JP3507842B2 - 水冷式反応容器における水漏れ検知方法 - Google Patents
水冷式反応容器における水漏れ検知方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコンの
製造に使用されるＣＶＤ反応炉等における水漏れ検知方
法に関する。
製造に使用されるＣＶＤ反応炉等における水漏れ検知方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造原料等として使用される多
結晶シリコンは、通常、水素による還元反応により製造
される。この製造方法では、図２に示すように、三塩化
シラン及び水素が原料ガスとしてＣＶＤ反応炉１内に導
入される。ＣＶＤ反応炉１内では、通電加熱された棒状
シードの表面に、水素還元反応により多結晶シリコンが
析出し、同時に四塩化珪素、塩化水素及び水素が副生す
る。これらの副生ガスは未反応の三塩化シラン及び水素
と共にＣＶＤ反応炉１外へ排出される。
結晶シリコンは、通常、水素による還元反応により製造
される。この製造方法では、図２に示すように、三塩化
シラン及び水素が原料ガスとしてＣＶＤ反応炉１内に導
入される。ＣＶＤ反応炉１内では、通電加熱された棒状
シードの表面に、水素還元反応により多結晶シリコンが
析出し、同時に四塩化珪素、塩化水素及び水素が副生す
る。これらの副生ガスは未反応の三塩化シラン及び水素
と共にＣＶＤ反応炉１外へ排出される。
【０００３】ここで、ＣＶＤ反応炉１は、内部を冷却水
が流通するジャケット構造により、炉体が強制的に水冷
されている。その理由は２つある。一つは、炉内で通電
加熱された棒状シリコンからの輻射熱によって、ステン
レス鋼などの金属でつくられているＣＶＤ反応炉１が変
形することを防止するためである。もう一つは、炉体を
低温に保つことにより、ＣＶＤ反応炉１の内面から多結
晶シリコンへの金属汚染を防止するためである。
が流通するジャケット構造により、炉体が強制的に水冷
されている。その理由は２つある。一つは、炉内で通電
加熱された棒状シリコンからの輻射熱によって、ステン
レス鋼などの金属でつくられているＣＶＤ反応炉１が変
形することを防止するためである。もう一つは、炉体を
低温に保つことにより、ＣＶＤ反応炉１の内面から多結
晶シリコンへの金属汚染を防止するためである。
【０００４】一方、ＣＶＤ反応炉１内に原料ガスとして
導入される三塩化シランは、水と反応すると、腐食性の
強い物質である塩化水素を生じ、ＣＶＤ反応炉１を損傷
させる危険がある。このため、ＣＶＤ反応炉１から炉内
への水漏れを早期に発見する必要がある。
導入される三塩化シランは、水と反応すると、腐食性の
強い物質である塩化水素を生じ、ＣＶＤ反応炉１を損傷
させる危険がある。このため、ＣＶＤ反応炉１から炉内
への水漏れを早期に発見する必要がある。
【０００５】また、冷却水がプロセス内に侵入すること
により、水中の汚染物質が製品内に取り込まれ、製品の
品質を低下させる危険性がある。特に、半導体用シリコ
ンの製造においては、侵入量が僅かでも水中の不純物
（リン、ボロン等）の混入により、製品の純度（例えば
１１Ｎ）が低下し、製品化ができなくなる。例えば、反
応開始時から微量の水漏れが発生していた場合には、そ
の製品全体が無駄になってしまう。
により、水中の汚染物質が製品内に取り込まれ、製品の
品質を低下させる危険性がある。特に、半導体用シリコ
ンの製造においては、侵入量が僅かでも水中の不純物
（リン、ボロン等）の混入により、製品の純度（例えば
１１Ｎ）が低下し、製品化ができなくなる。例えば、反
応開始時から微量の水漏れが発生していた場合には、そ
の製品全体が無駄になってしまう。
【０００６】これに加えて、三塩化シランは、水との反
応により、塩化水素を発生すると同時に、二酸化珪素か
らなる固形物も発生する。この固形物は、ＣＶＤ反応炉
１の出側配管を閉塞させる原因になる。
応により、塩化水素を発生すると同時に、二酸化珪素か
らなる固形物も発生する。この固形物は、ＣＶＤ反応炉
１の出側配管を閉塞させる原因になる。
【０００７】これらの点からも、ＣＶＤ反応炉１から炉
内への水漏れを早期に発見することは重要であり、その
発見のために、従来は、固形物による出側配管の閉塞に
伴う炉内圧力の上昇を検知することが行われていた。
内への水漏れを早期に発見することは重要であり、その
発見のために、従来は、固形物による出側配管の閉塞に
伴う炉内圧力の上昇を検知することが行われていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の水漏れ検知方法では、その検知までに時間が
かかり、塩化水素によるＣＶＤ反応炉１の損傷や製品の
品質低下を十分に防止できない危険がある。また、水漏
れが検知された時点では、出側配管の閉塞が発生してい
るため、この閉塞を解消する作業が必要になる。
うな従来の水漏れ検知方法では、その検知までに時間が
かかり、塩化水素によるＣＶＤ反応炉１の損傷や製品の
品質低下を十分に防止できない危険がある。また、水漏
れが検知された時点では、出側配管の閉塞が発生してい
るため、この閉塞を解消する作業が必要になる。
【０００９】この作業では、ＣＶＤ反応炉１から出側配
管を取り外さなければならないため生産性が低下する。
また、この作業ではポリマーの存在が問題になる。ここ
で言うポリマーとは、ＣＶＤ反応炉１内における反応の
副生成物であり、Ｓｉ2 ＨＣｌ5 ，Ｓｉ2 Ｈ2 Ｃｌ4 な
どのシラン系重合物と考えられている。このポリマーは
粘性が高く、空気中では衝撃などにより簡単に発火して
しまう発火性物質である。配管を閉塞させた固形の二酸
化珪素の内部にはポリマーが一部取り込まれているの
で、閉塞物の除去作業の際にポリマーが発火するおそれ
があり、この作業に危険が伴うという安全上の問題があ
るのである。
管を取り外さなければならないため生産性が低下する。
また、この作業ではポリマーの存在が問題になる。ここ
で言うポリマーとは、ＣＶＤ反応炉１内における反応の
副生成物であり、Ｓｉ2 ＨＣｌ5 ，Ｓｉ2 Ｈ2 Ｃｌ4 な
どのシラン系重合物と考えられている。このポリマーは
粘性が高く、空気中では衝撃などにより簡単に発火して
しまう発火性物質である。配管を閉塞させた固形の二酸
化珪素の内部にはポリマーが一部取り込まれているの
で、閉塞物の除去作業の際にポリマーが発火するおそれ
があり、この作業に危険が伴うという安全上の問題があ
るのである。
【００１０】このため、ＣＶＤ反応炉１内への水漏れ
を、可及的速やかに、しかも漏れ量が僅かの場合も確実
に発見できる技術の開発が待たれている。
を、可及的速やかに、しかも漏れ量が僅かの場合も確実
に発見できる技術の開発が待たれている。
【００１１】本発明の目的は、多結晶シリコンの製造に
使用されるＣＶＤ反応炉のような、水と反応して塩化水
素を発生する反応性ガスを内部に導入し、且つ、内部ガ
スを外部へ排出する手段を有する水冷式反応容器におけ
る水漏れを、高感度で発見できる水漏れ検知方法を提供
することにある。
使用されるＣＶＤ反応炉のような、水と反応して塩化水
素を発生する反応性ガスを内部に導入し、且つ、内部ガ
スを外部へ排出する手段を有する水冷式反応容器におけ
る水漏れを、高感度で発見できる水漏れ検知方法を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の水漏れ検知方法は、その水冷式反応容器の
排気側で、排ガス中の塩化水素濃度を測定し、その測定
値の変化によって反応容器内への水漏れを検知するもの
である。
に、本発明の水漏れ検知方法は、その水冷式反応容器の
排気側で、排ガス中の塩化水素濃度を測定し、その測定
値の変化によって反応容器内への水漏れを検知するもの
である。
【００１３】水と反応して塩化水素を発生する反応性ガ
スを内部に導入し、且つ、内部ガスを外部へ排出する手
段を有する水冷式反応容器において、反応容器内への水
漏れが発生すると、塩化水素が発生し、排ガス中の塩化
水素濃度が上昇する。水冷式反応容器が多結晶シリコン
の製造に使用されるＣＶＤ反応炉の場合、排ガスには還
元反応で発生する塩化水素が含まれているが、還元反応
に伴う塩化水素の濃度は殆ど一定であり、急激な変化は
ない。しかし、水漏れが発生すると、その濃度が急増す
る。従って、排ガス中の塩化水素濃度の変化を検知すれ
ば、感度の高い水漏れ検知が可能になる。
スを内部に導入し、且つ、内部ガスを外部へ排出する手
段を有する水冷式反応容器において、反応容器内への水
漏れが発生すると、塩化水素が発生し、排ガス中の塩化
水素濃度が上昇する。水冷式反応容器が多結晶シリコン
の製造に使用されるＣＶＤ反応炉の場合、排ガスには還
元反応で発生する塩化水素が含まれているが、還元反応
に伴う塩化水素の濃度は殆ど一定であり、急激な変化は
ない。しかし、水漏れが発生すると、その濃度が急増す
る。従って、排ガス中の塩化水素濃度の変化を検知すれ
ば、感度の高い水漏れ検知が可能になる。
【００１４】検知感度を更に高めるためには、塩化水素
の濃度測定に分光分析装置を使用するのが好ましい。特
に、排ガスが水素を含む場合は、塩化水素の本来の吸収
波数である２８６４ｃｍ-1と異なる波数３０００ｃｍ-1
〜２９００ｃｍ-1について検出を行うのが好ましい（特
開平７−２７７２０号公報）。水素を含まない排ガスか
ら塩化水素を検知する場合は、塩化水素の本来の吸収波
数である２８６４ｃｍ -1を用いればよい。水素を含む排
ガスとはＣＶＤ反応炉の排ガスであり、水素を含まない
排ガスとは後述する蒸留塔の塔頂ガスである。
の濃度測定に分光分析装置を使用するのが好ましい。特
に、排ガスが水素を含む場合は、塩化水素の本来の吸収
波数である２８６４ｃｍ-1と異なる波数３０００ｃｍ-1
〜２９００ｃｍ-1について検出を行うのが好ましい（特
開平７−２７７２０号公報）。水素を含まない排ガスか
ら塩化水素を検知する場合は、塩化水素の本来の吸収波
数である２８６４ｃｍ -1を用いればよい。水素を含む排
ガスとはＣＶＤ反応炉の排ガスであり、水素を含まない
排ガスとは後述する蒸留塔の塔頂ガスである。
【００１５】更に検知感度を高める方法としては、分析
装置前にガス冷却装置或いはトラップを備え付け、塩化
水素ガスと吸収ピークが重なり、分析精度を低下させる
原因になるガス（例えばＣＶＤ反応炉の場合、塩化水
素、水素以外のガス）を液化に除去して、分析装置での
塩化水素濃度を高めることが推奨される。
装置前にガス冷却装置或いはトラップを備え付け、塩化
水素ガスと吸収ピークが重なり、分析精度を低下させる
原因になるガス（例えばＣＶＤ反応炉の場合、塩化水
素、水素以外のガス）を液化に除去して、分析装置での
塩化水素濃度を高めることが推奨される。
【００１６】水と反応して塩化水素を発生する反応性ガ
スとしては、三塩化シランの他、四塩化珪素、二塩化シ
ラン等がある。
スとしては、三塩化シランの他、四塩化珪素、二塩化シ
ラン等がある。
【００１７】そのような反応性ガスを使用する水冷式反
応容器としては、多結晶シリコンの製造に使用されるＣ
ＶＤ反応炉、ＣＶＤ反応炉の排ガスを凝縮させる冷却
器、排ガスから三塩化シラン、四塩化珪素等を回収する
蒸留塔の塔頂ガスを凝縮させる冷却器などがある。
応容器としては、多結晶シリコンの製造に使用されるＣ
ＶＤ反応炉、ＣＶＤ反応炉の排ガスを凝縮させる冷却
器、排ガスから三塩化シラン、四塩化珪素等を回収する
蒸留塔の塔頂ガスを凝縮させる冷却器などがある。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の一実施形態を示す多
結晶シリコン製造装置の構成図である。
基づいて説明する。図１は本発明の一実施形態を示す多
結晶シリコン製造装置の構成図である。
【００１９】本実施形態では、図２に示した従来技術と
同様、原料ガスである三塩化シラン及び水素が、水冷式
反応容器としてのＣＶＤ反応炉１内に、入側配管２を通
して導入される。ＣＶＤ反応炉１内では、通電加熱され
た棒状シードの表面に、水素還元反応により多結晶シリ
コンが析出する。この反応に伴って副生する四塩化珪
素、塩化水素及び水素が、未反応の三塩化シラン及び水
素と共にＣＶＤ反応炉１外へ出側配管３を通して排出さ
れる。
同様、原料ガスである三塩化シラン及び水素が、水冷式
反応容器としてのＣＶＤ反応炉１内に、入側配管２を通
して導入される。ＣＶＤ反応炉１内では、通電加熱され
た棒状シードの表面に、水素還元反応により多結晶シリ
コンが析出する。この反応に伴って副生する四塩化珪
素、塩化水素及び水素が、未反応の三塩化シラン及び水
素と共にＣＶＤ反応炉１外へ出側配管３を通して排出さ
れる。
【００２０】ここで、ＣＶＤ反応炉１は、内部を冷却水
が流通するジャケット構造により、炉壁が強制的に水冷
されている。排ガスを炉外へ導く出側配管３の途中に
は、サンプリング装置４が介装されている。サンプリン
グ装置４は、出側配管３の断面中心位置から排ガスをサ
ンプリングする。サンプリングされた排ガスは、測定セ
ル５に通される。測定セル５は、内部を流通するサンプ
リングガスに、光源６から発せられる赤外線を照射し、
サンプリングガスを透過した赤外線を赤外線分光光度計
７で受光する構成になっている。
が流通するジャケット構造により、炉壁が強制的に水冷
されている。排ガスを炉外へ導く出側配管３の途中に
は、サンプリング装置４が介装されている。サンプリン
グ装置４は、出側配管３の断面中心位置から排ガスをサ
ンプリングする。サンプリングされた排ガスは、測定セ
ル５に通される。測定セル５は、内部を流通するサンプ
リングガスに、光源６から発せられる赤外線を照射し、
サンプリングガスを透過した赤外線を赤外線分光光度計
７で受光する構成になっている。
【００２１】そして、赤外線分光光度計７の出力を解析
装置８へ送り、塩化水素の本来の吸収波数である２８６
４ｃｍ-1と異なる波数３０００ｃｍ-1〜２９００ｃｍ-1
について、吸収ピーク値の積算値を求めることにより、
排ガス中の塩化水素濃度の経時変化を検出する。この経
時変化から、ＣＶＤ反応炉１の炉壁から炉内への水漏れ
が感度よく検知できることは前述したとおりである。ま
た、上記積算値が、排ガス中の塩化水素濃度に正確に対
応することは、特開平７−２７７７２０号公報に説明さ
れているとおりである。
装置８へ送り、塩化水素の本来の吸収波数である２８６
４ｃｍ-1と異なる波数３０００ｃｍ-1〜２９００ｃｍ-1
について、吸収ピーク値の積算値を求めることにより、
排ガス中の塩化水素濃度の経時変化を検出する。この経
時変化から、ＣＶＤ反応炉１の炉壁から炉内への水漏れ
が感度よく検知できることは前述したとおりである。ま
た、上記積算値が、排ガス中の塩化水素濃度に正確に対
応することは、特開平７−２７７７２０号公報に説明さ
れているとおりである。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の水漏れ検知方法の感度につい
て、実際に実験した結果を説明する。
て、実際に実験した結果を説明する。
【００２３】比較のために、ＣＶＤ反応炉１を想定した
小型の試験炉を用いて、多結晶シリコンを製造する際
に、試験炉の入側配管及び出側配管に、０．００１ＭＰ
ａまで測定が可能な精密圧力計を設置し、固形物による
出側配管の閉塞に伴う差圧の増大から水漏れを検知し
た。具体的には、試験炉内に、三塩化シランと水素の混
合ガス（モル比１：８）を３Ｎｍ3 ／ｈｒの流量で供給
し、多結晶シリコンの製造を行う際に、水漏れを想定し
て、反応開始より炉内に５ｃｃ／ｍｉｎの速度で故意に
水を侵入させた。
小型の試験炉を用いて、多結晶シリコンを製造する際
に、試験炉の入側配管及び出側配管に、０．００１ＭＰ
ａまで測定が可能な精密圧力計を設置し、固形物による
出側配管の閉塞に伴う差圧の増大から水漏れを検知し
た。具体的には、試験炉内に、三塩化シランと水素の混
合ガス（モル比１：８）を３Ｎｍ3 ／ｈｒの流量で供給
し、多結晶シリコンの製造を行う際に、水漏れを想定し
て、反応開始より炉内に５ｃｃ／ｍｉｎの速度で故意に
水を侵入させた。
【００２４】正常時の差圧は０．００３ＭＰａであるこ
とを確認した上で、この差圧が０．００４ＭＰａに上昇
した時点を水漏れ検知時点とした。しかし、この方法で
は、実際には水漏れは検知できず、テスト終了まで約３
０時間装置を稼働し続けることになった。結果、製造さ
れた多結晶シリコンは、不純物濃度がスペックを満たさ
ず、使用不可能なレベルになった。また、炉内及び出側
配管内には二酸化珪素が多量に析出しており、出側配管
の分解及び配管内の清掃が必要となった。
とを確認した上で、この差圧が０．００４ＭＰａに上昇
した時点を水漏れ検知時点とした。しかし、この方法で
は、実際には水漏れは検知できず、テスト終了まで約３
０時間装置を稼働し続けることになった。結果、製造さ
れた多結晶シリコンは、不純物濃度がスペックを満たさ
ず、使用不可能なレベルになった。また、炉内及び出側
配管内には二酸化珪素が多量に析出しており、出側配管
の分解及び配管内の清掃が必要となった。
【００２５】これに対し、図１の方法により、排ガスを
出側配管内のガス流れに対して等速で常時サンプリング
した。サンプリング量は１０ｃｃ／ｍｉｎである。そし
て、分光光度計でＮａＣｌセルを用い、波数３０００ｃ
ｍ-1〜２９００ｃｍ-1で分析を行った。水の侵入開始か
ら１分後に吸収ピーク値の積算値が上がり始め、これを
水漏れ発生として、反応を停止した。水漏れ発生開始直
後にその水漏れを検知でき、反応開始直後に反応を中止
できたので、不良製品の発生を最小限に抑えることがで
きた。固形物の発生量は少量であったため、配管内の清
掃は必要なく、そのまま継続使用することができた。
出側配管内のガス流れに対して等速で常時サンプリング
した。サンプリング量は１０ｃｃ／ｍｉｎである。そし
て、分光光度計でＮａＣｌセルを用い、波数３０００ｃ
ｍ-1〜２９００ｃｍ-1で分析を行った。水の侵入開始か
ら１分後に吸収ピーク値の積算値が上がり始め、これを
水漏れ発生として、反応を停止した。水漏れ発生開始直
後にその水漏れを検知でき、反応開始直後に反応を中止
できたので、不良製品の発生を最小限に抑えることがで
きた。固形物の発生量は少量であったため、配管内の清
掃は必要なく、そのまま継続使用することができた。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明の水冷式
反応容器における水漏れ検知方法は、水と反応して塩化
水素を発生する反応性ガスを内部に導入し、且つ、内部
ガスを外部へ排出する手段を有する水冷式反応容器の排
気側で、排ガス中の塩化水素濃度を測定し、その測定値
の変化によって反応容器内への水漏れを検知することに
より、その水漏れを可及的速やかに、しかも漏れ量が僅
かの場合も確実に発見できる。従って、塩化水素による
反応炉の損傷や製品の品質低下を最小限に防止できる。
また、固形物による出側配管の閉塞を防止でき、生産性
の低下及び危険な清掃作業を回避できる。
反応容器における水漏れ検知方法は、水と反応して塩化
水素を発生する反応性ガスを内部に導入し、且つ、内部
ガスを外部へ排出する手段を有する水冷式反応容器の排
気側で、排ガス中の塩化水素濃度を測定し、その測定値
の変化によって反応容器内への水漏れを検知することに
より、その水漏れを可及的速やかに、しかも漏れ量が僅
かの場合も確実に発見できる。従って、塩化水素による
反応炉の損傷や製品の品質低下を最小限に防止できる。
また、固形物による出側配管の閉塞を防止でき、生産性
の低下及び危険な清掃作業を回避できる。
【図１】本発明の一実施形態を示す多結晶シリコン製造
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図２】多結晶シリコン製造装置の概略構成図である。
１ ＣＶＤ反応炉
２ 入側配管
３ 出側配管
４ サンプリング装置
５ 測定セル
６ 光源
７ 赤外線分光光度計
８ 解析装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01M 3/04
G01M 3/20
G01N 21/35
C01B 33/00 - 33/93
G01M 3/20
H01L 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 水と反応して塩化水素を発生する反応性
ガスを内部に導入し、且つ、内部ガスを外部へ排出する
手段を有する水冷式反応容器の排気側で、排ガス中の塩
化水素濃度を測定し、その測定値の変化によって反応容
器内への水漏れを検知することを特徴とする水冷式反応
容器における水漏れ検知方法。 - 【請求項２】 塩化水素濃度の測定に分光分析装置を使
用することを特徴とする請求項１に記載の水冷式反応容
器における水漏れ検知方法。 - 【請求項３】 水冷式反応容器が、多結晶シリコンの製
造に使用されるＣＶＤ反応炉である請求項１又は２に記
載の水冷式反応容器における水漏れ検知方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201932A JP3507842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 水冷式反応容器における水漏れ検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201932A JP3507842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 水冷式反応容器における水漏れ検知方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003014573A JP2003014573A (ja) | 2003-01-15 |
| JP3507842B2 true JP3507842B2 (ja) | 2004-03-15 |
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ID=19038821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201932A Expired - Fee Related JP3507842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 水冷式反応容器における水漏れ検知方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3507842B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012077677A1 (ja) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 株式会社トクヤマ | 水漏れ検知方法、クロロシラン水素還元反応装置、および該装置を用いた製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112924109B (zh) * | 2021-03-11 | 2023-07-28 | 湖南省润心科技开发有限公司 | 一种具有泄漏应急处理功能的化工反应釜及应急处理方法 |
| CN117109835B (zh) * | 2023-10-20 | 2024-04-05 | 天合光能股份有限公司 | 多晶硅制备系统中水冷却器的监测装置 |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001201932A patent/JP3507842B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012077677A1 (ja) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | 株式会社トクヤマ | 水漏れ検知方法、クロロシラン水素還元反応装置、および該装置を用いた製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003014573A (ja) | 2003-01-15 |
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