DE102004017082A1 - Optische Abbildungsvorrichtung - Google Patents
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- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004449 solid propellant Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, mit einer im Bereich einer Pupillenebene der optischen Abbildungsvorrichtung angeordneten Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille. Die Einrichtung weist mechanische Elemente (11a-11e) auf, welche über einen Antrieb in der Art betätigbar sind, dass die Abdunklung der Pupille radial variierbar ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine optische Abbildungsvorrichtung mit einer im Bereich einer Pupillenebene der optischen Abbildungsvorrichtung angeordneten Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille.
- Optische Abbildungsvorrichtungen, insbesondere Projektionsobjektive für die Mikrolithographie, sind beispielsweise aus der
EP 0 638 847 A1 bekannt. Diese werden eingesetzt, um in Projektionsbelichtungsanlagen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen Halbleiterstrukturen, wie Leiterbahnen, Kontaktlöcher zur Anbindung des Halbleiters oder dergleichen von einer Maske auf einen Wafer zu belichten. - Da das Auflösungsvermögen optischer Abbildungsvorrichtungen proportional zur Wellenlänge λ des verwendeten Lichts und umgekehrt proportional zur bildseitigen numerischen Apertur (NA) der optischen Abbildungsvorrichtung ist, wird es zur Erzeugung immer feinerer Halbleiterstrukturen angestrebt, einerseits die bildseitige numerische Apertur der Projektionsobjektive zu vergrößern und andererseits immer kürzere Wellenlängen zu verwenden.
- Neben dem Auflösungsvermögen spielt die bei der Abbildung erzielbare Schärfentiefe (DoF, depth of focus) eine wichtige Rolle für eine vorlagengetreue Abbildung. Die Schärfentiefe ist ebenfalls proportional zur verwendeten Wellenlänge, jedoch umgekehrt proportional zum Quadrat der numerischen Apertur. Daher ist eine Steigerung der numerischen Apertur ohne geeignete Maßnahmen zur Sicherung einer ausreichenden Schärfentiefe nur begrenzt sinnvoll.
- Mit steigenden numerischen Aperturen der Projektionsobjektive zur Herstellung von immer feineren Strukturen gestaltet sich beispielsweise die Abbildung von isolierten Kontaktlöchern aufgrund begrenzter Schärfentiefe und begrenztem Kontrast immer schwieriger. Die Schärfentiefe kann dabei so klein werden, dass kein fertigungstauglicher Prozess mehr möglich ist.
- Durch geeignete Maßnahmen, z. B. durch Auswahl entsprechender Masken, können zwar Schärfentiefe und Kontrast vergrößert werden, jedoch entstehen dann störende Nebenmaxima im Abbildungsprozess, welche diesen im Extremfall ebenfalls unmöglich machen.
- Es ist bekannt, die Pupille des Projektionsobjektivs in der Mitte abzudunkeln. Ein Blocken der 0. Beugungsordnung des verwendeten Lichts, wobei die 1. Beugungsordnung ungehemmt das Objektiv passieren kann, erhöht Schärfentiefe und Kontrast. Dies kann beispielsweise durch eine im Blendenraum des Projektionsobjektivs angeordnete mechanische Blende als sogenannter Pupillenfilter erreicht werden.
- Zum Stand der Technik bezüglich Pupillenfiltern wird auf die
DE 195 02 827 A1 und dieDE 102 18 989 A1 verwiesen. - Um nun einen möglichst idealen Wert zum Abbilden der isolierten Kontaktlöcher zu erreichen und gleichzeitig die anderen Elemente bzw. Strukturen ebenfalls ausreichend gut abzubilden, müsste die Größe einer derartigen, für die Abdunklung der Pupille einsetzbaren Blende von einem minimalen Wert, welcher die anderen Abbildungen nicht stört, zu einem optimalen Wert zum Abbilden der isolierten Kontaktlöcher, insbesondere kontinuierlich, variierbar sein.
- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine optische Abbildungsvorrichtung der eingangs erwähnten Art zu schaffen, wobei die Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille in den Pupillenbereich der optischen Abbildungsvorrichtung einbringbar ist, und welche es dort erlaubt, bei minimaler Abschattung in ihrem kleinstmöglichen Ausmaß, einen größtmöglichen Abschattungsbereich zu realisieren.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille mechanische Elemente aufweist, welche über einen Antrieb derart betätigbar sind, dass die Abdunklung der Pupille radial symmetrisch variierbar ist.
- Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird in einfacher und vorteilhafter Weise eine Möglichkeit zur exakten Belichtung von Kontaktlöchern ohne ein Auftreten von störenden Nebenmaxima ermöglicht. Die sonstigen Elemente bzw. Strukturen können ebenfalls problemlos hergestellt werden, da die Abdunklung durch die Blendensanordnung für die jeweils zu belichtenden Strukturen – auch im Betrieb – kontinuierlich einstellbar ist und die Ausmaße der Blendenanordnung ohne gewollte Abdunklung minimal ist, wodurch die normale Belichtung nur geringfügig beeinflusst wird.
- Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Nachfolgend sind anhand der Zeichnung verschiedene Ausführungsformen der Erfindung prinzipmäßig erläutert.
- Es zeigt:
-
1 eine Prinzipdarstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, welche zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtete Wafer verwendbar ist; -
2 eine Ansicht einer ersten Ausführungsform einer Einrichtung zur Abdunklung der Pupille eines Projektionsobjektivs von oben; -
3 eine Schnittansicht gemäß der Linie A-A aus2 ; -
4 eine Vergrößerung des Ausschnittes Z1 gemäß2 ; -
5 eine Schnittansicht gemäß der Linie B-B aus4 ; -
6 eine seitliche Schnittansicht einer Abwandlung der ersten Ausführungsform einer Einrichtung zur Abdunklung der Pupille eines Projektionsobjektivs, welche an den Bauraum im Projektionsobjektiv angepasst ist; -
7 eine Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer Einrichtung zur Abdunklung der Pupille eines Projektionsobjektivs von oben; und -
8 eine um 90° gedrehte Vergrößerung des Ausschnittes Z2 gemäß7 . - In
1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage1 für die Mikrolithographie dargestellt. Diese dient zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer2 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z.B. Computerchips. - Die Projektionsbelichtungsanlage
1 besteht dabei im wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung3 , einer Einrichtung4 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer gitterartigen Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle5 , durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer2 bestimmt werden, einer Einrichtung6 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers2 und einer Abbildungseinrichtung, nämlich einem Projektionsobjektiv7 mit einer Pupillenebene8 sowie mehreren optischen Elementen, wie z.B. Linsen9 , die über Fassungen30 in einem Objektivgehäuse7' des Projektionsobjektivs7 gelagert sind. - Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle
5 eingebrachten Strukturen auf den Wafer2 verkleinert abgebildet werden. - Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer
2 in XY- Richtung weiterbewegt, sodass auf demselben Wafer2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle5 vorgegebenen Struktur, belichtet wird. - Die Beleuchtungseinrichtung
3 stellt einen für die Abbildung des Reticles5 auf dem Wafer2 benötigten Projektionsstrahl L, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung3 über nicht dargestellte optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl L beim Auftreffen auf das Reticle5 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Kohärenz und dergleichen aufweist. - Über den Projektionsstrahl L wird ein Bild der eingebrachten Strukturen des Reticles
5 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv7 entsprechend verkleinert auf den Wafer2 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv7 weist eine Vielzahl von einzelnen refraktiven, diffraktiven und/oder reflektiven optischen Elementen, wie z.B. Linsen9 , Spiegeln, Prismen, Planparallelplatten und dergleichen auf, wobei lediglich die Linse9 dargestellt ist. - Zur Erhöhung von Schärfentiefe und Kontrast ist es bekannt, die Pupille
8 des Projektionsobjektivs7 abzudunkeln. Dabei wird die 0. Beugungsordnung des Projektionsstrahls L geblockt, während die 1. Beugungsordnung ungehemmt das Projektionsobjektiv7 passieren kann. Dies kann beispielsweise durch eine im Blendenraum des Projektionsobjektivs7 angeordnete zusätzliche mechanische Einrichtung, insbesondere durch eine mechanische Blende erreicht werden. - Die vorliegende Erfindung sieht mehrere Ausgestaltungen einer solchen mechanischen Blende vor, welche grundlegend jeweils mit der mechanischen Veränderung des abgeschatteten Bereichs, beispielsweise der Änderung des Durchmessers oder das Verschließen und Freigeben von radial symmetrisch angeordneten Öffnungen einen derartigen Effekt im Bereich der Lage der Pupille
8 des Projektionsobjektivs7 erreichen. Die im folgenden beschriebenen Lösungen basieren auf mechanischen Konzepten, mit denen die Blende entweder von innen nach außen vergrößert wird oder die Transmission in einem festgelegten Bereich des Projektionsstrahls L immer stärker verringert wird. - Eine erste Lösung einer Blende
100 gemäß den2 bis5 sieht vor, dass mehrere übereinander angeordnete Flügelräder, d. h. Lamellen11a bis11e (in3 näher dargestellt) gegeneinander verdreht werden können, wie dies beispielsweise bei Lufteinlässen in Feststoff befeuerten Öfen oder dergleichen der Fall ist. Die Intensität des durch diesen Bereich fallenden Lichts der 0. Beugungsanordnung lässt sich so beeinflussen. -
2 zeigt die Blende100 mit einer Basisplatte10 und Stegen10a in einer Ansicht von oben. Die Anzahl der Lamellen11a bis11e und die Größe eines Lamellenwinkels α werden so gewählt, dass möglichst wenig Lamellen11a bis11e eine gerade noch vertretbare Abschattung bei ganz offener Blende100 herstellen. Des weiteren kann der Lamellenwinkel α zur Überlappung etwas größer sein als 360° geteilt durch die Anzahl der Lamellen11a bis11e . Die Lamellen11a bis11e sind derart drehbar um die Lage der Pupille8 (in1 dargestellt) angeordnet, dass sie unterschiedlich viele Bereiche freigeben oder verschließen und damit die Pupille8 abdunkeln. Die Lamellen11a bis11e erstrecken sich spiegelsymmetrisch um die Lage der Pupille8 . - Auf einem Zapfen
12 drehbar gelagerte Lamellen11a bis11e schließen die Blende100 (3 ). Angetrieben werden die Lamellen11a bis11e durch eine seitlich eingeführte Welle20 , an deren Ende ein Zahnrad21 montiert ist. Dieses Zahnrad21 treibt ein auf der obersten Lamelle11e montiertes Planrad22 an. Beim Schließen der Blende100 wird die oberste Lamelle11e direkt angetrieben und nimmt über einen Stift12e die Lamelle11d mit, wenn die Lamelle11e ganz geschlossen ist. Dies wird immer weiter fortgesetzt bis schließlich auch die unterste Lamelle11a bewegt wird. Wenn die Lamelle11a mit einem Stift12a am Anschlag angekommen ist, ist die Blende100 ganz geschlossen. Die Stifte12a bis12e werden jeweils in einer Nut13 geführt und haben die beiden Anschläge13a und13b als Begrenzungen für die beiden Bewegungsrichtungen (4 ). - Zur verbesserten Abfuhr der durch die Strahlungsabsorption entstehenden Wärme können, wie aus
3 ersichtlich, die Stege10a in ihrer Dicke variiert werden, so dass bei gleichzeitig geringer Obskuration eine gute Wärmeleitung erreicht wird. - Je nach zur Verfügung stehendem Bauraum kann es günstig sein, die Blende entsprechend anzupassen. Eine solche Blende
100' ist in6 dargestellt. Hier sind die Basisplatte10 und die Lamellen11a bis11e an den zur Verfügung stehenden radialen Bauraum zwischen Linsen9 und9' des Projektionsobjektivs7 angepasst. Die Basisplatte bzw. Fassung10 der Blende100' ist zwischen Linsenfassungen30 und31 montiert, welche mit dem Objektivgehäuse7' (in den3 und6 gestrichelt angedeutet) verbunden sind. - Eine zweite Lösung einer Blende
101 sieht vor, dass der zentrale Bereich der Pupillenlage8 des Projektionsobjektivs7 durch mehrere wenigstens annähernd radial konzentrisch angeordnete kippbare Lamellen11f bis11h abgedeckt ist (7 und8 ). Die Lamellen11f bis11h sind von einer Lage senkrecht zur optischen Achse der optischen Abbildungsvorrichtung7 in eine Lage parallel zur optischen Achse kontinuierlich verschwenkbar.7 zeigt die Gesamtansicht der Blende101 von oben.8 zeigt den Ausschnitt Z2 aus7 um 90° gedreht und vergrößert. - Durch ein Aufstellen der Lamellen
11f bis11h , so dass diese sich mit ihrer größten Breite entlang der optischen Achse (in7 in Richtung in die Bildebene) des Projektionsobjektivs7 ausrichten, lässt sich erreichen, dass der von den Lamellen11f bis11h eingenommene Bereich mehr oder weniger stark durchlässig wird. Dadurch kann die Abschattung im Bereich der Lage der Pupille8 variiert werden. - Diese Lösung bietet zusätzlich in vorteilhafter Weise die Möglichkeit, mehrere Teilbereiche der Blende
101 einzeln zu öffnen oder zu schließen. Die gesamte Blende101 ist wiederum auf der Basisplatte10 montiert. Als Antriebe werden Wellen20a bis20c mit einer Schnecke21 am abtriebsseitigen Ende zum Öffnen und Schließen der Lamellenbereiche11f bis11h verwendet. Damit wird ein Schneckenrad22 angetrieben, welches fest auf einer flexiblen Welle23 sitzt. Fest mit der flexiblen Welle23 verbunden sind ebenfalls die Lamellen11f bis11h . Damit die Position der flexiblen Welle23 und damit die Position der Lamellen11f bis 11h während dem Öffnen oder Schließen der Blende101 fest bleibt, wird die flexible Welle23 auf Lagern24 drehbar gelagert. Bei offener Blende101 stehen die Lamellen11f bis11h senkrecht nach oben. Wenn die Blende101 geschlossen wird, werden die Lamellen11f bis11h um 90° geschwenkt. Dabei deckt z. B. eine einzelne Lamelle11f den Bereich25f bzw.11g den Bereich25g ab. Wie vorstehend bereits beschrieben, ist es auch hier sinnvoll, auf eine gute Wärmeabfuhr zu achten, indem die Stege zum Objektivgehäuse7' hin möglichst dick gewählt werden. - Eine analog zu der in
6 dargestellten gekrümmten Anordnung (nicht dargestellt) der Blende ermöglicht zum einen eine gute Ausnutzung eines radialen Bauraumes und zum anderen auch die Herstellung verschiedener Blendenöffnungen in verschiedenen Höhen. - Es ist günstig, wenn die Lamellen
11a bis11h mit einer Beschichtung versehen werden, die das im Projektionsobjektiv7 verwendete Licht, grundsätzlich mit allen Wellenlängen, insbesondere beispielsweise mit Wellenlängen von 632, 365, 248, 193, 157 nm oder kürzer, absorbiert, damit möglichst wenig Streulicht entsteht. Hierzu eignet sich eine Ta2O5-Schicht. - Bei einer weiteren Lösung sind in der größten Öffnung der Blende alle Lamellen unter einem zentralen Bereich verdeckt. Über einen Antrieb können diese sichelartigen Lamellen aus ihrer Position von innen nach außen geschwenkt werden, so dass der abgeschattete radial symmetrische Bereich vergrößerbar bzw. wieder verkleinerbar ist. Der Antrieb kann von der Seite über eine Welle oder, falls die Blende vor einem Spiegel angeordnet ist, von hinten durch eine kleine Bohrung in der Spiegelmitte eingeführt werden.
Claims (11)
- Optische Abbildungsvorrichtung mit einer im Bereich einer Pupillenebene der optischen Abbildungsvorrichtung angeordneten Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (
100 ,100' ,101 ) zum Abdunkeln der Pupille (8 ) mechanische Elemente (11a –11h ) aufweist, welche über einen Antrieb derart betätigbar sind, dass die Abdunklung der Pupille (8 ) radial variierbar ist. - Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanischen Elemente mehrere Lamellen (
11a –11e ) aufweisen, welche sich spiegelsymmetrisch um die Lage der Pupille (8 ) erstrecken und jeweils einen Winkelbereich α einnehmen, welcher zur Überlappung etwas größer ist als 360° geteilt durch die Anzahl der Lamellen (11a –11e ), wobei die Lamellen (11a –11e ) um die Pupille (8 ) derart drehbar sind, dass sie unterschiedlich viele Bereiche freigeben oder verschließen. - Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanischen Elemente mehrere Lamellen (
11f –11h ) aufweisen, welche konzentrisch zu der Pupille (8 ) angeordnet sind, und welche von einer Lage senkrecht zur optischen Achse der optischen Abbildungsvorrichtung (7 ) in eine Lage parallel zur optischen Achse kontinuierlich verschwenkbar sind. - Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mechanischen Elemente mehrere sichelartige Lamellen aufweisen, wobei der von allen sichelartigen Lamellen überdeckte radial symmetrische Bereich durch die Betätigung vergrößerbar oder verkleinerbar ist.
- Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Betätigung der mechanischen Einrichtung zum Abdunkeln der Pupille (
8 ) die sichelartigen Lamellen zur Vergrößerung des abgeschatteten Bereichs von innen nach außen schwenkbar ausgebildet sind. - Optische Abbildungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Antrieb seitlich von einem Gehäuse (
7' ) der optischen Abbildungsvorrichtung, (7 ) insbesondere über eine Welle (20 ,20a ,20b ,20c ), zuführbar ist. - Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Lamellen (
11a –11h ) mit einer Schicht versehen sind, die das in der optischen Abbildungsvorrichtung (7 ) verwendete Licht absorbiert. - Optische Abbildungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht als Ta2O5-Schicht ausgebildet ist.
- Optische Abbildungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (
100' ) zum Abdunkeln der Pupille (8 ) durch eine gekrümmte Form an den Bauraum der optischen Abbildungsvorrichtung (7 ) angepasst sind. - Optische Abbildungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass sie als Projektionsobjektiv (
7 ), insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage (1 ) für die Mikrolithographie zur Herstellung von Halbleiterbauelementen eingesetzt ist. - Optische Abbildungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das verwendete Licht eine Wellenlänge von 632, 365, 248, 193 oder 157 nm aufweist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410017082 DE102004017082A1 (de) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | Optische Abbildungsvorrichtung |
PCT/EP2005/003654 WO2005098482A1 (de) | 2004-04-07 | 2005-04-07 | Optische abbildungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200410017082 DE102004017082A1 (de) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | Optische Abbildungsvorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004017082A1 true DE102004017082A1 (de) | 2005-11-10 |
Family
ID=34966971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200410017082 Ceased DE102004017082A1 (de) | 2004-04-07 | 2004-04-07 | Optische Abbildungsvorrichtung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
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