JP3468844B2 - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- Japan
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- gas sensor
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- perovskite
- metal oxide
- oxide semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガスセンサのうち特に高
温排気ガス中の窒素酸化物（ＮＯX）を検出するのに適
したガスセンサに関する。
温排気ガス中の窒素酸化物（ＮＯX）を検出するのに適
したガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】空気中の酸素、硫化水素、アンモニア、
アミン類及びメルカプタン類等の濃度を検出するガスセ
ンサとして、従来から電圧の変化によって濃度を検出す
る固体電解質タイプと、抵抗の変化によって濃度を検出
する半導体タイプがあり、前者にはＺrＯ2またはＺrＯ2
と酸化触媒を併用したもの、β−Ａl2Ｏ3に硝酸塩複電
極を併用したもの、ＡgＮＯ3等の硝酸塩自体を固体電解
質として使用したものがあり、後者にはフタロシアニン
等の有機物半導体を用いたものと金属酸化物半導体を用
いたものがある。そして、金属酸化物半導体の中には、
ＴiＯ2、ＳnＯ2或いはＷＯ3等の一成分系と、特公昭５
２−４３５９９号公報、特開昭６１−１４７１４８号公
報或いは特開平３−６５５１７号公報に開示されるよう
なＡＢＯ3（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示されるペロブ
スカイト型の金属酸化物半導体を用いたガスセンサが知
られている。
アミン類及びメルカプタン類等の濃度を検出するガスセ
ンサとして、従来から電圧の変化によって濃度を検出す
る固体電解質タイプと、抵抗の変化によって濃度を検出
する半導体タイプがあり、前者にはＺrＯ2またはＺrＯ2
と酸化触媒を併用したもの、β−Ａl2Ｏ3に硝酸塩複電
極を併用したもの、ＡgＮＯ3等の硝酸塩自体を固体電解
質として使用したものがあり、後者にはフタロシアニン
等の有機物半導体を用いたものと金属酸化物半導体を用
いたものがある。そして、金属酸化物半導体の中には、
ＴiＯ2、ＳnＯ2或いはＷＯ3等の一成分系と、特公昭５
２−４３５９９号公報、特開昭６１−１４７１４８号公
報或いは特開平３−６５５１７号公報に開示されるよう
なＡＢＯ3（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示されるペロブ
スカイト型の金属酸化物半導体を用いたガスセンサが知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した各種のガスセ
ンサを自動車からの排気ガス中のＮＯXを検出するため
に用いようとすると以下のような課題がある。先ず、Ｚ
rＯ2はＯ2ガスのセンサであり、このＺrＯ2を用いてＮ
ＯXを検出するにはＮＯXから解離したＯ2を検出しなけ
ればならないので、測定は極めて難しく現実的ではな
い。また、自動車の排気ガスの通路の温度は８００〜９
００℃まで上がることがあり、一方、硝酸塩のうちＮa
ＮＯ3の融点は３０７℃、ＫＮＯ3の融点は３３３℃、Ｂ
a(ＮＯ3)2融点は５９２℃であるので、これらを使用す
ることはできない。同様の理由からフタロシアニン等の
有機物半導体を高温の排気ガス中で用いることはできな
い。また、一成分系の金属酸化物半導体はＮＯやＮＯ2
に対する感度は高いものの、耐熱性の点で問題があり、
車載用のガスセンサとして使用することはできない。更
に、ペロブスカイト型の金属酸化物半導体については、
耐熱性及び耐久性については優れているものの、ＮＯや
ＮＯ2に対する感度が低く、実用に供することができな
い。
ンサを自動車からの排気ガス中のＮＯXを検出するため
に用いようとすると以下のような課題がある。先ず、Ｚ
rＯ2はＯ2ガスのセンサであり、このＺrＯ2を用いてＮ
ＯXを検出するにはＮＯXから解離したＯ2を検出しなけ
ればならないので、測定は極めて難しく現実的ではな
い。また、自動車の排気ガスの通路の温度は８００〜９
００℃まで上がることがあり、一方、硝酸塩のうちＮa
ＮＯ3の融点は３０７℃、ＫＮＯ3の融点は３３３℃、Ｂ
a(ＮＯ3)2融点は５９２℃であるので、これらを使用す
ることはできない。同様の理由からフタロシアニン等の
有機物半導体を高温の排気ガス中で用いることはできな
い。また、一成分系の金属酸化物半導体はＮＯやＮＯ2
に対する感度は高いものの、耐熱性の点で問題があり、
車載用のガスセンサとして使用することはできない。更
に、ペロブスカイト型の金属酸化物半導体については、
耐熱性及び耐久性については優れているものの、ＮＯや
ＮＯ2に対する感度が低く、実用に供することができな
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、ＡＢＯ３（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示される
ペロブスカイト型の結晶構造を有するガスセンサにおい
て、前記Ａサイトを構成する元素は電気陰性度（Ｅ）が
１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．２±０．
０５Åであり、Ｂサイトを構成する元素は電気陰性度
（Ｅ）が１．７５±０．１５で且つイオン半径（ｒ）が
０．６５±０．０７５Åであり、窒素酸化物を検出する
ものとした。
発明は、ＡＢＯ３（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示される
ペロブスカイト型の結晶構造を有するガスセンサにおい
て、前記Ａサイトを構成する元素は電気陰性度（Ｅ）が
１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．２±０．
０５Åであり、Ｂサイトを構成する元素は電気陰性度
（Ｅ）が１．７５±０．１５で且つイオン半径（ｒ）が
０．６５±０．０７５Åであり、窒素酸化物を検出する
ものとした。
【０００５】ここで、前記ペロブスカイト型の結晶構造
のＡサイトを構成する元素として、ＬaまたはＬaとＳr
を、Ｂサイトを構成する元素としてはＣrとＦeを選定す
ることにより、ＮＯXに対する選択感度が向上する。
のＡサイトを構成する元素として、ＬaまたはＬaとＳr
を、Ｂサイトを構成する元素としてはＣrとＦeを選定す
ることにより、ＮＯXに対する選択感度が向上する。
【０００６】
【作用】電気陰性度（Ｅ）が大きいほど負の電荷を帯び
やすく、小さいほどプラスにチャージしやすい。またイ
オン半径が小さいほど外部に及ぼす影響が大きくなる。
やすく、小さいほどプラスにチャージしやすい。またイ
オン半径が小さいほど外部に及ぼす影響が大きくなる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係るガスセンサのう
ちバルク法によって作製したガスセンサの斜視図、図２
は本発明に係るガスセンサのうち厚膜法によって作製し
たガスセンサの斜視図、図３はペロブスカイト型の金属
酸化物半導体の結晶構造を示す図、図４は本発明に係る
ガスセンサの設置箇所の一例を示した排気管の斜視図で
ある。
説明する。ここで、図１は本発明に係るガスセンサのう
ちバルク法によって作製したガスセンサの斜視図、図２
は本発明に係るガスセンサのうち厚膜法によって作製し
たガスセンサの斜視図、図３はペロブスカイト型の金属
酸化物半導体の結晶構造を示す図、図４は本発明に係る
ガスセンサの設置箇所の一例を示した排気管の斜視図で
ある。
【０００８】バルク法によって作製したガスセンサ１
は、円盤形状に成形されたペロブスカイト型の金属酸化
物半導体２の表面にＡuまたはＰtペーストを塗布してな
る電極３，３を形成し、この電極３，３にＰtからなる
リード線４，４を接続している。
は、円盤形状に成形されたペロブスカイト型の金属酸化
物半導体２の表面にＡuまたはＰtペーストを塗布してな
る電極３，３を形成し、この電極３，３にＰtからなる
リード線４，４を接続している。
【０００９】一方、厚膜法によって作製したガスセンサ
１は、矩形状に成形されたアルミナ基板５上に櫛歯状電
極３，３をプリントし、この電極３，３を覆うようにア
ルミナ基板５上にペロブスカイト型の金属酸化物半導体
２を層状に形成している。
１は、矩形状に成形されたアルミナ基板５上に櫛歯状電
極３，３をプリントし、この電極３，３を覆うようにア
ルミナ基板５上にペロブスカイト型の金属酸化物半導体
２を層状に形成している。
【００１０】ここで、ペロブスカイト型の金属酸化物半
導体はＡＢＯ3（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示され、そ
の結晶構造は図３に示すように、直方体の各頂点にＡサ
イト元素が、直方体の４つの側面の中央に酸素イオン
が、直方体の中心にＢサイト元素が位置している。
導体はＡＢＯ3（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示され、そ
の結晶構造は図３に示すように、直方体の各頂点にＡサ
イト元素が、直方体の４つの側面の中央に酸素イオン
が、直方体の中心にＢサイト元素が位置している。
【００１１】また、本発明に係るガスセンサの設置箇所
としては、図４に示すように排気管の途中等が考えられ
る。即ち、エンジンにつながる上流側の排気管１１と触
媒ボックス１３との間にセンサボックス１２を設け、こ
のセンサボックス１２内に前記したガスセンサ１を設置
し、ガスセンサ１による検出値に応じて燃焼の制御を行
う。尚、触媒ボックス１３の下流端には下流側の排気管
１４が接続され、この下流側の排気管１４の下流端にマ
フラ１５が接続されている。
としては、図４に示すように排気管の途中等が考えられ
る。即ち、エンジンにつながる上流側の排気管１１と触
媒ボックス１３との間にセンサボックス１２を設け、こ
のセンサボックス１２内に前記したガスセンサ１を設置
し、ガスセンサ１による検出値に応じて燃焼の制御を行
う。尚、触媒ボックス１３の下流端には下流側の排気管
１４が接続され、この下流側の排気管１４の下流端にマ
フラ１５が接続されている。
【００１２】ところで、ペロブスカイト型の金属酸化物
半導体２のＡサイトを構成する元素としては電気陰性度
（Ｅ）が１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．
２±０．０５Åのものを選定し、Ｂサイトを構成する元
素としては電気陰性度（Ｅ）が１．７５±０．１５で且
つイオン半径（ｒ）が０．６５±０．０７５Åのものを
選定する。この理由は上記範囲外の元素では電気伝導に
寄与するキャリヤ、即ち自由電子が少なく、ＮＯXが表
面吸着した時の表面抵抗変化を検出することができな
い。例えば、ＰbＴiＯ3やＢaＴiＯ3は典型的なペロブス
カイト構造であるが、強誘電体にもなり得る絶縁体であ
る。
半導体２のＡサイトを構成する元素としては電気陰性度
（Ｅ）が１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．
２±０．０５Åのものを選定し、Ｂサイトを構成する元
素としては電気陰性度（Ｅ）が１．７５±０．１５で且
つイオン半径（ｒ）が０．６５±０．０７５Åのものを
選定する。この理由は上記範囲外の元素では電気伝導に
寄与するキャリヤ、即ち自由電子が少なく、ＮＯXが表
面吸着した時の表面抵抗変化を検出することができな
い。例えば、ＰbＴiＯ3やＢaＴiＯ3は典型的なペロブス
カイト構造であるが、強誘電体にもなり得る絶縁体であ
る。
【００１３】図５は電気陰性度とイオン半径とを各元素
毎にプロットしたグラフであり、このグラフからは、本
発明の範囲に入る元素は、ＡサイトについてはＬaとＳ
r、ＢサイトについてはＳb、Ｃu、Ｍo、Ｃo、Ｆe、Ｓ
n、Ｎi、Ｗ、Ｎb、Ｖ、Ｇa、Ｚnが挙げられる。
毎にプロットしたグラフであり、このグラフからは、本
発明の範囲に入る元素は、ＡサイトについてはＬaとＳ
r、ＢサイトについてはＳb、Ｃu、Ｍo、Ｃo、Ｆe、Ｓ
n、Ｎi、Ｗ、Ｎb、Ｖ、Ｇa、Ｚnが挙げられる。
【００１４】次に、バルク法によるペロブスカイト型の
金属酸化物半導体としてＬaＣrＯ3を用いたガスセンサ
１の作製方法を述べる。純度９９．９％のＬa(ＣＨ3Ｃ
ＯＯ)3・1.5Ｈ2Ｏ、純度９９．９％Ｃr(ＣＨ3ＣＯＯ)3を
Ｌa：Ｃr＝１：１になるように秤量した後、混合し、蒸
留水を加えて溶解させる。次に３００℃×３時間蒸発乾
燥させ、水及び酢酸分を取り除く。このときに得られる
緑色粉末は液相で混合しているため、非常に均一で且つ
１μｍ以下の微粒子である。この微粒子は乾燥固化させ
たままでは多少凝集しているので乳鉢で３０分程度粉砕
した後に大気炉にて、１０００℃×１０時間の焼結を行
った。焼結体のＸ線回析では典型的なペロブスカイト構
造の結晶ピークを得た。続いて３０分程度粉砕し、油圧
プレス機にて３５０kgf/cm2×５分間プレスし直径１０m
m厚み２〜３mmのペレットを作製し、更に大気炉にて１
０００℃×３時間本焼成し、図１に示した構造のガスセ
ンサを得た。
金属酸化物半導体としてＬaＣrＯ3を用いたガスセンサ
１の作製方法を述べる。純度９９．９％のＬa(ＣＨ3Ｃ
ＯＯ)3・1.5Ｈ2Ｏ、純度９９．９％Ｃr(ＣＨ3ＣＯＯ)3を
Ｌa：Ｃr＝１：１になるように秤量した後、混合し、蒸
留水を加えて溶解させる。次に３００℃×３時間蒸発乾
燥させ、水及び酢酸分を取り除く。このときに得られる
緑色粉末は液相で混合しているため、非常に均一で且つ
１μｍ以下の微粒子である。この微粒子は乾燥固化させ
たままでは多少凝集しているので乳鉢で３０分程度粉砕
した後に大気炉にて、１０００℃×１０時間の焼結を行
った。焼結体のＸ線回析では典型的なペロブスカイト構
造の結晶ピークを得た。続いて３０分程度粉砕し、油圧
プレス機にて３５０kgf/cm2×５分間プレスし直径１０m
m厚み２〜３mmのペレットを作製し、更に大気炉にて１
０００℃×３時間本焼成し、図１に示した構造のガスセ
ンサを得た。
【００１５】また、Ｌa0.8Ｓr0.2ＣrＯ3、ＬaＣr0.2Ｃu
0.8Ｏ3、Ｌa0.8Ｓr0.2Ｃr0.5Ｃu0.5Ｏ3については、製
法は前記ＬaＣrＯ3と同じにしたが、出発原料として純
度９９．９％のＬa(ＣＨ3ＣＯＯ)3・0.5Ｈ2Ｏと純度９
９．９％のＣu(ＣＨ3ＣＯＯ)3・Ｈ2Ｏを用い、ＬaＣr0.8
Ｆe0.2Ｏ3、Ｌa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3、Ｓr2ＣuＷ
Ｏ6については出発原料として純度９９．９％のＬa
2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、Ｆe2Ｏ3、純度９９％のＳrＣＯ3を用い
た。
0.8Ｏ3、Ｌa0.8Ｓr0.2Ｃr0.5Ｃu0.5Ｏ3については、製
法は前記ＬaＣrＯ3と同じにしたが、出発原料として純
度９９．９％のＬa(ＣＨ3ＣＯＯ)3・0.5Ｈ2Ｏと純度９
９．９％のＣu(ＣＨ3ＣＯＯ)3・Ｈ2Ｏを用い、ＬaＣr0.8
Ｆe0.2Ｏ3、Ｌa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3、Ｓr2ＣuＷ
Ｏ6については出発原料として純度９９．９％のＬa
2Ｏ3、Ｃr2Ｏ3、Ｆe2Ｏ3、純度９９％のＳrＣＯ3を用い
た。
【００１６】一方、厚膜法によるペロブスカイト型の金
属酸化物半導体の作製方法は、材料の秤量混合から１０
００℃×１０時間の焼結を行い、３０分程度の粉砕を行
うまでは同一であるが、厚膜法では上記によって得られ
たペロブスカイト粉末を蒸留水で分散させ、得られたペ
ーストをアルミナ基板に塗布し、室温で３０分放置す
る。次で、バルク法と同様に大気炉にて１０００℃×３
時間本焼成し、図２に示した構造のガスセンサを得た。
属酸化物半導体の作製方法は、材料の秤量混合から１０
００℃×１０時間の焼結を行い、３０分程度の粉砕を行
うまでは同一であるが、厚膜法では上記によって得られ
たペロブスカイト粉末を蒸留水で分散させ、得られたペ
ーストをアルミナ基板に塗布し、室温で３０分放置す
る。次で、バルク法と同様に大気炉にて１０００℃×３
時間本焼成し、図２に示した構造のガスセンサを得た。
【００１７】図６はバルク法によって作製したペロブス
カイト型金属酸化物半導体のＡサイト及びＢサイトの元
素を種々変化させた場合のＮＯ濃度と感度との関係を示
すグラフであり、このグラフから本発明に係るガスセン
サはＮＯの検出感度に優れていることが分る。従って、
特許請求の範囲に記載した範囲の元素の組み合わせにお
いては、ＮＯXガスセンサとして十分使用できることが
分る。尚、ガス感度（％）＝（初期抵抗−抵抗）×１０
０／初期抵抗である。
カイト型金属酸化物半導体のＡサイト及びＢサイトの元
素を種々変化させた場合のＮＯ濃度と感度との関係を示
すグラフであり、このグラフから本発明に係るガスセン
サはＮＯの検出感度に優れていることが分る。従って、
特許請求の範囲に記載した範囲の元素の組み合わせにお
いては、ＮＯXガスセンサとして十分使用できることが
分る。尚、ガス感度（％）＝（初期抵抗−抵抗）×１０
０／初期抵抗である。
【００１８】図７はバルク法によって作製したものと厚
膜法によって作製したもののＮＯ濃度と感度との関係を
示すグラフであり、このグラフからは厚膜法によって作
製した方が感度に優れることが分る。これは厚膜法によ
って作製する方がバルク法に比べペロブスカイト型金属
酸化物半導体の厚みが薄くなるからと考えられる。
膜法によって作製したもののＮＯ濃度と感度との関係を
示すグラフであり、このグラフからは厚膜法によって作
製した方が感度に優れることが分る。これは厚膜法によ
って作製する方がバルク法に比べペロブスカイト型金属
酸化物半導体の厚みが薄くなるからと考えられる。
【００１９】図８は被検出ガスの種類に応じた検出感度
を比較したグラフであり、ＬaＣrＯ3の場合には、ＮＯ
の検出感度よりＣＯやＯ2の検出感度の方が大きいが、
ＬaＣr0.8Ｆe0.2Ｏ3及びＬa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3
の場合には、ＮＯの検出感度がＣＯやＯ2の検出感度よ
りも大きくなることが分る。したがって、ＬaＣr0.8Ｆe
0 .2Ｏ3やＬa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3が他のペロブス
カイト型金属酸化物半導体に比べてＮＯXセンサとして
特に優れていると言える。
を比較したグラフであり、ＬaＣrＯ3の場合には、ＮＯ
の検出感度よりＣＯやＯ2の検出感度の方が大きいが、
ＬaＣr0.8Ｆe0.2Ｏ3及びＬa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3
の場合には、ＮＯの検出感度がＣＯやＯ2の検出感度よ
りも大きくなることが分る。したがって、ＬaＣr0.8Ｆe
0 .2Ｏ3やＬa0.9Ｓr0.1Ｃr0.8Ｆe0.2Ｏ3が他のペロブス
カイト型金属酸化物半導体に比べてＮＯXセンサとして
特に優れていると言える。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ペロブスカイト型の結晶構造を有するガスセンサとし
て、前記Ａサイトを構成する元素は電気陰性度（Ｅ）が
１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．２±０．
０５Åであり、Ｂサイトを構成する元素は電気陰性度
（Ｅ）が１．７５±０．１５で且つイオン半径（ｒ）が
０．６５±０．０７５Åであるものを選定したので、耐
熱性と耐久性を十分に満足し且つＮＯX感度に優れたガ
スセンサとすることができる。
ペロブスカイト型の結晶構造を有するガスセンサとし
て、前記Ａサイトを構成する元素は電気陰性度（Ｅ）が
１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．２±０．
０５Åであり、Ｂサイトを構成する元素は電気陰性度
（Ｅ）が１．７５±０．１５で且つイオン半径（ｒ）が
０．６５±０．０７５Åであるものを選定したので、耐
熱性と耐久性を十分に満足し且つＮＯX感度に優れたガ
スセンサとすることができる。
【００２１】特に、Ａサイトを構成する元素をＬaまた
はＬaとＳrとし、Ｂサイトを構成する元素をＣrとＦeと
することで、Ｏ2、ＣＯ及びＣＨ4等の他のガスの検出感
度を抑えつつＮＯの検出感度が高くなるガスセンサとす
ることができる。
はＬaとＳrとし、Ｂサイトを構成する元素をＣrとＦeと
することで、Ｏ2、ＣＯ及びＣＨ4等の他のガスの検出感
度を抑えつつＮＯの検出感度が高くなるガスセンサとす
ることができる。
【図１】本発明に係るガスセンサのうちバルク法によっ
て作製したガスセンサの斜視図
て作製したガスセンサの斜視図
【図２】本発明に係るガスセンサのうち厚膜法によって
作製したガスセンサの斜視図
作製したガスセンサの斜視図
【図３】ペロブスカイト型の金属酸化物半導体の結晶構
造を示す図
造を示す図
【図４】本発明に係るガスセンサの設置箇所の一例を示
した排気管の斜視図
した排気管の斜視図
【図５】電気陰性度とイオン半径に応じてペロブスカイ
ト型の金属酸化物半導体のＡサイト及びＢサイトを構成
する元素をプロットしたグラフ
ト型の金属酸化物半導体のＡサイト及びＢサイトを構成
する元素をプロットしたグラフ
【図６】ペロブスカイト型の金属酸化物半導体のＡサイ
ト及びＢサイトの元素を種々変化させた場合のＮＯ濃度
と感度との関係を示すグラフ
ト及びＢサイトの元素を種々変化させた場合のＮＯ濃度
と感度との関係を示すグラフ
【図７】作製方法の相違によるＮＯ濃度と感度との関係
を示すグラフ
を示すグラフ
【図８】被検出ガスの種類に応じた検出感度を比較した
グラフ
グラフ
１…ガスセンサ、２…ペロブスカイト型の金属酸化物半
導体、３…電極、４…リード線、５…基板。
導体、３…電極、４…リード線、５…基板。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−269948（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−332969（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−147148（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−156849（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−144391（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 27/12
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ＡＢＯ３（Ａ、Ｂは１以上の元素）で示
されるペロブスカイト型の結晶構造を有するガスセンサ
において、前記Ａサイトを構成する元素は電気陰性度
（Ｅ）が１．１±０．１で且つイオン半径（ｒ）が１．
２±０．０５Åであり、Ｂサイトを構成する元素は電気
陰性度（Ｅ）が１．７５±０．１５で且つイオン半径
（ｒ）が０．６５±０．０７５Åであり、窒素酸化物を
検出することを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記Ａサイトを構成する元素は、ＬaまたはＬaとＳrで
あり、Ｂサイトを構成する元素はＣrとＦeであることを
特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13168494A JP3468844B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13168494A JP3468844B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333184A JPH07333184A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3468844B2 true JP3468844B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=15063807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13168494A Expired - Fee Related JP3468844B2 (ja) | 1994-06-14 | 1994-06-14 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468844B2 (ja) |
-
1994
- 1994-06-14 JP JP13168494A patent/JP3468844B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07333184A (ja) | 1995-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030826 |
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