JP3512646B2 - Ｉｃカードの試験方法および装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナ部を有す
る非接触型絶縁性ＩＣカードを試験するＩＣカードの試
験方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、種々のＩＣカードによるサービス
が開始され、ＩＣカードが広く普及しつつある。大量の
ＩＣカードが普及するにつれ、生産時試験や使用中の故
障検査等の試験の頻度が多くなってきている。

【０００３】特に、非接触型絶縁性ＩＣカードはカード
全体が絶縁体で覆われているため、該ＩＣカードを電気
プローブで試験するためには、従来、絶縁体を除去し、
ＩＣカード内の電気回路のノードに電気プローブを接触
させることが必要である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】非接触型絶縁性ＩＣカ
ードを試験するために、従来のように、カード全体を覆
っている絶縁体を除去しようとすると、ＩＣカード内の
電気回路に損傷を与える可能性がある上に、絶縁体を除
去する手間がかかり、試験数量が多い場合には、作業時
間が増大し、非効率的であるという問題がある。

【０００５】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、カード全体を覆っている絶縁
体を除去することなく、効率的に非接触型絶縁性ＩＣカ
ードを試験し得るＩＣカードの試験方法および装置を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の本発明は、アンテナ部を有し全体が
絶縁体で被覆された非接触型絶縁性ＩＣカードを試験す
るＩＣカードの試験方法であって、正常な非接触型絶縁
性ＩＣカードのアンテナ部の電界を電界センサに結合さ
せて電界強度を測定し、この測定データを解析し、この
解析したデータを電界センサの位置情報とともに参照デ
ータとして蓄積しておき、被測定用の非接触型絶縁性Ｉ
Ｃカードのアンテナ部に電界センサを近接させて位置決
めし、この位置情報を記憶するとともに、電界強度を測
定し、この測定データを解析して解析データを生成し、
該解析データを位置情報をもとに前記参照データと比較
し、被測定用ＩＣカードの正常性および故障原因を含む
判定を行うことを要旨とする。

【０００７】請求項１記載の本発明にあっては、被測定
用の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を電
界センサに結合させて電界強度を測定し、この測定デー
タを解析して解析データを生成し、該解析データを位置
情報をもとに正常なＩＣカードの参照データと比較し、
被測定用ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定
を行うため、非接触型絶縁性ＩＣカードの絶縁体を除去
することなく、効率的にＩＣカードを試験することがで
きる。

【０００８】また、請求項２記載の本発明は、アンテナ
部を有し全体が絶縁体で被覆された非接触型絶縁性ＩＣ
カードを試験するＩＣカードの試験方法であって、正常
な非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を電界
センサに結合させて電界強度を測定し、この測定データ
を解析し、この解析したデータを電界センサの位置情報
とともに正常参照データとして蓄積しておき、故障箇所
および故障原因の判明している故障した非接触型絶縁性
ＩＣカードのアンテナ部に電界センサを近接させて電界
強度を測定し、この測定データを解析し、この解析した
データを電界センサの位置情報、故障箇所、故障原因と
ともに故障用参照データとして蓄積しておき、被測定用
の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部に電界センサ
を近接させて位置決めし、この位置情報を記憶するとと
もに、電界強度を測定し、この測定データを解析して解
析データを生成し、該解析データを位置情報をもとに前
記正常参照データおよび故障用参照データと比較し、被
測定用ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定を
行うことを要旨とする。

【０００９】請求項２記載の本発明にあっては、被測定
用の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を電
界センサに結合させて電界強度を測定し、この測定デー
タを解析して解析データを生成し、該解析データを位置
情報をもとに正常なＩＣカードの参照データおよび故障
箇所および故障原因の判明している故障したＩＣカード
の参照データと比較し、被測定用ＩＣカードの正常性お
よび故障原因を含む判定を行うため、非接触型絶縁性Ｉ
Ｃカードの絶縁体を除去することなく、効率的にＩＣカ
ードを試験することができる。

【００１０】更に、請求項３記載の本発明は、アンテナ
部を有し全体が絶縁体で被覆された非接触型絶縁性ＩＣ
カードを試験するＩＣカードの試験装置であって、非接
触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部から発生する電界が
結合するようにＩＣカードのアンテナ部の前記電界に結
合するように設けられ、前記電界の強度変化により複屈
折率が変化する電気光学結晶と、前記ＩＣカードのアン
テナ部に対して前記電気光学結晶を相対的に移動させ、
前記アンテナ部に対する前記電気光学結晶の位置を取得
し、位置情報として出力する移動手段と、前記ＩＣカー
ドに対向する前記電気光学結晶の一方の面と反対側の他
方の面から該電気光学結晶にレーザ光を照射するレーザ
発生手段と、前記電気光学結晶の一方の面に設けられ、
前記レーザ発生手段からレーザ光を反射する反射手段
と、該反射手段で反射されるとともに、前記電界による
前記電気光学結晶の複屈折率の変化により偏光の変化し
たレーザ光の偏光変化を検出し、該偏光変化を電気信号
に変換する偏光検出手段と、この変換された電気信号を
解析して解析データを取得する解析手段と、前記ＩＣカ
ードのアンテナ部における信号を予め解析して、参照デ
ータとして記憶する参照データ記憶手段と、前記解析デ
ータを前記位置情報をもとに前記参照データと比較し、
前記ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定を行
う判定手段とを有することを要旨とする。

【００１１】請求項３記載の本発明にあっては、ＩＣカ
ードのアンテナ部の電界に結合するように電気光学結晶
を設けて、レーザ光を照射し、ＩＣカードのアンテナ部
からの電界による電気光学結晶の複屈折率の変化による
レーザ光の偏光変化を検出し、該偏光変化を電気信号に
変換し、この電気信号を解析して解析データを取得し、
この解析データを位置情報をもとに参照データと比較
し、ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定を行
うため、非接触型絶縁性ＩＣカードの絶縁体を除去する
ことなく、効率的にＩＣカードを試験することができ
る。

【００１２】請求項４記載の本発明は、請求項３記載の
発明において、前記参照データ記憶手段が、正常な非接
触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部における信号を予め
解析して、正常参照データとして記憶する正常参照デー
タ記憶手段を有し、前記判定手段が、前記解析データを
前記位置情報をもとに前記正常参照データと比較し、前
記ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定を行う
手段を有することを要旨とする。

【００１３】請求項４記載の本発明にあっては、被測定
用のＩＣカードの解析データを位置情報をもとに正常な
ＩＣカードの正常参照データと比較し、ＩＣカードの正
常性および故障原因を含む判定を行うため、ＩＣカード
が正常であるか否かを適確に試験することができる。

【００１４】また、請求項５記載の本発明は、請求項３
記載の発明において、前記参照データ記憶手段が、正常
な非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部における信号
を予め解析して、正常参照データとして記憶する正常参
照データ記憶手段、および故障箇所および故障原因の判
明している故障した非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテ
ナ部における信号を予め解析して、故障用参照データと
して記憶する故障用参照データ記憶手段を有し、前記判
定手段が、前記解析データを前記位置情報をもとに前記
正常参照データおよび前記故障用参照データと比較し、
前記ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判定を行
う手段を有することを要旨とする。

【００１５】請求項５記載の本発明にあっては、被測定
用のＩＣカードの解析データを位置情報をもとに正常な
ＩＣカードの正常参照データおよび故障箇所、故障原因
の判明している故障したＩＣカードの故障用参照データ
と比較し、ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判
定を行うため、ＩＣカードが正常であるか否かを適確に
試験することができる。

【００１６】更に、請求項６記載の本発明は、請求項３
記載の発明において、前記解析手段が、前記偏光検出手
段で変換された電気信号の信号対雑音比を改善する信号
処理手段を有することを要旨とする。

【００１７】請求項６記載の本発明にあっては、電気信
号の信号対雑音比を信号処理手段で改善してから解析し
て解析データを取得しているため、雑音の影響を低減す
ることができる。

【００１８】請求項７記載の本発明は、請求項６記載の
発明において、前記信号処理手段が、前記電気信号の帯
域を制限するバンドパスフィルタ手段、ローパスフィル
タ手段、および前記電気信号のアベレージ処理を行うア
ベレージ処理手段からなるグループから選択された手段
で構成されることを要旨とする。

【００１９】請求項７記載の本発明にあっては、電気信
号の信号対雑音比をバンドパスフィルタ手段、ローパス
フィルタ手段、アベレージ処理手段のいずれかの信号処
理手段で改善してから解析して解析データを取得してい
るため、雑音の影響を低減することができる。

【００２０】また、請求項８記載の本発明は、請求項３
記載の発明において、前記解析手段が、前記解析データ
として前記電気信号の周期、振幅、位相、歪、立ち上が
り時間、立ち下がり時間の時間軸情報を含むことを要旨
とする。

【００２１】請求項８記載の本発明にあっては、電気信
号の周期、振幅、位相、歪、立ち上がり時間、立ち下が
り時間の時間軸情報を解析データとして含んでいるた
め、ＩＣカードが正常であるか否かを適確に試験するこ
とができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係るＩＣカードの試験装置の構成を示す図である。同
図に示すＩＣカード試験装置において、試験しようとす
る被測定用の非接触型絶縁性ＩＣカード１はＩＣカード
微動機構３上に載置されるとともに、該ＩＣカード１の
上方には電界センサ部５が配設されている。

【００２３】該電界センサ部５は、後述するようにＩＣ
カード１からの電界によって複屈折率が変化する電気光
学結晶を有し、この電気光学結晶からなる電界センサ部
５にレーザ光源７からレーザ光を照射し、この照射した
レーザ光の偏光変化を偏光検出部９で検出し、電気信号
に変換するようになっている。この電気信号は信号処理
部１１で信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を改善され、信号解析
部１３に入力される。信号解析部１３は、信号処理部１
１でＳ／Ｎを改善された電気信号の特徴を抽出して解析
データを生成し、この解析データをデータ比較部１５に
入力し、参照データ記憶部１７からの参照データと比較
し、ＩＣカード１の正常性、故障箇所、故障原因、故障
モードを判定し、判定結果を表示部１９に表示するよう
になっている。

【００２４】また、ＩＣカード１の載置されたＩＣカー
ド微動機構３は、ＩＣカード１を微動させて位置調整す
るとともに、この位置情報をデータ比較部１５に入力
し、更に電界センサ部５は、ＩＣカード１に対する位置
を調整されるようにセンサ微動機構２１によって微動さ
れ、この微動調整された電界センサ部５のＩＣカード１
に対する位置情報をデータ比較部１５に入力するように
なっている。データ比較部１５は、ＩＣカード微動機構
３およびセンサ微動機構２１からの位置情報をもとに信
号解析部１３からの解析データと参照データ記憶部１７
からの参照データとの比較を行うようになっている。

【００２５】更に詳細には、非接触型絶縁性ＩＣカード
１は、図２（ａ）に示すように、電気回路部１ａの全体
が絶縁体１ｂで被覆されている。また、電気回路部１ａ
は、更に詳しくは図２（ｂ）に示すようにＩＣ部１ｃお
よびアンテナ部１ｄから構成され、該アンテナ部１ｄの
周囲には測定エリアが画定されている。

【００２６】電界センサ部５は、詳細には図３（ａ）に
示すように、ＩＣカード１からの電界によって複屈折率
が変化する電気光学結晶５ａ、ＩＣカード１に対向する
電気光学結晶５ａの下面に取り付けられた誘電体多層膜
からなるミラー５ｂ、およびＩＣカード１に近接して設
けられる金属ピン５ｃから構成されている。なお、同図
に示すように、ＩＣカード１は電気回路部１ａおよびア
ンテナ部１ｄが搭載される基板１ｅおよび絶縁体１ｂを
構成すべく基板１ｅを被覆している絶縁被覆１ｆを有す
る。

【００２７】また、電界センサ部５は、図３（ｂ）に示
すように、金属ピン５ｃを省略し、ＩＣカード１のアン
テナ部１ｄからの電界を直接電気光学結晶５ａに結合さ
せてもよい。

【００２８】このように構成される電界センサ部５は、
ＩＣカード１のアンテナ部１ｄから発生する電界が金属
ピン５ｃおよびミラー５ｂを通って電気光学結晶５ａに
結合し、これにより電気光学結晶５ａの複屈折率は該電
界の強度変化により変化する。このような状態の電気光
学結晶５ａにレーザ光源７からレーザ光を照射すると、
該レーザ光の偏光状態が変化し、この偏光状態の変化し
たレーザ光が偏光検出部９で検出される。偏光検出部９
はこのレーザ光の偏光変化を光の強度変化に変換し、こ
の光の強度変化を電気信号に変換して出力するようにな
っている。

【００２９】偏光検出部９から出力される電気信号は、
信号処理部１１に入力され、そのＳ／Ｎを改善される。
この信号処理部１１におけるＳ／Ｎ改善の信号処理は、
信号検出帯域を制限するフィルタリングを行うバンドパ
スフィルタ、ローパスフィルタ、または加算平均による
アベレージ処理を行うアベレージ処理手段により達成す
ることができる。

【００３０】信号処理部１１からのＳ／Ｎを改善された
電気信号は、信号解析部１３に入力され、この信号解析
部１３においては、検出した電気信号の時間軸上の特徴
抽出、例えば周期、振幅、位相、歪、立ち上がり／立ち
下がり時間等の波形解析による特徴抽出、または周波数
スペクトラムデータをフーリエ変換やスペクトラムアナ
ライザによる特徴抽出が行われ、この特徴抽出したデー
タを解析データとして出力する。

【００３１】参照データ記憶部１７は、正常に動作して
いる非接触型絶縁性ＩＣカードの測定を予め行い、この
測定データを解析した解析データおよび種々の原因で故
障し、故障箇所および故障原因の判明している非接触型
絶縁性ＩＣカードの測定を予め行い、この測定データを
解析した解析データを電界センサ部５の位置情報ととも
に参照データとしてテーブル化して記憶している。

【００３２】なお、この参照データ記憶部１７に記憶さ
れる参照データは、非接触型絶縁性ＩＣカードの測定に
よって行うものに限らず、非接触型絶縁性ＩＣカードの
回路解析、シミュレーション等により作成してもよいも
のである。そして、このような回路解析、シミュレーシ
ョン等を正常な非接触型絶縁性ＩＣカードについて行っ
て、正常な参照データを作成して参照データ記憶部１７
に記憶したり、また非接触型絶縁性ＩＣカードに故意に
故障箇所および故障原因の判明している故障を形成し、
この故障のある非接触型絶縁性ＩＣカードに対して回路
解析、シミュレーション等を行って、故障用参照データ
を作成して参照データ記憶部１７に記憶するようにして
もよい。

【００３３】データ比較部１５は、信号解析部１３から
入力されるＩＣカード１の解析データと参照データ記憶
部１７からの正常な参照データおよび故障用参照データ
と比較し、ＩＣカード１の正常性を判定し、この判定結
果、ＩＣカード１が正常でない場合には、故障箇所、故
障原因、故障モード等を判定し、この判定結果を表示部
１９に供給して表示するようになっている。

【００３４】次に、図４に示す流れ図を参照して、非接
触型絶縁性ＩＣカード１の測定手順について説明する。
図４においては、予め正常なＩＣカードの測定および故
障ＩＣカードの測定が行われる（ステップＳ１１０，Ｓ
１２０）。正常なＩＣカードの測定では、正常なＩＣカ
ード１のアンテナ部１ｄに電界センサ部５をＩＣカード
微動機構３およびセンサ微動機構２１により近接させ、
この近接させた電界センサ部５にレーザ光源７からのレ
ーザ光を照射し、偏光検出部９でレーザ光の偏光状態を
検出して電気信号を生成し、この電気信号を信号処理部
１１、信号解析部１３で処理し、電気信号の波形を解析
して、時間軸と周波数軸の情報を抽出し、この抽出デー
タを電界センサ部５の位置情報とともに正常参照データ
として参照データ記憶部７にテーブル化して記憶する
（ステップＳ１１０）。

【００３５】また、故障ＩＣカードの測定では、故障箇
所および故障原因の判明している故障した種々のＩＣカ
ード１のアンテナ部１ｄに電界センサ部５をＩＣカード
微動機構３およびセンサ微動機構２１により近接させ、
この近接させた電界センサ部５にレーザ光源７からのレ
ーザ光を照射し、偏光検出部９でレーザ光の偏光状態を
検出して電気信号を生成し、この電気信号を信号処理部
１１、信号解析部１３で処理し、電気信号の波形を解析
して、時間軸と周波数軸の情報を抽出し、この抽出デー
タを電界センサ部５の位置情報、故障箇所、故障原因と
ともに故障用参照データとして参照データ記憶部１７に
テーブル化して記憶する（ステップＳ１２０）。

【００３６】それから、被測定用のＩＣカード１の測定
を行う（ステップＳ１４０）。この測定では、被測定用
のＩＣカード１のアンテナ部１ｄの測定エリア内に電界
センサ部５を近接して位置決めし、位置情報を取得して
記憶するとともに、この位置決めした電界センサ部５に
レーザ光源７からのレーザ光を照射し、偏光検出部９で
レーザ光の偏光状態を検出して電気信号を生成し、この
電気信号を信号処理部１１、信号解析部１３で処理し、
電気信号の波形を解析して、時間軸と周波数軸の情報を
抽出し、この抽出データを電界センサ部５の位置情報と
ともに解析データとして出力し、データ比較部１５に供
給する。

【００３７】次に、データ比較部１５は、信号解析部１
３からの解析データを参照データ記憶部１７に記憶され
ている正常参照データおよび故障用参照データと比較
し、ＩＣカード１が正常か異常かを判定し、異常である
場合には、故障箇所、故障原因、故障モード等を判定
し、この判定結果を表示部１９に表示する（ステップＳ
１５０）。

【００３８】それから、被測定用ＩＣカード１のアンテ
ナ部１ｄに対する電界センサ部５の位置をＩＣカード微
動機構３およびセンサ微動機構２１で変更し、以上の動
作をＩＣカード１のアンテナ部１ｄの全体にわたって繰
り返し行う。なお、このようにＩＣカード１のアンテナ
部１ｄに対する電界センサ部５の位置を移動しながらＩ
Ｃカード１のアンテナ部１ｄの全体にわたって繰り返し
上述した動作を行うことにより、アンテナ部１ｄに存在
する例えば切断、捻れ、交差等の故障箇所等も検出する
ことができる。また、ＩＣカード１のＩＣ部１ｃの故障
による信号がアンテナ部１ｄに伝搬されて測定されて
も、アンテナ部１ｄの故障は一般に単純なものであるた
め、ＩＣ部１ｃの故障とアンテナ部１ｄの故障を区別す
ることができる。

【００３９】また、上記実施形態では、被測定用のＩＣ
カードの解析データを参照データ記憶部１７に記憶され
ている正常参照データおよび故障用参照データの両方と
比較するように説明したが、正常な参照データとのみ比
較しても、ＩＣカードの故障を検出し得ることは勿論で
あるが、正常な参照データとの比較に加えて、故障用参
照データとの比較も行うことにより、故障箇所、故障原
因を更に適確に判定することができる。

【００４０】データ比較部１５における被測定用ＩＣカ
ードの解析データと参照データ記憶部１７に記憶された
正常参照データおよび故障用参照データとの比較による
故障解析では、例えば振幅に関する異常であればＩＣカ
ードのアンプ部、周波数異常であれば発信器というよう
に異常測定データから故障している機能部を特定するこ
とができる。更に、断線故障は測定データが無信号であ
ることで特定できるとともに、電界センサ部５の位置か
ら直接故障箇所を特定することができる。このように測
定位置と異常測定データから故障箇所、故障モードを測
定することができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被測定用の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電
界を電界センサに結合させて電界強度を測定し、この測
定データを解析して解析データを生成し、該解析データ
を位置情報をもとに正常なＩＣカードの参照データと比
較し、被測定用ＩＣカードの正常性および故障原因を含
む判定を行うので、非接触型絶縁性ＩＣカードを破壊す
ることなく、短時間で効率的にＩＣカードを試験し、故
障箇所を適確に判定することができる。

【００４２】また、本発明によれば、被測定用の非接触
型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を電界センサに
結合させて電界強度を測定し、この測定データを解析し
て解析データを生成し、該解析データを位置情報をもと
に正常なＩＣカードの参照データおよび故障箇所および
故障原因の判明している故障したＩＣカードの参照デー
タと比較し、被測定用ＩＣカードの正常性および故障原
因を含む判定を行うので、非接触型絶縁性ＩＣカードを
破壊することなく、短時間で効率的にＩＣカードを試験
でき、更に適確に故障箇所、故障原因等を判定すること
ができる。

【００４３】更に、本発明によれば、ＩＣカードのアン
テナ部の電界に結合するように電気光学結晶を設けて、
レーザ光を照射し、ＩＣカードのアンテナ部からの電界
による電気光学結晶の複屈折率の変化によるレーザ光の
偏光変化を検出し、該偏光変化を電気信号に変換し、こ
の電気信号を解析して解析データを取得し、この解析デ
ータを位置情報をもとに参照データと比較し、ＩＣカー
ドの正常性および故障原因を含む判定を行うので、非接
触型絶縁性ＩＣカードの絶縁体を除去することなく、効
率的にＩＣカードを試験でき、故障箇所等を適確に判定
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るＩＣカードの試験装
置の構成を示す図である。

【図２】図１に示すＩＣカード試験装置で試験される非
接触型絶縁性ＩＣカードの構成を示す図である。

【図３】図１に示すＩＣカード試験装置に使用されてい
る電界センサ部の構成を示す図である。

【図４】図１に示すＩＣカード試験装置の作用を示す流
れ図である。

【符号の説明】

１ 非接触型絶縁性ＩＣカード １ｄ ＩＣカードのアンテナ部 ３，２１ 微動機構 ５ 電界センサ部 ７ レーザ光源 ９ 偏光検出部 １１ 信号処理部 １３ 信号解析部 １５ データ比較部 １７ 参照データ記憶部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−48078（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−318710（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−308204（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−111321（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06K 17/00 B42D 15/10 521 G01R 31/00 G01R 31/302

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アンテナ部を有し全体が絶縁体で被覆さ
   れた非接触型絶縁性ＩＣカードを試験するＩＣカードの
   試験方法であって、 正常な非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を
   電界センサに結合させて電界強度を測定し、この測定デ
   ータを解析し、この解析したデータを電界センサの位置
   情報とともに参照データとして蓄積しておき、 被測定用の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部に電
   界センサを近接させて位置決めし、この位置情報を記憶
   するとともに、電界強度を測定し、この測定データを解
   析して解析データを生成し、該解析データを位置情報を
   もとに前記参照データと比較し、被測定用ＩＣカードの
   正常性および故障原因を含む判定を行うことを特徴とす
   るＩＣカードの試験方法。
2. 【請求項２】 アンテナ部を有し全体が絶縁体で被覆さ
   れた非接触型絶縁性ＩＣカードを試験するＩＣカードの
   試験方法であって、 正常な非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部の電界を
   電界センサに結合させて電界強度を測定し、この測定デ
   ータを解析し、この解析したデータを電界センサの位置
   情報とともに正常参照データとして蓄積しておき、 故障箇所および故障原因の判明している故障した非接触
   型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部に電界センサを近接さ
   せて電界強度を測定し、この測定データを解析し、この
   解析したデータを電界センサの位置情報、故障箇所、故
   障原因とともに故障用参照データとして蓄積しておき、 被測定用の非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部に電
   界センサを近接させて位置決めし、この位置情報を記憶
   するとともに、電界強度を測定し、この測定データを解
   析して解析データを生成し、該解析データを位置情報を
   もとに前記正常参照データおよび故障用参照データと比
   較し、被測定用ＩＣカードの正常性および故障原因を含
   む判定を行うことを特徴とするＩＣカードの試験方法。
3. 【請求項３】 アンテナ部を有し全体が絶縁体で被覆さ
   れた非接触型絶縁性ＩＣカードを試験するＩＣカードの
   試験装置であって、 非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部から発生する電
   界が結合するように該ＩＣカードのアンテナ部の前記電
   界に結合するように設けられ、前記電界の強度変化によ
   り複屈折率が変化する電気光学結晶と、 前記ＩＣカードのアンテナ部に対して前記電気光学結晶
   を相対的に移動させ、前記アンテナ部に対する前記電気
   光学結晶の位置を取得し、位置情報として出力する移動
   手段と、 前記ＩＣカードに対向する前記電気光学結晶の一方の面
   と反対側の他方の面から該電気光学結晶にレーザ光を照
   射するレーザ発生手段と、 前記電気光学結晶の一方の面に設けられ、前記レーザ発
   生手段からレーザ光を反射する反射手段と、 該反射手段で反射されるとともに、前記電界による前記
   電気光学結晶の複屈折率の変化により偏光の変化したレ
   ーザ光の偏光変化を検出し、該偏光変化を電気信号に変
   換する偏光検出手段と、 この変換された電気信号を解析して解析データを取得す
   る解析手段と、 前記ＩＣカードのアンテナ部における信号を予め解析し
   て、参照データとして記憶する参照データ記憶手段と、 前記解析データを前記位置情報をもとに前記参照データ
   と比較し、前記ＩＣカードの正常性および故障原因を含
   む判定を行う判定手段とを有することを特徴とするＩＣ
   カード試験装置。
4. 【請求項４】 前記参照データ記憶手段は、正常な非接
   触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部における信号を予め
   解析して、正常参照データとして記憶する正常参照デー
   タ記憶手段を有し、 前記判定手段は、前記解析データを前記位置情報をもと
   に前記正常参照データと比較し、前記ＩＣカードの正常
   性および故障原因を含む判定を行う手段を有することを
   特徴とする請求項３記載のＩＣカード試験装置。
5. 【請求項５】 前記参照データ記憶手段は、正常な非接
   触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部における信号を予め
   解析して、正常参照データとして記憶する正常参照デー
   タ記憶手段、および故障箇所および故障原因の判明して
   いる故障した非接触型絶縁性ＩＣカードのアンテナ部に
   おける信号を予め解析して、故障用参照データとして記
   憶する故障用参照データ記憶手段を有し、 前記判定手段は、前記解析データを前記位置情報をもと
   に前記正常参照データおよび前記故障用参照データと比
   較し、前記ＩＣカードの正常性および故障原因を含む判
   定を行う手段を有することを特徴とする請求項３記載の
   ＩＣカード試験装置。
6. 【請求項６】 前記解析手段は、前記偏光検出手段で変
   換された電気信号の信号対雑音比を改善する信号処理手
   段を有することを特徴とする請求項３記載のＩＣカード
   試験装置。
7. 【請求項７】 前記信号処理手段は、前記電気信号の帯
   域を制限するバンドパスフィルタ手段、ローパスフィル
   タ手段、および前記電気信号のアベレージ処理を行うア
   ベレージ処理手段からなるグループから選択された手段
   で構成されることを特徴とする請求項６記載のＩＣカー
   ド試験装置。
8. 【請求項８】 前記解析手段は、前記解析データとして
   前記電気信号の周期、振幅、位相、歪、立ち上がり時
   間、立ち下がり時間の時間軸情報を含むことを特徴とす
   る請求項３記載のＩＣカード試験装置。