WO2007096967A1 - 放射線検出器 - Google Patents

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WO2007096967A1
WO2007096967A1 PCT/JP2006/303275 JP2006303275W WO2007096967A1 WO 2007096967 A1 WO2007096967 A1 WO 2007096967A1 JP 2006303275 W JP2006303275 W JP 2006303275W WO 2007096967 A1 WO2007096967 A1 WO 2007096967A1
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radiation
semiconductor
common electrode
radiation detector
pedestal
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Kenji Sato
Junichi Suzuki
Koji Watadani
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Shimadzu Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a radiation detector that includes a radiation-sensitive semiconductor that generates a charge upon incidence of radiation, and is used in the medical field, the industrial field, and the nuclear field.
  • a radiation (for example, X-ray) detector indirectly generates a light from the incidence of radiation (for example, an X-ray), and generates a charge from the light power, thereby indirectly from the radiation to the charge.
  • a “direct conversion type” detector that detects radiation by converting it, and a direct conversion type detector that detects radiation by converting it directly into a charge from the radiation source by generating charge by the incidence of radiation. There is a detector. Note that a radiation-sensitive semiconductor generates a charge.
  • the direct conversion type radiation detector includes an active matrix substrate 51, a radiation-sensitive semiconductor 52 that generates a charge upon incidence of radiation, and a common electrode 53 for applying a bias voltage. It has.
  • the active matrix substrate 51 is formed with a plurality of collecting electrodes (not shown) on the radiation incident surface side, and an electric circuit (not shown) for accumulating the charges collected by each collecting electrode (not shown) is arranged. It is configured.
  • Each collection electrode is set in a two-dimensional matrix arrangement within the radiation detection effective area SA.
  • a semiconductor 52 is laminated on the incident surface side of the collecting electrode of the active matrix substrate 51, and a common electrode 53 is formed in a planar shape on the incident side of the semiconductor 52 and laminated.
  • a lead wire 54 for supplying bias voltage is connected to the incident surface of the common electrode 53.
  • a bias voltage is applied from a bias supply power source (not shown) to a common electrode 53 for applying a bias voltage via a lead wire 54 for supplying a bias voltage.
  • a bias voltage is applied from a bias supply power source (not shown) to a common electrode 53 for applying a bias voltage via a lead wire 54 for supplying a bias voltage.
  • the bias voltage applied charges are generated by the radiation-sensitive semiconductor 52 as the radiation enters.
  • the generated charge is once collected by the collecting electrode.
  • the collected charge is collected as a radiation detection signal for each collection electrode by an electrical circuit for storage and readout that also includes capacitors, switching elements, and electrical wiring. put out.
  • Each collection electrode of the two-dimensional matrix array corresponds to an electrode (pixel electrode) corresponding to each pixel of the radiographic image.
  • the semiconductor 52 is made of amorphous selenium, CdTe, CdZnTe, Pbl, Hgl, TlBr, etc.
  • a large-area, thick-film radiation-sensitive semiconductor 52 can be easily formed by vacuum deposition.
  • these amorphous selenium and non-selenium polycrystalline semiconductors are relatively soft and easily damaged.
  • FIG. 11 for example, Patent Document 1.
  • an insulating base 55 is disposed on the incident surface of the semiconductor 52 outside the radiation detection effective area SA.
  • the common electrode 53 is formed so as to cover at least a part of the pedestal 55, and the lead wire 54 is formed so as to be connected to a position on the pedestal 55 on the incident surface of the common electrode 53.
  • the pedestal 55 softens the impact applied when the lead wire 54 is connected to the common electrode 53. As a result, it is possible to prevent damage to the radiation-sensitive semiconductor that causes the breakdown voltage failure, and to avoid performance degradation such as a breakdown voltage failure. Further, since the pedestal 55 is disposed outside the radiation detection effective area SA, it is possible to prevent the radiation detection function from being impaired by providing the pedestal.
  • an insulating auxiliary plate 56 having a thermal expansion coefficient comparable to that of the active matrix substrate 51 covers the semiconductor 52 and the common electrode 53 from a curable synthetic resin.
  • the auxiliary plate 56 is fixedly formed by the resin film 57.
  • release Radiation detection effective area SA The resin film 57 is formed to be thicker outside the radiation detection effective area SA including the connection portion of the common electrode 53 to the lead wire 54 than in the SA (see, for example, Patent Documents). 2).
  • the stress applied to the semiconductor 52 caused by the resin film 57 can be reduced by forming the resin film 57 thin.
  • Radiation detection effective area Outside the SA by forming a thick resin film 57, the degradation of the creeping discharge prevention function of the resin film 57 can be suppressed.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-86059 (Pages 1, 2, 4-12, Fig. 1, 2, 6-9)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-286183 (Page 1-10, Fig. 1)
  • the present invention has been made in view of such circumstances, can prevent performance degradation caused by connecting a lead wire to a common electrode, and can prevent thermal deformation stress and radiation attenuation.
  • An object of the present invention is to provide a radiation detector that can avoid the problem. Means for solving the problem
  • the present invention has the following configuration.
  • the radiation detector according to the present invention is a radiation detector that detects radiation, and includes a radiation-sensitive semiconductor that generates a charge upon incidence of radiation, and a bias formed in a planar shape toward the incident side of the semiconductor.
  • Common electrode for voltage application and input of the common electrode
  • a lead wire for supplying a bias voltage connected to the incident surface, and the location of the semiconductor located at the connection portion of the common electrode to the lead wire is not within the radiation detection effective area.
  • the insulating pedestal is disposed so as to fill the portion located at the connecting portion, and the common electrode is formed so as to cover at least a part of the pedestal. Is formed so as to be connected to a position on the pedestal of the incident surface of the common electrode.
  • the semiconductor radiation sensitive type located at the connection portion of the common electrode (for bias voltage application) to the lead wire (for bias voltage power supply)
  • the part is formed so as to be recessed more concavely than other parts of the semiconductor within the range that does not reach the radiation detection effective area, and an insulating pedestal is disposed so as to fill the part located at the connection part, and the common electrode Is formed so as to cover at least a part of the pedestal described above, and the lead wire is formed so as to be connected to a position located on the pedestal on the incident surface of the common electrode.
  • the lead wire is formed so as to be connected to a position located on the pedestal on the incident surface of the common electrode, and the position located in the above-described connection portion (that is, the concave recess portion of the semiconductor) is filled.
  • the pedestal softens the impact applied when connecting the lead wire to the common electrode. As a result, it is possible to prevent damage to the radiation-sensitive semiconductor that causes the breakdown voltage failure, and avoid performance degradation such as a breakdown voltage failure.
  • the pedestal is disposed so as to fill the portion located in the connection portion, and the common electrode is formed so as to cover at least a part of the pedestal, on the opposite side to the incident side of the common electrode
  • the power that the pedestal existed in the connection area In the other area there was a semiconductor that was buried by the pedestal.
  • the thickness of the pedestal and common electrode at the connection portion is almost the same as the thickness of the semiconductor and common electrode at other portions, so that problems of thermal deformation stress and radiation attenuation can be avoided. .
  • the common electrode In order to prevent creeping discharge, it is preferable to form the common electrode as far as possible inside the semiconductor as long as it does not reach the radiation detection effective area.
  • the location in the semiconductor located at the connection portion described above reaches the radiation detection effective area.
  • the lead wire must be connected to the entrance surface of the common electrode, and the lead wire should be connected to the pedestal on the entrance surface of the common electrode.
  • a pedestal exists on the side opposite to the incident side of the common electrode at least in the connection portion. Therefore, the common electrode is formed outside the semiconductor at least in the connection portion.
  • connection portion is formed so as to protrude more than the other portion of the common electrode. Is preferred.
  • the connection portion is formed outside the semiconductor at the connection portion.
  • the above-described example of the present invention is a one-dimensional shape set in the above-described radiation detection effective area! /
  • a two-dimensional matrix array is formed with a plurality of collecting electrodes formed on the entrance surface, and an active matrix substrate configured to include an electric circuit for accumulating and reading out charges collected by each collecting electrode,
  • the semiconductor is stacked on the incident surface side of the collecting electrode of the active matrix substrate.
  • a bias voltage is applied to a common electrode (for applying a bias voltage) via a lead wire (for supplying a bias voltage).
  • a charge is generated in the (radiation-sensitive) semiconductor as radiation enters. This generated charge is once collected by the collecting electrode.
  • the collected charge is taken out as a radiation detection signal for each collecting electrode by the electric circuit for accumulation and reading.
  • a one-dimensional array type or two-dimensional array type capable of detecting a one-dimensional intensity distribution or a two-dimensional intensity distribution of radiation projected on the radiation detection effective area. It is a radiation detector.
  • a radiation detector that is, a radiation detector including an active matrix substrate
  • an insulating auxiliary plate having a thermal expansion coefficient comparable to that of the active matrix substrate is common to the semiconductor. It is preferable to fix and form the auxiliary plate with a curable synthetic resin so as to cover the electrode. This fixed formation makes it possible to change the It is possible to prevent dielectric breakdown due to warpage due to change in degree, cracks, and the like.
  • "Akuti blanking matrix substrate and the insulating auxiliary plate having a thermal expansion coefficient comparable" is the digit in the thermal expansion coefficient shows comparable, for example, thermal expansion coefficient of 4.
  • OX 10- 6 in the case of Z ° C indicates the range of 1. 0 X 10- 6 ⁇ 1. 0 X 10- 5 Z ° c.
  • the film thickness of the curable synthetic resin described above is within the radiation detection effective area rather than outside the radiation detection effective area including the connection portion of the common electrode to the lead wire. It is preferable to form the curable synthetic resin so that it is thinner.
  • the stress applied to the semiconductor due to the resin film made of the curable synthetic resin can be reduced in the radiation detection effective area, and the radiation detection effective area can be reduced. Outside, the degradation of the creeping discharge preventing function of the resin film can be suppressed.
  • the semiconductor is an amorphous semiconductor of high-purity amorphous selenium (a-Se), alkali metal such as Na, halogen such as C1, or selenium and selenium compound doped with As or Te, CdTe, CdZnTe, Pbl, Hgl, TlBr, etc.
  • a-Se high-purity amorphous selenium
  • alkali metal such as Na
  • halogen such as C1
  • selenium and selenium compound doped with As or Te CdTe, CdZnTe, Pbl, Hgl, TlBr, etc.
  • Amorphous selenium, alkali metals, halogens, selenium doped with As or Te, amorphous semiconductors of selenium compounds, and non-selenium polycrystalline semiconductors are excellent in large area suitability and thick film suitability. On the other hand, they are less susceptible to Mohs hardness and tend to be damaged, but the pedestal can soften the impact applied when connecting the lead wires to the common electrode and prevent damage. Large area and thick film of (radiation sensitive) semiconductor can be easily achieved.
  • the pedestal is preferably formed using a hard resin material such as epoxy resin, polyurethane resin, or acrylic resin.
  • a hard resin material high hardness after curing
  • the pedestal is a soft material such as silicone resin or synthetic rubber. Compared to, it is difficult to expand and contract and has an excellent buffering function, so the pedestal can sufficiently soften the impact applied when connecting the lead wire to the common electrode.
  • the thickness of the pedestal is approximately the same as the thickness of the semiconductor. Is preferred.
  • the pedestal is disposed so as to fill the portion of the common electrode connected to the lead wire, and the common electrode is formed so as to cover at least a part of the pedestal!
  • the thickness of the pedestal and common electrode at the connection part and the force at which the thickness of the semiconductor and common electrode at the other part is approximately the same.To ensure that the thickness of the pedestal is the same as the semiconductor thickness To a degree.
  • the thickness of the pedestal is comparable to the thickness of the semiconductor.
  • an insulating resin material is used to fill a gap between the recessed portion of the semiconductor and the pedestal.
  • the pedestal is disposed so as to fill the portion located in the connection portion, there is a possibility that a gap (step) is formed due to a difference in thickness between the recessed portion of the semiconductor and the pedestal.
  • the insulating resin material is one of epoxy resin, polyurethane resin, acrylic resin, silicon resin, and synthetic rubber.
  • Another example of the present invention described above is provided with a collimator that avoids hitting an edge and a pedestal including a connection portion to the lead wire of the common electrode when radiation enters the radiation detection effective area. It is. At the edge of the common electrode and the pedestal, the electric field generated by the application of the bias voltage is concentrated, and unexpected radiation may cause a failure of the radiation detector when it hits the radiation. Therefore, by providing a collimator that avoids radiation hitting the edge and pedestal of the common electrode, radiation hits the edge and pedestal of the common electrode where the electric field is concentrated, causing a failure of the radiation detector. An unexpected large current can be prevented from flowing.
  • the radiation detector of the present invention in the (radiation sensitive) semiconductor located at the connection portion of the common electrode (for bias voltage application) to the lead wire (for bias voltage power supply)
  • the part is formed so as to be recessed more concavely than other parts of the semiconductor within the range that does not reach the radiation detection effective area, and the insulating part is buried so as to fill the part located at the connection part.
  • a pedestal is provided, the common electrode is formed so as to cover at least a part of the pedestal described above, and the lead wire is formed so as to be connected to a position on the pedestal on the incident surface of the common electrode! / Therefore, it is possible to avoid performance degradation caused by connecting lead wires to the common electrode, and to avoid problems of thermal deformation stress and radiation attenuation.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a direct conversion flat panel X-ray detector (FPD) according to a first embodiment.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a block diagram showing an equivalent circuit of an active matrix substrate of a flat panel X-ray detector (FPD).
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an active matrix substrate of a flat panel X-ray detector (FPD).
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 5 is a schematic sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) protected by an auxiliary plate according to Example 1.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • FIG. 6 (a) is a schematic cross-sectional view including the periphery of the gap, and (b) is a schematic cross-sectional view formed by filling a gap with an insulating resin material.
  • FIG. 7] (a) to (c) are schematic cross-sectional views respectively showing combinations of intermediate layers which are carrier-selective high-resistance semiconductor layers.
  • FIG. 8 is a schematic sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) according to Embodiment 2.
  • FIG. 9 is a schematic sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) according to a modification.
  • FIG. 10 is a schematic sectional view of a conventional radiation detector.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a conventional radiation detector different from FIG.
  • FIG. 12 is a schematic sectional view of another conventional radiation detector different from those in FIGS. 10 and 11. Explanation of symbols
  • a location in the radiation-sensitive semiconductor located at the connection portion of the common electrode for applying the nous voltage to the lead wire for supplying the bias voltage is set to another location in the semiconductor within the range not reaching the radiation detection effective area.
  • An insulative pedestal is provided so as to fill the portion located at the connecting portion, and the common electrode is formed so as to cover at least a part of the pedestal described above, and the lead wire is common.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a direct conversion flat panel X-ray detector (hereinafter abbreviated as “FPD” where appropriate) according to the first embodiment
  • FIG. 2 is a flat panel type according to the first embodiment
  • Fig. 3 is a schematic cross-sectional view of an X-ray detector (FPD)
  • Fig. 3 is a block diagram showing an equivalent circuit of an active matrix substrate of a flat panel X-ray detector (FPD)
  • Fig. 4 is a flat panel X
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an active matrix substrate of a line detector (FPD)
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a direct conversion flat panel X-ray detector (hereinafter abbreviated as “FPD” where appropriate) according to the first embodiment
  • FIG. 2 is a flat panel type according to the first embodiment
  • Fig. 3 is a schematic cross-sectional view of an X-ray detector (FPD)
  • Fig. 3 is a
  • Example 5 is a schematic cross-sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) protected by an auxiliary plate according to the first embodiment.
  • FPD flat panel X-ray detector
  • Example 1 including Example 2 described later, a flat panel X-ray detector (FPD) will be described as an example of a radiation detector.
  • the FPD according to the first embodiment is an active matrix substrate 1 and a radiation-sensitive type that generates charges by the incidence of radiation (X-rays in the first and second embodiments).
  • the active matrix substrate 1 has a plurality of collecting electrodes 11 formed on the radiation incident surface side, and an electric circuit 12 for accumulating and reading out the charges collected by the collecting electrodes 11 is arranged. It is configured.
  • Each collection electrode 11 is set in a two-dimensional matrix arrangement within the radiation detection effective area SA.
  • the active matrix substrate 1 corresponds to the active matrix substrate in the present invention
  • the radiation-sensitive semiconductor 2 corresponds to the radiation-sensitive semiconductor in the present invention
  • the common electrode 3 for applying a bias voltage is the present invention.
  • the radiation detection effective area SA corresponds to the radiation detection effective area in the present invention.
  • the semiconductor 2 is stacked on the incident surface side of the collecting electrode of the active matrix substrate 1, and the common electrode 3 is formed in a planar shape on the incident side of the semiconductor 2 and stacked. Speak.
  • a lead wire 4 for supplying bias voltage is connected to the incident surface of the common electrode 3.
  • a lead wire 4 such as a copper wire is connected to the common electrode 3 via a conductive paste (eg, silver paste).
  • the lead wire 4 for supplying the noisy voltage corresponds to the lead wire for supplying the bias voltage in the present invention.
  • the active matrix substrate 1 is formed with the collecting electrode 11 as described above, and the storage / reading electric circuit 12 is provided.
  • the electrical circuit for storage and readout 1 2 is composed of a capacitor 12A and TFT (thin film field effect transistor) 1 2B as a switching element, gate line 12a, data line 12b, etc., and one capacitor 12A for each collecting electrode 11 And one TFT12B is associated and connected.
  • the collecting electrode 11 corresponds to the collecting electrode in the present invention
  • the storage / reading electric circuit 12 corresponds to the storing / reading electric circuit in the present invention.
  • a gate driver 13, a charge-voltage conversion type amplifier 14, a multiplexer 15, and an AZD conversion 16 are arranged and connected around the electrical circuit 12 for storing and reading out of the active matrix substrate 1. .
  • the gate driver 13, the charge / voltage conversion amplifier 14, the multiplexer 15, and the AZD conversion 16 are connected to a substrate different from the active matrix substrate 1. Part or all of the gate driver 13, the charge / voltage conversion amplifier 14, the multiplexer 15, and the A / D converter 16 may be incorporated in the active matrix substrate 1.
  • a bias voltage is supplied from a bias supply power source (not shown) via a bias voltage supply lead wire 4 and a common electrode 3 for bias voltage application. Apply.
  • the charges collected by the collecting electrode 11 are accumulated in the capacitor 12A.
  • a read signal is sequentially applied from the gate driver 13 to the gate of each TFT 12B through the gate line 12a.
  • TFT12 B to which the read signal is applied shifts from OFF to ON.
  • the data line 12b connected to the source of the transferred TFT 12B is sequentially switched and connected by the multiplexer 15, the charge accumulated in the capacitor 12A is read out from the TFT 12B via the data line 12b.
  • the read charge is amplified by the charge-voltage conversion amplifier 14 and sent to the AZD converter 16 as a radiation detection signal (X-ray detection signal in Examples 1 and 2) for each collection electrode 11 by the multiplexer 15 and analog. The value is converted to a digital value.
  • an FPD when an FPD is provided in an X-ray fluoroscopic apparatus, an X-ray detection signal is sent to an image processing circuit at a subsequent stage, image processing is performed, and a two-dimensional X-ray fluoroscopic image or the like is output.
  • Each collection electrode 11 in the two-dimensional matrix array corresponds to an electrode (pixel electrode) corresponding to each pixel of the radiation image (here, a two-dimensional fluoroscopic image).
  • the radiation detection signal X-ray detection signal in Examples 1 and 2
  • a radiation image corresponding to the two-dimensional intensity distribution of the radiation projected onto the radiation detection effective area SA here, a two-dimensional fluoroscopic image
  • the FPD according to the first embodiment including the second embodiment described later can detect the two-dimensional intensity distribution of the radiation (X-rays in the first and second embodiments) projected onto the radiation detection effective area SA. It is a two-dimensional array type radiation detector.
  • the location in the semiconductor 2 located at the connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4 is within the range that does not reach the radiation detection effective area SA. Also recessed in a concave shape Form.
  • An insulating base 5 is disposed so as to fill the location where the connecting portion is located.
  • the common electrode 3 is formed so as to cover a part of the pedestal 5, and the lead wire 4 is formed so as to be connected to a position on the pedestal 5 on the incident surface of the common electrode 3.
  • the insulating base 5 corresponds to the insulating base in the present invention.
  • the lead wire 4 is formed so as to be connected to a position located on the pedestal 5 on the incident surface of the common electrode 3, and the position located at the above-described connection portion (that is, the concave recess portion of the semiconductor 2)
  • the pedestal 5 can soften the impact applied when the lead wire 4 is connected to the common electrode 3.
  • it is possible to prevent damage to the radiation-sensitive semiconductor 2 that causes a breakdown voltage failure, and to avoid performance degradation such as a breakdown voltage failure.
  • the base 5 is disposed so as to fill the portion located in the connection portion, and the common electrode 3 is formed so as to cover a part of the base 5, the incident side of the common electrode 3 is defined as On the other side, the power of the pedestal 5 existing at the connection part is the semiconductor 2 embedded in the pedestal 5 at the other part.
  • the thickness of pedestal 5 and common electrode 3 at the connection part is almost the same as the thickness of semiconductor 2 and common electrode 3 at other parts, avoiding problems of thermal deformation stress and radiation attenuation. can do.
  • the force common electrode 3 formed so as to cover a part of the pedestal 5 may be formed so that the common electrode 3 covers the entire pedestal 5. Therefore, the common electrode 3 may be formed so as to cover at least a part of the base 5.
  • the common electrode 3 can be used in a range not reaching the radiation detection effective area SA. Is formed inside the semiconductor 2.
  • the lead In order for the wire 4 to be connected to the common electrode 3 and for the lead wire to be connected to a position on the pedestal 5 of the incident surface of the common electrode 3, as shown in FIG. There is a pedestal 5 on the side opposite to the incident side. Therefore, the common electrode 3 is more than the semiconductor 2 at least in the connection portion.
  • connection portion is more convex than the other portions of the common electrode 3. Overhang to form.
  • the FPD is protected by the insulating auxiliary plate 6 as shown in FIG.
  • an insulating auxiliary plate 6 having a thermal expansion coefficient comparable to that of the active matrix substrate 1 is connected to the semiconductor 2 and the common electrode 3. It is preferable that the auxiliary plate 6 is fixedly formed by a resin film 7 made of a curable synthetic resin so as to cover it.
  • the active matrix substrate 1 for example, a glass substrate is used, and as the insulating auxiliary plate 6, for example, a Pyrex (registered trademark) glass substrate or a quartz glass substrate is used.
  • the thickness of the glass substrate of the active matrix substrate 1 and the glass substrate of the auxiliary plate 6 is, for example, about 0.5 mm to 1.5 mm.
  • an insulating auxiliary plate having the same thermal expansion coefficient as the active matrix substrate means that the digits of the thermal expansion coefficient are the same, for example, the thermal expansion coefficient is 4.
  • OX 10— in the case of 6 Z ° C indicates the range of 1. 0 X 10- 6 ⁇ 1. 0 X 10- 5 / ° C.
  • the insulating auxiliary plate 6 corresponds to the insulating auxiliary plate in the present invention.
  • the film thickness of the above-described resin film 7 is such that the radiation detection effective area SA including the connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4 as shown in FIG. It is preferable to form the resin film 7 so that the radiation detection effective area SA is thinner than the outside.
  • a frame frame-shaped spacer 8 formed of ABS grease or the like is erected around the active matrix substrate 1 and the auxiliary plate 6 is supported on the incident side of the spacer 8. .
  • the room temperature curable resin composition after curing becomes a resin film 7,
  • Auxiliary plate 6 is fixedly formed by a resin film 7 made of curable synthetic resin.
  • the auxiliary plate 6 is also divided into pieces 6a and 6b according to each region by dividing the region including the radiation detection effective area SA excluding the outer region and the region of the outer region. As shown in FIG. 5, the auxiliary plate 6 is a thin film piece 6a in the region including the radiation detection effective area SA, and a thick film piece 6b in the outer region, and is thicker between the pieces 6a and 6b. Provide a gear in the vertical direction.
  • the auxiliary plate 6 when the auxiliary plate 6 is supported on the spacer 8 and a liquid room temperature curable resin composition is injected and cured between the active matrix substrate 1 and the auxiliary plate 6, the thin film piece 6a and There is a gap in the film thickness of the resin film 7 between the thick film piece 6b. As a result, the resin film 7 is formed so that the inside of the radiation detection effective area SA is thinner than the outside of the radiation detection effective area SA including the connection portion described above.
  • the auxiliary plate 6 may be formed by separating the pieces 6a and 6b, or the auxiliary plate 6 may be formed by integrating the pieces 6a and 6b.
  • the stress applied to the semiconductor 2 caused by the resin film 7 can be reduced by forming the resin film 7 thinly. Outside the radiation detection effective area SA, it is possible to suppress the degradation of the creeping discharge prevention function of the resin film 7 by forming the resin film 7 thick.
  • the thickness of the rosin film 7 in the radiation detection effective area SA is TA and the thickness of the rosin film 7 outside the radiation detection effective area SA is ta, 0.5ta It is preferable to set the film thickness of the resin film 7 so as to satisfy ⁇ TA ⁇ 0.Ita.
  • the thickness TA of the resin film 7 is usually in the range of 0.1 mm to 0.5 mm, and the thickness ta of the resin film 7 is usually in the range of 1 mm to 2 mm.
  • the thickness of the semiconductor 2 is usually a thick film of about 0.5 mm to l. 5 mm, and the area is, for example, about 20 cm to 50 cm in length and about 20 cm to 50 cm in width. Further, the thickness force of the pedestal 5 is preferably about the same as the thickness of the semiconductor 2. As described above, the pedestal 5 is disposed so as to fill the portion of the common electrode 3 connected to the lead wire 4, and the common electrode 3 is formed so as to cover at least a part of the pedestal 5. The thickness of the base 5 and the common electrode 3 at the connecting portion and the thickness of the semiconductor 2 and the common electrode 3 at the other portions are almost the same. Same as the thickness of semiconductor 2.
  • thickness force of pedestal 5 is about the same as the thickness of semiconductor 2” means that the thickness of semiconductor 2 (1 ⁇ 0 5) The thickness is the thickness of the pedestal 5, more preferably, (1 ⁇ 0.2) times to 1 times the thickness of the semiconductor 2 is the range of the thickness of the pedestal 5.
  • the pedestal 5 When the pedestal 5 is disposed so as to fill the portion located in the connection portion, as shown in FIG. 6 (a), the thickness of the recessed portion in the semiconductor 2 and the thickness of the pedestal 5 is adjusted. There is a possibility that a gap (step) G is formed due to the difference. In such a case, as shown in FIG. 6 (b), the gap G is formed by filling the gap G using an insulating resin material, so that the continuity between the recessed portion of the semiconductor 2 and the base 5 is increased. It is possible to achieve FPD with excellent stability.
  • the insulating resin material may be epoxy resin, polyurethane resin, acrylic resin, silicon resin, or synthetic rubber. Used.
  • the radiation-sensitive semiconductor 2 includes amorphous metals such as high-purity amorphous selenium (a-Se) and Na, halogens such as C1, halogens such as C1, and selenium and selenium compounds doped with As and Te, CdTe, CdZnTe , Pbl, Hgl, TlBr, etc.
  • amorphous metals such as high-purity amorphous selenium (a-Se) and Na
  • halogens such as C1
  • C1 halogens
  • selenium and selenium compounds doped with As and Te
  • CdTe, CdZnTe , Pbl, Hgl, TlBr etc.
  • Amorphous selenium, selenium doped with alkali metal or halogen, As or Te, amorphous semiconductors of selenium compounds, and non-selenium-based polycrystalline semiconductors have excellent suitability for large area and thick film. On the other hand, they have a Mohs hardness of 4 or less and are easily damaged. However, the impact applied when the lead wire 4 is connected to the common electrode 3 is softened to prevent the base 5 from being damaged. As a result, the large area and thickness of the semiconductor 2 can be easily achieved. In particular, when a-Se having a specific resistance of 10 9 ⁇ or more, preferably 10 U Q or more, is used for the semiconductor 2, the large area suitability and the film thickness suitability are remarkably excellent!
  • the semiconductor 2 is formed on the incident surface (upper surface in FIG. 2), the surface opposite to the incident side (lower surface in FIG. 2), or both surfaces. It also includes a combination with an intermediate layer, which is a carrier-selective high-resistance semiconductor layer.
  • an intermediate layer 2a is formed between the semiconductor 2 and the common electrode 3
  • an intermediate layer 2b is formed between the semiconductor 2 and the collecting electrode 11 (see FIG. 4).
  • the intermediate layer 2a may be formed only between the semiconductor 2 and the common electrode 3, or as shown in FIG.
  • the intermediate layer 2b may be formed only between 2 and the collecting electrode 11 (see FIG. 4).
  • the dark current can be reduced by providing the carrier selective intermediate layers 2a and 2b.
  • the carrier selectivity here refers to the property that the contribution rate to the charge transfer action differs significantly between electrons and holes, which are charge transfer media (carriers) in a semiconductor.
  • the following modes may be mentioned.
  • a positive bias voltage is applied to the common electrode 3
  • a material having a large contribution ratio of electrons is used for the intermediate layer 2a.
  • the injection of holes from the common electrode 3 is blocked, and the dark current can be reduced.
  • the intermediate layer 2b a material having a large contribution ratio of holes is used. Thereby, the injection of electrons from the collecting electrode 11 is blocked, and the dark current can be reduced.
  • the thickness of the carrier-selective intermediate layers 2a and 2b is usually preferably in the range of 0.1 m to 10 ⁇ m. If the thickness of the intermediate layer 2a, 2b is less than 0 .: Lm, there is a tendency that dark current cannot be sufficiently suppressed. Conversely, if the thickness exceeds 10 m, radiation detection tends to be hindered (for example, the sensitivity decreases). Tend to appear).
  • Semiconductors used for the carrier-selective intermediate layers 2a and 2b include Sb S and ZnTe.
  • Selenium doped with gen or As or Te and amorphous semiconductors of selenium compounds are examples of those that have excellent suitability for large areas. These semiconductors are thin and easily damaged, but the base 5 can soften the impact applied when connecting the lead wire 4 to the common electrode 3 and prevent damage.
  • the carrier-selective intermediate layers 2a and 2b are excellent in large area suitability.
  • those having a large contribution of electrons include polycrystalline semiconductors such as CeO, CdS, CdSe, ZnSe, and ZnS, which are n-type semiconductors, and alkali gold.
  • Amorphous such as amorphous Se doped with As or Te to reduce the contribution of holes A case is mentioned.
  • a polycrystalline semiconductor such as a p-type semiconductor such as ZnTe, or an amorphous Se or the like that is doped with halogen to reduce the contribution of electrons.
  • the body is mentioned.
  • the insulating base 5 using a hard resin material such as epoxy resin, polyurethane resin, acrylic resin, or the like.
  • a hard resin material high hardness after curing
  • the base 5 is soft like silicone resin synthetic rubber. Since it is difficult to expand and contract compared to the material and has a superior buffering function, the pedestal 5 can sufficiently moderate the impact applied when the lead wire 4 is connected to the common electrode 3.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a flat panel X-ray detector (FPD) according to the second embodiment.
  • the parts common to the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and illustration is omitted.
  • the FPD according to the second embodiment includes a connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4 when radiation (here, X-rays) enters the radiation detection effective area SA. It has a collimator 9 to avoid hitting the edge and pedestal 5.
  • the collimator 9 corresponds to the collimator in the present invention.
  • the second embodiment is provided with a collimator 9 that prevents the radiation from hitting the edge of the common electrode 3 and the pedestal 5.
  • the radiation does not strike the edge of the common electrode 3 and the pedestal 5, and the radiation is detected.
  • the opening 9A of the collimator 9 is provided so as to enter the effective area SA.
  • the semiconductor 2 is formed on the incident surface, the surface opposite to the incident side, or both in addition to the sensitive semiconductor 2 described above. It also includes a combination with an intermediate layer which is a carrier-selective high-resistance semiconductor layer.
  • the radiation detector represented by the flat panel X-ray detector is a two-dimensional array type.
  • the radiation detector of the present invention has a collecting electrode 1
  • a one-dimensional array type formed with a dimensional matrix arrangement may be used, or a non-array type having only one electrode for extracting radiation detection signals may be used.
  • the X-ray detector is taken as an example of the radiation detector.
  • the radiation detector (for example, gamma ray detector) that detects radiation other than the force X-ray (for example, gamma ray) It can also be applied to.
  • Embodiment 1 and Embodiment 2 may be combined with each other. That is, as in Example 1, a resin film made of a curable synthetic resin so that an insulating auxiliary plate 6 having a thermal expansion coefficient comparable to that of the active matrix substrate 1 covers the semiconductor 2 and the common electrode 3. 7 includes a structure in which the auxiliary plate 6 is fixedly formed (see FIG. 5) and, as in the second embodiment, when the radiation enters the radiation detection effective area SA, the connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4 is included. Can be combined with a structure with a collimator 9 (see Fig. 8) to avoid hitting the edges and pedestal 5! / ,.
  • the common electrode 3 is formed on the inner side of the semiconductor 2 within the range not reaching the radiation detection effective area SA in order to prevent the creeping discharge. If not, the edge of the common electrode 3 and the edge of the semiconductor 2 may be aligned, or the common electrode 3 may be formed outside the semiconductor 2. Thus, when the common electrode 3 is not formed inside the semiconductor 2, the connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4 is not necessarily shared. It is not necessary to form the projection electrode 3 so that it protrudes more than other portions. Of course, even when the common electrode 3 is not formed on the inner side of the semiconductor 2, the above-described connection portion may be formed so as to protrude from other portions of the common electrode 3.
  • the epoxy resin, polyurethane resin, acrylic resin used as the material of the pedestal 5 is disposed in the recessed portion of the semiconductor 2.
  • the base 5 may be formed by filling and curing a hard resin material such as resin, or it may be formed by mounting the base 5 previously molded into a solid shape in the recess.
  • Example 1 the film thickness of the resin film 7 made of a curable synthetic resin is larger than that outside the radiation detection effective area SA including the connection portion of the common electrode 3 to the lead wire 4. Radiation detection effective area SA was formed so that the inner side of SA was thinner (see Fig. 5). However, as shown in Fig. 9, the thickness of the resin membrane 7 was uniform throughout. As shown, form the rosin film 7.
  • Example 1 a curable synthetic resin is used so that the insulating auxiliary plate 6 having the same thermal expansion coefficient as that of the active matrix substrate 1 covers the semiconductor 2 and the common electrode 3.
  • a liquid room temperature curable resin composition is injected and cured between the active matrix substrate 1 and the auxiliary plate 6, but the common electrode 3 and The auxiliary plate 6 may be supported after the room temperature curable resin composition is applied to the incident surface of the lead wire 4.
  • the spacer 8 as shown in FIG. 5 can be made thinner than necessary.
  • the present invention is suitable for a direct conversion type radiation detector.

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Abstract

　この発明の放射線検出器では、共通電極のリード線への接続部分に位置する半導体における箇所を、放射線検出有効エリアに到らない範囲で、半導体における他の箇所よりも凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置する箇所を埋めるように絶縁性の台座を配設し、共通電極が上述した台座の一部を少なくとも覆うように形成し、リード線が共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に接続されるように形成しているので、共通電極にリード線を接続することに起因する性能低下を回避することができ、かつ熱変形応力や放射線減衰の問題を回避することができる。                                                                                 

Description

放射線検出器
技術分野
[0001] この発明は、放射線の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体を備えて いて、医療分野，工業分野，さらには、原子力分野などに用いられる放射線検出器 に関する。
背景技術
[0002] 放射線 (例えば X線)検出器には、放射線 (例えば X線)の入射により光をー且生成 して、その光力ゝら電荷を生成することで、放射線から電荷に間接的に変換して放射線 を検出する「間接変換型」の検出器と、放射線の入射により電荷を生成することで、 放射線カゝら電荷に直接的に変換して放射線を検出する「直接変換型」の検出器とが ある。なお、放射線感応型の半導体が電荷を生成する。
[0003] 直接変換型の放射線検出器は、図 10に示すように、アクティブマトリックス基板 51 と、放射線の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体 52と、バイアス電圧 印加用の共通電極 53とを備えている。アクティブマトリックス基板 51は、放射線の入 射面側に複数の収集電極 (図示省略)を形成し、各収集電極で収集される電荷の蓄 積'読み出し用電気回路（図示省略)を配設して構成されている。各収集電極につい ては放射線検出有効エリア SA内で 2次元状マトリックス配列で設定している。
[0004] このアクティブマトリックス基板 51の収集電極の入射面側に半導体 52を積層し、そ の半導体 52の入射側に共通電極 53を面状に形成して積層している。そして、共通 電極 53の入射面にバイアス電圧給電用のリード線 54を接続している。
[0005] 放射線検出器によって放射線を検出する際には、バイアス供給電源（図示省略)か らバイアス電圧を、バイアス電圧給電用のリード線 54を介してバイアス電圧印加用の 共通電極 53に印加する。バイアス電圧を印加した状態で、放射線の入射に伴って放 射線感応型の半導体 52で電荷を生成する。この生成された電荷を収集電極で一旦 収集する。コンデンサやスイッチング素子および電気配線等力もなる蓄積'読み出し 用電気回路によって、収集された電荷を各収集電極毎の放射線検出信号として取り 出す。
[0006] 2次元状マトリックス配列の各収集電極は、放射線画像の各画素に対応する電極 ( 画素電極）にそれぞれ対応している。放射線検出信号を取り出すことで、放射線検出 有効エリア SAに投影される放射線の 2次元強度分布に応じた放射線画像を作成す ることがでさる。
[0007] しかし、図 10に示す従来の放射線検出器の場合には、共通電極 53にリード線 54 を接続することに起因して性能低下が生じるという問題がある。すなわち、ノ ィァス電 圧給電用のリード線 54には銅線等の硬い金属線が用いられるので、リード線 54を共 通電極 53に接続する際に、放射線感応型の半導体 52の損傷が起こる。この損傷に よって、耐圧不良等の性能低下を引き起こす。
[0008] 特に、半導体 52がアモルファスセレンや CdTe, CdZnTe, Pbl 、 Hgl , TlBr等の
2 2 非セレン系多結晶半導体である場合には、真空蒸着により大面積で厚膜の放射線 感応型の半導体 52を容易に形成することができる。その反面、これらのアモルファス セレンや非セレン系多結晶半導体は比較的柔らかくて傷がつき易い。
[0009] そこで、共通電極 53にリード線 54を接続することに起因する性能低下を回避する ために、発明者等は、図 11に示すような発明を提案している（例えば、特許文献 1参 照)。図 11 (特許文献 1の図 2に相当）に示すように、放射線検出有効エリア SA外に 半導体 52の入射面に絶縁性の台座 55を配設して 、る。共通電極 53がその台座 55 の一部を少なくとも覆うように形成し、リード線 54が共通電極 53の入射面のうちの台 座 55に位置する箇所に接続されるように形成して 、る。
[0010] 力かる台座 55を配設することで、リード線 54を共通電極 53に接続する際に加わる 衝撃を台座 55が和らげる。その結果、耐圧不良の原因となる放射線感応型の半導 体の損傷を防止することができ、耐圧不良等の性能低下を回避することができる。ま た、台座 55は放射線検出有効エリア SA外に配設されているので、台座を配設する ことによって放射線検出機能が損なわれるのを防止することができる。
[0011] ところで、図 12に示すように、アクティブマトリックス基板 51と同程度の熱膨張係数 を有する絶縁性の補助板 56が半導体 52および共通電極 53を覆うように、硬化性合 成榭脂からなる榭脂膜 57によって補助板 56を固定形成する技術がある。さらに、放 射線検出有効エリア SA内よりも、共通電極 53のリード線 54への接続部分を含んだ 放射線検出有効エリア SA外の方が厚くなるように榭脂膜 57を形成している（例えば 、特許文献 2参照)。放射線検出有効エリア SA内では榭脂膜 57を薄く形成すること で、榭脂膜 57に起因した半導体 52にかかるストレスを低減させることができる。放射 線検出有効エリア SA外では榭脂膜 57を厚く形成することで、榭脂膜 57の沿面放電 防止機能の低下を抑制することができる。
特許文献 1 :特開 2005— 86059号公報（第 1, 2, 4— 12頁、図 1, 2, 6— 9) 特許文献 2：特開 2005— 286183号公報 (第 1— 10頁、図 1)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] し力しながら、上述した特許文献 1のように絶縁性の台座を配設すると、図 11に示 すように、共通電極 53のリード線 54への接続部分において、半導体 52の入射面に 台座 55が配設されるので、その接続部分のみが他の部分よりも台座 55によって厚く なってしまう。その結果、熱変形応力や放射線減衰の問題が生じる。そこで、上述し た特許文献 2のように、図 12に示すように、放射線検出有効エリア SA内では榭脂膜 57を薄く形成するとともに、放射線検出有効エリア SA外では榭脂膜 57を厚く形成す ると、熱変形応力や放射線減衰の問題を解決することができる。しかし、特許文献 2 のような構造の場合には、放射線検出有効エリア SAの内外に応じて榭脂膜 57の厚 さを変えなければならず、補助板 56も分ける必要があるので、複雑であり手間がかか る。
[0013] この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、共通電極にリード線を 接続することに起因する性能低下を回避することができ、かつ熱変形応力や放射線 減衰の問題を回避することができる放射線検出器を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0014] この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明の放射線検出器は、放射線を検出する放射線検出器であって 、放射線の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体と、その半導体の前記 入射側へ面状に形成されたバイアス電圧印加用の共通電極と、その共通電極の入 射面に接続されたバイアス電圧給電用のリード線とを備え、共通電極の前記リード線 への接続部分に位置する半導体における箇所を、放射線検出有効エリアに到らない 範囲で、半導体における他の箇所よりも凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置 する箇所を埋めるように絶縁性の台座を配設し、共通電極が前記台座の一部を少な くとも覆うように形成し、リード線が共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に 接続されるように形成することを特徴とするものである。
[0015] この発明の放射線検出器によれば、（バイアス電圧印加用の）共通電極の（バイァ ス電圧給電用の）リード線への接続部分に位置する (放射線感応型の）半導体にお ける箇所を、放射線検出有効エリアに到らない範囲で、半導体における他の箇所より も凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置する箇所を埋めるように絶縁性の台座 を配設し、共通電極が上述した台座の一部を少なくとも覆うように形成し、リード線が 共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に接続されるように形成して 、る。
[0016] リード線が共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に接続されるように形成 し、上述した接続部分に位置する箇所 (すなわち半導体の凹状の窪み部分)を埋め るように台座を配設することで、リード線を共通電極に接続する際に加わる衝撃を台 座が和らげる。その結果、耐圧不良の原因となる放射線感応型の半導体の損傷を防 止することができ、耐圧不良等の性能低下を回避することができる。
[0017] また、接続部分に位置する箇所を埋めるように台座を配設し、共通電極が台座の一 部を少なくとも覆うように形成しているので、共通電極の入射側とは逆側には接続部 分では台座が存在していたの力 他の部分では台座によって埋め込められる半導体 が存在することになる。その結果、接続部分での台座および共通電極の厚さと、他の 部分での半導体および共通電極の厚さとがほぼ同程度になって、熱変形応力や放 射線減衰の問題を回避することができる。
[0018] 以上のことから、共通電極にリード線を接続することに起因する性能低下を回避す ることができ、かつ熱変形応力や放射線減衰の問題を回避することができる。
[0019] なお、沿面放電を防止するために、放射線検出有効エリアに到らない範囲で可能 な限り共通電極を半導体よりも内側に形成するのが好ましい。その一方でこの発明で は、上述した接続部分に位置する半導体における箇所を放射線検出有効エリアに到 らない範囲で、半導体における他の箇所よりも凹状に窪んで形成する必要があるの で、リード線が共通電極の入射面に接続され、かつリード線が共通電極の入射面のう ちの台座に位置する箇所に接続されるためには、少なくとも接続部分では共通電極 の入射側とは逆側には台座が存在する。したがって、少なくとも接続部分では共通電 極は半導体よりも外側に形成されることになる。上述したように放射線検出有効エリア に到らない範囲で共通電極を半導体よりも内側に形成する場合には、上述した接続 部分を共通電極の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成するのが好ましい。接続 部分を共通電極の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成することで、接続部分では 共通電極は半導体よりも外側に形成されることになる。
[0020] また、上述したこの発明の一例は、上述した放射線検出有効エリア内に設定された 1次元状な！/ヽし 2次元状マトリックス配列で複数の収集電極が入射面に形成され、各 収集電極で収集される電荷の蓄積'読み出し用電気回路が配設されて構成されたァ クティブマトリックス基板を備え、アクティブマトリックス基板の収集電極の入射面側に 半導体を積層することである。
[0021] この発明の一例の放射線検出器で放射線を検出する際には、バイアス電圧を (バ ィァス電圧給電用の）リード線を介して (バイアス電圧印加用の）共通電極に印加する 。ノ ィァス電圧を印カロした状態で、放射線の入射に伴って (放射線感応型の）半導体 で電荷を生成する。この生成された電荷を収集電極で一旦収集する。蓄積'読み出 し用電気回路によって、収集された電荷を各収集電極毎の放射線検出信号として取 り出す。放射線検出信号を取り出すことで、放射線検出有効エリアに投影される放射 線の 1次元強度分布ないし 2次元強度分布に応じた放射線画像を作成することがで きる。つまり、この発明の一例の放射線検出器の場合、放射線検出有効エリアに投 影される放射線の 1次元強度分布ないし 2次元強度分布を検出することができる 1次 元アレイタイプないし 2次元アレイタイプの放射線検出器である。
[0022] この発明の一例の放射線検出器、すなわちアクティブマトリックス基板を備えた放射 線検出器の場合には、アクティブマトリックス基板と同程度の熱膨張係数を有する絶 縁性の補助板が半導体および共通電極を覆うように、硬化性合成樹脂によって補助 板を固定形成するのが好ましい。このように固定形成することで、半導体の変質、温 度変化による反り、亀裂等による絶縁破壊を阻止することができる。ここで、「ァクティ ブマトリックス基板と同程度の熱膨張係数を有する絶縁性の補助板」というのは、熱 膨張係数の桁が同程度を示し、例えば、熱膨張係数が 4. O X 10— 6Z°Cの場合には 、 1. 0 X 10— 6〜1. 0 X 10— 5Z°cの範囲を示す。
[0023] このように固定形成する場合には、上述した硬化性合成樹脂の膜厚が、共通電極 のリード線への接続部分を含んだ放射線検出有効エリア外よりも、放射線検出有効 エリア内の方が薄くなるように硬化性合成樹脂を形成するのが好ましい。このように硬 化性合成樹脂を形成することで、放射線検出有効エリア内では硬化性合成樹脂から なる榭脂膜に起因した半導体に力かるストレスを低減させることができるとともに、放 射線検出有効エリア外では榭脂膜の沿面放電防止機能の低下を抑制することがで きる。
[0024] また、上述したこの発明において、半導体は、高純度アモルファスセレン（a— Se) , Na等のアルカリ金属や C1等のハロゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセ レン化合物のアモルファス半導体， CdTe, CdZnTe, Pbl , Hgl , TlBr等の非セ
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レン系多結晶半導体のうちのいずれかであるのが好ましい。アモルファスセレン，ァ ルカリ金属やハロゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化合物のァモ ルファス半導体，非セレン系多結晶半導体は、大面積ィ匕適性および厚膜ィ匕適性に 優れる。その反面、これらはモース硬度力 以下と柔ら力べて傷が付き易いが、リード 線を共通電極に接続する際に加わる衝撃を台座が和らげて傷が付くのを防止するこ とができるので、（放射線感応型の）半導体の大面積ィ匕および厚膜ィ匕が容易に図れ る。
[0025] また、上述したこの発明にお 、て、エポキシ榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂等 の硬質榭脂材料を用いて台座を形成するのが好ましい。エポキシ榭脂，ポリウレタン 榭脂，アクリル榭脂等の (硬化後の硬度が高!ヽ)硬質榭脂材料を用いて台座を形成 すると、その台座はシリコン榭脂ゃ合成ゴム系のような軟質材料に比べ伸縮し難くて 緩衝機能に優れるので、リード線を共通電極に接続する際に加わる衝撃を台座が十 分に和らげることができる。
[0026] また、上述したこの発明において、台座の厚さが、半導体の厚さと同程度であるの が好ましい。上述したように、共通電極のリード線への接続部分に位置する箇所を埋 めるように台座を配設し、共通電極が台座の一部を少なくとも覆うように形成して!/、る ので、接続部分での台座および共通電極の厚さと、他の部分での半導体および共通 電極の厚さとがほぼ同程度になる力 それを確実に実現させるために台座の厚さを 半導体の厚さと同程度にする。ここで、「台座の厚さが、半導体の厚さと同程度である
」というのは、半導体の厚さの（1 ±0. 5)倍が台座の厚さ、より好ましくは半導体の厚 さの（1 ±0. 2)倍〜 1倍が台座の厚さの範囲を示す。
[0027] また、上述したこの発明において、絶縁性榭脂材料を用いて、半導体における凹状 の窪み部分と台座とのギャップを埋めて形成するのが好ましい。この接続部分に位置 する箇所を埋めるように台座を配設する際に、半導体における凹状の窪み部分と台 座との厚さの相違によってギャップ (段差）ができる可能性がある。絶縁性榭脂材料を 用いてギャップを埋めて形成することで、半導体における凹状の窪み部分と台座との 連続性を高めて、安定性の優れた放射線検出器を実現することができる。絶縁性榭 脂材料を用いてギャップを埋めて形成する場合には、絶縁性榭脂材料は、エポキシ 榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂，シリコン榭脂，合成ゴムのいずれかである。
[0028] 上述したこの発明の他の一例は、放射線が放射線検出有効エリアに入射する際に 共通電極のリード線への接続部分を含んだ端縁部および台座に当たるのを避けるコ リメータを備えることである。共通電極の端縁部や台座では、バイアス電圧の印加に 伴って生じる電界が集中しており、そこに放射線が当たると放射線検出器の故障を 引き起こすような不測の大電流が流れることがある。そこで、共通電極の端縁部や台 座に放射線が当たるのを避けるコリメータを備えることで、電界が集中する共通電極 の端縁部および台座に放射線が当たって放射線検出器の故障を引き起こすような不 測の大電流が流れることを防止することができる。
発明の効果
[0029] この発明に係る放射線検出器によれば、（バイアス電圧印加用の）共通電極の (バ ィァス電圧給電用の）リード線への接続部分に位置する（放射線感応型の）半導体に おける箇所を、放射線検出有効エリアに到らない範囲で、半導体における他の箇所 よりも凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置する箇所を埋めるように絶縁性の 台座を配設し、共通電極が上述した台座の一部を少なくとも覆うように形成し、リード 線が共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に接続されるように形成して!/ヽ るので、共通電極にリード線を接続することに起因する性能低下を回避することがで き、かつ熱変形応力や放射線減衰の問題を回避することができる。
図面の簡単な説明
[0030] [図 1]実施例 1に係る直接変換型のフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略平面 図である。
[図 2]実施例 1に係るフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。
[図 3]フラットパネル型 X線検出器 (FPD)のアクティブマトリックス基板の等価回路を 示すブロック図である。
[図 4]フラットパネル型 X線検出器 (FPD)のアクティブマトリックス基板の概略断面図 である。
[図 5]実施例 1に係る補助板で保護したフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断 面図である。
[図 6] (a)はギャップの周囲を含む概略断面図、（b)は絶縁性榭脂材料を用いてギヤ ップを埋めて形成した概略断面図である。
[図 7] (a)〜 (c)は、キャリア選択性の高抵抗半導体層である中間層の組み合わせを それぞれ示した概略断面図である。
[図 8]実施例 2に係るフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。
[図 9]変形例に係るフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。
[図 10]従来の放射線検出器の概略断面図である。
[図 11]図 10とは別の従来の放射線検出器の概略断面図である。
[図 12]図 10、図 11とはさらなる別の従来の放射線検出器の概略断面図である。 符号の説明
[0031] 1 … アクティブマトリクス基板
2 … （放射線感応型の）半導体
3 … （バイアス電圧印加用の）共通電極
4 … （バイアス電圧給電用の）リード線 5 … （絶縁性の）台座
6 … （絶縁性の)補助板
7 … 榭脂膜
9 … コリメータ
11 … 収集電極
12 … 蓄積 '読み出し用電気回路
SA … 放射線検出有効エリア
発明を実施するための最良の形態
[0032] ノィァス電圧印加用の共通電極のバイアス電圧給電用のリード線への接続部分に 位置する放射線感応型の半導体における箇所を、放射線検出有効エリアに到らない 範囲で、半導体における他の箇所よりも凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置 する箇所を埋めるように絶縁性の台座を配設し、共通電極が上述した台座の一部を 少なくとも覆うように形成し、リード線が共通電極の入射面のうちの台座に位置する箇 所に接続されるように形成することで、共通電極にリード線を接続することに起因する 性能低下を回避し、かつ熱変形応力や放射線減衰の問題を回避するという目的を 実現した。
実施例 1
[0033] 以下、図面を参照してこの発明の実施例 1を説明する。図 1は、実施例 1に係る直接 変換型のフラットパネル型 X線検出器 (以下、適宜「FPD」と略記する）の概略平面図 であり、図 2は、実施例 1に係るフラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図で あり、図 3は、フラットパネル型 X線検出器 (FPD)のアクティブマトリックス基板の等価 回路を示すブロック図であり、図 4は、フラットパネル型 X線検出器 (FPD)のァクティ ブマトリックス基板の概略断面図であり、図 5は、実施例 1に係る補助板で保護したフ ラットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。後述する実施例 2も含めて、 本実施例 1では、放射線検出器としてフラットパネル型 X線検出器 (FPD)を例に採つ て説明する。
[0034] 本実施例 1に係る FPDは、図 1、図 2に示すように、アクティブマトリックス基板 1と、 放射線 (実施例 1, 2では X線)の入射により電荷を生成する放射線感応型の半導体 2と、バイアス電圧印加用の共通電極 3とを備えている。アクティブマトリックス基板 1は 、図 3、図 4に示すように、放射線の入射面側に複数の収集電極 11を形成し、各収集 電極 11で収集される電荷の蓄積'読み出し用電気回路 12を配設して構成されてい る。各収集電極 11につ ヽては放射線検出有効エリア SA内で 2次元状マトリックス配 列で設定している。アクティブマトリクス基板 1は、この発明におけるアクティブマトリク ス基板に相当し、放射線感応型の半導体 2は、この発明における放射線感応型の半 導体に相当し、バイアス電圧印加用の共通電極 3は、この発明におけるバイアス電圧 印加用の共通電極に相当し、放射線検出有効エリア SAは、この発明における放射 線検出有効エリアに相当する。
[0035] 図 1に示すように、このアクティブマトリックス基板 1の収集電極の入射面側に半導 体 2を積層し、その半導体 2の入射側に共通電極 3を面状に形成して積層して ヽる。 そして、共通電極 3の入射面にバイアス電圧給電用のリード線 4を接続している。銅 線等のリード線 4を導電ペースト (例えば銀ペースト）を介して共通電極 3に接続する 。ノ ィァス電圧給電用のリード線 4は、この発明におけるバイアス電圧給電用のリード 線に相当する。
[0036] 図 3、図 4に示すようにアクティブマトリクス基板 1は、上述したように収集電極 11を 形成し、蓄積'読み出し用電気回路 12を配設している。蓄積'読み出し用電気回路 1 2は、コンデンサ 12Aやスイッチング素子としての TFT (薄膜電界効果トランジスタ） 1 2Bおよびゲート線 12a,データ線 12bなど力もなり、各収集電極 11毎に 1個のコンデ ンサ 12Aおよび 1個の TFT12Bが対応付けて接続されている。収集電極 11は、この 発明における収集電極に相当し、蓄積 ·読み出し用電気回路 12は、この発明におけ る蓄積'読み出し用電気回路に相当する。
[0037] また、アクティブマトリックス基板 1の蓄積 '読み出し用電気回路 12の周囲にはゲー トドライバ 13と電荷電圧変換型増幅器 14とマルチプレクサ 15と AZD変翻 16とを 配設して接続している。これらのゲートドライバ 13、電荷電圧変換型増幅器 14、マル チプレクサ 15、 AZD変翻 16は、アクティブマトリックス基板 1とは別基板で接続さ れている。なお、ゲートドライバ 13、電荷電圧変換型増幅器 14、マルチプレクサ 15、 A/D変 16の一部または全部を、アクティブマトリックス基板 1に内蔵してもよい [0038] FPDによって X線を検出する際には、バイアス供給電源（図示省略)カゝらバイアス電 圧を、バイアス電圧給電用のリード線 4を介してバイアス電圧印加用の共通電極 3〖こ 印加する。バイアス電圧を印加した状態で、放射線 (実施例 1, 2では X線)の入射に 伴って放射線感応型の半導体 2で電荷を生成する。この生成された電荷を収集電極 11で一旦収集する。蓄積'読み出し用電気回路 12によって、収集された電荷を各収 集電極 11毎の放射線検出信号 (実施例 1, 2では X線検出信号)として取り出す。
[0039] 具体的には、収集電極 11で収集された電荷がコンデンサ 12Aにー且蓄積される。
そして、ゲートドライバ 13からゲート線 12aを介して読み出し信号を各 TFT12Bのゲ ートに順に与える。読み出し信号を与えることで、読み出し信号が与えられた TFT12 Bが OFFから ONに移行する。その移行した TFT12Bのソースに接続されたデータ 線 12bがマルチプレクサ 15によって順に切り換え接続されるのにしたがって、コンデ ンサ 12Aに蓄積された電荷を、 TFT12Bカゝらデータ線 12bを介して読み出す。読み 出された電荷を電荷電圧変換型増幅器 14で増幅して、マルチプレクサ 15によって 各収集電極 11毎の放射線検出信号 (実施例 1, 2では X線検出信号)として AZD変 翻16に送り出してアナログ値カゝらディジタル値に変換する。
[0040] 例えば、 FPDを X線透視撮影装置に備えた場合には、 X線検出信号を後段の画像 処理回路に送り込んで、画像処理を行って 2次元 X線透視画像等を出力する。 2次 元状マトリックス配列の各収集電極 11は、放射線画像 (ここでは 2次元 X線透視画像 )の各画素に対応する電極 (画素電極）にそれぞれ対応している。放射線検出信号（ 実施例 1, 2では X線検出信号)を取り出すことで、放射線検出有効エリア SAに投影 される放射線の 2次元強度分布に応じた放射線画像 (ここでは 2次元 X線透視画像） を作成することができる。つまり、後述する実施例 2も含めて、本実施例 1に係る FPD は、放射線検出有効エリア SAに投影される放射線 (実施例 1, 2では X線)の 2次元 強度分布を検出することができる 2次元アレイタイプの放射線検出器である。
[0041] 次に、 FPDの各部構成についてより具体的に説明する。共通電極 3のリード線 4へ の接続部分に位置する半導体 2における箇所を、図 1、図 2に示すように、放射線検 出有効エリア SAに到らない範囲で、半導体 2における他の箇所よりも凹状に窪んで 形成する。その接続部分の位置する箇所を埋めるように絶縁性の台座 5を配設する。 共通電極 3がその台座 5の一部を覆うように形成し、リード線 4が共通電極 3の入射面 のうちの台座 5に位置する箇所に接続されるように形成している。絶縁性の台座 5は、 この発明における絶縁性の台座に相当する。
[0042] リード線 4が共通電極 3の入射面のうちの台座 5に位置する箇所に接続されるように 形成し、上述した接続部分に位置する箇所 (すなわち半導体 2の凹状の窪み部分） を埋めるように台座 5を配設することで、リード線 4を共通電極 3に接続する際に加わ る衝撃を台座 5が和らげる。その結果、耐圧不良の原因となる放射線感応型の半導 体 2の損傷を防止することができ、耐圧不良等の性能低下を回避することができる。
[0043] また、接続部分に位置する箇所を埋めるように台座 5を配設し、共通電極 3が台座 5 の一部を覆うように形成して ヽるので、共通電極 3の入射側とは逆側には接続部分で は台座 5が存在していたの力 他の部分では台座 5によって埋め込められる半導体 2 が存在することになる。その結果、接続部分での台座 5および共通電極 3の厚さと、 他の部分での半導体 2および共通電極 3の厚さとがほぼ同程度になって、熱変形応 力や放射線減衰の問題を回避することができる。
[0044] 以上のことから、共通電極 3にリード線 4を接続することに起因する性能低下を回避 することができ、かつ熱変形応力や放射線減衰の問題を回避することができる。なお 、共通電極 3が台座 5の一部を覆うように形成していた力 共通電極 3が台座 5の全部 を覆うように形成してもよい。したがって、共通電極 3が台座 5の一部を少なくとも覆う ように形成すればよい。
[0045] なお、沿面放電を防止するために、後述する実施例 2も含めて、本実施例 1では、 図 1に示すように、放射線検出有効エリア SAに到らな 、範囲で共通電極 3を半導体 2よりも内側に形成している。その一方で、上述した接続部分に位置する半導体 2に おける箇所を放射線検出有効エリア SAに到らない範囲で、半導体 2における他の箇 所よりも凹状に窪んで形成する必要があるので、リード線 4が共通電極 3に接続され、 かつリード線が共通電極 3の入射面のうちの台座 5に位置する箇所に接続されるため には、図 2に示すように、少なくとも接続部分では共通電極 3の入射側とは逆側には 台座 5が存在する。したがって、少なくとも接続部分では共通電極 3は半導体 2よりも 外側に形成されることになる。上述したように放射線検出有効エリア SAに到らない範 囲で共通電極 3を半導体 2よりも内側に形成する場合には、上述した接続部分を共 通電極 3の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成する。接続部分を共通電極 3の他 の箇所よりも凸状に張り出させて形成することで、接続部分では共通電極 3は半導体 2よりち外佃 J〖こ形成されること〖こなる。
[0046] また、本実施例 1では、図 5に示すように絶縁性の補助板 6で FPDを保護して 、る。
本実施例 1のように、アクティブマトリックス基板 1を備えた FPDの場合には、ァクティ ブマトリックス基板 1と同程度の熱膨張係数を有する絶縁性の補助板 6が半導体 2お よび共通電極 3を覆うように、硬化性合成樹脂からなる榭脂膜 7によって補助板 6を固 定形成するのが好ましい。
[0047] このように固定形成することで、半導体 2の変質、温度変化による反り、亀裂等によ る絶縁破壊を阻止することができる。アクティブマトリックス基板 1には、例えばガラス 基板が用いられるとともに、絶縁性の補助板 6には、例えばパイレックス (登録商標） ガラス基板や石英ガラス基板が用いられる。アクティブマトリックス基板 1のガラス基板 や、補助板 6のガラス基板の厚みは、例えば 0. 5mm〜l. 5mm程度である。ここで、 「アクティブマトリックス基板と同程度の熱膨張係数を有する絶縁性の補助板」と 、う のは、熱膨張係数の桁が同程度を示し、例えば、熱膨張係数が 4. O X 10— 6Z°Cの 場合には、 1. 0 X 10— 6〜1. 0 X 10— 5/°Cの範囲を示す。絶縁性の補助板 6は、この 発明における絶縁性の補助板に相当する。
[0048] このように固定形成する場合には、上述した榭脂膜 7の膜厚が、図 5に示すように、 共通電極 3のリード線 4への接続部分を含んだ放射線検出有効エリア SA外よりも、 放射線検出有効エリア SA内の方が薄くなるように榭脂膜 7を形成するのが好ましい。 具体的には、 ABS榭脂等で形成されたフレーム枠状のスぺーサ 8をアクティブマトリ ックス基板 1の周囲に立設して、そのスぺーサ 8の入射側に補助板 6を支持する。ァク ティブマトリックス基板 1と補助板 6との間に液状の常温硬化型榭脂組成物を注入硬 化させることで、硬化後の常温硬化型榭脂組成物は榭脂膜 7となって、硬化性合成 榭脂からなる榭脂膜 7によって補助板 6を固定形成する。硬化性合成樹脂には、例え ば常温硬化型のエポキシ榭脂などが適当な榭脂材料として用いられる。 [0049] 外囲を除いた、放射線検出有効エリア SAを含む領域と、その外囲の領域とに区分 けして、各領域に応じて補助板 6も各ピース 6a, 6bに分けている。図 5に示すように、 補助板 6を、放射線検出有効エリア SAを含む領域では薄膜用ピース 6aとするととも に、外囲の領域では厚膜用ピース 6bとして、各ピース 6a, 6b間で厚さ方向にギヤッ プを設ける。
[0050] したがって、スぺーサ 8に補助板 6を支持して、アクティブマトリックス基板 1と補助板 6との間に液状の常温硬化型榭脂組成物を注入硬化させると、薄膜用ピース 6aと厚 膜用ピース 6bとの間で榭脂膜 7の膜厚にギャップが生じる。これによつて、上述した 接続部分を含んだ放射線検出有効エリア SA外よりも、放射線検出有効エリア SA内 の方が薄くなるように榭脂膜 7が形成される。なお、各ピース 6a, 6bで分離して補助 板 6を形成してもよいし、各ピース 6a, 6bを一体ィ匕して補助板 6を形成してもよい。
[0051] 放射線検出有効エリア SA内では榭脂膜 7を薄く形成することで、榭脂膜 7に起因し た半導体 2にかかるストレスを低減させることができる。放射線検出有効エリア SA外 では榭脂膜 7を厚く形成することで、榭脂膜 7の沿面放電防止機能の低下を抑制す ることがでさる。
[0052] なお、放射線検出有効エリア SA内での榭脂膜 7の厚さを TAとし、放射線検出有効 エリア SA外での榭脂膜 7の厚さを taとした場合には、 0. 5ta≥TA≥0. Itaを満たす ように榭脂膜 7の膜厚をそれぞれ設定するのが好ましい。榭脂膜 7の厚さ TAは、通 常、 0. lmm〜0. 5mmの範囲にあり、榭脂膜 7の厚さ taは、通常、 lmm〜2mmの 範囲にある。
[0053] 半導体 2の厚さは、通常、 0. 5mm〜l. 5mm前後の厚膜であり、面積は、例えば 縦 20cm〜50cmX横 20cm〜50cm程度のものである。また、台座 5の厚さ力 半導 体 2の厚さと同程度であるのが好ましい。上述したように、共通電極 3のリード線 4への 接続部分に位置する箇所を埋めるように台座 5を配設し、共通電極 3が台座 5の一部 を少なくとも覆うように形成しているので、接続部分での台座 5および共通電極 3の厚 さと、他の部分での半導体 2および共通電極 3の厚さとがほぼ同程度になる力 それ を確実に実現させるために台座 5の厚さを半導体 2の厚さと同程度にする。ここで、 「 台座 5の厚さ力 半導体 2の厚さと同程度である」というのは、半導体 2の厚さの（1 ±0 . 5)倍が台座 5の厚さ、より好ましくは半導体 2の厚さの（1 ±0. 2)倍〜 1倍が台座 5 の厚さの範囲を示す。
[0054] なお、接続部分に位置する箇所を埋めるように台座 5を配設する際に、図 6 (a)に示 すように、半導体 2における凹状の窪み部分と台座 5との厚さの相違によってギャップ (段差) Gができる可能性がある。このような場合には、図 6 (b)に示すように、絶縁性 榭脂材料を用いてギャップ Gを埋めて形成することで、半導体 2における凹状の窪み 部分と台座 5との連続性を高めて、安定性の優れた FPDを実現することができる。絶 縁性榭脂材料を用いてギャップ Gを埋めて形成する場合には、絶縁性榭脂材料には 、エポキシ榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂，シリコン榭脂，合成ゴムのいずれか が用いられる。
[0055] 放射線感応型の半導体 2は、高純度アモルファスセレン（a— Se) , Na等のアルカリ 金属や C1等のハロゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化合物のァ モルファス半導体， CdTe, CdZnTe, Pbl , Hgl , TlBr等の非セレン系多結晶半
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導体のうちのいずれかであるのが好ましい。アモルファスセレン，アルカリ金属ゃハロ ゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体， 非セレン系多結晶半導体は、大面積化適性および厚膜化適性に優れる。その反面 、これらはモース硬度が 4以下と柔ら力べて傷が付き易いが、リード線 4を共通電極 3 に接続する際に加わる衝撃を台座 5が和らげて傷が付くのを防止することができるの で、半導体 2の大面積ィ匕および厚膜ィ匕が容易に図れる。特に、 109 Ω以上、好ましく は 10U Q以上の比抵抗を有する a— Seを半導体 2に用いると大面積ィ匕適性および厚 膜化適性が顕著に優れて!/、る。
[0056] また、半導体 2としては、上述した感応型の半導体 2の他に、その入射面（図 2では 上面)または入射側と逆側の面（図 2では下面)もしくは両面に形成されたキャリア選 択性の高抵抗半導体層である中間層との組み合わせも含む。図 7 (a)に示すように、 半導体 2と共通電極 3との間に中間層 2aを形成するとともに、半導体 2と収集電極 11 (図 4を参照）との間に中間層 2bを形成してもよいし、図 7 (b)に示すように、半導体 2 と共通電極 3との間のみに中間層 2aを形成してもよいし、図 7 (c)に示すように、半導 体 2と収集電極 11 (図 4を参照）との間のみに中間層 2bを形成してもよい。 [0057] このように、キャリア選択性の中間層 2a, 2bを設けることにより暗電流を低減させる ことができる。ここで言うキャリア選択性とは半導体中の電荷移動媒体 (キャリア)であ る電子と正孔とで、電荷移動作用への寄与率が著しく異なる性質を指す。
[0058] 半導体 2とキャリア選択性の中間層 2a, 2bとの組み合わせ方としては、次のような 態様が挙げられる。共通電極 3に正のバイアス電圧を印加する場合には、中間層 2a に電子の寄与率が大き 、材料を使用する。これにより共通電極 3からの正孔の注入 が阻止され、暗電流を低減させることができる。中間層 2bには正孔の寄与率が大き い材料を使用する。これにより収集電極 11からの電子の注入が阻止され、暗電流を 低減させることができる。
[0059] 逆に、共通電極 3に負のバイアス電圧を印加する場合には、中間層 2aに正孔の寄 与率が大きい材料を使用する。これにより共通電極 3からの電子の注入が阻止され、 暗電流を低減させることができる。中間層 2bには電子の寄与率が大きい材料を使用 する。これにより収集電極 11からの正孔の注入が阻止され、暗電流を低減させること ができる。
[0060] キャリア選択性の中間層 2a, 2bの厚さは、通常、 0. 1 m〜10 μ mの範囲が好ま しい。中間層 2a, 2bの厚さが 0.： L m未満では暗電流を十分に抑制できない傾向 が現れ、逆に、厚さが 10 mを越えると放射線検出の妨げとなる傾向（例えば感度が 低下する傾向）が現れる。
[0061] また、キャリア選択性の中間層 2a, 2bに用いられる半導体としては、 Sb S , ZnTe
2 3
, CeO , CdS, ZnSe, ZnS等の多結晶半導体、 Na等のアルカリ金属や CI等のハロ
2
ゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化合物のアモルファス半導体が 大面積化適性に優れるものとして挙げられる。これらの半導体は厚みが薄くて傷が付 き易いのであるが、リード線 4を共通電極 3に接続する際に加わる衝撃を台座 5が和ら げて傷が付くのを防止することができるので、キャリア選択性の中間層 2a, 2bは大面 積化適性に優れる。
[0062] 中間層 2a, 2bに用いられる半導体のうち、電子の寄与が大きいものとして、 n型半 導体である CeO , CdS, CdSe, ZnSe, ZnSのような多結晶半導体や、アルカリ金
2
属ゃ Asや Teをドープして正孔の寄与率を低下させたアモルファス Se等のァモルフ ァス体が挙げられる。
[0063] また、正孔の寄与が大きいものとして、 p型半導体である ZnTeのような多結晶半導 体や、ハロゲンをドープして電子の寄与率を低下させたアモルファス Se等のァモルフ ァス体が挙げられる。
[0064] さらに、 Sb S , CdTe, CdZnTe, Pbl , Hgl , TlBrや、ノンドープのァモルファ
2 3 2 2
ス Seまたは Se化合物の場合、電子の寄与が大き!/、ものと正孔の寄与が大き!/、もとの 両方がある。これらの場合、製膜条件の調節で電子の寄与が大きいものでも、正孔の 寄与が大きいものでも、選択形成することができる。
[0065] また、エポキシ榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂等の硬質榭脂材料を用いて絶 縁性の台座 5を形成するのが好ましい。エポキシ榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭 脂等の (硬化後の硬度が高い)硬質榭脂材料を用いて台座 5を形成すると、その台 座 5はシリコン榭脂ゃ合成ゴム系のような軟質材料に比べ伸縮し難くて緩衝機能に優 れるので、リード線 4を共通電極 3に接続する際に加わる衝撃を台座 5が十分に和ら げることができる。
実施例 2
[0066] 次に、図面を参照してこの発明の実施例 2を説明する。図 8は、実施例 2に係るフラ ットパネル型 X線検出器 (FPD)の概略断面図である。上述した実施例 1と共通する 箇所については、同じ符号を付してその説明を省略するとともに図示を省略する。
[0067] 本実施例 2に係る FPDは、図 8に示すように、放射線 (ここでは X線）が放射線検出 有効エリア SAに入射する際に共通電極 3のリード線 4への接続部分を含んだ端縁部 および台座 5に当たるのを避けるコリメータ 9を備えている。コリメータ 9は、この発明に おけるコリメータに相当する。
[0068] 共通電極 3の端縁部や台座 5では、バイアス電圧の印加に伴って生じる電界が集 中しており、そこに放射線が当たると FPDの故障 (特に蓄積 '読み出し用電気回路 1 2の TFT12Bの破壊）を引き起こすような不測の大電流が流れることがある。そこで、 本実施例 2では、共通電極 3の端縁部や台座 5に放射線が当たるのを避けるコリメ一 タ 9を備えている。
[0069] 具体的には、放射線が共通電極 3の端縁部および台座 5に当たらず、放射線検出 有効エリア SAに入射するようにコリメータ 9の開口部 9Aを設けている。このようなコリ メータ 9を備えることで、電界が集中する共通電極 3の端縁部および台座 5に放射線 が当たって FPDの故障を引き起こすような不測の大電流が流れることを防止すること ができる。
[0070] 実施例 2の場合も、上述した実施例 1と同様に、半導体 2としては、上述した感応型 の半導体 2の他に、その入射面または入射側と逆側の面もしくは両面に形成された キャリア選択性の高抵抗半導体層である中間層との組み合わせも含む。
[0071] この発明は、上記実施形態に限られることはなぐ下記のように変形実施することが できる。
[0072] (1)上述した各実施例では、フラットパネル型 X線検出器に代表される放射線検出 器は、 2次元アレイタイプであつたが、この発明の放射線検出器は、収集電極が 1次 元状マトリックス配列で形成されて ヽる 1次元アレイタイプでもよ ヽし、放射線検出信 号取り出し用の電極が 1個だけの非アレイタイプでもよい。
[0073] (2)上述した各実施例では、放射線検出器として X線検出器を例に採って説明した 力 X線以外の放射線 (例えばガンマ線)を検出する放射線検出器 (例えばガンマ線 検出器）にも適用できる。
[0074] (3)上述した実施例 1と実施例 2とを互いに組み合わせてもよ 、。すなわち、実施例 1のように、アクティブマトリックス基板 1と同程度の熱膨張係数を有する絶縁性の補 助板 6が半導体 2および共通電極 3を覆うように、硬化性合成樹脂からなる榭脂膜 7 によって補助板 6を固定形成する構造（図 5を参照）と、実施例 2のように、放射線が 放射線検出有効エリア SAに入射する際に共通電極 3のリード線 4への接続部分を含 んだ端縁部および台座 5に当たるのを避けるコリメータ 9を備えた構造（図 8を参照）と を互 、に組み合わせてもよ!/、。
[0075] (4)上述した各実施例では、沿面放電を防止するために、放射線検出有効エリア S Aに到らない範囲で共通電極 3を半導体 2よりも内側に形成したが、沿面放電を考慮 しない場合には、共通電極 3の端縁部と半導体 2の端縁部とを揃えてもよいし、共通 電極 3を半導体 2よりも外側に形成してもよい。このように、共通電極 3を半導体 2より も内側に形成しない場合には、必ずしも共通電極 3のリード線 4への接続部分を、共 通電極 3の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成する必要はない。もちろん、共通 電極 3を半導体 2よりも内側に形成しない場合であっても、上述した接続部分を共通 電極 3の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成してもよい。
[0076] (5)上述した各実施例において、絶縁性の台座 5を配設する際には、半導体 2にお ける窪み部分に、台座 5の材料となるエポキシ榭脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂 等の硬質榭脂材料を充填して硬化させて台座 5を形成してもよ ヽし、予め固形状に 成型した台座 5を窪み部分に装着して形成してもよ 、。
[0077] (6)上述した実施例 1では、硬化性合成樹脂からなる榭脂膜 7の膜厚が、共通電極 3のリード線 4への接続部分を含んだ放射線検出有効エリア SA外よりも、放射線検 出有効エリア SA内の方が薄くなるように榭脂膜 7を形成したが（図 5を参照）、図 9に 示すように、榭脂膜 7の膜厚が全体にわたって均一になるように榭脂膜 7を形成して ちょい。
[0078] (7)上述した実施例 1では、アクティブマトリックス基板 1と同程度の熱膨張係数を有 する絶縁性の補助板 6が半導体 2および共通電極 3を覆うように、硬化性合成樹脂か らなる榭脂膜 7によって補助板 6を固定形成する際に、アクティブマトリックス基板 1と 補助板 6との間に液状の常温硬化型榭脂組成物を注入硬化させたが、共通電極 3お よびリード線 4の入射面に常温硬化型榭脂組成物を塗布した後に補助板 6を支持し てもよい。この場合には、図 5に示すようなスぺーサ 8は必ずしも必要でなぐ膜厚を 薄くすることも可能である。
産業上の利用可能性
[0079] 以上のように、この発明は、直接変換型の放射線検出器に適している。

Claims

請求の範囲
[1] 放射線を検出する放射線検出器であって、放射線の入射により電荷を生成する放 射線感応型の半導体と、その半導体の前記入射側へ面状に形成されたバイアス電 圧印加用の共通電極と、その共通電極の入射面に接続されたバイアス電圧給電用 のリード線とを備え、共通電極の前記リード線への接続部分に位置する半導体にお ける箇所を、放射線検出有効エリアに到らない範囲で、半導体における他の箇所より も凹状に窪んで形成し、その接続部分に位置する箇所を埋めるように絶縁性の台座 を配設し、共通電極が前記台座の一部を少なくとも覆うように形成し、リード線が共通 電極の入射面のうちの台座に位置する箇所に接続されるように形成することを特徴と する放射線検出器。
[2] 請求項 1に記載の放射線検出器において、前記放射線検出有効エリアに到らない 範囲で前記共通電極を前記半導体よりも内側に形成することを特徴とする放射線検 出器。
[3] 請求項 2に記載の放射線検出器において、前記共通電極の前記リード線への接続 部分を、共通電極の他の箇所よりも凸状に張り出させて形成することを特徴とする放 射線検出器。
[4] 請求項 1に記載の放射線検出器において、前記放射線検出有効エリア内に設定さ れた 1次元状ないし 2次元状マトリックス配列で複数の収集電極が入射面に形成され 、各収集電極で収集される電荷の蓄積'読み出し用電気回路が配設されて構成され たアクティブマトリックス基板を備え、アクティブマトリックス基板の収集電極の入射面 側に前記半導体を積層することを特徴とする放射線検出器。
[5] 請求項 4に記載の放射線検出器において、前記アクティブマトリックス基板と同程度 の熱膨張係数を有する絶縁性の補助板が前記半導体および共通電極を覆うように、 硬化性合成樹脂によって前記補助板を固定形成することを特徴とする放射線検出器
[6] 請求項 5に記載の放射線検出器において、前記硬化性合成樹脂の膜厚が、前記 共通電極の前記リード線への接続部分を含んだ前記放射線検出有効エリア外よりも 、放射線検出有効エリア内の方が薄くなるように硬化性合成樹脂を形成することを特 徴とする放射線検出器。
[7] 請求項 1に記載の放射線検出器において、前記半導体は、アモルファスセレン (a
-Se) ,アルカリ金属やハロゲンもしくは Asや Teをドープしたセレンおよびセレン化 合物のアモルファス半導体，非セレン系多結晶半導体のうちのいずれかであることを 特徴とする放射線検出器。
[8] 請求項 7に記載の放射線検出器において、前記アルカリ金属は、ナトリウム まで あることを特徴とする放射線検出器。
[9] 請求項 7に記載の放射線検出器において、前記ハロゲンは、塩ィ匕物（C1)であるこ とを特徴とする放射線検出器。
[10] 請求項 7に記載の放射線検出器において、前記非セレン系多結晶半導体は、 CdT e, CdZnTe, Pbl , Hgl , TlBrのいずれかであることを特徴とする放射線検出器。
2 2
[11] 請求項 1に記載の放射線検出器にぉ 、て、硬質榭脂材料を用いて前記台座を形 成することを特徴とする放射線検出器。
[12] 請求項 11に記載の放射線検出器にぉ ヽて、前記硬質榭脂材料は、エポキシ榭脂
,ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂のいずれかであることを特徴とする放射線検出器。
[13] 請求項 1に記載の放射線検出器において、前記台座の厚さが、前記半導体の厚さ と同程度であることを特徴とする放射線検出器。
[14] 請求項 1に記載の放射線検出器にぉ 、て、絶縁性榭脂材料を用いて、前記半導 体における前記凹状の窪み部分と前記台座とのギャップを埋めて形成することを特 徴とする放射線検出器。
[15] 請求項 14に記載の放射線検出器にぉ ヽて、前記絶縁性榭脂材料は、エポキシ榭 脂，ポリウレタン榭脂，アクリル榭脂，シリコン榭脂，合成ゴムのいずれかであることを 特徴とする放射線検出器。
[16] 請求項 1に記載の放射線検出器において、放射線が前記放射線検出有効エリア に入射する際に前記共通電極の前記リード線への接続部分を含んだ端縁部および 前記台座に当たるのを避けるコリメータを備えることを特徴とする放射線検出器。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088183A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 放射線検出器
JP2009099941A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、塗布液及び有機高分子層の製造方法
WO2009056967A3 (en) * 2007-11-01 2010-03-18 Oy Ajat, Ltd. Cdtd/cdznte radiation imaging detector and high/biasing voltage means
EP2053658A3 (en) * 2007-10-23 2012-05-09 FUJIFILM Corporation Image detector
JP5104857B2 (ja) * 2007-05-21 2012-12-19 株式会社島津製作所 放射線検出器
KR101318455B1 (ko) * 2008-09-10 2013-10-16 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 방사선 검출기

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8563940B2 (en) 2009-04-03 2013-10-22 Shimadzu Corporation Radiation detector manufacturing method, a radiation detector, and a radiographic apparatus
WO2010125608A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 株式会社島津製作所 放射線検出器
CN103081127B (zh) * 2010-07-06 2016-03-30 株式会社岛津制作所 放射线检测器的制造方法
CN103534808B (zh) * 2011-05-30 2016-02-10 株式会社岛津制作所 放射线检测器
JP6502731B2 (ja) 2015-04-13 2019-04-17 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP6535271B2 (ja) * 2015-11-09 2019-06-26 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
CN105510952B (zh) * 2015-12-24 2019-09-13 同方威视技术股份有限公司 飞行模式CdZnTe巡检系统和巡检方法
KR102630173B1 (ko) 2017-12-27 2024-01-26 엘지디스플레이 주식회사 엑스레이검출장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982932A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Hitachi Ltd 固体撮像素子
JP2001298172A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Canon Inc 固体撮像装置
JP2003133575A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Shimadzu Corp 放射線検出装置
JP2005086059A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Shimadzu Corp 放射線検出器
JP2005286183A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Shimadzu Corp フラットパネル型放射線検出器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132172A (ja) 1987-11-18 1989-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体放射線検出器
JP2772607B2 (ja) * 1993-03-18 1998-07-02 国際電信電話株式会社 窒素添加ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製造方法および装置
AU4927899A (en) * 1999-07-26 2001-02-13 Edge Medical Devices Ltd. Digital detector for X-ray imaging
JP4547760B2 (ja) * 2000-02-28 2010-09-22 株式会社島津製作所 放射線検出器および放射線撮像装置
JP3678162B2 (ja) * 2001-04-12 2005-08-03 株式会社島津製作所 放射線検出装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982932A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Hitachi Ltd 固体撮像素子
JP2001298172A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Canon Inc 固体撮像装置
JP2003133575A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Shimadzu Corp 放射線検出装置
JP2005086059A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Shimadzu Corp 放射線検出器
JP2005286183A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Shimadzu Corp フラットパネル型放射線検出器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5104857B2 (ja) * 2007-05-21 2012-12-19 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP2009088183A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 放射線検出器
JP2009099941A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、塗布液及び有機高分子層の製造方法
EP2053658A3 (en) * 2007-10-23 2012-05-09 FUJIFILM Corporation Image detector
WO2009056967A3 (en) * 2007-11-01 2010-03-18 Oy Ajat, Ltd. Cdtd/cdznte radiation imaging detector and high/biasing voltage means
US7741610B2 (en) 2007-11-01 2010-06-22 Oy Ajat Ltd. CdTe/CdZnTe radiation imaging detector and high/biasing voltage means
JP2011501149A (ja) * 2007-11-01 2011-01-06 オイ アジャト， リミテッド ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ放射線イメージング検出器及び高／バイアス電圧手段
KR101318455B1 (ko) * 2008-09-10 2013-10-16 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 방사선 검출기
US8564082B2 (en) 2008-09-10 2013-10-22 Shimadzu Corporation Radiation detector

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