JP3520528B2 - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ａｌを主成分とする薄
膜の上に紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）が設けられた各
種の光ディスク、例えば反射光のカー回転角の変化によ
り再生が行われるいわゆる光磁気ディスクに係わる。 【０００２】 【従来の技術】垂直磁化膜より成る記録層の磁化の向き
を、カー回転角の変化によって読み出すいわゆる光磁気
ディスクにおいては、ディスク状基板の上に記録層やＡ
ｌ等の反射層が設けられ、これら記録層及び反射層が腐
蝕することを防止するために、その上にＵＶレジンが被
覆された構造を採っている。 【０００３】一例として現在広く使用されている５．２
５インチの光磁気ディスクの略線的拡大断面図を図１に
示す。この場合、ポリカーボネイト（ＰＣ）等より成る
透明基板１の上に、厚さ例えば１１０ｎｍのＳｉＮ等よ
り成る保護層２、厚さ例えば２３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ合金等より成る記録層３、厚さ４０ｎｍ程度のＳｉＮ
等より成る保護層４、厚さ６０ｎｍ程度のＡｌ等より成
る反射層５がスパッタリング等により成膜されて成る。 【０００４】そしてこの上に紫外線硬化樹脂層６が例え
ば厚さ５〜１０μｍとしてスピンコート等により塗布さ
れる。そして例えば、同様の構成をもって形成された他
のディスクを持ち来し、矢印ｈで示すように貼り合わせ
て両ディスクの紫外線硬化樹脂層が加熱溶融され、両面
ディスクとして構成される。 【０００５】ここで紫外線硬化樹脂は帯電防止及び傷付
き防止に有効であるが、その耐食性は十分でなく、特に
上述したような光磁気ディスクにおいては、その記録層
を構成する希土類元素Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等が非常
に腐蝕を受けやすく、ＳｉＮ等の保護膜を設けても、そ
の固有の内部応力によって原子移動いわゆるストレスマ
イグレーションが生じ、腐蝕を惹き起こすという問題が
ある。 【０００６】また、上述したように貼り合わせを行うこ
となく、例えば３．５インチ径の単板で構成されるディ
スクにおいては紫外線硬化樹脂が比較的厚く塗布される
ためこれまで以上の信頼性が要求され、またミニディス
ク（ＭＤ）等の種々の光ディスクにおいても同様の理由
により、紫外線硬化樹脂の耐食性の向上が望まれてい
る。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな光磁気ディスクの表面部に保護膜として設けられる
紫外線硬化樹脂の耐食性を向上させ、光磁気ディスクの
腐蝕を低減し、信頼性の向上及び寿命の長期化をはか
る。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明は、その一例を図
１の断面図に示すように、透明基板１上に、少なくとも
垂直磁化膜より成る記録層、Ａｌを主成分とした反射層
５を形成して、その上に紫外線硬化樹脂層６を被覆して
成る光磁気ディスクにおいて、この紫外線硬化樹脂層６
の構成材料中にイオウとリンとを含有させ、イオウ化合
物をイオウ換算で２０ｐｐｍ以下、リン化合物をリン換
算で３２ｐｐｍ以下として構成する。 【０００９】 【作用】本発明者等の鋭意考察研究の結果、光磁気ディ
スクの紫外線硬化樹脂層の構成材料中にイオウ及びリン
が同時に含有されている場合、イオウが２０ｐｐｍ、リ
ンが３２ｐｐｍを越えると腐蝕に大きく寄与し、更に水
分の存在により腐蝕が促進加速されることが判明した。 【００１０】光磁気ディスクの腐蝕は、光学顕微鏡で約
３０μｍφ程度のものが多く、また、層状に進行してい
る。腐蝕部をＥＰＭＡ（電子プローブＸ線マイクロアナ
ライザー）、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）、ＦＴ
−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）により分析すると、
Ａｌ及びＦｅ、Ｔｂ等の酸化物が確認され、従ってＡｌ
反射膜や記録膜が腐食していることがわかった。 【００１１】また、腐食部からはＳ（イオウ）、Ｐ（リ
ン）が認められるものが多く、更に深さ方向の濃度分析
からＵＶレジン内に原因物が存在することが考えられ
る。 【００１２】そこで本発明者等は、紫外線硬化樹脂層の
イオウ化合物及びリン化合物の含有量に特に着目して検
討を試みたところ、上述したようにイオウ化合物をイオ
ウ換算で２０ｐｐｍ以下、リン化合物の含有量をリン換
算で３２ｐｐｍ以下とすることによって腐食が格段に抑
えられた。 【００１３】そして本発明によれば、反射層及び記録層
の腐食を抑制したことから、光磁気ディスクの耐食性を
著しく向上させることができ、これによって光磁気ディ
スクの信頼性の向上及び寿命の長期化をはかることがで
きる。 【００１４】 【実施例】以下本発明実施例を詳細に説明する。この例
においては、前述の図１において説明した光磁気ディス
クに適用した場合を示す。 【００１５】即ちこの場合においても、ポリカーボネイ
ト（ＰＣ）等より成る透明基板１の上に、厚さ例えば１
１０ｎｍのＳｉＮ等より成る保護層２、厚さ例えば２３
ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ合金等より成る記録層３、厚さ
４０ｎｍ程度のＳｉＮ等より成る保護層４、厚さ６０ｎ
ｍ程度のＡｌ等より成る反射層５がスパッタリング等に
より成膜されて成る。 【００１６】この反射層５は、光ディスクにあたって照
射されるレーザ光の高効率反射及び熱拡散の働きをも
つ。 【００１７】そしてこの上に紫外線硬化樹脂層６が例え
ば厚さ５〜１０μｍとしてスピンコート等により塗布さ
れて、例えば、同様の構成をもって形成された他のディ
スクを持ち来し、矢印ｈで示すように貼り合わせて加熱
溶融され、両面ディスクとして構成される。 【００１８】ここで紫外線硬化樹脂層６の構成成分は、 （１）プレポリマー（光重合性オリゴマーで硬化物の基
本物性を与えるもの） （２）モノマー（光重合性多官能アクリレートである
が、プレポリマーの低粘度化、光開始剤の溶媒に使用） （３）光開始剤（紫外線を吸収してラジカルを生成し、
硬化反応の引き金となるもの） （４）増感剤（単独ではＵＶ照射によって活性化しない
が、光開始剤と一緒に使用することで反応時間の短縮等
の効果が得られるもの） （５）その他の助剤（着色剤、光安定剤、熱安定剤、可
塑剤、黄色防止剤、界面活性剤、等） から成っている。これらの成分中、特に助剤にイオウ、
リンを含有する化合物が多く含まれる。 【００１９】本実施例においては、イオウ、リンの添加
量を変化させた種々の紫外線硬化樹脂を用いて光ディス
クを作製し、カートリッジに装着した状態で耐食試験を
行った。 【００２０】ここで用いたイオウ化合物及びリン化合物
は、含有量（濃度）を確認するために、紫外線硬化樹脂
と有機溶媒に溶け、しかもイオン状態で安定な価数をと
る材料を選定した。 【００２１】下記の表１において用いた材料はそれぞ
れ、イオウとしては２価の化合物であるＣ7 Ｈ5 ＮＳ2
（２−メルカプトベンゾチアゾール）で、ゴムの加硫促
進剤や分析用試薬として用いられるもの、またリンとし
ては３価安定の（Ｃ6 Ｈ5 ）3Ｐ（トリフェニルホスフ
ィン）で重合開始剤として用いられる材料を含有させ
た。 【００２２】更に下記の表２においては、イオウとして
は６価安定のＣ12Ｈ25 ＮａＯ4 Ｓ（ラウリル硫酸ナト
リウム）の乳化剤、リンとしては５価の安定化合物の
（Ｃ6Ｈ5 Ｏ）3 ＰＯ（リン酸トリフェニル）で可塑剤
等に用いられる材料を含有させた。 【００２３】また、各化合物を添加した紫外線硬化樹脂
中のイオウ、リンの含有量の測定は、未硬化のもの１ｇ
をＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）１００ｍｌに溶
解し、ＩＣＰ（誘導結合高周波プラズマ）分光分析法に
て行った。その際、同一溶媒にて標準溶液及びブランク
溶液を作製し、測定波長はイオウが１８０．７３４ｎ
ｍ、リンが２１３．６１８ｎｍを使用した。また、本測
定におけるイオウの検出限界値は０．１６３ｐｐｍ、リ
ンは０．２０１ｐｐｍであり、上述の化合物添加量に対
する分析の感度は十分であった。 【００２４】そして含有量を測定した試料と同一のもの
をスピンコーティング法により塗布して７〜１０枚の光
ディスクをカートリッジに装着してそれぞれ作製し、恒
温層にて８０℃、相対湿度９０％Ｒｈ、１００時間保存
の腐食試験を行った。この後、光学顕微鏡及び目視にて
腐食数を平均値として算出した。 【００２５】 【表１】 【００２６】 【表２】 【００２７】これらの結果から、イオウ化合物が２５ｐ
ｐｍ以下、リン化合物が３５ｐｐｍ以下の場合に腐食発
生数を１．０個以下に低減できることがわかる。 【００２８】そしてこのような腐食発生数が１．０以下
程度に抑制された各光ディスクを再生装置に組み込んで
再生を行ったところ、ビットエラーが低く抑えられた。 【００２９】尚、本発明は上述の実施例に限定されるこ
となく、紫外線硬化樹脂の材料として種々の材料を用い
ることができる。 【００３０】先ず上述の（１）プレポリマーとしては、
例えば下記の化１〜化６に化学式を示す材料が挙げられ
る。 【００３１】・ポリエステルアクリレート 【化１】 （アジピン酸／１，６ヘキサンジオール／アクリル酸） 【００３２】 【化２】 （無水フタル酸／プロピレンオキサイド／アクリル酸） 【００３３】 【化３】 （トリメリット酸／ジエチレングリコール／アクリル
酸） 【００３４】・エポキシアクリレート 【化４】（ビスフェノールＡ−エピクロルヒドリン／アクリル
酸） 【００３５】 【化５】 （フェノールノボラック−エピクロルヒドリン／アクリ
ル酸） 【００３６】・ポリエステルウレタンアクリレート 【化６】 （トリレンジイソシアナート／ポリエステル／２−ヒド
ロキシエチルアクリレート） 【００３７】また、上述の（２）のモノマーとしては下
記の化７〜化１９に示す材料等が用いられる。 【００３８】・単官能 【化７】 （２−エチルヘキシルアクリレート、略号ＥＨＡ） 【００３９】 【化８】 （２−ヒドロキシエチルアクリレート、略号ＨＥＡ） 【００４０】 【化９】 （２−ヒドロキシプロピルアクリレート、略号ＨＰＡ） 【００４１】・二官能 【化１０】 （１，３−ブタンジオールジアクリレート、略号ＢＧＤ
Ａ） 【００４２】 【化１１】 （１，４−ブタンジオールジアクリレート、略号ＢＵＤ
Ａ） 【００４３】 【化１２】 （１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、略号ＨＤ
ＤＡ） 【００４４】 【化１３】 （ジエチレングリコールジアクリレート、略号ＤＥＧＤ
Ａ） 【００４５】 【化１４】 （ネオペンチルグリコールジアクリレート、略号ＮＰＧ
ＤＡ） 【００４６】 【化１５】 （ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、略号
ＰＥＧ４００ＤＡ） 【００４７】 【化１６】 （ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコー
ルジアクリレート、略号ＨＰＮＤＡ） 【００４８】・三官能以上 【化１７】 （トリメチロールプロパントリアクリレート、略号ＴＭ
ＰＴＡ） 【００４９】 【化１８】 （ペンタエリスリトールトリアクリレート、略号ＰＥＴ
Ａ） 【００５０】 【化１９】 （ジペンタエリストールヘキサアクリレート、略号ＤＰ
ＨＡ） 【００５１】また、トリアリルイソシアヌレート等を用
いることもできる。 【００５２】更に、上述の（３）の光開始剤としては、
下記の化２０〜化２８に示す材料等を用いることができ
る。 【００５３】・アセトフェノン類 【化２０】 （ｐ−ｔｅｒｔブチルトリクロロアセトフェノン） 【００５４】 【化２１】 （２，２ジエトキシアセトフェノン、略号ＤＥＡＰ） 【００５５】・ベンゾフェノン 【化２２】 （ベンゾフェノン） 【００５６】・ミヒラーケトン（ミヒラースケトン） 【化２３】 （４，４ビスジメチルアミノベンゾフェノン） 【００５７】・ベンジル 【化２４】 （ベンジル） 【００５８】・ベンゾイン、ベンゾインエーテル 【化２５】 （ベンゾイン） 【００５９】 【化２６】 （ベンゾインメチルエーテル） 【００６０】・ベンジルジメチルケタール 【化２７】 （ベンジルジメチルケタール） 【００６１】・チオキサントン類 【化２８】 （２クロロチオキサントン、略号ＣＴＸ） 【００６２】また上述の（４）の増感剤としては例えば
下記の各材料が用いられる。 ・ｎ−ブチルアミン ・ジ−ｎ−ブチルアミン ・トリエチルアミン ・ジエチルアミノエチルメタクリレート 【００６３】更にまた、上述の（５）の助剤としては、
使用目的及びその性能に応じて非常に多岐に渡る材料が
用いられるが、ここではイオウ、リンの含有例を示す。 【００６４】先ず光安定剤としては例えば下記の化２９
〜化３１に示す各材料が挙げられる。 【化２９】 （ニッケルジブチルジチオカーバメート） 【００６５】 【化３０】 （２−ヒドロキシ−４メトキシ−５スルホキシベンゾフ
ェノン） 【００６６】 【化３１】 （３、５−ジ−ｔブチル４−ヒドロキシベンジルリン酸
モノエチレートニッケル錯塩） 【００６７】また帯電防止剤としては下記の各材料等が
挙げられる。 ・アルキルスルホネート（ＲＳＯ3 Ｍ） ・アルキルサルフェート（ＲＯＳＯ3 Ｍ） ・リン酸エステル塩 【化３２】 【００６８】また更に、界面活性剤（分散、湿潤、潤
滑、帯電防止作用を有する）としては、例えば下記の化
３３〜化３５に示す材料が挙げられる。 【００６９】・リン酸エステル化型アニオン界面活性剤 【化３３】 【００７０】 【化３４】 【００７１】・亜リン酸トリエステル型非イオン界面活
性剤 【化３５】 【００７２】また可塑剤としては、例えば下記の化３６
〜化３７に示す材料が挙げられる。 【００７３】・リン酸クレジルジフェニル 【化３６】 【００７４】・フェノール、クレゾールペンタデカンス
ルホネート 【化３７】 【００７５】以上の（１）〜（５）の各材料を用途に応
じて、その種類と割合を適切に選定して、紫外線硬化樹
脂を合成することができる。 【００７６】 【発明の効果】上述したように本発明によれば、紫外線
硬化樹脂層のイオウ及びリンの含有量に着目して、イオ
ウ化合物を２０ｐｐｍ以下、リン化合物を３２ｐｐｍ以
下とすることによって、格段に腐食を防止することがで
き、これによりビットエラーの低減化をはかって再生特
性の向上をはかり、信頼性の向上及び寿命の長期化をは
かることができる。
膜の上に紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）が設けられた各
種の光ディスク、例えば反射光のカー回転角の変化によ
り再生が行われるいわゆる光磁気ディスクに係わる。 【０００２】 【従来の技術】垂直磁化膜より成る記録層の磁化の向き
を、カー回転角の変化によって読み出すいわゆる光磁気
ディスクにおいては、ディスク状基板の上に記録層やＡ
ｌ等の反射層が設けられ、これら記録層及び反射層が腐
蝕することを防止するために、その上にＵＶレジンが被
覆された構造を採っている。 【０００３】一例として現在広く使用されている５．２
５インチの光磁気ディスクの略線的拡大断面図を図１に
示す。この場合、ポリカーボネイト（ＰＣ）等より成る
透明基板１の上に、厚さ例えば１１０ｎｍのＳｉＮ等よ
り成る保護層２、厚さ例えば２３ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ合金等より成る記録層３、厚さ４０ｎｍ程度のＳｉＮ
等より成る保護層４、厚さ６０ｎｍ程度のＡｌ等より成
る反射層５がスパッタリング等により成膜されて成る。 【０００４】そしてこの上に紫外線硬化樹脂層６が例え
ば厚さ５〜１０μｍとしてスピンコート等により塗布さ
れる。そして例えば、同様の構成をもって形成された他
のディスクを持ち来し、矢印ｈで示すように貼り合わせ
て両ディスクの紫外線硬化樹脂層が加熱溶融され、両面
ディスクとして構成される。 【０００５】ここで紫外線硬化樹脂は帯電防止及び傷付
き防止に有効であるが、その耐食性は十分でなく、特に
上述したような光磁気ディスクにおいては、その記録層
を構成する希土類元素Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等が非常
に腐蝕を受けやすく、ＳｉＮ等の保護膜を設けても、そ
の固有の内部応力によって原子移動いわゆるストレスマ
イグレーションが生じ、腐蝕を惹き起こすという問題が
ある。 【０００６】また、上述したように貼り合わせを行うこ
となく、例えば３．５インチ径の単板で構成されるディ
スクにおいては紫外線硬化樹脂が比較的厚く塗布される
ためこれまで以上の信頼性が要求され、またミニディス
ク（ＭＤ）等の種々の光ディスクにおいても同様の理由
により、紫外線硬化樹脂の耐食性の向上が望まれてい
る。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな光磁気ディスクの表面部に保護膜として設けられる
紫外線硬化樹脂の耐食性を向上させ、光磁気ディスクの
腐蝕を低減し、信頼性の向上及び寿命の長期化をはか
る。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明は、その一例を図
１の断面図に示すように、透明基板１上に、少なくとも
垂直磁化膜より成る記録層、Ａｌを主成分とした反射層
５を形成して、その上に紫外線硬化樹脂層６を被覆して
成る光磁気ディスクにおいて、この紫外線硬化樹脂層６
の構成材料中にイオウとリンとを含有させ、イオウ化合
物をイオウ換算で２０ｐｐｍ以下、リン化合物をリン換
算で３２ｐｐｍ以下として構成する。 【０００９】 【作用】本発明者等の鋭意考察研究の結果、光磁気ディ
スクの紫外線硬化樹脂層の構成材料中にイオウ及びリン
が同時に含有されている場合、イオウが２０ｐｐｍ、リ
ンが３２ｐｐｍを越えると腐蝕に大きく寄与し、更に水
分の存在により腐蝕が促進加速されることが判明した。 【００１０】光磁気ディスクの腐蝕は、光学顕微鏡で約
３０μｍφ程度のものが多く、また、層状に進行してい
る。腐蝕部をＥＰＭＡ（電子プローブＸ線マイクロアナ
ライザー）、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）、ＦＴ
−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）により分析すると、
Ａｌ及びＦｅ、Ｔｂ等の酸化物が確認され、従ってＡｌ
反射膜や記録膜が腐食していることがわかった。 【００１１】また、腐食部からはＳ（イオウ）、Ｐ（リ
ン）が認められるものが多く、更に深さ方向の濃度分析
からＵＶレジン内に原因物が存在することが考えられ
る。 【００１２】そこで本発明者等は、紫外線硬化樹脂層の
イオウ化合物及びリン化合物の含有量に特に着目して検
討を試みたところ、上述したようにイオウ化合物をイオ
ウ換算で２０ｐｐｍ以下、リン化合物の含有量をリン換
算で３２ｐｐｍ以下とすることによって腐食が格段に抑
えられた。 【００１３】そして本発明によれば、反射層及び記録層
の腐食を抑制したことから、光磁気ディスクの耐食性を
著しく向上させることができ、これによって光磁気ディ
スクの信頼性の向上及び寿命の長期化をはかることがで
きる。 【００１４】 【実施例】以下本発明実施例を詳細に説明する。この例
においては、前述の図１において説明した光磁気ディス
クに適用した場合を示す。 【００１５】即ちこの場合においても、ポリカーボネイ
ト（ＰＣ）等より成る透明基板１の上に、厚さ例えば１
１０ｎｍのＳｉＮ等より成る保護層２、厚さ例えば２３
ｎｍのＴｂＦｅＣｏＣｒ合金等より成る記録層３、厚さ
４０ｎｍ程度のＳｉＮ等より成る保護層４、厚さ６０ｎ
ｍ程度のＡｌ等より成る反射層５がスパッタリング等に
より成膜されて成る。 【００１６】この反射層５は、光ディスクにあたって照
射されるレーザ光の高効率反射及び熱拡散の働きをも
つ。 【００１７】そしてこの上に紫外線硬化樹脂層６が例え
ば厚さ５〜１０μｍとしてスピンコート等により塗布さ
れて、例えば、同様の構成をもって形成された他のディ
スクを持ち来し、矢印ｈで示すように貼り合わせて加熱
溶融され、両面ディスクとして構成される。 【００１８】ここで紫外線硬化樹脂層６の構成成分は、 （１）プレポリマー（光重合性オリゴマーで硬化物の基
本物性を与えるもの） （２）モノマー（光重合性多官能アクリレートである
が、プレポリマーの低粘度化、光開始剤の溶媒に使用） （３）光開始剤（紫外線を吸収してラジカルを生成し、
硬化反応の引き金となるもの） （４）増感剤（単独ではＵＶ照射によって活性化しない
が、光開始剤と一緒に使用することで反応時間の短縮等
の効果が得られるもの） （５）その他の助剤（着色剤、光安定剤、熱安定剤、可
塑剤、黄色防止剤、界面活性剤、等） から成っている。これらの成分中、特に助剤にイオウ、
リンを含有する化合物が多く含まれる。 【００１９】本実施例においては、イオウ、リンの添加
量を変化させた種々の紫外線硬化樹脂を用いて光ディス
クを作製し、カートリッジに装着した状態で耐食試験を
行った。 【００２０】ここで用いたイオウ化合物及びリン化合物
は、含有量（濃度）を確認するために、紫外線硬化樹脂
と有機溶媒に溶け、しかもイオン状態で安定な価数をと
る材料を選定した。 【００２１】下記の表１において用いた材料はそれぞ
れ、イオウとしては２価の化合物であるＣ7 Ｈ5 ＮＳ2
（２−メルカプトベンゾチアゾール）で、ゴムの加硫促
進剤や分析用試薬として用いられるもの、またリンとし
ては３価安定の（Ｃ6 Ｈ5 ）3Ｐ（トリフェニルホスフ
ィン）で重合開始剤として用いられる材料を含有させ
た。 【００２２】更に下記の表２においては、イオウとして
は６価安定のＣ12Ｈ25 ＮａＯ4 Ｓ（ラウリル硫酸ナト
リウム）の乳化剤、リンとしては５価の安定化合物の
（Ｃ6Ｈ5 Ｏ）3 ＰＯ（リン酸トリフェニル）で可塑剤
等に用いられる材料を含有させた。 【００２３】また、各化合物を添加した紫外線硬化樹脂
中のイオウ、リンの含有量の測定は、未硬化のもの１ｇ
をＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）１００ｍｌに溶
解し、ＩＣＰ（誘導結合高周波プラズマ）分光分析法に
て行った。その際、同一溶媒にて標準溶液及びブランク
溶液を作製し、測定波長はイオウが１８０．７３４ｎ
ｍ、リンが２１３．６１８ｎｍを使用した。また、本測
定におけるイオウの検出限界値は０．１６３ｐｐｍ、リ
ンは０．２０１ｐｐｍであり、上述の化合物添加量に対
する分析の感度は十分であった。 【００２４】そして含有量を測定した試料と同一のもの
をスピンコーティング法により塗布して７〜１０枚の光
ディスクをカートリッジに装着してそれぞれ作製し、恒
温層にて８０℃、相対湿度９０％Ｒｈ、１００時間保存
の腐食試験を行った。この後、光学顕微鏡及び目視にて
腐食数を平均値として算出した。 【００２５】 【表１】 【００２６】 【表２】 【００２７】これらの結果から、イオウ化合物が２５ｐ
ｐｍ以下、リン化合物が３５ｐｐｍ以下の場合に腐食発
生数を１．０個以下に低減できることがわかる。 【００２８】そしてこのような腐食発生数が１．０以下
程度に抑制された各光ディスクを再生装置に組み込んで
再生を行ったところ、ビットエラーが低く抑えられた。 【００２９】尚、本発明は上述の実施例に限定されるこ
となく、紫外線硬化樹脂の材料として種々の材料を用い
ることができる。 【００３０】先ず上述の（１）プレポリマーとしては、
例えば下記の化１〜化６に化学式を示す材料が挙げられ
る。 【００３１】・ポリエステルアクリレート 【化１】 （アジピン酸／１，６ヘキサンジオール／アクリル酸） 【００３２】 【化２】 （無水フタル酸／プロピレンオキサイド／アクリル酸） 【００３３】 【化３】 （トリメリット酸／ジエチレングリコール／アクリル
酸） 【００３４】・エポキシアクリレート 【化４】（ビスフェノールＡ−エピクロルヒドリン／アクリル
酸） 【００３５】 【化５】 （フェノールノボラック−エピクロルヒドリン／アクリ
ル酸） 【００３６】・ポリエステルウレタンアクリレート 【化６】 （トリレンジイソシアナート／ポリエステル／２−ヒド
ロキシエチルアクリレート） 【００３７】また、上述の（２）のモノマーとしては下
記の化７〜化１９に示す材料等が用いられる。 【００３８】・単官能 【化７】 （２−エチルヘキシルアクリレート、略号ＥＨＡ） 【００３９】 【化８】 （２−ヒドロキシエチルアクリレート、略号ＨＥＡ） 【００４０】 【化９】 （２−ヒドロキシプロピルアクリレート、略号ＨＰＡ） 【００４１】・二官能 【化１０】 （１，３−ブタンジオールジアクリレート、略号ＢＧＤ
Ａ） 【００４２】 【化１１】 （１，４−ブタンジオールジアクリレート、略号ＢＵＤ
Ａ） 【００４３】 【化１２】 （１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、略号ＨＤ
ＤＡ） 【００４４】 【化１３】 （ジエチレングリコールジアクリレート、略号ＤＥＧＤ
Ａ） 【００４５】 【化１４】 （ネオペンチルグリコールジアクリレート、略号ＮＰＧ
ＤＡ） 【００４６】 【化１５】 （ポリエチレングリコール４００ジアクリレート、略号
ＰＥＧ４００ＤＡ） 【００４７】 【化１６】 （ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコー
ルジアクリレート、略号ＨＰＮＤＡ） 【００４８】・三官能以上 【化１７】 （トリメチロールプロパントリアクリレート、略号ＴＭ
ＰＴＡ） 【００４９】 【化１８】 （ペンタエリスリトールトリアクリレート、略号ＰＥＴ
Ａ） 【００５０】 【化１９】 （ジペンタエリストールヘキサアクリレート、略号ＤＰ
ＨＡ） 【００５１】また、トリアリルイソシアヌレート等を用
いることもできる。 【００５２】更に、上述の（３）の光開始剤としては、
下記の化２０〜化２８に示す材料等を用いることができ
る。 【００５３】・アセトフェノン類 【化２０】 （ｐ−ｔｅｒｔブチルトリクロロアセトフェノン） 【００５４】 【化２１】 （２，２ジエトキシアセトフェノン、略号ＤＥＡＰ） 【００５５】・ベンゾフェノン 【化２２】 （ベンゾフェノン） 【００５６】・ミヒラーケトン（ミヒラースケトン） 【化２３】 （４，４ビスジメチルアミノベンゾフェノン） 【００５７】・ベンジル 【化２４】 （ベンジル） 【００５８】・ベンゾイン、ベンゾインエーテル 【化２５】 （ベンゾイン） 【００５９】 【化２６】 （ベンゾインメチルエーテル） 【００６０】・ベンジルジメチルケタール 【化２７】 （ベンジルジメチルケタール） 【００６１】・チオキサントン類 【化２８】 （２クロロチオキサントン、略号ＣＴＸ） 【００６２】また上述の（４）の増感剤としては例えば
下記の各材料が用いられる。 ・ｎ−ブチルアミン ・ジ−ｎ−ブチルアミン ・トリエチルアミン ・ジエチルアミノエチルメタクリレート 【００６３】更にまた、上述の（５）の助剤としては、
使用目的及びその性能に応じて非常に多岐に渡る材料が
用いられるが、ここではイオウ、リンの含有例を示す。 【００６４】先ず光安定剤としては例えば下記の化２９
〜化３１に示す各材料が挙げられる。 【化２９】 （ニッケルジブチルジチオカーバメート） 【００６５】 【化３０】 （２−ヒドロキシ−４メトキシ−５スルホキシベンゾフ
ェノン） 【００６６】 【化３１】 （３、５−ジ−ｔブチル４−ヒドロキシベンジルリン酸
モノエチレートニッケル錯塩） 【００６７】また帯電防止剤としては下記の各材料等が
挙げられる。 ・アルキルスルホネート（ＲＳＯ3 Ｍ） ・アルキルサルフェート（ＲＯＳＯ3 Ｍ） ・リン酸エステル塩 【化３２】 【００６８】また更に、界面活性剤（分散、湿潤、潤
滑、帯電防止作用を有する）としては、例えば下記の化
３３〜化３５に示す材料が挙げられる。 【００６９】・リン酸エステル化型アニオン界面活性剤 【化３３】 【００７０】 【化３４】 【００７１】・亜リン酸トリエステル型非イオン界面活
性剤 【化３５】 【００７２】また可塑剤としては、例えば下記の化３６
〜化３７に示す材料が挙げられる。 【００７３】・リン酸クレジルジフェニル 【化３６】 【００７４】・フェノール、クレゾールペンタデカンス
ルホネート 【化３７】 【００７５】以上の（１）〜（５）の各材料を用途に応
じて、その種類と割合を適切に選定して、紫外線硬化樹
脂を合成することができる。 【００７６】 【発明の効果】上述したように本発明によれば、紫外線
硬化樹脂層のイオウ及びリンの含有量に着目して、イオ
ウ化合物を２０ｐｐｍ以下、リン化合物を３２ｐｐｍ以
下とすることによって、格段に腐食を防止することがで
き、これによりビットエラーの低減化をはかって再生特
性の向上をはかり、信頼性の向上及び寿命の長期化をは
かることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光ディスクの一例の要部の略線的拡大断面図で
ある。 【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 保護層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層 ６ 紫外線硬化樹脂層
ある。 【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 保護層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層 ６ 紫外線硬化樹脂層
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−170738（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−356742（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−128611（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−84217（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−334746（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−257933（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−271939（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−53241（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−184638（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/10 - 11/105
G11B 7/24
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 透明基板上に、少なくとも垂直磁化膜よ
り成る記録層、Ａｌを主成分とした反射層が形成され、
その上に紫外線硬化樹脂層が被覆されて成る光磁気ディ
スクにおいて、 上記紫外線硬化樹脂層の構成材料中にイオウとリンが含
有されて成り、 イオウ化合物がイオウ換算で２０ｐｐｍ以下、 リン化合物がリン換算で３２ｐｐｍ以下とされて成るこ
とを特徴とする光磁気ディスク。
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|---|---|---|---|
| JP18032893A JP3520528B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18032893A JP3520528B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光磁気ディスク |
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ID=16081296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18032893A Expired - Fee Related JP3520528B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 光磁気ディスク |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3520528B2 (ja) |
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1993
- 1993-07-21 JP JP18032893A patent/JP3520528B2/ja not_active Expired - Fee Related
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