JP3517849B2 - 直流電源装置 - Google Patents
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- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/30—Reactive power compensation
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- Dc-Dc Converters (AREA)
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直流電源装置、特に力率
改善回路を有しかつ軽負荷時における消費電力の削減及
び効率の向上を図ることができる直流電源装置に関する
ものである。
改善回路を有しかつ軽負荷時における消費電力の削減及
び効率の向上を図ることができる直流電源装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の直流電源装置は、例えば図２に示
すように、商用周波数の交流電圧を発生する交流電源１
に接続されるダイオードブリッジ回路２と、ダイオード
ブリッジ回路２の出力端に接続されたリアクトル３と第
１のＭＯＳ-ＦＥＴ４との直列回路と、第１のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４と並列に接続された還流用ダイオード５とコンデ
ンサ６との直列回路と、１次〜３次巻線７a〜７cを有す
る出力トランス７と、コンデンサ６及び出力トランス７
の１次巻線７aと直列に接続されたスイッチング手段と
しての第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８と、出力トランス７の２
次巻線７bに整流平滑回路９を介して接続された負荷１
０と、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲート端子（制御端
子）に制御パルス信号を付与して第１のＭＯＳ-ＦＥＴ
４をオン・オフ制御する第１の制御回路１１と、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ８のゲート端子に制御パルス信号を付与
して第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８をオン・オフ制御する第２
の制御回路１２とを備えている。ダイオードブリッジ回
路２、リアクトル３、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４、還流用
ダイオード５、コンデンサ６及び第１の制御回路１１は
力率改善回路２７を構成する。出力トランス７、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ８、整流平滑回路９及び第２の制御回路
１２は直流−直流変換回路２８を構成する。出力トラン
ス７の３次巻線７cは、制御電源用ダイオード１３、１
４及び制御電源用コンデンサ１５、１６を介して第１及
び第２の制御回路１１、１２の電源端子ＶCCに直流電圧
を供給する。また、図２において、１７は起動用抵抗、
１８、１９は整流ダイオード、２０は平滑リアクトル、
２１は平滑コンデンサ、２２はオペアンプ（演算増幅
器）、２３は基準電源、２４〜２６はフォトカプラを構
成する発光ダイオード及び受光トランジスタを示す。
すように、商用周波数の交流電圧を発生する交流電源１
に接続されるダイオードブリッジ回路２と、ダイオード
ブリッジ回路２の出力端に接続されたリアクトル３と第
１のＭＯＳ-ＦＥＴ４との直列回路と、第１のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４と並列に接続された還流用ダイオード５とコンデ
ンサ６との直列回路と、１次〜３次巻線７a〜７cを有す
る出力トランス７と、コンデンサ６及び出力トランス７
の１次巻線７aと直列に接続されたスイッチング手段と
しての第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８と、出力トランス７の２
次巻線７bに整流平滑回路９を介して接続された負荷１
０と、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲート端子（制御端
子）に制御パルス信号を付与して第１のＭＯＳ-ＦＥＴ
４をオン・オフ制御する第１の制御回路１１と、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ８のゲート端子に制御パルス信号を付与
して第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８をオン・オフ制御する第２
の制御回路１２とを備えている。ダイオードブリッジ回
路２、リアクトル３、第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４、還流用
ダイオード５、コンデンサ６及び第１の制御回路１１は
力率改善回路２７を構成する。出力トランス７、第２の
ＭＯＳ-ＦＥＴ８、整流平滑回路９及び第２の制御回路
１２は直流−直流変換回路２８を構成する。出力トラン
ス７の３次巻線７cは、制御電源用ダイオード１３、１
４及び制御電源用コンデンサ１５、１６を介して第１及
び第２の制御回路１１、１２の電源端子ＶCCに直流電圧
を供給する。また、図２において、１７は起動用抵抗、
１８、１９は整流ダイオード、２０は平滑リアクトル、
２１は平滑コンデンサ、２２はオペアンプ（演算増幅
器）、２３は基準電源、２４〜２６はフォトカプラを構
成する発光ダイオード及び受光トランジスタを示す。
【０００３】上記の構成において、交流電源１にて発生
した商用周波数の交流電圧は、力率改善回路２７のダイ
オードブリッジ回路２により全波整流された直流電圧に
変換される。全波整流された直流電圧は、リアクトル３
及び還流用ダイオード５を介してコンデンサ６に印加さ
れかつ平滑される。この平滑された直流電圧は、起動用
抵抗１７を介して直流−直流変換回路２８の第２の制御
回路１２の電源端子ＶCCに印加され、第２の制御回路１
２が起動される。これにより、第２の制御回路１２から
第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８のゲート端子に制御パルス信号
が付与されて第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン・オフ動作
を開始し、出力トランス７の１次巻線７ａに平滑された
直流電圧を断続的に印加して交流電圧を発生する。出力
トランス７の１次巻線７ａに発生した交流電圧により、
２次巻線７bに降圧又は昇圧された交流電圧が誘起され
ると共に３次巻線７cにも交流電圧が誘起される。出力
トランス７の３次巻線７cに誘起された交流電圧は、制
御電源用ダイオード１４及び制御電源用コンデンサ１６
により整流及び平滑され、第２の制御回路１２の電源端
子ＶCCに直流電圧が供給される。これと共に、第１の制
御回路１１の電源端子ＶCCにも制御電源用ダイオード１
３及び制御電源用コンデンサ１５により整流及び平滑さ
れた直流電圧が供給される。これにより、第１の制御回
路１１が起動され、第１の制御回路１１から第１のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ４のゲート端子に制御パルス信号が付与され
て第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４がオン・オフ動作を開始し、
力率改善回路２７が駆動される。出力トランス７の２次
巻線７bに誘起された交流電圧は、整流平滑回路９の整
流ダイオード１８、１９、平滑リアクトル２０及び平滑
コンデンサ２１により整流及び平滑され、負荷１０に降
圧又は昇圧された直流電圧が供給される。オペアンプ２
２は、負荷１０に供給される直流電圧を基準電源２３の
電圧ＶREFと比較し、その比較出力に応じてフォトカプ
ラの発光ダイオード２４を発光させる。これにより、フ
ォトカプラの受光トランジスタ２５、２６に各々制御電
流が流れ、受光トランジスタ２５、２６の各出力により
第１及び第２の制御回路１１、１２は第１及び第２のＭ
ＯＳ-ＦＥＴ４、８の各ゲート端子に付与する制御パル
ス信号のパルス幅を制御する。以上により、負荷１０に
供給される直流電圧が一定に保持されると共に力率改善
回路２７によりコンデンサ６に流れる充電電流を制御し
て力率を向上することができる。
した商用周波数の交流電圧は、力率改善回路２７のダイ
オードブリッジ回路２により全波整流された直流電圧に
変換される。全波整流された直流電圧は、リアクトル３
及び還流用ダイオード５を介してコンデンサ６に印加さ
れかつ平滑される。この平滑された直流電圧は、起動用
抵抗１７を介して直流−直流変換回路２８の第２の制御
回路１２の電源端子ＶCCに印加され、第２の制御回路１
２が起動される。これにより、第２の制御回路１２から
第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８のゲート端子に制御パルス信号
が付与されて第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン・オフ動作
を開始し、出力トランス７の１次巻線７ａに平滑された
直流電圧を断続的に印加して交流電圧を発生する。出力
トランス７の１次巻線７ａに発生した交流電圧により、
２次巻線７bに降圧又は昇圧された交流電圧が誘起され
ると共に３次巻線７cにも交流電圧が誘起される。出力
トランス７の３次巻線７cに誘起された交流電圧は、制
御電源用ダイオード１４及び制御電源用コンデンサ１６
により整流及び平滑され、第２の制御回路１２の電源端
子ＶCCに直流電圧が供給される。これと共に、第１の制
御回路１１の電源端子ＶCCにも制御電源用ダイオード１
３及び制御電源用コンデンサ１５により整流及び平滑さ
れた直流電圧が供給される。これにより、第１の制御回
路１１が起動され、第１の制御回路１１から第１のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ４のゲート端子に制御パルス信号が付与され
て第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４がオン・オフ動作を開始し、
力率改善回路２７が駆動される。出力トランス７の２次
巻線７bに誘起された交流電圧は、整流平滑回路９の整
流ダイオード１８、１９、平滑リアクトル２０及び平滑
コンデンサ２１により整流及び平滑され、負荷１０に降
圧又は昇圧された直流電圧が供給される。オペアンプ２
２は、負荷１０に供給される直流電圧を基準電源２３の
電圧ＶREFと比較し、その比較出力に応じてフォトカプ
ラの発光ダイオード２４を発光させる。これにより、フ
ォトカプラの受光トランジスタ２５、２６に各々制御電
流が流れ、受光トランジスタ２５、２６の各出力により
第１及び第２の制御回路１１、１２は第１及び第２のＭ
ＯＳ-ＦＥＴ４、８の各ゲート端子に付与する制御パル
ス信号のパルス幅を制御する。以上により、負荷１０に
供給される直流電圧が一定に保持されると共に力率改善
回路２７によりコンデンサ６に流れる充電電流を制御し
て力率を向上することができる。
【０００４】なお、力率改善回路２７は図３に示すよう
に構成されることもある。即ち、図３の力率改善回路２
７は、交流電源１の入力交流電圧ＶACの正負の各半波期
間において２つの絶縁ゲート型トランジスタ４a、４bを
交互にオン・オフ制御することにより、各コンデンサ６
a、６bを充電して直流出力端子間に昇圧された直流出力
電圧ＶDCを得るものである。図３の回路では、直流出力
電圧ＶDCを出力電圧検出回路５０にて検出し、その検出
出力Ｖdcをオペアンプ５１により基準電源５２の基準電
圧Ｖrと比較し、その比較出力Ｖeと入力交流電圧ＶACと
を乗算器５３により乗算して基準電流値Ｉrとして出力
し、基準電流値Ｉrと入力電流検出手段５４にて検出さ
れた入力電流ＩACとをオペアンプ５５により比較し、そ
の比較出力Ｖfと三角波発生回路５６の三角波出力Ｖtと
をオペアンプ５７により比較し、その比較出力Ｖpによ
って第１の制御回路１１から出力される２つの制御パル
ス信号Ｖg1、Ｖg2の周波数又はパルス幅を制御する。こ
れにより、入力電流ＩACの最大値を入力交流電圧ＶACの
波形に追従させて２つの絶縁ゲート型トランジスタ４
a、４bを交互にオン・オフ制御することができるので、
入力交流電圧ＶACと入力電流ＩACとの位相差を０に近づ
けて力率を改善することができる。
に構成されることもある。即ち、図３の力率改善回路２
７は、交流電源１の入力交流電圧ＶACの正負の各半波期
間において２つの絶縁ゲート型トランジスタ４a、４bを
交互にオン・オフ制御することにより、各コンデンサ６
a、６bを充電して直流出力端子間に昇圧された直流出力
電圧ＶDCを得るものである。図３の回路では、直流出力
電圧ＶDCを出力電圧検出回路５０にて検出し、その検出
出力Ｖdcをオペアンプ５１により基準電源５２の基準電
圧Ｖrと比較し、その比較出力Ｖeと入力交流電圧ＶACと
を乗算器５３により乗算して基準電流値Ｉrとして出力
し、基準電流値Ｉrと入力電流検出手段５４にて検出さ
れた入力電流ＩACとをオペアンプ５５により比較し、そ
の比較出力Ｖfと三角波発生回路５６の三角波出力Ｖtと
をオペアンプ５７により比較し、その比較出力Ｖpによ
って第１の制御回路１１から出力される２つの制御パル
ス信号Ｖg1、Ｖg2の周波数又はパルス幅を制御する。こ
れにより、入力電流ＩACの最大値を入力交流電圧ＶACの
波形に追従させて２つの絶縁ゲート型トランジスタ４
a、４bを交互にオン・オフ制御することができるので、
入力交流電圧ＶACと入力電流ＩACとの位相差を０に近づ
けて力率を改善することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２の直流
電源装置において、負荷１０が軽負荷状態の時（例え
ば、テレビのリモート信号受信回路等の電源として使用
した場合はリモート信号受信待機時）は消費電力が極め
て少ないため、力率の低下による影響をあまり受けな
い。そのため、力率改善回路２７を動作させる必要はな
い。しかしながら、図２の直流電源装置では負荷１０が
軽負荷状態の時でも第１の制御回路１１が駆動されて力
率改善回路２７が動作されるので、無用な電力を消費す
る。したがって、軽負荷時における直流電源装置の消費
電力が増大しかつ効率が低下する欠点があった。
電源装置において、負荷１０が軽負荷状態の時（例え
ば、テレビのリモート信号受信回路等の電源として使用
した場合はリモート信号受信待機時）は消費電力が極め
て少ないため、力率の低下による影響をあまり受けな
い。そのため、力率改善回路２７を動作させる必要はな
い。しかしながら、図２の直流電源装置では負荷１０が
軽負荷状態の時でも第１の制御回路１１が駆動されて力
率改善回路２７が動作されるので、無用な電力を消費す
る。したがって、軽負荷時における直流電源装置の消費
電力が増大しかつ効率が低下する欠点があった。
【０００６】そこで、本発明では軽負荷時における消費
電力を削減しかつ効率を向上できる直流電源装置を提供
することを目的とする。
電力を削減しかつ効率を向上できる直流電源装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による直流電源装
置は、交流電源(1)に接続されかつ直流出力を発生する
力率改善回路(27)と、力率改善回路(27)をオン・オフす
る第１の制御回路(11)と、力率改善回路(27)の出力端子
に接続されかつ力率改善回路(27)の直流出力とは異なる
電圧の直流出力を発生する出力トランス(7)を有する直
流−直流変換回路(28)と、直流−直流変換回路(28)の出
力トランス(7)の１次巻線(7a)に接続されるスイッチン
グ手段(8)と、スイッチング手段(8)を駆動する第２の制
御回路(12)と、直流−直流変換回路(28)の出力トランス
(7)の２次巻線(7b)に接続された負荷(10)とを備えてい
る。負荷(10)の軽負荷時に、第２の制御回路(12)から出
力される制御パルス信号のパルス幅が狭くなって、出力
トランス(7)の１次巻線(7a)の両端の電圧が減少するた
め、出力トランス(7)の３次巻線(7c)に誘起される電圧
が低下する。出力トランス(7)の３次巻線(7c)の両端の
軽負荷時に減少する電圧を検出する負荷状態検出手段(2
9)を力率改善回路(27)に設け、負荷状態検出手段(29)が
３次巻線(7c)の両端の減少した電圧を検出したときに力
率改善回路停止手段(30,31)により第１の制御回路(11)
の動作を停止する。
置は、交流電源(1)に接続されかつ直流出力を発生する
力率改善回路(27)と、力率改善回路(27)をオン・オフす
る第１の制御回路(11)と、力率改善回路(27)の出力端子
に接続されかつ力率改善回路(27)の直流出力とは異なる
電圧の直流出力を発生する出力トランス(7)を有する直
流−直流変換回路(28)と、直流−直流変換回路(28)の出
力トランス(7)の１次巻線(7a)に接続されるスイッチン
グ手段(8)と、スイッチング手段(8)を駆動する第２の制
御回路(12)と、直流−直流変換回路(28)の出力トランス
(7)の２次巻線(7b)に接続された負荷(10)とを備えてい
る。負荷(10)の軽負荷時に、第２の制御回路(12)から出
力される制御パルス信号のパルス幅が狭くなって、出力
トランス(7)の１次巻線(7a)の両端の電圧が減少するた
め、出力トランス(7)の３次巻線(7c)に誘起される電圧
が低下する。出力トランス(7)の３次巻線(7c)の両端の
軽負荷時に減少する電圧を検出する負荷状態検出手段(2
9)を力率改善回路(27)に設け、負荷状態検出手段(29)が
３次巻線(7c)の両端の減少した電圧を検出したときに力
率改善回路停止手段(30,31)により第１の制御回路(11)
の動作を停止する。
【０００８】また、図示以外の実施例では、直流−直流
変換回路(28)のスイッチング手段(8)に流れる電流を電
流に対応する電圧として検出する電流検出手段がスイッ
チング手段(8)と直列に接続される。負荷(10)の軽負荷
時に、電流検出手段の減少する電圧を検出する負荷状態
検出手段(29)を力率改善回路(27)に設け、負荷状態検出
手段(29)が電流検出手段の減少する電圧から軽負荷を検
出したときに力率改善回路停止手段(30,31)により第１
の制御回路(11)の動作を停止する。
変換回路(28)のスイッチング手段(8)に流れる電流を電
流に対応する電圧として検出する電流検出手段がスイッ
チング手段(8)と直列に接続される。負荷(10)の軽負荷
時に、電流検出手段の減少する電圧を検出する負荷状態
検出手段(29)を力率改善回路(27)に設け、負荷状態検出
手段(29)が電流検出手段の減少する電圧から軽負荷を検
出したときに力率改善回路停止手段(30,31)により第１
の制御回路(11)の動作を停止する。
【０００９】図示の実施例では、負荷状態検出手段(29)
は、出力トランス(7)の３次巻線(7c)と第１の制御回路
(11)との間に接続された第１のトランジスタ(31)と、第
１のトランジスタ(31)をオン・オフ制御する第２のトラ
ンジスタ(30)と、第２のトランジスタ(30)のオフ電圧を
決定するツェナダイオード(36)とを備えている。
は、出力トランス(7)の３次巻線(7c)と第１の制御回路
(11)との間に接続された第１のトランジスタ(31)と、第
１のトランジスタ(31)をオン・オフ制御する第２のトラ
ンジスタ(30)と、第２のトランジスタ(30)のオフ電圧を
決定するツェナダイオード(36)とを備えている。
【００１０】
【作用】負荷状態検出手段(29)が負荷(10)の軽負荷状態
を検出したとき、力率改善回路停止手段(30,31)が作動
し、力率改善回路(27)の動作が停止される。このため、
軽負荷時に力率改善回路(27)の消費電力が零となり、直
流電源装置の消費電力を削減しかつ効率を向上させるこ
とができる。
を検出したとき、力率改善回路停止手段(30,31)が作動
し、力率改善回路(27)の動作が停止される。このため、
軽負荷時に力率改善回路(27)の消費電力が零となり、直
流電源装置の消費電力を削減しかつ効率を向上させるこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による直流電源装置の実施例を
図１に基づいて説明する。但し、図１では図２に示す箇
所と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略
する。本実施例の直流電源装置は、図１に示すように、
図２の回路の制御電源用コンデンサ１５と第１の制御回
路１１の電源端子ＶCCとの間に、負荷１０の状態を検出
する負荷状態検出手段２９と、負荷状態検出手段２９が
負荷１０の軽負荷状態を検出したときにオフ状態となり
第１の制御回路１１の作動を停止させる力率改善回路停
止手段としての第１のトランジスタ３１及び第２のトラ
ンジスタ３０を設けたものである。負荷状態検出手段２
９は、抵抗３２〜３５及びツェナダイオード３６で構成
され、出力トランス７の３次巻線７cの電圧を抵抗３２
及び３３で検出することにより、負荷１０の状態を検出
する。その他の構成は図２の回路と同一である。
図１に基づいて説明する。但し、図１では図２に示す箇
所と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略
する。本実施例の直流電源装置は、図１に示すように、
図２の回路の制御電源用コンデンサ１５と第１の制御回
路１１の電源端子ＶCCとの間に、負荷１０の状態を検出
する負荷状態検出手段２９と、負荷状態検出手段２９が
負荷１０の軽負荷状態を検出したときにオフ状態となり
第１の制御回路１１の作動を停止させる力率改善回路停
止手段としての第１のトランジスタ３１及び第２のトラ
ンジスタ３０を設けたものである。負荷状態検出手段２
９は、抵抗３２〜３５及びツェナダイオード３６で構成
され、出力トランス７の３次巻線７cの電圧を抵抗３２
及び３３で検出することにより、負荷１０の状態を検出
する。その他の構成は図２の回路と同一である。
【００１２】上記の構成において、負荷１０が軽負荷状
態になると負荷１０の両端の電圧が上昇するので、第２
の制御回路１２から出力される制御パルス信号のパルス
幅が狭くなり、出力トランス７の１次巻線７aの両端の
電圧が減少する。このため、出力トランス７の３次巻線
７cに誘起される電圧が低下し、それに従って抵抗３２
及び３３の接続点の電圧がツェナダイオード３６の電圧
よりも低くなるので、第２のトランジスタ３０がオフ状
態となる。これと共に、第１のトランジスタ３１もオフ
状態となり、第１の制御回路１１の電源端子ＶCCへの直
流電圧の供給が停止される。これにより、第１の制御回
路１１の動作が停止して第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲー
ト端子への制御パルス信号の付与が停止され、第１のＭ
ＯＳ-ＦＥＴ４のオン・オフ動作が停止する。このと
き、ダイオードブリッジ回路２の全波整流電圧がリアク
トル３及び還流用ダイオード５及びコンデンサ６を介し
て出力トランス７の１次巻線７a及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ８に直接供給される。したがって、軽負荷時において
力率改善回路２７の動作を停止させることができる。そ
のため、軽負荷時における力率改善回路２７の消費電力
が零となるから、直流電源装置の軽負荷時における消費
電力を削減しかつ効率を向上させることができる。な
お、通常負荷時の動作及び直流出力の負荷１０への供給
動作については、前述の図２の回路動作と基本的に同一
であるので、説明は省略する。
態になると負荷１０の両端の電圧が上昇するので、第２
の制御回路１２から出力される制御パルス信号のパルス
幅が狭くなり、出力トランス７の１次巻線７aの両端の
電圧が減少する。このため、出力トランス７の３次巻線
７cに誘起される電圧が低下し、それに従って抵抗３２
及び３３の接続点の電圧がツェナダイオード３６の電圧
よりも低くなるので、第２のトランジスタ３０がオフ状
態となる。これと共に、第１のトランジスタ３１もオフ
状態となり、第１の制御回路１１の電源端子ＶCCへの直
流電圧の供給が停止される。これにより、第１の制御回
路１１の動作が停止して第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲー
ト端子への制御パルス信号の付与が停止され、第１のＭ
ＯＳ-ＦＥＴ４のオン・オフ動作が停止する。このと
き、ダイオードブリッジ回路２の全波整流電圧がリアク
トル３及び還流用ダイオード５及びコンデンサ６を介し
て出力トランス７の１次巻線７a及び第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ８に直接供給される。したがって、軽負荷時において
力率改善回路２７の動作を停止させることができる。そ
のため、軽負荷時における力率改善回路２７の消費電力
が零となるから、直流電源装置の軽負荷時における消費
電力を削減しかつ効率を向上させることができる。な
お、通常負荷時の動作及び直流出力の負荷１０への供給
動作については、前述の図２の回路動作と基本的に同一
であるので、説明は省略する。
【００１３】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず種々の変更が可能である。例えば、上記の実施例で
は力率改善回路２７及び直流−直流変換回路２８のスイ
ッチング手段１１、１２としてＭＯＳ-ＦＥＴを使用し
た例を示したが、バイポーラ形トランジスタ、Ｊ-ＦＥ
Ｔ（接合形電界効果トランジスタ）、ＳＣＲ（逆阻止３
端子サイリスタ）等の他のスイッチング素子も使用可能
である。また、上記の実施例では軽負荷時における出力
トランス７の３次巻線７cの電圧の低下を負荷状態検出
手段２９の抵抗３２、３３及びツェナダイオード３６に
より検出し、トランジスタ３０、３１をオフ状態にして
３次巻線７cから第１の制御回路１１への電力供給を停
止させることにより第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のオン・オ
フ動作を停止させる例を示したが、第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ８に流れる電流を該電流に対応した電圧として検出す
る電流検出手段（例えば電流検出用抵抗）を第２のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ８と直列に接続し、軽負荷時における電流検
出手段の前記電圧の低下を負荷状態検出手段により検出
したときに力率改善回路停止手段（例えばトランジス
タ、スイッチリレー等）をオフ状態にして第１の制御回
路１１の動作を停止させることにより第１のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４のオン・オフ動作を停止させてもよい。また、軽
負荷時において、第１の制御回路１１の動作を停止させ
る代わりに、第１の制御回路１１の制御信号出力端子及
び第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲート端子間に力率改善回
路停止手段（例えばトランジスタ、スイッチリレー等）
を設けて第１の制御回路１１からの制御パルス信号を遮
断する構成にしてもよい。更に、図１の回路における力
率改善回路２７の代わりに、図３に示す力率改善回路２
７を使用することもできる。なお、上記の実施例では第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン期間中のとき整流ダイオー
ド１８がオン状態であるフォワード型のコンバータへの
適用例を示したが、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン期間
中のとき整流ダイオード１８がオフ状態であるフライバ
ック型のコンバータにも適用が可能である。
れず種々の変更が可能である。例えば、上記の実施例で
は力率改善回路２７及び直流−直流変換回路２８のスイ
ッチング手段１１、１２としてＭＯＳ-ＦＥＴを使用し
た例を示したが、バイポーラ形トランジスタ、Ｊ-ＦＥ
Ｔ（接合形電界効果トランジスタ）、ＳＣＲ（逆阻止３
端子サイリスタ）等の他のスイッチング素子も使用可能
である。また、上記の実施例では軽負荷時における出力
トランス７の３次巻線７cの電圧の低下を負荷状態検出
手段２９の抵抗３２、３３及びツェナダイオード３６に
より検出し、トランジスタ３０、３１をオフ状態にして
３次巻線７cから第１の制御回路１１への電力供給を停
止させることにより第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のオン・オ
フ動作を停止させる例を示したが、第２のＭＯＳ-ＦＥ
Ｔ８に流れる電流を該電流に対応した電圧として検出す
る電流検出手段（例えば電流検出用抵抗）を第２のＭＯ
Ｓ-ＦＥＴ８と直列に接続し、軽負荷時における電流検
出手段の前記電圧の低下を負荷状態検出手段により検出
したときに力率改善回路停止手段（例えばトランジス
タ、スイッチリレー等）をオフ状態にして第１の制御回
路１１の動作を停止させることにより第１のＭＯＳ-Ｆ
ＥＴ４のオン・オフ動作を停止させてもよい。また、軽
負荷時において、第１の制御回路１１の動作を停止させ
る代わりに、第１の制御回路１１の制御信号出力端子及
び第１のＭＯＳ-ＦＥＴ４のゲート端子間に力率改善回
路停止手段（例えばトランジスタ、スイッチリレー等）
を設けて第１の制御回路１１からの制御パルス信号を遮
断する構成にしてもよい。更に、図１の回路における力
率改善回路２７の代わりに、図３に示す力率改善回路２
７を使用することもできる。なお、上記の実施例では第
２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン期間中のとき整流ダイオー
ド１８がオン状態であるフォワード型のコンバータへの
適用例を示したが、第２のＭＯＳ-ＦＥＴ８がオン期間
中のとき整流ダイオード１８がオフ状態であるフライバ
ック型のコンバータにも適用が可能である。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、軽負荷時において力率
改善回路の動作を停止させることができるので、直流電
源装置の軽負荷時における消費電力を削減しかつ効率を
向上させることが可能である。したがって、例えばテレ
ビのリモート信号受信回路等の電源として使用した場合
は、リモート信号受信待機時における消費電力を削減で
きるので、テレビの非稼動時の消費電力を抑制できる利
点がある。
改善回路の動作を停止させることができるので、直流電
源装置の軽負荷時における消費電力を削減しかつ効率を
向上させることが可能である。したがって、例えばテレ
ビのリモート信号受信回路等の電源として使用した場合
は、リモート信号受信待機時における消費電力を削減で
きるので、テレビの非稼動時の消費電力を抑制できる利
点がある。
【図１】 本発明による直流電源装置の実施例を示す電
気回路図
気回路図
【図２】 従来の直流電源装置を示す電気回路図
【図３】 力率改善回路の他の例を示す電気回路図
１．．．交流電源、２．．．ダイオードブリッジ回路、
３．．．リアクトル、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ、
５．．．還流用ダイオード、６．．．コンデンサ、
７．．．出力トランス、７a．．．１次巻線、７b．．．
２次巻線、７c．．．３次巻線、８．．．第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ（スイッチング手段）、９．．．整流平滑回路、
１０．．．負荷、１１．．．第１の制御回路、１
２．．．第２の制御回路、２７．．．力率改善回路、２
８．．．直流−直流変換回路、２９．．．負荷状態検出
手段、３０，３１．．．トランジスタ（力率改善回路停
止手段）
３．．．リアクトル、４．．．第１のＭＯＳ-ＦＥＴ、
５．．．還流用ダイオード、６．．．コンデンサ、
７．．．出力トランス、７a．．．１次巻線、７b．．．
２次巻線、７c．．．３次巻線、８．．．第２のＭＯＳ-
ＦＥＴ（スイッチング手段）、９．．．整流平滑回路、
１０．．．負荷、１１．．．第１の制御回路、１
２．．．第２の制御回路、２７．．．力率改善回路、２
８．．．直流−直流変換回路、２９．．．負荷状態検出
手段、３０，３１．．．トランジスタ（力率改善回路停
止手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 交流電源に接続されかつ直流出力を発生
する力率改善回路と、該力率改善回路をオン・オフする
第１の制御回路と、該力率改善回路の出力端子に接続さ
れかつ前記力率改善回路の前記直流出力とは異なる電圧
の直流出力を発生する出力トランスを有する直流−直流
変換回路と、該直流−直流変換回路の出力トランスの１
次巻線に接続されるスイッチング手段と、該スイッチン
グ手段を駆動する第２の制御回路と、前記直流−直流変
換回路の出力トランスの２次巻線に接続された負荷とを
備えた直流電源装置において、 前記負荷の軽負荷時に、前記第２の制御回路から出力さ
れる制御パルス信号のパルス幅が狭くなって、前記出力
トランスの１次巻線の両端の電圧が減少するため、出力
トランスの３次巻線に誘起される電圧が低下し、 前記出力トランスの３次巻線の両端の軽負荷時に減少す
る電圧を検出する負荷状態検出手段を前記力率改善回路
に設け、 前記負荷状態検出手段が前記３次巻線の両端の減少した
電圧を検出したときに力率改善回路停止手段により前記
第１の制御回路の動作を停止することを特徴とする直流
電源装置。 - 【請求項２】 前記直流−直流変換回路のスイッチング
手段に流れる電流を該電流に対応する電圧として検出す
る電流検出手段が前記スイッチング手段と直列に接続さ
れ、 前記負荷の軽負荷時に、前記電流検出手段の減少する前
記電圧を検出する負荷状態検出手段を前記力率改善回路
に設け、 前記負荷状態検出手段が前記電流検出手段の減少する前
記電圧から軽負荷を検出したときに力率改善回路停止手
段により前記第１の制御回路の動作を停止する請求項１
に記載の直流電源装置。 - 【請求項３】 前記負荷状態検出手段は、前記出力トラ
ンスの３次巻線と前記第１の制御回路との間に接続され
た第１のトランジスタと、該第１のトランジスタをオン
・オフ制御する第２のトランジスタと、該第２のトラン
ジスタのオフ電圧を決定するツェナダイオードとを備え
た請求項１又は２に記載の直流電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24552694A JP3517849B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 直流電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24552694A JP3517849B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 直流電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH08111975A JPH08111975A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3517849B2 true JP3517849B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=17135003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24552694A Expired - Fee Related JP3517849B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 直流電源装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3517849B2 (ja) |
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| AU2003252334A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-15 | Fujitsu Access Limited | Dc power supply |
| JP4193755B2 (ja) | 2004-06-04 | 2008-12-10 | サンケン電気株式会社 | スイッチング電源装置及び力率改善回路 |
| US7355868B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-08 | International Rectifier Corporation | Current sense method for bridgeless boost (BLB) PFC circuit using single current transformer |
| DE602006016117D1 (de) * | 2005-06-02 | 2010-09-23 | Panasonic Corp | Induktionsheizgerät |
| KR101030357B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2011-04-20 | 삼성전기주식회사 | 대기전력 저감을 위한 스위칭 모드 파워 서플라이 |
| CN103250116A (zh) * | 2011-01-31 | 2013-08-14 | 富士通株式会社 | 电源装置、电子设备以及电子设备系统 |
| JP6071051B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-02-01 | Tdk株式会社 | スイッチング電源装置 |
| CN105375789A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-03-02 | 三垦电气株式会社 | Ac-dc转换器 |
| TWI608691B (zh) | 2016-06-21 | 2017-12-11 | 台達電子工業股份有限公司 | 供電裝置與其控制方法 |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24552694A patent/JP3517849B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08111975A (ja) | 1996-04-30 |
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