JP3541784B2 - 半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 - Google Patents
半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3541784B2 JP3541784B2 JP2000214445A JP2000214445A JP3541784B2 JP 3541784 B2 JP3541784 B2 JP 3541784B2 JP 2000214445 A JP2000214445 A JP 2000214445A JP 2000214445 A JP2000214445 A JP 2000214445A JP 3541784 B2 JP3541784 B2 JP 3541784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- sic
- group
- impurity element
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオードやパワーデバイス、高周波デバイスなどの半導体デバイスの基板などとして用いられる半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
SiC(炭化珪素)は、Si(シリコン)やGaAs(ガリウムヒ素)などの既存の半導体材料に比べて、耐熱性および機械的強度に優れ、物理的、化学的に安定しているだけでなく、耐電圧特性、高周波特性、耐環境性にも優れていることから、上述したような半導体デバイス材料として注目されている。また、近年においては、発光ダイオードのような青色から紫外におけての短波長光デバイス等の基板ウェハなどとして単結晶SiCの需要が高まっている。
【0003】
ところで、半導体デバイス材料の製造方法として最も一般的なものは、シリコン(Si)中に、硼素やアルミニウム等のp型となる第3族の不純物元素もしくはその化合物または窒素等のn型となる第5族の不純物元素もしくはその化合物をイオン化し加速し照射することで強制的に押し込ませて添加した後、電気炉やフラッシュランプアニール等によりSiを900〜1100℃程度に加熱し熱処理して不純物を活性化(結晶化)するイオン注入法である。
【0004】
また、シリコン基板上に化学的気相成長法(CVD法)を用いてSiCをエピタキシャル成膜する際に不純物を添加したり、SiCを500〜1000℃程度の高温に加熱した状態でイオン注入を行ない、さらに、1400〜1600℃の高温で熱処理することで、不純物を活性化したりする方法も知られている。
【0005】
さらに、炭素、窒素及び酸素の濃度が一定値以下のアモルファスSi膜にレーザ光を照射してレーザアニールすることにより、アモルファスSi膜を溶融させることなく非晶質領域と固相秩序化領域が混在した領域を形成し、不純物イオンを注入した後、波長が248nmのレーザ光を照射してレーザアニールすることで、不純物領域をセミアモルファス化し、不純物を活性化させる技術も提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記した従来の半導体材料製造方法のうち、一般的なイオン注入法の場合は、Si中に添加した不純物の活性化のために、Siを電気炉等によって加熱処理する工程が必要で、活性化に比較的長い時間を要し、生産性の向上が難しい。これはSiCをエピタキシャル成膜する際に不純物を添加したり、イオン注入する方法の場合でも、活性化のためにより高温の熱処理を必要とするために一層顕著であるとともに、特にp型となる第3族の不純物元素を多量に添加し、それを活性化した良好な特性を有する半導体材料を製造することは非常に困難である。
【0007】
また、アモルファスSiを用い、レーザアニールにより非晶質領域と固相秩序化領域が混在した領域を形成して不純物イオンの注入を行なった後、再度のレーザアニールにより不純物を活性化する技術の場合は、レーザ光のエネルギーにより半導体を構成する原子の電子を励起・電離させ、そのエネルギーの一部を構成原子の格子振動エネルギーに変換することによって、半導体を瞬時に高温に加熱して活性化を促進し生産性の向上は達成できるものの、エネルギーの利用効率が低く、大出力のレーザ装置を必要とすることから、製造コストの増大等を招く上に、不純物の活性化を確実に行なうことが必ずしも容易でなく、良好な特性を有する半導体材料を製造することが困難であり、特にp型の不純物の活性化に問題がある。
【0008】
加えて、上記いずれも方法の場合でも、半導体デバイスとして必要な多量の不純物の注入添加に伴って、SiやSiC基材の結晶構造が歪んだり、崩壊したりするため、通常1000℃を超えるアニールを行なう必要があり、それによる生産性の低下は避けられず、また、不純物濃度はイオン注入条件の選択によって任意に設定できるが、添加された不純物を結晶全域に均等に分散させることが難しいために、不純物濃度等の半導体デバイス作製上で重要な特性に制限を受けるとい問題があった。
【0009】
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、マイクロパイプ欠陥等を殆ど発生しない高品質な単結晶に育成できるとともに、その結晶性を損なうことなく、不純物を確実に、かつ、全域に均等に分散させて良好な特性を有する半導体デバイスの作製を可能とする単結晶SiCを再現性及び生産性よく製造することができる半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法は、SiC単結晶基材とSi原子およびC原子により構成される多結晶板とを両者の対向面間にSiとOを基本成分とする有機または無機物を層状に介在させて密着状態に積層した後、その複合体を熱処理することにより上記多結晶板の多結晶体を上記SiC単結晶基材の単結晶と同方位に結晶変態させて単結晶を固相成長により育成する時、第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を熱拡散により複合体の周辺に添加して固相成長する単結晶中に取り込ませることを特徴とするものである。
【0011】
上記のような本発明方法によれば、SiC単結晶基材と多結晶板との対向面間にSiとOを基本成分とする有機または無機物を層状に介在させることにより、
(a)基材と多結晶板の対向面に隙間を発生させることなく、対向面の密着状態を全面に亘り均一に保持させることが可能である。(b)中間に介在された有機または無機物が非晶質(ガラス質)で熱伝導率の小さい層を形成することになり、熱処理時において基材と多結晶板との対向面の温度差を基材側が低温となる状態で面全域に亘ってほぼ一様に保つことが可能である。(c)熱処理に伴って中間層の基本成分であるSiとOが熱分解され、中間層はSi種と任意のO種(例えばラジカル、イオンなど)とを含む混在状態となるが、この状態では、特にO種の電子吸引作用やSi−C格子間へ介在して格子間隔に歪みを発生させるなどの立体作用により多結晶板側接面のSi原子−C原子間結合が弱められる。そして、当該接面部分での結合切断により発生したSi原子及びC原子は、100℃以上の温度勾配を有する中間層を速やかに拡散移動し、低温に保持され安定している基材表面に到達した時点で当該基材の単結晶に倣ったSi原子とC原子との格子の再配列が促進されて単結晶を一体に育成することが可能である。(d)熱処理時においても基材側の温度は低温に保持されるので、基材の単結晶を安定化することが可能である。といった作用が得られ、これら各作用の相乗によって、複合体を熱処理するといった設備的にも作業面でも簡易な手段を施すだけで、結晶欠陥や基材の歪みの発生、さらには、マイクロパイプ欠陥がほとんど発生しない非常に高品質の単結晶を固相成長により育成することが可能である。
【0012】
上記のような非常に高品質な単結晶の育成時に、不純物元素もしくはその化合物を熱拡散により添加して固相成長する単結晶中に取り込ませることにより、育成後の単結晶SiCに不純物元素等をイオン注入等で添加し、高温アニールする場合に比べて、結晶構造の歪みや崩壊等の結晶性の劣化を生じることなく、不純物元素を容易、確実に添加することが可能であるとともに、不純物を結晶全域に均等に分散させることが可能となり、これによって、不純物濃度等の半導体デバイス作製上で重要な特性に制限を受けず、所望の特性を有する半導体デバイスを確実に作製可能な単結晶SiCを生産性よく、かつ、再現性よく製造することができる。
【0013】
本発明に係る半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法において、単結晶を固相成長により育成する時の不純物元素もしくはその化合物の添加手段として、複合体を収納し熱処理するために使用される単結晶固相成長用容器類に第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を予め含有させたり、SiとOを基本成分とする中間層を形成する有機または無機物中に第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を予め混合させたり、あるいは、多結晶板として熱CVDにより板状に製作されるSiC多結晶板を使用し、このSiC多結晶板の製作時に第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を予め含有させたりしておき、複合体の熱処理時にその不純物元素もしくはその化合物を熱分解させ、かつ、熱拡散させて添加する手段を採用することにより、熱処理に伴い固相成長される単結晶の成長面に不純物元素もしくはその化合物が均一適量毎に接触されることになって、単結晶中の不純物の分散性が高められ、特に多量に添加される第3族の不純物元素(p型)を単結晶中に均一に分散させ活性化させて良好な特性を有する半導体デハイス用単結晶SiCが得られる。
【0014】
また、不純物元素もしくはその化合物の他の添加手段として、窒素ガスをArガスなどの不活性ガス中に混合させた混合ガスあるいは窒素ガス単独を単結晶固相成長用の熱処理炉中に流入供給する手段を採用してもよい。
【0015】
なお、本発明において、熱処理に伴い固相成長される単結晶中への取り込みに必要な不純物濃度は、単結晶SiCを使用して作製される半導体デバイスによって異なる。例えば代表的なn型の不純物である窒素の結晶中濃度は、電力デバイス等に使用される場合は抵抗率が低くなるように、1×1017cm-3〜5×1020cm-3程度が望ましく、また、発光ダイオード等の光デバイスに使用される場合は光透過率が高くなるように、1×1018cm-3〜5×1019cm-3程度が望ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面にもとづいて説明する。
図1は本発明に係る半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法による単結晶SiC育成に用いられる材料となる複合体の一例を示す断面図であり、この複合体Mは、縦×横が1.2mm角で、厚さT1が0.3cmの大きさを有し、その表面にSiとOを基本成分とする有機または無機物の一例として、気相法で粒径が80オングストロームに作製された超微粒子状シリカ粉末をエタノールで溶かした溶液(例えば商品名:エアロジル)を塗布して100〜3000オングストロームの厚さt1の塗膜2を形成してなる六方晶系(6H型、4H型)の板状のSiC単結晶基材1の塗膜2上に、熱CVD法により厚さT2が0.7cmで、直径が2.0cmの円板状に製作されている多結晶板3を密着状態に積層し貼り合わせることにより、両者1,3の対向面間にSiとOを基本成分とする有機または無機物からなる中間層4が介在されて作製されている。
【0017】
図2は上記複合体の別の例を示す断面図であり、この複合体M´は、上例と同様な大きさを有し、その表面にSiとOを基本成分とする有機または無機物の他の例として、シリコンゴム塗料{たとえば商品名:PTUシリコーンスプレー/ファインケミカルジャパン(株)製}を噴霧塗布して500〜30000オングストロームの厚さt2の塗膜5を形成してなる六方晶系(6H型、4H型)の板状のSiC単結晶基材1の塗膜2上に、上例と同様に、熱CVD法により厚さT2が0.7cmで、直径が2.0cmの円板状に製作され、その表面に、SiとOを基本成分とする有機または無機物の他の例としてのシリコンゴム塗料(例えば商品名:PTUシリコーンスプレー/ファインケミカルジャパン(株)製}を噴霧塗布して500〜30000オングストロームの厚さt3の塗膜6を形成してなる多結晶板3を、各表面に形成された塗膜5,6が未硬化のうちに塗膜面同士が密着するように積層し貼合わせることにより、両者1,3の対向面間に塗膜5,6からなり、厚さt4が1〜60μmの中間層4´が介在されて作製されている。
【0018】
上記のように作製された複合体MまたはM´を、図3に示すように、小型の単結晶固相成長用坩堝(容器)7内に挿入し、小さい方のSiC単結晶基材1が下部に位置するように坩堝7の底面に敷設した黒鉛シート8上に水平姿勢で載置するとともに、坩堝7の上部開口部をグラファイト製蓋9で閉蓋する。ここで、複合体MまたはM´を収納する上記単結晶固相成長用坩堝7は、p型不純物となる第3族の不純物元素である硼素を0.2Vol%含有させたSiC焼結材から作製されている。
【0019】
そして、硼素含有のSiC焼結体製坩堝7を更に大型のグラファイト製坩堝10内に挿入し、かつ、この大型の坩堝10の上部開口部をグラファイト製蓋11で閉蓋するとともに、大小両坩堝10,7間に形成される環状空間にSiC粉体12を充填した状態で、大型坩堝10内にArなどの不活性ガスを注入するとともに、内部平均温度が2100〜2300℃に達するまで平均速度で昇温させ、かつ、その2100〜2300℃の平均温度を1時間程度保持させるといったように、不活性ガス雰囲気で、かつ、SiC飽和蒸気圧下での熱処理を行なう。
【0020】
このような熱処理の進行に伴って中間層4または4´の基本成分であるSiとOは熱分解され、中間層4または4´はSi種と任意のO種(例えばラジカル、イオンなど)とを含む混在状態となるが、この状態では、特にO種の電子吸引作用やSi−C格子間へ介在して格子間隔に歪みを発生させるなどの立体作用により多結晶板側接面のSi原子−C原子間結合が弱められる。そして、当該接面部分での結合切断により発生したSi原子及びC原子は、100℃以上の温度勾配を有する中間層を速やかに拡散移動し、低温に保持され安定しているSiC単結晶基材1表面に到達した時点で当該単結晶に倣ったSi原子及びC原子との格子の再配列が生じることになり、最終的に図4に示すように、中間層4または4´は消失して多結晶板3の界面より約300μmの厚さT3の部分が原子の再配列によりSiC単結晶基材1の単結晶と同方位の単結晶部分13が固相成長により一体に育成され、種結晶よりもマイクロパイプ数が格段に少ない育成層が得られる(単結晶部分13のマイクロパイプ数=100個/cm2 以下)。
【0021】
上記のごとき熱処理に伴う単結晶の育成時において、SiC焼結体製坩堝7を構成するSiC焼結体中に含有されている硼素は徐々に熱分解され、かつ、熱拡散により複合体MまたはM´の周辺に添加されて、固相成長される単結晶の成長面に適量毎に接触されることになり、単結晶中に取り込まれる。これによって、SiC単結晶基材1の単結晶及び固相成長された単結晶部分13の結晶構造を歪めたり、崩壊したりすることなく、不純物を単結晶中の全域に分散させ、かつ、活性化させてマイクロパイプ欠陥などがほとんどない非常に高品質で、しかも、不純物濃度が均一で半導体デバイス作製上重要な特性を有する半導体デハイス用単結晶SiCを生産性よく得ることができる。
【0022】
なお、上記実施の形態では、第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物の添加手段として、単結晶固相成長用坩堝7の構成材料であるSiC焼結材中に含有させる手段を用いたが、これ以外に、図3に示す熱処理装置における坩堝7の蓋9にも含有させてもよく、SiC粉体12に予め混合させておいても熱処理時に熱拡散させて添加させてもよい。
【0023】
また、SiとOを基本成分とする中間層4または4´を形成するところの超微粒子状シリカ粉末をエタノールで溶かした溶液中やシリコンゴム塗料中に予め混合させておき、熱処理時に熱分解させ、かつ、熱拡散させて添加してもよく、熱CVDにより板状に製作されるSiC多結晶板2の製作時に予め含有させておき、熱処理時に熱分解させ、かつ、熱拡散させて添加してもよい。さらに、これら以外に、窒素ガスをArガスなどの不活性ガス中に混合させた混合ガスあるいは窒素ガス単独を単結晶固相成長用の熱処理用坩堝内に流入供給する手段を採用してもよい。
【0024】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、SiC単結晶基材と多結晶板との対向面間にSiとOを基本成分とする有機または無機物の中間層を介在させてなる複合体を熱処理することにより、設備的にも作業面でも簡易な手段を施すだけで、結晶欠陥や基材の歪みの発生を防止し、かつ、マイクロパイプ欠陥もほとんど発生しない非常に高品質の単結晶を固相成長により効率よく製造することができる。SiCを生産性よく得ることができる。しかも、このような非常に高品質な単結晶の育成時に、不純物元素もしくはその化合物を熱拡散により添加して単結晶中に取り込ませることにより、育成後の単結晶SiCに不純物元素等をイオン注入等で添加し、高温アニールする場合に見られる結晶構造の歪みや崩壊等による結晶性の劣化を生じることなく、不純物元素を容易、確実に添加することができるとともに、不純物濃度等の半導体デバイス作製上で重要な特性に制限を受けることなく、飽和濃度に近い高濃度に不純物を分散させることができ、半導体デバイス作製上所望の特性を有する半導体デバイスを作製可能な単結晶SiCを生産性よく、かつ、再現性よく製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法による単結晶SiC育成に用いられる材料となる複合体の一例を示す断面図である。
【図2】同単結晶SiC育成に用いられる材料となる複合体の他の例を示す断面図である。
【図3】複合体の熱処理装置の概要を示す断面図である。
【図4】熱処理後の状態を示す模式図である。
【符号の説明】
1 SiC単結晶基材
3 SiC多結晶板
4,4´ 中間層(SiO層)
7 硼素含有のSiC焼結体製坩堝(容器)
M,M´ 複合体
Claims (5)
- SiC単結晶基材とSi原子およびC原子により構成される多結晶板とを両者の対向面間にSiとOを基本成分とする有機または無機物を層状に介在させて密着状態に積層した後、
その複合体を熱処理することにより上記多結晶板の多結晶体を上記SiC単結晶基材の単結晶と同方位に結晶変態させて単結晶を固相成長により育成する時、第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を熱拡散により複合体の周辺に添加して固相成長する単結晶中に取り込ませることを特徴とする半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法。 - 上記不純物元素もしくはその化合物の添加手段が、複合体を収納し熱処理するために使用される単結晶固相成長用容器類に予め含有されている第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を複合体の熱処理時に熱分解させ、かつ、熱拡散させて添加する手段である請求項1に記載の半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法。
- 上記不純物元素もしくはその化合物の添加手段が、SiとO
を基本成分とする中間層を形成する有機または無機物中に予め混合されている第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を複合体の熱処理時に熱分解させ、かつ、熱拡散させて添加する手段である請求項1に記載の半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法。 - 上記多結晶板として、熱CVDにより板状に製作されるSi
C多結晶板を使用し、このSiC多結晶板の製作時に第3族または第5族の不純物元素もしくはその化合物を含有させておき、複合体の熱処理時に熱分解された不純物元素もしくはその化合物を熱拡散させて添加する請求項1に記載の半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法。 - 上記複合体の熱処理が、2000〜2300℃の温度範囲で、かつ、不活性雰囲気及びSiCの飽和蒸気圧またはその近傍の雰囲気中で行なわれる請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000214445A JP3541784B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000214445A JP3541784B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002029895A JP2002029895A (ja) | 2002-01-29 |
JP3541784B2 true JP3541784B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=18710016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000214445A Expired - Fee Related JP3541784B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | 半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3541784B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5224256B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2013-07-03 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素基板の処理方法、半導体素子の製造方法 |
-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000214445A patent/JP3541784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002029895A (ja) | 2002-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5231547B2 (ja) | 基板上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法 | |
JP2007073672A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2004292305A (ja) | 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法及びそれに用いられる熱処理装置 | |
WO2000001867A1 (fr) | Procede de synthese de diamant de type n a faible resistance | |
US8506707B1 (en) | Substrate surface modifications for compositional gradation of crystalline materials and associated products | |
JPH10265297A (ja) | GaNバルク単結晶の製造方法 | |
JP2004297034A (ja) | 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 | |
JP3043675B2 (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
US6436186B1 (en) | Material for raising single crystal SiC and method of preparing single crystal SiC | |
JP3541784B2 (ja) | 半導体デバイス用単結晶SiCの製造方法 | |
JPH09129651A (ja) | サファイア基板のサーマル・アニーリング方法及び装置 | |
JPH08264899A (ja) | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 | |
JP2003332234A (ja) | 窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法 | |
JPH10290051A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2010251523A (ja) | 部分soiウェーハの製造方法 | |
JP2006019648A (ja) | 鉄シリサイド発光素子及びその製造方法 | |
JP2004307253A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2007129271A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2896667B1 (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2005005723A (ja) | 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ | |
JPH0376129A (ja) | 窒化ホウ素を用いた電子装置の作製方法 | |
Skibarko et al. | Structural and optical properties of GaN/SiC/Si heterostructures grown by MBE | |
JP2002299277A (ja) | 薄膜構造体の製造方法 | |
JP2936481B1 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
KR20050037449A (ko) | 질화물 막의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080409 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110409 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |