JP3515094B2 - オゾンと共にアルキルシロキサン・オリゴマーを使用するシリコン酸化膜の化学蒸着 - Google Patents

オゾンと共にアルキルシロキサン・オリゴマーを使用するシリコン酸化膜の化学蒸着

Info

Publication number
JP3515094B2
JP3515094B2 JP2001509075A JP2001509075A JP3515094B2 JP 3515094 B2 JP3515094 B2 JP 3515094B2 JP 2001509075 A JP2001509075 A JP 2001509075A JP 2001509075 A JP2001509075 A JP 2001509075A JP 3515094 B2 JP3515094 B2 JP 3515094B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ozone
teos
temperature
omts
precursor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001509075A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003504870A (ja
Inventor
サンジーヴ ジャイン
ツェン ユアン
Original Assignee
エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド filed Critical エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド
Publication of JP2003504870A publication Critical patent/JP2003504870A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3515094B2 publication Critical patent/JP3515094B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】（技術分野） 本発明は、シリコン酸化膜を半導体基板の表面上に堆積
する方法に関し、より詳細には、オゾンと共にアルキル
シロキサンオリゴマー前駆物質を使用する化学蒸着法に
よってそのような膜を堆積する方法に関する。
【０００２】（背景技術） シリコン酸化物の化学蒸着法（ＣＶＤ）は、半導体の生
産に使用される誘電性膜又は層を堆積するために広く利
用される製造技術である。半導体基板又はウェーハ上に
二酸化シリコン（ＳｉＯ2）を堆積させるために近年使
用されている２つの主なＣＶＤ処理がある。その２つの
処理とは、シラン／酸素（ＳｉＨ4／Ｏ2）処理及びトリ
エトキシルシラン／オゾン（ＴＥＯＳ／Ｏ3）処理であ
る。これらのうちでＴＥＯＳ／Ｏ3処理は、この方法で
堆積されたＳｉＯ2膜の品質が特に膜の空隙充填性能に
対して優れているために、半導体製造に広く採用されて
きた。近年における超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）製造
において、形態サイズの減少と半導体装置形態のアスペ
クト比の増加とを考える時、この利点は特に重要とな
る。すなわち、ＴＥＯＳ／Ｏ3処理の空隙充填性能を高
めるための努力が為されてきた。
【０００３】更に良好な空隙充填性能のＴＥＯＳ／Ｏ3
処理を理解及び改良する努力の他に、ＴＥＯＳ／Ｏ3処
理によって堆積された膜に勝るか又は同等な品質のＳｉ
Ｏ2膜を堆積するのに使用し得る新しいオルガノシリコ
ン前駆物質を特定する努力も重ねられてきた。これらの
新しいオルガノシリコン前駆物質には、ヘキサメチルジ
シロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン
（ＯＭＣＴＳ）、及び、２、４、６、８−テトラメチル
シクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）が含まれる。こ
れらの前駆物質から堆積されたＳｉＯ2膜の特性は、Ｔ
ＥＯＳ／Ｏ3を使用して堆積された膜と同等かそれより
も劣っていたので、すでに十分に確立されていたＴＥＯ
Ｓ／Ｏ3化学に対して何の利益ももたらさなかった。
【０００４】新しい化学前駆物質の開発においては、別
の種類のＣＶＤシステムが考慮されなければならない。
半導体産業では多様なＣＶＤシステムが利用されるが、
一般に熱システムとプラズマ強化システムとの２つのグ
ループに分類される。熱システムは、化学前駆物質を解
離するために熱エネルギーを利用するもので、前駆物質
は、反応して基板上に層又は膜を堆積する。熱ＣＶＤシ
ステムは、一般に大気圧（ＡＰＣＶＤシステムと称され
る）又は低圧（ＬＰＣＶＤシステムと称される）で作動
する。反対に、プラズマ強化システムは、化学物質を解
離するためにイオン化ガス（すなわちプラズマ）を利用
する。２種類のシステムは、同じ機能を達成するため、
すなわち基板上に層を堆積させるために使用されるが、
それらのシステムは、反応装置及びシステムのデザイン
が大きく違っていて、非常に異なる反応速度論及び処理
条件の下で作動する。１つの処理化学作用が１つの種類
のＣＶＤシステムでは良好に機能することができるが、
それが他の種類のＣＶＤシステムには十分に適さないこ
とがわかっている。例えば、前駆物質としてのシラン及
び酸素（ＳｉＨ4／Ｏ2）は、反応性が非常に強くて爆発
性である可能性があり、この問題のために、ＴＥＯＳ／
Ｏ3前駆物質の化学作用は、熱ＣＶＤ型システムに広く
使用されてきた。ＴＥＯＳ／Ｏ2前駆物質の化学作用が
プラズマＣＶＤ型システムに採用された場合に適切であ
ることはわかっているが、ＴＥＯＳ／Ｏ3前駆物質の化
学作用は分かっていない。ＳｉＨ4／Ｏ2前駆物質の化学
作用は、プラズマＣＶＤシステムにおいてその使用が見
出されてきた。上記の前駆物質化学作用は、半導体産業
に広く使用されてきたが、特に装置密度が小さくなり膜
の空隙充填性能に対する要求が増えるにつれて、改良さ
れた前駆物質化学作用とその処理との開発が引き続き求
められている。更に、いくつかの従来の前駆物質のコス
ト及び／又は消費量は高く、新しい低コスト及び／又は
低消費量の前駆物質の開発が求められている。
【０００５】（発明の開示） 以上により、改良された前駆物質の化学的性質と、半導
体基板の表面上に酸化膜又は層を堆積する方法とを提供
することが本発明の目的である。ＣＶＤシステムの維持
費（ｃｏｓｔ ｏｆ ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）（ＣｏＯ）
の低減を推進する膜堆積方法を提供することが本発明の
関連目的である。本発明において、揮発性のアルキルシ
ロキサン前駆物質を使用して酸化膜又は層を堆積する方
法が提供される。詳細には、本発明のアルキルシロキサ
ン前駆物質は、化学式が（ＣＨ3）3Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ
3）2］ｎＯＳｉ（ＣＨ3）3であり、ｎ＝１及び２であ
る。そのような前駆物質は、オゾンと熱的に反応し、半
導体基板表面上に堆積する二酸化シリコンを生成し、そ
の重要な利点は、０．１８ミクロン以下の装置への適用
に特に有用なことである。実際に、そのようなアルキル
シロキサンやヘキサメチルジシロキサンの二量体は、早
くから研究されていた。特別の利点として、その処理は
熱ＣＶＤ法であり、プラズマＣＶＤ技術の複雑な追加が
必要ないことである。それに加えて、燐及び／又はボロ
ン前駆物質などのドーパント前駆物質をオゾンが存在す
る状態でアルキルシロキサン前駆物質と共注入すること
により、珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）、硼珪酸塩ガラス（Ｂ
ＳＧ）、及び、硼珪酸塩燐ガラス（ＢＰＳＧ）の膜を本
発明の熱ＣＶＤ法を使用して同じく形成することができ
る。本発明者は、本発明の方法を使用することにより、
膜の同じ品質と堆積速度とを維持した従来のＴＥＯＳの
使用と比較して、非常に少量の化学物質の使用と優れた
空隙充填とが達成できることを見出した。更に、本発明
の１つの実施形態によると、オクタメチルトリシロキサ
ン（ＯＭＴＳ）は、気体相でオゾンと混合された。この
ＯＭＴＳ処理は、従来のＴＥＯＳ処理に比べて排気ライ
ンに少量の粒子しか生成せず、それが大量生産中のチャ
ンバ排気部の洗浄の相当な低減を可能にすることが見出
された。本発明者は、本発明の方法によるシリコン二酸
化物の堆積速度のウェーハ温度に対する感度が従来処理
に比べて著しく低いことを同じく見出したが、これは、
シリコン二酸化物の堆積厚さの均一性を改良する上で非
常に重要な要素である。本発明の他の目的及び利点は、
本発明の詳細説明と上記の添付請求項とを読み、添付図
面を参照することにより明らかになるであろう。
【０００６】（発明を実施するための最良の形態） アルキルシロキサン前駆物質を使用する熱化学蒸着によ
って基板表面上に酸化膜又は酸化層を堆積する方法が提
供される。具体的には、アルキルシロキサン前駆物質の
一般的な化学式は、ｎを１又は２とすると以下の通りで
ある。 （ＣＨ3）3Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ3）2］ｎＯＳｉ（ＣＨ3）3 従って、本発明の適切なアルキルシロキサン前駆物質
は、オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴＳ）及びデカ
メチルテトラシロキサンを含む。アルキルシロキサン前
駆物質は、熱ＣＶＤシステムにおいてオゾンと反応し、
基板表面上に酸化物（二酸化シリコンなど）の層又は膜
を堆積する。
【０００７】本発明の方法は、基板表面上に酸化膜を堆
積させるために、堆積チャンバ内でアルキルシロキサン
前駆物質とオゾンとを熱反応させる段階を更に含む。熱
反応は、約３００℃から６００℃の温度範囲、好ましく
は約３５０℃から５５０℃の温度範囲で実行されるが、
最も好ましくは、約４５０℃から５５０℃の範囲の温度
である。反応は、ＣＶＤチャンバにおいて異なる圧力で
実行することができる。１つの実施形態では、本方法は
低圧で実行され、特に約１００から７００トルの範囲、
更に好ましくは約２００から６００トルの圧力で実行さ
れる。代替的実施形態では、本方法は、大気圧すなわち
約７６０トルで実行される。
【０００８】本発明の方法の別の重要な態様は、反応物
の濃度比又はＭｏｌ％であり、具体的には、アルキルシ
ロキサン前駆物質中のシリコン含有量に対するオゾンの
モル比（Ｏ3：Ｓｉで表される）である。低圧で作動す
る場合、シリコンに対するオゾンのモル比は、約３から
２０Ｍｏｌ％の範囲であり、更に好ましくは約５から１
５Ｍｏｌ％の範囲であって、６から１４Ｍｏｌ％の
Ｏ3：Ｓｉ比が最も好ましい。大気圧で作動する場合、
シリコンに対するオゾンのモル比は、約３から２０Ｍｏ
ｌ％の範囲であり、更に好ましくは約５から１５Ｍｏｌ
％の範囲であって、６から１４Ｍｏｌ％のＯ3：Ｓｉ比
が最も好ましい。そのような濃度比を達成するために、
アルキルシロキサン前駆物質のガス流量が適切に選択さ
れることになる。ガス流量の実際の値は、装置デザイ
ン、作動圧力、及び、目標とする堆積速度などのいくつ
かの既知の要因によって変動することになる。
【０００９】本発明の方法を実践するのに適する熱ＣＶ
Ｄシステム２０が図１に示されている。図１は、ウェー
ハ又は基板２６をインゼクター２８の近くに支持するた
めの加熱したチャック又はサセプタを収納するＣＶＤチ
ャンバ２２を一般に含むＣＶＤシステム２０の簡略化し
た概略図である。インゼクター２８と基板２６との間に
堆積領域３０が形成される。基板は、移行手段３２を介
してインゼクター２８に対して移動してもよい。１つの
ＣＶＤシステムが示されているが、本発明による方法
が、例えば本明細書において引用により援用されている
米国特許第４、８３４、０２０号に記載されているコン
ベヤを装備した大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）システムな
どの他の熱ＣＶＤシステムを用いて実践し得ることに留
意することは重要である。
【００１０】本発明のアルキルシロキサン前駆物質は、
一般に液体状であり、インゼクター２８に導入する前に
気化しなければならない。液状のアルキルシロキサン前
駆物質は、液体流量計（ＬＦＭ）３４で計量され、次い
で市販の有向液体インゼクター（ＤＬＩ）３６で気化す
る。気化したアルキルシロキサン前駆物質は、ＤＬＩ３
６を出て、次いでインゼクター２８に運ばれる。液体前
駆物質は、バブラーを使用して同じく気化することがで
きる。バブラーは、当業技術で既知であり、米国特許第
５、０７８、９２２号に記載されているものなどの任意
の種類の適切なバブラーを使用してもよい。
【００１１】膜を堆積するために、アルキルシロキサン
前駆物質及び他の反応ガス及び不活性ガスがインゼクタ
ー２８に運ばれる。本発明の方法と共に実践するのに適
したインゼクターの１つの実施形態は、より詳細に図２
に示されている。一般に、インゼクター２８は、インゼ
クター２８の長さ方向に延びる多重交差チャンネル又は
プレナム４０から成り、その各々は、同じくインゼクタ
ー２８の長さ方向に延びる狭いスロット状チャンネル４
６によって共通のガス供給面４４と結合される。ガス
は、ガス供給面４４からウェーハ基板２６の直ぐ上方に
ある堆積領域３０に出ていく。低圧の実施形態において
は、堆積ガスは、プレナム４０の各々に別々に供給され
るのが好ましい。排気チャンネル４８が設けられ、反応
しないガスと堆積領域３０からの副産物とを除去する。
チャンバを排気するために、ポンプ（図示されていな
い）が使用されてもよい。低圧の実施形態では、好まし
くは、チャンバの圧力は、約２００から６００トルの範
囲である。大気圧の実施形態では、チャンバの圧力は、
約７６０トルに維持される。インゼクターは、本明細書
において引用により援用されている米国特許第５、６８
３、５１６号及び米国特許出願シリアル番号第０９／１
１３、８２３号（代理人ドケット番号Ａ−５９４７１−
４／ＡＪＴ／ＭＳＳ）に更に記載されている。１つの特
定のインゼクターの例が記載されたが、本発明の方法を
実践するのに他の多くの種類のインゼクターが適するこ
とを理解されたい。
【００１２】膜を堆積するために、蒸気相のアルキルシ
ロキサンは、好ましくは窒素などの不活性ガスで希釈さ
れてインゼクター２８に流される。この場合はオゾン
（Ｏ3）である他の反応ガスも同じくインゼクター２８
に運ばれる。アルキルシロキサン蒸気は、ガスインゼク
ターの出口でオゾンと混合し、ウェーハ又は基板の表面
に供給される。基板は、圧力が２００から６００トルの
範囲又は大気圧のいずれの場合でも、約３００から６０
０℃の範囲の温度に加熱されるのが好ましい。アルキル
シロキサンは、気体相でオゾンと反応して付加的中間生
成物を形成する。堆積速度は、作動条件によっては、同
じくこの速度の関数である可能性がある。アルキルシロ
キサン及び中間生成物は、加熱された面に拡散してその
後反応し、基板表面に固形膜を形成する。
【００１３】特別な利点として、本発明のアルキルシロ
キサン前駆物質は、前駆物質の分子当たり１つよりも多
いＳｉ原子を含有する。従来のＴＥＯＳ前駆物質は、前
駆物質の分子当たりただ１つのＳｉ原子しか含まない。
すなわち、本発明に従って使用される前駆物質の総量
は、同じ堆積速度を達成しながらＴＥＯＳの相当量に比
較して減らすことができる。使用する前駆物質が少ない
と、例えば粉体の形成が抑制され、また従来のＴＥＯＳ
／オゾン処理に比べてより少ない量の副産物の形成をも
たらすなどの顕著な利点がある。従って、副産物と粉体
形成とによって影響されるシステムの寿命を長くするこ
とができ、粉体形成の問題も軽減することができる。更
に、アルキルシロキサンの分子がＴＥＯＳとは異なって
１つよりも多いＳｉ原子を有するので、堆積される二酸
化シリコンの量は、本発明の方法では更に多い。更に、
アルキルシロキサンの拡散速度がＴＥＯＳと比較してわ
ずかに小さいだけであることが見出された。これら２つ
の要因は、従来のＴＥＯＳに比べた時に本発明による前
駆物質の同等又は向上した空隙充填性能をもたらす。
【００１４】本発明の別の態様では、アルキルシロキサ
ン前駆物質は、蒸気相のアルキルホウ酸塩及び／又はア
ルキルリン酸塩、又は、アルキル亜リン酸塩などのドー
パント供給源と混合することができ、オゾンと共に基板
表面に共注入されて、ＢＳＧ、ＰＳＧ、及び、ＢＰＳＧ
などのドーピングされた二酸化シリコンを生成する。特
別な利点として、本発明の方法は、同じ量の前駆物質分
子を使用して１つよりも多いＳｉ原子の導入をもたら
し、それは、同等量の従来のＴＥＯＳ前駆物質が使用さ
れた時により高い堆積速度を可能にする。代替的に、よ
り少量のアルキルシロキサン化学物質を使用して、従来
のＴＥＯＳ／Ｏ3処理で得られるのと同じ処理量を達成
することができる。これにより、半導体処理装置を作動
する維持費（ＣｏＯ）を最大３倍又はそれ以上も低減す
ることができる。
【００１５】気体相の反応が気体相の化学物質濃度の関
数であるために、本発明に従って堆積速度を減少させる
ことなくより少量の化学物質を導入することにより、気
体相の反応に起因する粉体形成が軽減される。その結
果、チャンバ及び排気区域の堆積物の洗浄経費を大幅に
減少することができ、相当な利益をもたらす。更に、よ
り低い流量は、副産物の形成を低減する。これにより、
時間が経つとこれらの副産物への露出及びその攻撃から
劣化及び腐食するＣＶＤシステムの構成要素の寿命が向
上される。
【００１６】更に大きな利点として、本発明者は、本発
明の前駆物質及び方法によって堆積された膜が、従来の
ＴＥＯＳ処理によって堆積された膜に比べて、温度に対
してより低い感度を示すことを見出した。ＴＥＯＳは、
温度に対して非常に敏感である。前駆物質の温度に対す
る感度は、ウェーハに堆積された膜厚の均一性に対して
相当な影響がある。これは、その結果、均一な加熱をも
たらすために堆積機器、特にウェーハ支持器に対して厳
格な要求を呈する。現在の所、ＴＥＯＳ処理によって堆
積される膜は限定されており、約２％よりも低い膜不均
一性を達成することができておらず、当業界において約
１％のオーダーのより低い不均一性を達成する必要性が
存在する。以下にいくつかの実施例が与えられる。本発
明の方法により、オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴ
Ｓ）が試験され、ＯＭＴＳを用いて堆積された膜が評価
されて従来のＴＥＯＳ／Ｏ3処理と比較された。以下の
実施例は、例証目的のみで示されており、いかなる意味
においても本発明の範囲を制約する意図はない。
【００１７】ＯＭＴＳ及びＴＥＯＳのいくつかの特性が
以下の表１に列挙されている。本発明の１つの実施形態
によれば、本方法は、３００〜５００℃の温度範囲、約
２００〜６００トルの様々な圧力範囲（すなわち、低
圧）、及び、共同反応物としてＯ3を使用し、ＯＭＴＳ
を用いて実施された。膜は、比較のためにＴＥＯＳを用
いて同じく堆積された。堆積膜の堆積速度及び炭素含有
量に対する様々な温度、圧力、及び、Ｏ3濃度の影響が
研究された。エッチング速度、収縮量、炭素含有量、及
び、堆積状態の膜の応力などの膜の品質は、従来のＴＥ
ＯＳ／Ｏ3処理で堆積されたＳｉＯ2膜と比較された。Ｏ
ＭＴＳ及びＴＥＯＳによって堆積された膜の空隙充填性
能も同じく研究された。本発明の別の実施形態によれ
ば、本方法は、大気圧において実行された。堆積された
膜の堆積速度及び炭素制御に対する様々な温度及びＯ3
濃度の影響は、膜の品質と共に同じく研究された。
【００１８】（表１）ＯＭＴＳ及びＴＥＯＳの物理特性
【００１９】実験は、図１及び図２に各々示す線形イン
ゼクターを備えたＣＶＤシステムで実行された。チャン
バの圧力が大気圧条件よりも低く制御できるように、真
空ポンプ（図示されていない）がチャンバに取り付けら
れ、バルブを通して分離されている。ＴＥＯＳ及びＯＭ
ＴＳの液体流量は、液体流量計（ＬＦＭ）によって制御
されてＤＬＩに送られ、そこで注入された流体が全て完
全に気化される。気化器の温度は、温度制御装置を使用
して監視及び制御される。蒸気は、次いで図２に示すよ
うに、希釈窒素と共にインゼクターの内側ポート４０を
通って導入される。ＤＬＩ３６からインゼクター２８ま
でのラインは、１２０℃まで加熱され、前駆物質蒸気の
凝結を防止する。
【００２０】スミトモ製（型式ＳＧＮ−０４ＣＵＡ−９
５−８）のオゾン発生装置（図示していない）に酸素を
通すことによってオゾンが発生される。オゾン発生装置
から出力されるものは、酸素とオゾンとの混合物から成
り、それは、希釈ガスとしての窒素と共にインゼクター
２８の外側ポート４０を通って反応器に導入される。オ
ゾンを発生するセルに供給する電力を変えることによっ
て、オゾン濃度を変えることができる。
【００２１】オゾン、ＯＭＴＳ、及び、窒素ガスは、イ
ンゼクターを通して処理チャンバの中に運ばれる。この
実施形態において、処理チャンバは、３つのインゼクタ
ーを使用し、ガスは、ポート４０と各インゼクター２８
とに別々に運ばれる。側面ポート４１及びチャンネル４
７は、インゼクター２８の側面に窒素ガスの流れを供給
するために使用され、それは、堆積領域３０を分離させ
てインゼクター２８及びチャンバ２２表面への粉体形成
の蓄積を少なくするのを補助する。ガスは、各インゼク
ターのいずれかの側面の排気チャンネル４８を通って排
気される。特定のインゼクターデザインが記述された
が、本発明の方法を実行するために他の注入及び熱ＣＶ
Ｄシステムの構成を使用してもよいことを当業者は理解
されたい。
【００２２】ウェーハは、インコネルヒータ２６を使用
して加熱されるアルミニウムチャック２４上に配置され
る。ウェーハ表面温度は、４００℃から５００℃で±
１．６℃の温度校正特性を用いて熱電対（ＴＣ）ウェー
ハを使用して測定される。加熱されたチャック２４は、
ウェーハが様々な速度での線形運動でインゼクターの下
方に移動し得るように移行器３２に連結される。これに
より、チャック２４の速度を制御することによって堆積
時間を制御することができる。
【００２３】様々な圧力（低圧）を使用して実施された
実験 様々な処理条件下で２００ミリメートルのｐ型 [１０
０]シリコン基板上に膜が堆積された。具体的には、膜
は本発明によるＯＭＴＳを使用して堆積された。膜は、
比較のために、同じく従来のＴＥＯＳを使用しても堆積
された。処理条件は、以下の表２に列挙されている。
【００２４】（表２）堆積処理条件
【００２５】各条件において３回から５回の実験が実行
された。膜厚は、ウェーハ上の著しく不均一な堆積のた
めに縁部を１０ミリメートル除外して４９点を使用した
「プロメトリクス」スペクトロマップ（型式ＳＭ２００
／Ｅ）を使用して測定された。これは、実験中のウェー
ハ温度が著しく不均一で、ウェーハ端部での約２６５℃
から中心部での約３０１℃まで変化したためである。従
って、本実験で報告された堆積温度は、ウェーハ中心部
の温度に相当する。縁部の１０ミリメートル除外にもか
かわらず、堆積の均一性は、７〜１５％１σで変動し
た。均一性は、温度が３００℃から５００℃に増加され
ると改善された。これは、温度が上昇すると、堆積が運
動によって制御されるよりもむしろ質量輸送で制御され
るようになり、従って、温度分布というよりはむしろガ
ス流れ場の関数になるためである。従って、上記の観測
は、ガス流れ場が温度分布よりも均一であることを示
す。
【００２６】膜は、室温に維持された３０：１のＢＯＥ
溶液でエッチングされ、エッチング速度を判断するため
にエッチング前後の厚さが測定された。ウェーハは、窒
素（Ｎ2）雰囲気において炉（カナリー製、ＮＯＢＬＥ
ＩＰＳ ８１２）の中で９００℃で３０分間焼き鈍し
された。焼き鈍し前後の厚さを測定することによって、
収縮量が測定された。応力は、乾燥Ｎ2雰囲気において
応力ゲージ（テンカー製、ＦＬＸ−２４１０）で測定さ
れた。膜の炭素含有量は、６キロ電子ボルトのエネルギ
のＯ2イオンビームを用いる四重極式２次イオン質量分
析計（ＳＩＭＳ）（米国カリフォルニア州所在のチャー
ルズ・エバンス・アンド・アソシエーツ）を使用して分
析された。パターン化されたウェーハは、空隙充填の程
度を測定するために、２次電子顕微鏡法（ＳＥＭ）（フ
ィリップス製、ＸＬ４０ＦＥＧ）によって分析された。
【００２７】ここで実験の結果を検討する。上記の通
り、ＯＭＴＳの各分子は、１つのＴＥＯＳ分子の１つの
シリコン原子と比較して３つのシリコン原子を含有す
る。従って、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳから堆積された膜の
間の比較は、モルベースの前駆物質又はモルベースのシ
リコン（Ｓｉ）に基づくことができるであろう。以下に
検討する結果と図に示された結果とは、モルベースの前
駆物質よりもむしろモルベースのＳｉで表され、参照と
してそれを使用する意味は、関連する場合に応じて検討
される。堆積温度は、３００〜５００℃の間で変えら
れ、堆積速度と湿潤エッチング速度、収縮量、及び、空
隙充填能力などの膜特性とに対するその影響が研究され
た。圧力、オゾン対シリコン濃度比（Ｏ3：Ｓｉ）、及
び、Ｓｉ流量は、各々、２００トル、１０．３、及び、
０．００９モル／分で一定に保たれた。ＴＥＯＳ及びＯ
ＭＴＳの結果が比較されて、図３、図４、及び、図５に
示されている。
【００２８】図３は、温度を関数とする堆積速度を示
し、堆積温度が３００から４００℃に上昇した時にＯＭ
ＴＳ堆積速度が約２５オングストローム／分から２００
オングストローム／分に増加し、次いで温度が５００℃
に上昇するとわずかに減少したことを示す。ＴＥＯＳに
よる堆積速度は、温度によって類似の傾向を示したが、
堆積速度は、温度が５００℃まで上昇した時に著しい低
下を示した。ＴＥＯＳ及びＯＭＣＴＳなどの異なるＳｉ
供給源を使用したＯ3ベースの化学作用のこの傾向は、
文献に報告されてきた。高い温度における堆積速度の低
下は、寄生的な気体相の反応のためである可能性があ
る。堆積速度が極大値に達する温度がＴＥＯＳ／Ｏ3に
対する圧力増加に伴って低下することが示されている。
【００２９】２００トルで温度が３００〜４００℃の範
囲では、ＯＭＴＳと比較してＴＥＯＳの場合に、堆積速
度が温度によってより速く増加した。これは、ＴＥＯＳ
に比較してＯＭＴＳの場合に、ウェーハ表面温度の変化
に起因する膜厚の変化がより小さくなることを示してお
り、それは好ましい特性である。図３は、圧力が２００
トルでのＯＭＴＳによる堆積速度が、たとえＳｉ流量が
同じであっても、ＴＥＯＳによる堆積速度よりも常に低
いことを同じく示している。これは、ＯＭＴＳの流量が
ＴＥＯＳの流量の１／３であったので、ＯＭＴＳを使用
するＳｉの濃度がＴＥＯＳのそれの１／３であったから
である。
【００３０】本発明の方法により、チャックのレベリン
グ調整と供給ライン温度を変えることによって、図３に
示すものの約３倍の堆積速度がＯＭＴＳを用いて達成し
得ることに留意することが重要である。これらの速度が
報告されなかった理由は、最適とは異なるレベリング条
件下でベースラインが確立されたからである。これは、
ＴＥＯＳによって提供されるのと同じ堆積速度がＯＭＴ
Ｓの１／３の量だけを使用して達成できるので非常に重
要な利点である。ＯＭＴＳのコストがＴＥＯＳのコスト
の約半分なので（ＴＥＯＳ〜２８セント／グラム、及
び、ＯＭＴＳ〜１６セント／グラム）、これは、６倍の
コスト低減をもたらす。
【００３１】膜の別の重要な特性は、湿潤エッチング速
度である。湿潤エッチング速度（ＷＥＲ）は、堆積した
ＣＶＤ膜のエッチング速度を熱酸化物のエッチング速度
と比較することによって測定された。堆積温度を関数と
するＷＥＲは、２００トル、Ｏ3：Ｓｉ＝１０、及び、
０．００９モル／分のＳｉ流量で図４に表されている。
データは、ＯＭＴＳで堆積された膜のＷＥＲは堆積温度
が変わっても約３でかなり一定に保たれているのに対し
て、ＴＥＯＳで堆積された膜のＷＥＲは堆積温度が３０
０℃から５００℃に上昇した時に約７から約３に減少し
たことを示している。これは、ＴＥＯＳから堆積された
膜の密度は堆積温度が上昇すると大きくなったが、ＯＭ
ＴＳが使用された場合は堆積温度に対してかなり一定で
あったことを示唆している。
【００３２】異なる堆積温度でのＴＥＯＳ及びＯＭＴＳ
から堆積されたＳｉＯ3膜の収縮量が図５に示されてい
る。圧力は、２００トルで一定に保たれ、Ｏ3：Ｓｉ＝
１０、及び、０．００９モル／分のＳｉ流量が使用され
た。ＯＭＴＳから堆積されたＳｉＯ3膜の収縮量は、Ｔ
ＥＯＳを使用して堆積されたＳｉＯ3膜の収縮量と比較
してわずかに低かった。膜（ＴＥＯＳのほかＯＭＴＳか
ら堆積された）の収縮量は、堆積温度が３００℃から４
５０℃に上昇すると減少し、その後、５００℃において
約５％の収縮量でかなり一定に保たれた。膜の収縮は、
Ｈ2Ｏ、ＯＨ、Ｏ、及び、Ｈ2などの水関連種と、Ｏ
2と、前駆物質の不完全分解のために発生するＯＣ
2Ｈ5、ＯＣ2Ｈ4、Ｃ2Ｈ5、及び、Ｃ2Ｈ4などのエトキシ
ル基関連種の損失に帰することができる（熱脱着研究に
基づく）。温度が高いと前駆物質のより完全な分解を導
くであろうから、従ってより低い収縮量をもたらす。
【００３３】ＯＭＴＳを使用して堆積された膜の炭素含
有量は、３００℃（２００トル、Ｏ3：Ｓｉ＝１０）で
の約２×１０19原子／立方センチメートルから、４５０
℃（２００トル、Ｏ3：Ｓｉ＝１０）での約２．５×１
０18原子／立方センチメートルに減少した。これは、お
そらく高い温度において更に完全な分解が発生したこと
に起因する。ＴＥＯＳから堆積された膜の炭素含有量
は、３００℃（２００トル、Ｏ3：Ｓｉ＝１０）での約
２×１０18原子／立方センチメートルから、４５０℃
（２００トル、Ｏ3：Ｓｉ＝１０）での約１×１０18原
子／立方センチメートルに減少した。このように、ＴＥ
ＯＳから堆積された膜の炭素含有量はより低く、特によ
り低い堆積温度（３００℃）ではそうである。上記のデ
ータは、４００〜４５０℃の温度範囲での作動は、堆積
速度、ＷＥＲ、及び、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳから堆積さ
れた膜の収縮量に関して、最良の品質をもたらすことを
示唆する。次に、圧力の影響がこの温度範囲で試験され
た。空隙充填性能上の温度の影響は、以下の別の節で検
討される。
【００３４】ＣＶＤチャンバ２２の作動圧力は、４００
℃及び４５０℃において２００から６００トルまで変え
られ、膜の特性に対するその影響が研究された。ＴＥＯ
Ｓ及びＯＭＴＳを使用する堆積速度は、図６に示すよう
に圧力が大きくなると増加した。この堆積速度の増加
は、圧力増加に伴う前駆物質の分圧増加によることが可
能である。図６には示されていないが、ＯＭＴＳを使用
した４００℃での堆積速度は、７００トルで１０００オ
ングストローム／分まで急上昇した。利用可能なシリコ
ンの同等量に対してＯＭＴＳの流量がＴＥＯＳの流量の
ほぼ１／３であることを考慮すると、ＯＭＴＳの量の１
／３だけを使用して、それでも尚、ＴＥＯＳから得られ
るのと同じ処理量を達成できる。これにより、ＣＶＤシ
ステムの維持費（ＣｏＣ）の大幅な低減がもたらされ、
当業技術に著しい進歩を呈する。
【００３５】図７を参照すると、圧力の増加は、４００
℃でＴＥＯＳ又はＯＭＴＳを使用して堆積された膜のＷ
ＥＲの増加をもたらすことを更に示している。しかし、
４５０℃で圧力に関してＷＥＲはかなり一定に保たれ
た。これは、文献に報告されたＴＥＯＳに関する研究と
一致する。本発明の方法は、圧力の変化がＷＥＲに大き
く影響しないように、４００℃の代わりに４５０℃又は
それ以上の温度で作動させることが好ましい。
【００３６】膜の収縮量に対する圧力の影響を図８に示
す。データは、収縮量が一般に圧力（すなわち、堆積速
度の増加）に伴って増加することを示す。より高圧でよ
り高堆積速度において、前駆物質の分解は比較的不完全
であり、より多くの有機種及び水状種が焼き鈍しサイク
ルの間に追い出される結果になることが可能である。し
かし、いかなる明確な結論を出すためにも、これには更
に調査が必要である。ＯＭＴＳを使用して２００トル
（４５０℃、Ｏ3：Ｓｉ＝１０）で堆積された膜の炭素
含有量は、圧力が６００トルに上昇した時、２．５×１
０18原子／立方センチメートルで一定値を保った。同様
に、ＴＥＯＳを使用して２００トル（４５０℃、Ｏ3：
Ｓｉ＝１０）で堆積された膜の炭素含有量は、圧力が６
００トルに上昇した時、１×１０18原子／立方センチメ
ートルで一定値を保った。
【００３７】次に、オゾン対シリコンの濃度比（Ｏ3：
Ｓｉ）が評価された。図９は、Ｏ3：Ｓｉが約５から１
１に増加したことにより、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳに関す
る堆積速度の直線的増加がもたらされたことを示す。こ
れは、文献に報告されたＴＥＯＳ研究と一致する。ＷＥ
Ｒ及び収縮量は、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳの両方に対する
Ｏ3：Ｓｉ比の増加に伴っていかなる認知できる変化も
示さなかった。ＷＥＲは、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳに関し
て、各々、約４及び３で一定値を保った。Ｏ3：Ｓｉ比
は収縮量に影響せず、収縮量は、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳ
に関して、各々、約８と６で一定値を保った。
【００３８】半導体の製造において、膜の空隙充填性能
は特に重要である。装置の密度が小さくなるに従い、膜
の空隙充填性能は、更に決定的に重要になる。顕著な利
点として、本発明の方法で堆積された膜は、従来のＴＥ
ＯＳ膜と比較して大きく改良された空隙充填性能を示し
た。従って、空隙充填性能が評価され、上記の解析は、
約４００〜５００℃の温度での作動がＴＥＯＳ及びＯＭ
ＴＳの両方に対する３００〜４００℃と比べて良好な膜
品質（低いＷＥＲと収縮量）をもたらすことを示す。従
って、本発明の方法により堆積された膜の空隙充填性能
は、４００〜５００℃の温度範囲と２００〜６００トル
の圧力という処理条件でＴＥＯＳ膜と比較された。
【００３９】前駆物質としてＴＥＯＳを使用して完全に
充填された最小形態の大きさは、図１０ｂに示すよう
に、約０．７ミクロンでアスペクト比が１．０であっ
た。ＴＥＯＳ膜は、４５０℃、６００トル、及び、
Ｏ3：Ｓｉ＝１０．３で堆積された。０．７ミクロンよ
りも小さな形態の大きさは、前駆物質としてＴＥＯＳを
使用して温度を変えても（４００℃から５００℃）、又
は、圧力を変えても（２００から６００トル）、いずれ
でも充填することができなかった。前駆物質としてＯＭ
ＴＳを使用して完全に充填された最小形態の大きさは、
図１０ｂに示すように約１００ナノメートルでアスペク
ト比が約８であった。ＯＭＴＳ膜は、５００℃、２００
トル、及び、約５．０のＯ3：Ｓｉ（約１００オングス
トローム／分の堆積速度）で堆積された。
【００４０】完全に充填された最小形態の大きさの空隙
は、図１１に示すように、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳで堆積
された膜に対して堆積速度の関数（ティーレ（Ｔｈｉｅ
ｌｅ）係数の尺度と考えることができる）としてプロッ
トされている。図１１のデータポイントのすぐ隣の数は
アスペクト比を表す。２５０オングストローム／分を超
える堆積速度のデータポイント（上部右側の隅）は、全
て１．０のアスペクト比を表す。データは、ティーレ係
数の理論的根拠に一致する。それは、より小さな形態の
大きさは、ＴＥＯＳではなくＯＭＴＳを使用して完全に
充填されることを説明している。
【００４１】最後に、ＯＭＴＳ及びＴＥＯＳから堆積さ
れた膜の応力は、堆積温度４５０℃及び圧力２００トル
において、Ｏ3：Ｓｉ比の関数として測定された。デー
タは図１２に示され、図には、堆積状態の膜の応力が引
張応力であり、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳの両方に関してＯ
3：Ｓｉ比が増加してもかなりの一定値を保つことが示
されている。更に、２つの前駆物質からの膜の堆積状態
の応力は同等であるように見える。
【００４２】更なる利点として、本発明の方法は、有害
な粉体蓄積の低減を促進する。従来技術のＴＥＯＳの方
法では、ＣＶＤ反応の間にかなりの粉体（通常、酸化物
と副産物）形成が起こる。粉体は、インゼクター及びチ
ャンバの表面に堆積し、排気ラインを詰まらせポンプを
破損する。粉体は、膜における粒状汚染の顕著な供給源
となる。粉体を頻繁に表面から除去する必要があるの
で、粉体の蓄積は、ＣＶＤシステムの寿命を短縮し、シ
ステムの休止時間を増大させる。本発明のアルキルシロ
キサン前駆物質は、同じ量の酸化物を堆積するのにより
少ない化学物質を必要とし、その結果、副産物の生成量
がより少なくなるために、粉体蓄積を低減する。更に本
発明者は、アルキルシロキサン化合物、特にＯＭＴＳが
ＴＥＯＳよりも安定であり、気体相で反応する可能性が
低く、従って粒子の生成がより少ないと考えている。
【００４３】大気圧で実施された実験 本発明の別の例証的実施形態において、大気圧で作動す
る市販のＷＪ−９９９ＡＰＣＶＤシステムで革新的方法
が実践された。流れを封じ込める問題があったので、最
初の２つのチャンバのみが堆積のために使用された。シ
ステムは、左、右、及び、中心部が互いに５℃以内にな
るように各温度設定ポイントにおいて形成された。ＯＭ
ＴＳに対するバブラー温度は、化学物質流量を６０立方
センチメートル毎分／チャンバ（ＴＥＯＳ用）から２０
立方センチメートル毎分／チャンバ（ＯＭＴＳ用）に減
らすために５０℃（ＴＥＯＳに対する７５℃と比較し
て）に落とされた。システムに他の変更は何も加えられ
なかった。インゼクターポートを通って結合するＯＭＴ
Ｓ、窒素、及び、オゾンガスの流れは、各々、内側ポー
ト、分離器、及び、外側ポートを通って、６ｓｌｍ、１
４ｓｌｍ、及び、１０ｓｌｍで維持された。オゾン濃度
は、Ｏ3：Ｓｉ比を１２、１０、７、及び、５に変化さ
せるように、各温度において１５８〜６６グラム／立方
メートルの間で変化させた。堆積温度は、３５０℃から
５５０℃まで５０℃きざみで変化させた。システムにド
ーパントは何も加えられなかった。
【００４４】膜厚は、「プロメトリクス」スペクトロマ
ップ（型式ＳＭ２００／Ｅ）を使用して、縁部の６ミリ
メートルを除外した４９ポイントを用いて測定された。
堆積状態の膜を有するウェーハは、室温に保持された３
０：１のＢＯＥ溶液でエッチングされ、エッチング前後
の厚さを測定してエッチング速度を判断した。ウェーハ
は、Ｎ2雰囲気において、炉（カナリー製、ＮＯＢＬＥ
ＩＰＳ ８１２）の中で９００℃で３０分間焼き鈍し
された。焼き鈍し前後の厚さを測定することによって、
収縮量が測定された。応力は、乾燥Ｎ2雰囲気におい
て、応力ゲージ（テンカー製、ＦＬＸ−２４１０）で測
定された。パターン化されたウェーハは、空隙充填の程
度を測定するために、２次電子顕微鏡法（ＳＥＭ）（フ
ィリップス製、ＸＬ４０ＦＥＧ）によって分析された。
それらは、３０：１のＢＯＥ溶液で２０秒間エッチング
された。
【００４５】ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳからＳｉＯ2膜を堆
積する実験は、広い範囲の処理条件の下で行われた。Ｔ
ＥＯＳ及びＯＭＴＳから堆積された膜の間の比較は、モ
ルベースの前駆物質ではなくむしろモルベースのシリコ
ンに基づいている。堆積温度は、３５０〜５５０℃の範
囲で変えられ、堆積速度と、湿潤エッチング速度、収縮
量、及び、空隙充填性能などの膜特性とに対するその影
響が４つの異なるＯ3：Ｓｉ比において研究された。Ｔ
ＥＯＳ及びＯＭＴＳに関する結果は、図１３、図１４、
及び、図１５に示すように比較された。
【００４６】具体的に、図１３は、約２０００オングス
トローム／分において堆積温度が３５０から５５０℃に
上昇した時、ＯＭＴＳの堆積速度がかなり一定値に保た
れたことを示す。対照的に、ＴＥＯＳによる堆積速度
は、堆積温度が上昇すると急激に減少した。より低い温
度においてＴＥＯＳとＯＭＴＳとの堆積速度にかなりの
差があることが分かって興味深い。しかし、５００℃又
はそれ以上の温度では、ＯＭＴＳの流量がＴＥＯＳの１
／３であったにもかかわらず、２つの速度は同等であ
る。これは、ＯＭＴＳの反応性がＴＥＯＳのそれよりも
低い可能性があり、その結果、堆積速度が堆積温度の変
化に対してそれほど敏感ではないことを示唆している。
換言すれば、ＯＭＴＳは、ＴＥＯＳよりも低い温度感受
性を示し、従って、ＯＭＴＳを用いて堆積された膜は、
ＴＥＯＳを用いて堆積された膜よりも低い厚さの不均一
性を呈することができる。
【００４７】湿潤エッチング速度（ＷＥＲ）は、ＣＶＤ
膜のエッチング速度を熱酸化物のエッチング速度と比較
することによって測定された。図１４のデータは、ＯＭ
ＴＳ及びＴＥＯＳのＷＥＲは同等であり、堆積温度が上
昇すると予想通り減少したことを示す。異なる堆積温度
でＴＥＯＳ及びＯＭＴＳから堆積されたＳｉＯ2膜の収
縮量が図１５に表されている。ＯＭＴＳからの膜の収縮
量は、ＴＥＯＳを使用して堆積された膜と比較して、特
に４００℃未満の温度でわずかに低かった。膜（ＴＥＯ
ＳのほかＯＭＴＳからも堆積された）の収縮量は、堆積
温度が３５０℃から５００℃に上昇すると共に減少し、
その後、５００℃において約４．５％でかなり一定に保
たれた。
【００４８】図１６は、Ｏ3：Ｓｉ比が約５から１２に
増加すると、ＯＭＴＳの堆積速度の直線的増加をもたら
したことを示す。しかし、ＴＥＯＳの堆積速度の場合
は、Ｏ3：Ｓｉ比に関して最大値を示した。このデータ
は、更に、ＯＭＴＳの気体相における反応性がより低い
（ＴＥＯＳに比べて）ことを実証している。ＷＥＲ及び
収縮量は、ＴＥＯＳ及びＯＭＴＳの両方に関して、
Ｏ3：Ｓｉ比の増加に伴ういかなる認知できる変化も示
さなかった。
【００４９】前駆物質の空隙充填能力はＩＢＭ ＳＴＩ
ウェーハに対して評価され、従って、これらの構造を念
頭に置いてその結果が検討される。処理条件が異なるＴ
ＥＯＳ処理で達成された空隙充填を示す走査電子顕微鏡
（ＳＥＭ）写真が図１７ａ〜図１７ｃに示されている。
図は、傾斜した側壁を有する０．１３ミクロンの大きさ
及び約２のアスペクト比の空隙を５００℃又はそれ以上
の温度でＴＥＯＳが完全に充填できることを示す（図１
７ａ）。しかし、５００℃では継ぎ目がはっきりとわか
る（図１７ｂ）。４５０℃又はそれ以下の温度では、キ
ーホールの形成はないが構造に継ぎ目がはっきりとわか
る（図１７ｃ）。Ｏ3：Ｓｉ比が小さくなると、平均的
に空隙充填性能は低下する。
【００５０】図１８ａ〜図１８ｃのＳＥＭ写真に示すよ
うに、ＯＭＴＳでも同様に同じ傾向が現れている。空隙
充填は、５００℃において完了しており（図１８ａ）、
５５０℃（図１８ｂ）及び４５０℃（図１８ｃ）におい
ては、継ぎ目が明白であった。しかし、ＯＭＴＳの場合
は、ＴＥＯＳと比較して、Ｏ3：Ｓｉ比が減少すると空
隙充填性能が急激に低下した。Ｏ3：Ｓｉ比の更なる増
加によりＯＭＴＳの空隙充填性能を改善し得ることを言
及しておきたい。
【００５１】ＯＭＴＳ及びＴＥＯＳから堆積された膜の
応力は、堆積温度の関数として測定され、そのデータが
図１９に示されている。全ての場合で堆積状態の膜の応
力は引張応力であった。いくつかのウェーハは処理後３
０分以内に測定されたが、一方、他のものは２〜３時間
後に測定されたため（物流上の制約により）、データ
は、定性的にのみ見る必要がある。ＴＥＯＳ及びＯＭＴ
Ｓを使用して堆積された膜の堆積状態の応力は同等であ
ったことをデータは示している。ＴＥＯＳの場合、より
高いＯ3：Ｓｉ比は、より高い堆積状態応力をもたら
す。この傾向は、ＯＭＴＳの場合には反対のように見え
る。その他の明確な結論は不可能である。
【００５２】アルキルシロキサン前駆物質を使用して堆
積されたシリコン二酸化膜は、湿潤エッチング速度、収
縮量、炭素含有量、及び、空隙充填能力などの、ＴＥＯ
Ｓから堆積された膜と同等の品質を示す。更に、この前
駆物質は、ＴＥＯＳよりも安価であり、ＴＥＯＳに比較
して少ない副産物の生成をもたらす。これは、インゼク
ター及びＣＶＤチャンバの向上した寿命をもたらすこと
ができる。ＯＭＴＳを使用する膜の堆積速度は、１／３
の量の化学物質しか使用されていないため、探求された
条件の範囲においてはＯＭＴＳのそれよりも低い。しか
し、ＯＭＴＳの１／３（ＴＥＯＳと比較して）しか使用
されない場合でさえも、堆積速度は、ＴＥＯＳのそれと
同等である。本発明は少しの特定実施形態に関連して説
明されたが、説明は例証的であって本発明を限定するよ
うに解釈されるものではない。本発明の範囲から逸脱す
ることなく、様々な変更が当業者において想起し得るも
のである。 ［図面の簡単な説明］
【図１】本発明の方法と共に使用できるＣＶＤシステム
の１つの実施形態の概略図である。
【図２】本発明の方法と共に使用できるインゼクターの
１つの実施形態の概略図である。
【図３】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、Ｏ3：Ｓｉ＝１０．３でＳｉ流量が０．０
０９モル／分における２００トルでの温度の関数として
の堆積速度を示すグラフである。
【図４】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、３０：１ＢＯＥでの堆積状態のエッチング
速度（熱酸化物と比較した）を堆積温度の関数として示
すグラフである。
【図５】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、堆積状態の膜のＮ2中での９００℃で３０
分間の収縮量を堆積温度を関数として示すグラフであ
る。
【図６】従来の前駆物質及び本発明の１つの実施形態に
よる１つの前駆物質に関して、Ｓｉ：Ｏ3＝１０．３で
Ｓｉ流量が０．００９モル／分に対する圧力を関数とし
た堆積速度のグラフである。
【図７】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、３０：１のＢＯＥでの堆積状態のエッチン
グ速度（熱酸化物と比較した）を圧力の関数として示す
図である。
【図８】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、堆積状態の膜のＮ2中での９００℃で３０
分間の収縮量を圧力を関数として示すグラフである。
【図９】従来の前駆物質及び本発明による１つの前駆物
質に関して、２００トルで４５０℃におけるＯ3：Ｓｉ
を関数とした堆積速度を示す図である。
【図１０ａ】４５０℃、６００トル、及び、Ｏ3：Ｓｉ
＝１０．３で堆積された従来の前駆物質の空隙充填性能
を示す走査電子顕微鏡写真を示す図である。
【図１０ｂ】５００℃、２００トル、及び、Ｏ3：Ｓｉ
＝５で堆積された革新的前駆物質の空隙充填性能を示す
走査電子顕微鏡写真を示す図である。
【図１０ｃ】５００℃、２００トル、及び、Ｏ3：Ｓｉ
＝１１．０で堆積された革新的前駆物質の空隙充填性能
を示す走査電子顕微鏡写真を示す図である。
【図１１】堆積速度の関数としてＯＭＴＳ及びＴＥＯＳ
の空隙充填性能を示す図である。
【図１２】従来の前駆物質及び本発明の前駆物質に関し
て、４５０℃で２００トルにおける堆積状態の膜の応力
をＯ3：Ｓｉ比の関数として示す図である。
【図１３】本発明の別の実施形態により大気圧で行われ
た異なるＯ3：Ｓｉ比における堆積速度を温度の関数と
して示すグラフである。
【図１４】大気圧で実行された異なるＯ3Ｓｉ比でのＷ
ＥＲを堆積温度を関数として示す図である。
【図１５】大気圧で実行された異なるＯ3：Ｓｉ比での
収縮量を堆積温度を関数として示す図である。
【図１６】大気圧における異なる温度での堆積速度をＯ
3：Ｓｉを関数として示す図である。
【図１７ａ】大気圧において、５００℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＴＥＯＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１７ｂ】大気圧において、５５０℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＴＥＯＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１７ｃ】大気圧において、４５０℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＴＥＯＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１８ａ】大気圧において、５００℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＯＭＴＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１８ｂ】大気圧において、５５０℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＯＭＴＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１８ｃ】大気圧において、４５０℃及びＯ3：Ｓｉ
＝１２でのＯＭＴＳを用いて堆積された層の空隙充填を
示す走査電子顕微鏡写真の図である。
【図１９】大気圧で実行された異なるＯ3：Ｓｉ比での
堆積状態の応力を温度を関数として示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユアン ツェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント ベンボウ ドラ イヴ 42024 (56)参考文献 特開 平３−198338（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−281861（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−45687（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/312 H01L 21/314 H01L 21/316 H01L 21/318 C23C 16/40

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも１つのチャンバを有する化学
    蒸着（ＣＶＤ）システムにおいて半導体基板の表面上に
    酸化膜を堆積する方法であって、以下の段階： 一般式： （ＣＨ3）3Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ3）2］ｎＯＳｉ（ＣＨ3）3 （式中、ｎは１または２である。）で表されるアルキル
    シロキサン前駆物質をチャンバに供給する段階と、 前記チャンバにオゾンを供給する段階と、 前記アルキルシロキサン前駆物質とオゾンとを熱反応さ
    せて、基板の表面上に酸化膜を堆積させる段階と、を含
    むことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記熱反応させる段階は、約３００℃か
    ら６００℃の範囲の温度で実行され、前記チャンバは、
    約１００から７００トルの範囲の圧力に維持されること
    を特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記熱反応させる段階は、約２００℃か
    ら６００℃の範囲の温度で実行され、前記チャンバは、
    ほぼ大気圧に維持されることを特徴とする請求項２に記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 前記アルキルシロキサン及びオゾンは、
    約２００から６００トルの圧力において、オゾン対シリ
    コン（Ｏ3：Ｓｉ）として表されたモル濃度比が約５か
    ら１５の範囲で供給されることを特徴とする請求項１に
    記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記アルキルシロキサン及びオゾンは、
    ほぼ大気圧の圧力において、オゾン対シリコン（Ｏ3：
    Ｓｉ）として表されたモル濃度比が約５から１５の範囲
    で供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記アルキルシロキサン前駆物質は、オ
    クタメチルトリシロキサン及びデカメチルテトラシロキ
    サンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１
    に記載の方法。
  7. 【請求項７】 少なくとも１つのチャンバを有する化学
    蒸着（ＣＶＤ）システムにおいて半導体基板の表面上に
    酸化膜を堆積する方法であって、以下の段階： 一般式： （ＣＨ3）3Ｓｉ［ＯＳｉ（ＣＨ3）2］ｎＯＳｉ（ＣＨ3）3 （式中、ｎは１または２である。） で表されるアルキルシロキサン前駆物質をチャンバに供
    給する段階と、 前記チャンバにオゾンを供給する段階と、 前記アルキルシロキサン前駆物質とオゾンとを熱反応さ
    せて、基板の表面上に酸化膜を堆積させる段階と、 を含み、前記アルキルシロキサン前駆物質とオゾンと
    は、各々独立してチャンバに導入され、これらが堆積領
    域に供給される前に予備混合されることはないことを特
    徴とする方法。
  8. 【請求項８】 前記熱反応させる段階は、約３００℃か
    ら６００℃の範囲の温度で実行され、前記チャンバは、
    約１００から７００トルの範囲の圧力に維持されること
    を特徴とする請求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記熱反応させる段階は、約２００℃か
    ら６００℃の範囲の温度で実行され、前記チャンバは、
    ほぼ大気圧に維持されることを特徴とする請求項７に記
    載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記アルキルシロキサン及びオゾン
    は、約２００から６００トルの圧力において、オゾン対
    シリコン（Ｏ3：Ｓｉ）として表されたモル濃度比が約
    ５から１５の範囲で供給されることを特徴とする請求項
    ７に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記アルキルシロキサン及びオゾン
    は、ほぼ大気圧の圧力において、オゾン対シリコン（Ｏ
    3：Ｓｉ）として表されたモル濃度比が約５から１５の
    範囲で供給されることを特徴とする請求項７に記載の方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記アルキルシロキサン前駆物質は、
    オクタメチルトリシロキサン及びデカメチルテトラシロ
    キサンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項
    ７に記載の方法。
JP2001509075A 1999-07-09 2000-06-15 オゾンと共にアルキルシロキサン・オリゴマーを使用するシリコン酸化膜の化学蒸着 Expired - Fee Related JP3515094B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14319899P 1999-07-09 1999-07-09
US60/143,198 1999-07-09
US09/542,612 US6465044B1 (en) 1999-07-09 2000-04-04 Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone
US09/542,612 2000-04-04
PCT/US2000/016642 WO2001004942A1 (en) 1999-07-09 2000-06-15 Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003504870A JP2003504870A (ja) 2003-02-04
JP3515094B2 true JP3515094B2 (ja) 2004-04-05

Family

ID=26840772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001509075A Expired - Fee Related JP3515094B2 (ja) 1999-07-09 2000-06-15 オゾンと共にアルキルシロキサン・オリゴマーを使用するシリコン酸化膜の化学蒸着

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6465044B1 (ja)
EP (1) EP1204987A4 (ja)
JP (1) JP3515094B2 (ja)
KR (1) KR20020026531A (ja)
CN (1) CN1375111A (ja)
AU (1) AU5494600A (ja)
WO (1) WO2001004942A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6596653B2 (en) 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
US6713127B2 (en) * 2001-12-28 2004-03-30 Applied Materials, Inc. Methods for silicon oxide and oxynitride deposition using single wafer low pressure CVD
EP2249413A3 (en) * 2002-04-01 2011-02-02 Konica Corporation Support and organic electroluminescence element comprising the support
US20040018735A1 (en) * 2002-05-21 2004-01-29 Park Seung G. Method of depositing an oxide film by chemical vapor deposition
KR101019190B1 (ko) * 2002-06-14 2011-03-04 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 산화막 형성 방법 및 산화막 형성 장치
WO2004017383A2 (en) * 2002-08-18 2004-02-26 Aviza Technology, Inc. Low termperature deposition of silicon oxides and oxynitrides
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US6958112B2 (en) 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
US6903031B2 (en) 2003-09-03 2005-06-07 Applied Materials, Inc. In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen
JP4488493B2 (ja) * 2004-03-10 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005340405A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Asahi Denka Kogyo Kk 化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法
US7183227B1 (en) 2004-07-01 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Use of enhanced turbomolecular pump for gapfill deposition using high flows of low-mass fluent gas
KR100724196B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-31 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 ｓｔｉ 갭필 산화막 제조방법
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
KR100984172B1 (ko) 2008-11-03 2010-09-28 엘아이지에이디피 주식회사 합금분리막 제조장치 및 제조방법
US8277899B2 (en) 2010-12-14 2012-10-02 Svaya Nanotechnologies, Inc. Porous films by backfilling with reactive compounds
US9163310B2 (en) * 2011-02-18 2015-10-20 Veeco Ald Inc. Enhanced deposition of layer on substrate using radicals
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
JPWO2013176132A1 (ja) * 2012-05-24 2016-01-14 旭硝子株式会社 ガラス基板を製造する方法およびガラス基板
JP2014013837A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Tokyo Electron Ltd シリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
WO2021130141A1 (en) * 2019-12-23 2021-07-01 Ams Ag Semiconductor device with a bond pad and a sandwich passivation layer and manufacturing method thereof

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028566A (en) 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
JPH03198338A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Handotai Process Kenkyusho:Kk 気相成長膜の形成方法および半導体装置
US5336640A (en) * 1991-01-28 1994-08-09 Kawasaki Steel Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having an insulating layer composed of a BPSG film and a plasma-CVD silicon nitride film
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
JPH0729897A (ja) 1993-06-25 1995-01-31 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH07142394A (ja) * 1993-11-12 1995-06-02 Sony Corp Ｃｖｄ方法及びｃｖｄ装置
US5909314A (en) 1994-02-15 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical functional materials and process for producing the same
JPH08153784A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Nec Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020026531A (ko) 2002-04-10
US6465044B1 (en) 2002-10-15
CN1375111A (zh) 2002-10-16
AU5494600A (en) 2001-01-30
EP1204987A4 (en) 2002-10-30
EP1204987A1 (en) 2002-05-15
WO2001004942A1 (en) 2001-01-18
JP2003504870A (ja) 2003-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3515094B2 (ja) オゾンと共にアルキルシロキサン・オリゴマーを使用するシリコン酸化膜の化学蒸着
KR101353739B1 (ko) 유기아미노실란 전구체로부터 산화규소 막을 형성시키는 방법
US8187951B1 (en) CVD flowable gap fill
US6787483B1 (en) Gap fill for high aspect ratio structures
US6653719B2 (en) Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate
US7253084B2 (en) Deposition from liquid sources
US7544827B2 (en) Process for depositing low dielectric constant materials
US20070010072A1 (en) Uniform batch film deposition process and films so produced
US7097878B1 (en) Mixed alkoxy precursors and methods of their use for rapid vapor deposition of SiO2 films
US9257302B1 (en) CVD flowable gap fill
US7129189B1 (en) Aluminum phosphate incorporation in silica thin films produced by rapid surface catalyzed vapor deposition (RVD)
CN101316945A (zh) 低介电常数薄膜的灰化/蚀刻损伤的抵抗性以及整体稳定性的改进方法
US5061514A (en) Chemical vapor deposition (CVD) process for plasma depositing silicon carbide films onto a substrate
US7067440B1 (en) Gap fill for high aspect ratio structures
TWI816086B (zh) 含矽膜的高溫原子層沉積
US7491653B1 (en) Metal-free catalysts for pulsed deposition layer process for conformal silica laminates
TWI761838B (zh) 熱沉積含矽膜的組合物及方法
US7763327B2 (en) Methods using ozone for CVD deposited films
KR100200888B1 (ko) 층간절연막의 형성방법
TWI798884B (zh) 烷氧基二矽氧烷及由其製造的密有機二氧化矽膜
KR20050018641A (ko) 아미노실란 및 오존을 이용한 저온 유전체 증착
US6156675A (en) Method for enhanced dielectric film uniformity

Legal Events

Date Code Title Description
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040114

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees