JP3469130B2 - Ｘ線平面検出装置 - Google Patents
Ｘ線平面検出装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＸ線診断装
置等のＸ線を用いて画像を撮像する装置のＸ線検出手段
として設けて好適なＸ線平面検出装置に関する。
置等のＸ線を用いて画像を撮像する装置のＸ線検出手段
として設けて好適なＸ線平面検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばＣアームやΩアームの両端
部にＸ線発生部及びＸ線検出部を対向配置したＸ線診断
装置が知られている。前記Ｘ線検出部としては、イメー
ジインテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）及びテレビジョンカ
メラ装置によりＸ線像の取り込みを行うＩ．Ｉ．−ＴＶ
系が広く知られているのであるが、装置の軽量化等を図
る目的から、近年においては、半導体素子で形成された
複数のＸ線検出素子を２次元的に配列してＸ線像の取り
込みを行うＸ線平面検出器が、前記Ｉ．Ｉ．−光学系に
代わって設けられつつある。このＸ線平面検出器として
は、「直接変換型」のＸ線平面検出器及び「間接変換
型」のＸ線平面検出器が知られている。
部にＸ線発生部及びＸ線検出部を対向配置したＸ線診断
装置が知られている。前記Ｘ線検出部としては、イメー
ジインテンシファイア（Ｉ．Ｉ．）及びテレビジョンカ
メラ装置によりＸ線像の取り込みを行うＩ．Ｉ．−ＴＶ
系が広く知られているのであるが、装置の軽量化等を図
る目的から、近年においては、半導体素子で形成された
複数のＸ線検出素子を２次元的に配列してＸ線像の取り
込みを行うＸ線平面検出器が、前記Ｉ．Ｉ．−光学系に
代わって設けられつつある。このＸ線平面検出器として
は、「直接変換型」のＸ線平面検出器及び「間接変換
型」のＸ線平面検出器が知られている。
【０００３】「直接変換型」のＸ線平面検出器は、図７
（ａ）に示すようにガラス支持台１００上にＸ線検出系
１０１と、例えばアモルファス・セレンで形成されたＸ
線変換系１０２を積層することで形成されている。この
「直接変換型」のＸ線平面検出器は、アモルファス・セ
レンでＸ線量に対応する電荷を直接的に形成し、この電
荷をＸ線検出系１０１が画像データとして出力するよう
になっている。
（ａ）に示すようにガラス支持台１００上にＸ線検出系
１０１と、例えばアモルファス・セレンで形成されたＸ
線変換系１０２を積層することで形成されている。この
「直接変換型」のＸ線平面検出器は、アモルファス・セ
レンでＸ線量に対応する電荷を直接的に形成し、この電
荷をＸ線検出系１０１が画像データとして出力するよう
になっている。
【０００４】「間接変換型」のＸ線平面検出器は、図７
（ｂ）に示すようにガラス支持台１００上にＸ線検出系
１０１と、例えばシンチレータで形成されたＸ線変換系
１０２を積層することで形成されている。この「間接変
換型」のＸ線平面検出器は、シンチレータでＸ線を光に
変換し、Ｘ線検出系１０１でこのＸ線に対応する光の光
量に応じた電荷を形成し、これを画像データとして出力
するようになっている。
（ｂ）に示すようにガラス支持台１００上にＸ線検出系
１０１と、例えばシンチレータで形成されたＸ線変換系
１０２を積層することで形成されている。この「間接変
換型」のＸ線平面検出器は、シンチレータでＸ線を光に
変換し、Ｘ線検出系１０１でこのＸ線に対応する光の光
量に応じた電荷を形成し、これを画像データとして出力
するようになっている。
【０００５】図８は、「直接変換型」及び「間接変換
型」の各Ｘ線平面検出器のＸ線変換系（アモルファス・
セレン１０２或いはシンチレータ１０３）の下層に位置
するＸ線検出系１０１を模式的に示した図である。この
図８からわかるように各Ｘ線平面検出器のＸ線検出系１
０１は、複数のＸ線検出素子１１０を２次元的に配列す
ると共に、該各Ｘ線検出素子１１０に蓄積された電荷を
読み出すための選択信号ライン１１３と、各Ｘ線検出素
子１１０から読み出された電荷を転送するための信号ラ
イン１１４と、信号ライン１１４を介して転送された電
荷を所定の利得で増幅し、これを画像データとして出力
する読み出し回路１１５とを接続して構成されている。
型」の各Ｘ線平面検出器のＸ線変換系（アモルファス・
セレン１０２或いはシンチレータ１０３）の下層に位置
するＸ線検出系１０１を模式的に示した図である。この
図８からわかるように各Ｘ線平面検出器のＸ線検出系１
０１は、複数のＸ線検出素子１１０を２次元的に配列す
ると共に、該各Ｘ線検出素子１１０に蓄積された電荷を
読み出すための選択信号ライン１１３と、各Ｘ線検出素
子１１０から読み出された電荷を転送するための信号ラ
イン１１４と、信号ライン１１４を介して転送された電
荷を所定の利得で増幅し、これを画像データとして出力
する読み出し回路１１５とを接続して構成されている。
【０００６】さらに詳しくは、「間接変換型」のＸ線平
面検出器のＸ線検出系１０１を例にとって説明すると、
図９は、このＸ線検出系１０１の回路図なのであるが、
この図からわかるようにＸ線検出系１０１を構成する複
数のＸ線検出素子１１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１１１、電荷蓄積用コンデンサ１１２及びフォトダ
イオード１１３を有している。ＴＦＴ１１１のゲート
は、選択信号ライン１１４を介してゲートパルスジェネ
レータ１２０に接続されており、ドレインは読み出し信
号ライン１１５を介して読み出し回路１２１に接続され
ており、また、ソースは電荷蓄積用コンデンサ１１３に
接続されている。
面検出器のＸ線検出系１０１を例にとって説明すると、
図９は、このＸ線検出系１０１の回路図なのであるが、
この図からわかるようにＸ線検出系１０１を構成する複
数のＸ線検出素子１１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１１１、電荷蓄積用コンデンサ１１２及びフォトダ
イオード１１３を有している。ＴＦＴ１１１のゲート
は、選択信号ライン１１４を介してゲートパルスジェネ
レータ１２０に接続されており、ドレインは読み出し信
号ライン１１５を介して読み出し回路１２１に接続され
ており、また、ソースは電荷蓄積用コンデンサ１１３に
接続されている。
【０００７】このような「間接変換型」のＸ線平面検出
器では、フォトダイオード１１３が、前記シンチレータ
１０３で変換された光に基づいて電荷を形成し、これを
電荷蓄積用コンデンサ１１２に供給する。ゲートパルス
ジェネレータ１２０は、選択信号ライン１１４を介して
各Ｘ線検出素子１１０のＴＦＴ１１１にゲート電圧を印
加することで該各ＴＦＴ１１１をオン駆動する。これに
より、電荷蓄積用コンデンサ１１２に蓄積された電荷が
読み出し信号ライン１１５上に読み出され、読み出し回
路１２１を介して画像データとして出力される。
器では、フォトダイオード１１３が、前記シンチレータ
１０３で変換された光に基づいて電荷を形成し、これを
電荷蓄積用コンデンサ１１２に供給する。ゲートパルス
ジェネレータ１２０は、選択信号ライン１１４を介して
各Ｘ線検出素子１１０のＴＦＴ１１１にゲート電圧を印
加することで該各ＴＦＴ１１１をオン駆動する。これに
より、電荷蓄積用コンデンサ１１２に蓄積された電荷が
読み出し信号ライン１１５上に読み出され、読み出し回
路１２１を介して画像データとして出力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような
「直接変換型」及び「間接変換型」の各Ｘ線平面検出器
は、ガラス支持台１００上にＸ線変換系１０２，１０３
を蒸着して形成されるのであるが、この蒸着の際に発生
する水分により図１０に示すようにガラス支持台１００
に反りを生ずる問題があった。また、製造工程中にガラ
ス支持台１００に反りが生じなくても、製品完成後に湿
気等により、ガラス支持台１００とＸ線変換系１０２，
１０３との膨張率の違いからガラス支持台１００に反り
を生ずる問題があった。
「直接変換型」及び「間接変換型」の各Ｘ線平面検出器
は、ガラス支持台１００上にＸ線変換系１０２，１０３
を蒸着して形成されるのであるが、この蒸着の際に発生
する水分により図１０に示すようにガラス支持台１００
に反りを生ずる問題があった。また、製造工程中にガラ
ス支持台１００に反りが生じなくても、製品完成後に湿
気等により、ガラス支持台１００とＸ線変換系１０２，
１０３との膨張率の違いからガラス支持台１００に反り
を生ずる問題があった。
【０００９】ガラス支持台１００は、Ｘ線平面検出器の
小型軽量化を図るために年々薄型化する傾向にある。例
えばアモルファス・セレンの厚みは１ｍｍ程度であるの
に対し、ガラス支持台１００の厚みは０．７ｍｍと、蒸
着されるアモルファス・セレンの厚みよりも薄くなって
いる。このため、このようなガラス支持台１００に反り
を生ずる問題は、年々、より顕著となっている。
小型軽量化を図るために年々薄型化する傾向にある。例
えばアモルファス・セレンの厚みは１ｍｍ程度であるの
に対し、ガラス支持台１００の厚みは０．７ｍｍと、蒸
着されるアモルファス・セレンの厚みよりも薄くなって
いる。このため、このようなガラス支持台１００に反り
を生ずる問題は、年々、より顕著となっている。
【００１０】さらに、湿気等によりＸ線平面検出器内に
水分が浸透すると、カビが発生したり、機器が劣化する
問題もある。
水分が浸透すると、カビが発生したり、機器が劣化する
問題もある。
【００１１】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、製造中及び製造後における湿気等によりガラ
ス支持台に反りを生ずる不都合、及びＸ線平面検出器内
に水分が浸透してカビが発生し、また、機器が劣化する
不都合を防止することができるようなＸ線平面検出装置
の提供を目的とする。
のであり、製造中及び製造後における湿気等によりガラ
ス支持台に反りを生ずる不都合、及びＸ線平面検出器内
に水分が浸透してカビが発生し、また、機器が劣化する
不都合を防止することができるようなＸ線平面検出装置
の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、複数のガラス支持台を張り合わせた基板
と、入射したＸ線のＸ線量に対応する電荷を形成するＸ
線変換系と、前記Ｘ線変換系で形成された電荷に基づい
た画像データを出力するＸ線検出系と、水分の透過を抑
える防湿手段とを備え、前記Ｘ線変換系は、前記複数の
ガラス支持台を張り合わせて基板を形成したうえで前記
Ｘ線検出系上に積層され、さらに前記防湿手段を前記Ｘ
線変換系上に積層することを特徴とするものである。ま
た、複数のガラス支持台を張り合わせた基板と、入射し
たＸ線を光に変換するＸ線変換系と、前記Ｘ線変換系で
変換された光の光量に応じた電荷を形成し、前記電荷に
基づいた画像データを出力するＸ線検出系と、水分の透
過を抑える防湿手段とを備え、前記Ｘ線変換系は、前記
複数のガラス支持台を張り合わせて基板を形成したうえ
で前記Ｘ線検出系上に積層され、さらに前記防湿手段を
前記Ｘ線変換系上に積層することを特徴とするものであ
る。さらに、前記Ｘ線変換系は、前記Ｘ線検出系上に蒸
着処理にて積層されることを特徴とするものである。 さ
らに、前記防湿手段は、ガラス板または防湿性樹脂であ
ることを特徴とするものである。 さらに、前記防湿樹脂
は、前記基板上に形成される外部接続用電極と、前記Ｘ
線変換検出系、または前記Ｘ線変換系及び前記Ｘ線検出
系とを区切る堰部を設けたうえで積層されることを特徴
とするものである。 さらに、前記基板は、Ｘ線を遮蔽す
るＸ線遮蔽部材を含むことを特徴とするものである。
に、本発明は、複数のガラス支持台を張り合わせた基板
と、入射したＸ線のＸ線量に対応する電荷を形成するＸ
線変換系と、前記Ｘ線変換系で形成された電荷に基づい
た画像データを出力するＸ線検出系と、水分の透過を抑
える防湿手段とを備え、前記Ｘ線変換系は、前記複数の
ガラス支持台を張り合わせて基板を形成したうえで前記
Ｘ線検出系上に積層され、さらに前記防湿手段を前記Ｘ
線変換系上に積層することを特徴とするものである。ま
た、複数のガラス支持台を張り合わせた基板と、入射し
たＸ線を光に変換するＸ線変換系と、前記Ｘ線変換系で
変換された光の光量に応じた電荷を形成し、前記電荷に
基づいた画像データを出力するＸ線検出系と、水分の透
過を抑える防湿手段とを備え、前記Ｘ線変換系は、前記
複数のガラス支持台を張り合わせて基板を形成したうえ
で前記Ｘ線検出系上に積層され、さらに前記防湿手段を
前記Ｘ線変換系上に積層することを特徴とするものであ
る。さらに、前記Ｘ線変換系は、前記Ｘ線検出系上に蒸
着処理にて積層されることを特徴とするものである。 さ
らに、前記防湿手段は、ガラス板または防湿性樹脂であ
ることを特徴とするものである。 さらに、前記防湿樹脂
は、前記基板上に形成される外部接続用電極と、前記Ｘ
線変換検出系、または前記Ｘ線変換系及び前記Ｘ線検出
系とを区切る堰部を設けたうえで積層されることを特徴
とするものである。 さらに、前記基板は、Ｘ線を遮蔽す
るＸ線遮蔽部材を含むことを特徴とするものである。
【００１３】このようなＸ線平面検出装置においては、
製造中及び製造後における湿気等から装置内部を保護す
ることができるので、基板に反りを生じる不都合を防止
することができると共に、装置内に水分が浸透してカビ
が発生したり、機器が劣化する不都合を防止することが
できる。さらに、基板を「合わせ基板構造」にすること
により、湿気等の水分に対する基板の耐久性を増すこと
ができ、該水分により基板にそりを生じる不都合を防止
することができる。また、「合わせ基板」を形成したう
えで、入射したＸ線に基づいた画像データを出力する系
を形成することにより、該系の形成時に基板に反りを生
じてしまうといった不都合を防止することができるの
で、該系の形成を正確に行うことができ、製造歩留まり
の向上を図ることができる。
製造中及び製造後における湿気等から装置内部を保護す
ることができるので、基板に反りを生じる不都合を防止
することができると共に、装置内に水分が浸透してカビ
が発生したり、機器が劣化する不都合を防止することが
できる。さらに、基板を「合わせ基板構造」にすること
により、湿気等の水分に対する基板の耐久性を増すこと
ができ、該水分により基板にそりを生じる不都合を防止
することができる。また、「合わせ基板」を形成したう
えで、入射したＸ線に基づいた画像データを出力する系
を形成することにより、該系の形成時に基板に反りを生
じてしまうといった不都合を防止することができるの
で、該系の形成を正確に行うことができ、製造歩留まり
の向上を図ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の参考例について説
明する。図１は、直接変換型のＸ線平面検出器に適用し
た例であり、その断面を示している。この直接変換型Ｘ
線平面検出器は、ガラス支持台１上に、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）や電荷蓄積用コンデンサ等を有する複数の
Ｘ線検出素子２を２次元的に配列して形成すると共に、
この各Ｘ線検出素子２上に例えばアモルファス・セレン
等のフォトコンダクタ３を蒸着すると共に、このフォト
コンダクタ３上に上部電極４を形成し、その上から防湿
部材５でコーティング処理を施すことで形成されてい
る。
明する。図１は、直接変換型のＸ線平面検出器に適用し
た例であり、その断面を示している。この直接変換型Ｘ
線平面検出器は、ガラス支持台１上に、薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）や電荷蓄積用コンデンサ等を有する複数の
Ｘ線検出素子２を２次元的に配列して形成すると共に、
この各Ｘ線検出素子２上に例えばアモルファス・セレン
等のフォトコンダクタ３を蒸着すると共に、このフォト
コンダクタ３上に上部電極４を形成し、その上から防湿
部材５でコーティング処理を施すことで形成されてい
る。
【００１５】防湿部材５は防湿性樹脂となっており、例
えばスリーボンド社製のポッティング剤（型番１２３
０）等を使用することができる。この防湿部材５は、例
えば下層部に水分を０．０１％以下しか透過させない厚
さとなっている。
えばスリーボンド社製のポッティング剤（型番１２３
０）等を使用することができる。この防湿部材５は、例
えば下層部に水分を０．０１％以下しか透過させない厚
さとなっている。
【００１６】このような防湿部材５を用いたコーティン
グ処理は、以下のように行われる。まず、ガラス支持台
１上に複数のＸ線検出素子２を２次元的に配列して形成
すると共に、ガラス支持台１上の縁側に各Ｘ線検出素子
２で形成された画像データを取り出すための外部接続用
電極６を形成する。
グ処理は、以下のように行われる。まず、ガラス支持台
１上に複数のＸ線検出素子２を２次元的に配列して形成
すると共に、ガラス支持台１上の縁側に各Ｘ線検出素子
２で形成された画像データを取り出すための外部接続用
電極６を形成する。
【００１７】次に、各Ｘ線検出素子２上にフォトコンダ
クタ３を蒸着し、このフォトコンダクタ３上に上部電極
４を形成すると共に、フォトコンダクタ３と外部接続用
電極６とを物理的に区切る堰部７（せき部）を設ける。
そして、ガラス支持台１を地面に対して水平な状態で回
転させると共に、この回転の中心に防湿部材５を点滴す
る。
クタ３を蒸着し、このフォトコンダクタ３上に上部電極
４を形成すると共に、フォトコンダクタ３と外部接続用
電極６とを物理的に区切る堰部７（せき部）を設ける。
そして、ガラス支持台１を地面に対して水平な状態で回
転させると共に、この回転の中心に防湿部材５を点滴す
る。
【００１８】これにより、回転するガラス支持台１の中
心からガラス支持台１の縁側に向かう力である遠心力が
発生し、ガラス支持台１に点滴された防湿部材５が、い
わゆるスピンコーティングによりガラス支持台１の外側
に向かって押し広げられながら塗布されることとなる。
堰部７は、この遠心力により押し広げられる防湿部材５
を、外部接続用電極６の直前で堰止める。なお、この堰
部７は、防湿部材５が、ある程度凝固した段階で取り除
かれる。
心からガラス支持台１の縁側に向かう力である遠心力が
発生し、ガラス支持台１に点滴された防湿部材５が、い
わゆるスピンコーティングによりガラス支持台１の外側
に向かって押し広げられながら塗布されることとなる。
堰部７は、この遠心力により押し広げられる防湿部材５
を、外部接続用電極６の直前で堰止める。なお、この堰
部７は、防湿部材５が、ある程度凝固した段階で取り除
かれる。
【００１９】これにより、フォトコンダクタ３上に均一
な厚さで防湿部材５を塗布することができ、また、堰部
７により外部接続用電極６にまで防湿部材５が流れ込む
不都合を防止することができる。
な厚さで防湿部材５を塗布することができ、また、堰部
７により外部接続用電極６にまで防湿部材５が流れ込む
不都合を防止することができる。
【００２０】以上の説明から明らかなように、このＸ線
平面検出器においては、ガラス支持台１上に形成された
Ｘ線検出素子２やフォトコンダクタ３を、防湿部材５に
よりコーティング処理している。このため、湿気等によ
り、Ｘ線検出素子２やフォトコンダクタ３等の下層部に
水分が浸透する不都合を防止することができる。従っ
て、下層部に水分が浸透することで、ガラス支持台１と
フォトコンダクタ３との膨張率の違いからガラス支持台
１に反りを生じたり、カビが発生したり、また、機器が
劣化する等の不都合を防止することができる。
平面検出器においては、ガラス支持台１上に形成された
Ｘ線検出素子２やフォトコンダクタ３を、防湿部材５に
よりコーティング処理している。このため、湿気等によ
り、Ｘ線検出素子２やフォトコンダクタ３等の下層部に
水分が浸透する不都合を防止することができる。従っ
て、下層部に水分が浸透することで、ガラス支持台１と
フォトコンダクタ３との膨張率の違いからガラス支持台
１に反りを生じたり、カビが発生したり、また、機器が
劣化する等の不都合を防止することができる。
【００２１】また、防湿部材５のコーティング処理は、
スピンコーティングで行うようになっているため、防湿
部材５を均一な厚さで塗布することを可能とすることが
できる。また、フォトコンダクタ３と外部接続用電極６
とを物理的に区切る堰部７を設けたうえでスピンコーテ
ィング処理を行うことにより、スピンコーティング処理
により外部接続用電極６が設けられた領域にまで防湿部
材５が流れ込む不都合を防止したうえで当該Ｘ線平面検
出器を製造することができる。
スピンコーティングで行うようになっているため、防湿
部材５を均一な厚さで塗布することを可能とすることが
できる。また、フォトコンダクタ３と外部接続用電極６
とを物理的に区切る堰部７を設けたうえでスピンコーテ
ィング処理を行うことにより、スピンコーティング処理
により外部接続用電極６が設けられた領域にまで防湿部
材５が流れ込む不都合を防止したうえで当該Ｘ線平面検
出器を製造することができる。
【００２２】なお、上述の例は、直接変換型のＸ線平面
検出器の例であるが、もちろん間接変換型のＸ線平面検
出器に適用してもよい。
検出器の例であるが、もちろん間接変換型のＸ線平面検
出器に適用してもよい。
【００２３】この場合、間接変換型のＸ線平面検出器
は、図２に示すようにガラス支持板１上に薄膜トランジ
スタ１０やフォトダイオード１１等からなるＸ線検出素
子２、及び例えばシンチレータ等のＸ線−光変換部材１
２を設け、前記堰部７によりＸ線−光変換部材１２と外
部接続用電極６とを物理的に区切ったうえで、前記スピ
ンコーティングにより防湿部材５をコーティング処理す
る。
は、図２に示すようにガラス支持板１上に薄膜トランジ
スタ１０やフォトダイオード１１等からなるＸ線検出素
子２、及び例えばシンチレータ等のＸ線−光変換部材１
２を設け、前記堰部７によりＸ線−光変換部材１２と外
部接続用電極６とを物理的に区切ったうえで、前記スピ
ンコーティングにより防湿部材５をコーティング処理す
る。
【００２４】これにより、湿気等により、Ｘ線検出素子
２やＸ線−光変換部材１２等の下層部に水分が浸透する
不都合を防止することができ、該下層部に水分が浸透す
ることにより、カビが発生したり、機器が劣化する不都
合を防止することができる等、上述の直接変換型Ｘ線平
面検出器の例と同様の効果を得ることができる。
２やＸ線−光変換部材１２等の下層部に水分が浸透する
不都合を防止することができ、該下層部に水分が浸透す
ることにより、カビが発生したり、機器が劣化する不都
合を防止することができる等、上述の直接変換型Ｘ線平
面検出器の例と同様の効果を得ることができる。
【００２５】本発明の第２の参考例について説明する。
上述の例では、防湿部材５をコーティング処理するこ
とで下層部に浸透する水分を防止するものであったが、
この例では、防湿部材５の代わりにカバーガラスをフォ
トコンダクタ３或いはＸ線−光変換部材１２に積層して
設けるようにしたものである。
上述の例では、防湿部材５をコーティング処理するこ
とで下層部に浸透する水分を防止するものであったが、
この例では、防湿部材５の代わりにカバーガラスをフォ
トコンダクタ３或いはＸ線−光変換部材１２に積層して
設けるようにしたものである。
【００２６】すなわち、図３に示すようにガラス支持板
１上に設けられたフォトコンダクタ３（或いはＸ線−光
変換部材１２）上に接着用樹脂１５を塗布し、この接着
用樹脂１５を介してカバーガラス１６をフォトコンダク
タ３に接着した構成となっている。
１上に設けられたフォトコンダクタ３（或いはＸ線−光
変換部材１２）上に接着用樹脂１５を塗布し、この接着
用樹脂１５を介してカバーガラス１６をフォトコンダク
タ３に接着した構成となっている。
【００２７】接着用樹脂１５の塗布は、刷毛等によりフ
ォトコンダクタ３に塗布してもよいが、図３中点線で示
すように堰部７でフォトコンダクタ３と外部接続用電極
６とを物理的に区切ったうえで、スピンコーティングに
より接着用樹脂１５を塗布するようにしてもよい。これ
により、外部接続用電極６の領域に接着用樹脂１５が流
れ込む不都合を防止したうえで、均一な厚みでフォトコ
ンダクタ３上に接着用樹脂１５を塗布することができ
る。
ォトコンダクタ３に塗布してもよいが、図３中点線で示
すように堰部７でフォトコンダクタ３と外部接続用電極
６とを物理的に区切ったうえで、スピンコーティングに
より接着用樹脂１５を塗布するようにしてもよい。これ
により、外部接続用電極６の領域に接着用樹脂１５が流
れ込む不都合を防止したうえで、均一な厚みでフォトコ
ンダクタ３上に接着用樹脂１５を塗布することができ
る。
【００２８】カバーガラス１６は、水分の透過率がほと
んど零に近いため、より協力な防湿効果を得ることがで
き、ガラス支持板１の反りや、下層部に水分が浸透する
ことでカビが発生したり、機器が劣化する不都合を、よ
り強力に防止することができる他、上述の例と同様の効
果を得ることができる。
んど零に近いため、より協力な防湿効果を得ることがで
き、ガラス支持板１の反りや、下層部に水分が浸透する
ことでカビが発生したり、機器が劣化する不都合を、よ
り強力に防止することができる他、上述の例と同様の効
果を得ることができる。
【００２９】本発明の第３の参考例について説明する。
この例では、前記ガラス支持板１の代わりに、Ｘ線遮
蔽部材が混入されたガラス支持板を設けたものである。
この例では、前記ガラス支持板１の代わりに、Ｘ線遮
蔽部材が混入されたガラス支持板を設けたものである。
【００３０】すなわち、図４に示すように前記ガラス支
持板１の代わりに、原子番号１５以上の元素である例え
ば「鉛（ＰＢ）」が混入されたガラス支持板１８が設け
られている。
持板１の代わりに、原子番号１５以上の元素である例え
ば「鉛（ＰＢ）」が混入されたガラス支持板１８が設け
られている。
【００３１】鉛は、Ｘ線を遮蔽する作用がある。このた
め、この鉛が混入されたガラス支持板１８を用いること
により、該ガラス支持板１８の裏側（Ｘ線の入射方向と
反対の方向）に透過するＸ線を遮蔽することができる。
本来、Ｘ線平面検出器を製造する場合、このＸ線平面検
出器の裏側に透過するＸ線を遮蔽するために、該Ｘ線平
面検出器の受像面と略同じ大きさの鉛板を必要とするの
であるが、この例においては、この鉛板を省略可能とす
ることができ、Ｘ線平面検出器の構成の簡略化及び軽量
化を可能とすることができる。
め、この鉛が混入されたガラス支持板１８を用いること
により、該ガラス支持板１８の裏側（Ｘ線の入射方向と
反対の方向）に透過するＸ線を遮蔽することができる。
本来、Ｘ線平面検出器を製造する場合、このＸ線平面検
出器の裏側に透過するＸ線を遮蔽するために、該Ｘ線平
面検出器の受像面と略同じ大きさの鉛板を必要とするの
であるが、この例においては、この鉛板を省略可能とす
ることができ、Ｘ線平面検出器の構成の簡略化及び軽量
化を可能とすることができる。
【００３２】なお、この図４は、直接変換型のＸ線平面
検出器（図１）の例であるが、この鉛が混入されたガラ
ス支持板１８を設ける技術的思想は、図２に示した間接
変換型のＸ線平面検出器及び図３に示した防湿用のカバ
ーガラス１６を設けたＸ線平面検出器に適用しても当該
例と同様の効果を得ることができることは勿論である。
検出器（図１）の例であるが、この鉛が混入されたガラ
ス支持板１８を設ける技術的思想は、図２に示した間接
変換型のＸ線平面検出器及び図３に示した防湿用のカバ
ーガラス１６を設けたＸ線平面検出器に適用しても当該
例と同様の効果を得ることができることは勿論である。
【００３３】次に、本発明の実施の形態について説明す
る。上述の例では、防湿部材５やカバーガラス１６を設
けることで下層部に浸透する水分を防止するものであっ
たが、この実施の形態では、ガラス支持板１に反り防止
の処理を施すことで、該ガラス支持板１の反りを防止す
るようにしたものである。
る。上述の例では、防湿部材５やカバーガラス１６を設
けることで下層部に浸透する水分を防止するものであっ
たが、この実施の形態では、ガラス支持板１に反り防止
の処理を施すことで、該ガラス支持板１の反りを防止す
るようにしたものである。
【００３４】すなわち、図５に示すようにガラス支持板
１と、反り防止用の第２のガラス支持板２１とを接着剤
２０で張り合わせて、例えば計１ｍｍの厚さとした、い
わゆる合わせガラス構造となっている。
１と、反り防止用の第２のガラス支持板２１とを接着剤
２０で張り合わせて、例えば計１ｍｍの厚さとした、い
わゆる合わせガラス構造となっている。
【００３５】この合わせガラスの製造工程は、ガラス支
持板１上にＸ線検出素子２を形成した後、フォトコンダ
クタ３の蒸着前に行うようになっている。このため、フ
ォトコンダクタ３の蒸着は、ガラス支持板１と第２のガ
ラス支持板２１とを張り合わせた後に行われるわけであ
るが、例えばこのフォトコンダクタ３としてアモルファ
ス・セレンを蒸着する場合は、２００°Ｃの高温が各ガ
ラス支持板１，２１にかかる。従って、各ガラス支持板
１，２１の張り合わせに用いる接着剤は、この２００°
Ｃの高温に耐えうるものが必要となる。当該実施の形態
においては、接着剤２０として、例えばスリーボンド社
製のシリコン系接着剤（型番１２２０Ｃ）等を使用して
いる。
持板１上にＸ線検出素子２を形成した後、フォトコンダ
クタ３の蒸着前に行うようになっている。このため、フ
ォトコンダクタ３の蒸着は、ガラス支持板１と第２のガ
ラス支持板２１とを張り合わせた後に行われるわけであ
るが、例えばこのフォトコンダクタ３としてアモルファ
ス・セレンを蒸着する場合は、２００°Ｃの高温が各ガ
ラス支持板１，２１にかかる。従って、各ガラス支持板
１，２１の張り合わせに用いる接着剤は、この２００°
Ｃの高温に耐えうるものが必要となる。当該実施の形態
においては、接着剤２０として、例えばスリーボンド社
製のシリコン系接着剤（型番１２２０Ｃ）等を使用して
いる。
【００３６】これにより、各ガラス支持板１，２１を張
り合わせた後にフォトコンダクタ３の蒸着処理を行うこ
とができる。フォトコンダクタ３の蒸着処理において
は、高温となるため水分が発生しガラス支持板１に反り
を生ずる虞があるが、このような合わせガラス構造とす
ることにより、フォトコンダクタ３の蒸着処理により発
生した水分でガラス支持板１及び第２のガラス支持板２
１に反りが生ずる不都合を防止することができる。
り合わせた後にフォトコンダクタ３の蒸着処理を行うこ
とができる。フォトコンダクタ３の蒸着処理において
は、高温となるため水分が発生しガラス支持板１に反り
を生ずる虞があるが、このような合わせガラス構造とす
ることにより、フォトコンダクタ３の蒸着処理により発
生した水分でガラス支持板１及び第２のガラス支持板２
１に反りが生ずる不都合を防止することができる。
【００３７】また、フォトコンダクタ３の蒸着処理を行
った後に、各ガラス支持板１，２１を張り合わせてもよ
いが、この場合、フォトコンダクタ３の蒸着処理でガラ
ス支持板１に反りを生じ、不良品が発生する虞がある。
このため、フォトコンダクタ３の蒸着処理前に合わせガ
ラス工程を行うことにより、フォトコンダクタ３の蒸着
処理によるガラス支持板の反りを略々確実に防止するこ
とができ、製造歩留まりの向上を図ることができる。
った後に、各ガラス支持板１，２１を張り合わせてもよ
いが、この場合、フォトコンダクタ３の蒸着処理でガラ
ス支持板１に反りを生じ、不良品が発生する虞がある。
このため、フォトコンダクタ３の蒸着処理前に合わせガ
ラス工程を行うことにより、フォトコンダクタ３の蒸着
処理によるガラス支持板の反りを略々確実に防止するこ
とができ、製造歩留まりの向上を図ることができる。
【００３８】なお、このような合わせガラス工程後にフ
ォトコンダクタ３を蒸着処理し上部電極４を設け、この
上から図５中点線で示すように防湿部材５をコーティン
グ処理してもよい。これにより、当該Ｘ線平面検出器の
製造中は、合わせガラス工程によりガラス支持板が反る
不都合を防止することができ、また、Ｘ線平面検出器の
製造後は、防湿部材５及び合わせガラス構造によりガラ
ス支持板が反る不都合を防止することができる。
ォトコンダクタ３を蒸着処理し上部電極４を設け、この
上から図５中点線で示すように防湿部材５をコーティン
グ処理してもよい。これにより、当該Ｘ線平面検出器の
製造中は、合わせガラス工程によりガラス支持板が反る
不都合を防止することができ、また、Ｘ線平面検出器の
製造後は、防湿部材５及び合わせガラス構造によりガラ
ス支持板が反る不都合を防止することができる。
【００３９】また、この実施形態は、図１に示すような
直接変換型のＸ線平面検出器を例にとって説明したが、
この合わせガラス工程は、図２に示すような間接変換型
のＸ線平面検出器及び図３に示すような防湿用のカバー
ガラス１６を設けたＸ線平面検出器において行っても当
該実施形態と同様の効果を得ることができることは勿論
である。
直接変換型のＸ線平面検出器を例にとって説明したが、
この合わせガラス工程は、図２に示すような間接変換型
のＸ線平面検出器及び図３に示すような防湿用のカバー
ガラス１６を設けたＸ線平面検出器において行っても当
該実施形態と同様の効果を得ることができることは勿論
である。
【００４０】次に、本発明の別の実施の形態について説
明をする。この実施の形態では、前記第２のガラス支持
板２１に代わりにＸ線遮蔽部材が混入されたガラス支持
板を設けたものである。
明をする。この実施の形態では、前記第２のガラス支持
板２１に代わりにＸ線遮蔽部材が混入されたガラス支持
板を設けたものである。
【００４１】すなわち、この実施形態のＸ線平面検出器
は、図６に示すように前記第２のガラス支持板２１の代
わりに、原子番号１５以上の元素である例えば「鉛（Ｐ
Ｂ）」が混入された第２のガラス支持板２５を用いて前
記合わせガラス構造としている。
は、図６に示すように前記第２のガラス支持板２１の代
わりに、原子番号１５以上の元素である例えば「鉛（Ｐ
Ｂ）」が混入された第２のガラス支持板２５を用いて前
記合わせガラス構造としている。
【００４２】これにより、当該Ｘ線平面検出器の製造中
及び製造後におけるガラス支持板の反りを強力に防止す
ることができるうえ、Ｘ線平面検出器の裏側に透過する
Ｘ線を遮蔽することができ、該Ｘ線平面検出器の裏側に
Ｘ線遮蔽用として設ける鉛板を省略可能として当該Ｘ線
平面検出器の構成の簡略化及び軽量化を可能とすること
ができる。
及び製造後におけるガラス支持板の反りを強力に防止す
ることができるうえ、Ｘ線平面検出器の裏側に透過する
Ｘ線を遮蔽することができ、該Ｘ線平面検出器の裏側に
Ｘ線遮蔽用として設ける鉛板を省略可能として当該Ｘ線
平面検出器の構成の簡略化及び軽量化を可能とすること
ができる。
【００４３】なお、この図６は、直接変換型のＸ線平面
検出器（図１）の例であるが、この鉛が混入されたガラ
ス支持板２５を用いて合わせガラス構造のガラス支持板
を形成する技術的思想は、図２に示した間接変換型のＸ
線平面検出器及び図３に示した防湿用のカバーガラス１
６を設けたＸ線平面検出器に適用しても当該実施形態と
同様の効果を得ることができることは勿論である。
検出器（図１）の例であるが、この鉛が混入されたガラ
ス支持板２５を用いて合わせガラス構造のガラス支持板
を形成する技術的思想は、図２に示した間接変換型のＸ
線平面検出器及び図３に示した防湿用のカバーガラス１
６を設けたＸ線平面検出器に適用しても当該実施形態と
同様の効果を得ることができることは勿論である。
【００４４】さらに、上述の実施形態では、一方のガラ
ス支持板を原子番号１５以上の元素（例えば鉛）を混入
したガラス支持板にして合わせガラスを構成する例を示
した が、合わせガラスとする各ガラス支持板を、両方と
も原子番号１５以上の元素（例えば鉛）を混入したガラ
ス支持板として合わせガラス構造としてもよい。これに
より、Ｘ線平面検出器の裏側に透過するＸ線を、より強
力に遮蔽可能とすることができる。
ス支持板を原子番号１５以上の元素（例えば鉛）を混入
したガラス支持板にして合わせガラスを構成する例を示
した が、合わせガラスとする各ガラス支持板を、両方と
も原子番号１５以上の元素（例えば鉛）を混入したガラ
ス支持板として合わせガラス構造としてもよい。これに
より、Ｘ線平面検出器の裏側に透過するＸ線を、より強
力に遮蔽可能とすることができる。
【００４５】なお、本発明は上述の各実施の形態に限定
されることはなく、本発明に係る技術的思想を逸脱しな
い範囲であれば各実施の形態以外であっても設計等に応
じて種々の変更が可能であることは勿論である。
されることはなく、本発明に係る技術的思想を逸脱しな
い範囲であれば各実施の形態以外であっても設計等に応
じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【００４６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、湿気等を確実に
防止でき、装置内に水分が浸透してカビが発生したり、
機器が劣化する不都合を防止することができると共に、
製造中に基板に反りを生じてしまうことにより不良品が
発生するといった不都合も防止することができ、製造歩
留まりの向上を図ることができる。
防止でき、装置内に水分が浸透してカビが発生したり、
機器が劣化する不都合を防止することができると共に、
製造中に基板に反りを生じてしまうことにより不良品が
発生するといった不都合も防止することができ、製造歩
留まりの向上を図ることができる。
【図１】本発明の第１の参考例に係るＸ線平面検出装置
に適用した直接変換型のＸ線平面検出器の要部の断面図
である。
に適用した直接変換型のＸ線平面検出器の要部の断面図
である。
【図２】本発明の第１の参考例に係るＸ線平面検出装置
に適用した間接変換型のＸ線平面検出器の要部の断面図
である。
に適用した間接変換型のＸ線平面検出器の要部の断面図
である。
【図３】本発明の第２の参考例に係るＸ線平面検出装置
に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
【図４】本発明の第３の参考例に係るＸ線平面検出装置
に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るＸ線平面検出装置に
適用したＸ線平面検出器の要部の 断面図である。
適用したＸ線平面検出器の要部の 断面図である。
【図６】本発明の別の実施の形態に係るＸ線平面検出装
置に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
置に適用したＸ線平面検出器の要部の断面図である。
【図７】直接変換型のＸ線平面検出器及び間接変換型の
Ｘ線平面検出器の要部の断面図である。
Ｘ線平面検出器の要部の断面図である。
【図８】従来のＸ線平面検出器の要部の回路図である。
【図９】水分によりＸ線平面検出器のガラス支持板に反
りを生ずる問題点を説明するための図である。
りを生ずる問題点を説明するための図である。
【図１０】水分によりＸ線平面検出器のガラス指示版に
反りを生ずる問題点を説明するための図である。
反りを生ずる問題点を説明するための図である。
１...ガラス支持台、２...Ｘ線検出素子、３...フォト
コンダクタ、４...上部電極、５...防湿部材、６...外
部接続用電極、７...堰部（せき部）、１０...薄膜トラ
ンジスタ、１１...フォトダイオード、１２...Ｘ線−光
変換部材、１５...接着用樹脂、１６...防湿用のカバー
ガラス、１８...鉛が混入されたガラス支持板、２０...
接着剤、２１...第２のガラス支持板、２５...鉛が混入
された第２のガラス支持板
コンダクタ、４...上部電極、５...防湿部材、６...外
部接続用電極、７...堰部（せき部）、１０...薄膜トラ
ンジスタ、１１...フォトダイオード、１２...Ｘ線−光
変換部材、１５...接着用樹脂、１６...防湿用のカバー
ガラス、１８...鉛が混入されたガラス支持板、２０...
接着剤、２１...第２のガラス支持板、２５...鉛が混入
された第２のガラス支持板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鈴木 公平
神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式
会社東芝 生産技術センター内
(56)参考文献 特開 昭48−38088（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−152486（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−36932（ＪＰ，Ａ)
国際公開98／036290（ＷＯ，Ａ１)
国際公開98／036291（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
G01T 1/20
G01T 1/24
Claims (6)
- 【請求項１】複数のガラス支持台を張り合わせた基板
と、 入射したＸ線のＸ線量に対応する電荷を形成するＸ線変
換系と、 前記Ｘ線変換系で形成された電荷に基づいた画像データ
を出力するＸ線検出系と、 水分の透過を抑える防湿手段とを備え、 前記Ｘ線変換系は、前記複数のガラス支持台を張り合わ
せて基板を形成したうえで前記Ｘ線検出系上に積層さ
れ、さらに前記防湿手段を前記Ｘ線変換系上に積層する
ことを特徴とするＸ線平面検出装置。 - 【請求項２】複数のガラス支持台を張り合わせた基板
と、 入射したＸ線を光に変換するＸ線変換系と、 前記Ｘ線変換系で変換された光の光量に応じた電荷を形
成し、前記電荷に基づいた画像データを出力するＸ線検
出系と、 水分の透過を抑える防湿手段とを備え、 前記Ｘ線変換系は、前記複数のガラス支持台を張り合わ
せて基板を形成したうえで前記Ｘ線検出系上に積層さ
れ、さらに前記防湿手段を前記Ｘ線変換系上に積層する
ことを特徴とするＸ線平面検出装置。 - 【請求項３】前記Ｘ線変換系は、前記Ｘ線検出系上に蒸
着処理にて積層されることを特徴とする請求項１または
２記載のＸ線平面検出装置。 - 【請求項４】前記防湿手段は、ガラス板または防湿性樹
脂であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一
項記載のＸ線平面検出装置。 - 【請求項５】前記防湿樹脂は、前記基板上に形成される
外部接続用電極と、前記Ｘ線変換検出系、または前記Ｘ
線変換系及び前記Ｘ線検出系とを区切る堰部を設けたう
えで積層されることを特徴とする請求項４記載のＸ線平
面検出装置。 - 【請求項６】前記基板は、Ｘ線を遮蔽するＸ線遮蔽部材
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項
記載のＸ線平面検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18684699A JP3469130B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Ｘ線平面検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18684699A JP3469130B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Ｘ線平面検出装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000393222A Division JP3696084B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | Ｘ線平面検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015726A JP2001015726A (ja) | 2001-01-19 |
| JP3469130B2 true JP3469130B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=16195672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18684699A Expired - Fee Related JP3469130B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | Ｘ線平面検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3469130B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3588053B2 (ja) | 2001-02-07 | 2004-11-10 | シャープ株式会社 | 電磁波検出器 |
| US6891194B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, electromagnetic detector, and liquid crystal display apparatus |
| JP2002303676A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線検出素子および放射線検出素子の製造方法 |
| JP4773994B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2011-09-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体センサ、放射線検出器及び放射線モニタ |
| JP2008212859A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Central Glass Co Ltd | 機能性被膜形成基材の製法 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18684699A patent/JP3469130B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001015726A (ja) | 2001-01-19 |
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