JP3503111B2 - フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置 - Google Patents
フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置Info
- Publication number
- JP3503111B2 JP3503111B2 JP21096199A JP21096199A JP3503111B2 JP 3503111 B2 JP3503111 B2 JP 3503111B2 JP 21096199 A JP21096199 A JP 21096199A JP 21096199 A JP21096199 A JP 21096199A JP 3503111 B2 JP3503111 B2 JP 3503111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- processing apparatus
- laser
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルム状の基板
に対して２つの処理を連続して行う複合処理方法及び複
合処理装置に関し、特に、ガラス基板に対してａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）化処理と、ｐ−Ｓｉ（ポリ
シリコン）化処理とを連続して行うのに適した複合処理
方法及び複合処理装置に関する。
に対して２つの処理を連続して行う複合処理方法及び複
合処理装置に関し、特に、ガラス基板に対してａ−Ｓｉ
（アモルファスシリコン）化処理と、ｐ−Ｓｉ（ポリ
シリコン）化処理とを連続して行うのに適した複合処理
方法及び複合処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｐ−Ｓｉ結晶基板を製造する工程は、ガ
ラス基板にａ−Ｓｉを成膜する工程と、ａ−Ｓｉ基板を
ｐ−Ｓｉ基板に変える工程に分かれている。
ラス基板にａ−Ｓｉを成膜する工程と、ａ−Ｓｉ基板を
ｐ−Ｓｉ基板に変える工程に分かれている。
【０００３】ａ−Ｓｉの成膜には、ＣＶＤ、ＰＶＤ等の
手法が使われ、ある決まった大きさを持つ基板に対して
バッチ処理的に行われている。ｐ−Ｓｉ化は、ａ−Ｓｉ
基板を炉に入れて加熱したり、ａ−Ｓｉ基板にレーザ光
を照射して行われるが、これも一枚ずつ処理する方法で
ある。
手法が使われ、ある決まった大きさを持つ基板に対して
バッチ処理的に行われている。ｐ−Ｓｉ化は、ａ−Ｓｉ
基板を炉に入れて加熱したり、ａ−Ｓｉ基板にレーザ光
を照射して行われるが、これも一枚ずつ処理する方法で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ｐ−Ｓ
ｉ結晶基板の製造は、２つのバッチ処理を経て行われる
ので、生産効率の点で問題がある。
ｉ結晶基板の製造は、２つのバッチ処理を経て行われる
ので、生産効率の点で問題がある。
【０００５】本発明は、最近、低コスト化の目的で、ガ
ラス基板の代わりにフィルム状の基板を用いる研究が進
んでいることに着目し、上記の２つの工程を連続して行
えるようにすることにより、生産効率の向上を実現でき
る複合処理方法及び複合処理装置を提供することを課題
とする。
ラス基板の代わりにフィルム状の基板を用いる研究が進
んでいることに着目し、上記の２つの工程を連続して行
えるようにすることにより、生産効率の向上を実現でき
る複合処理方法及び複合処理装置を提供することを課題
とする。
【０００６】本発明は特に、フィルム状の基板に対し
て、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続
的に行う複合処理方法及び複合処理装置を提供しようと
するものである。
て、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続
的に行う複合処理方法及び複合処理装置を提供しようと
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フィル
ム状の基板を、成膜室を通して成膜を行う第１の工程
と、該第１の工程を経た前記基板に対してレーザ光を照
射して改質あるいは活性化処理を行う第２の工程とを、
前記フィルム状の基板を搬送しながら、連続して行うフ
ィルム基板の複合処理方法において、前記第２の工程
は、前記レーザ光を前記基板の幅に対応する幅を持つ線
状レーザビームに整形する第３の工程と、当該線状レー
ザビームを、オーバラップするように前記基板に照射す
る第４の工程とを含み、前記第４の工程においては、前
記基板の搬送量に基づいて、前記線状レーザビームの照
射量を制御することを特徴とするフィルム基板の複合処
理方法が提供される。
ム状の基板を、成膜室を通して成膜を行う第１の工程
と、該第１の工程を経た前記基板に対してレーザ光を照
射して改質あるいは活性化処理を行う第２の工程とを、
前記フィルム状の基板を搬送しながら、連続して行うフ
ィルム基板の複合処理方法において、前記第２の工程
は、前記レーザ光を前記基板の幅に対応する幅を持つ線
状レーザビームに整形する第３の工程と、当該線状レー
ザビームを、オーバラップするように前記基板に照射す
る第４の工程とを含み、前記第４の工程においては、前
記基板の搬送量に基づいて、前記線状レーザビームの照
射量を制御することを特徴とするフィルム基板の複合処
理方法が提供される。
【０００８】 本複合処理方法においては、例えば、前
記第１の工程は、ＣＶＤあるいはＰＶＤ成膜室を通して
前記基板にａ−Ｓｉを成膜する工程であり、前記第２の
工程は、前記線状レーザビームを前記基板に照射するこ
とにより前記ａ−Ｓｉをｐ−Ｓｉに改質する工程であ
る。あるいはまた、前記第１の工程は、ＣＶＤあるいは
ＰＶＤ成膜室を通して前記基板にＩＴＯを成膜する工程
であり、前記第２の工程は、前記線状レーザビームを前
記基板に照射することにより前記ＩＴＯを活性化する工
程であっても良い。
記第１の工程は、ＣＶＤあるいはＰＶＤ成膜室を通して
前記基板にａ−Ｓｉを成膜する工程であり、前記第２の
工程は、前記線状レーザビームを前記基板に照射するこ
とにより前記ａ−Ｓｉをｐ−Ｓｉに改質する工程であ
る。あるいはまた、前記第１の工程は、ＣＶＤあるいは
ＰＶＤ成膜室を通して前記基板にＩＴＯを成膜する工程
であり、前記第２の工程は、前記線状レーザビームを前
記基板に照射することにより前記ＩＴＯを活性化する工
程であっても良い。
【０００９】 本発明によればまた、フィルム状の基板
を搬送するための搬送手段と、前記基板に対して成膜を
行う成膜室と、前記成膜室を出た前記基板に対してレー
ザ光を照射して改質あるいは活性化処理を行うレーザ処
理装置とを備え、前記成膜と、前記改質あるいは活性化
処理を、前記フィルム状の基板を搬送しながら、連続し
て行うフィルム基板の複合処理装置において、前記レー
ザ処理装置は、エキシマレーザ発振器と、該エキシマレ
ーザ発振器からのレーザ光を前記基板の幅に対応する幅
を持つ線状レーザビームに整形する整形光学系と、前記
基板の搬送量を検出する計測器と、該計測器からの検出
信号に基づいてレーザ発振のタイミングを制御する制御
装置とを有し、前記基板の搬送量に基づいて、オーバラ
ップするように前記基板に照射される前記線状レーザビ
ームの照射量を制御することを特徴とするフィルム基板
の複合処理装置が提供される。
を搬送するための搬送手段と、前記基板に対して成膜を
行う成膜室と、前記成膜室を出た前記基板に対してレー
ザ光を照射して改質あるいは活性化処理を行うレーザ処
理装置とを備え、前記成膜と、前記改質あるいは活性化
処理を、前記フィルム状の基板を搬送しながら、連続し
て行うフィルム基板の複合処理装置において、前記レー
ザ処理装置は、エキシマレーザ発振器と、該エキシマレ
ーザ発振器からのレーザ光を前記基板の幅に対応する幅
を持つ線状レーザビームに整形する整形光学系と、前記
基板の搬送量を検出する計測器と、該計測器からの検出
信号に基づいてレーザ発振のタイミングを制御する制御
装置とを有し、前記基板の搬送量に基づいて、オーバラ
ップするように前記基板に照射される前記線状レーザビ
ームの照射量を制御することを特徴とするフィルム基板
の複合処理装置が提供される。
【００１０】 この複合処理装置においては、例えば、
前記成膜室は、前記基板にａ−Ｓｉを成膜するＣＶＤあ
るいはＰＶＤ成膜室であり、前記レーザ処理装置は、前
記ａ−Ｓｉをｐ−Ｓｉに改質する装置である。
前記成膜室は、前記基板にａ−Ｓｉを成膜するＣＶＤあ
るいはＰＶＤ成膜室であり、前記レーザ処理装置は、前
記ａ−Ｓｉをｐ−Ｓｉに改質する装置である。
【００１１】 この複合処理装置においてまた、前記成
膜室は、前記基板にＩＴＯを成膜するＣＶＤあるいはＰ
ＶＤ成膜室であり、前記レーザ処理装置は、前記ＩＴＯ
を活性化する装置であっても良い。
膜室は、前記基板にＩＴＯを成膜するＣＶＤあるいはＰ
ＶＤ成膜室であり、前記レーザ処理装置は、前記ＩＴＯ
を活性化する装置であっても良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図１を参照して本発明の
実施の形態について説明する。ここでは、フィルム状の
基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜と成膜されたａ−Ｓｉの
ｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置の場合につ
いて説明する。
実施の形態について説明する。ここでは、フィルム状の
基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜と成膜されたａ−Ｓｉの
ｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置の場合につ
いて説明する。
【００１３】図１において、この複合処理装置において
は、フィルム状の長尺基板１０はロール状に巻かれたロ
ール体１１で用意され、この長尺基板１０を一方向に搬
送するための搬送手段として、モータ駆動による巻取り
ロール１２を備えている。この複合処理装置は、成膜装
置２０とその下流側に配置されたレーザ処理装置３０と
を備えている。
は、フィルム状の長尺基板１０はロール状に巻かれたロ
ール体１１で用意され、この長尺基板１０を一方向に搬
送するための搬送手段として、モータ駆動による巻取り
ロール１２を備えている。この複合処理装置は、成膜装
置２０とその下流側に配置されたレーザ処理装置３０と
を備えている。
【００１４】成膜装置２０は、長尺基板１０にａ−Ｓｉ
を成膜するＣＶＤ室２１を有している。ＣＶＤ室２１は
低真空状態に維持され、長尺基板１０の出入り口には、
差動排気装置２２が設けられている。ＣＶＤによる成膜
方法及び差動排気装置は周知であり、詳細な説明は省略
する。
を成膜するＣＶＤ室２１を有している。ＣＶＤ室２１は
低真空状態に維持され、長尺基板１０の出入り口には、
差動排気装置２２が設けられている。ＣＶＤによる成膜
方法及び差動排気装置は周知であり、詳細な説明は省略
する。
【００１５】レーザ処理装置３０は、ＣＶＤ室２１を出
た長尺基板１０に対してレーザ光を照射してａ−Ｓｉを
ｐ−Ｓｉに改質する装置である。このために、レーザ処
理装置３０は、ＸｅｃｌあるいはＫｒＦ等のエキシマレ
ーザ発振器（以下、レーザ発振器と呼ぶ）３１と、レー
ザ発振器３１からのレーザ光を長尺基板１０の幅に対応
する幅を持つ線状レーザビームに整形する整形光学系３
２と、長尺基板１０の出入り口を有すると共に、線状レ
ーザビームを導入するための石英窓３３−１を有してＮ
2 ガス雰囲気下で改質処理を行う処理室３３とを備えて
いる。
た長尺基板１０に対してレーザ光を照射してａ−Ｓｉを
ｐ−Ｓｉに改質する装置である。このために、レーザ処
理装置３０は、ＸｅｃｌあるいはＫｒＦ等のエキシマレ
ーザ発振器（以下、レーザ発振器と呼ぶ）３１と、レー
ザ発振器３１からのレーザ光を長尺基板１０の幅に対応
する幅を持つ線状レーザビームに整形する整形光学系３
２と、長尺基板１０の出入り口を有すると共に、線状レ
ーザビームを導入するための石英窓３３−１を有してＮ
2 ガス雰囲気下で改質処理を行う処理室３３とを備えて
いる。
【００１６】整形光学系３２は、例えばシリンドリカル
レンズを用いることにより、断面矩形状（２０ｍｍ×３
０ｍｍ）のレーザ光を幅１ｍｍ、長さ３０ｍｍ程度の線
状レーザビームに整形することができる。
レンズを用いることにより、断面矩形状（２０ｍｍ×３
０ｍｍ）のレーザ光を幅１ｍｍ、長さ３０ｍｍ程度の線
状レーザビームに整形することができる。
【００１７】処理室３３においては、長尺基板１０の通
過する出入り口はＮ2 ガスが逃げにくいように狭くして
ある。また、石英窓３３−１から導入された線状レーザ
ビームは、処理室３３内で長尺基板１０の全幅にわたっ
て照射される。このようなレーザ照射による改質方法
は、レーザアニールとして良く知られている。特に、線
状レーザビームの照射は、長尺基板１０の照射領域にオ
ーバラップするように照射され、その照射量をコントロ
ールするために、長尺基板１０の送り量を検出する計測
器（例えば、タッチロール等）（図示省略）を備えてい
る。図示しない制御装置が、この計測器からの検出信号
に基づいてレーザ発振のタイミングを制御することによ
り、線状レーザビームの照射量が制御される。
過する出入り口はＮ2 ガスが逃げにくいように狭くして
ある。また、石英窓３３−１から導入された線状レーザ
ビームは、処理室３３内で長尺基板１０の全幅にわたっ
て照射される。このようなレーザ照射による改質方法
は、レーザアニールとして良く知られている。特に、線
状レーザビームの照射は、長尺基板１０の照射領域にオ
ーバラップするように照射され、その照射量をコントロ
ールするために、長尺基板１０の送り量を検出する計測
器（例えば、タッチロール等）（図示省略）を備えてい
る。図示しない制御装置が、この計測器からの検出信号
に基づいてレーザ発振のタイミングを制御することによ
り、線状レーザビームの照射量が制御される。
【００１８】上記のように、ａ−Ｓｉの成膜とｐ−Ｓｉ
化処理を一連の流れ作業として連続的に行うことができ
るので、生産性の大幅な向上を実現することができる。
化処理を一連の流れ作業として連続的に行うことができ
るので、生産性の大幅な向上を実現することができる。
【００１９】なお、上記の形態では、ａ−Ｓｉの成膜と
ｐ−Ｓｉ化処理とを行う場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、例えば成膜装置２０でＩＴＯの成膜
を行い、レーザ処理装置３０でその活性化（抵抗値を下
げる）処理を行うような形態が考えられる。また、成膜
装置２０においては、ＣＶＤ室に代えてＰＶＤ室を備え
ていても良い。本発明はまた、被処理材料がフィルム状
の長尺基板の形態を取ることができるようにすれば、液
晶ディスプレイの製造や太陽電池、あるいはフィルム状
半導体の成膜とその活性化あるいはポリ化にも適用でき
る。このような理由で、フィルム状の基板は成膜の種類
に応じた材料が用意され、特にその材料に限定されるも
のではない。
ｐ−Ｓｉ化処理とを行う場合について説明したが、本発
明はこれに限らず、例えば成膜装置２０でＩＴＯの成膜
を行い、レーザ処理装置３０でその活性化（抵抗値を下
げる）処理を行うような形態が考えられる。また、成膜
装置２０においては、ＣＶＤ室に代えてＰＶＤ室を備え
ていても良い。本発明はまた、被処理材料がフィルム状
の長尺基板の形態を取ることができるようにすれば、液
晶ディスプレイの製造や太陽電池、あるいはフィルム状
半導体の成膜とその活性化あるいはポリ化にも適用でき
る。このような理由で、フィルム状の基板は成膜の種類
に応じた材料が用意され、特にその材料に限定されるも
のではない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、フィルム状の長尺基板
に対して成膜を行う第１の工程と、この第１の工程を経
た長尺基板に対してレーザ光を照射して改質処理を行う
第２の工程とを、同じ搬送経路において連続して行うこ
とができるようにしたことにより、生産性の大幅な向上
を実現できる。本発明は特に、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓ
ｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理に適してい
る。
に対して成膜を行う第１の工程と、この第１の工程を経
た長尺基板に対してレーザ光を照射して改質処理を行う
第２の工程とを、同じ搬送経路において連続して行うこ
とができるようにしたことにより、生産性の大幅な向上
を実現できる。本発明は特に、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓ
ｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理に適してい
る。
【図１】本発明の実施の形態を、ａ−Ｓｉの成膜とａ−
Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置に適
用した場合についてその構成を示した図である。
Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置に適
用した場合についてその構成を示した図である。
１０ 長尺基板
１１ ロール体
１２ 巻取りロール
２０ 成膜装置
２１ ＣＶＤ室
２２ 差動排気装置
３０ レーザ処理装置
３１ エキシマレーザ発振器
３２ 整形光学系
３３ 処理室
３３−１ 石英窓
Claims (6)
- 【請求項１】 フィルム状の基板を、成膜室を通して成
膜を行う第１の工程と、該第１の工程を経た前記基板に
対してレーザ光を照射して改質あるいは活性化処理を行
う第２の工程とを、前記フィルム状の基板を搬送しなが
ら、連続して行うフィルム基板の複合処理方法におい
て、 前記第２の工程は、前記レーザ光を前記基板の幅に対応
する幅を持つ線状レーザビームに整形する第３の工程
と、当該線状レーザビームを、オーバラップするように
前記基板に照射する第４の工程とを含み、 前記第４の工程においては、前記基板の搬送量に基づい
て、前記線状レーザビームの照射量を制御することを特
徴とするフィルム基板の複合処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の複合処理方法において、
前記第１の工程は、ＣＶＤあるいはＰＶＤ成膜室を通し
て前記基板にａ−Ｓｉ（アモルファス シリコン）を成
膜する工程であり、前記第２の工程は、前記線状レーザ
ビームを前記基板に照射することにより前記ａ−Ｓｉを
ｐ−Ｓｉ（ポリ シリコン）に改質する工程であること
を特徴とするフィルム基板の複合処理方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の複合処理方法において、
前記第１の工程は、ＣＶＤあるいはＰＶＤ成膜室を通し
て前記基板にＩＴＯを成膜する工程であり、前記第２の
工程は、前記線状レーザビームを前記基板に照射するこ
とにより前記ＩＴＯを活性化する工程であることを特徴
とするフィルム基板の複合処理方法。 - 【請求項４】 フィルム状の基板を搬送するための搬送
手段と、 前記基板に対して成膜を行う成膜室と、 前記成膜室を出た前記基板に対してレーザ光を照射して
改質あるいは活性化処理を行うレーザ処理装置とを備
え、 前記成膜と、前記改質あるいは活性化処理を、前記フィ
ルム状の基板を搬送しながら、連続して行うフィルム基
板の複合処理装置において、 前記レーザ処理装置は、 エキシマレーザ発振器と、 該エキシマレーザ発振器からのレーザ光を前記基板の幅
に対応する幅を持つ線状レーザビームに整形する整形光
学系と、 前記基板の搬送量を検出する計測器と、 該計測器からの検出信号に基づいてレーザ発振のタイミ
ングを制御する制御装置とを有し、 前記基板の搬送量に基づいて、オーバラップするように
前記基板に照射される前記線状レーザビームの照射量を
制御することを特徴とするフィルム基板の複合処理装
置。 - 【請求項５】 請求項４記載の複合処理装置において、
前記成膜室は、前記基板にａ−Ｓｉ（アモルファス シ
リコン）を成膜するＣＶＤあるいはＰＶＤ成膜室であ
り、前記レーザ処理装置は、前記ａ−Ｓｉをｐ−Ｓｉ
（ポリ シリコン）に改質する装置であることを特徴と
するフィルム基板の複合処理装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の複合処理装置において、
前記成膜室は、前記基板にＩＴＯを成膜するＣＶＤある
いはＰＶＤ成膜室であり、前記レーザ処理装置は、前記
ＩＴＯを活性化する装置であることを特徴とするフィル
ム基板の複合処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21096199A JP3503111B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21096199A JP3503111B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001040485A JP2001040485A (ja) | 2001-02-13 |
| JP3503111B2 true JP3503111B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=16597988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21096199A Expired - Fee Related JP3503111B2 (ja) | 1999-07-26 | 1999-07-26 | フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008130590A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 複合処理装置、及び、複合処理方法 |
| JP2014027252A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1999
- 1999-07-26 JP JP21096199A patent/JP3503111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001040485A (ja) | 2001-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3161450B2 (ja) | 基板処理装置、ガス供給方法、及び、レーザ光供給方法 | |
| KR100382429B1 (ko) | 반도체 장치 및 디스플레이 장치 제조 방법 | |
| US6242291B1 (en) | Laser annealing method and laser annealing device | |
| US6455359B1 (en) | Laser-irradiation method and laser-irradiation device | |
| JP2002100578A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100276376B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 박막 반도체 디바이스 제조방법 | |
| JP2000150411A (ja) | レ―ザアニ―ル装置 | |
| JP5182610B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| KR20020091352A (ko) | 실리콘막의 결정화 방법 | |
| KR100724648B1 (ko) | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 장치 | |
| KR100473009B1 (ko) | 플렉시블 기판상에 반도체 막을 형성하는 장치 | |
| KR20010062714A (ko) | 반도체박막 개질장치 | |
| TWI521563B (zh) | 雷射處理裝置 | |
| JP3503111B2 (ja) | フィルム基板の複合処理方法及び複合処理装置 | |
| KR100375090B1 (ko) | 엑시머 레이저를 이용한 비정질 실리콘의 결정화 방법 | |
| JPH02239615A (ja) | シリコン膜形成装置 | |
| US6797651B2 (en) | Method for manufacturing polycrystalline semiconductor layers and thin-film transistors and laser annealing apparatus | |
| JP4001647B2 (ja) | 結晶性半導体膜の作製方法 | |
| KR101734386B1 (ko) | 박막 증착장치 및 기판처리방법 | |
| JPH0555259A (ja) | 液晶表示装置の製造装置 | |
| JP3400396B2 (ja) | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 | |
| JPH1126854A (ja) | レーザーアニール装置 | |
| KR100303401B1 (ko) | 박막트랜지스터용비정질실리콘박막의결정화방법및이에사용되는열처리장치 | |
| JP5520436B2 (ja) | 半導体膜の結晶化方法 | |
| JP3612018B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031128 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |