JP3545962B2 - GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材 - Google Patents
GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材 Download PDFInfo
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Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
GaN系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長は、格子整合する基板の入手が困難であるため、一般にサファイア基板などの上にバッファ層を介して行われている。この場合、エピタキシャル膜と基板との格子不整合のため、成長界面から欠陥が導入され、エピタキシャル膜の表面には約1010cm-1オーダーの転位が存在する。前記エピタキシャル膜中の転位は、デバイスにおいてリーク電流や電極材料の拡散の原因となるため、転位密度を減らす方法が試みられている。
【0003】
その一つとして、例えば特開平10−312971号公報に記載されているような、選択成長を用いた方法がある。この方法は、SiO2などのマスク材料を用いて基板上にパターニングを施与して選択成長を行い、さらにこのマスク材料を埋め込むまで成長を続けることで、マスク材料により転位が遮断され、転位密度の低減がなされるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の方法では、マスク材料を埋め込む際に、マスク上を成長面に対して横方向に成長した結晶が、成長が進むにつれその結晶軸が傾く(Tilt;チルト)という現象がおこる。マスク上ではチルトした結晶同士が合体するのでそこで新たな欠陥が発生する。結晶軸がチルトする原因は定かではないが、マスク材料が影響しているものと考えられる。
【0005】
従って本発明は、GaN系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、マスク材料を用いること無しに転位密度を低減させ、高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供することを目的とする。
【0006】
さらに本発明は、上記成長方法により、高品質なGaN系化合物半導体結晶を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のGaN系化合物半導体結晶の成長方法は、基板表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とするものである。
【0008】
また本発明のGaN系化合物半導体結晶の成長方法においては、前記基板表面にGaN系化合物半導体膜を形成した後、アンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を具備させても良い。
【0009】
前記アンチサーファクタント領域を、パターニングされたSiO2を水素を含む雰囲気で蒸発させることにより形成することは、好ましい形成方法の一つである。
【0010】
本発明のGaN系化合物半導体基材は、基板上に上記したいずれかに記載の方法で得られたGaN系化合物半導体結晶を備えたものであり、すなわち、基板表面に直接又はGaN化合物半導体膜を介して、その表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらエピタキシャル成長させたGaN系化合物半導体を有することを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の態様】
以下本発明の実施態様につき、図1を用いて説明する。
まず基板1上にGaN系化合物半導体2を予め成長しておき、その表面にSiO2のパターン3をフォトリソグラフィー技術などを用い形成する(図1(a))。ここで基板はサファイア、SiC、Si、ZnO、スピネル等を用いることができる。パターン形状についてはどの様な形でも構わないが、エピタキシャル成長の成長速度に異方性があることから、ストライプ状が好ましい。
【0012】
この基板を成長装置にセットし、水素を含む雰囲気で成長温度まで昇温する。水素を含む雰囲気とは、水素ガスまたは水素ガスを含む混合ガスを流した状態でも構わないし、例えばアンモニア(NH3)など水素基を含むガスを流し、これが熱分解し、分解した水素が存在している状態でも構わない。
【0013】
基板表面のSiO2は成長温度に達する間に蒸発し、SiO2パターンが存在していた領域はSi残留部4で覆われる(図1(b))。この状態でGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長を行うと、Si残留部4で覆われていない部分から成長が起こる(図1(c))。20は、成長されたGaN系化合物半導体結晶を示している。ここでの成長方法は気相成長が好ましく、例えば有機金属気相成長法(MOCCVD法)やハイドライドVPE法(HVPE法)が好ましい。
【0014】
Siはアンチサーファクタント材料として知られており、Siで覆われることによりその領域の表面エネルギーが高くなり、そこからの成長は起こりにくくなる。このまま成長を続けると、GaN系化合物半導体結晶20はSiで覆われた領域を覆うような形で成長が進み(図1(d))、やがて空洞5が形成される(図1(e))。
【0015】
下地から伸びた転位線6はこの空洞部で遮断されるため、エピタキシャル膜表面での転位密度は低減される。またマスク材料を用いていないために、空洞上部で結晶が横方向成長する際に、結晶軸が傾く現象は起こらないので、新たな欠陥が発生することもない。
【0016】
本発明ではアンチサーファクタント領域を選択的に形成するため、前記空洞部の形成位置を制御することが可能である。従って、空洞部の上方に櫛状の電極構造を形成すれば、電極下部はほぼ無転位であるため電極材料の拡散が抑制される。
【0017】
本発明により得られた半導体結晶基材の表面に、前記各工程を繰り返すことにより、低転位化は促進され、無転位に近い結晶が得られる。
【0018】
本発明の実施の形態では、基板上にGaN系化合物半導体を予め成長しておき、その表面にアンチサーファクタント領域を形成したが、基板の表面に直接アンチサーファクタント領域を形成してもかまわない。
【0019】
また本発明の実施の形態では、SiO2を蒸発させることによりアンチサーファクタント領域を得る例について述べたが、その形成方法についてはこれに限られるものではなく、例えばフォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを作製し、そこへSiを含むガス、例えばSiH4やテトラエチルシランを作用させ、その後レジストを除去することにより選択的にアンチサーファクタント領域を形成しても良い。
【0020】
また本発明の実施の形態では、アンチサーファクタント材料としてSiを用いる例について述べたが、Mgを用いても同様の効果が得られる。
【0021】
【実施例】
以下具体的な実施例につき説明する。
サファイアc面基板上に予めGaN膜を1.5μm成長させ、これをベース基板として用いた。GaN表面に厚さ20nmのSiO2膜をスパッタリングにより堆積させ、フォトリソグラフィー技術によりストライプ状のパターンを形成し、エッチングにより、2μm間隔で幅2μmのストライプ状のSiO2を得た。この時ストライプの方向は下地のGaN膜の<1−100>方向と平行になるようにした。
【0022】
上記のように表面にSiO2パターンが形成されたベース基板をMOCVD装置内にセットし、窒素キャリアガスを10slm、アンモニアを5slm流し、成長温度1000℃まで昇温した。この間にSiO2は蒸発し、Siで覆われたストライプ状の領域が得られた。
【0023】
成長温度が安定した後、キャリアガスを水素に切り換え、さらにトリメチルガリウム(TMG)を70μmol/min供給し、Siで覆われた領域を覆い、空洞が形成されるまでGaNを成長した。
【0024】
このようにして成長したGaN表面の転位密度を測定したところ、107cm-1であった。また断面TEM観察から、空洞上部での新たな欠陥の発生は観察されなかった。
【0025】
【発明の効果】
以上説明した通りの本発明の成長方法によれば、マスク材料を用いること無しに転位密度の低減させることができ、より高品質なGaN系化合物半導体結晶の作製が可能となる。この上にLEDやLDなどの半導体発光素子や受光素子、電子デバイスを作製すれば、その特性は飛躍的に向上することが期待される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のGaN系化合物半導体結晶の成長工程を示す概略図である。
【符号の説明】
1 基板
2 GaN系化合物半導体結晶
3 SiO2
4 Si残留部
5 空洞
6 転位線
Claims (4)
- 基板表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の成長方法。
- 前記基板表面にGaN系化合物半導体膜を形成した後、アンチサーファクタント領域を選択的に形成することを特徴とする請求項1記載のGaN系化合物半導体結晶の成長方法。
- 前記アンチサーファクタント領域を、パターニングされたSiO2を水素を含む雰囲気で蒸発させることにより形成することを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載のGaN系化合物半導体結晶の成長方法。
- 基板上に、請求項1、2又は3のいずれかに記載の方法で得られたGaN系化合物半導体結晶を備えてなるGaN系化合物半導体基材。
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