JP3534017B2 - センサ装置及びセンサ装置の製造方法 - Google Patents
センサ装置及びセンサ装置の製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＩＣ部品
等を樹脂でモールドした成型品を製造する際に、モール
ドＩＣと該モールドＩＣに固定される外部品とを有する
センサ装置及びセンサ装置の製造方法に関するものであ
る。
等を樹脂でモールドした成型品を製造する際に、モール
ドＩＣと該モールドＩＣに固定される外部品とを有する
センサ装置及びセンサ装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、そのようなセンサ装置の製造
方法として、例えば、回転検出磁気センサのように、磁
気抵抗素子を含むモールドＩＣとそれにバイアス磁界を
与える磁石とを位置決めする方法が特開平９−３８９８
２号公報等に開示されている。
方法として、例えば、回転検出磁気センサのように、磁
気抵抗素子を含むモールドＩＣとそれにバイアス磁界を
与える磁石とを位置決めする方法が特開平９−３８９８
２号公報等に開示されている。
【０００３】これは、型内のキャビティに対して進退自
在に設けられた保持ピンにより磁気抵抗素子を含むモー
ルドＩＣとそれにバイアス磁界を与える磁石との位置決
めを行い、キャビティ内に保持した状態で溶融樹脂をキ
ャビティ内に注入し、キャビティ内に溶融樹脂が充填完
了前又は充填完了後に保持ピンをキャビティ内から後退
させて樹脂成形する方法である。
在に設けられた保持ピンにより磁気抵抗素子を含むモー
ルドＩＣとそれにバイアス磁界を与える磁石との位置決
めを行い、キャビティ内に保持した状態で溶融樹脂をキ
ャビティ内に注入し、キャビティ内に溶融樹脂が充填完
了前又は充填完了後に保持ピンをキャビティ内から後退
させて樹脂成形する方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記位置決
め方法では決して精度の高い位置決めとは言えなかっ
た。即ち、従来の位置決め方法は図１０に示すように、
まず、モールドＩＣ４４を中空部を有する磁石３のスト
ッパー７に当たるまで挿入する。そして、金型７０内の
キャビティ３０内に固定する際に、保持ピン６０によっ
てモールドＩＣ４４の先端部が矢印の方向に押さえ込ま
れるため、ストッパー７の部分にクリアランス５０が設
けられた状態で、磁気抵抗素子を含むＩＣチップ６と磁
石３の位置決めが行われていた。しかし、この方法では
ＩＣチップ６と磁石３との位置の公差要因が多く存在し
ていた。
め方法では決して精度の高い位置決めとは言えなかっ
た。即ち、従来の位置決め方法は図１０に示すように、
まず、モールドＩＣ４４を中空部を有する磁石３のスト
ッパー７に当たるまで挿入する。そして、金型７０内の
キャビティ３０内に固定する際に、保持ピン６０によっ
てモールドＩＣ４４の先端部が矢印の方向に押さえ込ま
れるため、ストッパー７の部分にクリアランス５０が設
けられた状態で、磁気抵抗素子を含むＩＣチップ６と磁
石３の位置決めが行われていた。しかし、この方法では
ＩＣチップ６と磁石３との位置の公差要因が多く存在し
ていた。
【０００５】即ち、公差要因としては図１０中に示すご
とく、主に、保持ピン６０の長さによる公差要因Ｃ、リ
ードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドす
る際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ、該一次
モールドする際のモールド寸法による公差Ｅ、磁石３の
先端から保持ピン１までの公差Ｆ、というように多くの
公差要因が存在していた。
とく、主に、保持ピン６０の長さによる公差要因Ｃ、リ
ードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドす
る際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ、該一次
モールドする際のモールド寸法による公差Ｅ、磁石３の
先端から保持ピン１までの公差Ｆ、というように多くの
公差要因が存在していた。
【０００６】また、二次モールド、即ちキャビティ３０
内に保持した状態で第二のモールド樹脂をキャビティ３
０内に注入し、キャビティ３０内に第二のモールド樹脂
が充填完了前又は充填完了後に保持ピン６０をキャビテ
ィ３０内から後退させて樹脂成形する場合において、保
持ピン６０をキャビティ３０内から後退させる時に磁石
３とＩＣチップ６との位置関係がずれてしまうという問
題があった。
内に保持した状態で第二のモールド樹脂をキャビティ３
０内に注入し、キャビティ３０内に第二のモールド樹脂
が充填完了前又は充填完了後に保持ピン６０をキャビテ
ィ３０内から後退させて樹脂成形する場合において、保
持ピン６０をキャビティ３０内から後退させる時に磁石
３とＩＣチップ６との位置関係がずれてしまうという問
題があった。
【０００７】一方、従来においては磁石組み付けずれ等
により発生する磁気抵抗素子の出力のオフセット対策と
して、ＣＭＯＳを用いた自動中点補正回路、及びピーク
ボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセ
ットの調整をしていた。しかし、経済性等の面から処理
回路用ＣＭＯＳチップをなくし、小型化を図りたいとい
う要求があり、そのような新規の回転検出磁気センサで
は、二次モールドの前にトリミングによりオフセット調
整を行う必要がある。従って、従来のような保持ピンで
位置決めする方法では、二次モールドする際に磁気抵抗
素子と磁石の位置関係がずれてしまう恐れがあるため、
二次モールド前のオフセット調整が実質的に意味のない
ものになる場合がある。
により発生する磁気抵抗素子の出力のオフセット対策と
して、ＣＭＯＳを用いた自動中点補正回路、及びピーク
ボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセ
ットの調整をしていた。しかし、経済性等の面から処理
回路用ＣＭＯＳチップをなくし、小型化を図りたいとい
う要求があり、そのような新規の回転検出磁気センサで
は、二次モールドの前にトリミングによりオフセット調
整を行う必要がある。従って、従来のような保持ピンで
位置決めする方法では、二次モールドする際に磁気抵抗
素子と磁石の位置関係がずれてしまう恐れがあるため、
二次モールド前のオフセット調整が実質的に意味のない
ものになる場合がある。
【０００８】そこで、本発明は上記問題点に鑑み案出さ
れたものであり、位置の公差要因を極力少なくし、高精
度な位置決めを実現するセンサ装置及びその製造方法を
提供するものである。
れたものであり、位置の公差要因を極力少なくし、高精
度な位置決めを実現するセンサ装置及びその製造方法を
提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１に記載の発明を採用することができる。この
発明は、リードフレームがモールド樹脂から突出した固
定部を備え、該固定部にて外部品が固定されているもの
である。これによれば、外部品とモールドＩＣとの組み
付け後における位置ずれを極力抑えるができる。
に請求項１に記載の発明を採用することができる。この
発明は、リードフレームがモールド樹脂から突出した固
定部を備え、該固定部にて外部品が固定されているもの
である。これによれば、外部品とモールドＩＣとの組み
付け後における位置ずれを極力抑えるができる。
【００１０】請求項２に記載の発明によれば、モールド
ＩＣと外部品とが固定された状態で第二のモールド樹脂
により二次モールドされているため、二次モールドの際
に外部品とモールドＩＣとの位置関係のずれを極力抑え
ることができる。
ＩＣと外部品とが固定された状態で第二のモールド樹脂
により二次モールドされているため、二次モールドの際
に外部品とモールドＩＣとの位置関係のずれを極力抑え
ることができる。
【００１１】請求項３記載の発明によれば、外部品はモ
ールドＩＣのセンシング部のセンシング機能に影響を与
えるものである場合により効果的である。
ールドＩＣのセンシング部のセンシング機能に影響を与
えるものである場合により効果的である。
【００１２】請求項４記載の発明によれば、リードフレ
ームが一次モールドする第一のモールド樹脂から突出し
たトリミング用端子を有しているため、モールドＩＣと
外部品との位置決めを行った後にトリミングによりオフ
セット調整を行うことが可能となる。
ームが一次モールドする第一のモールド樹脂から突出し
たトリミング用端子を有しているため、モールドＩＣと
外部品との位置決めを行った後にトリミングによりオフ
セット調整を行うことが可能となる。
【００１３】請求項５に記載の発明は、リードフレーム
に搭載されるＩＣチップとリードフレームの固定部とが
電気的に絶縁されている。これによれば、外部品が導電
性を有する場合において、固定部を外部品に固定する際
にＩＣチップがショートするのを防ぐことができる。
に搭載されるＩＣチップとリードフレームの固定部とが
電気的に絶縁されている。これによれば、外部品が導電
性を有する場合において、固定部を外部品に固定する際
にＩＣチップがショートするのを防ぐことができる。
【００１４】請求項６に記載の発明によれば、外部品に
固定部が埋め合わされる凹部が形成されている。これに
よれば、外部品とモールドＩＣとの組み付け後における
位置ずれを極力抑えることができる。
固定部が埋め合わされる凹部が形成されている。これに
よれば、外部品とモールドＩＣとの組み付け後における
位置ずれを極力抑えることができる。
【００１５】請求項７記載の発明によれば、ＩＣチップ
に内蔵されるセンシング部は磁気抵抗素子で形成されて
おり、外部品は該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える
磁石で形成されている。これによれば、請求項１記載の
センサ装置において、磁気抵抗素子と磁石との位置精度
をよくすることができ、磁気抵抗素子によるセンシング
機能の精度を高めることができる。
に内蔵されるセンシング部は磁気抵抗素子で形成されて
おり、外部品は該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える
磁石で形成されている。これによれば、請求項１記載の
センサ装置において、磁気抵抗素子と磁石との位置精度
をよくすることができ、磁気抵抗素子によるセンシング
機能の精度を高めることができる。
【００１６】請求項８に記載の方法は、固定部をモール
ド樹脂から突出させた状態で一次モールドしてモールド
ＩＣを形成し、外部品と該モールドＩＣとを固定部で固
定するものである。これによれば、外部品とモールドＩ
Ｃとの位置の公差要因が固定部に関する公差のみである
ため、従来の保持ピンによる位置決め方法よりも高精度
な位置決めが可能となる。
ド樹脂から突出させた状態で一次モールドしてモールド
ＩＣを形成し、外部品と該モールドＩＣとを固定部で固
定するものである。これによれば、外部品とモールドＩ
Ｃとの位置の公差要因が固定部に関する公差のみである
ため、従来の保持ピンによる位置決め方法よりも高精度
な位置決めが可能となる。
【００１７】また、外部品とモールドＩＣとが固定され
た状態で二次モールドされるため、二次モールドの際に
外部品とモールドＩＣとの位置ずれが生じないようにす
ることができる。
た状態で二次モールドされるため、二次モールドの際に
外部品とモールドＩＣとの位置ずれが生じないようにす
ることができる。
【００１８】請求項９に記載の発明によれば、外部品と
モールドＩＣとを固定部にて固定する工程において、固
定部をリードフレームに対して屈曲することで外部品を
モールドＩＣに固定する。これによれば、外部品とモー
ルドＩＣとの公差要因が固定部に関する公差のみである
ため、従来の保持ピンによる位置決め方法よりも高精度
な位置決めが可能となる。
モールドＩＣとを固定部にて固定する工程において、固
定部をリードフレームに対して屈曲することで外部品を
モールドＩＣに固定する。これによれば、外部品とモー
ルドＩＣとの公差要因が固定部に関する公差のみである
ため、従来の保持ピンによる位置決め方法よりも高精度
な位置決めが可能となる。
【００１９】請求項１０記載の発明は、外部品を固定部
においてモールドＩＣに固定する工程において、該外部
品はモールドＩＣのセンシング部によるセンシング機能
に影響を与えるものである場合にはより効果的である。
においてモールドＩＣに固定する工程において、該外部
品はモールドＩＣのセンシング部によるセンシング機能
に影響を与えるものである場合にはより効果的である。
【００２０】請求項１１に記載の発明によれば、一次モ
ールドする際にトリミング用端子を突出させた状態でモ
ールドＩＣを形成するものである。これによれば、セン
シング部と外部品との位置決めを行った後にトリミング
によりオフセット調整を行うことが可能となる。
ールドする際にトリミング用端子を突出させた状態でモ
ールドＩＣを形成するものである。これによれば、セン
シング部と外部品との位置決めを行った後にトリミング
によりオフセット調整を行うことが可能となる。
【００２１】請求項１２記載の発明によれば、リードフ
レームの固定部により外部品を固定する工程において、
リードフレームの固定部の根本部分を押さえながら外部
品に固定するものである。これによれば、リードフレー
ムの固定部を外部品に固定する際にモールドＩＣに応力
がかからないような固定が可能となる。
レームの固定部により外部品を固定する工程において、
リードフレームの固定部の根本部分を押さえながら外部
品に固定するものである。これによれば、リードフレー
ムの固定部を外部品に固定する際にモールドＩＣに応力
がかからないような固定が可能となる。
【００２２】請求項１３記載の発明によれば、固定部第
一のモールド樹脂から突出したタイバーを有する。これ
によれば、リードフレームに第一のモールド樹脂を一次
モールドする際に、該モールド樹脂がリードフレームの
固定部にはみ出すことを防ぐことができる。
一のモールド樹脂から突出したタイバーを有する。これ
によれば、リードフレームに第一のモールド樹脂を一次
モールドする際に、該モールド樹脂がリードフレームの
固定部にはみ出すことを防ぐことができる。
【００２３】請求項１４に記載の発明によれば、ＩＣチ
ップに内蔵されるセンシング部は磁気抵抗素子で形成さ
れており、外部品は磁気抵抗素子にバイアス磁界を与え
る磁石で形成されている。これによれば、請求項８記載
のセンサ装置製造方法において、磁気抵抗素子と磁石と
の位置精度をよくすることができ、磁気抵抗素子による
センシング機能の精度を高めることができる。
ップに内蔵されるセンシング部は磁気抵抗素子で形成さ
れており、外部品は磁気抵抗素子にバイアス磁界を与え
る磁石で形成されている。これによれば、請求項８記載
のセンサ装置製造方法において、磁気抵抗素子と磁石と
の位置精度をよくすることができ、磁気抵抗素子による
センシング機能の精度を高めることができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の一実施例である回転検出磁気
センサに関する発明を、図面を参照して説明する。
センサに関する発明を、図面を参照して説明する。
【００２５】なお、本磁気センサはカム角センサ、クラ
ンク角センサ、車速センサ、自動変速機に組み込まれる
回転センサ、車輪速センサ等として使用可能なものであ
る。
ンク角センサ、車速センサ、自動変速機に組み込まれる
回転センサ、車輪速センサ等として使用可能なものであ
る。
【００２６】はじめに、図１において本実施例における
二次モールド後の構成図を示す。
二次モールド後の構成図を示す。
【００２７】図１においては、後述する磁気抵抗素子を
含むＩＣチップがマウントされたリードフレーム５に、
ＰＰＳやエポキシ樹脂等の第一のモールド樹脂にて一次
モールドされたモールドＩＣ４が、中空部を有する磁石
３に挿入された状態で、固定部２にて固定されている。
なお、この磁石３は導体であるプラスティックマグネッ
トを使用しており、ＩＣチップ６にバイアス磁界を与え
るものである。
含むＩＣチップがマウントされたリードフレーム５に、
ＰＰＳやエポキシ樹脂等の第一のモールド樹脂にて一次
モールドされたモールドＩＣ４が、中空部を有する磁石
３に挿入された状態で、固定部２にて固定されている。
なお、この磁石３は導体であるプラスティックマグネッ
トを使用しており、ＩＣチップ６にバイアス磁界を与え
るものである。
【００２８】そして、該固定された磁石３とモールドＩ
Ｃ４は、後述の金型７０のキャビティ３０内で保持ピン
１により固定された状態でＰＰＳ等の第二のモールド樹
脂にて二次モールドされ、二次モールド品１２０を形成
する。該二次モールド品１２０は、モールドＩＣ４のリ
ードフレーム５がターミナル１１０にて接続されてい
る。ターミナル１１０はコネクタ１００の開口部内に突
出しており、該コネクタ１００を電源に挿入することに
よりモールドＩＣ４による磁気測定が可能となる。
Ｃ４は、後述の金型７０のキャビティ３０内で保持ピン
１により固定された状態でＰＰＳ等の第二のモールド樹
脂にて二次モールドされ、二次モールド品１２０を形成
する。該二次モールド品１２０は、モールドＩＣ４のリ
ードフレーム５がターミナル１１０にて接続されてい
る。ターミナル１１０はコネクタ１００の開口部内に突
出しており、該コネクタ１００を電源に挿入することに
よりモールドＩＣ４による磁気測定が可能となる。
【００２９】次に、この回転検出磁気センサの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００３０】まず、図２に示すようなリードフレーム５
が連なったものを用意する。リードフレーム５は、図３
に示すようにＩＣチップ６をマウントする部分のアイラ
ンド１３とチップコンデンサ１８をマウントする部分の
アイランド７５を有しており、アイランド１３からアイ
ランド７５に向かう方向に多数のリード１２が延びてい
る。また、本発明の特徴である固定部２は、リード１２
の長手方向に対して垂直方向に突出したコの字型の穴の
形状を有するものであり、そのような形状の固定部２が
左右にそれぞれ形成されている。さらに、固定部２の根
本部分にはタイバー１７がそれぞれ形成されている。な
お、図中の線１１はリード１２を固定保持するためのテ
ープが接着される部分を示す。
が連なったものを用意する。リードフレーム５は、図３
に示すようにＩＣチップ６をマウントする部分のアイラ
ンド１３とチップコンデンサ１８をマウントする部分の
アイランド７５を有しており、アイランド１３からアイ
ランド７５に向かう方向に多数のリード１２が延びてい
る。また、本発明の特徴である固定部２は、リード１２
の長手方向に対して垂直方向に突出したコの字型の穴の
形状を有するものであり、そのような形状の固定部２が
左右にそれぞれ形成されている。さらに、固定部２の根
本部分にはタイバー１７がそれぞれ形成されている。な
お、図中の線１１はリード１２を固定保持するためのテ
ープが接着される部分を示す。
【００３１】そして、ＩＣチップ６やチップコンデンサ
１８をマウントする際に、まず接着及び通電性をよくす
るために点線１０にて囲まれる領域に銀メッキが行わ
れ、次にアイランド１３に図４（ａ）に示すようなＩＣ
チップ６をマウントし、ワイヤ１５をワイヤボンドする
ことによりＩＣチップ６とリード１２とを電気的に接続
する。
１８をマウントする際に、まず接着及び通電性をよくす
るために点線１０にて囲まれる領域に銀メッキが行わ
れ、次にアイランド１３に図４（ａ）に示すようなＩＣ
チップ６をマウントし、ワイヤ１５をワイヤボンドする
ことによりＩＣチップ６とリード１２とを電気的に接続
する。
【００３２】ここで、ＩＣチップ６には、図４（ｂ）に
示すようなＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の材料を用いた磁
気抵抗素子（ＭＲＥ）１４がパターニングによりハの字
型に形成されている。なお、該磁気抵抗素子１４が本発
明に言うところのセンシング部に相当する。なお、この
磁気抵抗素子１４の動作原理については、特開平３−１
９５９２０号公報等に開示されているので、ここではそ
の説明を省略する。
示すようなＮｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ等の材料を用いた磁
気抵抗素子（ＭＲＥ）１４がパターニングによりハの字
型に形成されている。なお、該磁気抵抗素子１４が本発
明に言うところのセンシング部に相当する。なお、この
磁気抵抗素子１４の動作原理については、特開平３−１
９５９２０号公報等に開示されているので、ここではそ
の説明を省略する。
【００３３】次に、図５に示すようにＩＣチップ６と、
更にコンデンサ１８をリードフレーム５上にマウントし
た後に、図示しない型のキャビティ内に二点鎖線９に沿
って固定し、第一のモールド樹脂を注入して一次モール
ドを行う。なお、該一次モールドの際には、固定部２の
タイバー１７は二点鎖線９より外に突出しており堤防の
ごとく作用するため、第一のモールド樹脂が固定部２の
コの字型の穴の形状に流れ出るのを防止することができ
る。また、リードフレーム５の固定部２のリード１６ａ
と、ＩＣチップ６とワイヤ１５でつながれたリード１６
ｂとは電気的に絶縁されている。
更にコンデンサ１８をリードフレーム５上にマウントし
た後に、図示しない型のキャビティ内に二点鎖線９に沿
って固定し、第一のモールド樹脂を注入して一次モール
ドを行う。なお、該一次モールドの際には、固定部２の
タイバー１７は二点鎖線９より外に突出しており堤防の
ごとく作用するため、第一のモールド樹脂が固定部２の
コの字型の穴の形状に流れ出るのを防止することができ
る。また、リードフレーム５の固定部２のリード１６ａ
と、ＩＣチップ６とワイヤ１５でつながれたリード１６
ｂとは電気的に絶縁されている。
【００３４】そして、図６に示すようなモールドＩＣ４
の形状になるように一次モールドされたリードフレーム
５を切断する。
の形状になるように一次モールドされたリードフレーム
５を切断する。
【００３５】そして、次に、図６（ａ）、（ｂ）に示す
ように一次モールドされたモールドＩＣ４を、磁石３の
中空部１９に沿って、固定部２の側面２２が磁石３の外
側の径より小さい径になっている凹部４０の端２０に突
き当たるまで挿入する。
ように一次モールドされたモールドＩＣ４を、磁石３の
中空部１９に沿って、固定部２の側面２２が磁石３の外
側の径より小さい径になっている凹部４０の端２０に突
き当たるまで挿入する。
【００３６】続いて、磁石３の凹部４０のクランプピン
突き当て部２３を、図７に示すようにクランプピン２４
で押さえながらリードフレーム５の固定部２をローラ２
５で矢印の方向に沿ってかしめる。
突き当て部２３を、図７に示すようにクランプピン２４
で押さえながらリードフレーム５の固定部２をローラ２
５で矢印の方向に沿ってかしめる。
【００３７】図８はかしめ固定が終わった後の状態を示
したものであるが、磁石３とモールドＩＣ４とをかしめ
固定した後に、図８（ａ）に示すようにオフセット調整
をするためにトリミング端子２６を適宜切断することに
よりトリミングを行う。このトリミングはトリミングの
際の測定用の端子２７を電圧測定器に接続し、電圧測定
しながら行う。
したものであるが、磁石３とモールドＩＣ４とをかしめ
固定した後に、図８（ａ）に示すようにオフセット調整
をするためにトリミング端子２６を適宜切断することに
よりトリミングを行う。このトリミングはトリミングの
際の測定用の端子２７を電圧測定器に接続し、電圧測定
しながら行う。
【００３８】ここで、図８においてバイアス磁石３の先
端２５には穴が開いており、磁気抵抗素子１４によるバ
イアス磁界の測定が可能となる。また、リードフレーム
５の足部２８ａは出力端子、２８ｂはアース端子、２８
ｃは電源端子である。
端２５には穴が開いており、磁気抵抗素子１４によるバ
イアス磁界の測定が可能となる。また、リードフレーム
５の足部２８ａは出力端子、２８ｂはアース端子、２８
ｃは電源端子である。
【００３９】そして、オフセット調整を終えた後は図９
の概略図に示すように、かしめ固定され磁石３とモール
ドＩＣ４とが一体となったかしめ固定品８０を、金型７
０のキャビティ３０内にて保持ピン１で磁石３の穴部２
４を押さえながら、第二のモールド樹脂を充填させるこ
とにより二次モールドを行い、図１に説明した回転検出
磁気センサを製造する。
の概略図に示すように、かしめ固定され磁石３とモール
ドＩＣ４とが一体となったかしめ固定品８０を、金型７
０のキャビティ３０内にて保持ピン１で磁石３の穴部２
４を押さえながら、第二のモールド樹脂を充填させるこ
とにより二次モールドを行い、図１に説明した回転検出
磁気センサを製造する。
【００４０】以上説明したように、本実施例は、磁気抵
抗素子１４を含むモールドＩＣ４を、中空部１９を有す
る磁石３にリードフレーム５に形成した固定部２にてか
しめ固定することにより磁気抵抗素子１４と磁石３の位
置決めを行っている。
抗素子１４を含むモールドＩＣ４を、中空部１９を有す
る磁石３にリードフレーム５に形成した固定部２にてか
しめ固定することにより磁気抵抗素子１４と磁石３の位
置決めを行っている。
【００４１】従って、図１０に示すような従来の保持ピ
ンによる位置決めでは、ピンの長さによる公差Ｃ、リー
ドフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドする
際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ、該一次モ
ールドする際のモールド寸法による公差Ｅ、磁石先端か
らピン１までの公差Ｆのように多くの公差要因が存在す
るが、本実施例によれば、固定部２をモールド樹脂から
突出させた状態で一次モールドしてモールドＩＣ４を形
成し、磁石３と該モールドＩＣ４とを前記固定部２で固
定することから、位置決めの公差要因が図９に示すよう
に、主に、磁石３の先端から磁石３の凹部４０までの公
差Ａと固定部２のクリアランスによる公差Ｂのみで決定
されるため、従来に比べて公差要因が少なく、高精度な
位置決めが可能となる。
ンによる位置決めでは、ピンの長さによる公差Ｃ、リー
ドフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モールドする
際の、モールドする位置のずれによる公差Ｄ、該一次モ
ールドする際のモールド寸法による公差Ｅ、磁石先端か
らピン１までの公差Ｆのように多くの公差要因が存在す
るが、本実施例によれば、固定部２をモールド樹脂から
突出させた状態で一次モールドしてモールドＩＣ４を形
成し、磁石３と該モールドＩＣ４とを前記固定部２で固
定することから、位置決めの公差要因が図９に示すよう
に、主に、磁石３の先端から磁石３の凹部４０までの公
差Ａと固定部２のクリアランスによる公差Ｂのみで決定
されるため、従来に比べて公差要因が少なく、高精度な
位置決めが可能となる。
【００４２】また、磁石３とモールドＩＣ４とが固定さ
れた状態で二次モールドされるため、二次モールドの際
に、磁石３と磁気抵抗素子１４の位置関係のずれが生じ
ないようにすることができる。その結果、一次モールド
後の二次モールド前に、図８を用いて説明したようなト
リミングによるオフセット調整が可能となった。
れた状態で二次モールドされるため、二次モールドの際
に、磁石３と磁気抵抗素子１４の位置関係のずれが生じ
ないようにすることができる。その結果、一次モールド
後の二次モールド前に、図８を用いて説明したようなト
リミングによるオフセット調整が可能となった。
【００４３】さらに、リードフレーム５の固定部２の根
本にあるタイバー１７は、リードフレーム５の一次モー
ルドされる二点鎖線９の領域より外に突出しているた
め、リードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モー
ルドする際に、第一のモールド樹脂がリードフレーム５
の固定部２にはみ出すことを防ぐことができる。
本にあるタイバー１７は、リードフレーム５の一次モー
ルドされる二点鎖線９の領域より外に突出しているた
め、リードフレーム５に第一のモールド樹脂を一次モー
ルドする際に、第一のモールド樹脂がリードフレーム５
の固定部２にはみ出すことを防ぐことができる。
【００４４】また、リードフレーム５の固定部２を磁石
３にかしめる際に、リードフレーム５の固定部２の根本
部分を磁石３の凹部４０のクランプピン突き当て部２３
に押さえながらかしめているため、かしめの際にモール
ドＩＣ４に応力がかからないような固定が可能となる。
３にかしめる際に、リードフレーム５の固定部２の根本
部分を磁石３の凹部４０のクランプピン突き当て部２３
に押さえながらかしめているため、かしめの際にモール
ドＩＣ４に応力がかからないような固定が可能となる。
【００４５】さらに、リードフレーム５の固定部２のリ
ード１６ａと、ＩＣチップ６とワイヤ１５でつながれた
リード１６ｂとは電気的に絶縁されている。従って、リ
ードフレーム５の固定部２を導体であるプラスティック
マグネット３にかしめる際に、ローラ２５等に帯電され
ている電荷が固定部２、リード１６ａ、リード１６ｂ及
びワイヤ１５を介してＩＣチップ６に伝わりショートす
るのを防ぐことができる。
ード１６ａと、ＩＣチップ６とワイヤ１５でつながれた
リード１６ｂとは電気的に絶縁されている。従って、リ
ードフレーム５の固定部２を導体であるプラスティック
マグネット３にかしめる際に、ローラ２５等に帯電され
ている電荷が固定部２、リード１６ａ、リード１６ｂ及
びワイヤ１５を介してＩＣチップ６に伝わりショートす
るのを防ぐことができる。
【００４６】なお、本実施例は回転検出磁気センサに関
するものについて説明したが、これに限られるものでは
なく、電気的なものを感知するセンサ装置や、熱的なも
のを感知するセンサ装置又はそれらの製造方法等にも応
用できるものである。
するものについて説明したが、これに限られるものでは
なく、電気的なものを感知するセンサ装置や、熱的なも
のを感知するセンサ装置又はそれらの製造方法等にも応
用できるものである。
【図１】本実施例の二次モールド後の構成図
【図２】リードフレームを示す上面図
【図３】図２のリードフレームの部分的拡大図
【図４（ａ）】ＩＣチップの取り付け状態を示す構成図
【図４（ｂ）】ＩＣチップの上面図
【図５】ＩＣチップをマウント後のリードフレームの拡
大図
大図
【図６（ａ）】磁石とモールドＩＣの取り付け正面図
【図６（ｂ）】磁石とモールドＩＣの取り付け側面図
【図７】かしめ固定を説明するための説明図
【図８（ａ）】本実施例のかしめ固定品の正面図
【図８（ｂ）】本実施例のかしめ固定品の側面図
【図８（ｃ）】本実施例のかしめ固定品の上面図
【図９】かしめ固定品の二次モールド工程を説明するた
めの概略図
めの概略図
【図１０】従来の磁石とモールドＩＣとの位置決めを説
明するための概略図
明するための概略図
２ リードフレーム固定部
４ モールドＩＣ
５ リードフレーム
１７ タイバー
１４ ＩＣチップ
１２ リード
２０ リードフレーム固定部突き当て部
２３ クランプピン突き当て部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 33/02 - 33/10
G01D 5/12
G01B 7/30 101
H01L 23/48 - 23/50
H01L 21/50 - 21/607
Claims (14)
- 【請求項１】 リードフレームと、該リードフレームに
搭載されセンシング部を有するＩＣチップと、前記リー
ドフレームと前記ＩＣチップとを一次モールドする第一
のモールド樹脂とを含むモールドＩＣと、前記リードフ
レームにより固定される外部品とを含むセンサ装置であ
って、 前記リードフレームは前記第一のモールド樹脂から突出
した固定部を有し、該固定部にて前記外部品が固定され
ていることを特徴とするセンサ装置。 - 【請求項２】 前記モールドＩＣと前記外部品とが固定
された状態で第二のモールド樹脂により二次モールドさ
れていることを特徴とする請求項１記載のセンサ装置。 - 【請求項３】 前記外部品は、前記モールドＩＣのセン
シング部によるセンシング機能に影響を与えるものであ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載のセンサ装
置。 - 【請求項４】 前記リードフレームは、前記第一のモー
ルド樹脂から突出したトリミング用端子を有することを
特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のセンサ装
置。 - 【請求項５】 前記固定部は、前記ＩＣチップと電気的
に絶縁されていることを特徴とする請求項１乃至４の何
れかに記載のセンサ装置。 - 【請求項６】 前記外部品には前記固定部が埋め合わさ
れる凹部が形成されていることを特徴とする請求項１乃
至５の何れかに記載のセンサ装置。 - 【請求項７】 前記ＩＣチップに内蔵されるセンシング
部は磁気抵抗素子で、 前記外部品は該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁
石であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記
載のセンサ装置。 - 【請求項８】 ＩＣチップ搭載部及び固定部を有するリ
ードフレームを用意する工程と、 前記リードフレームの前記ＩＣチップ搭載部にセンシン
グ部を有するＩＣチップを搭載する工程と、 前記固定部を露出させた状態で前記リードフレームを第
一のモールド樹脂にて一次モールドしてモールドＩＣを
形成する工程と、 前記外部品と前記モールドＩＣとを前記固定部にて固定
する工程と、 前記外部品と前記モールドＩＣとが固定された状態で第
二のモールド樹脂により２次モールドする工程とを有す
ることを特徴とするセンサ装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記外部品と前記モールドＩＣとを前記
固定部にて固定する工程は、前記固定部を前記リードフ
レームに対し、屈曲することで前記外部品を前記モール
ドＩＣに対して固定することを特徴とする請求項８に記
載のセンサ装置製造方法。 - 【請求項１０】 前記外部品と前記モールドＩＣとを前
記固定部にて固定する工程は、前記モールドＩＣのセン
シング部によるセンシング機能に影響を与える前記外部
品を、前記固定部において前記モールドＩＣに固定する
工程であることを特徴とする請求項８記載のセンサ装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記リードフレームを用意する工程に
おいて、トリミング用端子を備えた前記リードフレーム
を用意し、 前記一次モールドして前記モールドＩＣを形成する工程
において、前記リードフレームの前記トリミング用端子
を前記第一のモールド樹脂から突出させた状態でモール
ドＩＣを形成するものであり、該トリミング用端子によ
るトリミングは前記二次モールド工程の前に行われるこ
とを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載のセン
サ装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記外部品と前記モールドＩＣとを前
記固定部にて固定する工程において、前記固定部の根本
部分を押さえながら前記モールドＩＣを前記外部品に固
定することを特徴とする請求項８乃至１１の何れかに記
載のセンサ装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ＩＣチップが搭載された前記リー
ドフレームに、前記固定部を前記第一のモールド樹脂か
ら突出させた状態で一次モールドして前記モールドＩＣ
を形成する工程において、 前記固定部は前記第一のモールド樹脂から突出したタイ
バーを有した状態で一次モールドして前記モールドＩＣ
を形成することを特徴とする請求項８乃至１２の何れか
に記載のセンサ装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記ＩＣチップに内蔵される前記セン
シング部は磁気抵抗素子で、 前記外部品は該磁気抵抗素子にバイアス磁界を与える磁
石であることを特徴とする請求項８乃至１３の何れかに
記載のセンサ装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29514099A JP3534017B2 (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29514099A JP3534017B2 (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001116815A JP2001116815A (ja) | 2001-04-27 |
| JP3534017B2 true JP3534017B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=17816805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29514099A Expired - Fee Related JP3534017B2 (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
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| JP4221578B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-02-12 | 株式会社デンソー | 磁気検出装置 |
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| DE10345049B3 (de) * | 2003-09-26 | 2005-02-03 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor |
| JP4281537B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2009-06-17 | 株式会社デンソー | 回転検出センサ装置 |
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| JP2009270907A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Ntn Corp | センサユニット |
| DE102009006529A1 (de) * | 2009-01-28 | 2010-08-26 | Continental Automotive Gmbh | Positionssensor |
| WO2013061503A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 検出センサの製造方法、検出センサ、トランスミッション |
| DE102011121412A1 (de) | 2011-12-17 | 2013-06-20 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Sensors und Sensor |
| US8629539B2 (en) | 2012-01-16 | 2014-01-14 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle |
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| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
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| JP6694354B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-05-13 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
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-
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- 1999-10-18 JP JP29514099A patent/JP3534017B2/ja not_active Expired - Fee Related
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