JP3513712B2 - 樹脂基板用連続式スパッタ装置 - Google Patents
樹脂基板用連続式スパッタ装置Info
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- JP3513712B2 JP3513712B2 JP12460791A JP12460791A JP3513712B2 JP 3513712 B2 JP3513712 B2 JP 3513712B2 JP 12460791 A JP12460791 A JP 12460791A JP 12460791 A JP12460791 A JP 12460791A JP 3513712 B2 JP3513712 B2 JP 3513712B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、いわゆるレーザーディ
スクと呼ばれる反射膜を樹脂ディスク基板に成膜してな
るビデオディスク、光ディスク等を連続的に作製するの
に適した樹脂基板用連続式スパッタ装置に関する。
スクと呼ばれる反射膜を樹脂ディスク基板に成膜してな
るビデオディスク、光ディスク等を連続的に作製するの
に適した樹脂基板用連続式スパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ビデオディスク、光ディスク等
の直径３００mm程度の大型樹脂ディスク基板には、低価
格で射出成形しやすく、透過率の良好なアクリル系樹脂
が広く用いられている。このアクリル系樹脂ディスク基
板に対するＡl，Ａu，Ｃu等の金属反射膜の成膜は従来
蒸着法で行われていた。
の直径３００mm程度の大型樹脂ディスク基板には、低価
格で射出成形しやすく、透過率の良好なアクリル系樹脂
が広く用いられている。このアクリル系樹脂ディスク基
板に対するＡl，Ａu，Ｃu等の金属反射膜の成膜は従来
蒸着法で行われていた。
【０００３】図１０は樹脂ディスク基板に金属反射膜を
形成するための蒸着装置の１例を示す。この図におい
て、１は真空ポンプ２で排気される真空室であり、この
真空室内の抵抗加熱ボード５の周囲に、多数のアクリル
系樹脂ディスク基板３を保持したホルダー４を吊り下
げ、真空蒸着によって各樹脂ディスク基板３に金属反射
膜を成膜している。
形成するための蒸着装置の１例を示す。この図におい
て、１は真空ポンプ２で排気される真空室であり、この
真空室内の抵抗加熱ボード５の周囲に、多数のアクリル
系樹脂ディスク基板３を保持したホルダー４を吊り下
げ、真空蒸着によって各樹脂ディスク基板３に金属反射
膜を成膜している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図１０
の蒸着装置はバッチ式であり、ホルダー４に多数の樹脂
ディスク基板３を人手により装着しなければならず手間
がかかり、また材料供給を１バッチずつ行わなければな
らないので成膜タクトが長くなる嫌いがある。さらに、
真空蒸着の場合、真空室の内部に膜が付着しやすく側壁
等の掃除を毎回やる必要がある。
の蒸着装置はバッチ式であり、ホルダー４に多数の樹脂
ディスク基板３を人手により装着しなければならず手間
がかかり、また材料供給を１バッチずつ行わなければな
らないので成膜タクトが長くなる嫌いがある。さらに、
真空蒸着の場合、真空室の内部に膜が付着しやすく側壁
等の掃除を毎回やる必要がある。
【０００５】一方、ポリカーボネート樹脂製コンパクト
ディスクの反射膜の成膜は現在ＤＣスパッタ法で行われ
ているが、このＤＣスパッタ法でアクリル系樹脂からな
るビデオディスクや光ディスク用基板に反射膜を成膜し
たのでは、使用可能なレベルでの膜付着強度は得られて
いない。この原因は、ＤＣスパッタ方式ではＤＣ電源に
よるグロー放電を利用するものであり、成膜方式上スパ
ッタ粒子のアクリル系樹脂ディスク基板への入射エネル
ギーが大きく、膜応力が高くなり、しかもコンパクトデ
ィスクの材質であるポリカーボネート樹脂よりも吸水性
の大きいアクリル系樹脂では成膜時にＨ２Ｏが離脱し膜
応力の影響と共に付着力を劣化させるからであると考え
られる。
ディスクの反射膜の成膜は現在ＤＣスパッタ法で行われ
ているが、このＤＣスパッタ法でアクリル系樹脂からな
るビデオディスクや光ディスク用基板に反射膜を成膜し
たのでは、使用可能なレベルでの膜付着強度は得られて
いない。この原因は、ＤＣスパッタ方式ではＤＣ電源に
よるグロー放電を利用するものであり、成膜方式上スパ
ッタ粒子のアクリル系樹脂ディスク基板への入射エネル
ギーが大きく、膜応力が高くなり、しかもコンパクトデ
ィスクの材質であるポリカーボネート樹脂よりも吸水性
の大きいアクリル系樹脂では成膜時にＨ２Ｏが離脱し膜
応力の影響と共に付着力を劣化させるからであると考え
られる。
【０００６】本発明は、上記の点に鑑み、高周波電源を
用いた高周波スパッタによって樹脂基板に成膜すること
により膜応力を減じて付着力を高めるとともに、樹脂基
板を順次連続的にスパッタ処理可能として生産性の向上
を図った樹脂基板用連続式スパッタ装置を提供すること
を目的とする。
用いた高周波スパッタによって樹脂基板に成膜すること
により膜応力を減じて付着力を高めるとともに、樹脂基
板を順次連続的にスパッタ処理可能として生産性の向上
を図った樹脂基板用連続式スパッタ装置を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の樹脂基板用連続式スパッタ装置は、内部が
真空排気系によって真空排気される真空容器と、該真空
容器にそれぞれ連通するように当該真空容器上部に少な
くとも形成された搬入搬出室及びスパッタ処理のための
真空室と、前記真空容器内に配置されかつ昇降自在な間
欠回転円盤及び該間欠回転円盤上に複数個固定されてい
て樹脂基板を載置して移送するための搬送治具と、前記
真空室に配置された成膜用スパッタ粒子を発生するター
ゲット及び該ターゲットの表面に平行な成分を持つ磁界
を印加する永久磁石とを備え、前記搬入搬出室及び前記
真空室は、前記間欠回転円盤が上昇した状態ではそれぞ
れの搬送治具で気密に封止されて、それぞれ独立した気
密室を構成するようになっており、前記間欠回転円盤は
下がった状態で搬送治具を前記搬入搬出室から前記真空
室に向けて、かつ該真空室から前記搬入搬出室に向けて
移送するものであり、前記間欠回転円盤の上昇状態で前
記搬入搬出室から搬送治具に載置された樹脂基板は、前
記間欠回転円盤により前記真空室に移送され、前記間欠
回転円盤の上昇状態にて該真空室で搬送治具側と前記タ
ーゲット間に高周波電圧を印加して高周波スパッタ処理
を行うことを特徴としている。
に、本発明の樹脂基板用連続式スパッタ装置は、内部が
真空排気系によって真空排気される真空容器と、該真空
容器にそれぞれ連通するように当該真空容器上部に少な
くとも形成された搬入搬出室及びスパッタ処理のための
真空室と、前記真空容器内に配置されかつ昇降自在な間
欠回転円盤及び該間欠回転円盤上に複数個固定されてい
て樹脂基板を載置して移送するための搬送治具と、前記
真空室に配置された成膜用スパッタ粒子を発生するター
ゲット及び該ターゲットの表面に平行な成分を持つ磁界
を印加する永久磁石とを備え、前記搬入搬出室及び前記
真空室は、前記間欠回転円盤が上昇した状態ではそれぞ
れの搬送治具で気密に封止されて、それぞれ独立した気
密室を構成するようになっており、前記間欠回転円盤は
下がった状態で搬送治具を前記搬入搬出室から前記真空
室に向けて、かつ該真空室から前記搬入搬出室に向けて
移送するものであり、前記間欠回転円盤の上昇状態で前
記搬入搬出室から搬送治具に載置された樹脂基板は、前
記間欠回転円盤により前記真空室に移送され、前記間欠
回転円盤の上昇状態にて該真空室で搬送治具側と前記タ
ーゲット間に高周波電圧を印加して高周波スパッタ処理
を行うことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明の樹脂基板用連続式スパッタ装置は、高
周波スパッタにより樹脂基板に成膜するので、ＤＣスパ
ッタに比べて樹脂基板への入射エネルギーが小さく、膜
応力が低くなり、膜応力に起因する付着力の低下を防止
することができる。また、回転円盤上に複数個固定され
た搬送治具で樹脂基板を載置して順次スパッタ処理のた
めの真空室に送り込んで連続的に成膜でき、生産性の向
上が可能である。
周波スパッタにより樹脂基板に成膜するので、ＤＣスパ
ッタに比べて樹脂基板への入射エネルギーが小さく、膜
応力が低くなり、膜応力に起因する付着力の低下を防止
することができる。また、回転円盤上に複数個固定され
た搬送治具で樹脂基板を載置して順次スパッタ処理のた
めの真空室に送り込んで連続的に成膜でき、生産性の向
上が可能である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る樹脂基板用連続式スパッ
タ装置の実施例を図面に従って説明する。
タ装置の実施例を図面に従って説明する。
【００１０】図１及び図２で本発明の基本となる参考例
について説明する。これらの図において、１０は搬送治
具であり、射出成形機１１で成形されたアクリル系樹脂
ディスク基板３を載置して位置Ｐにて乾燥、硬化させた
後、搬入側予備室１２、スパッタ処理を実行するための
真空室１３、搬出側予備室１４の経路で順次間欠的に移
送するものである。搬入側予備室１２、真空室１３及び
搬出側予備室１４はそれぞれ真空排気系にて内部を高真
空状態に吸引できるようになっており、隣接する各室間
はシャッターによって相互に連通した状態から気密に遮
断された状態に変えることができる。また、搬入側予備
室１２と搬出側予備室１４には外部から樹脂ディスク基
板３を受け入れたり、外部に樹脂ディスク基板３を取り
出すためのシャッターが設けられている。この搬入側予
備室１２と搬出側予備室１４のシャッターも閉じた状態
では気密封止できる構造となっている。これらの予備室
１２，１４は、樹脂ディスク基板３の搬入、搬出の際に
真空室１３の真空度が大きく低下しないように設けられ
るものである。
について説明する。これらの図において、１０は搬送治
具であり、射出成形機１１で成形されたアクリル系樹脂
ディスク基板３を載置して位置Ｐにて乾燥、硬化させた
後、搬入側予備室１２、スパッタ処理を実行するための
真空室１３、搬出側予備室１４の経路で順次間欠的に移
送するものである。搬入側予備室１２、真空室１３及び
搬出側予備室１４はそれぞれ真空排気系にて内部を高真
空状態に吸引できるようになっており、隣接する各室間
はシャッターによって相互に連通した状態から気密に遮
断された状態に変えることができる。また、搬入側予備
室１２と搬出側予備室１４には外部から樹脂ディスク基
板３を受け入れたり、外部に樹脂ディスク基板３を取り
出すためのシャッターが設けられている。この搬入側予
備室１２と搬出側予備室１４のシャッターも閉じた状態
では気密封止できる構造となっている。これらの予備室
１２，１４は、樹脂ディスク基板３の搬入、搬出の際に
真空室１３の真空度が大きく低下しないように設けられ
るものである。
【００１１】図２のように、スパッタ処理のための真空
室１３の内部にはＡl，Ａu，Ｃu又はそれらの合金等の
スパッタ粒子を発生するためのターゲット２０が搬送治
具１０上の樹脂ディスク基板３に対向して配置されてい
る。そして、搬送治具１０側とターゲット２０との間に
高周波電源２２からの高周波電圧（周波数：１３.５６
ＭＨz）が印加される。前記ターゲット２０の背後に
は、永久磁石を含む磁気回路２１が配設され、これによ
って前記ターゲット表面に平行な成分を持つプラズマ収
束用磁界が印加されている。なお、Ａr等のスパッタガ
スを導入する機構等の図示は省略してある。
室１３の内部にはＡl，Ａu，Ｃu又はそれらの合金等の
スパッタ粒子を発生するためのターゲット２０が搬送治
具１０上の樹脂ディスク基板３に対向して配置されてい
る。そして、搬送治具１０側とターゲット２０との間に
高周波電源２２からの高周波電圧（周波数：１３.５６
ＭＨz）が印加される。前記ターゲット２０の背後に
は、永久磁石を含む磁気回路２１が配設され、これによ
って前記ターゲット表面に平行な成分を持つプラズマ収
束用磁界が印加されている。なお、Ａr等のスパッタガ
スを導入する機構等の図示は省略してある。
【００１２】以上の参考例において、射出成形機１１で
成形されたアクリル系樹脂ディスク基板３は図１の矢印
Ｑのように位置Ｐの搬送治具１０上に移送、載置され
る。そして、搬送治具１０の矢印Ｒ方向の間欠移動に伴
い外部に対して開いた搬入側予備室１２に入る（このと
き搬入側予備室１２と真空室１３とはシャッターで気密
に遮断されている。）。そして、外部との間がシャッタ
ーで気密に遮断された搬入側予備室１２が真空排気され
て真空室１３と同程度の真空度に達したら搬入側予備室
１２と真空室１３間のシャッターを開いて搬送治具１０
の次の間欠移動に伴い樹脂ディスク基板３は真空室１３
に移動する（このとき搬出側予備室１４と真空室１３と
はシャッターで気密に遮断されている。）。真空室１３
と両側の予備室１２，１４とがシャッターで気密に遮断
された状態において、搬送治具１０上の樹脂ディスク基
板３に対して高周波スパッタ処理が実行される。すなわ
ち、真空室１３内に導入されたＡrガス等のスパッタガ
スは放電により電離され、磁気回路２１によるプラズマ
収束用磁界で電子の封じ込め量及びＡrイオンの励起量
が共に増大する。これにより、ターゲット２０から効率
的にスパッタ粒子がたたき出され、樹脂ディスク基板３
に金属反射膜（Ａl，Ａu，Ｃu又はそれらの合金等）が
効率的に（速い成膜速度で）形成されることになる。そ
の際、搬送治具１０側とターゲット２０との間に高周波
電圧を印加した高周波スパッタであるため、ＤＣ電圧に
よるＤＣスパッタに比較して膜付着時の粒子エネルギー
は小さく、換言すれば膜応力は小さくなり、吸水性の高
いアクリル系樹脂ディスク基板３に対しても十分な膜付
着力を保証できる。高周波スパッタ処理終了後、真空室
１３と搬出側予備室１４間のシャッターが開き、反射膜
付きの樹脂ディスク基板３は搬送治具１０の間欠移動に
よって搬出側予備室１４に入る（このとき搬出側予備室
１４はシャッターで外部とは気密に遮断され、予め真空
室１３と同程度の真空度に排気されている。）。その
後、真空室１３と搬出側予備室１４間がシャッターで気
密に遮断されて搬出側予備室１４が外部に対して開き、
搬送治具１０の間欠移動により反射膜付きの樹脂ディス
ク基板３が取り出される。上記動作は搬送治具１０で次
々と移送される樹脂ディスク基板３に対して連続的に行
われる。搬出側予備室１４から出た樹脂ディスク基板３
は、保護コーターに送られ、ここで所要の保護コートが
施される。
成形されたアクリル系樹脂ディスク基板３は図１の矢印
Ｑのように位置Ｐの搬送治具１０上に移送、載置され
る。そして、搬送治具１０の矢印Ｒ方向の間欠移動に伴
い外部に対して開いた搬入側予備室１２に入る（このと
き搬入側予備室１２と真空室１３とはシャッターで気密
に遮断されている。）。そして、外部との間がシャッタ
ーで気密に遮断された搬入側予備室１２が真空排気され
て真空室１３と同程度の真空度に達したら搬入側予備室
１２と真空室１３間のシャッターを開いて搬送治具１０
の次の間欠移動に伴い樹脂ディスク基板３は真空室１３
に移動する（このとき搬出側予備室１４と真空室１３と
はシャッターで気密に遮断されている。）。真空室１３
と両側の予備室１２，１４とがシャッターで気密に遮断
された状態において、搬送治具１０上の樹脂ディスク基
板３に対して高周波スパッタ処理が実行される。すなわ
ち、真空室１３内に導入されたＡrガス等のスパッタガ
スは放電により電離され、磁気回路２１によるプラズマ
収束用磁界で電子の封じ込め量及びＡrイオンの励起量
が共に増大する。これにより、ターゲット２０から効率
的にスパッタ粒子がたたき出され、樹脂ディスク基板３
に金属反射膜（Ａl，Ａu，Ｃu又はそれらの合金等）が
効率的に（速い成膜速度で）形成されることになる。そ
の際、搬送治具１０側とターゲット２０との間に高周波
電圧を印加した高周波スパッタであるため、ＤＣ電圧に
よるＤＣスパッタに比較して膜付着時の粒子エネルギー
は小さく、換言すれば膜応力は小さくなり、吸水性の高
いアクリル系樹脂ディスク基板３に対しても十分な膜付
着力を保証できる。高周波スパッタ処理終了後、真空室
１３と搬出側予備室１４間のシャッターが開き、反射膜
付きの樹脂ディスク基板３は搬送治具１０の間欠移動に
よって搬出側予備室１４に入る（このとき搬出側予備室
１４はシャッターで外部とは気密に遮断され、予め真空
室１３と同程度の真空度に排気されている。）。その
後、真空室１３と搬出側予備室１４間がシャッターで気
密に遮断されて搬出側予備室１４が外部に対して開き、
搬送治具１０の間欠移動により反射膜付きの樹脂ディス
ク基板３が取り出される。上記動作は搬送治具１０で次
々と移送される樹脂ディスク基板３に対して連続的に行
われる。搬出側予備室１４から出た樹脂ディスク基板３
は、保護コーターに送られ、ここで所要の保護コートが
施される。
【００１３】上記参考例によれば、射出成形機１１で成
形された樹脂ディスク基板３を順次受け入れて連続的に
高周波スパッタによる反射膜を形成でき、射出成形機１
１に直結したスパッタ装置として生産性を大幅に向上さ
せることができ、人手も省くことができる。また、高周
波スパッタにより吸水性の高いアクリル系樹脂ディスク
基板３に対して充分な膜付着力を確保することができ
る。また、磁気回路２１によってターゲット表面にプラ
ズマ収束用磁界を発生させることで、成膜速度を大きく
することができる。
形された樹脂ディスク基板３を順次受け入れて連続的に
高周波スパッタによる反射膜を形成でき、射出成形機１
１に直結したスパッタ装置として生産性を大幅に向上さ
せることができ、人手も省くことができる。また、高周
波スパッタにより吸水性の高いアクリル系樹脂ディスク
基板３に対して充分な膜付着力を確保することができ
る。また、磁気回路２１によってターゲット表面にプラ
ズマ収束用磁界を発生させることで、成膜速度を大きく
することができる。
【００１４】図３乃至図９で本発明の実施例を説明す
る。これらの図において、アクリル系樹脂ディスク基板
３を載置して移送するための搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，
３０Ｃ，３０Ｄは、間欠回転円盤３１上に９０度間隔で
固定され、この間欠回転円盤３１の中心に固定された駆
動軸３２で当該円盤３１は１回に９０度ずつ回転駆動さ
れ、かつ駆動軸３２の昇降に伴って上下するようになっ
ている。これらの搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３
０Ｄ及び間欠回転円盤３１は真空容器３３内に収納配置
されており、該真空容器３３の上部に搬入搬出室３４
Ａ，第１予備室３４Ｂ、スパッタ処理のための真空室３
４Ｃ及び第２予備室３４Ｄが形成されている。これら各
室３４Ａ乃至３４Ｄは底部が開いて真空容器３３に連通
しているが、前記間欠回転円盤３１が上昇した状態では
各搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄで気密に封
止されて、それぞれ独立した気密室を構成する。前記搬
入搬出室３４Ａの上面部は樹脂ディスク基板３を搬入、
搬出自在な如く開閉自在な蓋体３５となっている。前記
真空室３４Ｃの内側上部には前述の図２の場合と同様に
ターゲット２０及びこれに付随するプラズマ収束用磁界
発生用の磁気回路等が配設されている。なお、真空容器
３３の内部は真空排気系によって高真空度に真空排気さ
れ、真空室３４ＣにはＡr等のスパッタガスを導入でき
るようになっている。
る。これらの図において、アクリル系樹脂ディスク基板
３を載置して移送するための搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，
３０Ｃ，３０Ｄは、間欠回転円盤３１上に９０度間隔で
固定され、この間欠回転円盤３１の中心に固定された駆
動軸３２で当該円盤３１は１回に９０度ずつ回転駆動さ
れ、かつ駆動軸３２の昇降に伴って上下するようになっ
ている。これらの搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３
０Ｄ及び間欠回転円盤３１は真空容器３３内に収納配置
されており、該真空容器３３の上部に搬入搬出室３４
Ａ，第１予備室３４Ｂ、スパッタ処理のための真空室３
４Ｃ及び第２予備室３４Ｄが形成されている。これら各
室３４Ａ乃至３４Ｄは底部が開いて真空容器３３に連通
しているが、前記間欠回転円盤３１が上昇した状態では
各搬送治具３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄで気密に封
止されて、それぞれ独立した気密室を構成する。前記搬
入搬出室３４Ａの上面部は樹脂ディスク基板３を搬入、
搬出自在な如く開閉自在な蓋体３５となっている。前記
真空室３４Ｃの内側上部には前述の図２の場合と同様に
ターゲット２０及びこれに付随するプラズマ収束用磁界
発生用の磁気回路等が配設されている。なお、真空容器
３３の内部は真空排気系によって高真空度に真空排気さ
れ、真空室３４ＣにはＡr等のスパッタガスを導入でき
るようになっている。
【００１５】今、搬送治具３０Ａが搬入搬出室３４Ａの
底部に位置しているものとする。まず、図４のように、
搬入搬出室３４Ａの蓋体３５を開いて射出成形後のアク
リル系樹脂ディスク基板３を搬送治具３０Ａ上に載置す
る。次に図５のように搬入搬出室３４Ａの蓋体３５を気
密に閉じ、その後図６のように駆動軸３２の下降に伴い
間欠回転円盤３１も下がる。この下がった状態で間欠回
転円盤３１は図７のように９０度回転する。それから図
８のように駆動軸３２の上昇に伴い間欠回転円盤３１も
上昇して各室３４Ａ乃至３４Ｄを気密に封止する。この
状態において、真空室３４Ｃの底部に位置している搬送
治具３０Ｂ上の樹脂ディスク基板３に対して高周波スパ
ッタにより金属反射膜が形成され、搬入搬出室３４Ａに
到来した搬送治具３０Ｄ上の成膜済みの樹脂ディスク基
板３が取り出される。以後、図４に戻り搬入搬出室３４
Ａの空き搬送治具上に射出成形後の樹脂ディスク基板３
が供給され、同様の動作が繰り返される。この結果、ス
パッタ処理のための真空室３４Ｃに到来した搬送治具上
の樹脂ディスク基板３に対して次々と高周波スパッタ処
理がなされ、成膜後の樹脂ディスク基板３は搬入搬出室
３４Ａから順次取り出されて行くことになる。
底部に位置しているものとする。まず、図４のように、
搬入搬出室３４Ａの蓋体３５を開いて射出成形後のアク
リル系樹脂ディスク基板３を搬送治具３０Ａ上に載置す
る。次に図５のように搬入搬出室３４Ａの蓋体３５を気
密に閉じ、その後図６のように駆動軸３２の下降に伴い
間欠回転円盤３１も下がる。この下がった状態で間欠回
転円盤３１は図７のように９０度回転する。それから図
８のように駆動軸３２の上昇に伴い間欠回転円盤３１も
上昇して各室３４Ａ乃至３４Ｄを気密に封止する。この
状態において、真空室３４Ｃの底部に位置している搬送
治具３０Ｂ上の樹脂ディスク基板３に対して高周波スパ
ッタにより金属反射膜が形成され、搬入搬出室３４Ａに
到来した搬送治具３０Ｄ上の成膜済みの樹脂ディスク基
板３が取り出される。以後、図４に戻り搬入搬出室３４
Ａの空き搬送治具上に射出成形後の樹脂ディスク基板３
が供給され、同様の動作が繰り返される。この結果、ス
パッタ処理のための真空室３４Ｃに到来した搬送治具上
の樹脂ディスク基板３に対して次々と高周波スパッタ処
理がなされ、成膜後の樹脂ディスク基板３は搬入搬出室
３４Ａから順次取り出されて行くことになる。
【００１６】この実施例の場合、真空排気系を備えた１
個の真空容器３３を搬入搬出室３４Ａ，第１予備室３４
Ｂ、スパッタ処理のための真空室３４Ｃ及び第２予備室
３４Ｄに共用でき、間欠回転円盤３１が上昇時に各室３
４Ａ乃至３４Ｄを気密に封止するシャッターを兼ねるこ
とができ、機構の簡素化を図り得る。
個の真空容器３３を搬入搬出室３４Ａ，第１予備室３４
Ｂ、スパッタ処理のための真空室３４Ｃ及び第２予備室
３４Ｄに共用でき、間欠回転円盤３１が上昇時に各室３
４Ａ乃至３４Ｄを気密に封止するシャッターを兼ねるこ
とができ、機構の簡素化を図り得る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂基板
用連続式スパッタ装置によれば、高周波電源を用いた高
周波スパッタで樹脂基板に成膜することにより膜応力を
減じて付着力を高めることができ、また簡素な機構で樹
脂基板を順次連続的にスパッタ処理可能で手作業を削減
し、生産性の大幅な向上を図ることができる。
用連続式スパッタ装置によれば、高周波電源を用いた高
周波スパッタで樹脂基板に成膜することにより膜応力を
減じて付着力を高めることができ、また簡素な機構で樹
脂基板を順次連続的にスパッタ処理可能で手作業を削減
し、生産性の大幅な向上を図ることができる。
【図１】本発明の基本となる樹脂基板用連続式スパッタ
装置の参考例を示す斜視図である。
装置の参考例を示す斜視図である。
【図２】参考例におけるスパッタ処理のための真空室の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図４】実施例において樹脂ディスク基板を搬入する状
態を示す動作説明用断面図である。
態を示す動作説明用断面図である。
【図５】実施例において樹脂ディスク基板搬入後の状態
を示す動作説明用断面図である。
を示す動作説明用断面図である。
【図６】実施例において間欠回転円盤の回転に備えて間
欠回転円盤が下降した状態を示す動作説明用断面図であ
る。
欠回転円盤が下降した状態を示す動作説明用断面図であ
る。
【図７】実施例において間欠回転円盤回転後の状態を示
す動作説明用断面図である。
す動作説明用断面図である。
【図８】実施例においてスパッタ処理に備えて間欠回転
円盤が上昇した状態を示す動作説明用断面図である。
円盤が上昇した状態を示す動作説明用断面図である。
【図９】実施例において樹脂ディスク基板を搬出する状
態を示す動作説明用断面図である。
態を示す動作説明用断面図である。
【図１０】従来使用された蒸着装置を示す斜視図であ
る。
る。
３ アクリル系樹脂ディスク基板
１０，３０Ａ乃至３０Ｄ 搬送治具
１１ 射出成形機
１２ 搬入側予備室
１３，３４Ｃ 真空室
１４ 搬出側予備室
２０ ターゲット
２１ 磁気回路
３３ 真空容器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 宮嶋 俊彦
東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ
ーディーケイ株式会社内
(72)発明者 宮内 栄作
東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティ
ーディーケイ株式会社内
(56)参考文献 特開 昭62−294174（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−105173（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−159570（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−183757（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−58660（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
Claims (2)
- 【請求項１】 内部が真空排気系によって真空排気され
る真空容器と、 該真空容器にそれぞれ連通するように当該真空容器上部
に少なくとも形成された搬入搬出室及びスパッタ処理の
ための真空室と、 前記真空容器内に配置されかつ昇降自在な間欠回転円盤
及び該間欠回転円盤上に複数個固定されていて樹脂基板
を載置して移送するための搬送治具と、 前記真空室に配置された成膜用スパッタ粒子を発生する
ターゲット及び該ターゲットの表面に平行な成分を持つ
磁界を印加する永久磁石とを備え、 前記搬入搬出室及び前記真空室は、前記間欠回転円盤が
上昇した状態ではそれぞれの搬送治具で気密に封止され
て、それぞれ独立した気密室を構成するようになってお
り、前記間欠回転円盤は下がった状態で搬送治具を前記
搬入搬出室から前記真空室に向けて、かつ該真空室から
前記搬入搬出室に向けて移送するものであり、 前記間欠回転円盤の上昇状態で前記搬入搬出室から搬送
治具に載置された樹脂基板は、前記間欠回転円盤により
前記真空室に移送され、前記間欠回転円盤の上昇状態に
て該真空室で搬送治具側と前記ターゲット間に高周波電
圧を印加して高周波スパッタ処理を行うことを特徴とす
る樹脂基板用連続式スパッタ装置。 - 【請求項２】 前記樹脂基板がアクリル系樹脂で形成さ
れている請求項１記載の樹脂基板用連続式スパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12460791A JP3513712B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 樹脂基板用連続式スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12460791A JP3513712B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 樹脂基板用連続式スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05112867A JPH05112867A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3513712B2 true JP3513712B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=14889623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12460791A Expired - Fee Related JP3513712B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 樹脂基板用連続式スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3513712B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6570016B1 (ja) * | 2018-04-05 | 2019-09-04 | 株式会社クラフト | スパッタリング装置 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12460791A patent/JP3513712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05112867A (ja) | 1993-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031125 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031225 |
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