JP3504966B2 - Ｘ線装置 - Google Patents
Ｘ線装置Info
- Publication number
- JP3504966B2 JP3504966B2 JP00305994A JP305994A JP3504966B2 JP 3504966 B2 JP3504966 B2 JP 3504966B2 JP 00305994 A JP00305994 A JP 00305994A JP 305994 A JP305994 A JP 305994A JP 3504966 B2 JP3504966 B2 JP 3504966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray tube
- cathode
- voltage
- control
- anode
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
- H05G1/32—Supply voltage of the X-ray apparatus or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/10—Power supply arrangements for feeding the X-ray tube
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
a)正出力端子及び負出力端子を具えている高電圧発生器
と、 b)アノード、カソード及び制御電極を具え可変抵抗とし
て作用する制御素子と第１抵抗との直列接続回路と、ア
ノード及びカソードを有するＸ線管との組み合わせであ
って、前記直列接続回路が前記Ｘ線管に直列に接続され
ており、前記直列接続回路及び前記Ｘ線管のアノードが
前記正出力端子側に向き且つ前記直列接続回路及び前記
Ｘ線管のカソードが前記負出力端子側に向くように前記
正及び負出力端子へ接続されている当該組み合わせと、 c) 前記Ｘ線管のアノードとカソードとの間の電圧に応
じて、前記制御素子の制御電極へ接続された出力端子に
現れる制御電圧を発生するのに適した制御回路であっ
て、前記Ｘ線管を流れる電流にかかわらず前記Ｘ線管の
アノードとカソードとの間の電圧が予定の値に常にほぼ
等しくなるようにする制御回路とを具えているＸ線装置
に関するものである。
と、 b)アノード、カソード及び制御電極を具え可変抵抗とし
て作用する制御素子と第１抵抗との直列接続回路と、ア
ノード及びカソードを有するＸ線管との組み合わせであ
って、前記直列接続回路が前記Ｘ線管に直列に接続され
ており、前記直列接続回路及び前記Ｘ線管のアノードが
前記正出力端子側に向き且つ前記直列接続回路及び前記
Ｘ線管のカソードが前記負出力端子側に向くように前記
正及び負出力端子へ接続されている当該組み合わせと、 c) 前記Ｘ線管のアノードとカソードとの間の電圧に応
じて、前記制御素子の制御電極へ接続された出力端子に
現れる制御電圧を発生するのに適した制御回路であっ
て、前記Ｘ線管を流れる電流にかかわらず前記Ｘ線管の
アノードとカソードとの間の電圧が予定の値に常にほぼ
等しくなるようにする制御回路とを具えているＸ線装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は、例えばドイツ国特許第
21 16 064 号明細書から既知である。この既知の装置の
制御素子は、Ｘ線管のアノード導線において、抵抗とイ
ンダクタンスとの並列接続回路に直列に接続された三極
管により形成されている。この三極管のグリッドは制御
回路の出力端子へ接続されており、この制御回路は、制
御増幅器を具えている。この制御増幅器の入力端子は、
前記Ｘ線管のアノードとカソードとの間に直列に接続さ
れている二つの抵抗から構成された分圧器へ接続されて
いる。前記三極管は、前記Ｘ線管を流れる電流の大きさ
にかかわらず、この三極管と抵抗との直列接続回路にお
ける電圧降下が常に一定であるように、前記制御増幅器
により抵抗が制御される可変抵抗として動作する。高電
圧発生器により供給される高電圧も一定であるから、前
記Ｘ線管は常にほぼ一定の高電圧を受け取る。Ｘ線管に
より発生されるＸ線の強度は管電圧と管電流とに依存す
るので、このことは重要である。一般的に言って、抵抗
は、管電流を決定するための測定回路へ接続されている
のでこの抵抗を省略することはできない。しかしなが
ら、Ｘ線の強度を増大するために管電流が増大される場
合には、この抵抗における電圧降下が増大するので管電
圧は減少する。従って、減速電界がカソードから発散さ
れる電子に対して創成されて、その電界がカソードによ
る電子の放射を妨害する。それにもかかわらず所望の放
出電流を達成するためには、前記の減速電界にもかかわ
らず、充分な電子が放出されるようにカソード温度を増
大することが必要である。この高いカソード温度を達成
するために、カソードのフィラメントにおける電流が増
大されねばならない。カソード温度を増大することは、
フィラメントの運転寿命、従ってこのＸ線管の運転寿命
に悪い影響を与える。それ故に、この解決方法はあまり
望ましくない。制御素子が管電圧を常にほぼ一定のまま
であることを可能にする。管電圧が減少した場合には、
分圧器を介して制御増幅器へ印加される信号が変化す
る。結果として、この制御増幅器が制御素子の制御電極
に影響するので、この制御素子の抵抗も減少する。この
時制御素子と抵抗との直列接続回路の全体抵抗も減少す
るので、管電流の増大にもかかわらずこの直列接続回路
における電圧降下は一定のままとなる。しかしながら、
既知の解決方法は比較的複雑で、高価で且つ遅い制御増
幅器の使用を必要とすることが、前記の既知の解決方法
の欠点である。
21 16 064 号明細書から既知である。この既知の装置の
制御素子は、Ｘ線管のアノード導線において、抵抗とイ
ンダクタンスとの並列接続回路に直列に接続された三極
管により形成されている。この三極管のグリッドは制御
回路の出力端子へ接続されており、この制御回路は、制
御増幅器を具えている。この制御増幅器の入力端子は、
前記Ｘ線管のアノードとカソードとの間に直列に接続さ
れている二つの抵抗から構成された分圧器へ接続されて
いる。前記三極管は、前記Ｘ線管を流れる電流の大きさ
にかかわらず、この三極管と抵抗との直列接続回路にお
ける電圧降下が常に一定であるように、前記制御増幅器
により抵抗が制御される可変抵抗として動作する。高電
圧発生器により供給される高電圧も一定であるから、前
記Ｘ線管は常にほぼ一定の高電圧を受け取る。Ｘ線管に
より発生されるＸ線の強度は管電圧と管電流とに依存す
るので、このことは重要である。一般的に言って、抵抗
は、管電流を決定するための測定回路へ接続されている
のでこの抵抗を省略することはできない。しかしなが
ら、Ｘ線の強度を増大するために管電流が増大される場
合には、この抵抗における電圧降下が増大するので管電
圧は減少する。従って、減速電界がカソードから発散さ
れる電子に対して創成されて、その電界がカソードによ
る電子の放射を妨害する。それにもかかわらず所望の放
出電流を達成するためには、前記の減速電界にもかかわ
らず、充分な電子が放出されるようにカソード温度を増
大することが必要である。この高いカソード温度を達成
するために、カソードのフィラメントにおける電流が増
大されねばならない。カソード温度を増大することは、
フィラメントの運転寿命、従ってこのＸ線管の運転寿命
に悪い影響を与える。それ故に、この解決方法はあまり
望ましくない。制御素子が管電圧を常にほぼ一定のまま
であることを可能にする。管電圧が減少した場合には、
分圧器を介して制御増幅器へ印加される信号が変化す
る。結果として、この制御増幅器が制御素子の制御電極
に影響するので、この制御素子の抵抗も減少する。この
時制御素子と抵抗との直列接続回路の全体抵抗も減少す
るので、管電流の増大にもかかわらずこの直列接続回路
における電圧降下は一定のままとなる。しかしながら、
既知の解決方法は比較的複雑で、高価で且つ遅い制御増
幅器の使用を必要とすることが、前記の既知の解決方法
の欠点である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】非常に簡単で且つ安価
な手段によって一定の管電圧が得られる前述の種類のＸ
線装置を提供することが本発明の目的である。
な手段によって一定の管電圧が得られる前述の種類のＸ
線装置を提供することが本発明の目的である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】これを達成するために、
本発明による装置は、前記制御回路が、前記第１抵抗と
前記制御素子との前記直列接続回路に並列に接続され且
つ第２抵抗と第３抵抗との直列接続回路を具える分圧器
であって、第２抵抗と第３抵抗との結合点が前記制御回
路の前記出力端子へ接続されている当該分圧器を具えて
いることを特徴としている。分圧器が抵抗と制御素子と
の直列接続回路に並列に分圧器が接続されているので、
それが制御素子とほぼ同じ電位へ導くため、既知の装置
における高電圧側へ接続された分圧器と三極管との間の
電位差を橋渡しするよう特に作用する制御増幅器を省略
することができる。従って、本発明による装置において
は、制御電極を、直接に、あるいは場合に応じて簡単な
適合素子を介して分圧器へ接続することができる。この
ことは、既知の装置と比較しての大幅な簡単化とコスト
低減とを意味するものである。
本発明による装置は、前記制御回路が、前記第１抵抗と
前記制御素子との前記直列接続回路に並列に接続され且
つ第２抵抗と第３抵抗との直列接続回路を具える分圧器
であって、第２抵抗と第３抵抗との結合点が前記制御回
路の前記出力端子へ接続されている当該分圧器を具えて
いることを特徴としている。分圧器が抵抗と制御素子と
の直列接続回路に並列に分圧器が接続されているので、
それが制御素子とほぼ同じ電位へ導くため、既知の装置
における高電圧側へ接続された分圧器と三極管との間の
電位差を橋渡しするよう特に作用する制御増幅器を省略
することができる。従って、本発明による装置において
は、制御電極を、直接に、あるいは場合に応じて簡単な
適合素子を介して分圧器へ接続することができる。この
ことは、既知の装置と比較しての大幅な簡単化とコスト
低減とを意味するものである。
【０００５】本発明による装置の好適な一実施例は、高
電圧発生器の負出力端子が接地端子へ接続され、第１抵
抗と制御素子との直列接続回路は一方ではＸ線管のカソ
ードへ接続されており他方では接地端子へ接続されてい
ることを特徴としている。この実施例は、そのアノード
が接地端子に対して正の高電圧を導くＸ線管、例えばい
わゆるエンド−ウインドウ管と組み合わせて使用するの
に特に適している。
電圧発生器の負出力端子が接地端子へ接続され、第１抵
抗と制御素子との直列接続回路は一方ではＸ線管のカソ
ードへ接続されており他方では接地端子へ接続されてい
ることを特徴としている。この実施例は、そのアノード
が接地端子に対して正の高電圧を導くＸ線管、例えばい
わゆるエンド−ウインドウ管と組み合わせて使用するの
に特に適している。
【０００６】この制御素子は好適にはトランジスタ又は
トランジスタの組み合わせを具えている。トランジスタ
が、Ｎチャネルエンハンスメント形MOSFETであって、当
該MOSFETソース電極がカソードを構成し、ドレイン電極
がアノードを構成し且つゲート電極が制御電極を構成す
るＮチャネルエンハンスメント形MOSFETである場合に
は、非常に簡単で安価な回路が得られる。時々発生す
る、MOSFETのゲート電極とソース電極との間の非常な高
電圧を防止するために、電圧基準素子をそのMOSFETのゲ
ート電極とソース電極との間に好適に接続することがで
きる。
トランジスタの組み合わせを具えている。トランジスタ
が、Ｎチャネルエンハンスメント形MOSFETであって、当
該MOSFETソース電極がカソードを構成し、ドレイン電極
がアノードを構成し且つゲート電極が制御電極を構成す
るＮチャネルエンハンスメント形MOSFETである場合に
は、非常に簡単で安価な回路が得られる。時々発生す
る、MOSFETのゲート電極とソース電極との間の非常な高
電圧を防止するために、電圧基準素子をそのMOSFETのゲ
ート電極とソース電極との間に好適に接続することがで
きる。
【０００７】
【実施例】本発明のこれらの、及びその他の態様を図面
を参照して以下に詳細に説明する。
を参照して以下に詳細に説明する。
【０００８】図１に本発明によるＸ線装置の一実施例の
図を示す。
図を示す。
【０００９】図１に図式的に示したＸ線装置は、高電圧
発生器１を具えている。この高電圧発生器１は、それ自
体既知のためここで説明するには及ばない。好適な高電
圧発生器の一例は米国特許明細書第5 121 317 号に見出
され得る。この高電圧発生器１は正出力端子３と負出力
端子５とを具えている。このＸ線装置は、第１抵抗９と
制御素子11との直列接続回路及びＸ線管をも具えてい
る。このＸ線管７は高電圧発生器１の正出力端子３へ接
続されているアノード13と、第１抵抗９の一端へ接続さ
れているカソード15とを具えている。第１抵抗９の他端
は制御素子11のアノード17へ接続されており、その制御
素子11のカソード19は、それ自身が高電圧発生器１の負
出力端子５へ接続されている接地端子21へ接続されてい
る。かくして制御素子11及びＸ線管７のアノードが、電
気的に高電圧発生器１の正出力端子３の側に向き、且つ
制御素子11及びＸ線管７のカソードが負出力端子５側に
向いている。
発生器１を具えている。この高電圧発生器１は、それ自
体既知のためここで説明するには及ばない。好適な高電
圧発生器の一例は米国特許明細書第5 121 317 号に見出
され得る。この高電圧発生器１は正出力端子３と負出力
端子５とを具えている。このＸ線装置は、第１抵抗９と
制御素子11との直列接続回路及びＸ線管をも具えてい
る。このＸ線管７は高電圧発生器１の正出力端子３へ接
続されているアノード13と、第１抵抗９の一端へ接続さ
れているカソード15とを具えている。第１抵抗９の他端
は制御素子11のアノード17へ接続されており、その制御
素子11のカソード19は、それ自身が高電圧発生器１の負
出力端子５へ接続されている接地端子21へ接続されてい
る。かくして制御素子11及びＸ線管７のアノードが、電
気的に高電圧発生器１の正出力端子３の側に向き、且つ
制御素子11及びＸ線管７のカソードが負出力端子５側に
向いている。
【００１０】第１抵抗９の二つの端部はＸ線管７を通る
電流を測定するための回路（図示せず）の一部を構成す
る増幅器23の入力端子へも接続されている。制御素子11
は制御電極25をも具えており、この制御電極25は、直列
に接続された第２抵抗29と第３抵抗31とからなる分圧器
により形成される制御回路27の出力端子へ接続されてい
る。第２抵抗29の一端はＸ線管７のカソード15へ接続さ
れ、第２抵抗29の他端は第３抵抗31の一端へ接続され、
第３抵抗の他端は接地端子21へ接続されている。第２抵
抗と第３抵抗との接続点はこの制御回路27の出力端子33
へ接続されている。図示の実施例においては、制御素子
11は、ＮチャネルMOSFETであって当該MOSFETのソース電
極がカソード19を構成し、ドレイン電極がアノード17を
構成し且つゲート電極が制御電極25を構成しているＮチ
ャネルMOSFETにより形成されている。この制御回路27
が、それの出力端子33において、第１抵抗９と制御素子
11との直列接続回路にかかる電圧に比例する電圧を作り
出す。この電圧がMOSFET11のゲート・ソースしきい電圧
（典型的には約３Ｖ）より高い場合には、このMOSFETは
ターンオンし、その時ソース19とドレイン17との間の抵
抗は、制御回路の出力端子33における電圧が増大すると
ともに低下する。それ故に、第１抵抗９とMOSFET11との
直列接続の全体抵抗も低下し、且つこの直列接続におけ
る電圧降下が低減する。従って、Ｘ線管７のカソード電
圧、従って出力端子33における電圧もまた再び低下す
る。このようにしてMOSFET11と関連して制御回路27が、
カソード15と接地端子21との間の電圧差（オフセット電
圧）を例えば５Ｖ〜15Ｖのほぼ一定な値に維持する。高
電圧発生器により供給される高電圧も一定であるから、
Ｘ線管電流のあらゆる変化にもかかわらず、Ｘ線管７の
アノード13とカソード15との間の電圧差もほぼ一定のま
まに留まる。それ故に、Ｘ線の放射についてのそのよう
な変動の影響は、Ｘ線管電圧を低減することにより対処
されるものではない。増幅器23による種々の測定（例え
ば、較正及び実際の測定）に対する二次的条件も、実質
的に一定なオフセット電圧によってほぼ同じとなる。結
果として、測定結果はオフセット電圧の存在により不利
には影響されない。この回路の適切な動作を補償するた
めの一つの条件は、最大Ｘ線管電流の発生に対して、第
１抵抗９における電圧降下が所望のオフセット電圧より
大きくなりえないようにすることである。その時MOSFET
11は最大Ｘ線管電流に対して完全にターンオンし且つソ
ースとドレインとの間が実質的に無抵抗となる。三つの
抵抗９，29及び31がそれぞれ40Ω,100kΩ及び261kΩの
値を有するこの回路の実際の実施例が、好適な結果を提
供することが見出された。前記の実施例では、型式BUK
456-100A（フィリップス）のMOSFETが使用された。
電流を測定するための回路（図示せず）の一部を構成す
る増幅器23の入力端子へも接続されている。制御素子11
は制御電極25をも具えており、この制御電極25は、直列
に接続された第２抵抗29と第３抵抗31とからなる分圧器
により形成される制御回路27の出力端子へ接続されてい
る。第２抵抗29の一端はＸ線管７のカソード15へ接続さ
れ、第２抵抗29の他端は第３抵抗31の一端へ接続され、
第３抵抗の他端は接地端子21へ接続されている。第２抵
抗と第３抵抗との接続点はこの制御回路27の出力端子33
へ接続されている。図示の実施例においては、制御素子
11は、ＮチャネルMOSFETであって当該MOSFETのソース電
極がカソード19を構成し、ドレイン電極がアノード17を
構成し且つゲート電極が制御電極25を構成しているＮチ
ャネルMOSFETにより形成されている。この制御回路27
が、それの出力端子33において、第１抵抗９と制御素子
11との直列接続回路にかかる電圧に比例する電圧を作り
出す。この電圧がMOSFET11のゲート・ソースしきい電圧
（典型的には約３Ｖ）より高い場合には、このMOSFETは
ターンオンし、その時ソース19とドレイン17との間の抵
抗は、制御回路の出力端子33における電圧が増大すると
ともに低下する。それ故に、第１抵抗９とMOSFET11との
直列接続の全体抵抗も低下し、且つこの直列接続におけ
る電圧降下が低減する。従って、Ｘ線管７のカソード電
圧、従って出力端子33における電圧もまた再び低下す
る。このようにしてMOSFET11と関連して制御回路27が、
カソード15と接地端子21との間の電圧差（オフセット電
圧）を例えば５Ｖ〜15Ｖのほぼ一定な値に維持する。高
電圧発生器により供給される高電圧も一定であるから、
Ｘ線管電流のあらゆる変化にもかかわらず、Ｘ線管７の
アノード13とカソード15との間の電圧差もほぼ一定のま
まに留まる。それ故に、Ｘ線の放射についてのそのよう
な変動の影響は、Ｘ線管電圧を低減することにより対処
されるものではない。増幅器23による種々の測定（例え
ば、較正及び実際の測定）に対する二次的条件も、実質
的に一定なオフセット電圧によってほぼ同じとなる。結
果として、測定結果はオフセット電圧の存在により不利
には影響されない。この回路の適切な動作を補償するた
めの一つの条件は、最大Ｘ線管電流の発生に対して、第
１抵抗９における電圧降下が所望のオフセット電圧より
大きくなりえないようにすることである。その時MOSFET
11は最大Ｘ線管電流に対して完全にターンオンし且つソ
ースとドレインとの間が実質的に無抵抗となる。三つの
抵抗９，29及び31がそれぞれ40Ω,100kΩ及び261kΩの
値を有するこの回路の実際の実施例が、好適な結果を提
供することが見出された。前記の実施例では、型式BUK
456-100A（フィリップス）のMOSFETが使用された。
【００１１】所定の環境において、例えばＸ線管７内の
短時間の絶縁破壊の間に、非常な高電圧ピークがこの制
御回路27の出力端子33において起こり得る。これらのピ
ークは一般的に言ってほぼ12Ｖを超過するゲート−ソー
ス電圧を耐えられないMOSFET11に対しては有害であり得
る。そのような電圧ピークの不利な影響を防止するため
に、電圧基準素子35がソース電極19とゲート電極25との
間に設けられ、その電圧基準素子はこれらの電極の間の
電圧差が予定された値を超過するやいなや導通を開始す
る。本例では電圧基準素子は、例えば12Ｖのツェナー電
圧を有するツェナーダイオードにより形成さている。
短時間の絶縁破壊の間に、非常な高電圧ピークがこの制
御回路27の出力端子33において起こり得る。これらのピ
ークは一般的に言ってほぼ12Ｖを超過するゲート−ソー
ス電圧を耐えられないMOSFET11に対しては有害であり得
る。そのような電圧ピークの不利な影響を防止するため
に、電圧基準素子35がソース電極19とゲート電極25との
間に設けられ、その電圧基準素子はこれらの電極の間の
電圧差が予定された値を超過するやいなや導通を開始す
る。本例では電圧基準素子は、例えば12Ｖのツェナー電
圧を有するツェナーダイオードにより形成さている。
【００１２】オフセット電圧の高周波数変動はＸ線管７
による放射に影響しないので、そのような変動を補償す
ることはこの回路に対して必要ではない。それ故に、例
えば100nＦのコンデンサ37がゲート電極19とソース電極
25との間に接続され、前記コンデンサが高周波数に対す
る短絡回路を構成している。
による放射に影響しないので、そのような変動を補償す
ることはこの回路に対して必要ではない。それ故に、例
えば100nＦのコンデンサ37がゲート電極19とソース電極
25との間に接続され、前記コンデンサが高周波数に対す
る短絡回路を構成している。
【００１３】前述の実施例を変形することができること
は明らかである。例えば、エンハンスメント形MOSFETの
代わりにデプレション形MOSFETが使用されてもよく、そ
の場合には制御回路27の出力端子33とゲート電極との間
に電圧反転器を接続することが必要である。MOSFETの代
わりに、その他の種類のトランジスタ、例えばバイポー
ラトランジスタ又はトランジスタの適切な組み合わせを
使用することができる。前記回路を、Ｘ線管７のカソー
ド導線に設ける代わりにアノード導線に挿入してもよ
く、その回路はＸ線管のアノードとカソードとに対して
別々の高電圧発生器を具えているＸ線装置、例えば欧州
特許出願公開第0 408 167 号明細書に記載された装置に
おける使用にも適するものである。
は明らかである。例えば、エンハンスメント形MOSFETの
代わりにデプレション形MOSFETが使用されてもよく、そ
の場合には制御回路27の出力端子33とゲート電極との間
に電圧反転器を接続することが必要である。MOSFETの代
わりに、その他の種類のトランジスタ、例えばバイポー
ラトランジスタ又はトランジスタの適切な組み合わせを
使用することができる。前記回路を、Ｘ線管７のカソー
ド導線に設ける代わりにアノード導線に挿入してもよ
く、その回路はＸ線管のアノードとカソードとに対して
別々の高電圧発生器を具えているＸ線装置、例えば欧州
特許出願公開第0 408 167 号明細書に記載された装置に
おける使用にも適するものである。
【図１】 本発明によるＸ線装置の一実施例の図を示し
ている。
ている。
１ 高電圧発生器
３ 正出力端子
５ 負出力端子
７ Ｘ線管
９ 第１抵抗
11 制御素子
13 アノード
15 カソード
17 アノード
19 カソード
21 接地端子
23 増幅器
25 制御電極
27 制御回路
29 第２抵抗
31 第３抵抗
33 制御回路の出力端子
35 電圧基準素子
37 コンデンサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−9100（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−196500（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−34899（ＪＰ，Ａ)
実開 昭58−85800（ＪＰ，Ｕ)
欧州特許608015（ＥＰ，Ｂ１)
西独国特許出願広告2116064（ＤＥ,
Ｂ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05G 1/00 - 2/00
Claims (5)
- 【請求項１】 a)正出力端子及び負出力端子を具えてい
る高電圧発生器と、 b)アノード、カソード及び制御電極を具え可変抵抗とし
て作用する制御素子と第１抵抗との直列接続回路と、ア
ノード及びカソードを有するＸ線管との組み合わせであ
って、前記直列接続回路が前記Ｘ線管に直列に接続され
ており、前記直列接続回路及び前記Ｘ線管のアノードが
前記正出力端子側に向き且つ前記直列接続回路及び前記
Ｘ線管のカソードが前記負出力端子側に向くように前記
正及び負出力端子へ接続されている当該組み合わせと、 c)前記Ｘ線管のアノードとカソードとの間の電圧に応じ
て、前記制御素子の制御電極へ接続された出力端子に現
れる制御電圧を発生するのに適した制御回路であって、
前記Ｘ線管を流れる電流にかかわらず前記Ｘ線管のアノ
ードとカソードとの間の電圧が予定の値に常にほぼ等し
くなるようにする制御回路と、を具えているＸ線装置に
おいて、 前記制御回路が、前記第１抵抗と前記制御素子との前記
直列接続回路に並列に接続され且つ第２抵抗と第３抵抗
との直列接続回路を具える分圧器であって、前記第２抵
抗と前記第３抵抗との結合点が前記制御回路の前記出力
端子へ接続されている当該分圧器を具えていることを特
徴とするＸ線装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線装置において、高電
圧発生器の負出力端子が接地端子へ接続され、第１抵抗
と制御素子との直列接続回路は、一方ではＸ線管のカソ
ードへ接続されており他方では接地端子へ接続されてい
ることを特徴とするＸ線装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のＸ線装置におい
て、制御素子が少なくとも１個のトランジスタを具えて
いることを特徴とするＸ線装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のＸ線装置において、前記
トランジスタが、Ｎチャネルエンハンスメント形MOSFET
であって、当該MOSFETのソース電極が前記カソードを構
成し、ドレイン電極が前記アノードを構成し、且つゲー
ト電極が前記制御電極を構成していることを特徴とする
Ｘ線装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のＸ線装置において、電圧
基準素子が前記MOSFETのゲート電極とソース電極との間
に接続されていることを特徴とするＸ線装置。
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