JP3518185B2 - 突起電極の構造及びその形成方法 - Google Patents
突起電極の構造及びその形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は突起電極の構造及
びその形成方法に関し、特に、はんだ等の低融点金属か
らなるほぼ球状の突起電極の構造及びその形成方法に関
する。
びその形成方法に関し、特に、はんだ等の低融点金属か
らなるほぼ球状の突起電極の構造及びその形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えばフリップチップ方式と呼ばれる半
導体チップの実装技術では、半導体チップの接続パッド
上に形成されたはんだ等の低融点金属からなるほぼ球状
の突起電極を回路基板上に形成された接続パッド上に載
置し、熱処理を行うことによりはんだをリフロー(reflo
w)してボンディングを行っている。したがって、半導体
チップにははんだ等の低融点金属からなるほぼ球状の突
起電極を形成する必要がある。
導体チップの実装技術では、半導体チップの接続パッド
上に形成されたはんだ等の低融点金属からなるほぼ球状
の突起電極を回路基板上に形成された接続パッド上に載
置し、熱処理を行うことによりはんだをリフロー(reflo
w)してボンディングを行っている。したがって、半導体
チップにははんだ等の低融点金属からなるほぼ球状の突
起電極を形成する必要がある。
【０００３】次に、従来のこのような突起電極の形成方
法について図１０を参照しながら説明する。まず、図１
０（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に接続パッド
２が形成され、その上面において接続パッド２の中央部
を除く部分に保護膜３が被覆され、接続パッド２の中央
部が保護膜３に形成された開口部４を介して露出された
ものを用意する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、上
面全体に下地金属層５を形成する。次に、下地金属層５
の上面において接続パッド２に対応する部分を除く部分
にメッキレジスト層６を形成する。したがって、この状
態では、接続パッド２に対応する部分におけるメッキレ
ジスト層６には平面円形の開口部７が形成されている。
法について図１０を参照しながら説明する。まず、図１
０（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に接続パッド
２が形成され、その上面において接続パッド２の中央部
を除く部分に保護膜３が被覆され、接続パッド２の中央
部が保護膜３に形成された開口部４を介して露出された
ものを用意する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、上
面全体に下地金属層５を形成する。次に、下地金属層５
の上面において接続パッド２に対応する部分を除く部分
にメッキレジスト層６を形成する。したがって、この状
態では、接続パッド２に対応する部分におけるメッキレ
ジスト層６には平面円形の開口部７が形成されている。
【０００４】次に、下地金属層５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層６の開口部７内の下地金属層５の上面にはんだからな
る突起電極８を形成する。この場合、メッキレジスト層
６上においてはんだメッキが等方的に堆積される。この
ため、この段階における突起電極８の形状はきのこ形状
となる。この段階において突起電極８の形状をきのこ形
状とするのは、メッキレジスト層６の膜厚に限界があ
り、その上限が例えば５０μｍ程度であっても、後で説
明する最終的な突起電極の高さをより高くするためであ
る。次に、メッキレジスト層６を剥離する。次に、突起
電極８をマスクとして下地金属層５の不要な部分をエッ
チングして除去すると、図１０（Ｃ）に示すように、突
起電極８下にのみ下地金属層５が残存される。次に、図
１０（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状
の突起電極８が溶融した後表面張力により丸まってほぼ
球状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状
の突起電極８ａが形成される。
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層６の開口部７内の下地金属層５の上面にはんだからな
る突起電極８を形成する。この場合、メッキレジスト層
６上においてはんだメッキが等方的に堆積される。この
ため、この段階における突起電極８の形状はきのこ形状
となる。この段階において突起電極８の形状をきのこ形
状とするのは、メッキレジスト層６の膜厚に限界があ
り、その上限が例えば５０μｍ程度であっても、後で説
明する最終的な突起電極の高さをより高くするためであ
る。次に、メッキレジスト層６を剥離する。次に、突起
電極８をマスクとして下地金属層５の不要な部分をエッ
チングして除去すると、図１０（Ｃ）に示すように、突
起電極８下にのみ下地金属層５が残存される。次に、図
１０（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状
の突起電極８が溶融した後表面張力により丸まってほぼ
球状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状
の突起電極８ａが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような突起電極の形成方法では、メッキレジスト層
６を剥離するとき、きのこ形状の突起電極８の傘の部分
の下に存在するメッキレジスト層６を完全に除去しきれ
ない場合が生じることがある。また、きのこ形状の突起
電極８をマスクとして下地金属層５の不要な部分をエッ
チングして除去するとき、きのこ形状の突起電極８の傘
の部分の下に存在する下地金属層５を完全に除去しきれ
ない場合が生じることがある。このような場合には、き
のこ形状の突起電極８下に残存される下地金属層５の平
面形状が所期の形状（円形）と異なることになる。この
結果、熱処理を行うとき、きのこ形状の突起電極８の溶
融により生じた溶融はんだが、平面形状が所期の形状
（円形）と異なる下地金属層５との接触面を基本底面と
して、表面張力により丸まり、このため熱処理後の突起
電極８ａの形状がいびつな形状となり、ひいては突起電
極８ａの高さが不均一になるという問題があった。ま
た、ほぼ球状の突起電極８ａの高さをより高くしようと
すると、きのこ形状の突起電極８の傘の部分の広がりが
より大きくなり、上記問題がより一層顕著となるほか
に、ショートを防止するために隣接する突起電極８間の
間隔を広げる必要があり、ひいてはファインピッチ化が
困難になるという問題があった。さらに、図１０（Ｄ）
に示すように、一旦溶融した後固化した突起電極８ａの
下部外周部が下地金属層５と保護膜３との境界部に位置
することになる。ところで、突起電極８ａが高融点はん
だによって形成されている場合、突起電極８ａをその表
面に被覆された低融点（共晶）はんだを介して回路基板
の接続パッドに接合することがある。このとき、下地金
属層５自体の界面（すなわち、下地金属層５が拡散防止
層と接着層との積層構造である場合、拡散防止層と接着
層との界面）あるいは下地金属層５と接続パッド２との
界面に、低融点はんだが拡散し、これら界面の接合強度
が低下し、これら界面で剥離が生じることがあるという
問題があった。このような問題は、突起電極８ａが低融
点はんだやＰｂ（鉛）レスはんだ等によって形成されて
いる場合も同様であった。この発明の課題は、突起電極
の形状がいびつな形状とならないようにすることがで
き、また突起電極の高さをより高くしてもファインピッ
チ化を図ることができ、さらに下地金属層自体の界面等
に低融点はんだが拡散しないようにすることができるよ
うにすることである。
このような突起電極の形成方法では、メッキレジスト層
６を剥離するとき、きのこ形状の突起電極８の傘の部分
の下に存在するメッキレジスト層６を完全に除去しきれ
ない場合が生じることがある。また、きのこ形状の突起
電極８をマスクとして下地金属層５の不要な部分をエッ
チングして除去するとき、きのこ形状の突起電極８の傘
の部分の下に存在する下地金属層５を完全に除去しきれ
ない場合が生じることがある。このような場合には、き
のこ形状の突起電極８下に残存される下地金属層５の平
面形状が所期の形状（円形）と異なることになる。この
結果、熱処理を行うとき、きのこ形状の突起電極８の溶
融により生じた溶融はんだが、平面形状が所期の形状
（円形）と異なる下地金属層５との接触面を基本底面と
して、表面張力により丸まり、このため熱処理後の突起
電極８ａの形状がいびつな形状となり、ひいては突起電
極８ａの高さが不均一になるという問題があった。ま
た、ほぼ球状の突起電極８ａの高さをより高くしようと
すると、きのこ形状の突起電極８の傘の部分の広がりが
より大きくなり、上記問題がより一層顕著となるほか
に、ショートを防止するために隣接する突起電極８間の
間隔を広げる必要があり、ひいてはファインピッチ化が
困難になるという問題があった。さらに、図１０（Ｄ）
に示すように、一旦溶融した後固化した突起電極８ａの
下部外周部が下地金属層５と保護膜３との境界部に位置
することになる。ところで、突起電極８ａが高融点はん
だによって形成されている場合、突起電極８ａをその表
面に被覆された低融点（共晶）はんだを介して回路基板
の接続パッドに接合することがある。このとき、下地金
属層５自体の界面（すなわち、下地金属層５が拡散防止
層と接着層との積層構造である場合、拡散防止層と接着
層との界面）あるいは下地金属層５と接続パッド２との
界面に、低融点はんだが拡散し、これら界面の接合強度
が低下し、これら界面で剥離が生じることがあるという
問題があった。このような問題は、突起電極８ａが低融
点はんだやＰｂ（鉛）レスはんだ等によって形成されて
いる場合も同様であった。この発明の課題は、突起電極
の形状がいびつな形状とならないようにすることがで
き、また突起電極の高さをより高くしてもファインピッ
チ化を図ることができ、さらに下地金属層自体の界面等
に低融点はんだが拡散しないようにすることができるよ
うにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に接
続パッドが形成され、その上面に前記接続パッドの所定
の一部に対応する部分に開口部を有する保護膜が形成さ
れ、これにより前記接続パッドの所定の一部が前記保護
膜の開口部を介して露出されたものにおいて、所定の個
所に前記保護膜の開口部よりも小さい開口部を有する絶
縁膜を形成し、該絶縁膜の開口部を介して露出された例
えば下地金属層の露出部上に低融点金属からなるほぼ球
状の突起電極を形成するようにしたものである。
続パッドが形成され、その上面に前記接続パッドの所定
の一部に対応する部分に開口部を有する保護膜が形成さ
れ、これにより前記接続パッドの所定の一部が前記保護
膜の開口部を介して露出されたものにおいて、所定の個
所に前記保護膜の開口部よりも小さい開口部を有する絶
縁膜を形成し、該絶縁膜の開口部を介して露出された例
えば下地金属層の露出部上に低融点金属からなるほぼ球
状の突起電極を形成するようにしたものである。
【０００７】この発明によれば、例えばきのこ形状の突
起電極の溶融により生じた溶融はんだが、例えば下地金
属層のうち絶縁膜の開口部を介して露出された露出部と
の接触面を基本底面として、表面張力により丸まること
になり、これにより突起電極の形状がいびつな形状とな
らないようにすることができ、また突起電極の高さをよ
り高くしてもファインピッチ化を図ることができ、さら
に下地金属層自体の界面等に低融点はんだが拡散しない
ようにすることができる。
起電極の溶融により生じた溶融はんだが、例えば下地金
属層のうち絶縁膜の開口部を介して露出された露出部と
の接触面を基本底面として、表面張力により丸まること
になり、これにより突起電極の形状がいびつな形状とな
らないようにすることができ、また突起電極の高さをよ
り高くしてもファインピッチ化を図ることができ、さら
に下地金属層自体の界面等に低融点はんだが拡散しない
ようにすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこ
の発明の第１実施形態における突起電極の各形成工程を
示したものである。そこで、これらの図を順に参照しな
がら、この第１実施形態の突起電極の構造及びその形成
方法について説明する。
の発明の第１実施形態における突起電極の各形成工程を
示したものである。そこで、これらの図を順に参照しな
がら、この第１実施形態の突起電極の構造及びその形成
方法について説明する。
【０００９】まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン
基板１１上に接続パッド１２が形成され、その上面にお
いて接続パッド１２の中央部を除く部分に保護膜１３が
被覆され、接続パッド１２の中央部が保護膜１３に形成
された開口部１４を介して露出されたものを用意する。
次に、図１（Ｂ）に示すように、上面全体に下地金属層
１５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保護膜１
３の開口部１４を介して露出された露出部上及び該露出
部の周囲に位置する保護膜１３上における下地金属層１
５の上面にポリイミドからなる絶縁膜１６を形成すると
ともに、この絶縁膜１６において保護膜１３の開口部１
４の中央部に対応する部分に該開口部１４よりも小さい
開口部１７を形成する。この場合、上面全体にポリイミ
ド膜をスピンコートにより形成した後、フォトリソグラ
フィにより開口部１７を有する絶縁膜１６を形成する。
あるいは、開口部１７を有する絶縁膜１６を印刷により
直接形成する。絶縁膜１６の外形は、図２に示すような
円形であってもよく、また図３に示すような正方形等の
多角形であってもよい。一方、開口部１７は、後で説明
する理由から、円形とした方が望ましい。また、絶縁膜
１６の材質であるポリイミドは感光性、非感光性のいず
れであってもよい。また、絶縁膜１６の材質は、ポリイ
ミドに限らず、シラノール系樹脂等の他の樹脂であって
もよく、また窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材で
あってもよい。
基板１１上に接続パッド１２が形成され、その上面にお
いて接続パッド１２の中央部を除く部分に保護膜１３が
被覆され、接続パッド１２の中央部が保護膜１３に形成
された開口部１４を介して露出されたものを用意する。
次に、図１（Ｂ）に示すように、上面全体に下地金属層
１５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保護膜１
３の開口部１４を介して露出された露出部上及び該露出
部の周囲に位置する保護膜１３上における下地金属層１
５の上面にポリイミドからなる絶縁膜１６を形成すると
ともに、この絶縁膜１６において保護膜１３の開口部１
４の中央部に対応する部分に該開口部１４よりも小さい
開口部１７を形成する。この場合、上面全体にポリイミ
ド膜をスピンコートにより形成した後、フォトリソグラ
フィにより開口部１７を有する絶縁膜１６を形成する。
あるいは、開口部１７を有する絶縁膜１６を印刷により
直接形成する。絶縁膜１６の外形は、図２に示すような
円形であってもよく、また図３に示すような正方形等の
多角形であってもよい。一方、開口部１７は、後で説明
する理由から、円形とした方が望ましい。また、絶縁膜
１６の材質であるポリイミドは感光性、非感光性のいず
れであってもよい。また、絶縁膜１６の材質は、ポリイ
ミドに限らず、シラノール系樹脂等の他の樹脂であって
もよく、また窒化シリコンや酸化シリコン等の無機材で
あってもよい。
【００１０】次に、絶縁膜１６の周辺部の上面及び該周
辺部の外側に位置する下地金属層１５の上面にメッキレ
ジスト層１８を形成する。したがって、この状態では、
絶縁膜１６の周辺部から内側の部分に対応する部分にお
けるメッキレジスト層１８には円形の開口部１９が形成
されている。次に、下地金属層１５をメッキ電流路とし
てはんだ（低融点金属）の電解メッキを行うことによ
り、メッキレジスト層１８の開口部１９内の下地金属層
１５及び絶縁膜１６の上面にはんだからなる突起電極１
９を形成する。この場合、メッキレジスト層１８上にお
いてはんだメッキが等方的に堆積される。このため、こ
の段階における突起電極２０の形状はきのこ形状とな
る。次に、メッキレジスト層１８を剥離する。このと
き、きのこ形状の突起電極２０の傘の部分の下に存在す
るメッキレジスト層１８を完全に除去しきれない場合が
生じても、後で説明するように問題はない。
辺部の外側に位置する下地金属層１５の上面にメッキレ
ジスト層１８を形成する。したがって、この状態では、
絶縁膜１６の周辺部から内側の部分に対応する部分にお
けるメッキレジスト層１８には円形の開口部１９が形成
されている。次に、下地金属層１５をメッキ電流路とし
てはんだ（低融点金属）の電解メッキを行うことによ
り、メッキレジスト層１８の開口部１９内の下地金属層
１５及び絶縁膜１６の上面にはんだからなる突起電極１
９を形成する。この場合、メッキレジスト層１８上にお
いてはんだメッキが等方的に堆積される。このため、こ
の段階における突起電極２０の形状はきのこ形状とな
る。次に、メッキレジスト層１８を剥離する。このと
き、きのこ形状の突起電極２０の傘の部分の下に存在す
るメッキレジスト層１８を完全に除去しきれない場合が
生じても、後で説明するように問題はない。
【００１１】次に、突起電極２０及び絶縁膜１６をマス
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図１（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。こ
のとき、きのこ形状の突起電極２０の傘の部分の下に存
在する下地金属層１５を完全に除去しきれない場合が生
じても、後で説明するように問題はない。次に、図１
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状の突
起電極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球
状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の
突起電極２０ａが形成される。
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図１（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。こ
のとき、きのこ形状の突起電極２０の傘の部分の下に存
在する下地金属層１５を完全に除去しきれない場合が生
じても、後で説明するように問題はない。次に、図１
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状の突
起電極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球
状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の
突起電極２０ａが形成される。
【００１２】ところで、図１（Ｂ）に示すように、メッ
キレジスト層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び
絶縁膜１６の上面に突起電極２０を形成しているので、
図１（Ｃ）に示す工程を経た後熱処理を行うとき、きの
こ形状の突起電極２０の溶融により生じた溶融はんだ
が、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介
して露出された露出部１５ａとの接触面を基本底面とし
て、表面張力により丸まることになる。すなわち、例え
ばポリイミドからなる絶縁膜１６ははんだとの濡れ性が
悪いので、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１
７を介して露出された露出部１５ａとの接触面のみが溶
融はんだが丸まるための基本底面となる。このように、
下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介して
露出された露出部１５ａとの接触面が溶融はんだが丸ま
るための基本底面となるので、絶縁膜１６の周囲に下地
金属層１５が不要に残存していても、この不要に残存す
る下地金属層１５を無視することができる。したがっ
て、メッキレジスト層１８を剥離するとき、きのこ形状
の突起電極２０の傘の部分の下に存在するメッキレジス
ト層１８を完全に除去しきれない場合が生じても、別に
問題はない。また、きのこ形状の突起電極２０及び絶縁
膜１６をマスクとして下地金属層１５の不要な部分をエ
ッチングして除去するとき、きのこ形状の突起電極２０
の傘の部分の下に存在する下地金属層１５を完全に除去
しきれない場合が生じても、別に問題はない。さらに、
きのこ形状の突起電極２０及び絶縁膜１６をマスクとし
て下地金属層１５の不要な部分をエッチングして除去す
るとき、オーバーエッチングにより、きのこ形状の突起
電極２０及び絶縁膜１６下に残存される下地金属層１５
にある程度のサイドエッチングが生じても、これまた別
に問題はない。以上の結果、熱処理後の突起電極２０ａ
の形状がいびつな形状とならないようにすることがで
き、ひいては突起電極２０ａの高さを均一にすることが
できる。
キレジスト層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び
絶縁膜１６の上面に突起電極２０を形成しているので、
図１（Ｃ）に示す工程を経た後熱処理を行うとき、きの
こ形状の突起電極２０の溶融により生じた溶融はんだ
が、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介
して露出された露出部１５ａとの接触面を基本底面とし
て、表面張力により丸まることになる。すなわち、例え
ばポリイミドからなる絶縁膜１６ははんだとの濡れ性が
悪いので、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１
７を介して露出された露出部１５ａとの接触面のみが溶
融はんだが丸まるための基本底面となる。このように、
下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介して
露出された露出部１５ａとの接触面が溶融はんだが丸ま
るための基本底面となるので、絶縁膜１６の周囲に下地
金属層１５が不要に残存していても、この不要に残存す
る下地金属層１５を無視することができる。したがっ
て、メッキレジスト層１８を剥離するとき、きのこ形状
の突起電極２０の傘の部分の下に存在するメッキレジス
ト層１８を完全に除去しきれない場合が生じても、別に
問題はない。また、きのこ形状の突起電極２０及び絶縁
膜１６をマスクとして下地金属層１５の不要な部分をエ
ッチングして除去するとき、きのこ形状の突起電極２０
の傘の部分の下に存在する下地金属層１５を完全に除去
しきれない場合が生じても、別に問題はない。さらに、
きのこ形状の突起電極２０及び絶縁膜１６をマスクとし
て下地金属層１５の不要な部分をエッチングして除去す
るとき、オーバーエッチングにより、きのこ形状の突起
電極２０及び絶縁膜１６下に残存される下地金属層１５
にある程度のサイドエッチングが生じても、これまた別
に問題はない。以上の結果、熱処理後の突起電極２０ａ
の形状がいびつな形状とならないようにすることがで
き、ひいては突起電極２０ａの高さを均一にすることが
できる。
【００１３】また、熱処理時に溶融はんだが絶縁膜１６
の上面から流れ出ることはないので、図１（Ｄ）に示す
ように、熱処理後の突起電極２０ａは下地金属層１５の
うち絶縁膜１６の開口部１７を介して露出された露出部
１５ａ上及び該露出部１５ａの周囲に位置する絶縁膜１
６上に形成されることになる。この結果、突起電極２０
ａを図示しない回路基板の接続パッドに接合するとき、
突起電極２０ａの表面に被覆された低融点はんだを介し
て接合しても、下地金属層１５自体の界面あるいは下地
金属層１５と接続パッド１２との界面に低融点はんだが
拡散しないようにすることができる。したがって、これ
ら界面の接合強度が低下しないようにすることができ、
ひいてはこれら界面で剥離が生じないようにすることが
できる。
の上面から流れ出ることはないので、図１（Ｄ）に示す
ように、熱処理後の突起電極２０ａは下地金属層１５の
うち絶縁膜１６の開口部１７を介して露出された露出部
１５ａ上及び該露出部１５ａの周囲に位置する絶縁膜１
６上に形成されることになる。この結果、突起電極２０
ａを図示しない回路基板の接続パッドに接合するとき、
突起電極２０ａの表面に被覆された低融点はんだを介し
て接合しても、下地金属層１５自体の界面あるいは下地
金属層１５と接続パッド１２との界面に低融点はんだが
拡散しないようにすることができる。したがって、これ
ら界面の接合強度が低下しないようにすることができ、
ひいてはこれら界面で剥離が生じないようにすることが
できる。
【００１４】さらに、溶融はんだを丸めるための基本底
面が絶縁膜１６の開口部１７と同じ形状であって保護膜
１３の開口部１４よりも小さいので、図１（Ｄ）に示す
ように、図１０（Ｄ）に示す従来の場合と比較して、突
起電極２０がより一層球状となり、ひいては突起電極２
０の高さをより高くすることができる。したがって、突
起電極２０の高さをより高くしても、ファインピッチ化
を図ることができる。また、絶縁膜１６の開口部１７の
開口面積を変えると、突起電極２０の高さを変えること
ができる。さらに、保護膜１３の開口部１４の平面形状
が例えば正方形であっても、絶縁膜１６の開口部１７の
平面形状を円形とすることにより、溶融はんだを丸める
ための基本底面を円形とすることができる。
面が絶縁膜１６の開口部１７と同じ形状であって保護膜
１３の開口部１４よりも小さいので、図１（Ｄ）に示す
ように、図１０（Ｄ）に示す従来の場合と比較して、突
起電極２０がより一層球状となり、ひいては突起電極２
０の高さをより高くすることができる。したがって、突
起電極２０の高さをより高くしても、ファインピッチ化
を図ることができる。また、絶縁膜１６の開口部１７の
開口面積を変えると、突起電極２０の高さを変えること
ができる。さらに、保護膜１３の開口部１４の平面形状
が例えば正方形であっても、絶縁膜１６の開口部１７の
平面形状を円形とすることにより、溶融はんだを丸める
ための基本底面を円形とすることができる。
【００１５】ところで、図１（Ｂ）に示す状態におい
て、絶縁膜１６の外形をある程度大きくするとともに、
メッキレジスト層１８の開口部１９の大きさをある程度
大きくすると、メッキレジスト層１８の開口部１９内に
堆積されるはんだの体積をある程度大きくすることがで
きる。この結果、この場合のきのこ形状の突起電極の体
積を図１（Ｂ）に示す場合と同じとなるようにすると、
きのこの傘の部分の高さを低くすることができ、ひいて
はメッキ処理時間を短縮することができる。
て、絶縁膜１６の外形をある程度大きくするとともに、
メッキレジスト層１８の開口部１９の大きさをある程度
大きくすると、メッキレジスト層１８の開口部１９内に
堆積されるはんだの体積をある程度大きくすることがで
きる。この結果、この場合のきのこ形状の突起電極の体
積を図１（Ｂ）に示す場合と同じとなるようにすると、
きのこの傘の部分の高さを低くすることができ、ひいて
はメッキ処理時間を短縮することができる。
【００１６】次に、図４（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの
発明の第２実施形態における突起電極の各形成工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この第２実施形態の突起電極の構造及びその形成方
法について説明する。なお、図４（Ａ）は図１（Ａ）と
同じであるので、同一部分には同一の符号を付して、そ
の説明を省略する。
発明の第２実施形態における突起電極の各形成工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この第２実施形態の突起電極の構造及びその形成方
法について説明する。なお、図４（Ａ）は図１（Ａ）と
同じであるので、同一部分には同一の符号を付して、そ
の説明を省略する。
【００１７】さて、図４（Ａ）に示すものを用意した
ら、図４（Ｂ）に示すように、上面全体に下地金属層１
５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保護膜１３
の開口部１４を介して露出された露出部上及び該露出部
の周囲に位置する保護膜１３上における下地金属層１５
の上面に絶縁膜１６を形成するとともに、この絶縁膜１
６において保護膜１３の開口部１４の中央部に対応する
部分に該開口部１４よりも小さい円形の開口部１７を形
成する。この場合、絶縁膜１６の外形を、図１（Ｂ）に
示す絶縁膜１６の外形よりも所定の量だけ大きくする。
一方、開口部１７の大きさは、図１（Ｂ）に示す開口部
１７の大きさと同じとする。
ら、図４（Ｂ）に示すように、上面全体に下地金属層１
５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保護膜１３
の開口部１４を介して露出された露出部上及び該露出部
の周囲に位置する保護膜１３上における下地金属層１５
の上面に絶縁膜１６を形成するとともに、この絶縁膜１
６において保護膜１３の開口部１４の中央部に対応する
部分に該開口部１４よりも小さい円形の開口部１７を形
成する。この場合、絶縁膜１６の外形を、図１（Ｂ）に
示す絶縁膜１６の外形よりも所定の量だけ大きくする。
一方、開口部１７の大きさは、図１（Ｂ）に示す開口部
１７の大きさと同じとする。
【００１８】次に、絶縁膜１６の周辺部の上面及び該周
辺部の外側に位置する下地金属層１５の上面にメッキレ
ジスト層１８を形成する。したがって、この状態では、
絶縁膜１６の周辺部から内側の部分に対応する部分にお
けるメッキレジスト層１８には円形の開口部１９が形成
されている。この場合、開口部１９の大きさを、図１
（Ｂ）に示す開口部１９の大きさよりも所定の量だけ大
きくする。次に、下地金属層１５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び絶縁膜１６
の上面にはんだからなる突起電極２０を形成する。この
場合、メッキレジスト層１８の開口部１９内にのみ突起
電極２０を形成する。このため、この段階における突起
電極２０の形状は柱形状となる。次に、メッキレジスト
層１８を剥離する。この場合、この段階における突起電
極２０の形状が柱形状となっているので、メッキレジス
ト層１８を完全に且つ容易に除去することができる。
辺部の外側に位置する下地金属層１５の上面にメッキレ
ジスト層１８を形成する。したがって、この状態では、
絶縁膜１６の周辺部から内側の部分に対応する部分にお
けるメッキレジスト層１８には円形の開口部１９が形成
されている。この場合、開口部１９の大きさを、図１
（Ｂ）に示す開口部１９の大きさよりも所定の量だけ大
きくする。次に、下地金属層１５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び絶縁膜１６
の上面にはんだからなる突起電極２０を形成する。この
場合、メッキレジスト層１８の開口部１９内にのみ突起
電極２０を形成する。このため、この段階における突起
電極２０の形状は柱形状となる。次に、メッキレジスト
層１８を剥離する。この場合、この段階における突起電
極２０の形状が柱形状となっているので、メッキレジス
ト層１８を完全に且つ容易に除去することができる。
【００１９】次に、突起電極２０及び絶縁膜１６をマス
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図４（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。こ
の場合も、この段階における突起電極２０の形状が柱形
状となっているので、下地金属層１５の不要な部分を完
全に且つ容易に除去することができる。次に、図４
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、柱形状の突起電
極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球状と
なり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の突起
電極２０ａが形成される。この場合、上述したように、
メッキレジスト層１８及び下地金属層１５の不要な部分
を完全に且つ容易に除去することができるので、熱処理
後の突起電極２０ａの形状がいびつな形状とならないよ
うにすることができ、ひいては突起電極２０ａの高さを
均一にすることができる。
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図４（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。こ
の場合も、この段階における突起電極２０の形状が柱形
状となっているので、下地金属層１５の不要な部分を完
全に且つ容易に除去することができる。次に、図４
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、柱形状の突起電
極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球状と
なり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の突起
電極２０ａが形成される。この場合、上述したように、
メッキレジスト層１８及び下地金属層１５の不要な部分
を完全に且つ容易に除去することができるので、熱処理
後の突起電極２０ａの形状がいびつな形状とならないよ
うにすることができ、ひいては突起電極２０ａの高さを
均一にすることができる。
【００２０】ところで、この第２実施形態の場合も、熱
処理時に溶融はんだが絶縁膜１６の上面から流れ出るこ
とはないので、熱処理後の突起電極２０ａは下地金属層
１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介して露出された
露出部１５ａ上及び該露出部１５ａの周囲に位置する絶
縁膜１６上に形成されることになる。したがって、下地
金属層１５自体の界面等の接合強度が低下しないように
することができ、ひいては該界面で剥離が生じないよう
にすることができる。また、熱処理後の突起電極２０ａ
の高さは、図４（Ｂ）に示す状態における突起電極２０
の体積を図１（Ｂ）に示す状態における突起電極２０の
体積と同じとなるようにすると、図１（Ｄ）に示す突起
電極２０ａの高さと同じとすることができる。
処理時に溶融はんだが絶縁膜１６の上面から流れ出るこ
とはないので、熱処理後の突起電極２０ａは下地金属層
１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介して露出された
露出部１５ａ上及び該露出部１５ａの周囲に位置する絶
縁膜１６上に形成されることになる。したがって、下地
金属層１５自体の界面等の接合強度が低下しないように
することができ、ひいては該界面で剥離が生じないよう
にすることができる。また、熱処理後の突起電極２０ａ
の高さは、図４（Ｂ）に示す状態における突起電極２０
の体積を図１（Ｂ）に示す状態における突起電極２０の
体積と同じとなるようにすると、図１（Ｄ）に示す突起
電極２０ａの高さと同じとすることができる。
【００２１】次に、この第２実施形態の場合における突
起電極２０ａの高さの具体例について説明する。図５
（Ａ）に示すように、シリコン基板１１上に形成された
下地金属層１５の上面の所定の個所にポリイミドからな
る膜厚２〜３μｍ程度の絶縁膜１６を形成する。この場
合、図示していないが、接続パッドの寸法が１００×１
００μｍであるとすると、絶縁膜１６の形状を外径が１
２０μｍで開口部１７の直径が５０μｍのリング状とす
る。次に、メッキレジスト層１８を形成する。この場
合、メッキレジスト層１８の膜厚を５０μｍとし、円形
の開口部１９の直径を１００μｍとする。次に、メッキ
レジスト層１８の開口部１９内にはんだメッキを目一杯
に堆積させて柱形状の突起電極２０を形成する。この柱
形状の突起電極２０の体積は、絶縁膜１６を無視する
と、３．１４×５０2×５０＝３．９×１０5μｍ3とな
る。次に、図５（Ｂ）に示すように、下地金属層１５の
不要な部分をエッチングして除去した後、熱処理を行う
と、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介
して露出された露出部１５ａとの接触面を基本底面とし
て、ほぼ球状の突起電極２０ａが形成される。そして、
柱形状の突起電極２０の体積（３．９×１０5μｍ3）と
基本底面の面積（３．１４×２５2＝２．０×１０3μｍ
2）とに基づいて、ほぼ球状の突起電極２０ａの高さは
８４μｍとなる。
起電極２０ａの高さの具体例について説明する。図５
（Ａ）に示すように、シリコン基板１１上に形成された
下地金属層１５の上面の所定の個所にポリイミドからな
る膜厚２〜３μｍ程度の絶縁膜１６を形成する。この場
合、図示していないが、接続パッドの寸法が１００×１
００μｍであるとすると、絶縁膜１６の形状を外径が１
２０μｍで開口部１７の直径が５０μｍのリング状とす
る。次に、メッキレジスト層１８を形成する。この場
合、メッキレジスト層１８の膜厚を５０μｍとし、円形
の開口部１９の直径を１００μｍとする。次に、メッキ
レジスト層１８の開口部１９内にはんだメッキを目一杯
に堆積させて柱形状の突起電極２０を形成する。この柱
形状の突起電極２０の体積は、絶縁膜１６を無視する
と、３．１４×５０2×５０＝３．９×１０5μｍ3とな
る。次に、図５（Ｂ）に示すように、下地金属層１５の
不要な部分をエッチングして除去した後、熱処理を行う
と、下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介
して露出された露出部１５ａとの接触面を基本底面とし
て、ほぼ球状の突起電極２０ａが形成される。そして、
柱形状の突起電極２０の体積（３．９×１０5μｍ3）と
基本底面の面積（３．１４×２５2＝２．０×１０3μｍ
2）とに基づいて、ほぼ球状の突起電極２０ａの高さは
８４μｍとなる。
【００２２】これに対して、図６（Ａ）に示すように、
各部の寸法が図５（Ａ）に示す場合と同じであって、絶
縁膜１６を形成していない場合には、下地金属層１５の
うちメッキレジスト層１８の開口部１９を介して露出さ
れた露出部１５ａとの接触面が基本底面となる。このた
め、熱処理を行うと、図６（Ｂ）に示すようになる。そ
して、柱形状の突起電極２０の体積（３．９×１０5μ
ｍ3）と基本底面の面積（３．１４×５０2＝７．９×１
０3μｍ2）とに基づいて、ほぼ球状というよりもほぼ半
球状の突起電極２０ａの高さは６４μｍとなる。また、
図７（Ａ）に示すように、絶縁膜１６を形成せず、且つ
メッキレジスト層１８の円形の開口部１９の直径を５０
μｍとした場合には、熱処理を行うと、図７（Ｂ）に示
すようになる。そして、柱形状の突起電極２０の体積
（３．１４×２５2×５０＝９．８×１０4μｍ3）と基
本底面の面積（３．１４×２５2＝２．０×１０3μ
ｍ2）とに基づいて、ほぼ球状の突起電極２０ａの高さ
は４６μｍとなる。
各部の寸法が図５（Ａ）に示す場合と同じであって、絶
縁膜１６を形成していない場合には、下地金属層１５の
うちメッキレジスト層１８の開口部１９を介して露出さ
れた露出部１５ａとの接触面が基本底面となる。このた
め、熱処理を行うと、図６（Ｂ）に示すようになる。そ
して、柱形状の突起電極２０の体積（３．９×１０5μ
ｍ3）と基本底面の面積（３．１４×５０2＝７．９×１
０3μｍ2）とに基づいて、ほぼ球状というよりもほぼ半
球状の突起電極２０ａの高さは６４μｍとなる。また、
図７（Ａ）に示すように、絶縁膜１６を形成せず、且つ
メッキレジスト層１８の円形の開口部１９の直径を５０
μｍとした場合には、熱処理を行うと、図７（Ｂ）に示
すようになる。そして、柱形状の突起電極２０の体積
（３．１４×２５2×５０＝９．８×１０4μｍ3）と基
本底面の面積（３．１４×２５2＝２．０×１０3μ
ｍ2）とに基づいて、ほぼ球状の突起電極２０ａの高さ
は４６μｍとなる。
【００２３】以上のことから明らかなように、熱処理後
の突起電極２０ａの高さは、柱形状の突起電極２０の体
積が大きく、且つ基本底面の面積が小さいと、より高く
なることが理解される。したがって、上記第２実施形態
のように、柱形状の突起電極２０の体積を大きくし、且
つ下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介し
て露出された露出部１５ａとの接触面からなる基本底面
の面積を小さくすると、ほぼ球状の突起電極２０ａの高
さをより高くすることができることになる。
の突起電極２０ａの高さは、柱形状の突起電極２０の体
積が大きく、且つ基本底面の面積が小さいと、より高く
なることが理解される。したがって、上記第２実施形態
のように、柱形状の突起電極２０の体積を大きくし、且
つ下地金属層１５のうち絶縁膜１６の開口部１７を介し
て露出された露出部１５ａとの接触面からなる基本底面
の面積を小さくすると、ほぼ球状の突起電極２０ａの高
さをより高くすることができることになる。
【００２４】ところで、上記第２実施形態では、上述し
たように、図４（Ｂ）に示す柱形状の突起電極２０の体
積を図１（Ｂ）に示すきのこ形状の突起電極２０の体積
と同じとすることにより、図４（Ｄ）に示すほぼ球状の
突起電極２０ａの高さを図１（Ｄ）に示すほぼ球状の突
起電極２０ａの高さとを同じとすることができる。しか
も、この場合、図４（Ｂ）に示す柱形状の突起電極２０
を堆積するのにかかる時間を図１（Ｂ）に示すきのこ形
状の突起電極２０を堆積するのにかかる時間よりも短く
することができ、したがってメッキ処理時間を短縮する
ことができる。また、図４（Ｂ）に示す場合、さらにメ
ッキを行って、突起電極の形状をきのこ形状とするよう
にしてもよい。このようにした場合には、ほぼ球状の突
起電極の高さをさらに高くすることができる。
たように、図４（Ｂ）に示す柱形状の突起電極２０の体
積を図１（Ｂ）に示すきのこ形状の突起電極２０の体積
と同じとすることにより、図４（Ｄ）に示すほぼ球状の
突起電極２０ａの高さを図１（Ｄ）に示すほぼ球状の突
起電極２０ａの高さとを同じとすることができる。しか
も、この場合、図４（Ｂ）に示す柱形状の突起電極２０
を堆積するのにかかる時間を図１（Ｂ）に示すきのこ形
状の突起電極２０を堆積するのにかかる時間よりも短く
することができ、したがってメッキ処理時間を短縮する
ことができる。また、図４（Ｂ）に示す場合、さらにメ
ッキを行って、突起電極の形状をきのこ形状とするよう
にしてもよい。このようにした場合には、ほぼ球状の突
起電極の高さをさらに高くすることができる。
【００２５】次に、図８（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの
発明の第３実施形態における突起電極の各形成工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この第３実施形態の突起電極の構造及びその形成方
法について説明する。なお、図８（Ａ）は図１（Ａ）と
同じであるので、同一部分には同一の符号を付して、そ
の説明を省略する。
発明の第３実施形態における突起電極の各形成工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、この第３実施形態の突起電極の構造及びその形成方
法について説明する。なお、図８（Ａ）は図１（Ａ）と
同じであるので、同一部分には同一の符号を付して、そ
の説明を省略する。
【００２６】さて、図８（Ａ）に示すものを用意した
ら、図８（Ｂ）及び図９に示すように、上面全体に下地
金属層１５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保
護膜１３の開口部１４を介して露出された露出部上及び
該露出部の周囲に位置する保護膜１３上における下地金
属層１５上から、保護膜１３の開口部１４から離れた所
定の位置に位置する下地金属層１５上にかけて、絶縁膜
１６を連続して形成するとともに、この絶縁膜１６にお
いて保護膜１３の開口部１４から離れた所定の位置に該
開口部１４よりも小さい円形の開口部１７を形成する。
この場合、開口部１７が形成された部分における絶縁膜
１６の外形を、図１（Ｂ）に示す絶縁膜１６の外形と同
じとする。
ら、図８（Ｂ）及び図９に示すように、上面全体に下地
金属層１５を形成する。次に、接続パッド１２のうち保
護膜１３の開口部１４を介して露出された露出部上及び
該露出部の周囲に位置する保護膜１３上における下地金
属層１５上から、保護膜１３の開口部１４から離れた所
定の位置に位置する下地金属層１５上にかけて、絶縁膜
１６を連続して形成するとともに、この絶縁膜１６にお
いて保護膜１３の開口部１４から離れた所定の位置に該
開口部１４よりも小さい円形の開口部１７を形成する。
この場合、開口部１７が形成された部分における絶縁膜
１６の外形を、図１（Ｂ）に示す絶縁膜１６の外形と同
じとする。
【００２７】次に、開口部１７が形成された部分におけ
る絶縁膜１６の周辺部の上面及び該周辺部の外側に位置
する下地金属層１５の上面にメッキレジスト層１８を形
成する。したがって、この状態では、開口部１７が形成
された部分における絶縁膜１６の周辺部から内側の部分
に対応する部分におけるメッキレジスト層１８には円形
の開口部１９が形成されている。この場合、開口部１９
の大きさを、図１（Ｂ）に示す開口部１９の大きさと同
じとする。次に、下地金属層１５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び絶縁膜１６
の上面にはんだからなる突起電極２０を形成する。この
場合、メッキレジスト層１８上においてはんだメッキが
等方的に堆積される。このため、この段階における突起
電極２０はきのこ形状となる。次に、メッキレジスト層
１８を剥離する。
る絶縁膜１６の周辺部の上面及び該周辺部の外側に位置
する下地金属層１５の上面にメッキレジスト層１８を形
成する。したがって、この状態では、開口部１７が形成
された部分における絶縁膜１６の周辺部から内側の部分
に対応する部分におけるメッキレジスト層１８には円形
の開口部１９が形成されている。この場合、開口部１９
の大きさを、図１（Ｂ）に示す開口部１９の大きさと同
じとする。次に、下地金属層１５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層１８の開口部１９内の下地金属層１５及び絶縁膜１６
の上面にはんだからなる突起電極２０を形成する。この
場合、メッキレジスト層１８上においてはんだメッキが
等方的に堆積される。このため、この段階における突起
電極２０はきのこ形状となる。次に、メッキレジスト層
１８を剥離する。
【００２８】次に、突起電極２０及び絶縁膜１６をマス
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図８（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。次
に、図８（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ
形状の突起電極２０が溶融した後表面張力により丸まっ
てほぼ球状となり、この状態で固化することにより、ほ
ぼ球状の突起電極２０ａが形成される。この第３実施形
態の場合には、上記第１実施形態とほぼ同様の効果を有
するほかに、ほぼ球状の突起電極２０ａの配置位置をあ
る程度自由に選定することができるという効果を有す
る。
クとして下地金属層１５の不要な部分をエッチングして
除去すると、図８（Ｃ）に示すように、突起電極２０及
び絶縁膜１６下にのみ下地金属層１５が残存される。次
に、図８（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ
形状の突起電極２０が溶融した後表面張力により丸まっ
てほぼ球状となり、この状態で固化することにより、ほ
ぼ球状の突起電極２０ａが形成される。この第３実施形
態の場合には、上記第１実施形態とほぼ同様の効果を有
するほかに、ほぼ球状の突起電極２０ａの配置位置をあ
る程度自由に選定することができるという効果を有す
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、例えばきのこ形状の突起電極の溶融により生じた溶
融はんだが、例えば下地金属層のうち絶縁膜の開口部を
介して露出された露出部との接触面を基本底面として、
表面張力により丸まるようにしているので、突起電極の
形状がいびつな形状とならないようにすることができ、
ひいては突起電極の高さを均一にすることができ、また
突起電極の高さをより高くしてもファインピッチ化を図
ることができ、さらに下地金属層自体の界面等に低融点
はんだが拡散しないようにすることができ、ひいては該
界面で剥離が生じないようにすることができる。
ば、例えばきのこ形状の突起電極の溶融により生じた溶
融はんだが、例えば下地金属層のうち絶縁膜の開口部を
介して露出された露出部との接触面を基本底面として、
表面張力により丸まるようにしているので、突起電極の
形状がいびつな形状とならないようにすることができ、
ひいては突起電極の高さを均一にすることができ、また
突起電極の高さをより高くしてもファインピッチ化を図
ることができ、さらに下地金属層自体の界面等に低融点
はんだが拡散しないようにすることができ、ひいては該
界面で剥離が生じないようにすることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第１実施
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
【図２】図１（Ｂ）に示す工程において下地金属層上に
絶縁膜のみを形成した状態の一例を示す平面図。
絶縁膜のみを形成した状態の一例を示す平面図。
【図３】図１（Ｂ）に示す工程において下地金属層上に
絶縁膜のみを形成した状態の他の例を示す平面図。
絶縁膜のみを形成した状態の他の例を示す平面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第２実施
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
【図５】図４に示す第２実施形態の場合における突起電
極の高さの具体例を説明するために示すものであって、
（Ａ）はメッキにより柱形状の突起電極を形成した状態
の断面図、（Ｂ）はほぼ球状の突起電極を形成した状態
の断面図。
極の高さの具体例を説明するために示すものであって、
（Ａ）はメッキにより柱形状の突起電極を形成した状態
の断面図、（Ｂ）はほぼ球状の突起電極を形成した状態
の断面図。
【図６】比較例１としての突起電極の高さの具体例を説
明するために示すものであって、（Ａ）はメッキにより
柱形状の突起電極を形成した状態の断面図、（Ｂ）はほ
ぼ球状の突起電極を形成した状態の断面図。
明するために示すものであって、（Ａ）はメッキにより
柱形状の突起電極を形成した状態の断面図、（Ｂ）はほ
ぼ球状の突起電極を形成した状態の断面図。
【図７】比較例２としての突起電極の高さの具体例を説
明するために示すものであって、（Ａ）はメッキにより
柱形状の突起電極を形成した状態の断面図、（Ｂ）はほ
ぼ球状の突起電極を形成した状態の断面図。
明するために示すものであって、（Ａ）はメッキにより
柱形状の突起電極を形成した状態の断面図、（Ｂ）はほ
ぼ球状の突起電極を形成した状態の断面図。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第３実施
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
【図９】図８（Ｂ）に示す工程において下地金属層上に
絶縁膜のみを形成した状態の平面図。
絶縁膜のみを形成した状態の平面図。
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来の突起電極の
各形成工程を示す断面図。
各形成工程を示す断面図。
１１ シリコン基板
１２ 接続パッド
１３ 保護膜
１４ 開口部
１５ 下地金属層
１６ 絶縁膜
１７ 開口部
１８ メッキレジスト層
１９ 開口部
２０、２０ａ 突起電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−283025（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−77325（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−151436（ＪＰ，Ａ)
実公 昭50−2514（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H05K 3/34 501
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上を覆う保護膜に形成された開口部
を介して露出された接続パッドの露出部上及び該露出部
の周囲に位置する前記保護膜上に形成され且つ前記露出
部の所定の一部に対応する部分に開口部を有する絶縁膜
と、前記接続パッドのうち前記絶縁膜の開口部を介して
露出された露出部上に形成された低融点金属からなるほ
ぼ球状の突起電極とを具備することを特徴とする突起電
極の構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記突起
電極下及び前記絶縁膜下には該絶縁膜の外形形状と同じ
外形形状の下地金属層が形成されていることを特徴とす
る突起電極の構造。 - 【請求項３】 基板上を覆う保護膜に形成された開口部
を介して露出された接続パッドの露出部上から前記保護
膜上の所定の位置にかけて連続して形成された下地金属
層と、該下地金属層上に形成され且つ所定の位置に前記
保護膜の開口部よりも小さい開口部を有する絶縁膜と、
前記下地金属層のうち前記絶縁膜の開口部を介して露出
された露出部上に形成された低融点金属からなるほぼ球
状の突起電極とを具備することを特徴とする突起電極の
構造。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記絶縁膜の開口部の形状は円形であることを
特徴とする突起電極の構造。 - 【請求項５】 基板上を覆う保護膜に形成された開口部
を介して露出された接続パッドの露出部上及び該露出部
の周囲に位置する前記保護膜上に前記露出部の所定の一
部に対応する部分に開口部を有する絶縁膜を形成し、前
記接続パッドのうち前記絶縁膜の開口部を介して露出さ
れた露出部上に低融点金属からなるほぼ球状の突起電極
を形成することを特徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項６】 基板上に接続パッドが形成され、その上
面に前記接続パッドの所定の一部に対応する部分に開口
部を有する保護膜が形成され、これにより前記接続パッ
ドの所定の一部が前記保護膜の開口部を介して露出され
たものを用意した上、全上面に下地金属層を形成し、前
記接続パッド上における前記下地金属層上に前記保護膜
の開口部の所定の一部に対応する部分に開口部を有する
絶縁膜を形成し、前記下地金属層のうち前記絶縁膜の開
口部を介して露出された露出部上にメッキにより低融点
金属からなる突起電極を形成し、該突起電極及び前記絶
縁膜をマスクとしてエッチングを行うことにより前記下
地金属層の不要な部分を除去し、熱処理により前記突起
電極の形状をほぼ球状とすることを特徴とする突起電極
の形成方法。 - 【請求項７】 基板上に接続パッドが形成され、その上
面に前記接続パッドの所定の一部に対応する部分に開口
部を有する保護膜が形成され、これにより前記接続パッ
ドの所定の一部が前記保護膜の開口部を介して露出され
たものを用意した上、全上面に下地金属層を形成し、前
記接続パッド上における前記下地金属層上から前記保護
膜上の所定の位置に位置する前記下地金属層上にかけて
所定の位置に前記保護膜の開口部よりも小さい開口部を
有する絶縁膜を連続して形成し、前記下地金属層のうち
前記絶縁膜の開口部を介して露出された露出部上にメッ
キにより低融点金属からなる突起電極を形成し、該突起
電極及び前記絶縁膜をマスクとしてエッチングを行うこ
とにより前記下地金属層の不要な部分を除去し、熱処理
により前記突起電極の形状をほぼ球状とすることを特徴
とする突起電極の形成方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７のいずれかに記載の発明に
おいて、前記絶縁膜の開口部の形状は円形であることを
特徴とする突起電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20551496A JP3518185B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 突起電極の構造及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20551496A JP3518185B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 突起電極の構造及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041307A JPH1041307A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3518185B2 true JP3518185B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=16508136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20551496A Expired - Lifetime JP3518185B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 突起電極の構造及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3518185B2 (ja) |
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| JP3626954B2 (ja) | 2003-03-12 | 2005-03-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 |
| CN100452329C (zh) * | 2003-12-02 | 2009-01-14 | 全懋精密科技股份有限公司 | 可供形成预焊锡材料的半导体封装基板及其制法 |
| KR100779061B1 (ko) | 2006-10-24 | 2007-11-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| JP5153225B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2013-02-27 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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-
1996
- 1996-07-17 JP JP20551496A patent/JP3518185B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JPH1041307A (ja) | 1998-02-13 |
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