JP3485016B2 - Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハ - Google Patents
Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハに
関する。
半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハに
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、 III−Ｖ族化合物半導体の薄膜
結晶を結晶基板表面上にエピタキシャル成長させるに
は、リアクター内で加熱状態にある結晶基板に、複数の
III −Ｖ族またはＶ族の原料ガスを含んだキャリアーガ
スを供給し、原料ガスを結晶基板上で熱分解させること
によって行われる。
結晶を結晶基板表面上にエピタキシャル成長させるに
は、リアクター内で加熱状態にある結晶基板に、複数の
III −Ｖ族またはＶ族の原料ガスを含んだキャリアーガ
スを供給し、原料ガスを結晶基板上で熱分解させること
によって行われる。
【０００３】上記成長法により異種の結晶を積層したヘ
テロ接合を利用したデバイスの一つにＨＥＭＴと呼ばれ
る高電子移動度トランジスタがある。ＨＥＭＴとは、基
本的には高純度層と、この高純度層よりも電子親和力が
小さく、かつドーピングされて電子を供給する機能を有
する層の２層からなる選択ドープ構造の上に、電極を設
け電界効果トランジスタとしたものである。これらの層
の界面の高純度層側に二次元状に電子が蓄積する。この
蓄積した電子は二次元電子ガスと呼ばれ、高純度層に形
成されるため移動度が非常に高く、ゲート電極に印加し
たバイアス電圧による電界効果によって制御される。こ
の制御時にヘテロ界面で組成が十分に急峻に切り替わっ
てないと電子が界面の凹凸や電気的に活性な結晶欠陥か
ら散乱を受け、移動度が低下してしまう。
テロ接合を利用したデバイスの一つにＨＥＭＴと呼ばれ
る高電子移動度トランジスタがある。ＨＥＭＴとは、基
本的には高純度層と、この高純度層よりも電子親和力が
小さく、かつドーピングされて電子を供給する機能を有
する層の２層からなる選択ドープ構造の上に、電極を設
け電界効果トランジスタとしたものである。これらの層
の界面の高純度層側に二次元状に電子が蓄積する。この
蓄積した電子は二次元電子ガスと呼ばれ、高純度層に形
成されるため移動度が非常に高く、ゲート電極に印加し
たバイアス電圧による電界効果によって制御される。こ
の制御時にヘテロ界面で組成が十分に急峻に切り替わっ
てないと電子が界面の凹凸や電気的に活性な結晶欠陥か
ら散乱を受け、移動度が低下してしまう。
【０００４】本発明は、砒素系化合物半導体結晶のＩｎ
ＧａＡｓ、ドーピング層に燐系のＧａＩｎＰを用いた場
合を対象としている。界面において砒素原子と燐原子と
は混合しやすく、急峻なヘテロ界面の形状が困難であ
る。この混合が発生する原因は、現在よくわかっていな
いが、反応炉内のガス置換が不十分であったり、ＩｎＧ
ａＡｓ表面での原子レベルの動力学的効果、すなわち表
面マイグレーションの影響により、ＧａＩｎＰの成長初
期において、ＡｓとＰとが置換する等が原因と考えられ
る。一般的には、ガス置換のための成長中断の温度や、
ガス供給のシーケンスの工夫により界面急峻性を改善し
ている。
ＧａＡｓ、ドーピング層に燐系のＧａＩｎＰを用いた場
合を対象としている。界面において砒素原子と燐原子と
は混合しやすく、急峻なヘテロ界面の形状が困難であ
る。この混合が発生する原因は、現在よくわかっていな
いが、反応炉内のガス置換が不十分であったり、ＩｎＧ
ａＡｓ表面での原子レベルの動力学的効果、すなわち表
面マイグレーションの影響により、ＧａＩｎＰの成長初
期において、ＡｓとＰとが置換する等が原因と考えられ
る。一般的には、ガス置換のための成長中断の温度や、
ガス供給のシーケンスの工夫により界面急峻性を改善し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、界面の急峻
性を向上させるには、砒素をリンに素早く置換すること
が必要であるが、これを阻害する大きな原因として、Ｉ
ｎＧａＡｓの成長後の原料切り替え時に、結晶表面に砒
素原子が残留し、その上に成長するＧａＩｎＰの原料と
反応してしまうことが考えられる。ＩｎＧａＡｓの原料
の供給を停止してもすぐには表面から砒素原子は脱離し
ないため、ＧａＩｎＰのリン原料であるフォスフィンを
供給しても砒素（Ａｓ）とリン（Ｐ）の混合層が生じて
しまうという問題があった。
性を向上させるには、砒素をリンに素早く置換すること
が必要であるが、これを阻害する大きな原因として、Ｉ
ｎＧａＡｓの成長後の原料切り替え時に、結晶表面に砒
素原子が残留し、その上に成長するＧａＩｎＰの原料と
反応してしまうことが考えられる。ＩｎＧａＡｓの原料
の供給を停止してもすぐには表面から砒素原子は脱離し
ないため、ＧａＩｎＰのリン原料であるフォスフィンを
供給しても砒素（Ａｓ）とリン（Ｐ）の混合層が生じて
しまうという問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、電気的特性を向上させた III−Ｖ族化合物半導体薄
膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハを提供する
ことにある。
し、電気的特性を向上させた III−Ｖ族化合物半導体薄
膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法
は、サセプタ上で加熱した基板にIII族元素原料ガス及
びＶ族元素原料ガスを供給し、基板表面上で上記各原料
ガスを熱分解反応させて化合物半導体の薄膜結晶を成長
させる成長方法において、砒素系の第一の半導体結晶の
成長から、実質的に砒素を含まない燐系の第二の半導体
結晶の成長に移る際の成長中断中に、原料ガスとしてア
ルミニウムを含む原料ガスを供給し、ＡｌＡｓ結合また
はＡｌＰ結合を形成するものである。
に本発明のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法
は、サセプタ上で加熱した基板にIII族元素原料ガス及
びＶ族元素原料ガスを供給し、基板表面上で上記各原料
ガスを熱分解反応させて化合物半導体の薄膜結晶を成長
させる成長方法において、砒素系の第一の半導体結晶の
成長から、実質的に砒素を含まない燐系の第二の半導体
結晶の成長に移る際の成長中断中に、原料ガスとしてア
ルミニウムを含む原料ガスを供給し、ＡｌＡｓ結合また
はＡｌＰ結合を形成するものである。
【０００８】また、上記目的を達成するために本発明の
III−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法は、サセプ
タ上で加熱した基板にIII族元素原料ガス及びＶ族元素
原料ガスを供給し、上記基板表面上で上記各原料ガスを
熱分解反応させて化合物半導体の薄膜結晶を成長させる
成長方法において、砒素系の第一の半導体結晶の成長か
ら、実質的に砒素を含まない燐系の第二の半導体結晶の
成長に移る際に、原料ガスとしてアルミニウムを含む原
料ガスのみを供給するものである。
III−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法は、サセプ
タ上で加熱した基板にIII族元素原料ガス及びＶ族元素
原料ガスを供給し、上記基板表面上で上記各原料ガスを
熱分解反応させて化合物半導体の薄膜結晶を成長させる
成長方法において、砒素系の第一の半導体結晶の成長か
ら、実質的に砒素を含まない燐系の第二の半導体結晶の
成長に移る際に、原料ガスとしてアルミニウムを含む原
料ガスのみを供給するものである。
【０００９】上記構成に加え本発明の III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法は、燐系結晶の成長が始まっ
てその成長量が１分子層に満たない間、アルミニウムを
含む原料ガスを供給してもよい。
半導体薄膜結晶の成長方法は、燐系結晶の成長が始まっ
てその成長量が１分子層に満たない間、アルミニウムを
含む原料ガスを供給してもよい。
【００１０】上記構成に加え本発明の III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法は、第一の半導体がガリウム
砒素であり、第二の半導体がガリウム・インジウム・リ
ンであってもよい。
半導体薄膜結晶の成長方法は、第一の半導体がガリウム
砒素であり、第二の半導体がガリウム・インジウム・リ
ンであってもよい。
【００１１】上記構成に加え本発明の III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法は、第一の半導体がインジウ
ム・ガリウム砒素であり、第二の半導体がガリウム・イ
ンジウム・リンであってもよい。
半導体薄膜結晶の成長方法は、第一の半導体がインジウ
ム・ガリウム砒素であり、第二の半導体がガリウム・イ
ンジウム・リンであってもよい。
【００１２】上記構成に加え本発明の III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法は、アルミニウムを含む原料
ガスにトリメチルアルミニウムを用いてもよい。
半導体薄膜結晶の成長方法は、アルミニウムを含む原料
ガスにトリメチルアルミニウムを用いてもよい。
【００１３】上記構成に加え本発明の III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法は、砒素系の第一の半導体結
晶と燐系の第二の半導体結晶との界面に１分子を超えな
い厚さのＡｌＡｓ結合またはＡｌＰ結合を含む層が形成
されていてもよい。
半導体薄膜結晶の成長方法は、砒素系の第一の半導体結
晶と燐系の第二の半導体結晶との界面に１分子を超えな
い厚さのＡｌＡｓ結合またはＡｌＰ結合を含む層が形成
されていてもよい。
【００１４】本発明のエピタキシャルウェハは、砒素系
の第一の半導体結晶と燐系の第二の半導体結晶との界面
に１分子を超えない厚さのＡｌＡｓ結合またはＡｌＰ結
合を含む層が形成されているものである。
の第一の半導体結晶と燐系の第二の半導体結晶との界面
に１分子を超えない厚さのＡｌＡｓ結合またはＡｌＰ結
合を含む層が形成されているものである。
【００１５】本発明の特徴は、ＩｎＧａＡｓ結晶の表面
に残留している砒素原子を覆って、III族原子で終端さ
せるために、ＩｎＧａＡｓからＧａＩｎＰに原料の供給
を切り替える前に成長中断を行い、原料ガスとしてアル
ミニウムを含む原料ガス、好ましくはトリメチルアルミ
ニウム（以下「ＴＭＡ」という）だけを供給したり、あ
るいは、ＧａＩｎＰの原料を供給して１分子層程度の成
長に相当する時間、ＴＭＡを供給することによって、Ａ
ｌＡｓ結合またはＡｌＰ結合を形成することにある。Ｉ
ｎＧａＡｓ表面にＡｌＡｓ結合もしくはＡｌＰ結合を形
成させるのは、このＡｌＡｓやＡｌＰは、結合エネルギ
ーがＧａＩｎＰやＩｎＧａＰよりも大きく、電子親和力
がＧａＩｎＰやＩｎＧａＡｓのいずれよりも小さいた
め、両者の界面はより安定となり、電子の閉じ込めはよ
り堅固なものとなり、ＨＥＭＴの電気的特性が向上す
る。なお、ＡｌＰが形成されるかＡｌＡｓが形成される
かについては不明であるが、いずれの場合でも界面のＡ
ｓ／Ｐ置換を抑えて、優れた界面急峻性を実現すること
ができる。
に残留している砒素原子を覆って、III族原子で終端さ
せるために、ＩｎＧａＡｓからＧａＩｎＰに原料の供給
を切り替える前に成長中断を行い、原料ガスとしてアル
ミニウムを含む原料ガス、好ましくはトリメチルアルミ
ニウム（以下「ＴＭＡ」という）だけを供給したり、あ
るいは、ＧａＩｎＰの原料を供給して１分子層程度の成
長に相当する時間、ＴＭＡを供給することによって、Ａ
ｌＡｓ結合またはＡｌＰ結合を形成することにある。Ｉ
ｎＧａＡｓ表面にＡｌＡｓ結合もしくはＡｌＰ結合を形
成させるのは、このＡｌＡｓやＡｌＰは、結合エネルギ
ーがＧａＩｎＰやＩｎＧａＰよりも大きく、電子親和力
がＧａＩｎＰやＩｎＧａＡｓのいずれよりも小さいた
め、両者の界面はより安定となり、電子の閉じ込めはよ
り堅固なものとなり、ＨＥＭＴの電気的特性が向上す
る。なお、ＡｌＰが形成されるかＡｌＡｓが形成される
かについては不明であるが、いずれの場合でも界面のＡ
ｓ／Ｐ置換を抑えて、優れた界面急峻性を実現すること
ができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１７】図１は本発明の III−Ｖ族化合物半導体薄
膜結晶の成長方法の一実施の形態を示すガスシーケンス
である。図２は図１に示した方法によって得られたエピ
タキシャルウェハの断面構造を示す図である。
膜結晶の成長方法の一実施の形態を示すガスシーケンス
である。図２は図１に示した方法によって得られたエピ
タキシャルウェハの断面構造を示す図である。
【００１８】図２に示すエピタキシャルウェハは、Ｇａ
Ａｓ ｓｕｂ（ＧａＡｓ基板）１の上に厚さ５００ｎｍ
のｕｎ−ＧａＡｓ２、厚さ１４ｎｍのｕｎ−Ｉｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓ３、厚さ３０ｎｍで濃度２ｅ１８ｃｍ-3のｎ
−Ｇａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ４を順次積層したものである。
Ａｓ ｓｕｂ（ＧａＡｓ基板）１の上に厚さ５００ｎｍ
のｕｎ−ＧａＡｓ２、厚さ１４ｎｍのｕｎ−Ｉｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓ３、厚さ３０ｎｍで濃度２ｅ１８ｃｍ-3のｎ
−Ｇａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ４を順次積層したものである。
【００１９】このエピタキシャルウェハの製造方法を以
下に示す。
下に示す。
【００２０】サセプタ上に、例えば直径約４インチのＧ
ａＡｓ基板１を置き、サセプタ温度を薄膜の成長温度で
ある約６００℃まで加熱する。サセプタは約１１ｒｐｍ
で回転させる。
ａＡｓ基板１を置き、サセプタ温度を薄膜の成長温度で
ある約６００℃まで加熱する。サセプタは約１１ｒｐｍ
で回転させる。
【００２１】この状態で図示しないガス導入口から図１
に示すガスシーケンスに従ってＧａＡｓの原料ガスであ
る水素希釈したトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）とを供給してＧａＡｓを成長させ、続い
てトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を追加供給してＩｎ
ＧａＡｓを成長させた後、ＧａＩｎＰの成長に移る際に
結晶成長を中断し、原料ガスとしてＴＭＡのみを約３．
０ｓｅｃ供給する。続いてＴＭＡの供給を止めると共に
ＧａＩｎＰの原料ガスであるトリメチルインジウムＴＭ
Ｉ、トリエチルガリウムＴＥＧ、フォスフィンＰＨ3 及
びジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 図示せず）の混合ガスを供給し
てＧａＩｎＰを成長させ、図２に示すエピタキシャルウ
ェハが得られた。なお、上記実施の形態では、成長中断
中にＴＭＡを約３．０ｓｅｃ供給したが、これをＩｎＧ
ａＰ成長開始と同時に約３．０ｓｅｃ供給してもよい。
に示すガスシーケンスに従ってＧａＡｓの原料ガスであ
る水素希釈したトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とアルシ
ン（ＡｓＨ3 ）とを供給してＧａＡｓを成長させ、続い
てトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を追加供給してＩｎ
ＧａＡｓを成長させた後、ＧａＩｎＰの成長に移る際に
結晶成長を中断し、原料ガスとしてＴＭＡのみを約３．
０ｓｅｃ供給する。続いてＴＭＡの供給を止めると共に
ＧａＩｎＰの原料ガスであるトリメチルインジウムＴＭ
Ｉ、トリエチルガリウムＴＥＧ、フォスフィンＰＨ3 及
びジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 図示せず）の混合ガスを供給し
てＧａＩｎＰを成長させ、図２に示すエピタキシャルウ
ェハが得られた。なお、上記実施の形態では、成長中断
中にＴＭＡを約３．０ｓｅｃ供給したが、これをＩｎＧ
ａＰ成長開始と同時に約３．０ｓｅｃ供給してもよい。
【００２２】次に図２に示すＧａＡｓ基板１上に選択ド
ープ構造のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ／Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
薄膜３、４を成長させたエピタキシャルウェハを、ホー
ル効果測定により、その電子移動度を測定した。
ープ構造のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ／Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
薄膜３、４を成長させたエピタキシャルウェハを、ホー
ル効果測定により、その電子移動度を測定した。
【００２３】以下、本実施の形態の効果を調べるため以
下の４通りの方法で比較した。
下の４通りの方法で比較した。
【００２４】(1) 成長中断を行わない成長方法
(2) 成長中断はあるがＴＭＡを供給しない成長方法
(3) 成長中断中にＴＭＡを供給する成長方法
(4) ＩｎＧａＰ成長開始と同時にＴＭＡを供給する成長
方法 上記(1) 〜(4) 電子移動度を比較した結果、条件(1) で
４５００ｃｍ2 Ｖ-1ｓｅｃ-1であったのが、条件(3),
(4) では６０００ｃｍ2 Ｖ-1ｓｅｃ-1まで増加した。ま
た、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度プロファイルをとっ
たところ、図３に示すように移動度が高いものは界面に
電子が閉じ込められ、２次元電子ガスのピークが高くな
ることが分かった。
方法 上記(1) 〜(4) 電子移動度を比較した結果、条件(1) で
４５００ｃｍ2 Ｖ-1ｓｅｃ-1であったのが、条件(3),
(4) では６０００ｃｍ2 Ｖ-1ｓｅｃ-1まで増加した。ま
た、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度プロファイルをとっ
たところ、図３に示すように移動度が高いものは界面に
電子が閉じ込められ、２次元電子ガスのピークが高くな
ることが分かった。
【００２５】尚、図３は成長法による２次元電子ガス濃
度の変化を示す図である。同図において横軸が深さを示
し、縦軸が２次元電子ガス濃度を示している。実線は成
長法(1) を示し、破線は成長法(2) を示し、破線に×印
は成長法(3) を示し、破線に○印は成長法(4) をそれぞ
れ示している。
度の変化を示す図である。同図において横軸が深さを示
し、縦軸が２次元電子ガス濃度を示している。実線は成
長法(1) を示し、破線は成長法(2) を示し、破線に×印
は成長法(3) を示し、破線に○印は成長法(4) をそれぞ
れ示している。
【００２６】以上の結果より、本実施の形態による成長
方法によって、界面のダレを抑えることができ、電子の
移動度を高める効果があることが分かった。
方法によって、界面のダレを抑えることができ、電子の
移動度を高める効果があることが分かった。
【００２７】（最適条件についての根拠）成長中断中に
供給するＴＭＡの量は、ＡｌＡｓもしくはＡｌＰ換算で
１分子層以下が好ましい。これは１分子層を超えてＡｌ
原料を供給すれば、Ａｌ同士が固まって欠陥を形成する
からである。また、１分子層より極端に少なければ、表
面の覆われ方にムラが発生し、マクロ的にみて十分な特
性が発揮できないと考えられる。
供給するＴＭＡの量は、ＡｌＡｓもしくはＡｌＰ換算で
１分子層以下が好ましい。これは１分子層を超えてＡｌ
原料を供給すれば、Ａｌ同士が固まって欠陥を形成する
からである。また、１分子層より極端に少なければ、表
面の覆われ方にムラが発生し、マクロ的にみて十分な特
性が発揮できないと考えられる。
【００２８】もし同時にＶ族ガスを供給すれば、 III族
原子による表面終端の効果ではなく、単にＡｌＡｓある
いはＡｌＰを界面に挟んだ多層構造となり、本実施の形
態とは全く異なる。
原子による表面終端の効果ではなく、単にＡｌＡｓある
いはＡｌＰを界面に挟んだ多層構造となり、本実施の形
態とは全く異なる。
【００２９】尚、本実施の形態では、電子デバイス用薄
膜成長の場合で説明したが、ヘテロ接合を用いるデバイ
スならレーザ用薄膜成長にも適用が可能である。
膜成長の場合で説明したが、ヘテロ接合を用いるデバイ
スならレーザ用薄膜成長にも適用が可能である。
【００３０】以上において本成長方法によれば、急峻な
ヘテロ界面を形成することができる。また、本成長方法
によって得られた結晶を用いることにより、高電子移動
度が得られ、利得や雑音特性に優れたトランジスタを実
現することができる。
ヘテロ界面を形成することができる。また、本成長方法
によって得られた結晶を用いることにより、高電子移動
度が得られ、利得や雑音特性に優れたトランジスタを実
現することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３２】電気的特性を向上させた III−Ｖ族化合物
半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハの
提供を実現することができる。
半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハの
提供を実現することができる。
【図１】本発明の III−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成
長方法の一実施の形態を示すガスシーケンスである。
長方法の一実施の形態を示すガスシーケンスである。
【図２】図１に示した方法によって得られたエピタキシ
ャルウェハの断面構造を示す図である。
ャルウェハの断面構造を示す図である。
【図３】成長法による２次元電子ガス濃度の変化を示す
図である。
図である。
ＴＭＧ トリメチルガリウム
ＴＥＧ トリエチルガリウム
ＴＭＩ トリメチルインジウム
ＴＭＡ トリメチルアルミニウム
ＡｓＨ3 アルシン
ＰＨ3 フォスフィン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 29/812
// Ｈ０１Ｓ 5/323
(56)参考文献 特開 平９−45625（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
C30B 25/02
C30B 29/40 502
H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
H01S 5/323
Claims (7)
- 【請求項１】 サセプタ上で加熱した基板にIII族元素
原料ガス及びＶ族元素原料ガスを供給し、上記基板表面
上で上記各原料ガスを熱分解反応させて化合物半導体の
薄膜結晶を成長させる成長方法において、砒素系の第一
の半導体結晶の成長から、実質的に砒素を含まない燐系
の第二の半導体結晶の成長に移る際の成長中断中に、原
料ガスとしてアルミニウムを含む原料ガスを供給し、Ａ
ｌＡｓ結合またはＡｌＰ結合を形成することを特徴とす
るIII−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項２】 サセプタ上で加熱した基板にIII族元素
原料ガス及びＶ族元素原料ガスを供給し、上記基板表面
上で上記各原料ガスを熱分解反応させて化合物半導体の
薄膜結晶を成長させる成長方法において、砒素系の第一
の半導体結晶の成長から、実質的に砒素を含まない燐系
の第二の半導体結晶の成長に移る際に、原料ガスとして
アルミニウムを含む原料ガスのみを供給することを特徴
とするIII−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項３】 上記燐系結晶の成長が始まってその成長
量が１分子層に満たない間、上記アルミニウムを含む原
料ガスを供給する請求項１に記載のIII−Ｖ族化合物半
導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項４】 上記第一の半導体がガリウム砒素であ
り、上記第二の半導体がガリウム・インジウム・リンで
ある請求項１から３のいずれかに記載のIII−Ｖ族化合
物半導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項５】 上記第一の半導体がインジウム・ガリウ
ム砒素であり、上記第二の半導体がガリウム・インジウ
ム・リンである請求項１から３のいずれかに記載のIII
−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項６】 上記アルミニウムを含む原料ガスにトリ
メチルアルミニウムを用いた請求項１から５のいずれか
に記載のIII−Ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法。 - 【請求項７】 砒素系の第一の半導体結晶と燐系の第二
の半導体結晶との界面に１分子を越えない厚さのＡｌＡ
ｓ結合またはＡｌＰ結合を含む層が形成されていること
を特徴とするエピタキシャルウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06830399A JP3485016B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06830399A JP3485016B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜結晶の成長方法及びエピタキシャルウェハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269138A JP2000269138A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3485016B2 true JP3485016B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=13369903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1999
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