JP3459622B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JP3459622B2 JP3459622B2 JP2000217999A JP2000217999A JP3459622B2 JP 3459622 B2 JP3459622 B2 JP 3459622B2 JP 2000217999 A JP2000217999 A JP 2000217999A JP 2000217999 A JP2000217999 A JP 2000217999A JP 3459622 B2 JP3459622 B2 JP 3459622B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トラ
ンジスタ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Larg
e Scale Integration）等の電子部品の製造方法に関す
る
ンジスタ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Larg
e Scale Integration）等の電子部品の製造方法に関す
る
【０００２】
【従来の技術】近年における半導体素子のパッケージン
グは半導体チップの周辺を樹脂で覆ったものが一般的で
ある。半導体素子のパッケージングは、主として小型化
を図るために技術が進歩してきた側面があり、その封止
形態には、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チッ
プサイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、チップオンボード
（ＣＯＢ）、ＴＡＢ、ＱＦＰ、ＰＬＣＣ、ＬＣＤモジュ
ール、フリップチップ、及びＬＥＤモジュール等があ
る。これらの封止形態の内、特にＢＧＡはパッケージ底
面にボールバンプを格子状に配置した表面パッケージを
総称するものであり、ＣＳＰはベアチップとほぼ同じ又
は僅かに大きい寸法のパッケージを総称するものであ
る。これらは何れも、接続用のハンダボールを使ってマ
ザーボードヘ搭載される。
グは半導体チップの周辺を樹脂で覆ったものが一般的で
ある。半導体素子のパッケージングは、主として小型化
を図るために技術が進歩してきた側面があり、その封止
形態には、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チッ
プサイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、チップオンボード
（ＣＯＢ）、ＴＡＢ、ＱＦＰ、ＰＬＣＣ、ＬＣＤモジュ
ール、フリップチップ、及びＬＥＤモジュール等があ
る。これらの封止形態の内、特にＢＧＡはパッケージ底
面にボールバンプを格子状に配置した表面パッケージを
総称するものであり、ＣＳＰはベアチップとほぼ同じ又
は僅かに大きい寸法のパッケージを総称するものであ
る。これらは何れも、接続用のハンダボールを使ってマ
ザーボードヘ搭載される。
【０００３】このように、半導体素子のパッケージング
は外形寸法の小型化を図るという側面から進化してきた
が、半導体素子は電流を流して動作するものであるため
僅かではあるが熱を発するデバイスであり、しかも高度
に集積化されている場合には単位面積当たりの発熱量が
増大する。特に、ＣＰＵ（中央処理装置）等の半導体素
子は高速に動作することが最も重視され、動作周波数の
向上に伴って放熱量が多くなる。よって、ＣＰＵ等の半
導体素子はヒートシンクとファンとを組み合わせて用
い、発生した熱を効率良く発散させることが一般的に行
われている。
は外形寸法の小型化を図るという側面から進化してきた
が、半導体素子は電流を流して動作するものであるため
僅かではあるが熱を発するデバイスであり、しかも高度
に集積化されている場合には単位面積当たりの発熱量が
増大する。特に、ＣＰＵ（中央処理装置）等の半導体素
子は高速に動作することが最も重視され、動作周波数の
向上に伴って放熱量が多くなる。よって、ＣＰＵ等の半
導体素子はヒートシンクとファンとを組み合わせて用
い、発生した熱を効率良く発散させることが一般的に行
われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プの周辺を樹脂で覆った形態のパッケージングにおいて
は、発熱対としての半導体チップの周辺が熱伝導率がさ
ほど高くない樹脂によって周辺が覆われているため、半
導体チップから発生する熱がパッケージング内部にこも
る傾向がある。パッケージング内部に熱がこもると、信
号伝達速度の遅延等による動作不良や動作の不安定が生
じたり、最悪の場合には故障するという問題がある。
プの周辺を樹脂で覆った形態のパッケージングにおいて
は、発熱対としての半導体チップの周辺が熱伝導率がさ
ほど高くない樹脂によって周辺が覆われているため、半
導体チップから発生する熱がパッケージング内部にこも
る傾向がある。パッケージング内部に熱がこもると、信
号伝達速度の遅延等による動作不良や動作の不安定が生
じたり、最悪の場合には故障するという問題がある。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体チップで生じた熱を外部へ効率良く発散
させることができ、しかも効率よく生産することができ
る電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
であり、半導体チップで生じた熱を外部へ効率良く発散
させることができ、しかも効率よく生産することができ
る電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点による電子部品の製造方法は、
表面にポストが形成され裏面にシートが貼付された半導
体基板に対し、当該ポストが形成された半導体基板の表
面から当該シートに至る溝を形成する溝形成工程と、真
空下における印刷により前記半導体基板の表面に封止樹
脂を塗布する第１塗布工程と、前記シートを前記半導体
基板の裏面から除去し、当該裏面に熱伝導性封止樹脂を
塗布する第２塗布工程と、前記熱伝導性封止樹脂に対し
て高い熱伝導率を有する金属板を貼り付ける貼付工程
と、前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止
樹脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品
に分離する分離工程とを有することを特徴としている。
また、本発明の第２の観点による電子部品の製造方法
は、表面にポストが形成された半導体基板に対し、当該
ポストが形成された半導体基板の表面から所定深さの溝
を形成する溝形成工程と、真空下における印刷により前
記半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程
と、前記半導体基板の裏面を研磨して前記溝内の封止樹
脂を露出させる研磨工程と、前記研磨工程を経た半導体
基板の裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程
と、前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有す
る金属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基板を前
記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金属板と
ともに切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを
有することを特徴としている。また、本発明の第３の観
点による電子部品の製造方法は、表面にポストが形成さ
れた半導体基板の当該表面に、真空下における印刷によ
り封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板
の裏面から前記半導体基板の表面に塗布された封止樹脂
に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された
半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗
布工程と、前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率
を有する金属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基
板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金
属板とともに切断して個々の電子部品に分離する分離工
程とを有することを特徴としている。また、本発明の第
４の観点による電子部品の製造方法は、前記第１塗布工
程と前記溝形成工程との間に、前記半導体基板の裏面を
研磨して前記半導体基板の薄型化を行う薄型化工程を更
に有することを特徴としている。また、本発明の第１の
観点から第４の観点による電子部品の製造方法は、前記
第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる
工程を更に有することを特徴としている。ここで、硬化
した前記封止樹脂を研磨し、前記ポストを露出させる工
程を更に有することを特徴としている。また、上記の半
導体製造方法は、前記第２塗布工程によって塗布された
封止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴と
し、更に前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボー
ルを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特
徴とし、更にまた前記封止樹脂が、前記熱伝導性封止樹
脂と同様に熱伝導性を有する樹脂であることを特徴とし
ている。
に、本発明の第１の観点による電子部品の製造方法は、
表面にポストが形成され裏面にシートが貼付された半導
体基板に対し、当該ポストが形成された半導体基板の表
面から当該シートに至る溝を形成する溝形成工程と、真
空下における印刷により前記半導体基板の表面に封止樹
脂を塗布する第１塗布工程と、前記シートを前記半導体
基板の裏面から除去し、当該裏面に熱伝導性封止樹脂を
塗布する第２塗布工程と、前記熱伝導性封止樹脂に対し
て高い熱伝導率を有する金属板を貼り付ける貼付工程
と、前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止
樹脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品
に分離する分離工程とを有することを特徴としている。
また、本発明の第２の観点による電子部品の製造方法
は、表面にポストが形成された半導体基板に対し、当該
ポストが形成された半導体基板の表面から所定深さの溝
を形成する溝形成工程と、真空下における印刷により前
記半導体基板の表面に封止樹脂を塗布する第１塗布工程
と、前記半導体基板の裏面を研磨して前記溝内の封止樹
脂を露出させる研磨工程と、前記研磨工程を経た半導体
基板の裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程
と、前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有す
る金属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基板を前
記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金属板と
ともに切断して個々の電子部品に分離する分離工程とを
有することを特徴としている。また、本発明の第３の観
点による電子部品の製造方法は、表面にポストが形成さ
れた半導体基板の当該表面に、真空下における印刷によ
り封止樹脂を塗布する第１塗布工程と、前記半導体基板
の裏面から前記半導体基板の表面に塗布された封止樹脂
に至る溝を形成する溝形成工程と、前記溝が形成された
半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗
布工程と、前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率
を有する金属板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体基
板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹脂、及び前記金
属板とともに切断して個々の電子部品に分離する分離工
程とを有することを特徴としている。また、本発明の第
４の観点による電子部品の製造方法は、前記第１塗布工
程と前記溝形成工程との間に、前記半導体基板の裏面を
研磨して前記半導体基板の薄型化を行う薄型化工程を更
に有することを特徴としている。また、本発明の第１の
観点から第４の観点による電子部品の製造方法は、前記
第１塗布工程によって塗布された封止樹脂を硬化させる
工程を更に有することを特徴としている。ここで、硬化
した前記封止樹脂を研磨し、前記ポストを露出させる工
程を更に有することを特徴としている。また、上記の半
導体製造方法は、前記第２塗布工程によって塗布された
封止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴と
し、更に前記分離工程前に前記ポストに対して接続ボー
ルを形成する接続ボール形成工程を更に有することを特
徴とし、更にまた前記封止樹脂が、前記熱伝導性封止樹
脂と同様に熱伝導性を有する樹脂であることを特徴とし
ている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態による電子部品の製造方法について詳細に説明す
る。以下に説明する本発明の実施形態による電子部品の
製造方法においては、例えばマザーボード等の外部の電
気回路と電気的に接続するために設けられる電極として
のポストが表面に形成された半導体素子に対して封止樹
脂を用いてパッケージングを行い、多数の電子部品を形
成する場合について説明する。
施形態による電子部品の製造方法について詳細に説明す
る。以下に説明する本発明の実施形態による電子部品の
製造方法においては、例えばマザーボード等の外部の電
気回路と電気的に接続するために設けられる電極として
のポストが表面に形成された半導体素子に対して封止樹
脂を用いてパッケージングを行い、多数の電子部品を形
成する場合について説明する。
【０００８】〔第１実施形態〕図１は、本発明の第１実
施形態による電子部品の製造方法の工程順を示すフロー
チャートであり、図２及び図３は、本発明の第１実施形
態による電子部品の製造方法を用いて電子部品を製造す
る様子を説明するための図である。尚、以下の説明にお
いては図１に示した工程手順について適宜図２及び図３
を用いて説明する。
施形態による電子部品の製造方法の工程順を示すフロー
チャートであり、図２及び図３は、本発明の第１実施形
態による電子部品の製造方法を用いて電子部品を製造す
る様子を説明するための図である。尚、以下の説明にお
いては図１に示した工程手順について適宜図２及び図３
を用いて説明する。
【０００９】まず、本実施形態においては、図２
（ａ），（ｂ）に示すように、表面に多数のポスト１２
が形成された半導体基板１０の裏面にシート１４を貼付
したものを用いる。このシート１４は、詳細は後述する
が半導体基板１０に溝を形成した際に半導体基板１０が
個々に離散するのを防止するとともに、半導体基板１０
の表面に封止樹脂を印刷する際に、印刷した封止樹脂の
漏れを防ぐために半導体基板１０の裏面に貼付される。
尚、シート１４は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させ
る場合には、樹脂硬化温度に耐え得るものが用いられ
る。
（ａ），（ｂ）に示すように、表面に多数のポスト１２
が形成された半導体基板１０の裏面にシート１４を貼付
したものを用いる。このシート１４は、詳細は後述する
が半導体基板１０に溝を形成した際に半導体基板１０が
個々に離散するのを防止するとともに、半導体基板１０
の表面に封止樹脂を印刷する際に、印刷した封止樹脂の
漏れを防ぐために半導体基板１０の裏面に貼付される。
尚、シート１４は印刷した封止樹脂を高温下で硬化させ
る場合には、樹脂硬化温度に耐え得るものが用いられ
る。
【００１０】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成され、裏面にシート１４が貼付された半導体基板１０
に対し、切断機１６を用いて表面側から裏面に貼付され
たシート１４に至る溝１８を形成する工程が行われる
（工程Ｓ１０）。図２（ａ）は、半導体基板１０の表面
から裏面に至る溝を形成する様子を示す断面図である。
切断機１６は、例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有す
る溝を形成するものが用いられる。半導体基板１０の表
面には、多数の半導体チップが格子状に形成されている
ため、溝１８は個々の半導体チップの周囲を取り囲むよ
うに形成される。
成され、裏面にシート１４が貼付された半導体基板１０
に対し、切断機１６を用いて表面側から裏面に貼付され
たシート１４に至る溝１８を形成する工程が行われる
（工程Ｓ１０）。図２（ａ）は、半導体基板１０の表面
から裏面に至る溝を形成する様子を示す断面図である。
切断機１６は、例えば０．０５〜０．４ｍｍの幅を有す
る溝を形成するものが用いられる。半導体基板１０の表
面には、多数の半導体チップが格子状に形成されている
ため、溝１８は個々の半導体チップの周囲を取り囲むよ
うに形成される。
【００１１】半導体基板１０に溝１８が形成されると、
溝１８が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印
刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下において
ポスト１２及び溝１８が形成された半導体基板１０表面
に対して封止樹脂２０を印刷する工程が行われる（工程
Ｓ１２）。図２（ｂ）は、ポスト１２及び溝１８が形成
された半導体基板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷
する様子を示す断面図である。
溝１８が形成された半導体基板１０を図示しない樹脂印
刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真空下において
ポスト１２及び溝１８が形成された半導体基板１０表面
に対して封止樹脂２０を印刷する工程が行われる（工程
Ｓ１２）。図２（ｂ）は、ポスト１２及び溝１８が形成
された半導体基板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷
する様子を示す断面図である。
【００１２】封止樹脂２０の印刷は、半導体基板１０の
直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない
印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行
われる。尚、封止樹脂２０は液状のものであり、硬化後
に半導体基板１０の反りが極めて少なくなるよう抑えら
れるものが好ましい。例えば、直径が８インチであり、
厚さが４００μｍの半導体基板の表面に封止樹脂を印刷
し、この封止樹脂を硬化させたときに、半導体基板１０
の反りが１ｍｍ以下であることが好ましい。封止樹脂２
０としては、熱伝導性の高いものを用いることが効率よ
い熱発散の観点からは好ましい。
直径よりも僅かに小さい径の孔が形成された図示しない
印刷用の孔版と孔版上を摺動するスキージとを用いて行
われる。尚、封止樹脂２０は液状のものであり、硬化後
に半導体基板１０の反りが極めて少なくなるよう抑えら
れるものが好ましい。例えば、直径が８インチであり、
厚さが４００μｍの半導体基板の表面に封止樹脂を印刷
し、この封止樹脂を硬化させたときに、半導体基板１０
の反りが１ｍｍ以下であることが好ましい。封止樹脂２
０としては、熱伝導性の高いものを用いることが効率よ
い熱発散の観点からは好ましい。
【００１３】印刷を行う際には、まず、半導体基板１０
の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に
形成された孔が半導体素子１０表面に形成された半導体
チップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、
孔版が半導体チップを覆わないよう孔版を配置する。次
に、孔版上に封止樹脂２０を滴下し、スキージを孔版の
面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることによ
り、封止樹脂２０が孔版に形成された孔内に流入すると
ともに、孔内に流入した封止樹脂２０の上面が孔版と同
一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半
導体基板１０に形成された溝１８内部に封止樹脂が充填
される。
の上面に孔版を接触させて配置する。このとき、孔版に
形成された孔が半導体素子１０表面に形成された半導体
チップの上方に位置するよう孔版を配置する。つまり、
孔版が半導体チップを覆わないよう孔版を配置する。次
に、孔版上に封止樹脂２０を滴下し、スキージを孔版の
面に沿って摺動させる。スキージを摺動させることによ
り、封止樹脂２０が孔版に形成された孔内に流入すると
ともに、孔内に流入した封止樹脂２０の上面が孔版と同
一の高さになり、且つ上面が平坦となる。このとき、半
導体基板１０に形成された溝１８内部に封止樹脂が充填
される。
【００１４】尚、工程Ｓ１２においてなされる印刷は、
１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１枚の半導体
基板１０に対して複数回行っても良い。また、封止樹脂
２０の印刷は、真空下において行うことが好ましいが、
大気圧下で行うことが不可能な訳ではない。大気圧下で
印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好
ましい。なぜならば、印刷を行う際に封止樹脂２０に巻
き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、封止
樹脂２０の印刷を行う際には、圧力差を用いて封止樹脂
２０を溝１８内に充填することができる真空印刷機を用
いるのが好ましい。
１回の印刷のみに制限される訳ではなく、１枚の半導体
基板１０に対して複数回行っても良い。また、封止樹脂
２０の印刷は、真空下において行うことが好ましいが、
大気圧下で行うことが不可能な訳ではない。大気圧下で
印刷を行う場合には、加熱しながら印刷を行うことが好
ましい。なぜならば、印刷を行う際に封止樹脂２０に巻
き込まれる気泡が抜け易くなるからである。また、封止
樹脂２０の印刷を行う際には、圧力差を用いて封止樹脂
２０を溝１８内に充填することができる真空印刷機を用
いるのが好ましい。
【００１５】封止樹脂２０の印刷が終了すると、印刷し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図２（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。封止樹脂２
０がポスト１２を覆っていると、半導体チップとマザー
ボード等の外部の回路とを電気的に接続することができ
ないため、電極としてのポスト１２を露出させる目的で
この工程が設けられる。
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図２（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。封止樹脂２
０がポスト１２を覆っていると、半導体チップとマザー
ボード等の外部の回路とを電気的に接続することができ
ないため、電極としてのポスト１２を露出させる目的で
この工程が設けられる。
【００１６】尚、印刷した封止樹脂２０を硬化するに
は、例えば熱風乾燥機（図示省略）を用いて封止樹脂２
０を乾燥することにより行う。封止樹脂２０を硬化させ
る場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設
定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始
するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5
〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂２０が
ゲル化するまでの間加圧硬化を行う。更に、溝１８内に
おける封止樹脂２０の充填性をより高いものとするため
に、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも
高い圧力をかけて封止樹脂２０を硬化させる、いわゆる
加圧硬化を行うことが好ましい。
は、例えば熱風乾燥機（図示省略）を用いて封止樹脂２
０を乾燥することにより行う。封止樹脂２０を硬化させ
る場合には、熱風乾燥機の温度を１００〜１５０℃に設
定するとともに、乾燥時間を１〜３時間に設定して開始
するが、乾燥を開始する際に、加える圧力を５×１０5
〜２×１０6ｐａに設定して少なくとも封止樹脂２０が
ゲル化するまでの間加圧硬化を行う。更に、溝１８内に
おける封止樹脂２０の充填性をより高いものとするため
に、印刷後に行われるこの工程において、大気圧よりも
高い圧力をかけて封止樹脂２０を硬化させる、いわゆる
加圧硬化を行うことが好ましい。
【００１７】以上の工程が終了して印刷した封止樹脂２
０が硬化すると、半導体基板１０の裏面に貼付されたシ
ート１４は不要なものとなるため、シート１４を除去す
る工程が行われる（工程Ｓ１６）。シート１４が除去さ
れると、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図２
（ｄ）は、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止
樹脂２２を塗布した状態を示す断面図である。
０が硬化すると、半導体基板１０の裏面に貼付されたシ
ート１４は不要なものとなるため、シート１４を除去す
る工程が行われる（工程Ｓ１６）。シート１４が除去さ
れると、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ１８）。図２
（ｄ）は、半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止
樹脂２２を塗布した状態を示す断面図である。
【００１８】封止樹脂２２は、液状のエポキシ樹脂と硬
化剤とを組み合わせたものに対して、フィラーとして熱
伝送率の高い材料、例えばアルミナ、酸化チタン、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素等を３０〜９０
ｗｔ％程度配合したものである。熱伝導率の高い封止樹
脂という観点からは、上記のフィラーが配合されたもの
を用いれば良いが、更に封止樹脂の硬化収縮や熱膨張を
抑えるために、シリカを併用することが好ましい。この
場合、樹脂成分に対してフィラーを５０〜９５ｗｔ％程
度配合し、このフィラー中のシリカの割合を３０〜８０
％とするのが好ましい。尚、封止樹脂２０及び封止樹脂
２２の何れもが高い熱伝導率を有することが熱を効率よ
く発散させるという観点からは好ましいが、少なくとも
封止樹脂２２が高い熱伝導率を有すれば良い。
化剤とを組み合わせたものに対して、フィラーとして熱
伝送率の高い材料、例えばアルミナ、酸化チタン、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素等を３０〜９０
ｗｔ％程度配合したものである。熱伝導率の高い封止樹
脂という観点からは、上記のフィラーが配合されたもの
を用いれば良いが、更に封止樹脂の硬化収縮や熱膨張を
抑えるために、シリカを併用することが好ましい。この
場合、樹脂成分に対してフィラーを５０〜９５ｗｔ％程
度配合し、このフィラー中のシリカの割合を３０〜８０
％とするのが好ましい。尚、封止樹脂２０及び封止樹脂
２２の何れもが高い熱伝導率を有することが熱を効率よ
く発散させるという観点からは好ましいが、少なくとも
封止樹脂２２が高い熱伝導率を有すれば良い。
【００１９】封止樹脂２２の塗布が完了すると、封止樹
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。図３（ａ）は、封止樹
脂２２に金属板２４を張り合わせる工程を説明する断面
図である。この金属板２４は、熱の発散効率を高めるた
めに設けられ、アルミ、銅、ステンレス、鉄等が用いら
れる。尚、軽量であって耐食性があり、しかも安価であ
り、更に加工が容易であって封止樹脂２２との接着性が
高い等の観点から金属板２４としてアルミを用いるのが
好ましい。
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。図３（ａ）は、封止樹
脂２２に金属板２４を張り合わせる工程を説明する断面
図である。この金属板２４は、熱の発散効率を高めるた
めに設けられ、アルミ、銅、ステンレス、鉄等が用いら
れる。尚、軽量であって耐食性があり、しかも安価であ
り、更に加工が容易であって封止樹脂２２との接着性が
高い等の観点から金属板２４としてアルミを用いるのが
好ましい。
【００２０】封止樹脂２２が硬化して封止樹脂２２と金
属板２４とが張り合わさると、次に工程Ｓ１４において
封止樹脂２０上に露出されたポスト１２上に接続用のハ
ンダボール２６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２
２）。図３（ｂ）はポスト１２上にハンダボール２６を
形成する様子を示す断面図である。ハンダボール２６
は、例えばポスト１２が配置されたピッチに応じた径を
有し、図示しないボールマウンタ（図示省略）を用いて
搭載される。
属板２４とが張り合わさると、次に工程Ｓ１４において
封止樹脂２０上に露出されたポスト１２上に接続用のハ
ンダボール２６を形成する工程が行われる（工程Ｓ２
２）。図３（ｂ）はポスト１２上にハンダボール２６を
形成する様子を示す断面図である。ハンダボール２６
は、例えばポスト１２が配置されたピッチに応じた径を
有し、図示しないボールマウンタ（図示省略）を用いて
搭載される。
【００２１】しかしながら、ポスト１２の配置されたピ
ッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３ｍｍよ
り小さいボールが必要となる。従って、この程度にピッ
チが狭くなった場合には、ボールマウンタを用いてハン
ダボールを搭載するよりも、所定量のハンダペーストを
精度良くポスト１２上に積載し、リフロー（図示省略）
を通してハンダボール２６を形成させた方がより好まし
い。この場合、ハンダペーストをポスト１２上に搭載す
るには、所定の孔版及びスキージを用いて印刷により搭
載することが好ましい。
ッチが０．５ｍｍ以下になった場合、径が０．３ｍｍよ
り小さいボールが必要となる。従って、この程度にピッ
チが狭くなった場合には、ボールマウンタを用いてハン
ダボールを搭載するよりも、所定量のハンダペーストを
精度良くポスト１２上に積載し、リフロー（図示省略）
を通してハンダボール２６を形成させた方がより好まし
い。この場合、ハンダペーストをポスト１２上に搭載す
るには、所定の孔版及びスキージを用いて印刷により搭
載することが好ましい。
【００２２】最後に、電子半導体素子１０を切断するこ
とにより半導体チップを個々に分離して電子部品２８を
形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。図３（ｃ）
は、半導体チップを個々に分離して電子部品２８を形成
する様子を示す断面図である。半導体チップの分離は、
図示しないダイシング装置によって行う。ダイシング装
置によって切断を行う際には、工程Ｓ１０において形成
した溝１８のほぼ中央部を切断する。このようにして得
られた電子部品は、上下及び４側面が全て封止樹脂２
０，２２によって封止され、封止樹脂２２に金属板２４
が張り合わされた者となる。尚、切断は通常のダイシン
グ装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ
切断装置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断
刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝の幅より薄
いものである。
とにより半導体チップを個々に分離して電子部品２８を
形成する工程が行われる（工程Ｓ２４）。図３（ｃ）
は、半導体チップを個々に分離して電子部品２８を形成
する様子を示す断面図である。半導体チップの分離は、
図示しないダイシング装置によって行う。ダイシング装
置によって切断を行う際には、工程Ｓ１０において形成
した溝１８のほぼ中央部を切断する。このようにして得
られた電子部品は、上下及び４側面が全て封止樹脂２
０，２２によって封止され、封止樹脂２２に金属板２４
が張り合わされた者となる。尚、切断は通常のダイシン
グ装置を用いることができるが、レーザを用いたレーザ
切断装置を用いても良い。また、ダイシング装置の切断
刃の厚みは５〜２００μｍ程度であって、溝の幅より薄
いものである。
【００２３】以上、本発明の第１実施形態による電子部
品の製造方法について説明したが、工程Ｓ１２において
は封止樹脂２０の印刷を行い、工程Ｓ１８においては、
封止樹脂２２を塗布しているが、これらの工程の後に封
止樹脂２０及び封止樹脂２２に混入している気泡を除去
する工程を設けることが好ましい。更に、工程Ｓ１８に
おける封止樹脂２２を塗布する工程においては、工程Ｓ
１２と同様に印刷によって封止樹脂２２を印刷するよう
にすることが好ましい。
品の製造方法について説明したが、工程Ｓ１２において
は封止樹脂２０の印刷を行い、工程Ｓ１８においては、
封止樹脂２２を塗布しているが、これらの工程の後に封
止樹脂２０及び封止樹脂２２に混入している気泡を除去
する工程を設けることが好ましい。更に、工程Ｓ１８に
おける封止樹脂２２を塗布する工程においては、工程Ｓ
１２と同様に印刷によって封止樹脂２２を印刷するよう
にすることが好ましい。
【００２４】以上説明した実施形態によれば、半導体チ
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。更に、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。更に、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。
【００２５】〔第２実施形態〕次に、本発明の第２実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図４
は、本発明の第２実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図５は、本発明の
第２実施形態による電子部品の製造方法を用いて電子部
品を製造する様子を説明するための図である。尚、以下
の説明においては図４に示した工程手順について適宜図
５を用いて説明する。
形態による電子部品の製造方法について説明する。図４
は、本発明の第２実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図５は、本発明の
第２実施形態による電子部品の製造方法を用いて電子部
品を製造する様子を説明するための図である。尚、以下
の説明においては図４に示した工程手順について適宜図
５を用いて説明する。
【００２６】図４に示した本発明の第２実施形態による
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法と異なる点は、主に半導
体基板１０の裏面に貼付されたシート１４を用いずに電
子部品を製造する点である。尚、以下の説明において
は、図１に示した処理と重複する部分については説明を
省略する。本実施形態においては、図５（ａ）に示すよ
うに、表面に多数のポスト１２が形成された半導体基板
１０を用いる。即ち、半導体基板１０の裏面には図２
（ａ）、（ｂ）に示したシート１４が貼付されていな
い。
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法と異なる点は、主に半導
体基板１０の裏面に貼付されたシート１４を用いずに電
子部品を製造する点である。尚、以下の説明において
は、図１に示した処理と重複する部分については説明を
省略する。本実施形態においては、図５（ａ）に示すよ
うに、表面に多数のポスト１２が形成された半導体基板
１０を用いる。即ち、半導体基板１０の裏面には図２
（ａ）、（ｂ）に示したシート１４が貼付されていな
い。
【００２７】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対し、切断機１６を用いて表
面側から所定の深さを有する溝３０を形成する工程が行
われる（工程Ｓ３０）。この溝３０の深さは処理対象の
半導体基板１０によって異なるが、例えば半導体基板１
０の厚みの２分の１〜５分の４程度の深さである。半導
体基板１０に溝３０が形成されると、溝３０が形成され
た半導体基板１０を図示しない樹脂印刷機に設けられた
チャンバ内に配置し、真空下においてポスト１２及び溝
３０が形成された半導体基板１０表面に対して封止樹脂
２０を印刷する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図５
（ｂ）は、ポスト１２及び溝３０が形成された半導体基
板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷する様子を示す
断面図である。この工程Ｓ１２は図１に示した工程Ｓ１
２と同様の工程である。
成された半導体基板１０に対し、切断機１６を用いて表
面側から所定の深さを有する溝３０を形成する工程が行
われる（工程Ｓ３０）。この溝３０の深さは処理対象の
半導体基板１０によって異なるが、例えば半導体基板１
０の厚みの２分の１〜５分の４程度の深さである。半導
体基板１０に溝３０が形成されると、溝３０が形成され
た半導体基板１０を図示しない樹脂印刷機に設けられた
チャンバ内に配置し、真空下においてポスト１２及び溝
３０が形成された半導体基板１０表面に対して封止樹脂
２０を印刷する工程が行われる（工程Ｓ１２）。図５
（ｂ）は、ポスト１２及び溝３０が形成された半導体基
板１０表面に対して封止樹脂２０を印刷する様子を示す
断面図である。この工程Ｓ１２は図１に示した工程Ｓ１
２と同様の工程である。
【００２８】封止樹脂２０の印刷が終了すると、印刷し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図５（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。この工程Ｓ
１２は図１に示した工程Ｓ１２と同様の工程である。工
程Ｓ１２の処理が終了すると、溝３０内に充填された封
止樹脂２０が露出するまで、半導体基板１０の裏面を研
磨する工程が行われる（工程Ｓ３２）。この工程Ｓ３２
は、図１中のシート１４を除去する工程Ｓ１６に相当す
る工程である。
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ１４）。図５（ｃ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。この工程Ｓ
１２は図１に示した工程Ｓ１２と同様の工程である。工
程Ｓ１２の処理が終了すると、溝３０内に充填された封
止樹脂２０が露出するまで、半導体基板１０の裏面を研
磨する工程が行われる（工程Ｓ３２）。この工程Ｓ３２
は、図１中のシート１４を除去する工程Ｓ１６に相当す
る工程である。
【００２９】工程Ｓ３２が終了すると、以下図１に示し
た半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹脂２２
を塗布する工程Ｓ１８、金属板２４を封止樹脂２２に貼
り付ける工程Ｓ２０、ハンダボール２６を形成する工程
Ｓ２２、及び半導体チップを個々に分離する工程Ｓ２４
が順に行われ、電子部品２８が形成される。以上説明し
たように、本発明の第２実施形態は第１実施形態で形成
した電子部品２８と同様な電子部品を形成することがで
きる。
た半導体基板１０の裏面に熱伝導性の高い封止樹脂２２
を塗布する工程Ｓ１８、金属板２４を封止樹脂２２に貼
り付ける工程Ｓ２０、ハンダボール２６を形成する工程
Ｓ２２、及び半導体チップを個々に分離する工程Ｓ２４
が順に行われ、電子部品２８が形成される。以上説明し
たように、本発明の第２実施形態は第１実施形態で形成
した電子部品２８と同様な電子部品を形成することがで
きる。
【００３０】よって、第１実施形態と同様に、半導体チ
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。更に、第１実施形態で必須であったシート
１４を用いることなく電子部品２８を製造することがで
きるため、シート１４を用いることができない制限があ
る製造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させる
ことができる電子部品を効率良く製造することができ
る。
ップの周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも
設け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有
するものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率
の高い金属板２４が張り合わされているので半導体チッ
プで生じた熱を外部へ効率良く発散させることができ
る。また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２
２によって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２
４が貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素
な工程によって製造することができるため、生産効率が
極めて高い。更に、第１実施形態で必須であったシート
１４を用いることなく電子部品２８を製造することがで
きるため、シート１４を用いることができない制限があ
る製造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させる
ことができる電子部品を効率良く製造することができ
る。
【００３１】〔第３実施形態〕次に、本発明の第３実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図６
は、本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図７及び図８は、
本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法を用い
て電子部品を製造する様子を説明するための図である。
尚、以下の説明においては図６に示した工程手順につい
て適宜図７及び図８を用いて説明する。
形態による電子部品の製造方法について説明する。図６
は、本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図７及び図８は、
本発明の第３実施形態による電子部品の製造方法を用い
て電子部品を製造する様子を説明するための図である。
尚、以下の説明においては図６に示した工程手順につい
て適宜図７及び図８を用いて説明する。
【００３２】図６に示した本発明の第３実施形態による
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法及び図４に示した本発明
の第２実施形態による電子部品の製造方法と根本的に異
なる点は、第１実施形態及び第２実施形態の何れもポス
ト１２が形成された半導体基板１０の表面から溝を形成
していたが、本発明の第３実施形態においては半導体基
板１０の裏面から溝を形成する点である。本実施形態に
おいては、半導体基板１０の裏面から溝を形成するた
め、第１実施形態で用いたシート１４は必要とせずに第
２実施形態と同様に、ポスト１２が形成された半導体基
板１０を用意する。
電子部品の製造方法が、図１に示した本発明の第１実施
形態による電子部品の製造方法及び図４に示した本発明
の第２実施形態による電子部品の製造方法と根本的に異
なる点は、第１実施形態及び第２実施形態の何れもポス
ト１２が形成された半導体基板１０の表面から溝を形成
していたが、本発明の第３実施形態においては半導体基
板１０の裏面から溝を形成する点である。本実施形態に
おいては、半導体基板１０の裏面から溝を形成するた
め、第１実施形態で用いたシート１４は必要とせずに第
２実施形態と同様に、ポスト１２が形成された半導体基
板１０を用意する。
【００３３】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図７
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図７
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。
【００３４】封止樹脂２０の塗布が終了すると、塗布し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図７（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この工
程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を行
う工程である。以上の工程が終了すると、切断機１６を
用いて半導体基板１０の裏面から半導体基板１０の表面
側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４０を形成する工程
が行われる（工程Ｓ４４）。図７（ｃ）は、半導体基板
１０の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止
樹脂２０に至る溝４０を形成する様子を示す断面図であ
る。
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図７（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポス
ト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この工
程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を行
う工程である。以上の工程が終了すると、切断機１６を
用いて半導体基板１０の裏面から半導体基板１０の表面
側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４０を形成する工程
が行われる（工程Ｓ４４）。図７（ｃ）は、半導体基板
１０の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止
樹脂２０に至る溝４０を形成する様子を示す断面図であ
る。
【００３５】半導体基板１０の裏面から溝４０が形成さ
れると、次に溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する工程が行
われる（工程Ｓ４６）。図８（ａ）は、溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する様子を示す断面図である。図８（ａ）
に示したように、塗布された封止樹脂２２は溝４０内に
充填され、溝４０内に充填された封止樹脂２２は半導体
基板１０の表面に塗布された封止樹脂２０に接触すした
状態となる。
れると、次に溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する工程が行
われる（工程Ｓ４６）。図８（ａ）は、溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する様子を示す断面図である。図８（ａ）
に示したように、塗布された封止樹脂２２は溝４０内に
充填され、溝４０内に充填された封止樹脂２２は半導体
基板１０の表面に塗布された封止樹脂２０に接触すした
状態となる。
【００３６】封止樹脂２２の塗布が完了すると、封止樹
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。この工程は、図１に示
した工程Ｓ２０と同様の処理を行う工程である。図８
（ｂ）は、封止樹脂２２に金属板２４を張り合わせる工
程を説明する断面図である。
脂２２が硬化する前に封止樹脂２２に対して金属板２４
を載置してから封止樹脂２２を硬化させて張り合わせる
工程が行われる（工程Ｓ２０）。この工程は、図１に示
した工程Ｓ２０と同様の処理を行う工程である。図８
（ｂ）は、封止樹脂２２に金属板２４を張り合わせる工
程を説明する断面図である。
【００３７】以上の工程Ｓ３２が終了すると、ハンダボ
ール２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個
々に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が
形成される。以上説明したように、本発明の第３実施形
態は第１実施形態及び第２実施形態で形成した電子部品
２８と同様な電子部品を形成することができる。
ール２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個
々に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が
形成される。以上説明したように、本発明の第３実施形
態は第１実施形態及び第２実施形態で形成した電子部品
２８と同様な電子部品を形成することができる。
【００３８】よって、本発明の第３実施形態によれば、
第１実施形態及び第２実施形態と同様に、半導体チップ
の周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設
け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有す
るものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の
高い金属板２４が張り合わされているので半導体チップ
で生じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。
また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２に
よって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が
貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工
程によって製造することができるため、生産効率が極め
て高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４
を用いることなく電子部品２８を製造することができる
ため、シート１４を用いることができない制限がある製
造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させること
ができる電子部品を効率良く製造することができる。
第１実施形態及び第２実施形態と同様に、半導体チップ
の周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設
け、好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有す
るものを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の
高い金属板２４が張り合わされているので半導体チップ
で生じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。
また、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２に
よって囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が
貼り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工
程によって製造することができるため、生産効率が極め
て高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４
を用いることなく電子部品２８を製造することができる
ため、シート１４を用いることができない制限がある製
造ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させること
ができる電子部品を効率良く製造することができる。
【００３９】〔第４実施形態〕次に、本発明の第４実施
形態による電子部品の製造方法について説明する。図９
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図１０及び図１１
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法を
用いて電子部品を製造する様子を説明するための図であ
る。尚、以下の説明においては図９に示した工程手順に
ついて適宜図１０及び図１１を用いて説明する。
形態による電子部品の製造方法について説明する。図９
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法の
工程順を示すフローチャートであり、図１０及び図１１
は、本発明の第４実施形態による電子部品の製造方法を
用いて電子部品を製造する様子を説明するための図であ
る。尚、以下の説明においては図９に示した工程手順に
ついて適宜図１０及び図１１を用いて説明する。
【００４０】図９に示した本発明の第４実施形態による
電子部品の製造方法は、図６に示した本発明の第３実施
形態による電子部品の製造方法と基本的には同一の工程
を有しているが、図９に示したように、工程Ｓ４２と工
程Ｓ４４との間に半導体基板１０の裏面を研磨する工程
を設けている点が異なる。本実施形態においては第３実
施形態と同様に、シート１４は必要とせずにポスト１２
が形成された半導体基板１０を用意する。
電子部品の製造方法は、図６に示した本発明の第３実施
形態による電子部品の製造方法と基本的には同一の工程
を有しているが、図９に示したように、工程Ｓ４２と工
程Ｓ４４との間に半導体基板１０の裏面を研磨する工程
を設けている点が異なる。本実施形態においては第３実
施形態と同様に、シート１４は必要とせずにポスト１２
が形成された半導体基板１０を用意する。
【００４１】処理が開始すると、表面にポスト１２が形
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図１０
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。
成された半導体基板１０に対して、表面側から封止樹脂
２０を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４０）。図１０
（ａ）は、半導体基板１０の表面に対して封止樹脂２０
を塗布した状態を示す断面図である。この工程では、図
１に示した工程Ｓ１２と同様に、半導体基板１０を図示
しない樹脂印刷機に設けられたチャンバ内に配置し、真
空下においてポスト１２が形成された半導体基板１０表
面に対して封止樹脂２０を印刷して塗布することが好ま
しい。
【００４２】封止樹脂２０の塗布が終了すると、塗布し
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図１０（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポ
スト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この
工程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を
行う工程である。以上の工程が終了すると、半導体基板
１０の裏面を研磨して半導体基板１０そのものを薄くす
る工程が行われる（工程Ｓ５０）。この工程は電子部品
の小型化（薄型化）のために設けられる工程であって、
製造される電子部品をマザーボード等の基板上に実装し
た際に高さの制限が要求される電子部品を製造する際に
行われる工程である。図１０（ｃ）は、半導体基板１０
の裏面を研磨した状態を示す断面図である。
た封止樹脂２０を硬化させ、硬化後にポスト１２が露出
するまで封止樹脂２０を研磨する工程が行われる（工程
Ｓ４２）。図１０（ｂ）は、封止樹脂２０を研磨してポ
スト１２が露出した様子を示す断面図である。尚、この
工程Ｓ４２は、図１に示した工程Ｓ１４と同様の処理を
行う工程である。以上の工程が終了すると、半導体基板
１０の裏面を研磨して半導体基板１０そのものを薄くす
る工程が行われる（工程Ｓ５０）。この工程は電子部品
の小型化（薄型化）のために設けられる工程であって、
製造される電子部品をマザーボード等の基板上に実装し
た際に高さの制限が要求される電子部品を製造する際に
行われる工程である。図１０（ｃ）は、半導体基板１０
の裏面を研磨した状態を示す断面図である。
【００４３】次に、切断機１６を用いて半導体基板１０
の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂
２０に至る溝４０を形成する工程が行われる（工程Ｓ４
４）。図１１（ｃ）は、半導体基板１０の裏面から半導
体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４
０を形成する様子を示す断面図である。半導体基板１０
の裏面から溝４０が形成されると、次に溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４６）。図１
１（ａ）は、溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する様子を示
す断面図である。以上の工程が終了すると、金属板２４
を封止樹脂２２に張り合わせる工程Ｓ２０。ハンダボー
ル２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個々
に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が形
成される。以上説明したように、本発明の第４実施形態
は第１実施形態〜第３実施形態で形成した電子部品２８
と同様な電子部品を形成することができる。
の裏面から半導体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂
２０に至る溝４０を形成する工程が行われる（工程Ｓ４
４）。図１１（ｃ）は、半導体基板１０の裏面から半導
体基板１０の表面側に塗布した封止樹脂２０に至る溝４
０を形成する様子を示す断面図である。半導体基板１０
の裏面から溝４０が形成されると、次に溝４０を形成し
た半導体基板１０の裏面に対して熱伝導率が高い封止樹
脂２２を塗布する工程が行われる（工程Ｓ４６）。図１
１（ａ）は、溝４０を形成した半導体基板１０の裏面に
対して熱伝導率が高い封止樹脂２２を塗布する様子を示
す断面図である。以上の工程が終了すると、金属板２４
を封止樹脂２２に張り合わせる工程Ｓ２０。ハンダボー
ル２６を形成する工程Ｓ２２、及び半導体チップを個々
に分離する工程Ｓ２４が順に行われ、電子部品２８が形
成される。以上説明したように、本発明の第４実施形態
は第１実施形態〜第３実施形態で形成した電子部品２８
と同様な電子部品を形成することができる。
【００４４】よって、本発明の第４実施形態によれば、
第１実施形態〜第３実施形態と同様に、半導体チップの
周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設け、
好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有するも
のを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の高い
金属板２４が張り合わされているので半導体チップで生
じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。ま
た、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２によ
って囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が貼
り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工程
によって製造することができるため、生産効率が極めて
高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４を
用いることなく電子部品２８を製造することができるた
め、シート１４を用いることができない制限がある製造
ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させることが
できる電子部品を効率良く製造することができる。更
に、第４実施形態によれば、製造される電子部品の薄型
化を図ることができるため、高さ制限が要求される電子
部品を製造する際には、好適である。
第１実施形態〜第３実施形態と同様に、半導体チップの
周囲に熱伝導率の高い封止樹脂２２を少なくとも設け、
好ましくは封止樹脂２０として高い熱伝導率を有するも
のを用い、更に、封止樹脂２２に極めて熱伝導率の高い
金属板２４が張り合わされているので半導体チップで生
じた熱を外部へ効率良く発散させることができる。ま
た、半導体チップの周囲全体が封止樹脂２０，２２によ
って囲まれるとともに、封止樹脂２２に金属板２４が貼
り付けられた電子部品を安価な設備を用いて簡素な工程
によって製造することができるため、生産効率が極めて
高い。更に、第１実施形態で必須であったシート１４を
用いることなく電子部品２８を製造することができるた
め、シート１４を用いることができない制限がある製造
ラインおいても、熱を外部へ効率良く発散させることが
できる電子部品を効率良く製造することができる。更
に、第４実施形態によれば、製造される電子部品の薄型
化を図ることができるため、高さ制限が要求される電子
部品を製造する際には、好適である。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
周囲を封止樹脂で封止した電子部品を製造する際に、一
部を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封止しており、
好ましくは全体を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封
止し、更に熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有
する金属板を張り合わせているので、内部で生じた熱を
外部へ効率良く発散させることができるという効果があ
る。また、かかる優れた熱発散特性を有する電子部品を
安価な設備を用いて簡素な工程によって製造することが
できるため、生産効率が極めて高いという効果がある。
更に、製造される電子部品の薄型化を図ることができる
ため、優れた熱発散特性を有し、更に高さ制限が要求さ
れる電子部品を製造する際には極めて好適であるという
効果がある。
周囲を封止樹脂で封止した電子部品を製造する際に、一
部を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封止しており、
好ましくは全体を熱伝導性を有する封止樹脂を用いて封
止し、更に熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有
する金属板を張り合わせているので、内部で生じた熱を
外部へ効率良く発散させることができるという効果があ
る。また、かかる優れた熱発散特性を有する電子部品を
安価な設備を用いて簡素な工程によって製造することが
できるため、生産効率が極めて高いという効果がある。
更に、製造される電子部品の薄型化を図ることができる
ため、優れた熱発散特性を有し、更に高さ制限が要求さ
れる電子部品を製造する際には極めて好適であるという
効果がある。
【図１】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。
方法の工程順を示すフローチャートである。
【図２】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
【図３】 本発明の第１実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
【図４】 本発明の第２実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。
方法の工程順を示すフローチャートである。
【図５】 本発明の第２実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
【図６】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。
方法の工程順を示すフローチャートである。
【図７】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
【図８】 本発明の第３実施形態による電子部品の製造
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するための
図である。
【図９】 本発明の第４実施形態による電子部品の製造
方法の工程順を示すフローチャートである。
方法の工程順を示すフローチャートである。
【図１０】 本発明の第４実施形態による電子部品の製
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。
【図１１】 本発明の第４実施形態による電子部品の製
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。
造方法を用いて電子部品を製造する様子を説明するため
の図である。
１０ 半導体基板
１２ ポスト
１４ シート
１８，３０，４０ 溝
２０ 封止樹脂
２２ 封止樹脂（熱伝導性封止樹脂）
２４ 金属板
２６ ハンダボール（接続ボール）
２８ 電子部品
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2001−144121（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−88357（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−248538（ＪＰ，Ａ)
特開2000−332034（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−64078（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−189705（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−79362（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
H01L 23/00 - 23/10
H01L 23/28 - 23/30
Claims (9)
- 【請求項１】 表面にポストが形成され裏面にシートが
貼付された半導体基板に対し、当該ポストが形成された
半導体基板の表面から当該シートに至る溝を形成する溝
形成工程と、真空下における印刷により 前記半導体基板の表面に封止
樹脂を塗布する第１塗布工程と、 前記シートを前記半導体基板の裏面から除去し、当該裏
面に熱伝導性封止樹脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。 - 【請求項２】 表面にポストが形成された半導体基板に
対し、当該ポストが形成された半導体基板の表面から所
定深さの溝を形成する溝形成工程と、真空下における印刷により 前記半導体基板の表面に封止
樹脂を塗布する第１塗布工程と、 前記半導体基板の裏面を研磨して前記溝内の封止樹脂を
露出させる研磨工程と、 前記研磨工程を経た半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹
脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。 - 【請求項３】 表面にポストが形成された半導体基板の
当該表面に、真空下における印刷により封止樹脂を塗布
する第１塗布工程と、 前記半導体基板の裏面から前記半導体基板の表面に塗布
された封止樹脂に至る溝を形成する溝形成工程と、 前記溝が形成された半導体基板の裏面に熱伝導性封止樹
脂を塗布する第２塗布工程と、 前記熱伝導性封止樹脂に対して高い熱伝導率を有する金
属板を貼り付ける貼付工程と、 前記半導体基板を前記封止樹脂、前記熱伝導性封止樹
脂、及び前記金属板とともに切断して個々の電子部品に
分離する分離工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１塗布工程と前記溝形成工程との
間に、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板
の薄型化を行う薄型化工程を更に有することを特徴とす
る請求項３記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１塗布工程によって塗布された封
止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴とする
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項６】 硬化した前記封止樹脂を研磨し、前記ポ
ストを露出させる工程を更に有することを特徴とする請
求項５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 前記第２塗布工程によって塗布された封
止樹脂を硬化させる工程を更に有することを特徴とする
請求項１から請求項６の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項８】 前記分離工程前に前記ポストに対して接
続ボールを形成する接続ボール形成工程を更に有するこ
とを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項９】 前記封止樹脂は、前記熱伝導性封止樹脂
と同様に熱伝導性を有する樹脂であることを特徴とする
請求項１から請求項８の何れか一項に記載の電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000217999A JP3459622B2 (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000217999A JP3459622B2 (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033343A JP2002033343A (ja) | 2002-01-31 |
| JP3459622B2 true JP3459622B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=18713020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000217999A Expired - Lifetime JP3459622B2 (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3459622B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3717899B2 (ja) | 2002-04-01 | 2005-11-16 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5165207B2 (ja) | 2006-03-29 | 2013-03-21 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011040512A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| US8482105B2 (en) * | 2010-01-29 | 2013-07-09 | Headway Technologies, Inc. | Semiconductor substrate, laminated chip package, semiconductor plate and method of manufacturing the same |
| JP2021048205A (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000217999A patent/JP3459622B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002033343A (ja) | 2002-01-31 |
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