JP3487603B2 - コンパクトハイブリッドマイクロ波チョーク - Google Patents
コンパクトハイブリッドマイクロ波チョークInfo
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- JP3487603B2 JP3487603B2 JP50375996A JP50375996A JP3487603B2 JP 3487603 B2 JP3487603 B2 JP 3487603B2 JP 50375996 A JP50375996 A JP 50375996A JP 50375996 A JP50375996 A JP 50375996A JP 3487603 B2 JP3487603 B2 JP 3487603B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0123—Frequency selective two-port networks comprising distributed impedance elements together with lumped impedance elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波チョーク及び特に集中定数素子及
び分布定数素子を含むハイブリッドチョークに関するも
のである。
び分布定数素子を含むハイブリッドチョークに関するも
のである。
チョークはマイクロ波周波数エネルギーを低周波エネ
ルギーから分離する必要がある場合にしばしば使用され
る。代表的な例は電源をこの電源により附勢される回路
内を伝搬するマイクロ波エネルギーから分離することに
ある。
ルギーから分離する必要がある場合にしばしば使用され
る。代表的な例は電源をこの電源により附勢される回路
内を伝搬するマイクロ波エネルギーから分離することに
ある。
携帯セル方式電話のような用途においては、マイクロ
波チョークをできるだけコンパクトにする必要がある。
小形のマイクロ波チョークは集中容量性及び誘導性素子
で形成することができるが、集中誘導性素子のＱは効率
の良い動作のためには一般に低すぎる。換言すれば、マ
イクロ波チョーク用の適度に高いインダクタンスを有す
る集中素子は一般に許容しえない電力を消費する抵抗も
有している。これは特に携帯マイクロ波装置において問
題になり、このような装置においてはこのような電力消
費が電池寿命を低減するとともに装置の出力を低下す
る。上述の例、即ち携帯セル方式電話では、このような
許容しえない電力消費が通話時間及び送信範囲を減少す
る。
波チョークをできるだけコンパクトにする必要がある。
小形のマイクロ波チョークは集中容量性及び誘導性素子
で形成することができるが、集中誘導性素子のＱは効率
の良い動作のためには一般に低すぎる。換言すれば、マ
イクロ波チョーク用の適度に高いインダクタンスを有す
る集中素子は一般に許容しえない電力を消費する抵抗も
有している。これは特に携帯マイクロ波装置において問
題になり、このような装置においてはこのような電力消
費が電池寿命を低減するとともに装置の出力を低下す
る。上述の例、即ち携帯セル方式電話では、このような
許容しえない電力消費が通話時間及び送信範囲を減少す
る。
また、マイクロ波チョーク内の集中誘導性素子の代わ
りに1/4波長伝送線路のような分布誘導性素子を使用す
ることもできる。しかし、マイクロ波周波数帯域の特に
下端側の周波数に対し1/4波長伝送線路はかなり大きく
なり、使用可能以上のスペースを示す。これは特に800
〜2400MHzの周波数範囲内で動作する携帯セル方式電話
装置のような所定の携帯装置において真実である。
りに1/4波長伝送線路のような分布誘導性素子を使用す
ることもできる。しかし、マイクロ波周波数帯域の特に
下端側の周波数に対し1/4波長伝送線路はかなり大きく
なり、使用可能以上のスペースを示す。これは特に800
〜2400MHzの周波数範囲内で動作する携帯セル方式電話
装置のような所定の携帯装置において真実である。
本発明の目的は、分布誘導性素子により得られるＱよ
り著しく高いＱを有するコンパクトなマイクロ波チョー
クを提供することにある。
り著しく高いＱを有するコンパクトなマイクロ波チョー
クを提供することにある。
本発明の他の目的は、高いＱのチョークを含み回路に
DC電力を効率よく供給するマイクロ波増幅回路を提供す
ることにある。
DC電力を効率よく供給するマイクロ波増幅回路を提供す
ることにある。
本発明によるマイクロ波チョークは、集中定数キャパ
シタ、集中定数インダクタ及び所定の長さの伝送線路の
直列接続回路を具える。これらの素子が相まって、この
チョークを接続すべき、所定の周波数f0で動作する回路
の所定の特性インピーダンスZ0の値より著しく大きな値
を有するチョーク入力インピーダンスを提供する。f0に
おいて、 a.集中定数キャパシタは特性インピーダンスZ0の大きさ
より著しく小さいリアクタンスXcを有する； b.集中定数インダクタは特性インピーダンスZ0の大きさ
より著しく小さい抵抗値RLを有するとともに、抵抗値RL
より著しく大きいリアクタンスXLを有し、且つλＬ＝Ｎ
（λ0/4）の伝送線路電気長（ここで、Ｎ＜１であり、
且つλ０はf0で伝搬する信号の波長）に等価な位相シフ
トΦＬを発生する； c.伝送線路はλ0/4−λＬにほぼ等しい電気長を有する
とともにZ0の値から実質的に相違しない大きさの特性イ
ンピーダンスを有する。
シタ、集中定数インダクタ及び所定の長さの伝送線路の
直列接続回路を具える。これらの素子が相まって、この
チョークを接続すべき、所定の周波数f0で動作する回路
の所定の特性インピーダンスZ0の値より著しく大きな値
を有するチョーク入力インピーダンスを提供する。f0に
おいて、 a.集中定数キャパシタは特性インピーダンスZ0の大きさ
より著しく小さいリアクタンスXcを有する； b.集中定数インダクタは特性インピーダンスZ0の大きさ
より著しく小さい抵抗値RLを有するとともに、抵抗値RL
より著しく大きいリアクタンスXLを有し、且つλＬ＝Ｎ
（λ0/4）の伝送線路電気長（ここで、Ｎ＜１であり、
且つλ０はf0で伝搬する信号の波長）に等価な位相シフ
トΦＬを発生する； c.伝送線路はλ0/4−λＬにほぼ等しい電気長を有する
とともにZ0の値から実質的に相違しない大きさの特性イ
ンピーダンスを有する。
ここでは、第１の値が第２の値より「著しく小さい」
とは、電気エネルギーの伝達を妨げるインピーダンスの
ような特定の関数に関し、第１の値が第２の値と比較し
て取るに足らないほど小さいことを意味し、代表的に
は、第２の値の約10％以下の第１の値を第２の値より著
しく小さいとみなす。
とは、電気エネルギーの伝達を妨げるインピーダンスの
ような特定の関数に関し、第１の値が第２の値と比較し
て取るに足らないほど小さいことを意味し、代表的に
は、第２の値の約10％以下の第１の値を第２の値より著
しく小さいとみなす。
上述のチョークは集中定数インダクタのみを使用する
チョークより相当高いＱを有するとともに，集中定数素
子の代わりに1/4波長伝送線路を使用するチョークより
相当小さいサイズになる。従って、このチョークは最大
のＱと最小のサイズとを交換する特徴を有する。一般
に、このチョークのＱは伝送線路の電気長、従ってサイ
ズとともに増大する。例えば、本発明のチョークは回路
基板上の使用可能区域を完全に満たすように設計し、Ｑ
を最大にしながら基板スペースを有効に使用することが
できる。
チョークより相当高いＱを有するとともに，集中定数素
子の代わりに1/4波長伝送線路を使用するチョークより
相当小さいサイズになる。従って、このチョークは最大
のＱと最小のサイズとを交換する特徴を有する。一般
に、このチョークのＱは伝送線路の電気長、従ってサイ
ズとともに増大する。例えば、本発明のチョークは回路
基板上の使用可能区域を完全に満たすように設計し、Ｑ
を最大にしながら基板スペースを有効に使用することが
できる。
本発明の好適実施例では、チョークを、これを経てDC
電力を供給すべき回路と一緒に誘電体基板上に配置す
る。集中定数キャパシタは基板の一方の面上に配置され
た接地面に電気的に接続された第１端子と、DC電源へ電
気的に接続するために第２端子とを有する。集中定数イ
ンダクタと伝送線路の直列接続回路の第１端子をこのキ
ャパシタの第２端子に電気的に接続する。この直列接続
回路の第２端を基板上の回路に電気的に接続する。
電力を供給すべき回路と一緒に誘電体基板上に配置す
る。集中定数キャパシタは基板の一方の面上に配置され
た接地面に電気的に接続された第１端子と、DC電源へ電
気的に接続するために第２端子とを有する。集中定数イ
ンダクタと伝送線路の直列接続回路の第１端子をこのキ
ャパシタの第２端子に電気的に接続する。この直列接続
回路の第２端を基板上の回路に電気的に接続する。
図1a及び1bはそれぞれ本発明の好適実施例の物理的構
成図及び回路図であり、 図２は本発明に従って構成されたチョークの典型的実
施例の構成素子のインピーダンス、位相シフト及び波長
を示す図である。
成図及び回路図であり、 図２は本発明に従って構成されたチョークの典型的実
施例の構成素子のインピーダンス、位相シフト及び波長
を示す図である。
図1a及び1bは本発明の典型的なマイクロ波回路の上面
図及び回路図をそれぞれ示す。このマイクロ波回路はマ
イクロ波集積回路増幅器Ａと、DC電力をこの増幅器の電
力供給ノードＰに供給するチョークとを含む。マイクロ
波回路全体は誘電体基板Ｓ上に支持される。
図及び回路図をそれぞれ示す。このマイクロ波回路はマ
イクロ波集積回路増幅器Ａと、DC電力をこの増幅器の電
力供給ノードＰに供給するチョークとを含む。マイクロ
波回路全体は誘電体基板Ｓ上に支持される。
このチョークは集中定数キャパシタC,集中定数インダ
クタＬ及び所定の直線長ｌの伝送線路Ｔの直列接続回路
を含む。このチョークはDC電力源への接続用ノード１、
基板の反対側面上の接地面（図示せず）に電気的に接続
されたノード２及び増幅器のノードＰに電気的に接続さ
れたノード３も有する。
クタＬ及び所定の直線長ｌの伝送線路Ｔの直列接続回路
を含む。このチョークはDC電力源への接続用ノード１、
基板の反対側面上の接地面（図示せず）に電気的に接続
されたノード２及び増幅器のノードＰに電気的に接続さ
れたノード３も有する。
図1aに示す物理的構成例では、基板はアルミナのよう
な薄い誘電体材料の板からなる。この基板は、図示の上
側表面上に、マイクロ波増幅器Ａ、個別の構成素子Ｃ及
びＬ、伝送線路Ｔ及び相互接続用導電ストリップ、パッ
ド及びワイヤの配置を支持する。
な薄い誘電体材料の板からなる。この基板は、図示の上
側表面上に、マイクロ波増幅器Ａ、個別の構成素子Ｃ及
びＬ、伝送線路Ｔ及び相互接続用導電ストリップ、パッ
ド及びワイヤの配置を支持する。
マイクロ波増幅器の入力ノードIN及び出力ノードOUT
は増幅器への及び増幅器からのマイクロ波信号を搬送す
るそれそれの伝送線路TIN及びTOUTに電気的に接続され
る。これらの伝送線路の各々はその特性インピーダンス
を決定する幅／高さ比を有する。
は増幅器への及び増幅器からのマイクロ波信号を搬送す
るそれそれの伝送線路TIN及びTOUTに電気的に接続され
る。これらの伝送線路の各々はその特性インピーダンス
を決定する幅／高さ比を有する。
キャパシタＣはノード１及び２を形成する導電パッド
に電気的に接続された端子を両端に有する。ノード１を
形成するパッドは、この回路を増幅器用のDC電源、例え
ば電圧Ｖ＋に接続する電気リードを取り付けることがで
きる手段としても作用する。ノード２を形成するパッド
は孔Ｈを経て基板Ｓの反対側の設置面に接続された導電
層に電気的に接続される。
に電気的に接続された端子を両端に有する。ノード１を
形成するパッドは、この回路を増幅器用のDC電源、例え
ば電圧Ｖ＋に接続する電気リードを取り付けることがで
きる手段としても作用する。ノード２を形成するパッド
は孔Ｈを経て基板Ｓの反対側の設置面に接続された導電
層に電気的に接続される。
インダクタＬは両端に端子を有するチップインダクタ
であり、一方の端子はノード１に電気的に接続され、他
方の端子は伝送線路Ｔの一端に電気的に接続される。こ
の伝送線路の他端はノード３を形成する導電パッドに電
気的に接続される。ノード３は増幅器のノードＰにワイ
ヤＷにより電気的に接続される。これらのノードを形成
する導電パッドへの全ての電気接続ははんだ付け又は導
電性エポキシの塗布のような方法により行うことができ
る。
であり、一方の端子はノード１に電気的に接続され、他
方の端子は伝送線路Ｔの一端に電気的に接続される。こ
の伝送線路の他端はノード３を形成する導電パッドに電
気的に接続される。ノード３は増幅器のノードＰにワイ
ヤＷにより電気的に接続される。これらのノードを形成
する導電パッドへの全ての電気接続ははんだ付け又は導
電性エポキシの塗布のような方法により行うことができ
る。
マイクロ波増幅器及び伝送線路TIN及びTOUTは周波数f
0を中心とする周波数帯域に亘って動作するように選択
され、且つ設計される。ストリップ伝送線路TIN及びT
OUTの寸法は、既知のように、選択した増幅器の入力イ
ンピーダンス及び出力インピーダンスに対応する特性イ
ンピーダンスZ0を発生するように選択される。
0を中心とする周波数帯域に亘って動作するように選択
され、且つ設計される。ストリップ伝送線路TIN及びT
OUTの寸法は、既知のように、選択した増幅器の入力イ
ンピーダンス及び出力インピーダンスに対応する特性イ
ンピーダンスZ0を発生するように選択される。
チョークキャパシタＣの主要な機能はノード１に接続
された電源を損傷する恐れのある増幅器からの高周波成
分を大地へバイパスすることにある。これは、f0におい
て電源の入力インピーダンス（代表的にはZ0より小さ
い）より著しく小さいリアクタンスXcを有するキャパシ
タを選択することによって増幅器の動作周波数をおいて
エネルギーを大地へ短絡する短絡回路を与えることによ
り達成される。
された電源を損傷する恐れのある増幅器からの高周波成
分を大地へバイパスすることにある。これは、f0におい
て電源の入力インピーダンス（代表的にはZ0より小さ
い）より著しく小さいリアクタンスXcを有するキャパシ
タを選択することによって増幅器の動作周波数をおいて
エネルギーを大地へ短絡する短絡回路を与えることによ
り達成される。
チョーク内のインダクタＬ及び伝送線路Ｔは相まって
電源から増幅器へDC電力を供給する高いＱ及び低い抵抗
値の通路を提供する必要がある。従って、インダクタは
特性インピーダンスZ0より著しく小さい抵抗値RLを有す
る必要があるとともに、f0においてRLより著しく大きい
リアクタンスXLを有する必要がある。リアクタンスX
Lは、f0においてλＬ＝Ｎ（λ0/4）の伝送線路電気長に
等価な位相シフトΦＬも発生する必要がある。ここで、
Ｎ＜１であり、且つλ０はf0で伝搬する信号の波長であ
る。Ｎが大きくなるにつれて、伝送線路Ｔに必要とされ
る物理的長さｌが減少する。その理由は、λＬと伝送線
路の電気長λＴの和がλ0/4にほぼ等しくなければなら
ないからである。従って、伝送線路Ｔにより占められる
スペースの大きな節約を得るためには、Ｎの値を１に対
し大きくする、即ち代表的には0.1より大きくし、好ま
しくは0.5以上にする。しかし、チョークのＱは長さｌ
の増大につれて高くなる。
電源から増幅器へDC電力を供給する高いＱ及び低い抵抗
値の通路を提供する必要がある。従って、インダクタは
特性インピーダンスZ0より著しく小さい抵抗値RLを有す
る必要があるとともに、f0においてRLより著しく大きい
リアクタンスXLを有する必要がある。リアクタンスX
Lは、f0においてλＬ＝Ｎ（λ0/4）の伝送線路電気長に
等価な位相シフトΦＬも発生する必要がある。ここで、
Ｎ＜１であり、且つλ０はf0で伝搬する信号の波長であ
る。Ｎが大きくなるにつれて、伝送線路Ｔに必要とされ
る物理的長さｌが減少する。その理由は、λＬと伝送線
路の電気長λＴの和がλ0/4にほぼ等しくなければなら
ないからである。従って、伝送線路Ｔにより占められる
スペースの大きな節約を得るためには、Ｎの値を１に対
し大きくする、即ち代表的には0.1より大きくし、好ま
しくは0.5以上にする。しかし、チョークのＱは長さｌ
の増大につれて高くなる。
携帯セル方式電話の送信部に使用するよう構成された
マイクロ波回路の一実施例では、中心周波数f0は900MHz
とし、動作周波数帯域は890〜915MHzとした。選択した
マイクロ波増幅器Ａは50オームの入力及び出力インピー
ダンスを有するものとし、伝送線路TIN及びTOUTの各々
は50オームに等しい特性インピーダンスZ0を有するよう
に設計した。キャパシタＣは0.01μＦのキャパシタンス
を有するものとした。インダクタＬは2.8オームの抵抗
値RL、22nHのインダクタンス及びF0における45のＱを有
するものとした。f0におけるインダクタのリアクタンス
XLは２π（900×106）（22×10-9）＝124オームであ
る。Z0＝50オームに対し正規化したインダクタの抵抗値
RL及びリアクタンスXLが図２のインピーダンス／波長図
にプロットされている。この図は、インダクタのリアク
タンスがλＬ＝0.19λ０の伝送線路電気長に等価な68゜
にほぼ等しい位相シフトを発生することを示す。この図
は、更に、特性インピーダンスZ0＝50オームを有するよ
うに設計された伝送線路Ｔに対しては、f0におけるチョ
ークのインピーダンスを最大にするためにはこの伝送線
路の電気長をλＴ＝λ0/4−λＬ＝0.06λ０にほぼ等し
くする必要があることを示す。
マイクロ波回路の一実施例では、中心周波数f0は900MHz
とし、動作周波数帯域は890〜915MHzとした。選択した
マイクロ波増幅器Ａは50オームの入力及び出力インピー
ダンスを有するものとし、伝送線路TIN及びTOUTの各々
は50オームに等しい特性インピーダンスZ0を有するよう
に設計した。キャパシタＣは0.01μＦのキャパシタンス
を有するものとした。インダクタＬは2.8オームの抵抗
値RL、22nHのインダクタンス及びF0における45のＱを有
するものとした。f0におけるインダクタのリアクタンス
XLは２π（900×106）（22×10-9）＝124オームであ
る。Z0＝50オームに対し正規化したインダクタの抵抗値
RL及びリアクタンスXLが図２のインピーダンス／波長図
にプロットされている。この図は、インダクタのリアク
タンスがλＬ＝0.19λ０の伝送線路電気長に等価な68゜
にほぼ等しい位相シフトを発生することを示す。この図
は、更に、特性インピーダンスZ0＝50オームを有するよ
うに設計された伝送線路Ｔに対しては、f0におけるチョ
ークのインピーダンスを最大にするためにはこの伝送線
路の電気長をλＴ＝λ0/4−λＬ＝0.06λ０にほぼ等し
くする必要があることを示す。
このような複合誘導素子及び伝送線路素子の実効イン
ダクタンスはインダクタＬ単独の場合のインダクタンス
の約50倍になる。
ダクタンスはインダクタＬ単独の場合のインダクタンス
の約50倍になる。
上述の実施例には種々の変更が可能である。例えば、
集中容量性及び誘導性素子のいずれか一方又は双方を基
板外に配置することができる。他の変更としては、チョ
ークを接続する回路は増幅器である必要はない。また、
この回路、伝送線路Ｔ、インダクタＬのインダクタンス
の少なくとも一部分を基板上に配置された共通チップ上
に含めることができる。このインダクタンスの一部分
は、例えば共通チップ上の導体の寄生インダクタンスで
形成することができる。
集中容量性及び誘導性素子のいずれか一方又は双方を基
板外に配置することができる。他の変更としては、チョ
ークを接続する回路は増幅器である必要はない。また、
この回路、伝送線路Ｔ、インダクタＬのインダクタンス
の少なくとも一部分を基板上に配置された共通チップ上
に含めることができる。このインダクタンスの一部分
は、例えば共通チップ上の導体の寄生インダクタンスで
形成することができる。
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(56)参考文献 特開 平６−283908（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−260801（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−29210（ＪＰ，Ａ)
実開 平６−30787（ＪＰ，Ｕ)
実開 平１−147522（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭60−114402（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 1/00 - 3/00
H03F 3/60
H01L 23/00
G01R 33/00
Claims (8)
- 【請求項１】動作周波数f0において特性インピーダンス
Z0を有する回路に接続するよう構成されたマイクロ波チ
ョークにおいて、該チョークは、電気的に直列に接続さ
れた、 f0において特性インピーダンスZ0の値より著しく小さい
リアクタンスXcを有する集中定数キャパシタと、 特性インピーダンスZ0の値より著しく小さい抵抗値RLを
有するとともに、f0において抵抗値RLより著しく大きい
リアクタンスXLを有し、且つλＬ＝Ｎ（λ0/4）の伝送
線路電気長に等価な位相シフトΦＬ（ここで、Ｎ＜１で
あり、且つλ０はf0で伝搬する信号の波長）を発生する
集中定数インダクタと、 f0においてλ0/4−λＬにほぼ等しい電気長を有すると
ともにZ0の値から実質的に相違しない大きさの特性イン
ピーダンスを有する伝送線路と、 を具えることを特徴とするマイクロ波チョーク。 - 【請求項２】接地面を形成する導電層を支持する誘電体
基板上に配置されたマイクロ波チョークであって、動作
周波数f0において特性インピーダンスZ0を有する回路に
接続するよう構成されたマイクロ波チョークにおいて、 f0において特性インピーダンスZ0の値より著しく小さい
リアクタンスXcを有する集中定数キャパシタと、 特性インピーダンスZ0の値より著しく小さい抵抗値RLを
有するとともに、f0において抵抗値RLより著しく大きい
リアクタンスXLを有し、且つλ０＝Ｎ（λ0/4）の伝送
線路電気長（ここで、Ｎ＜１であり、且つλ０はfLで伝
搬する信号の波長）に等価な位相シフトΦＬを発生する
集中定数インダクタと、 f0においてλ0/4−λＬにほぼ等しい電気長を有すると
ともにZ0の値から実質的に相違しない大きさの特性イン
ピーダンスを有する伝送線路と、 を具えることを特徴とするマイクロ波チョーク。 - 【請求項３】DC電源への電気接続用第１ノードと、基準
電位への電気接続用第２ノードと、回路の電源ノードへ
の電気接続用第３ノードと具えていることを特徴とする
請求の範囲１又は２に記載のマイクロ波チョーク。 - 【請求項４】前記伝送線路がマイクロストリップで形成
されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマ
イクロ波チョーク。 - 【請求項５】Ｎが0.1より大きいことを特徴とする請求
の範囲１又は２に記載のマイクロ波チョーク。 - 【請求項６】Ｎ≧0.5であることを特徴とする請求の範
囲５記載のマイクロ波チョーク。 - 【請求項７】前記回路も基板上に配置されていることを
特徴とする請求の範囲２に記載のマイクロ波チョーク。 - 【請求項８】チョークと、電源ノードを有する第２の回
路とを具え、該第２の回路が動作周波数f0において特性
インピーダンスZ0を有しているマイクロ波回路におい
て、前記チョークが、 DC電源への電気接続用第１ノードと、 基準電位（接地面）への電気接続用第２ノードと、 前記第２の回路の電源ノードへの電気接続用第３ノード
と、 第１ノードに電気的に接続された第１端子と、第２ノー
ドに電気的に接続された第２端子を有するとともに、f0
において特性インピーダンスZ0の値より著しく小さいリ
アクタンスXcを有する集中定数キャパシタと、 第１ノードと第３ノードとの間に直列に電気的に接続さ
れた集中定数インダクタ及び伝送線路とを具え、 前記集中定数インダクタが、特性インピーダンスZ0の値
より著しく小さい抵抗値RLを有するとともに、f0におい
て抵抗値RLより著しく大きいリアクタンスXLを有し、且
つλＬ＝Ｎ（λ0/4）の伝送線路電気長（ここで、Ｎ＜
１であり、且つλ０はf0で伝搬する信号の波長）に等価
な位相シフトΦＬを発生し、 前記伝送線路が、f0においてλ0/4−λＬにほぼ等しい
電気長を有するとともに、Z0の値から実質的に相違しな
い大きさの特性インピーダンスを有していることを特徴
とするマイクロ波回路。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/269,851 | 1994-06-30 | ||
| US08/269,851 US5495217A (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Compact hybrid microwave choke |
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