載の方法。 - 基板上に第1絶縁膜を形成する工程、
配線を形成しようとする領域間の前記第1絶縁膜に溝を形成し、該溝をシリコン層で埋め込み、少なくとも該シリコン層を第2絶縁膜で被覆する工程、
前記シリコン層表面上の前記第2絶縁膜に1以上の開孔を形成する工程、
前記第2絶縁膜の少なくとも1の開孔を塞ぐように金属層を形成する工程、
得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記シリコン層が埋め込まれた第1絶縁膜の溝に空洞を形成する工程
を含む半導体装置の製造方法。 - さらに、金属シリサイド層を含む基板上に前記金属シリサイド層の表面に対してほぼ平坦な第3絶縁膜を形成する工程、
配線を形成しようとする領域に存在する第1絶縁膜、第2絶縁膜及び第3絶縁膜にスルーホールを形成するとともに、配線を形成しようとする領域の前記第3絶縁膜及び金属シリサイド層に溝を形成する工程、
前記スルーホール及び溝を含む前記基板上にバリアメタル及び導電膜を形成し、これらバリアメタル及び導電膜をパターニングして配線を形成する工程
を含む請求項10記載の方法。 - 基板上に第1絶縁膜、シリコン層/金属層又は金属層/シリコン層を形成する工程、
前記シリコン層及び金属層を所望の形状にパターニングし、得られたシリコン層及び金属層を被覆する第2絶縁膜を形成する工程、
得られた基板を熱処理して前記金属層を金属シリサイド層に変換することにより、前記シリコン層が存在した部分に空洞を形成する工程
を含む半導体装置の製造方法。 - 金属層が、Ti、Hf、V、Ta、Mo、W及びFeからなる群から選択される1種又は2種以上の金属又は合金からなる単層又は複数層、あるいはこれら金属とこれら金属からなるシリサイドとの積層層である請求項7〜12に記載の方法。
- 金属シリサイド層が、TiSi2、HfSi2、VSi2、TaSi2、MoSi2、WSi2又はFeSi2である請求項7〜12に記載の方法。
- 基板が、SOI基板である請求項7〜14に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04696999A JP3549425B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04696999A JP3549425B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000243835A JP2000243835A (ja) | 2000-09-08 |
JP3549425B2 true JP3549425B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=12762101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04696999A Expired - Fee Related JP3549425B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3549425B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2866471A1 (fr) * | 2004-02-13 | 2005-08-19 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'un circuit electronique integre et circuit electronique integre ainsi obtenu |
JP4400441B2 (ja) | 2004-12-14 | 2010-01-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5113463B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-01-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP04696999A patent/JP3549425B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000243835A (ja) | 2000-09-08 |
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