JP3547037B2 - 半導体積層構造及び半導体発光素子 - Google Patents
半導体積層構造及び半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3547037B2 JP3547037B2 JP35007197A JP35007197A JP3547037B2 JP 3547037 B2 JP3547037 B2 JP 3547037B2 JP 35007197 A JP35007197 A JP 35007197A JP 35007197 A JP35007197 A JP 35007197A JP 3547037 B2 JP3547037 B2 JP 3547037B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- semiconductor
- layer
- mixed crystal
- laminated structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 100
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 123
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 59
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 31
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32358—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers containing very small amounts, usually less than 1%, of an additional III or V compound to decrease the bandgap strongly in a non-linear way by the bowing effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32358—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers containing very small amounts, usually less than 1%, of an additional III or V compound to decrease the bandgap strongly in a non-linear way by the bowing effect
- H01S5/32366—(In)GaAs with small amount of N
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用半導体レーザ，光書き込み用半導体レーザ，発光ダイオード，赤外光用フォトダイオード等の光デバイスに用いられる半導体積層構造及び半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバーを用いた光通信システムは、現在、主に幹線系で用いられているが、将来は各家庭を含めた加入者系での利用が考えられている。これを実現するためにはシステムの小型化，低コスト化が必要であり、温度制御用のペルチェ素子が不要なシステムの実現が必要である。このため、半導体レーザには低しきい値動作と温度変化による特性変化の少ない高特性温度の素子が望まれている。
【０００３】
このような素子を実現することを意図した材料として、特開平６−３７３５５号には、Ｎと他のＶ族元素を含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体であるＧａＩｎＮＡｓ系材料をＧａＡｓ基板上に形成することが提案されており、ＧａＡｓより格子定数が大きいＧａＩｎＡｓにＮを添加することで格子定数をＧａＡｓに格子整合させることが可能であり、さらに、バンドギャップエネルギーが小さくなり１．３μｍ，１．５μｍ帯での発光が可能な材料であるとされている。ここで、ＧａＩｎＮＡｓ系材料の成長方法には、活性窒素を用いた低圧ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いている。
【０００４】
また、文献「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ．１２７３−１２７５」では、近藤らによりバンドラインナップが計算されている。この文献では、ＧａＡｓ格子整合系でＡｌＧａＡｓをクラッド層に用いることで、伝導帯のバンド不連続が大きくなる。このため高特性温度半導体レーザが実現できると予想されている。なお、ＧａＡｓ格子整合系の成長方法には、活性窒素を用いたガスソースＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いている。
【０００５】
また、文献「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７， Ｖｏｌ．３３， ｐｐ．１３８６−１３８７」には、実際にＧａＩｎＮＡｓ系材料による１．３μｍ帯レーザ発振が報告されている。ここで、ＧａＩｎＮＡｓ系材料の形成には、窒素原料にＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いたＭＯＣＶＤ法を用いている。
【０００６】
上述した従来の技術では、Ｖ族元素にＮを含んだ混晶半導体ＧａＩｎＮＡｓ層の成長は、Ｇａの原料，Ｉｎの原料，Ｎの原料，Ａｓの原料を同時に供給し、厚さ方向に同一組成の混晶を成長することによってなされている。しかし、このようなＶ族にＮを含んだ混晶半導体は、終端物質から数％の混晶しか得られていない。すなわち、これらＧａＩｎＮＡｓの結晶性はＮ組成が大きくなるほど悪くなる傾向がある。一方、ＧａＩｎＮＡｓにおいてはＩｎ組成の増加はバンドギャップエネルギーを小さくする効果がある。このため、ある波長（例えば１．３μｍ）での発振を得るためのＮ組成はＩｎ組成が大きいほど小さくて済む。そこで、文献「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．， Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ．１２７３−１２７５」においては、可能な限り結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓを量子井戸活性層に用いるため、大きなＩｎ組成（３０％）であるＧａＩｎＮＡｓを用いている。Ｎ組成はわずか０．５％であり、このとき発振波長は約１．２μｍである。通信で用いるためにはレーザの波長は１．３μｍが必要であり、Ｎ組成は１％程度にする必要があるが、この１％というＮ組成は文献「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７， Ｖｏｌ．３３， ｐｐ．１３８６−１３８７」において用いられている小さなＩｎ組成（１０％）であるＧａＩｎＮＡｓのＮ組成３％に比べ１／３であり、小さくて済む。
【０００７】
しかし、実際にはＶ族元素にＮを含んだ混晶半導体はそのほとんどが非混和領域にあり結晶成長が非常に難しい。非平衡度の高いＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）によりわずかの窒素組成の結晶が成長可能となるものである。混晶半導体は構成元素数が多いほど非混和性が強くなる。また、同じ混晶でも中間の組成の混晶ほど非混和性が強くなる。つまり二元化合物が最も成長しやすいのである。Ｖ族元素にＮを含んだ混晶半導体においても同様なことが言える。
【０００８】
このように、ＧａＩｎＮＡｓよりもＧａＮＡｓの方が成長しやすい。また、ＧａＩｎＮＡｓの中でもＧａＮＡｓに近い材料の方が成長しやすい。次表（表１）はＧａＡｓ基板上にＩｎ組成を変えたＧａＩｎＮＡｓのＮ組成を示している。
【０００９】
【表１】
【００１０】
表１において、Ｎ組成はＳＩＭＳ分析（二次イオン質量分析法）により求めた結果である。成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。成長温度は６３０℃である。そして、Ｉｎ原料であるＴＭＩの供給量のみを変化させた。
【００１１】
表１から、Ｉｎ組成を増やすほどＮ濃度が減少していることがわかる。このようにある特定の波長を得るためにはＧａＩｎＮＡｓのＩｎ組成を大きくすることでＮ組成を小さくできる効果があるが、従来の成長方法では、ＧａＩｎＮＡｓのＩｎ組成を大きくすると、Ｎの取り込まれ効率が低下するという問題があることがわかった。さらに、ＧａＩｎＮＡｓの結晶性はＮ組成が大きくなるほど悪くなる傾向があるが、この傾向はＩｎ組成が大きいほど強くなることがわかった。
【００１２】
図１はＧａＡｓ／ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ構造のＰＬ特性を示す図である。図１において、ＰＬ特性Ａは、ＧａＩｎＮＡｓの組成が（Ｉｎ組成１０％，Ｎ組成１．５％）の場合であり、また、ＰＬ特性Ｂは、ＧａＩｎＮＡｓの組成が（Ｉｎ組成３０％，Ｎ組成１％）の場合である。図１から、Ａの方が、Ｂに比べて、Ｎ組成が大きいにも関わらずＰＬ強度は強くなっていることがわかる。このことから、Ｎ組成が同程度の場合、Ｉｎ組成が小さい方がＰＬ強度は強く、結晶性が良好であることがわかる。これは混晶半導体のミシビリティーギャップと相関があると考えられる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術に対し、大きいＮ組成の混晶を得るために、特開平０７−２６３７４４号には、ＩＩＩ族原子とＮ以外のＶ族原子とからなる第１単原子層とＩＩＩ族原子とＮ原子とからなる第２単原子層とを規則的に積層した単原子超格子構造が提案されている。例えば、第１単原子層としてＧａＰ単原子層を６層、第２単原子層としてＧａＮ単原子層を２層、ある並べ方で８原子層積層し、これを単位格子とし、この単位格子をさらに規則的に積層して発光層とする技術が提案されている。この技術によれば、ＧａＮＰ混晶と同じバンドギャップを有する積層超格子構造を得ることができ、従来成長が困難であった大きい窒素組成のＧａＮＰ等のＮを含んだ混晶を得ることができるとしている。
【００１４】
このように、特開平０７−２６３７４４号の方法では、Ｖ族がＮのみからなるＩＩＩ族−窒素化合物単原子層を用いているので、Ｎ組成が大きく特定の組成の混晶，例えばＮ組成が１２．５％，２５％，３７．５％，５０％，６２．５％，７５％，８７．５％の混晶を、構造上得ることが可能となる。
【００１５】
しかしながら、特開平０７−２６３７４４号の方法では、形成できない組成がある。例えば１％などの小さいＮ組成の混晶半導体を形成しようとする場合、窒素化合物以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物単原子層を９９原子層とＶ族がＮのみからなるＩＩＩ族−窒素化合物単原子層を１原子層用いる必要があるが、窒素化合物以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物層が３０ｎｍ程度連続して存在することになりバルクとしての特性が現われるので、この超格子積層構造は混晶とは見なせない。このように、特開平０７−２６３７４４号の方法では、任意の組成の混晶半導体を形成することができないという問題があった。
【００１６】
本発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のＩＩＩ族元素とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、Ｎの取り込まれ効率を向上させ、結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体が容易に得られる半導体積層構造を提供することを目的としている。
【００１７】
また、本発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のＩＩＩ族元素とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体を有する半導体発光素子において、発光効率の高い半導体発光素子を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、積層構造は、III族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、III族元素としてＩｎを含み、Ｉｎの組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造として構成されていることを特徴としている。
【００１９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体積層構造において、上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体は、ＧａｘＩｎ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）であり、超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まないＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ｎｙ１Ａｓ１−ｙ１（０＜ｘ１≦１，０＜ｙ１＜１）からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＧａを含まないＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ｎｙ２Ａｓ１−ｙ２（０≦ｘ２＜１，０＜ｙ２＜１）からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体積層構造において、上記III−Ｖ族混晶半導体は、(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮzＰ1-z(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１)であり、超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y1Ｉｎ1-y1Ｎz1Ｐ1-z1(０≦ｘ≦１，０＜ｙ１≦１，０＜ｚ１＜１)からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＡｌおよびＧａを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y2Ｉｎ1-y2Ｎz2Ｐ1-z2(０≦ｘ≦１，０≦ｙ２＜１，０＜ｚ２＜１)からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体積層構造である超格子積層構造が発光層に用いられていることを特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の半導体積層構造は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素（例えば、Ａｓ）と、複数のＩＩＩ族元素（例えば、Ｇａ，Ｉｎ）とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体の積層構造であって、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、ＩＩＩ族元素の組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造ＳＬとして構成され、これら複数種の単原子層の平均の組成の混晶半導体として構成されている。
【００２３】
本発明では、超格子積層構造が、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素Ｎの取り込まれやすい層を含んで構成できるので、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べて、結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体を容易に得ることができる。
【００２４】
図２は本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の構成例（第１の実施形態）を示す図である。図２を参照すると、この半導体積層構造は、上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体が、ＧａｘＩｎ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）であり、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まないＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ｎｙ１Ａｓ１−ｙ１（０＜ｘ１≦１，０＜ｙ１＜１）からなる第１の単原子層Ｌ１と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＧａを含まないＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ｎｙ２Ａｓ１−ｙ２（０≦ｘ２＜１，０＜ｙ２＜１）からなる第２の単原子層Ｌ２との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて上記超格子積層構造ＳＬが構成され、これらの平均の組成の混晶半導体として構成されている。
【００２５】
図２の構成例では、超格子積層構造ＳＬがＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる少なくとも２種類の単原子層（例えば、Ｌ１，Ｌ２）により構成されていることにより、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素Ｎの取り込まれやすい第１の単原子層Ｌ１を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓを容易に形成できる。
【００２６】
また、図３は本発明に係る半導体積層構造(III−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造)の他の構成例(第２の実施形態)を示す図である。図３を参照すると、この半導体積層構造は、上記III−Ｖ族混晶半導体が、(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮzＰ1-z(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１)であり、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y1Ｉｎ1-y1Ｎz1Ｐ1-z1(０≦ｘ≦１，０＜ｙ１≦１，０＜ｚ１＜１)からなる第１の単原子層Ｍ1と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＡｌおよびＧａを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y2Ｉｎ1-y2Ｎz2Ｐ1-z2(０≦ｘ≦１，０≦ｙ２＜１，０＜ｚ２＜１)からなる第２の単原子層Ｍ2との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて上記超格子積層構造ＳＬが構成されている。
【００２７】
図３の構成例においても、超格子積層構造ＳＬがＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる少なくとも２種類の単原子層（例えば、Ｍ１，Ｍ２）により構成されていることにより、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素Ｎの取り込まれやすい第１の単原子層Ｍ１を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な（Ａｌ）ＧａＩｎＮＰを容易に形成できる。
【００２８】
また、本発明の上記のような半導体積層構造（例えば、図２あるいは図３の半導体積層構造），すなわち、超格子積層構造は、半導体発光素子の発光層に用いることができる。
【００２９】
このような半導体発光素子では、発光層である超格子積層構造が、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、窒素Ｎの取り込まれやすい層を含んで構成できるので、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べてＮの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な混晶半導体が容易に得られ、発光効率の高い半導体発光素子を形成できる。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００３１】
実施例１
実施例１では、図４に示すような半導体積層構造を作製した。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＰＨ３（フォスフィン），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００３２】
図４の超格子積層構造は、ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓバッファ層１０２が形成され、ＧａＡｓバッファ層１０２上に、平均組成Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６である量子井戸層１０３（膜厚が８ｎｍ）が形成され、量子井戸層１０３上に、ＧａＡｓ保護層１０４（膜厚が０．２μｍ）が形成されたものとなっている。
【００３３】
ここで、量子井戸層１０３は、Ｇａ０．９３Ｉｎ０．０７Ｎ０．０２５Ａｓ０．９７５の第１の単原子層Ｌ１を１層，Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｎ０．００３Ａｓ０．９９７の第２の単原子層Ｌ２を１層としたペアを、１４ペア積層した超格子構造（１層の第１の単原子層Ｌ１と１層の第２の単原子層Ｌ２とを、それぞれ１４層分、交互に積層した超格子構造）から構成されている。この際、２種類の単原子層Ｌ１，Ｌ２の成長条件は、ＩＩＩ族の原料供給量比を相違させた他は同じとした。すなわち、２種類の単原子層Ｌ１，Ｌ２は、ＩＩＩ族の原料供給量比に関して表１の組成に基づいた互いに異なる条件で成長させた。すなわち、第１の単原子層Ｌ１は、Ｉｎ組成を７％，Ｎ組成を２．５％として形成し、第２の単原子層Ｌ２は、Ｉｎ組成を４９％，Ｎ組成を０．３％として形成した。このことから、Ｎの取り込まれがＩｎ組成で大きく異なることがわかる。
【００３４】
この超格子積層構造１０３は、平均組成Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６の混晶とみなせる。ＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素Ｎの取り込まれ効率が高く、Ｎ添加による結晶性の劣下率はＩｎ組成の大きい材料より小さくなる。すなわち、同じ組成のＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が大きいほど結晶性が悪くなる。この実施例１では、Ｉｎ組成の平均組成は２８％であるが、Ｉｎ組成２８％のＧａＩｎＮＡｓより窒素の取り込まれ効率が高いＩｎ組成７％のＧａＩｎＮＡｓの単原子層を含んで構成されているので、単一組成（平均組成２８％）のＧａＩｎＮＡｓのみで形成した場合に比べて、窒素組成を大きくすることができる。
【００３５】
例えば、実施例１と同じ条件で、Ｉｎ組成２８％のＧａＩｎＮＡｓを成長させる場合、Ｎ組成は０．３％となる。これに対し、実施例１の超格子積層構造では、同じ成長条件で約５倍大きなＮ組成のＧａＩｎＮＡｓを得ることができた。更にＮ添加による結晶性の劣下率が低い層にＮを多く含ませたので、この試料のフォトルミネッセンス強度は均一組成（平均組成２８％）で成長させたＧａＩｎＮＡｓに比べて強かった。また、ＧａＩｎＮＡｓ層のＮ組成は、ＡｓＨ３に対するＤＭＨｙの供給量比を増やすほど、成長温度を下げるほど、成長速度を上げるほど、大きくなる傾向があった。また、各単原子層Ｌ１，Ｌ２は、混晶半導体により構成されているので、２元化合物を用いる場合に比べて超格子積層構造からなる任意の組成の混晶を得ることができる。
【００３６】
実施例２
実施例２では、図５（ａ），（ｂ）に示すような半導体発光素子（半導体レーザ素子）を作製した（ここで、図５（ｂ）は図５（ａ）の半導体発光素子の量子井戸層の構成を示す図である）。なお、図５（ａ），（ｂ）はＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＮＡｓによる長波長レーザを形成した例である。以下では、最も基本的な構造である絶縁膜ストライプ型レーザを例にして説明する。層構造としてはＳＣＨ−ＳＱＷ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造である。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＰＨ３（フォスフィン），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００３７】
すなわち、図５（ａ），（ｂ）の半導体発光素子では、ｎ−ＧａＡｓ基板２０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２，ｎ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層２０３（膜厚が１．５μｍ），ＧａＡｓ光ガイド層２０４（膜厚が１００ｎｍ），平均組成Ｇａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９である量子井戸層２０５（膜厚が８ｎｍ），ＧａＡｓ光ガイド層２０６（膜厚が１００ｎｍ），ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層２０７（膜厚が１．５μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０８（膜厚が０．４μｍ）が順次に形成されている。また、この半導体発光素子では、その表面に、ｐ側電極２０９が電流注入部となる部分を除去した絶縁膜２１０を介して形成されており、裏面にはｎ側電極２１１が形成されている。
【００３８】
ここで、量子井戸層２０５は、ＩｎＮＡｓの第１の単原子層Ｌ１を１層，ＧａＮＡｓの第２の単原子層Ｌ２を２層としたペアを、９．５ペア積層した超格子構造から構成されている。この場合、各単原子層Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ充分に厚さが薄いので、量子井戸層２０５はＧａＩｎＮＡｓの混晶（平均組成がＧａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９の混晶）とみなせる。
【００３９】
実施例１において説明したように、ＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素の取り込まれ効率が高い。この実施例２の半導体発光素子の量子井戸層２０５は、窒素の取り込まれ効率が高いＧａＮＡｓの単原子層を含んで構成されているので、ＧａＩｎＮＡｓを単一組成で形成した場合に比べて、窒素組成は大きくなる。すなわち、超格子構造を用いた方が容易にＧａＩｎＮＡｓを形成できる。更に、ＧａＩｎＮＡｓは、同一Ｎ組成の場合、Ｉｎ組成が小さいほど結晶性が良好となるので、実施例２の超格子構造により構成されたＧａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９は、均一組成で構成した場合に比べて、結晶性が良好になる。すなわち、Ｎ添加による結晶性の劣下率が低い層にＮを多く含ませたので、この超格子積層構造による半導体の結晶性は良好になる。実際、実施例２の半導体発光素子を評価したところ、発振波長は１．３ｍであり、量子井戸層２０５が均一組成からなる素子に比べて、しきい値電流密度は低下した。
【００４０】
実施例３
実施例３では、図６（ａ），（ｂ）に示すような半導体発光素子（半導体レーザ素子）を作製した（ここで、図６（ｂ）は図６（ａ）の半導体発光素子の量子井戸層を示す図である）。なお、図６（ａ），（ｂ）はＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＮＰ系材料による短波長可視レーザを形成した例である。以下では、最も簡単な構造である絶縁膜ストライプ型レーザを例にして説明する。層構造としてはＳＣＨ−ＭＱＷ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造である。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ３（アルシン），ＰＨ３（フォスフィン）そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００４１】
すなわち、図６（ａ），（ｂ）の半導体発光素子では、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３０２，ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層３０３（膜厚が１．０μｍ），（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部光ガイド層３０４（膜厚が５０ｎｍ），３層のＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５井戸層３０５（膜厚が７ｎｍ，引っ張り歪約１％）と２層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐバリア層３０６（膜厚が８ｎｍ），（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部光ガイド層３０７（膜厚が５０ｎｍ），ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層３０８（膜厚が１．０μｍ），ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐキャップ層３０９（膜厚が０．１μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１０（膜厚が０．４μｍ）が順次に形成されている。また、この半導体発光素子では、その表面に、ｐ側電極３１１が電流注入部となる部分を除去した絶縁膜３１２を介して形成されており、裏面にはｎ側電極３１３が形成されている。
【００４２】
ここで、量子井戸層３０５は、ＩｎＮＰの第１の原子層Ｌ１を１層、ＧａＮＰの第２の原子層Ｌ２を２層としたペアを、８．５ペア積層した超格子構造から構成されている。この場合、各原子層Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ充分に厚さが薄いので、量子井戸層３０５は、ＧａＩｎＮＰの混晶（平均組成がＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５の混晶）とみなせる。
【００４３】
ＧａＩｎＮＰでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素の取り込まれ効率が高い。この実施例３の半導体発光素子の量子井戸層３０５は、窒素の取り込まれ効率が高いＧａＮＰの単原子層を含んで構成されているので、ＧａＩｎＮＰを単一組成のみで形成した場合に比べて、窒素組成は大きくなる。すなわち、超格子構造を用いた方が容易にＧａＩｎＮＰを形成できる。更に、ＧａＩｎＮＰは、同一Ｎ組成の場合、Ｉｎ組成が小さいほど結晶性が良好となるので、実施例３の超格子構造により構成されたＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５は、均一組成で構成した場合に比べて、結晶性が良好になる。実際、実施例３の半導体発光素子を評価したところ、量子井戸層３０５が均一組成からなる素子に比べて、しきい値電流密度の低い可視レーザが得られた。
【００４４】
上記各実施例では、超格子積層構造における各原子組成や積層構成を限定したが、もちろん、これらに、他の組成や他の構成を用いることもできる。すなわち、Ｖ族元素としてＮと他のＶ族元素を含み、ＩＩＩ族元素として複数種のＩＩＩ族元素を含んだ半導体材料であれば、同様の効果を得ることができる。また、本発明の半導体発光素子は、光通信用半導体レーザ，光書き込み用半導体レーザとして用いることができ、また、これ以外にも発光ダイオード、赤外光用フォトダイオードとして用いることもできる。
【００４５】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１記載の発明によれば、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、前記積層構造は、III族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、III族元素としてＩｎを含み、Ｉｎの組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造として構成されているので、複数種の単原子層の平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素の取り込まれやすい層を含んで構成できることから、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べて結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体を容易に得ることができる。
【００４６】
また、請求項２，請求項３記載の発明によれば、超格子積層構造が、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素の取り込まれやすい第１の単原子層を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓ，結晶性の良好な（Ａｌ）ＧａＩｎＮＰを容易に形成できる。
【００４７】
また、請求項４記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体積層構造である超格子積層構造が発光層に用いられており、超格子積層構造はＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種類の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素の取り込まれやすい層を含んで構成できるので平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べてＮの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な混晶半導体が容易に得られ、発光効率の高い発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＧａＡｓ／ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ構造のＰＬ特性を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の構成例（第１の実施形態）を示す図である。
【図３】本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の他の構成例（第２の実施形態）を示す図である。
【図４】実施例１の半導体積層構造を示す図である。
【図５】実施例２の半導体発光素子を示す図である。
【図６】実施例３の半導体発光素子を示す図である。
【符号の説明】
Ｌ１，Ｍ１ 第１の単原子層
Ｌ２，Ｍ２ 第２の単原子層
１０１ ＧａＡｓ基板
１０２ ＧａＡｓバッファ層
１０３ Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６量子井戸層
１０４ ＧａＡｓ保護層
２０１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２０２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層
２０３ ｎ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層
２０４ ＧａＡｓ光ガイド層
２０５ Ｇａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９量子井戸層
２０６ ＧａＡｓ光ガイド層
２０７ ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層
２０８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
２０９ ｐ側電極
２１０ 絶縁膜
２１１ ｎ側電極
３０１ ｎ−ＧａＡｓ基板
３０２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層
３０３ ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層
３０４ （Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部光ガイド層
３０５ ３層のＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５井戸層
３０６ ２層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐバリア層
３０７ （Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部光ガイド層
３０８ ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層
３０９ ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐキャップ層
３１０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
３１１ ｐ側電極
３１２ 絶縁膜
３１３ ｎ側電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用半導体レーザ，光書き込み用半導体レーザ，発光ダイオード，赤外光用フォトダイオード等の光デバイスに用いられる半導体積層構造及び半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバーを用いた光通信システムは、現在、主に幹線系で用いられているが、将来は各家庭を含めた加入者系での利用が考えられている。これを実現するためにはシステムの小型化，低コスト化が必要であり、温度制御用のペルチェ素子が不要なシステムの実現が必要である。このため、半導体レーザには低しきい値動作と温度変化による特性変化の少ない高特性温度の素子が望まれている。
【０００３】
このような素子を実現することを意図した材料として、特開平６−３７３５５号には、Ｎと他のＶ族元素を含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体であるＧａＩｎＮＡｓ系材料をＧａＡｓ基板上に形成することが提案されており、ＧａＡｓより格子定数が大きいＧａＩｎＡｓにＮを添加することで格子定数をＧａＡｓに格子整合させることが可能であり、さらに、バンドギャップエネルギーが小さくなり１．３μｍ，１．５μｍ帯での発光が可能な材料であるとされている。ここで、ＧａＩｎＮＡｓ系材料の成長方法には、活性窒素を用いた低圧ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いている。
【０００４】
また、文献「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ．１２７３−１２７５」では、近藤らによりバンドラインナップが計算されている。この文献では、ＧａＡｓ格子整合系でＡｌＧａＡｓをクラッド層に用いることで、伝導帯のバンド不連続が大きくなる。このため高特性温度半導体レーザが実現できると予想されている。なお、ＧａＡｓ格子整合系の成長方法には、活性窒素を用いたガスソースＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いている。
【０００５】
また、文献「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７， Ｖｏｌ．３３， ｐｐ．１３８６−１３８７」には、実際にＧａＩｎＮＡｓ系材料による１．３μｍ帯レーザ発振が報告されている。ここで、ＧａＩｎＮＡｓ系材料の形成には、窒素原料にＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いたＭＯＣＶＤ法を用いている。
【０００６】
上述した従来の技術では、Ｖ族元素にＮを含んだ混晶半導体ＧａＩｎＮＡｓ層の成長は、Ｇａの原料，Ｉｎの原料，Ｎの原料，Ａｓの原料を同時に供給し、厚さ方向に同一組成の混晶を成長することによってなされている。しかし、このようなＶ族にＮを含んだ混晶半導体は、終端物質から数％の混晶しか得られていない。すなわち、これらＧａＩｎＮＡｓの結晶性はＮ組成が大きくなるほど悪くなる傾向がある。一方、ＧａＩｎＮＡｓにおいてはＩｎ組成の増加はバンドギャップエネルギーを小さくする効果がある。このため、ある波長（例えば１．３μｍ）での発振を得るためのＮ組成はＩｎ組成が大きいほど小さくて済む。そこで、文献「Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．， Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ．１２７３−１２７５」においては、可能な限り結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓを量子井戸活性層に用いるため、大きなＩｎ組成（３０％）であるＧａＩｎＮＡｓを用いている。Ｎ組成はわずか０．５％であり、このとき発振波長は約１．２μｍである。通信で用いるためにはレーザの波長は１．３μｍが必要であり、Ｎ組成は１％程度にする必要があるが、この１％というＮ組成は文献「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７， Ｖｏｌ．３３， ｐｐ．１３８６−１３８７」において用いられている小さなＩｎ組成（１０％）であるＧａＩｎＮＡｓのＮ組成３％に比べ１／３であり、小さくて済む。
【０００７】
しかし、実際にはＶ族元素にＮを含んだ混晶半導体はそのほとんどが非混和領域にあり結晶成長が非常に難しい。非平衡度の高いＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）によりわずかの窒素組成の結晶が成長可能となるものである。混晶半導体は構成元素数が多いほど非混和性が強くなる。また、同じ混晶でも中間の組成の混晶ほど非混和性が強くなる。つまり二元化合物が最も成長しやすいのである。Ｖ族元素にＮを含んだ混晶半導体においても同様なことが言える。
【０００８】
このように、ＧａＩｎＮＡｓよりもＧａＮＡｓの方が成長しやすい。また、ＧａＩｎＮＡｓの中でもＧａＮＡｓに近い材料の方が成長しやすい。次表（表１）はＧａＡｓ基板上にＩｎ組成を変えたＧａＩｎＮＡｓのＮ組成を示している。
【０００９】
【表１】
表１において、Ｎ組成はＳＩＭＳ分析（二次イオン質量分析法）により求めた結果である。成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。成長温度は６３０℃である。そして、Ｉｎ原料であるＴＭＩの供給量のみを変化させた。
【００１１】
表１から、Ｉｎ組成を増やすほどＮ濃度が減少していることがわかる。このようにある特定の波長を得るためにはＧａＩｎＮＡｓのＩｎ組成を大きくすることでＮ組成を小さくできる効果があるが、従来の成長方法では、ＧａＩｎＮＡｓのＩｎ組成を大きくすると、Ｎの取り込まれ効率が低下するという問題があることがわかった。さらに、ＧａＩｎＮＡｓの結晶性はＮ組成が大きくなるほど悪くなる傾向があるが、この傾向はＩｎ組成が大きいほど強くなることがわかった。
【００１２】
図１はＧａＡｓ／ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ構造のＰＬ特性を示す図である。図１において、ＰＬ特性Ａは、ＧａＩｎＮＡｓの組成が（Ｉｎ組成１０％，Ｎ組成１．５％）の場合であり、また、ＰＬ特性Ｂは、ＧａＩｎＮＡｓの組成が（Ｉｎ組成３０％，Ｎ組成１％）の場合である。図１から、Ａの方が、Ｂに比べて、Ｎ組成が大きいにも関わらずＰＬ強度は強くなっていることがわかる。このことから、Ｎ組成が同程度の場合、Ｉｎ組成が小さい方がＰＬ強度は強く、結晶性が良好であることがわかる。これは混晶半導体のミシビリティーギャップと相関があると考えられる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術に対し、大きいＮ組成の混晶を得るために、特開平０７−２６３７４４号には、ＩＩＩ族原子とＮ以外のＶ族原子とからなる第１単原子層とＩＩＩ族原子とＮ原子とからなる第２単原子層とを規則的に積層した単原子超格子構造が提案されている。例えば、第１単原子層としてＧａＰ単原子層を６層、第２単原子層としてＧａＮ単原子層を２層、ある並べ方で８原子層積層し、これを単位格子とし、この単位格子をさらに規則的に積層して発光層とする技術が提案されている。この技術によれば、ＧａＮＰ混晶と同じバンドギャップを有する積層超格子構造を得ることができ、従来成長が困難であった大きい窒素組成のＧａＮＰ等のＮを含んだ混晶を得ることができるとしている。
【００１４】
このように、特開平０７−２６３７４４号の方法では、Ｖ族がＮのみからなるＩＩＩ族−窒素化合物単原子層を用いているので、Ｎ組成が大きく特定の組成の混晶，例えばＮ組成が１２．５％，２５％，３７．５％，５０％，６２．５％，７５％，８７．５％の混晶を、構造上得ることが可能となる。
【００１５】
しかしながら、特開平０７−２６３７４４号の方法では、形成できない組成がある。例えば１％などの小さいＮ組成の混晶半導体を形成しようとする場合、窒素化合物以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物単原子層を９９原子層とＶ族がＮのみからなるＩＩＩ族−窒素化合物単原子層を１原子層用いる必要があるが、窒素化合物以外のＩＩＩ−Ｖ族化合物層が３０ｎｍ程度連続して存在することになりバルクとしての特性が現われるので、この超格子積層構造は混晶とは見なせない。このように、特開平０７−２６３７４４号の方法では、任意の組成の混晶半導体を形成することができないという問題があった。
【００１６】
本発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のＩＩＩ族元素とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、Ｎの取り込まれ効率を向上させ、結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体が容易に得られる半導体積層構造を提供することを目的としている。
【００１７】
また、本発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のＩＩＩ族元素とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体を有する半導体発光素子において、発光効率の高い半導体発光素子を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、積層構造は、III族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、III族元素としてＩｎを含み、Ｉｎの組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造として構成されていることを特徴としている。
【００１９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体積層構造において、上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体は、ＧａｘＩｎ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）であり、超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まないＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ｎｙ１Ａｓ１−ｙ１（０＜ｘ１≦１，０＜ｙ１＜１）からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＧａを含まないＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ｎｙ２Ａｓ１−ｙ２（０≦ｘ２＜１，０＜ｙ２＜１）からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体積層構造において、上記III−Ｖ族混晶半導体は、(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮzＰ1-z(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１)であり、超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y1Ｉｎ1-y1Ｎz1Ｐ1-z1(０≦ｘ≦１，０＜ｙ１≦１，０＜ｚ１＜１)からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＡｌおよびＧａを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y2Ｉｎ1-y2Ｎz2Ｐ1-z2(０≦ｘ≦１，０≦ｙ２＜１，０＜ｚ２＜１)からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴としている。
【００２１】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体積層構造である超格子積層構造が発光層に用いられていることを特徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本発明の半導体積層構造は、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素（例えば、Ａｓ）と、複数のＩＩＩ族元素（例えば、Ｇａ，Ｉｎ）とから構成されるＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体の積層構造であって、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、ＩＩＩ族元素の組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造ＳＬとして構成され、これら複数種の単原子層の平均の組成の混晶半導体として構成されている。
【００２３】
本発明では、超格子積層構造が、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素Ｎの取り込まれやすい層を含んで構成できるので、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べて、結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体を容易に得ることができる。
【００２４】
図２は本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の構成例（第１の実施形態）を示す図である。図２を参照すると、この半導体積層構造は、上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体が、ＧａｘＩｎ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）であり、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まないＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ｎｙ１Ａｓ１−ｙ１（０＜ｘ１≦１，０＜ｙ１＜１）からなる第１の単原子層Ｌ１と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＧａを含まないＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ｎｙ２Ａｓ１−ｙ２（０≦ｘ２＜１，０＜ｙ２＜１）からなる第２の単原子層Ｌ２との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて上記超格子積層構造ＳＬが構成され、これらの平均の組成の混晶半導体として構成されている。
【００２５】
図２の構成例では、超格子積層構造ＳＬがＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる少なくとも２種類の単原子層（例えば、Ｌ１，Ｌ２）により構成されていることにより、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素Ｎの取り込まれやすい第１の単原子層Ｌ１を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓを容易に形成できる。
【００２６】
また、図３は本発明に係る半導体積層構造(III−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造)の他の構成例(第２の実施形態)を示す図である。図３を参照すると、この半導体積層構造は、上記III−Ｖ族混晶半導体が、(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮzＰ1-z(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１)であり、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y1Ｉｎ1-y1Ｎz1Ｐ1-z1(０≦ｘ≦１，０＜ｙ１≦１，０＜ｚ１＜１)からなる第１の単原子層Ｍ1と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＡｌおよびＧａを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y2Ｉｎ1-y2Ｎz2Ｐ1-z2(０≦ｘ≦１，０≦ｙ２＜１，０＜ｚ２＜１)からなる第２の単原子層Ｍ2との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて上記超格子積層構造ＳＬが構成されている。
【００２７】
図３の構成例においても、超格子積層構造ＳＬがＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる少なくとも２種類の単原子層（例えば、Ｍ１，Ｍ２）により構成されていることにより、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素Ｎの取り込まれやすい第１の単原子層Ｍ１を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な（Ａｌ）ＧａＩｎＮＰを容易に形成できる。
【００２８】
また、本発明の上記のような半導体積層構造（例えば、図２あるいは図３の半導体積層構造），すなわち、超格子積層構造は、半導体発光素子の発光層に用いることができる。
【００２９】
このような半導体発光素子では、発光層である超格子積層構造が、ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップをもつことができるとともに、窒素Ｎの取り込まれやすい層を含んで構成できるので、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べてＮの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な混晶半導体が容易に得られ、発光効率の高い半導体発光素子を形成できる。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００３１】
実施例１
実施例１では、図４に示すような半導体積層構造を作製した。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＰＨ３（フォスフィン），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００３２】
図４の超格子積層構造は、ＧａＡｓ基板１０１上に、ＧａＡｓバッファ層１０２が形成され、ＧａＡｓバッファ層１０２上に、平均組成Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６である量子井戸層１０３（膜厚が８ｎｍ）が形成され、量子井戸層１０３上に、ＧａＡｓ保護層１０４（膜厚が０．２μｍ）が形成されたものとなっている。
【００３３】
ここで、量子井戸層１０３は、Ｇａ０．９３Ｉｎ０．０７Ｎ０．０２５Ａｓ０．９７５の第１の単原子層Ｌ１を１層，Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｎ０．００３Ａｓ０．９９７の第２の単原子層Ｌ２を１層としたペアを、１４ペア積層した超格子構造（１層の第１の単原子層Ｌ１と１層の第２の単原子層Ｌ２とを、それぞれ１４層分、交互に積層した超格子構造）から構成されている。この際、２種類の単原子層Ｌ１，Ｌ２の成長条件は、ＩＩＩ族の原料供給量比を相違させた他は同じとした。すなわち、２種類の単原子層Ｌ１，Ｌ２は、ＩＩＩ族の原料供給量比に関して表１の組成に基づいた互いに異なる条件で成長させた。すなわち、第１の単原子層Ｌ１は、Ｉｎ組成を７％，Ｎ組成を２．５％として形成し、第２の単原子層Ｌ２は、Ｉｎ組成を４９％，Ｎ組成を０．３％として形成した。このことから、Ｎの取り込まれがＩｎ組成で大きく異なることがわかる。
【００３４】
この超格子積層構造１０３は、平均組成Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６の混晶とみなせる。ＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素Ｎの取り込まれ効率が高く、Ｎ添加による結晶性の劣下率はＩｎ組成の大きい材料より小さくなる。すなわち、同じ組成のＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が大きいほど結晶性が悪くなる。この実施例１では、Ｉｎ組成の平均組成は２８％であるが、Ｉｎ組成２８％のＧａＩｎＮＡｓより窒素の取り込まれ効率が高いＩｎ組成７％のＧａＩｎＮＡｓの単原子層を含んで構成されているので、単一組成（平均組成２８％）のＧａＩｎＮＡｓのみで形成した場合に比べて、窒素組成を大きくすることができる。
【００３５】
例えば、実施例１と同じ条件で、Ｉｎ組成２８％のＧａＩｎＮＡｓを成長させる場合、Ｎ組成は０．３％となる。これに対し、実施例１の超格子積層構造では、同じ成長条件で約５倍大きなＮ組成のＧａＩｎＮＡｓを得ることができた。更にＮ添加による結晶性の劣下率が低い層にＮを多く含ませたので、この試料のフォトルミネッセンス強度は均一組成（平均組成２８％）で成長させたＧａＩｎＮＡｓに比べて強かった。また、ＧａＩｎＮＡｓ層のＮ組成は、ＡｓＨ３に対するＤＭＨｙの供給量比を増やすほど、成長温度を下げるほど、成長速度を上げるほど、大きくなる傾向があった。また、各単原子層Ｌ１，Ｌ２は、混晶半導体により構成されているので、２元化合物を用いる場合に比べて超格子積層構造からなる任意の組成の混晶を得ることができる。
【００３６】
実施例２
実施例２では、図５（ａ），（ｂ）に示すような半導体発光素子（半導体レーザ素子）を作製した（ここで、図５（ｂ）は図５（ａ）の半導体発光素子の量子井戸層の構成を示す図である）。なお、図５（ａ），（ｂ）はＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＮＡｓによる長波長レーザを形成した例である。以下では、最も基本的な構造である絶縁膜ストライプ型レーザを例にして説明する。層構造としてはＳＣＨ−ＳＱＷ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造である。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＰＨ３（フォスフィン），ＡｓＨ３（アルシン），そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００３７】
すなわち、図５（ａ），（ｂ）の半導体発光素子では、ｎ−ＧａＡｓ基板２０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２，ｎ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層２０３（膜厚が１．５μｍ），ＧａＡｓ光ガイド層２０４（膜厚が１００ｎｍ），平均組成Ｇａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９である量子井戸層２０５（膜厚が８ｎｍ），ＧａＡｓ光ガイド層２０６（膜厚が１００ｎｍ），ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層２０７（膜厚が１．５μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０８（膜厚が０．４μｍ）が順次に形成されている。また、この半導体発光素子では、その表面に、ｐ側電極２０９が電流注入部となる部分を除去した絶縁膜２１０を介して形成されており、裏面にはｎ側電極２１１が形成されている。
【００３８】
ここで、量子井戸層２０５は、ＩｎＮＡｓの第１の単原子層Ｌ１を１層，ＧａＮＡｓの第２の単原子層Ｌ２を２層としたペアを、９．５ペア積層した超格子構造から構成されている。この場合、各単原子層Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ充分に厚さが薄いので、量子井戸層２０５はＧａＩｎＮＡｓの混晶（平均組成がＧａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９の混晶）とみなせる。
【００３９】
実施例１において説明したように、ＧａＩｎＮＡｓでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素の取り込まれ効率が高い。この実施例２の半導体発光素子の量子井戸層２０５は、窒素の取り込まれ効率が高いＧａＮＡｓの単原子層を含んで構成されているので、ＧａＩｎＮＡｓを単一組成で形成した場合に比べて、窒素組成は大きくなる。すなわち、超格子構造を用いた方が容易にＧａＩｎＮＡｓを形成できる。更に、ＧａＩｎＮＡｓは、同一Ｎ組成の場合、Ｉｎ組成が小さいほど結晶性が良好となるので、実施例２の超格子構造により構成されたＧａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９は、均一組成で構成した場合に比べて、結晶性が良好になる。すなわち、Ｎ添加による結晶性の劣下率が低い層にＮを多く含ませたので、この超格子積層構造による半導体の結晶性は良好になる。実際、実施例２の半導体発光素子を評価したところ、発振波長は１．３ｍであり、量子井戸層２０５が均一組成からなる素子に比べて、しきい値電流密度は低下した。
【００４０】
実施例３
実施例３では、図６（ａ），（ｂ）に示すような半導体発光素子（半導体レーザ素子）を作製した（ここで、図６（ｂ）は図６（ａ）の半導体発光素子の量子井戸層を示す図である）。なお、図６（ａ），（ｂ）はＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＮＰ系材料による短波長可視レーザを形成した例である。以下では、最も簡単な構造である絶縁膜ストライプ型レーザを例にして説明する。層構造としてはＳＣＨ−ＭＱＷ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造である。なお、成長方法はＭＯＣＶＤ法で行なった。原料にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＡｓＨ３（アルシン），ＰＨ３（フォスフィン）そして窒素の原料にはＤＭＨｙ（ジメチルヒドラジン）を用いた。キャリアガスにはＨ２を用いた。
【００４１】
すなわち、図６（ａ），（ｂ）の半導体発光素子では、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３０２，ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層３０３（膜厚が１．０μｍ），（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部光ガイド層３０４（膜厚が５０ｎｍ），３層のＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５井戸層３０５（膜厚が７ｎｍ，引っ張り歪約１％）と２層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐバリア層３０６（膜厚が８ｎｍ），（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部光ガイド層３０７（膜厚が５０ｎｍ），ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層３０８（膜厚が１．０μｍ），ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐキャップ層３０９（膜厚が０．１μｍ），ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３１０（膜厚が０．４μｍ）が順次に形成されている。また、この半導体発光素子では、その表面に、ｐ側電極３１１が電流注入部となる部分を除去した絶縁膜３１２を介して形成されており、裏面にはｎ側電極３１３が形成されている。
【００４２】
ここで、量子井戸層３０５は、ＩｎＮＰの第１の原子層Ｌ１を１層、ＧａＮＰの第２の原子層Ｌ２を２層としたペアを、８．５ペア積層した超格子構造から構成されている。この場合、各原子層Ｌ１，Ｌ２はそれぞれ充分に厚さが薄いので、量子井戸層３０５は、ＧａＩｎＮＰの混晶（平均組成がＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５の混晶）とみなせる。
【００４３】
ＧａＩｎＮＰでは、Ｉｎ組成が小さいほど窒素の取り込まれ効率が高い。この実施例３の半導体発光素子の量子井戸層３０５は、窒素の取り込まれ効率が高いＧａＮＰの単原子層を含んで構成されているので、ＧａＩｎＮＰを単一組成のみで形成した場合に比べて、窒素組成は大きくなる。すなわち、超格子構造を用いた方が容易にＧａＩｎＮＰを形成できる。更に、ＧａＩｎＮＰは、同一Ｎ組成の場合、Ｉｎ組成が小さいほど結晶性が良好となるので、実施例３の超格子構造により構成されたＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５は、均一組成で構成した場合に比べて、結晶性が良好になる。実際、実施例３の半導体発光素子を評価したところ、量子井戸層３０５が均一組成からなる素子に比べて、しきい値電流密度の低い可視レーザが得られた。
【００４４】
上記各実施例では、超格子積層構造における各原子組成や積層構成を限定したが、もちろん、これらに、他の組成や他の構成を用いることもできる。すなわち、Ｖ族元素としてＮと他のＶ族元素を含み、ＩＩＩ族元素として複数種のＩＩＩ族元素を含んだ半導体材料であれば、同様の効果を得ることができる。また、本発明の半導体発光素子は、光通信用半導体レーザ，光書き込み用半導体レーザとして用いることができ、また、これ以外にも発光ダイオード、赤外光用フォトダイオードとして用いることもできる。
【００４５】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１記載の発明によれば、Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、前記積層構造は、III族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、III族元素としてＩｎを含み、Ｉｎの組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造として構成されているので、複数種の単原子層の平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素の取り込まれやすい層を含んで構成できることから、平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べて結晶性の良好な任意の組成の混晶半導体を容易に得ることができる。
【００４６】
また、請求項２，請求項３記載の発明によれば、超格子積層構造が、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない窒素の取り込まれやすい第１の単原子層を含んで構成されているので、ＩＩＩ族元素がこれらの平均組成となるような単一組成で構成した場合に比べて、Ｎの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好なＧａＩｎＮＡｓ，結晶性の良好な（Ａｌ）ＧａＩｎＮＰを容易に形成できる。
【００４７】
また、請求項４記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体積層構造である超格子積層構造が発光層に用いられており、超格子積層構造はＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる複数種類の単原子層により構成されていることから、これらの平均組成の混晶半導体と同じバンドギャップを持つことができるとともに、窒素の取り込まれやすい層を含んで構成できるので平均組成の混晶半導体を単一で構成した場合に比べてＮの取り込まれ効率が向上し、結晶性の良好な混晶半導体が容易に得られ、発光効率の高い発光素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＧａＡｓ／ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ構造のＰＬ特性を示す図である。
【図２】本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の構成例（第１の実施形態）を示す図である。
【図３】本発明に係る半導体積層構造（ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の超格子積層構造）の他の構成例（第２の実施形態）を示す図である。
【図４】実施例１の半導体積層構造を示す図である。
【図５】実施例２の半導体発光素子を示す図である。
【図６】実施例３の半導体発光素子を示す図である。
【符号の説明】
Ｌ１，Ｍ１ 第１の単原子層
Ｌ２，Ｍ２ 第２の単原子層
１０１ ＧａＡｓ基板
１０２ ＧａＡｓバッファ層
１０３ Ｇａ０．７２Ｉｎ０．２８Ｎ０．０１４Ａｓ０．９８６量子井戸層
１０４ ＧａＡｓ保護層
２０１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２０２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層
２０３ ｎ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層
２０４ ＧａＡｓ光ガイド層
２０５ Ｇａ０．６７Ｉｎ０．３３Ｎ０．０１Ａｓ０．９９量子井戸層
２０６ ＧａＡｓ光ガイド層
２０７ ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層
２０８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
２０９ ｐ側電極
２１０ 絶縁膜
２１１ ｎ側電極
３０１ ｎ−ＧａＡｓ基板
３０２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層
３０３ ｎ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部クラッド層
３０４ （Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部光ガイド層
３０５ ３層のＧａ０．６５Ｉｎ０．３５Ｎ０．００５Ｐ０．９９５井戸層
３０６ ２層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐバリア層
３０７ （Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部光ガイド層
３０８ ｐ−（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部クラッド層
３０９ ｐ−Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐキャップ層
３１０ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
３１１ ｐ側電極
３１２ 絶縁膜
３１３ ｎ側電極
Claims (4)
- Ｖ族元素としてＮおよび少なくとも他の１種のＶ族元素と、複数のIII族元素とから構成されるIII−Ｖ族混晶半導体の積層構造において、前記積層構造は、III族元素とＶ族元素とからなる単原子層を有し、III族元素としてＩｎを含み、Ｉｎの組成比が異なる複数種の単原子層を規則的に積層して超格子積層構造として構成されていることを特徴とする半導体積層構造。
- 請求項１記載の半導体積層構造において、上記III−Ｖ族混晶半導体は、ＧａxＩｎ1-xＮyＡｓ1-y(０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１)であり、前記超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まないＧａx1Ｉｎ1-x1Ｎy1Ａｓ1-y1(０＜ｘ１≦１，０＜ｙ１＜１)からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＧａを含まないＧａx2Ｉｎ1-x2Ｎy2Ａｓ1-y2(０≦ｘ２＜１，０＜ｙ２＜１)からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴とする半導体積層構造。
- 請求項１記載の半導体積層構造において、上記III−Ｖ族混晶半導体は、(ＡｌxＧａ1-x)yＩｎ1-yＮzＰ1-z(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０＜ｚ＜１)であり、前記超格子積層構造は、Ｉｎ組成が小さいかもしくはＩｎを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y1Ｉｎ1-y1Ｎz1Ｐ1-z1(０≦ｘ≦１，０＜ｙ１≦１，０＜ｚ１＜１)からなる第１の単原子層と、Ｉｎ組成が大きいかもしくはＡｌおよびＧａを含まない(ＡｌxＧａ1-x)y2Ｉｎ1-y2Ｎz2Ｐ1-z2(０≦ｘ≦１，０≦ｙ２＜１，０＜ｚ２＜１)からなる第２の単原子層との少なくとも２種類の単原子層を有し、これらが規則的に積層されて構成されていることを特徴とする半導体積層構造。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体積層構造である超格子積層構造が発光層に用いられていることを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35007197A JP3547037B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体積層構造及び半導体発光素子 |
| US09/204,292 US6281518B1 (en) | 1997-12-04 | 1998-12-03 | Layered III-V semiconductor structures and light emitting devices including the structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35007197A JP3547037B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体積層構造及び半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168242A JPH11168242A (ja) | 1999-06-22 |
| JP3547037B2 true JP3547037B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=18408039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35007197A Expired - Fee Related JP3547037B2 (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 半導体積層構造及び半導体発光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6281518B1 (ja) |
| JP (1) | JP3547037B2 (ja) |
Families Citing this family (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384479B2 (en) * | 1998-04-13 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode having an active layer containing N and operable in a 0.6 μm wavelength |
| US6563851B1 (en) * | 1998-04-13 | 2003-05-13 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode having an active layer containing N and operable in a 0.6 μm wavelength band |
| US6884291B1 (en) * | 1998-04-13 | 2005-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode having an active layer containing N and operable in a 0.6 μm wavelength band |
| US6674785B2 (en) * | 2000-09-21 | 2004-01-06 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical-cavity, surface-emission type laser diode and fabrication process thereof |
| US6803604B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
| JP4537658B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
| US6927412B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-08-09 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitter |
| US7045377B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-05-16 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction |
| US7531850B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-05-12 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (NDR) device |
| US20070020860A1 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-25 | Rj Mears, Llc | Method for Making Semiconductor Device Including a Strained Superlattice and Overlying Stress Layer and Related Methods |
| US7202494B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-04-10 | Rj Mears, Llc | FINFET including a superlattice |
| US20060220118A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-10-05 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including a dopant blocking superlattice |
| US20070063186A1 (en) * | 2003-06-26 | 2007-03-22 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer |
| US7446002B2 (en) * | 2003-06-26 | 2008-11-04 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer |
| US20060011905A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-01-19 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer |
| US7531829B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-05-12 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance |
| US20060231857A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-10-19 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (ndr) device |
| US6878576B1 (en) | 2003-06-26 | 2005-04-12 | Rj Mears, Llc | Method for making semiconductor device including band-engineered superlattice |
| US7586116B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-09-08 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice |
| US6958486B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-10-25 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including band-engineered superlattice |
| JP2007521648A (ja) * | 2003-06-26 | 2007-08-02 | アール．ジェイ． メアーズ エルエルシー | バンド設計超格子を有するｍｏｓｆｅｔを有する半導体装置 |
| US20050282330A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-22 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers |
| US7531828B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-05-12 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a strained superlattice between at least one pair of spaced apart stress regions |
| US20060243964A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-11-02 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice |
| US20070020833A1 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-25 | Rj Mears, Llc | Method for Making a Semiconductor Device Including a Channel with a Non-Semiconductor Layer Monolayer |
| US7229902B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-06-12 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction |
| US20060267130A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-11-30 | Rj Mears, Llc | Semiconductor Device Including Shallow Trench Isolation (STI) Regions with a Superlattice Therebetween |
| US7598515B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-10-06 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a strained superlattice and overlying stress layer and related methods |
| US20040266116A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Rj Mears, Llc | Methods of fabricating semiconductor structures having improved conductivity effective mass |
| US7153763B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-12-26 | Rj Mears, Llc | Method for making a semiconductor device including band-engineered superlattice using intermediate annealing |
| US7491587B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-02-17 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator (SOI) configuration and including a superlattice on a thin semiconductor layer |
| US20070015344A1 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-18 | Rj Mears, Llc | Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Between at Least One Pair of Spaced Apart Stress Regions |
| US7612366B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-11-03 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a strained superlattice layer above a stress layer |
| US7586165B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-09-08 | Mears Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems (MEMS) device including a superlattice |
| US7514328B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-04-07 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with a superlattice therebetween |
| US20060292765A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-12-28 | Rj Mears, Llc | Method for Making a FINFET Including a Superlattice |
| US7535041B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-05-19 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance |
| US20070010040A1 (en) * | 2003-06-26 | 2007-01-11 | Rj Mears, Llc | Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Layer Above a Stress Layer |
| US20050279991A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-22 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers |
| US7659539B2 (en) | 2003-06-26 | 2010-02-09 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a floating gate memory cell with a superlattice channel |
| US20060289049A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-12-28 | Rj Mears, Llc | Semiconductor Device Having a Semiconductor-on-Insulator (SOI) Configuration and Including a Superlattice on a Thin Semiconductor Layer |
| US7227174B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-06-05 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction |
| US7045813B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-05-16 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction |
| US20040262594A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Rj Mears, Llc | Semiconductor structures having improved conductivity effective mass and methods for fabricating same |
| US7064037B2 (en) * | 2004-01-12 | 2006-06-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Silicon-germanium virtual substrate and method of fabricating the same |
| US7709728B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-05-04 | The Regents Of The University Of California | Multiband semiconductor compositions for photovoltaic devices |
| TWI334646B (en) * | 2005-12-22 | 2010-12-11 | Mears Technologies Inc | Electronic device including a selectively polable superlattice |
| US7517702B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-04-14 | Mears Technologies, Inc. | Method for making an electronic device including a poled superlattice having a net electrical dipole moment |
| US7693204B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
| US7718996B2 (en) * | 2006-02-21 | 2010-05-18 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device comprising a lattice matching layer |
| US7781827B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-08-24 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device with a vertical MOSFET including a superlattice and related methods |
| US7928425B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-04-19 | Mears Technologies, Inc. | Semiconductor device including a metal-to-semiconductor superlattice interface layer and related methods |
| US7863066B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-01-04 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice |
| US7880161B2 (en) | 2007-02-16 | 2011-02-01 | Mears Technologies, Inc. | Multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice |
| US7812339B2 (en) * | 2007-04-23 | 2010-10-12 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with maskless superlattice deposition following STI formation and related structures |
| US7723719B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-05-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions |
| KR20100084843A (ko) * | 2009-01-19 | 2010-07-28 | 삼성전자주식회사 | 다중접합 태양전지 |
| JP2014123712A (ja) | 2012-11-26 | 2014-07-03 | Ricoh Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| EP3072158A1 (en) | 2013-11-22 | 2016-09-28 | Atomera Incorporated | Vertical semiconductor devices including superlattice punch through stop layer and related methods |
| US9406753B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-08-02 | Atomera Incorporated | Semiconductor devices including superlattice depletion layer stack and related methods |
| US9716147B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-07-25 | Atomera Incorporated | Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods |
| US9722046B2 (en) | 2014-11-25 | 2017-08-01 | Atomera Incorporated | Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods |
| EP3281231B1 (en) | 2015-05-15 | 2021-11-03 | Atomera Incorporated | Method of fabricating semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (pts) layers at different depths |
| WO2016196600A1 (en) | 2015-06-02 | 2016-12-08 | Atomera Incorporated | Method for making enhanced semiconductor structures in single wafer processing chamber with desired uniformity control |
| US9558939B1 (en) | 2016-01-15 | 2017-01-31 | Atomera Incorporated | Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source |
| US10879420B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-12-29 | University Of Iowa Research Foundation | Cascaded superlattice LED system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3445653B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2003-09-08 | 士郎 酒井 | 発光素子 |
| JPH08195522A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-07-30 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
| US5825796A (en) * | 1996-09-25 | 1998-10-20 | Picolight Incorporated | Extended wavelength strained layer lasers having strain compensated layers |
| JPH10173294A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-06-26 | Canon Inc | 窒素を含む化合物半導体多層膜ミラー及びそれを用いた面型発光デバイス |
| US5978398A (en) * | 1997-07-31 | 1999-11-02 | Motorola, Inc. | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP35007197A patent/JP3547037B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-03 US US09/204,292 patent/US6281518B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6281518B1 (en) | 2001-08-28 |
| JPH11168242A (ja) | 1999-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3547037B2 (ja) | 半導体積層構造及び半導体発光素子 | |
| JP3683669B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US7166874B2 (en) | Nitride semiconductor with active layer of quantum well structure with indium-containing nitride semiconductor | |
| US9166102B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device including a superlatice layer | |
| JP3719613B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6198112B1 (en) | III-V compound semiconductor luminescent device | |
| US20040065887A1 (en) | Light emitting devices with layered III -V semiconductor structures, and modules and systems for computer, network and optical communication, using such devices | |
| KR20100064383A (ko) | 패터닝 된 기판 상의 (Ａｌ,Ｉｎ,ＧＡ,Ｂ）Ｎ 장치구조 | |
| WO2000017972A1 (fr) | Procede de production d'un dispositif a semi-conducteurs de nitrure | |
| JP4097232B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US20150115220A1 (en) | (Al, In, Ga, B)N DEVICE STRUCTURES ON A PATTERNED SUBSTRATE | |
| US6348698B1 (en) | Layered semiconductor structures and light emitting devices including the structure | |
| JP4097238B2 (ja) | 半導体積層構造及び半導体発光素子 | |
| JP3654331B2 (ja) | 半導体製造方法および半導体発光素子 | |
| JP2000004068A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20080265275A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
| US5246878A (en) | Capping layer preventing deleterious effects of As--P exchange | |
| JP4002323B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JP2000091710A (ja) | 半導体積層構造および半導体発光素子 | |
| JP2967719B2 (ja) | 半導体結晶成長方法および半導体素子 | |
| Agahi et al. | Tensile‐strained barrier GaAsP/GaAs single quantum‐well lasers | |
| CN114765236A (zh) | 半导体发光装置 | |
| JPH10256670A (ja) | 化合物半導体素子 | |
| Heller et al. | Low-threshold room-temperature continuous-wave InP quantum dot coupled to InGaP quantum well heterorstructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
| JP2010153564A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040107 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040303 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040407 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040408 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100423 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110423 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120423 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |