JP3485660B2 - マイクロリソグラフィ用投影露光装置の照明手段 - Google Patents

マイクロリソグラフィ用投影露光装置の照明手段

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、様々に異なる照明モー
ドを選択的に準備するマイクロリソグラフィ用投影露光
装置の照明手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】２つ又は４つの光束による対称傾斜照明
のためのそのような照明手段は欧州特許第０４８６３１
６号、欧州特許第０４９６８９１号、欧州特許第０５０
０３９３号及び米国特許第５，２０８，６２９号から知
られている。そのそれぞれに調整を可能にする方式が示
されている。欧州特許第０４８６３１６号では、四重極
照明の幾何学的形状を調整自在の光導体（図１２，図１
３）又はレンズ（図１７）又はレンズ列（図３５）によ
って調整でき、図３８は２つの光束、４つの光束並びに
従来通りの単純光束を使用する、様々なレンズラスタを
レボルバに取り付けた構造を示す。この構造は欧州特許
第０４９６８９１号の特許請求の範囲第１３項にも提示
されている。特許請求の範囲第１２項によれば、四重極
照明の角度と間隔は調整可能であり、特許請求の範囲第
１４項には、様々に異なる照明モードを発生させるため
の切替え自在の電気光学フィルタが提示されている。欧
州特許第０５００３９３号の図１６にも、様々な照明モ
ードを発生させるレボルバが示されている。
【０００３】先に挙げた欧州特許は、所望の数の二次光
源を得るために、唯一つの集光器により捕らえられた光
源の光を周知の手段によって１つ、２つ又は４つの光束
に分割することを提案している。
【０００４】欧州特許第０５００３９３号のみが２つの
ランプの配列を代替構成として提示している（図１
２）。光点は常に円形又は正方形である。米国特許第
５，２０８，６２９号の図８０も、４つの部分環状の二
次光源を提示しているが、それらの光源の発生又は調整
に関わる記述はない。
【０００５】欧州特許第０２９７１６１号では、光源の
光を２つの対向する集光器によって捕らえ、その光をミ
ラーを介して瞳平面へと導く。その調整方式や、従来と
は異なる照明は提示されていない。この構造はガラス棒
を有し、特殊フィルタをレチクルに直接に、もしくはガ
ラス棒の射出端に選択的に配置することができる。
【０００６】以上挙げた文献の中で、露光時の走査が可
能であるような構成について述べているものはなく、た
だし、米国特許の特許請求の範囲第１６項及び第６２項
は−回転する光点を伴う−回転傾斜照明を提示してい
る。
【０００７】そのようなものはＳ．Ｔ．Ｙａｎｇ他のＳ
ＰＩＥ１２６４（１９９０年）の４７７〜４８５ページ
に提示されており、また、米国特許第３，７７０，３４
０号には干渉（レーザー）照明と、任意結像が記載され
ている。
【０００８】欧州特許第０２６６２０３号によるマイク
ロリソグラフィ用照明手段は光源の光を複数の光束に分
割することと、それらの光束を同時に走査することと、
それらを互いに重ね合わせることを提示している（要
約、特許請求の範囲第１項）。これは干渉光による妨害
を抑制するのに役立つ（特許請求の範囲第２項）。光束
への分割は幾何学的ビーム分割によって損失少なく行わ
れる（図４ａ〜図４ｄ）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
融通性をもって光源利用時の高い効率と、すぐれた可変
性とを部品交換の必要なく一体化し且つすぐれた結像品
質を可能にするような、調整自在の干渉係数σを伴う従
来通りの照明、環状アパーチャ照明及び二方向又は四方
向からの対称傾斜照明を含めた任意の異なる多数の照明
モードを選択的に準備できるマイクロリソグラフィ用投
影露光装置の照明手段を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、特許請求
の範囲第１項の全ての特徴を組合わせている照明手段に
よって解決される。第１に、それらの特徴により、スラ
イダ、レボルバなどに交換自在の光学素子を配置するこ
とがなくなるため、これまでごく狭い範囲に限定された
選択肢を広げることができ、また、煩わしい交換作業は
不要になる。第２に、光源は全ての照明モードに対応し
て十分に利用される。
【００１１】有利な実施形態は特許請求の範囲第２項か
ら第９項の対象になっている。光束を弓形にすると、さ
らに狭い位置での厳密な環状アパーチャ照明の他にも、
半径方向のみの調整によって、場合によっては小さな
「中心暗部」を伴う従来通りの照明が可能になり、ま
た、瞳平面で光束を一部重ね合わせることや、さらに、
対称傾斜照明を行うことも可能である。この対称傾斜照
明は通常は円形の二次光源によって行われるのである
が、その形状は詳細にいえば重要ではない。一部環状の
二次光源を使用する米国特許第５，２０８，６２９号を
参照。
【００１２】光源としては、ビームスプリッタと組合わ
せたレーザーも適している。次に、図面を参照して本発
明をさらに詳細に説明する。
【００１３】
【実施例】図１及び図２には、光源１としての水銀アー
クランプが示されており、その光源からの光束を４つの
集光器２１〜２４がそれぞれ大きな立体角範囲をもって
捕らえるので、光の大部分は４本の光導体に供給される
ことになる。光導体３１〜３４は、射出面が図３に示す
ように弓形である横断面変換器としての構成をもつもの
として図示されている。射出面を経て光の強さを十分に
均一にするために、たとえば、個々のファイバを統計的
に十分に混ぜ合わせることによって光導体３１〜３４を
構成している。光導体の入射横断面を光の分布に適合さ
せることも可能である。
【００１４】あるいは、光線幅拡張用光学系と、幾何学
ビームスプリッタとしてのピラミッド形ミラーとを伴う
レーザーによって、光導体３１〜３４を実現することも
できる。その場合、レーザーは、たとえば、ＵＶ発光エ
キシマレーザーである。
【００１５】４本の光導体３１〜３４の射出面に続い
て、中継光学系４１〜４４と、第１の偏向ミラー５１１
〜５１４と、第２の偏向ミラー５２１〜５２４とから成
るユニットがそれぞれ設けられている。可撓性をもって
構成されている光導体３１〜３４の接続端部を含めて、
それらのユニットの半径方向位置と方位角は調整駆動装
置５４１〜５４４によって調整又は走査可能である。制
御装置１００がそれらの調整駆動装置５４１〜５４４を
制御する。
【００１６】４つの偏向ミラー５２１〜５２４から来る
光は入射ミラー６を経て、ガラス棒７の入射面７１の上
に結像される。それらの入射面７１は照明装置の瞳平面
Ｐに位置しており、４つのユニットは、それぞれ、調整
駆動装置５４１〜５４４の位置に応じて、入射面の１つ
の象限の各部分を照明することができる。従って、集光
器２１〜２４によって捕らえられた４本の光の流れはこ
こで幾何学的に合成されて、１つの二次有効光源を形成
する。
【００１７】ガラス棒７の射出面７２には視野平面Ｆが
あり、その視野平面にはレチクルマスキングシステム
８、すなわち、調整自在のダイアフラムが配置されてい
る。レチクルマスキングシステムは調整手段８１によっ
て必要に応じて調整される。
【００１８】この場所にレチクルマスキングシステム８
を配置すると、周知の構成と比べて、レチクルマスキン
グシステム専用の追加視野平面を準備するに際しての負
担が軽減される。
【００１９】それに続く中間結像光学系９は、瞳平面Ｐ
９３と、その前方にある内側マスキングシステム９１
と、その後にごく概略的に示されており、周知のように
全体をコンパクトな構造にすることができる平面鏡から
構成されているビーム偏向構造９３とを有する対物レン
ズである。
【００２０】その後に続く投影対物レンズと、露光すべ
きウェハは知られているので、ここでは図示しない。
【００２１】ところが、投影対物レンズの開口数と結像
倍率、すなわち、その瞳の大きさは照明手段の幾何学的
データを定めるには決定的であり、開口数の必要範囲を
確定する。
【００２２】図４は、ガラス棒７の前方に配置される素
子群の別の実施例を示す。光源１と集光器２１，２３は
先に述べた通りの構成である。光導体３１，３３は堅
く、たとえば、ガラス棒である。光導体の端部にはシャ
ッタ３１１，３３１が設けられており、その後に中継光
学系４１，４３が続く。
【００２３】走査ミラー５３１，５３３は中継光学系４
１，４３の後方ダイアフラムの場所に配置されており、
一体構造で小型、軽量である。
【００２４】走査ミラー５３１，５３３の方位角は構造
の対称軸、すなわち、ガラス棒７の光軸に関して旋回自
在であり、また、走査ミラーは図面の平面に対して垂直
な中心軸に関して傾斜自在である。必要に応じて形成さ
れる象限を有する入射ミラー６は、同様に、ガラス棒７
の入射面７１への結像を行うために使用される。
【００２５】これらの走査ミラー５３１，５３３は小型
且つ軽量の構成であるため、高速走査の場合に特に適し
ている。走査ミラーの駆動装置は図示されていないが、
その構成は既に知られている。
【００２６】２つの二次光源を形成するための図中の２
つの素子群に加えて、図１及び図２と同様に、さらに２
つの素子群を光軸に関して９０°ずつずれた位置に配置
することができる。二次光源の形状は必要に応じて規定
され、光導体３１，３３の形状に従って整形される。
【００２７】図１〜３及び図４の実施例による本発明の
照明手段並びにそれらの実施例の多種多様な変形構造
は、中間結像光学系９の瞳平面９３において、特に各々
の象限（２つの部分光学系のみを使用する場合には各々
の半円）で準備され且つ光導体３１〜３４の射出端で発
生する光束の形状（特に弓形形状）との組合わせで、制
御装置１００によって任意に調整可能である半径方向位
置と方位角の調整と関連させることにより、様々に異な
る形状と寸法をもつ二次光源を形成できることを重要な
特徴としている。その場合の調整は露光中に実行できる
（走査）。従って、パラメータを調整し続けることによ
り、その都度、部品の交換又は改造を行う必要なく、多
数の異なる照明モードを実現できるので、この照明手段
は実験を通じて露光プロセスを最適化する場合などにも
特に適している。
【００２８】図５〜図７には、上記の場合の実施例を提
示する。図は瞳平面９３における光束を示している。提
示したσは、結像倍率を考慮した上での投影対物レンズ
の瞳の半径に関する相対半径である。σは照明の干渉度
として表わされることもある。
【００２９】図５は、σ＝０．３と相対的に小さく且つ
「中心暗部」は０．１である従来の照明を示す。中心調
整光路及び測定光路を規定できるようにするために、中
心暗部は多様に要求されている。
【００３０】二次光源は４つの象限の各々の部分から合
成され、それらの象限の中で、σ＝０．１に対応する内
径及びσ＝０．３に対応する外径と、方位角９０°とを
有する各々の弓形の光点２０１〜２０４がそれに対応す
る形状をもつ光導体３１〜３４の端部の像として現れ
る。そこで、走査運動がなければ、直ちに従来通りの照
明が行われることになり、光源１からの光の大部分が捕
らえられ、不必要な遮蔽は起こらない。
【００３１】図６は、環状アパーチャ照明を示す図５と
同様の図である。同様の光点２０１〜２０４は半径方向
外方へずれており、また、方位角に関して走査されてい
る。すなわち、露光時間中に各々の象限の中を移動する
のである。そこで、時間の経過に従って、走査運動のプ
ロセスを通して方位角の均一さが影響を受けるような環
状アパーチャ照明が生成される。
【００３２】図５及び図６の照明の組合わせによって、
露光時間中に半径方向調整と方位角走査を組合わせた場
合に、たとえば、σが０．５から０．７と大きい従来の
照明を実現できることはすぐにわかる。また、内径と外
径の差をさらに大きくした環状アパーチャ照明も可能に
なる。
【００３３】図７は、四重極照明として実現されている
対称傾斜照明の１例である。最も単純な形態では、これ
は図６の環状アパーチャ照明から方位角運動を除くこと
により得られる。この場合、典型的には縁部付近の光点
（最大限でσ≒０．９）が必要である。四重極照明の場
合、光点の厳密な形状は重要ではない（米国特許第５，
２０８，６２９号を参照）。しかしながら、四重極光点
の大きさと形状を露光時間中の半径方向運動及び方位角
運動によって要求に適合させることができる。
【００３４】隣接する２つずつの光点２０１，２０２及
び２０３，２０４を方位角調整して象限の境界線に配置
し、一致させるようにすれば、二極照明を損失なく実現
できることも示唆されるであろう。
【００３５】図示した光点２０１〜２０４の形状は有利
な一実施例であり、任意の変更は可能である。また、追
加のダイアフラム、特にシャッタ３１１〜３４１と一体
のダイアフラムによって光点の形状を変化させることも
可能であるが、その結果、光の損失を覚悟しなければな
らない。
【００３６】弓形の形状は、その弓形の平均半径でもあ
る二次光源の平均半径において光点内の半径方向の光の
分布を厳密に均一にするという理由により、照明手段の
幾何学的構成に特に適合している。また、別の位置で
も、光の分布は丸形光点（さほど小さくはない）によっ
て走査する場合などと比べれば、それでも一様である。
さらに、走査を伴わない従来通りの照明を厳密に実現す
ることもできる。
【００３７】本発明による構造では、光混合手段として
ハニカム集光レンズよりガラス棒７が適している。これ
は、ガラス棒７の横断面が小さいために、ガラス棒に隣
接して走査ミラー５３１，５３２を配置することによっ
て、より小型の構造が得られるからである。
【００３８】また、レチクルマスキングシステム８を従
来のようにその目的で特別に設けられた中間視野平面に
配置するのではなく、ガラス棒７のすぐ背後の視野平面
で実現すれば、高品質で小型の構造を得るのに有用であ
る。
【００３９】半径方向運動及び方位角運動の調整駆動装
置５４１〜５４４の制御装置は光学系全体の周知の型の
制御装置に一体化され、プログラム制御の下に、その都
度のレチクルの構造に応じて二次光源を形成する所定の
最適のプロセスを生成すると好都合である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による照明手段の一実施例を概略的に
示す側面図。
【図２】 同じ実施例を示す平面図。
【図３】 図１ａ及び図１ｂの光導体の射出面を示す横
断面図。
【図４】 別の実施例を示す概略図。
【図５】 従来の構成の場合の中間結像光学系の瞳平面
における二次光源を示す図。
【図６】 環状アパーチャの場合の中間結像光学系の瞳
平面における二次光源を示す図。
【図７】 四重極の場合の中間結像光学系の瞳平面にお
ける二次光源を示す図。
【符号の説明】
１…光源、６…入射ミラー、７…ガラス棒、８…レチク
ルマスキングシステム、１０…レチクル、２１〜２４…
集光器、３１〜３４…光導体、９３…瞳平面、５１１〜
５１４…第１の偏向ミラー、５２１〜５２４…第２の偏
向ミラー、５３１，５３３…走査ミラー、５４１〜５４
４…調整駆動装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−102003（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−225514（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−35407（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−291425（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−35397（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 調整自在の干渉係数（σ）を伴う従来通
    りの照明、環状アパーチャ照明及び二方向又は四方向か
    らの対称傾斜照明を含めた任意の多くの照明モードを選
    択的に用意できるマイクロリソグラフィ用投影露光装置
    の照明手段において、 光源（１）と、 光源（１）から放射される光束の２つ又は４つの立体角
    領域からの複数の光束を個別に捕らえる手段（２１〜２
    ４）と、 捕らえられた光束を整形又は遮蔽する手段（３１〜３
    ４）と、 結像すべきレチクル（１０）のレチクル平面に対してフ
    ーリエ変換されている瞳平面（９３）の複数のセクタに
    光束を結像するミラー構造（５１１〜５１４，５２１〜
    ５２４，５３１，５３３；６）と、 瞳平面（９３）で光束の像の半径方向位置及び方位角を
    任意に摺動することができるように、個々の光束ごとに
    設けられている調整手段（５４１〜５４４）とを具備す
    る照明手段。
  2. 【請求項２】 光束を捕らえる手段（２１〜２４）又は
    捕らえられた光束を整形又は遮蔽する手段（３１〜３
    ４）は光導体（３１〜３４）を含むことを特徴とする請
    求項１記載の照明手段。
  3. 【請求項３】 調整手段（５４１〜５４４）は光導体
    （３１〜３４）の出力端の位置を調整することを特徴と
    する請求項２記載の照明手段。
  4. 【請求項４】 調整手段（５４１〜５４４）はミラー構
    造（５１１〜５３３）の複数の部分を調整することを特
    徴とする請求項１記載の照明手段。
  5. 【請求項５】 ミラー構造（５１１〜５３３，６）とレ
    チクル平面（１０）との間にガラス棒（７）が配置され
    ていることを特徴とする請求項１から４の少なくとも１
    項に記載の照明手段。
  6. 【請求項６】 ガラス棒（７）の射出端部（７２）の付
    近に可変マスキングシステム（８）が配置されているこ
    とを特徴とする請求項５記載の照明手段。
  7. 【請求項７】 瞳平面（９３）における光束の像の大き
    さは、対称傾斜照明又はσ＝０．１の干渉係数を伴う従
    来通りの照明に像が走査運動なしに適するように定めら
    れていることを特徴とする請求項１から６の少なくとも
    １項に記載の照明手段。
  8. 【請求項８】 瞳平面における光束の像の大きさを変化
    させる手段が設けられていることを特徴とする請求項１
    から７の少なくとも１項に記載の照明手段。
  9. 【請求項９】 光束の形状を変化させる手段が設けられ
    ていることを特徴とする請求項１から８の少なくとも１
    項に記載の照明手段。
  10. 【請求項１０】 光束は弓形に形成されることを特徴と
    する請求項１から９の少なくとも１項に記載の照明手
    段。
  11. 【請求項１１】 光源はレーザーであり且つ光束を個別
    に捕らえる手段はビームスプリッタを含むことを特徴と
    する請求項１から１０の少なくとも１項に記載の照明手
    段。
  12. 【請求項１２】 各々の露光プロセスの間に所定の照明
    モードを準備するための調整手段（５４１〜５４４）
    は、瞳平面（９３）に光束の像を逐次形成して行く走査
    運動を実行することを特徴とする請求項１から１１の少
    なくとも１項に記載の照明手段。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6285443B1 (en) 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
JP3711586B2 (ja) 1995-06-02 2005-11-02 株式会社ニコン 走査露光装置
DE19548805A1 (de) * 1995-12-27 1997-07-03 Zeiss Carl Fa REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
WO1997038356A1 (en) * 1996-04-10 1997-10-16 Asm Lithography B.V. Photolithographic apparatus
US7130129B2 (en) 1996-12-21 2006-10-31 Carl Zeiss Smt Ag Reticle-masking objective with aspherical lenses
DE69738762D1 (de) * 1996-12-24 2008-07-24 Asml Netherlands Bv Optische prüfvorrichtung und mit einer solchen versehene lithographische vorrichtung
JP4310816B2 (ja) * 1997-03-14 2009-08-12 株式会社ニコン 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法
TW367407B (en) * 1997-12-22 1999-08-21 Asml Netherlands Bv Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system
DE69931690T2 (de) * 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US6368763B2 (en) 1998-11-23 2002-04-09 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6248486B1 (en) * 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6445442B2 (en) * 1998-12-08 2002-09-03 Carl-Zeiss-Stiftung Projection-microlithographic device
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6281967B1 (en) 2000-03-15 2001-08-28 Nikon Corporation Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method
US6396567B1 (en) * 1999-06-02 2002-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method and apparatus for controlling the dose of radiations applied to a semiconductor wafer during photolithography
US6600550B1 (en) 1999-06-03 2003-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, a photolithography method, and a device manufactured by the same
US6544694B2 (en) 2000-03-03 2003-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a device by means of a mask phase-shifting mask for use in said method
JP4188537B2 (ja) * 2000-04-12 2008-11-26 浜松ホトニクス株式会社 免疫クロマト試験片の測定装置
TW498408B (en) * 2000-07-05 2002-08-11 Asm Lithography Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2002231619A (ja) * 2000-11-29 2002-08-16 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
DE10117025A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Zeiss Carl Teilchenoptische Vorrichtung,Beleuchtungsvorrichtung und Projektionssystem sowie Verfahren unter Verwendung derselben
DE10132988B4 (de) * 2001-07-06 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage
DE10246828A1 (de) * 2002-10-08 2004-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv in der Mikrolithographie
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
US7542217B2 (en) * 2003-12-19 2009-06-02 Carl Zeiss Smt Ag Beam reshaping unit for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005076083A1 (en) * 2004-02-07 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2005294840A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Asml Holding Nv フィールド高さ及び瞳の変更を許容する照明システム及び方法
DE102004017082A1 (de) * 2004-04-07 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungsvorrichtung
DE102004017694B3 (de) * 2004-04-10 2005-09-15 Schott Ag Durchlicht-Hellfeld-Beleuchtungseinrichtung
EP1621930A3 (en) * 2004-07-29 2011-07-06 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2006021419A2 (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
US20080192224A1 (en) 2005-02-12 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic Projection Exposure Apparatus
WO2008101664A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Carl Zeiss Smt Ag Optical element with multiple primary light sources
JP6137179B2 (ja) 2011-07-26 2017-05-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系及びマイクロリソグラフィ露光方法
DE102011079837A1 (de) 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
JP6053737B2 (ja) 2014-09-22 2016-12-27 キヤノン株式会社 照明光学装置、露光装置、および物品の製造方法
JP6494339B2 (ja) 2015-03-10 2019-04-03 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、及び物品の製造方法
CN111399204B (zh) * 2020-02-17 2021-06-15 浙江大学 一种基于后瞳面成像的环状扫描成像系统校正方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2708388A (en) * 1955-05-17 capstaff
US3770340A (en) * 1972-08-21 1973-11-06 Technical Operations Inc Coherent optical system with expanded bandwidth and noise suppression
US4474463A (en) * 1982-08-30 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Mixer coupling lens subassembly for photolithographic system
DE3750174T2 (de) * 1986-10-30 1994-11-17 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
EP0297161A1 (de) * 1987-07-02 1989-01-04 Mercotrust Aktiengesellschaft Projektionsbelichtungssystem
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
NL8801348A (nl) * 1988-05-26 1989-12-18 Philips Nv Belichtingsstelsel.
JP2995820B2 (ja) * 1990-08-21 1999-12-27 株式会社ニコン 露光方法及び方法，並びにデバイス製造方法
EP0486316B1 (en) * 1990-11-15 2000-04-19 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
US5357311A (en) * 1991-02-25 1994-10-18 Nikon Corporation Projection type light exposure apparatus and light exposure method
EP0507487B1 (en) * 1991-04-05 1996-12-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical projection exposure method and system using the same
JP3304378B2 (ja) * 1992-02-25 2002-07-22 株式会社ニコン 投影露光装置、及び素子製造方法
JP2917704B2 (ja) * 1992-10-01 1999-07-12 日本電気株式会社 露光装置
US5359388A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 General Signal Corporation Microlithographic projection system

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EP0658811A1 (de) 1995-06-21
US5572287A (en) 1996-11-05

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