JP3516262B2 - イオン源 - Google Patents
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Description
イオン注入だけではなく、SiF4、BF3などのフッ
素系のガスやハロゲン系のガスを用いるイオン源にも同
様の効果が期待できる構成に関するものである。
における傍熱型カソードイオン源15の模式図を示す。
イオン発生室であるアークチャンバー7の上下両部にカ
ソード13,14が配置され、アークチャンバー7の一
側にガス導入口12が設けられ、カソードキャップ1,
2とフィラメント3,4は、アークチャンバー7の磁場
方向に対称に配置されている。フィラメント3,4に直
流電流を流すことにより、フィラメント3,4を加熱し
て熱電子5を発生させる。発生した熱電子5は、カソー
ドキャップ1,2とフィラメント3,4との間の電圧に
より加速され、カソードキャップ1,2に流れ込み、カ
ソードキャップ1,2を加熱する。カソードキャップ
1,2とフィラメント3,4の周囲にはカソードリペラ
ー8,9がアークチャンバー7との間に配置される。カ
ソードキャップ1,2は、熱電子反射機能も有する。加
熱されたカソードキャップ1,2は、さらにアークチャ
ンバー7内に熱電子6を供給し、これにより、アークチ
ャンバー7の一側の導入口から導入されるガスが反応し
て、プラズマが発生して維持される。この発生したプラ
ズマは、アークチャンバー7の引出し口10から引出し
電極11を経て処理体までイオンの形でビームライン1
8を形成して届くよう構成されている。
を取り出す傍熱型カソード イオン源(特開平8-227
688号公報参照)において、通常そのイオン発生室の
材質は耐熱性の金属、たとえばモリブデン(Mo)、タ
ングステン(W)、タンタル(Ta)等によって作られ
ている。
空としたイオン発生室7の一側部から導入し、イオン化
する過程の中で得られる。ところが、 GeF4ガスを
イオン化する過程の中では、必要とするGe+イオンだ
けでなく、多量のフッ素イオン、フッ素ラジカル、その
他のイオンも生成される。特にフッ素ラジカルは、イオ
ン発生室内の材料を激しく浸食する。また、浸食された
金属の化合物は、イオン発生室内あらゆる場所に析出
し、堆積することがある。例えばこれらの析出物がイオ
ン発生室内の引き出し口10の周りに堆積した場合、引
き出し口の寸法はイオン源の運転時間中徐々に小さくな
り、引き出すことのできるGe+ビ−ム電流値は減少す
る。また、これらの析出物が、カソードリペラー8,9
とイオン発生室であるアークチャンバー7との間の絶縁
ギャップである空間部に架橋する形で堆積した場合、イ
オン源の絶縁不良の原因となる。
デン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)
等であった場合、フッ素ラジカルと反応して、MoF
5、WF6、TaF5等のフッ化物が生成される。これ
らのフッ化物は、高温のイオン発生室7からは蒸気とし
て噴出する可能性があり、真空室15内のイオン発生室
7以外の比較的低温の場所に、固体、あるいは液体の形
で析出し、真空室15内に残ることがある。こまた、こ
れらのフッ化物は、メンテナンス時等に真空室を大気解
放した場合、大気中の水分と反応し、HFガスを発生
し、メンテナンス作業の点で実用上解決する必要があっ
た。つまり、これらのフッ化物の生成に起因する様々な
問題点が生じていた。
て、GeF4ガスを使用してのGe+ビ−ム出しにおけ
るイオン源寿命の増大と、GeF4ガスを使用してのG
e+ビ−ム出し後の害のあるガス発生の低減と信頼性の
向上を図ることにある。
徴とするものである。イオン発生室のアークチャンバー
内部に配設したカソードキャップをフィラメントにより
間接的に加熱するとともに、フィラメントの周囲にカソ
ードリペラーを配設し、ガスを使用してのイオンビーム
を取り出す間接カソード加熱型イオン源において、熱電
子の反射体である前記カソードリペラーを、カソードキ
ャップの側面を該カソードリペラーにて取り囲むように
前記カソードキャップの上面と同じ高さまで延長して構
成し、前記カソードキャップの側面を保護するようにし
たことを特徴とする。前記カソードリペラーを炭素系素
材で構成したことを特徴とする。前記イオン発生室内で
あるアークチャンバーの内壁側に、アークチャンバーの
内壁の材質と異なる材質のライナーを使用するよう構成
し、該ライナーの内壁部は、前記アークチャンバーの内
側の必要な形状容積サイズとほぼ同じとし、前記アーク
チャンバーの内壁側の容積を前記ライナーが収納できる
ように大きくするよう構成し、嵌め込みによりアークチ
ャンバーの内壁に装着したことを特徴とする。前記ライ
ナーは、炭素系素材を使用するよう構成するとともに、
アークチャンバーの内壁側の形状に沿うようその形状に
あわせていくつかの部分に分割して成形したことを特徴
とする。前記ライナーは、引出し部と中間部とガス導入
部に分割して成形したことを特徴とする。ガスがGeF
4であり、イオンビームがGe+であることを特徴とす
る。前記ライナーは炭素系素材であることを特徴とす
る。カソードリペラーを炭素系素材で構成するととも
に、そのイオン発生室のアークチャンバー内側に炭素系
素材によるライナーを使用したことを特徴とする。炭素
系素材がガラス状カーボンもしくはグラファイトである
ことを特徴とする。前記ライナーの炭素系素材がガラス
状カーボンもしくはグラファイトであることを特徴とす
る。前記ライナーをタンタルで構成することを特徴とす
る。前記ライナーは、前記引出し部を炭素系素材とし、
前記中間部とガス導入部はタンタルで構成したことを特
徴とする。
オン源の構造と適用例について、実施の形態を詳細に説
明する。但し、本発明は次の実施例のみに限定される物
ではない。まず、図2に従って説明する。イオン発生室
であるアークチャンバー7の上下両部にカソード13,
14が配置され、アークチャンバー7の一側にガス導入
口12が設けられ、アークチャンバー7のガス導入口1
2の対面の他側に引出し部10が設けられ、カソードキ
ャップ1,2とフィラメント3,4は、アークチャンバ
ー7の磁場方向に対称に配置されている。フィラメント
3,4に直流電流を流すことにより、フィラメント3,
4を加熱して熱電子5を発生させる。発生した熱電子5
は、カソードキャップ1,2とフィラメント3,4との
間の電圧により加速され、カソードキャップ1,2に流
れ込み、カソードキャップ1,2を加熱する。カソード
キャップ1,2とフィラメント3,4の周囲にはカソー
ドリペラー8,9がアークチャンバー7との間に配置さ
れる。カソードキャップ1,2は、熱電子反射機能も有
する。加熱されたカソードキャップ1,2は、さらにア
ークチャンバー7内に熱電子6を供給し、これにより、
アークチャンバー7の一側の導入口から導入されるガス
17が反応して、プラズマが発生して維持される。この
発生したプラズマは、イオンの形でビームライン18を
形成して、アークチャンバー7の引出し口10から引出
し電極11を経て処理体まで届くよう構成されている。
−25872参照)のイオン発生室内の内壁1は、イオ
ン発生室の材質であるモリブデン(Mo)、タングステ
ン(W)、タンタル(Ta)等によって作られている。
また、カソードリペラー2の材質はモリブデン(Mo)
により作られている。このカソードリペラーの役割は、
カソード3からの輻射熱による熱の散逸を妨げ、より
効率的にカソードを加熱する、カソードより発生した
熱電子が直接イオン発生室内壁に散逸するのを抑制す
る、であるが、通常このカソードリペラーとイオン発生
室の絶縁ギャップに、カソードリペラーからの剥離物が
架橋する形で絶縁不良を起こし、イオン源はメンテナン
スが必要となる。そこで、このイオン発生室内のカソー
ドリペラー6を、フッ素ラジカルによる剥離物生成を抑
えるため、炭素材で構成し、剥離物による絶縁不良を解
消するものである。
は、ライナー16、16a、16bが設置されている
が、この材質も、炭素材で構成する。炭素材の材質とし
てはグラファイト、ガラス状カ−ボン等があるが、特に
限定しない。また、イオン発生室の材質がモリブデン
(Mo)、タングステン(W)の場合、ライナーは、炭
素系素材のみで構成してもよいが、タンタル(Ta)と
してもよく、両者を組合せてもよいものであり、その場
合、引出し部16としては炭素材が耐久性の点等で望ま
しい。タンタル(Ta)はMoよりも高温下での蒸気圧
が低くフッ素にも強い性質があり、BF2+のビームを
多く得るためには、ライナーの素材は、高温となる引出
し部を炭素系素材とし、中間部とガス導入部はタンタル
で構成する。
ー7の別断面を示す。この図においてカーボンリペラー
は、カソードの側部を囲むようにアークチャンバー7の
内側へ突出して配置されている。また、図5に示すよう
に、イオン発生室であるアークチャンバー7の上下一方
部にカソードを配置し、アークチャンバー7の上下他方
部に対面カソードリペラーTを配置するよう構成しても
よい。この対面カソードリペラーTの素材は、炭素系素
材で構成するが、ライナーに一部タンタルを使用すると
きは、タンタル(Ta)にそろえてもよい。
傍熱型カソードイオン源において、該カソードの周囲に
ある熱電子の反射体であるカソードリペラーを炭素系素
材で構成する。ガスを使用してイオン発生室からイオン
ビ−ムを取り出すイオン源において、該イオン発生室で
あるアークチャンバーの内壁側にライナーを使用するよ
う構成し、該ライナーの内壁部は、前記アークチャンバ
ーの内側の必要な形状容積サイズとほぼ同じとし、前記
アークチャンバーの内壁側の容積を前記ライナーが収納
できるように大きくするよう構成し、嵌め込みによりア
ークチャンバーの内壁に装着しする。ガスを使用してイ
オン発生室からイオンビ−ムを取り出すイオン源におい
て、該イオン発生室内であるアークチャンバーの内壁側
に炭素系素材によるライナーを使用するよう構成し、該
ライナーは、アークチャンバーの内壁側の形状に沿うよ
うその形状にあわせていくつかの部分に分割して成形
し、嵌め込みによりアークチャンバーの内壁に装着す
る。ライナーは、引出し部16と中間部16bとガス導
入部16aに分割して成形する。ガスはGeF4であ
り、イオンビ−ムはGe+である。ライナーは炭素系素
材とする。ガスを使用してのイオンビ−ムを取り出す傍
熱型カソード イオン源において、そのカソードの周囲
にある熱電子および熱電子の反射体であるカソードリペ
ラーを炭素系素材で構成するとともに、そのイオン発生
室のアークチャンバー内側に炭素系素材によるライナー
を使用する。カソードリペラーの炭素系素材がガラス状
カーボンもしくはグラファイトである。ライナーの炭素
系素材がガラス状カーボンもしくはグラファイトであ
る。ライナーをタンタルで構成する。ライナーは、引出
し部16を炭素系素材とし、中間部16bとガス導入部
16aはタンタルで構成する。
説明する。まず、フィラメント3、4からの熱電子5に
より加熱されたカソード1、2は、さらにまた熱電子6
を発生する。この熱電子6はカソードとイオン発生室7
内壁面との間に印可された電圧により加速され、ガス導
入口12から導入されたGeF4のガス17の粒子と衝
突し、目的とするGe+イオンを生成する。しかしこの
時、生成されるのは、Ge+イオンだけでなくその他の
イオン、または多量のフッ素ラジカルも生成される。こ
のフッ素ラジカルはイオン発生室壁面の材質を侵す。こ
の時、壁面の材質がモリブデン(Mo)、タングステン
(W)、タンタル(Ta)等であった場合、これらのフ
ッ化物の生成に起因する様々な上記問題点を生ずる。一
方、この発明によるイオン発生室には、炭素系素材によ
るライナーが施されている。炭素材もフッ素ラジカルに
より侵されるが、モリブデン、タングステン、タンタル
と比較するとその速度は遅く、イオン発生室内に堆積す
る量も少なく、著しいイオン源寿命短縮を引き起こさな
い。また、炭素系素材もモリブデン、タングステン、タ
ンタルと同様にフッ素ラジカルと反応しフッ化炭素を生
成するが、フッ化炭素は無毒の不燃性気体であるので、
イオン発生室7、真空室内15に析出、堆積しない。し
たがって、従来のイオン源のように真空室内の堆積物に
起因する、寿命短縮、メンテナンス作業時の有毒ガス発
生等の問題が少なくなる。また、カソードリペラー8、
9の材質は炭素材を使用しているので、このカソードリ
ペラーからの堆積物の剥離物が発生し難く、イオン発生
室とカソードリペラー間の剥離物による絶縁不良も起こ
し難くなっている。このイオン源をイオン注入機に取り
付け、Ge+ビームを出し続けた時のビーム電流値の変
化をグラフ化したものを、図4に示す。また、同グラフ
に比較のため、従来タイプのイオン源によるGe+ビー
ム電流値の変化も示す。従来タイプのイオン源では、徐
々に電流値Bが減少しているのに対して、本イオン源に
よるGe+ビーム電流値Aは、全く減少していない。
用してのGe+ビーム出しにおけるイオン源寿命の増大
がはかることができるとともに、GeF4ガスを使用し
てのGe+ビーム出し後のHF等のガス発生を削減する
ことが出来る。カソードリペラーを、カソードキャップ
の側面を該カソードリペラーにて取り囲むようにカソー
ドキャップの上面と同じ高さまで延長して構成したこと
により、カソードキャップの側面を保護し、その部分の
放電を防止することができるとともに、さらに、カソー
ドからの輻射熱による熱の散逸を妨げ、より効率的にカ
ソードを加熱する作用と、カソードより発生した熱電子
が直接イオン発生室内壁に散逸するのを抑制する作用と
をさらに高めることができ、しかも、カソードリペラー
とイオン発生室の絶縁ギャップへのカソードリペラーか
らの剥離物の架橋もさらに抑制できるものである。ま
た、カソードリペラーの材質は炭素材を使用しているの
で、このカソードリペラーからの堆積物の剥離物が発生
し難く、イオン発生室とカソードリペラー間の剥離物に
よる絶縁不良も起こし難くすることができる。従来のイ
オン源のように真空室内の剥離物等の堆積物に起因す
る、イオン源の寿命短縮、メンテナンス作業時の有毒ガ
ス発生等の問題が少なくなる。
図。
の変化を示す図。
施例の断面図。
Claims (12)
- 【請求項1】 イオン発生室のアークチャンバー内部に
配設したカソードキャップをフィラメントにより間接的
に加熱するとともに、フィラメントの周囲にカソードリ
ペラーを配設し、ガスを使用してのイオンビームを取り
出す間接カソード加熱型イオン源において、熱電子の反射体である前記カソードリペラーを、カソー
ドキャップの側面を該カソードリペラーにて取り囲むよ
うに前記カソードキャップの上面と同じ高さまで延長し
て構成し、前記カソードキャップの側面を保護するよう
に したことを特徴とする間接カソード加熱型のイオン
源。 - 【請求項2】 請求項1において、前記カソードリペラ
ーを炭素系素材で構成したことを特徴とする間接カソー
ド加熱型のイオン源。 - 【請求項3】 請求項1において、前記イオン発生室内
であるアークチャンバーの内壁側に、アークチャンバー
の内壁の材質と異なる材質のライナーを使用するよう構
成し、該ライナーの内壁部は、前記アークチャンバーの
内側の必要な形状容積サイズとほぼ同じとし、前記アー
クチャンバーの内壁側の容積を前記ライナーが収納でき
るように大きくするよう構成し、嵌め込みによりアーク
チャンバーの内壁に装着したことを特徴とする間接カソ
ード加熱型のイオン源。 - 【請求項4】 請求項3において、前記ライナーは、炭
素系素材を使用するよう構成するとともに、アークチャ
ンバーの内壁側の形状に沿うようその形状にあわせてい
くつかの部分に分割して成形したことを特徴とする間接
カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項5】 請求項4において、前記ライナーは、引
出し部と中間部とガス導入部に分割して成形したことを
特徴とする間接カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかの請求項におい
て、ガスがGeF4であり、イオンビームがGe+であ
ることを特徴とする間接カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項7】 請求項3において、前記ライナーは炭素
系素材であることを特徴とする間接カソード加熱型のイ
オン源。 - 【請求項8】 請求項1において、カソードリペラーを
炭素系素材で構成するとともに、そのイオン発生室のア
ークチャンバー内側に炭素系素材によるライナーを使用
したことを特徴とする間接カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項9】 請求項2において、炭素系素材がガラス
状カーボンもしくはグラファイトであることを特徴とす
る間接カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項10】 請求項7において、前記ライナーの炭
素系素材がガラス状カーボンもしくはグラファイトであ
ることを特徴とする間接カソード加熱型のイオン源。 - 【請求項11】 請求項3において、前記ライナーをタ
ンタルで構成することを特徴とする間接カソード加熱型
のイオン源。 - 【請求項12】 請求項5において、前記ライナーは、
前記引出し部を炭素系素材とし、前記中間部とガス導入
部はタンタルで構成したことを特徴とする間接カソード
加熱型のイオン源。
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JP3516262B2 true JP3516262B2 (ja) | 2004-04-05 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9281160B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-03-08 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Insulation structure and insulation method |
US9318298B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-04-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion generator and ion generating method |
CN108172490A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 广州今泰科技股份有限公司 | 多用途灯丝气体离子源装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0131097D0 (en) | 2001-12-31 | 2002-02-13 | Applied Materials Inc | Ion sources |
US8072149B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Unbalanced ion source |
JP5342386B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2013-11-13 | セイコーインスツル株式会社 | イオン発生装置のソースハウジングに堆積したフッ素化合物を除去する方法およびイオン発生装置 |
US9530615B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-12-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source |
JP5925084B2 (ja) | 2012-08-28 | 2016-05-25 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン生成方法およびイオン源 |
US9741522B1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ceramic ion source chamber |
JP6771926B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-10-21 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置 |
CN111133551B (zh) | 2017-09-22 | 2023-03-07 | 住友重机械工业株式会社 | 离子源装置 |
JP7133450B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2022-09-08 | イビデン株式会社 | カソード |
SG11202105497PA (en) * | 2018-12-15 | 2021-06-29 | Entegris Inc | Fluorine ion implantation system with non-tungsten materials and methods of using |
JP7194053B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2022-12-21 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン生成装置およびイオン注入装置 |
JP7065162B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-05-11 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58169752A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Toshiba Corp | ホロ−陰極放電装置 |
JPH06223771A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-12 | Sony Corp | イオン注入装置 |
JPH06325713A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Nissin Electric Co Ltd | 金属イオン源 |
JP3268180B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2002-03-25 | 株式会社東芝 | イオン発生装置、イオン照射装置、及び半導体装置の製造方法 |
JPH09259779A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびそれを用いたイオン注入装置 |
JP3899161B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-03-28 | 株式会社 Sen−Shi・アクセリス カンパニー | イオン発生装置 |
JP3717655B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2005-11-16 | 日本電子株式会社 | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
US6091187A (en) * | 1998-04-08 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | High emittance electron source having high illumination uniformity |
-
1999
- 1999-12-09 JP JP34975499A patent/JP3516262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9281160B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-03-08 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Insulation structure and insulation method |
US9318298B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-04-19 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion generator and ion generating method |
CN108172490A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 广州今泰科技股份有限公司 | 多用途灯丝气体离子源装置 |
CN108172490B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-01-03 | 广州今泰科技股份有限公司 | 多用途灯丝气体离子源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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