JP3452306B2

JP3452306B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Publication number: JP3452306B2
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも読み出
し用の磁気抵抗素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異
方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Re
sistive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大
磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）
と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素
子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲ
ヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭ
Ｒヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１
ギガビット／（インチ）²を超える再生ヘッドとして利
用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭ
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。

【０００４】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜を変える方法がある。一般的に、ＡＭＲ膜
は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造
になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数
の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果
が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、その
メカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ
膜としては、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜、スピンバ
ルブ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱
い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧ
ＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。このよ
うに、再生ヘッドは、例えば、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧ
ＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることで、
容易に、性能を向上するという目的を達せられる。

【０００５】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特
に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイトは、ＭＲ素子のエア
ベアリング面（媒体対向面）側の端部から反対側の端部
までの長さ（高さ）を言う。このＭＲハイトは、本来、
エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御され
る。

【０００６】ところで、再生ヘッドとしては、ＭＲ素子
を磁性材料によって電気的および磁気的にシールド（遮
蔽）した構造のものが多い。

【０００７】ここで、図２７ないし図３６を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２７ないし図３４において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００８】この製造方法では、まず、図２７に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、２〜３μｍの
厚みに形成する。

【０００９】次に、図２８に示したように、下部シール
ド層１０３上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニ
ウムを５０〜１００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁
層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。
次に、下部シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚
みに形成する。次に、このＭＲ膜上に、ＭＲ素子１０５
を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパターン１
０６を形成する。このとき、リフトオフを容易に行うこ
とができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォト
レジストパターン１０６を形成する。次に、フォトレジ
ストパターン１０６をマスクとして、例えばイオンミリ
ングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５
を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でも
よいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【００１０】次に、図２９に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４上に、フォトレジストパターン１０
６をマスクとして、ＭＲ素子１０５に電気的に接続され
る一対の第１の電極層１０７を、数十ｎｍの厚みに形成
する。第１の電極層１０７は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰ
ｔ，ＴｉＷ，Ｔａを積層して形成される。次に、図３０
に示したように、フォトレジストパターン１０６をリフ
トオフする。次に、図３０では図示しないが、第１の電
極層１０７に電気的に接続される一対の第２の電極層
を、５０〜１００ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成
する。第２の電極層は、例えば、銅（Ｃｕ）によって形
成される。第１の電極層１０７および第２の電極層は、
ＭＲ素子１０５に電気的に接続される電極（リードとも
言う。）を構成する。

【００１１】次に、図３１に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５上に、絶縁層
としての上部シールドギャップ膜１０８を、５０〜１５
０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャ
ップ膜１０４，１０８内に埋設する。次に、上部シール
ドギャップ膜１０８上に、磁性材料からなり、再生ヘッ
ドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下
部磁極（以下、上部シールド層と記す。）１０９を、約
３μｍの厚みに形成する。

【００１２】次に、図３２に示したように、上部シール
ド層１０９上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記
録ギャップ層１１０を、０．２〜０．３μｍの厚みに形
成し、この記録ギャップ層１１０上に、スロートハイト
を決定するフォトレジスト層１１１を、約１．０〜２．
０μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、フ
ォトレジスト層１１１上に、誘導型の記録ヘッド用の第
１層目の薄膜コイル１１２を、３μｍの厚みに形成す
る。次に、フォトレジスト層１１１およびコイル１１２
上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形
成する。次に、フォトレジスト層１１３上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を、３μｍの厚みに形成する。次
に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、
フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成す
る。

【００１３】次に、図３３に示したように、コイル１１
２，１１４よりも後方（図３３における右側）の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１１０を部
分的にエッチングする。次に、記録ギャップ層１１０、
フォトレジスト層１１１，１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパーマロ
イ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極１１６
を、約３μｍの厚みに形成する。この上部磁極１１６
は、コイル１１２，１１４よりも後方の位置において、
上部シールド層（下部磁極）１０９と接触し、磁気的に
連結している。

【００１４】次に、図３４に示したように、上部磁極１
１６をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギ
ャップ層１１０と上部シールド層（下部磁極）１０９を
エッチングする。次に、上部磁極１１６上に、例えばア
ルミナよりなるオーバーコート層１１７を、２０〜３０
μｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を
行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図３４に示
したように、上部磁極１１６、記録ギャップ層１１０お
よび上部シールド層（下部磁極）１０９の一部の各側壁
が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Tri
m）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラ
ックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効ト
ラック幅の増加を防止することができる。

【００１５】図３５は、上述のようにして製造された薄
膜磁気ヘッドの平面図である。なお、図３５では、オー
バーコート層１１７を省略している。図３６は、図３０
に示した下部シールドギャップ膜１０４上に、ＭＲ素子
１０５、第１の電極層１０７および第２の電極層１１８
を形成した後の状態を示す平面図である。なお、図２７
ないし図３４における（ａ）は、図３５におけるＡ−
Ａ′線断面を表し、（ｂ）は、図３５におけるＢ−Ｂ′
線断面を表している。

【００１６】図３５および図３６から分かるように、従
来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子１０５をシールドす
るための下部シールド層１０３と上部シールド層１０９
との間に、広い領域にわたって、極めて薄い下部シール
ドギャップ膜１０４、上部シールドギャップ膜１０８を
介して、ＭＲ素子１０５に接続された電極層１０７，１
１８が介挿された構造になっている。そのため、電極層
１０７，１１８とシールド層１０３，１０９との間のシ
ールドギャップ膜１０４，１０８に、高い絶縁性能が求
められる。また、この絶縁性能が、薄膜磁気ヘッドの歩
留りを大きく左右していた。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、再生ヘッド
の性能が向上してくると、サーマルアスピリティ（Ther
mal Asperity）が問題となってくる。サーマルアスピリ
ティとは、再生時における再生ヘッドの自己発熱による
再生特性の劣化を言う。このサーマルアスピリティを克
服するため、従来は、下部シールド層１０３やシールド
ギャップ膜１０４，１０８の材料として冷却効率の優れ
た材料が求められていた。そのため、従来、下部シール
ド層１０３には、パーマロイやセンダスト等の磁性材料
が用いられていた。また、シールドギャップ膜１０４，
１０８は、アルミナ等を例えば１００〜１５０ｎｍの厚
みでスパッタによって形成していた。そして、このシー
ルドギャップ膜１０４，１０８によって、ＭＲ素子１０
５および電極層１０７，１１８とシールド層１０３，１
０９との間の磁気的および電気的な絶縁を得るようにな
っていた。

【００１８】また、再生ヘッドの性能を向上させるに
は、サーマルアスピリティの克服が避けられないことか
ら、最近では、シールドギャップ膜１０４，１０８の厚
みを、例えば５０〜１００ｎｍにする等、どんどん薄く
することによって、ＭＲ素子１０５の冷却効率を上げ
て、サーマルアスピリティを克服する方法が採られてい
た。

【００１９】しかしながら、シールドギャップ膜１０
４，１０８はスパッタによって形成するため、パーティ
クル（微粒子）や膜のピンホールによって、ＭＲ素子１
０５および電極層１０７，１１８と、シールド層１０
３，１０９との間の磁気的および電気的な絶縁の不良が
発生しやすく、これは、シールドギャップ膜１０４，１
０８を薄くすると、より顕著になるという問題点があ
る。

【００２０】また、再生ヘッドの出力特性を向上させる
には、ＭＲ素子における微小な抵抗変化に対応する微小
な出力信号変化を検出できるように、ＭＲ素子に接続さ
れる電極の配線抵抗は低いほどよい。そのため、従来
は、電極層１１８は、大面積となるように設計される場
合が多い。しかしながら、そうすると、電極層１１８と
シールドギャップ膜１０４，１０８が対向する部分の面
積も大きくなり、上述のようにシールドギャップ膜１０
４，１０８が薄い場合には、電極層１１８とシールド層
１０３，１０９との間の磁気的および電気的な絶縁の不
良がより多く発生しやすいという問題点がある。

【００２１】また、上述のように、再生ヘッドの出力特
性を向上させるために、ＭＲ素子に接続される電極の配
線抵抗は低いことが望まれるが、従来の薄膜磁気ヘッド
では、シールド層１０３，１０９間に介挿された、厚み
が５０〜１００ｎｍ程度の薄い電極層１０７，１１８に
よって電極が形成されているため、電極の配線抵抗を低
くするのには限界があるという問題点があった。

【００２２】また、薄膜磁気ヘッドでは、狭トラック幅
が要求されることから、ＭＲ素子も微小なものが要求さ
れる。特にＧＭＲヘッドになると、微小なＭＲ素子の出
力信号を正確に読み取る必要がある。そのためには、誘
導型の記録ヘッドにおけるコイル等の内部要因やハード
ディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズの低減
を図る必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッ
ドでは、電極層１１８にノイズが乗り、このノイズが再
生ヘッドの性能を劣化させるおそれがあるという問題点
があった。

【００２３】なお、特開平９−３１２００６号公報に
は、リードの電気抵抗を下げると共に、リードと上シー
ルドとの間の絶縁不良を防止するために、ＭＲ素子に接
続されたリードを上下シールド間から引き出す方向の下
シールドの寸法を、上シールドの寸法よりも短く形成す
ると共に、リードの厚さを、上下シールド間に挟まれた
部分で薄く形成し、下シールドから外れた部分で下方に
突出して厚く形成する技術が示されている。

【００２４】しかしながら、この技術では、リードは下
シールドによってほとんどシールドされない構造となる
ため、高出力を求めるＧＭＲヘッドでは、コイルからの
磁束をひろいやすく、そのため、リードにノイズが乗り
やすくなるという問題点がある。

【００２５】また、特開昭６０−９３６１３号公報に
は、ＭＲ素子上にスペーサ層を形成し、スペーサ層にコ
ンタクト孔を設けてＭＲ素子の一部を露出させ、次に、
シールド膜と導体膜（リード）とを同時に形成し、導体
膜とＭＲ素子とをコンタクト孔を介して接続する技術が
示されている。

【００２６】この技術によれば、導体膜とシールド膜と
の間の絶縁不良を防止することが可能となるが、導体膜
はシールド膜によってシールドされない構造となるた
め、導体膜にノイズが乗りやすくなるという問題点があ
る。

【００２７】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げるために、上部磁極を形成する磁
性層に対して、半導体加工技術を利用してサブミクロン
加工を施して、狭トラック構造の記録ヘッドを実現する
ことや、より高い飽和磁束密度を持つ磁性材料を用いる
ことが望まれていた。

【００２８】狭トラック構造の記録ヘッドを実現するた
めには、トラック幅を決定する上部磁極の幅を小さくす
る必要がある。そのためには、上部磁極を微細に形成す
ることが要求される。

【００２９】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１６を形成する場合は、まず、フォトレ
ジスト層１１１，１１３，１１５で覆われて山状に盛り
上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）
の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜
を、例えばスパッタリングによって形成する。次に、そ
の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィに
よりパターニングして、めっきのためのフレーム（外
枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード
層として、めっき法によって上部磁極を形成する。

【００３０】ところで、エイペックス部では、例えば７
〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペックス部上
に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗布する。エ
イペックス部上のフォトレジストの膜厚が最低３μｍ以
上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは
低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、
例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜が形
成される。

【００３１】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって０．５〜１．０μｍ程度
の幅のパターンを形成する必要がある。従って、８〜１
０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍ程度の幅の微細なパターンを形成する必要が
生じるが、これは、極めて難しかった。

【００３２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極を微
細に且つ精度よく形成することが極めて難しかった。

【００３３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、磁気抵抗素子とシールド層と
の間の絶縁層を厚くすることなく、磁気抵抗素子に接続
される電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させる
ことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造
方法を提供することにある。

【００３４】本発明の第２の目的は、磁気抵抗素子に接
続される電極の配線抵抗をより低くできるようにした薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにあ
る。

【００３５】本発明の第３の目的は、磁気抵抗素子に接
続される電極に対するノイズの影響を低減できるように
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供すること
にある。

【００３６】本発明の第４の目的は、書き込み用の誘導
型磁気変換素子と有する記録ヘッドと読み出し用の磁気
抵抗素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型
薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドのトラック幅を決
定する磁極を微細に形成できるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。

【００３７】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁
気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗
素子をシールドするための第１および第２のシールド層
と、磁気抵抗素子と各シールド層との間に設けられた絶
縁層と、磁気抵抗素子に接続される電極とを備えた薄膜
磁気ヘッドであって、第１のシールド層と第２のシール
ド層の他の一部は、両者の間に電極の少なくとも一部が
配置される溝が形成されるように、同一平面上に、互い
に絶縁された状態で配置され、電極の少なくとも一部
は、溝内に、第１のシールド層と第２のシールド層に対
して絶縁された状態で配置されているものである。

【００３８】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１のシー
ルド層と第２のシールド層の一部が同一平面上に形成さ
れ、磁気抵抗素子に接続される電極の少なくとも一部
が、第１のシールド層と第２のシールド層の一部との間
に形成された溝内に、第１のシールド層と第２のシール
ド層に対して絶縁された状態で配置されているので、磁
気抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすること
なく、電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させる
ことが可能となる。

【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、電極
は、例えば、溝内に設けられた絶縁膜によって、第１の
シールド層と第２のシールド層に対して絶縁されてい
る。

【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第２
のシールド層は、例えば、第１のシールド層と同一平面
上に配置された第１の部分と、磁気抵抗素子を挟んで第
１のシールド層と対向するように配置され、且つ第１の
部分に接続された第２の部分とを有している。

【００４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更
に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層
と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイルとを
有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えていても
よい。この場合、第２のシールド層は、２つの磁性層の
うちの一方を兼ねていてもよい。また、薄膜コイルの少
なくとも一部は、第２のシールド層の第１の部分と２つ
の磁性層のうちの他方との間であって、第２のシールド
層の第２の部分の面に沿った方向の側方に配置されてい
てもよい。

【００４２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更
に、電極の少なくとも一部をシールドするための電極シ
ールド層を備えていてもよい。

【００４３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗
素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子を
シールドするための第１および第２のシールド層と、磁
気抵抗素子と各シールド層との間に設けられた絶縁層
と、磁気抵抗素子に接続される電極とを備えた薄膜磁気
ヘッドの製造方法であって、第１および第２のシールド
層における記録媒体に対向する側の一部が、磁気抵抗素
子を挟んで対向するように配置され、且つ第１のシール
ド層と第２のシールド層の他の一部が、同一平面上に、
互いに絶縁された状態で配置されて、両者の間に電極の
少なくとも一部が配置される溝が形成されるように、磁
気抵抗素子、第１のシールド層および第２のシールド層
を形成すると共に、電極の少なくとも一部が、溝内に、
第１のシールド層と第２のシールド層に対して絶縁され
た状態で配置されるように、電極を形成するものであ
る。

【００４４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１のシールド層と第２のシールド層の一部を、同一平
面上に形成し、磁気抵抗素子に接続される電極の少なく
とも一部を、第１のシールド層と第２のシールド層の一
部との間に形成された溝内に、第１のシールド層と第２
のシールド層に対して絶縁された状態で配置するので、
磁気抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くするこ
となく、電極とシールド層との間の絶縁性能を向上させ
ることが可能となる。

【００４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、電極は、例えば、溝内に設けられた絶縁膜によっ
て、第１のシールド層と第２のシールド層に対して絶縁
される。

【００４６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、例えば、第２のシールド層が、第１のシールド層
と同一平面上に配置された第１の部分と、磁気抵抗素子
を挟んで第１のシールド層と対向するように配置され、
且つ第１の部分に接続された第２の部分とを有し、第１
のシールド層と第２のシールド層の第１の部分とが、同
一平面上に、互いに絶縁された状態で配置されて、両者
の間に電極の少なくとも一部が配置される溝が形成され
るように、第１のシールド層と第２のシールド層の第１
の部分とを形成する工程と、電極の少なくとも一部が、
溝内に、第１のシールド層と第２のシールド層に対して
絶縁された状態で配置されるように、電極を形成する工
程と、第１のシールド層の上に、絶縁膜を介して磁気抵
抗素子を形成する工程と、磁気抵抗素子の上に、絶縁膜
を介して、第２のシールド層の第２の部分を形成する工
程とを含む。

【００４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向す
る側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの
磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された薄膜コイ
ルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を形成す
るようにしてもよい。この場合、第２のシールド層は、
２つの磁性層のうちの一方を兼ねていてもよい。また、
薄膜コイルの少なくとも一部を、第２のシールド層の第
１の部分と２つの磁性層のうちの他方との間であって、
第２のシールド層の第２の部分の面に沿った方向の側方
に配置してもよい。

【００４８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、更に、電極の少なくとも一部をシールドするため
の電極シールド層を形成してもよい。

【００４９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、更に、電極の少なくとも一部をシールドするため
の電極シールド層を、誘導型磁気変換素子における２つ
の磁性層のうちの、電極に対して厚み方向に遠い方の磁
性層を形成する際に同時に形成してもよい。

【００５０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、電極の少なくとも一部と薄膜コイルの少なくとも
一部を、同一工程で形成してもよい。

【００５１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、同一平面上に配置される第１のシールド層と第２
のシールド層の一部を、めっき法により形成してもよ
い。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、電
極を、めっき法により形成してもよい。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まず、図１ないし図
１１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明する。なお、図１ないし図９にお
いて、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。

【００５３】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃
・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５〜１０μｍの厚み
で堆積する。

【００５４】次に、図示しないが、絶縁層２の上に、下
部シールド層と上部シールド層兼下部磁極（以下、上部
シールド層と記す。）の一部をめっき法にて形成する際
に使用される電極膜としてのシード層を、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）のスパッタによって形成する。

【００５５】次に、図２に示したように、シード層の上
に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、
磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約２〜３μ
ｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シー
ルド層３と、上部シールド層の一部（以下、第１の部分
と言う。）４ａとを形成する。なお、下部シールド層３
と上部シールド層の第１の部分４ａは、磁性材料をスパ
ッタリングした後、フォトリソグラフィによりパターニ
ングして形成してもよい。下部シールド層３と上部シー
ルド層の第１の部分４ａは、フォトレジスト膜によっ
て、両者の間に、ＭＲ素子に接続される一対の電極それ
ぞれの少なくとも一部が配置される一対の溝５が形成さ
れるように、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配
置されるように形成される。下部シールド層３は、本発
明における第１のシールド層に対応し、上部シールド層
は、本発明における第２のシールド層に対応する。

【００５６】次に、溝５の部分におけるシード層を、選
択的にエッチングして除去する。次に、溝５内を含め
て、下部シールド層３および上部シールド層の第１の部
分４ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜６を、例
えばスパッタにより５００ｎｍ以上の厚みに形成する。

【００５７】次に、図３に示したように、絶縁膜６で覆
われた溝５内に、ＭＲ素子に接続される電極（リード）
となる一対の導電層７を、例えば銅（Ｃｕ）によって形
成する。導電層７は、例えば、フォトレジスト膜をマス
クとして、めっき法にて、銅を約２〜３μｍの厚みに、
溝５内に選択的に形成することによって形成する。この
他、導電層７は、スパッタによって形成してもよい。

【００５８】次に、全面に、例えばアルミナまたはシリ
コン酸化膜よりなる絶縁層を、４〜６μｍの厚みに形成
する。次に、この絶縁層を、下部シールド層３、上部シ
ールド層の第１の部分４ａおよび導電層７の表面に至る
まで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、
機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられ
る。この平坦化により、下部シールド層３、上部シール
ド層の第１の部分４ａおよび導電層７の表面が露出す
る。

【００５９】このように、導電層７は、５００ｎｍ以上
の厚みの絶縁膜６によって完全に覆われた、下部シール
ド層３と上部シールド層の第１の部分４ａとの間の溝５
内に、めっき法により正確に埋設されるように形成され
る。従って、導電層７と下部シールド層３および上部シ
ールド層の第１の部分４ａとの間の絶縁性能は極めて高
く、導電層７と下部シールド層３および上部シールド層
の第１の部分４ａとの間において、パーティクルや膜の
ピンホール等による磁気的および電気的な絶縁の不良を
なくすことができる。

【００６０】次に、下部シールド層３、上部シールド層
の第１の部分４ａ、絶縁膜６および導電層７の上に、ス
パッタにより、チッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁
材を、約５０〜１００ｎｍの厚みに形成して、絶縁層と
しての下部シールドギャップ膜８ａを形成する。下部シ
ールドギャップ膜８ａを形成する際には、予め、後述す
る電極層と導電層７とを電気的に接続するためのコンタ
クトホールと、後述する上部シールド層の第２の部分と
第１の部分４ａとを接続するためのコンタクトホール
と、後述する薄膜コイルの後方（図３（ａ）における右
側）の位置における磁路形成のためのコンタクトホール
とを形成する部分に、リフトオフを容易に行うことがで
きるように、例えばＴ型のフォトレジストパターンを形
成しておき、下部シールドギャップ膜８ａの形成後、フ
ォトレジストパターンをリフトオフすることにより、コ
ンタクトホールを形成する。なお、コンタクトホール
は、フォトリソグラフィを用いて、下部シールドギャッ
プ膜８ａを選択的にエッチングして形成してもよい。

【００６１】次に、下部シールドギャップ膜８ａの上
に、再生用のＭＲ素子９を形成するためのＭＲ膜を、ス
パッタにより、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、この
ＭＲ膜の上に、ＭＲ素子９を形成すべき位置に選択的
に、図示しないフォトレジストパターンを形成する。こ
のとき、リフトオフを容易に行うことができるように、
例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次
に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えば、
アルゴン系のイオンミリングによってＭＲ膜をエッチン
グして、ＭＲ素子９を形成する。なお、ＭＲ素子９は、
ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【００６２】次に、下部シールドギャップ膜８ａの上
に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ
素子９に電気的に接続される一対の電極層１０を、スパ
ッタにより、８０〜１５０ｎｍの厚みに形成する。電極
層１０は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔａ，
Ａｕを積層して形成される。また、電極層１０は、下部
シールドギャップ膜８ａに形成されたコンタクトホール
を介して、導電層７に対して電気的に接続される。電極
層１０および導電層７が、ＭＲ素子９に接続される電極
を構成する。

【００６３】次に、下部シールドギャップ膜８ａ、ＭＲ
素子９および電極層１０の上に、スパッタにより、チッ
化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、約５０〜１０
０ｎｍの厚みに形成して、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜８ｂを形成して、ＭＲ素子９をシールドギャ
ップ膜８ａ，８ｂ内に埋設する。

【００６４】次に、下部シールドギャップ膜８ａに形成
されたコンタクトホールの後方（図３（ａ）における右
側）の位置において、下部シールドギャップ膜８ａの上
に、例えばアルミナ膜またはシリコン酸化膜よりなる絶
縁膜を、１〜２μｍの厚みに形成する。次に、フォトリ
ソグラフィを用いて、絶縁膜を選択的にエッチングし
て、絶縁層１１を形成する。このとき、絶縁層１１の磁
極部分側のエッジにテーパを形成する。次に、絶縁層１
１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる、記録ヘッド用の
第１層目の薄膜コイル１２を、例えばめっき法により形
成する。

【００６５】次に、図４に示したように、上部シールド
ギャップ膜８ｂの上に、磁性材料からなり、ＭＲ素子９
を挟んで下部シールド層３と対向するように配置され、
且つ、上部シールド層の第１の部分４ａに接続される上
部シールド層の第２の部分４ｂを、２〜３μｍの厚みに
形成する。同時に、薄膜コイル１２の後方の位置におけ
る磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成
のための磁性材料からなる磁性層１３を、２〜３μｍの
厚みに形成する。

【００６６】なお、下部シールド層３や上部シールド層
４ａ，４ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２
０重量％）を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）、センダスト、チ
ッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのア
モルファス等の高飽和磁束密度材を用いて形成してもよ
いし、これらの材料を２種類以上重ねて形成してもよ
い。

【００６７】次に、図５に示したように、全体にアルミ
ナ膜あるいはシリコン酸化膜よりなる絶縁層１４を、４
〜６μｍの厚みに形成する。そして、上部シールド層の
第２の部分４ｂおよび磁性層１３の表面が露出するよう
に、全体を平坦化する。この平坦化は、機械的な研磨や
ＣＭＰ等を用いて行うことができる。このような平坦化
処理を行うことにより、ＭＲ素子９のパターンによって
上部シールド層の第２の部分４ｂに発生する段差がなく
なり、上部シールド層の第２の部分４ｂの表面が平坦に
なり、その後に形成される記録ヘッドの磁極部分の記録
ギャップ層を平坦にすることができる。その結果、高周
波領域における書き込み特性を向上させることができ
る。

【００６８】次に、図６に示したように、平坦化された
上部シールド層の第２の部分４ｂおよび絶縁層１４の上
に、例えばアルミナ膜またはシリコン酸化膜よりなる絶
縁膜１５を、０．５〜１μｍの厚みに形成する。この絶
縁膜１５が、スロートハイトを規定する。次に、絶縁膜
１５の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる、記録ヘッド用
の第２層目の薄膜コイル１６を、例えばめっき法により
形成する。

【００６９】次に、図７に示したように、絶縁層１５お
よびコイル１６の上に、フォトレジストよりなる絶縁層
１７を、所定のパターンに形成する。次に、全体に、ア
ルミナ膜、チッ化アルミニウム膜、シリコン酸化膜等の
絶縁膜よりなる記録ギャップ層１８を、２００〜３００
ｎｍの厚みに形成する。

【００７０】次に、図８に示したように、薄膜コイル１
２，１６の後方の位置における磁路形成のために、記録
ギャップ層１８を部分的にエッチングする。次に、記録
ギャップ層１８の上に、誘導型の記録ヘッドのトラック
幅を決定する上部磁極層１９を、約３μｍの厚みに形成
する。この上部磁極層１９は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）を用いてめっき法
により形成してもよいし、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化
合物等の高飽和磁束密度材をスパッタし、パターニング
して形成してもよい。なお、上部磁極層１９の材料とし
ては、上記の例の他に、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，
Ｆｅ：２０重量％）や、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファ
ス等の高飽和磁束密度材を用いても良い。また、上部磁
極層１９は、上述の種々の材料を２種類以上重ねて形成
してもよい。

【００７１】次に、図９に示したように、上部磁極層１
９の両側における記録ギャップ層１８をドライエッチン
グにより除去した後、露出した上部シールド層の第２の
部分４ｂを、上部磁極層１９をマスクとして、イオンミ
リングによって、例えば約０．５μｍエッチングして、
トリム構造とする。

【００７２】次に、上部磁極層１９の上に、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層２０を、約３０〜４０μ
ｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００７３】上部シールド層（下部磁極）４ａ，４ｂ、
磁性層１３、上部磁極層１９と、薄膜コイル１２，１６
は、本発明における誘導型磁気変換素子に対応する。つ
まり、上部シールド層（下部磁極）４ａ，４ｂおよび磁
性層１３は、本発明に係る記録ヘッドにおける２つの磁
性層のうちの一方に対応し、上部磁極層１９は、２つの
磁性層のうちの他方に対応する。

【００７４】図１０は、上述のようにして製造される本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状
態のものを示す平面図、図１１は、上述のようにして製
造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図で
ある。なお、図１０は、図３に示した状態に対応してい
る。また、図１１では、オーバーコート層２０を省略し
ている。また、この図は、スライダの機械加工を行う前
の状態を表している。なお、図１ないし図９における
（ａ）は、図１１におけるＣ−Ｃ′線断面を表し、
（ｂ）は、図１１におけるＤ−Ｄ′線断面を表してい
る。

【００７５】図１０および図１１に示したように、下部
シールド層３は、ＭＲ素子９およびその周辺に対向する
領域から、ＭＲ素子９の両側方に延び、一部は、上部シ
ールド層の第２の部分４ｂに対向する領域を通過し、残
りの大部分は、誘導型磁気変換素子における２つの磁性
層（上部シールド層４ａ，４ｂおよび磁性層１３と、上
部磁極層１９）および薄膜コイル１２，１６に対向する
領域の周囲に配置されている。

【００７６】下部シールド層３と上部シールド層の第１
の部分４ａは、同一平面上に、互いに絶縁された状態で
配置され、両者の間に溝５が形成されている。ＭＲ素子
９に接続される電極を構成する導電層７のＭＲ素子９側
の一部は、溝５内に絶縁された状態で配置されている。
導電層７の残りの部分は、下部シールド層３に対して絶
縁されて状態で、下部シールド層３の内側に沿うように
配置されている。

【００７７】以上説明したように、本実施の形態では、
下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分４ａ
が、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置されて
いる。そして、下部シールド層３と上部シールド層の第
１の部分４ａの間に形成された溝５内に、ＭＲ素子９に
接続される電極を構成する導電層７の一部が、絶縁膜６
によって、下部シールド層３と上部シールド層の第１の
部分４ａに対して絶縁された状態で配置されている。従
って、本実施の形態によれば、導電層７と、下部シール
ド層３および上部シールド層の第１の部分４ａとの間の
絶縁性能を極めて高くすることができる。また、導電層
７の一部は、下部シールドギャップ膜８ａおよび上部シ
ールドギャップ膜８ｂを介して上部シールド層の第２の
部分４ｂと対向するが、大部分は上部シールド層４ａ，
４ｂと対向しない構造であるため、導電層７と上部シー
ルド層４ａ，４ｂとの間の絶縁性能を極めて高くするこ
とができる。

【００７８】以上のことから、本実施の形態によれば、
導電層７と、下部シールド層３および上部シールド層４
ａ，４ｂとの間の絶縁性能を極めて高くすることがで
き、導電層７と、下部シールド層３および上部シールド
層４ａ，４ｂとの間の磁気的および電気的な絶縁の不良
をなくすことができる。

【００７９】また、本実施の形態によれば、導電層７が
下部シールドギャップ膜８ａと上部シールドギャップ膜
８ｂとの間に介挿された構造ではないので、導電層７が
下部シールドギャップ膜８ａ、上部シールドギャップ膜
８ｂを介して下部シールド層３、上部シールド層４ａ，
４ｂと広い面積で対向することがない。従って、下部シ
ールドギャップ膜８ａ、上部シールドギャップ膜８ｂを
薄くしても、導電層７と下部シールド層３および上部シ
ールド層４ａ，４ｂとの間の絶縁性能を高く維持するこ
とができる。

【００８０】このように本実施の形態によれば、下部シ
ールドギャップ膜８ａおよび上部シールドギャップ膜８
ｂを厚くすることなく、ＭＲ素子９に接続される電極と
下部シールド層３および上部シールド層４ａ，４ｂとの
間の絶縁性能を向上させることができる。

【００８１】また、本実施の形態によれば、サーマルア
スピリティを改善するために、下部シールドギャップ膜
８ａおよび上部シールドギャップ膜８ｂを十分薄くする
ことが可能となり、再生ヘッドの性能を向上させること
ができる。

【００８２】また、本実施の形態によれば、導電層７を
十分厚く形成することができるので、ＭＲ素子９に接続
される電極の配線抵抗をより低くすることができる。こ
れにより、ＭＲ素子９における微小な抵抗変化に対応す
る微小な出力信号変化を感度よく検出することが可能と
なり、この点からも再生ヘッドの性能を向上させること
ができる。

【００８３】また、本実施の形態では、導電層７のう
ち、ＭＲ素子９に近く、溝５内に配置された部分は、両
側から下部シールド層３と上部シールド層の第１の部分
４ａに挟み込まれてシールドされ、上面側が上部シール
ド層の第２の部分４ｂによってシールドされる構造とな
っている。従って、ＭＲ素子９に対する、誘導型の記録
ヘッドにおけるコイルから発生する磁気等の内部要因や
ハードディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズ
の影響を低減することができる。この点からも、再生ヘ
ッドの性能を向上させることができる。

【００８４】また、本実施の形態では、第１層の薄膜コ
イル１６は、上部シールド層の第１の部分４ａと上部磁
極層１９との間であって、上部シールド層の第２の部分
４ｂの面に沿った方向の側方に配置されている。そのた
め、エイペックス部、すなわち、山状に盛り上がったコ
イル部分の高さを低くでき、記録ヘッドのトラック幅を
決定する磁極（上部磁極層１９）を微細に形成すること
が可能となる。これにより、記録密度を高め、記録ヘッ
ドの性能を向上させることが可能となる。

【００８５】また、本実施の形態によれば、互いに対向
するコイル１２，１６と上部シールド層の第１の部分４
ａとの間に、厚い絶縁層１１を形成できるので、コイル
１２，１６と上部シールド層４ａ，４ｂとの間に、大き
な絶縁耐圧を得ることができると共に、コイル１２，１
６からの磁束の漏れを低減することができる。

【００８６】次に、図１２を参照して、本発明の第２の
実施の形態について説明する。図１２は、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、図１２で
は、オーバーコート層を省略している。また、この図
は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。

【００８７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、導
電層７の少なくとも一部をシールドするための電極シー
ルド層２１を設けたものである。この電極シールド層２
１は、導電層７のうち、上部シールド層の第２の部分４
ｂに対向しない部分を覆うように設けられる。電極シー
ルド層２１は、絶縁層１１が存在する領域では、絶縁層
１１の上に形成され、絶縁層１１が存在しない領域で
は、下部シールドギャップ膜８ａの上に形成される。

【００８８】電極シールド層２１は、例えば、上部磁極
層１９を形成する際に同時に、上部磁極層１９と同じ磁
性材料を用いて形成される。

【００８９】本実施の形態によれば、導電層７のうち、
上部シールド層の第２の部分４ｂに対向しない部分の上
面側を、電極シールド層２１によってシールドすること
ができるので、第１の実施の形態に比べて、導電層７に
対するノイズの影響をより低減することができる。

【００９０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００９１】次に、図１３ないし図２０を参照して、本
発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、図１３ないし図１８において、（ａ）は
エアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部
分のエアベアリング面に平行な断面を示している。

【００９２】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１３に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ
₃・ＴｉＣ）よりなる基板５１の上に、例えばアルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層５２を、約５〜１０μｍ
の厚みで堆積する。

【００９３】次に、図示しないが、絶縁層５２の上に、
下部シールド層と上部シールド層兼下部磁極（以下、上
部シールド層と記す。）の一部をめっき法にて形成する
際に使用される電極膜としてのシード層を、パーマロイ
（ＮｉＦｅ）のスパッタによって形成する。

【００９４】次に、図１４に示したように、シード層の
上に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法に
て、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約２〜
３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部
シールド層５３と、上部シールド層の一部（以下、第１
の部分と言う。）５４ａとを形成する。なお、下部シー
ルド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、磁
性材料をスパッタリングした後、フォトリソグラフィに
よりパターニングして形成してもよい。下部シールド層
５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、フォトレ
ジスト膜によって、両者の間に、ＭＲ素子に接続される
一対の電極それぞれの少なくとも一部が配置される一対
の溝５５が形成されるように、同一平面上に、互いに絶
縁された状態で配置されるように形成される。下部シー
ルド層５３は、本発明における第１のシールド層に対応
し、上部シールド層は、本発明における第２のシールド
層に対応する。

【００９５】次に、溝５５の部分におけるシード層を、
選択的にエッチングして除去する。次に、溝５５内を含
めて、下部シールド層５３および上部シールド層の第１
の部分５４ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜５
６を、例えばスパッタにより、約０．５〜１μｍの厚み
に形成する。

【００９６】次に、図１５に示したように、絶縁膜５６
で覆われた溝５５内に、ＭＲ素子に接続される電極（リ
ード）となる一対の導電層５７を、例えば銅（Ｃｕ）に
よって形成する。導電層５７は、例えば、フォトレジス
ト膜をマスクとして、めっき法にて、銅を例えば約３μ
ｍの厚みに、溝５５内に選択的に形成することによって
形成する。この他、導電層５７は、スパッタによって形
成してもよい。

【００９７】次に、全面に、例えばアルミナまたはシリ
コン酸化膜よりなる絶縁層を、２〜３μｍの厚みに形成
する。次に、この絶縁層を、下部シールド層５３、上部
シールド層の第１の部分５４ａおよび導電層５７の表面
に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法とし
ては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用
いられる。この平坦化により、下部シールド層５３、上
部シールド層の第１の部分５４ａおよび導電層５７の表
面が露出する。

【００９８】このように、導電層５７は、５００ｎｍ以
上の厚みの絶縁膜５６によって完全に覆われた、下部シ
ールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａとの
間の溝５５内に、めっき法により正確に埋設されるよう
に形成される。従って、導電層５７と下部シールド層５
３および上部シールド層の第１の部分５４ａとの間の絶
縁性能は極めて高く、導電層５７と下部シールド層５３
および上部シールド層の第１の部分５４ａとの間におい
て、パーティクルや膜のピンホール等による磁気的およ
び電気的な絶縁の不良をなくすことができる。

【００９９】次に、上部シールド層の第１の部分５４ａ
の上に、例えばアルミナ膜またはシリコン酸化膜よりな
る絶縁膜を、０．５〜１μｍの厚みに形成する。次に、
フォトリソグラフィを用いて、絶縁膜を選択的にエッチ
ングして、絶縁層５８を形成する。このとき、絶縁層５
８の磁極部分側のエッジにテーパを形成する。次に、絶
縁層５８の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる、記録ヘッ
ド用の薄膜コイル５９を、例えばめっき法により形成す
る。次に、絶縁層５８およびコイル５９の上に、フォト
レジストよりなる絶縁層６０を、所定のパターンに形成
する。次に、２００°Ｃ程度の温度でキュアを施す。

【０１００】なお、図１５に示した状態に至るまでの製
造工程を、以下の変形例のように変更してもよい。この
変形例では、図１４に示した状態から、同じ工程で、同
じ材料を用いて、絶縁膜５６の上にコイル５９を形成す
ると共に、絶縁膜５６で覆われた溝５５内に導電層５７
を形成する。次に、絶縁膜５６およびコイル５９の上
に、フォトレジストよりなる絶縁層６０を、所定のパタ
ーンに形成する。次に、絶縁層６０をマスクにして、絶
縁膜５６をパターンニングして、図１５に示した状態と
する。この場合には、図１５における絶縁層５８が、絶
縁膜５６に代わる。この変形例によれば、製造工程を大
幅に減少させることができる。

【０１０１】図１５に示した状態から、次に、図１６に
示したように、全面に、スパッタにより、チッ化アルミ
ニウムやアルミナ等の絶縁材を、数十ｎｍの厚みに形成
して、絶縁層としての下部シールドギャップ膜６１ａを
形成する。下部シールドギャップ膜６１ａを形成する際
には、予め、後述する電極層と導電層５７とを電気的に
接続するためのコンタクトホールを形成する部分に、リ
フトオフを容易に行うことができるように、例えばＴ型
のフォトレジストパターンを形成しておき、下部シール
ドギャップ膜６１ａの形成後、フォトレジストパターン
をリフトオフすることにより、コンタクトホールを形成
する。なお、コンタクトホールは、フォトリソグラフィ
を用いて、下部シールドギャップ膜６１ａを選択的にエ
ッチングして形成してもよい。

【０１０２】次に、下部シールドギャップ膜６１ａの上
に、再生用のＭＲ素子６２を形成するためのＭＲ膜を、
スパッタにより、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、こ
のＭＲ膜の上に、ＭＲ素子６２を形成すべき位置に選択
的に、図示しないフォトレジストパターンを形成する。
このとき、リフトオフを容易に行うことができるよう
に、例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成する。
次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例え
ば、アルゴン系のイオンミリングによってＭＲ膜をエッ
チングして、ＭＲ素子６２を形成する。なお、ＭＲ素子
６２は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【０１０３】次に、下部シールドギャップ膜６１ａの上
に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ
素子６２に電気的に接続される一対の電極層６３を、ス
パッタにより、数十〜数百ｎｍの厚みに形成する。電極
層６３は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔａ，
Ａｕを積層して形成される。また、電極層６３は、下部
シールドギャップ膜６１ａに形成されたコンタクトホー
ルを介して、導電層５７に対して電気的に接続される。
電極層６３および導電層５７が、ＭＲ素子６２に接続さ
れる電極を構成する。

【０１０４】次に、全面に、スパッタにより、チッ化ア
ルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、数十ｎｍの厚みに
形成して、絶縁層としての上部シールドギャップ膜６１
ｂを形成して、ＭＲ素子６２をシールドギャップ膜６１
ａ，６１ｂ内に埋設する。次に、フォトレジストパター
ンをマスクとして、ドライエッチングによって、シール
ドギャップ膜６１ａ，６１ｂを選択的に除去して、後述
する上部シールド層の第２の部分と第１の部分５４ａと
を接続するためのコンタクトホールと、コイル５９の後
方（図１６（ａ）における右側）の位置における磁路形
成のためのコンタクトホールとを形成する。

【０１０５】次に、図１７に示したように、磁極部分側
に、磁性材料からなり、ＭＲ素子６２を挟んで下部シー
ルド層５３と対向するように配置され、且つ、上部シー
ルド層の第１の部分５４ａに接続される上部シールド層
の第２の部分５４ｂを、例えば約３．５μｍの厚みに形
成する。同時に、薄膜コイル５９の後方の位置における
磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成の
ための磁性材料からなる磁性層６４を、例えば約３．５
μｍの厚みに形成する。上部シールド層の第２の部分５
４ｂと磁性層６４は、例えば、めっき法によって形成す
る。

【０１０６】なお、下部シールド層５３や上部シールド
層５４ａ，５４ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆ
ｅ：２０重量％）を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）、センダス
ト、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚ
ｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用いて形成し
てもよいし、これらの材料を２種類以上重ねて形成して
もよい。

【０１０７】次に、図１８に示したように、コイル５９
の上側に、フォトレジストよりなる絶縁層６５を、所定
のパターンに形成する。次に、２００°Ｃ程度の温度で
キュアを施す。本実施の形態において、スロートハイト
は、絶縁層６５によって規定される。次に、全体に、ア
ルミナ膜、チッ化アルミニウム膜、シリコン酸化膜等の
絶縁膜よりなる記録ギャップ層６６を、例えば３００ｎ
ｍ程度の厚みに形成する。次に、磁性層６４の上側の部
分において、記録ギャップ層６６を選択的に除去して、
磁路形成のためのコンタクトホールを形成する。

【０１０８】次に、記録ギャップ層６６の上に、誘導型
の記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層６７
を、約３〜４μｍの厚みに形成する。この上部磁極層６
７は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５
０重量％）を用いてめっき法により形成してもよいし、
チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物等の高飽和磁束密度材
をスパッタし、パターニングして形成してもよい。な
お、上部磁極層６７の材料としては、上記の例の他に、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材
を用いても良い。また、上部磁極層６７は、上述の種々
の材料を２種類以上重ねて形成してもよい。

【０１０９】次に、上部磁極層６７の両側における記録
ギャップ層６６をドライエッチングにより除去した後、
露出した上部シールド層の第２の部分５４ｂを、上部磁
極層６７をマスクとして、イオンミリングによって、例
えば約０．５μｍエッチングして、トリム構造とする。

【０１１０】次に、上部磁極層６７の上に、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層６８を、約３０〜４０μ
ｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１１１】上部シールド層（下部磁極）５４ａ，５４
ｂ、磁性層６４、上部磁極層６７と、薄膜コイル５９
は、本発明における誘導型磁気変換素子に対応する。つ
まり、上部シールド層（下部磁極）５４ａ，５４ｂおよ
び磁性層６４は、本発明に係る記録ヘッドにおける２つ
の磁性層のうちの一方に対応し、上部磁極層６７は、２
つの磁性層のうちの他方に対応する。

【０１１２】図１９は、上述のようにして製造される本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状
態のものを示す平面図、図２０は、上述のようにして製
造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図で
ある。なお、図１９は、図１５に示した状態に対応して
いる。また、図２０では、オーバーコート層６８を省略
している。また、この図は、スライダの機械加工を行う
前の状態を表している。図２０において、符号６９は、
上部シールド層の第２の部分５４ｂと第１の部分５４ａ
とを接続するためのコンタクトホールを示している。な
お、図１３ないし図１８における（ａ）は、図２０にお
けるＥ−Ｅ′線断面を表し、（ｂ）は、図２０における
Ｆ−Ｆ′線断面を表している。

【０１１３】なお、図２０に示したように、本実施の形
態においても、第２の実施の形態と同様に、導電層５７
の少なくとも一部をシールドするための電極シールド層
７１を設けてもよい。この電極シールド層７１は、導電
層５７のうち、上部シールド層の第２の部分５４ｂに対
向しない部分を覆うように設けられる。また、電極シー
ルド層７１は、例えば、上部磁極層６７を形成する際に
同時に、上部磁極層６７と同じ磁性材料を用いて形成さ
れる。

【０１１４】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様に、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部
分５４ａが、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配
置されている。そして、下部シールド層５３と上部シー
ルド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝５５内
に、ＭＲ素子６２に接続される電極を構成する導電層５
７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３
と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁され
た状態で配置されている。従って、本実施の形態によれ
ば、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。

【０１１５】ところで、薄膜磁気ヘッドの多くの顧客
は、再生ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにお
けるスロートハイトやトラック幅を、自社製品に合わせ
て注文してくる。しかし、注文の後に、顧客の要求に合
った仕様の薄膜磁気ヘッドを生産していたのでは、注文
から短期間で製品を提供することは困難であった。

【０１１６】本実施の形態によれば、図１５に示したよ
うに、コイル５９の形成工程まで（本実施の形態では、
絶縁層６０の形成までを言うものとする。）で、薄膜磁
気ヘッドにおける共通の基体が完成する。そこで、本実
施の形態によれば、コイル５９の形成工程まで経た半製
品を、多くの在庫が得られるように量産し、顧客に対応
が可能なところまで在庫数を増加させた後、それぞれ異
なる顧客毎の要求を受け入れて、薄膜磁気ヘッドの仕様
を取り決めることができる。従って、本実施の形態によ
れば、薄膜磁気ヘッドの全製造工程の５０〜６０％以上
の工程を既に終了し、しかも、その多くが良・不良の検
査により良品とされた半製品を適正の在庫だけ持ち、顧
客の期待する仕様の薄膜磁気ヘッドを、注文から短時間
で提供することが可能となる。また、本実施の形態によ
れば、半製品の段階で不良品は既に取り除かれているの
で、良品の半製品を、顧客の要求に応じて、限りなく早
く、製品にすることができ、従来にはない高い品質保証
が可能となり、最終製品の歩留りも向上する。

【０１１７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１または第２の実施の形態と同様であ
る。

【０１１８】次に、図２１を参照して、本発明の第４の
実施の形態について説明する。図２１は、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面
を示す断面図である。なお、図２１は、スライダの機械
加工を行う前の状態を表している。

【０１１９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおけるフォトレ
ジストよりなる絶縁層６５内に、第２層目の薄膜コイル
７２を形成したものである。この場合には、コイル５９
の上側にフォトレジストよりなる絶縁層６５を、所定の
厚みだけ形成した後、コイル７２を、例えばめっき法に
より形成し、更に、このコイル７２を覆うように絶縁層
６５を形成するようにする。なお、本実施の形態におい
て、スロートハイトは、絶縁層６５によって規定され
る。

【０１２０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１２１】次に、図２２ないし図２６を参照して、本
発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コイル５９の形
成工程までは、第３の実施の形態と同様である。そし
て、この工程まで経た半製品を量産し、良・不良のチェ
ックを行って、良品の半製品を適正量だけ確保してお
く。

【０１２２】本実施の形態では、顧客の要求に応じて製
品を完成される場合には、顧客の要求に応じて、ＭＲ素
子の選択（ＡＭＲ素子とするかやＧＭＲ素子とするか
等）や、シールドギャップ膜の材料（アルミナ、窒化ア
ルミニウム、窒化ホウ素等）の選択を行うと共に、再生
ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにおけるスロ
ートハイトやトラック幅を決定し、上記半製品に対し
て、図２２に示したように、シールドギャップ膜６１
ａ，６１ｂ、ＭＲ素子６２および電極層６３を形成す
る。次に、上部シールド層の第２の部分５４ｂと磁性層
６４とを形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜よ
りなる絶縁層８１を、３〜４μｍの厚みに形成する。そ
して、上部シールド層の第２の部分５４ｂおよび磁性層
６４の表面が露出するように、全体を例えばＣＭＰによ
って平坦化する。

【０１２３】次に、図２３に示したように、上部シール
ド層の第２の部分５４ｂおよび絶縁層８１の上に、例え
ばアルミナ膜よりなり、記録ヘッドのスロートハイトを
規定するための絶縁層８２を形成する。次に、この絶縁
層８２の上に、第２層目の薄膜コイル８３を形成する。
次に、絶縁層８２およびコイル８３の上に、フォトレジ
ストよりなる絶縁層８４を、所定のパターンに形成す
る。次に、アルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ
層８５を形成する。次に、磁性層６４の上側の部分にお
いて、記録ギャップ層８５を選択的に除去して、磁路形
成のためのコンタクトホールを形成する。

【０１２４】次に、図２４に示したように、記録ギャッ
プ層８５の上に、誘導型の記録ヘッドのトラック幅を決
定する上部磁極層８６を形成する。次に、上部磁極層８
６の両側における記録ギャップ層８５を、反応性イオン
エッチング等のドライエッチングにより除去した後、露
出した上部シールド層の第２の部分５４ｂを、上部磁極
層８６をマスクとして、イオンミリング等によってエッ
チングして、トリム構造とする。

【０１２５】次に、上部磁極層８６の上に、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層８７を、約３〜５μｍの
厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を
形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１２６】図２５は、上述のようにして製造される本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状
態のものを示す平面図、図２６は、上述のようにして製
造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図で
ある。また、図２６では、オーバーコート層８７を省略
している。また、この図は、スライダの機械加工を行う
前の状態を表している。図２６において、符号６９は、
上部シールド層の第２の部分５４ｂと第１の部分５４ａ
とを接続するためのコンタクトホールを示している。な
お、図２２ないし図２４における（ａ）は、図２６にお
けるＧ−Ｇ′線断面を表し、（ｂ）は、図２６における
Ｈ−Ｈ′線断面を表している。

【０１２７】なお、図２６に示したように、本実施の形
態においても、第２の実施の形態と同様に、導電層５７
の少なくとも一部をシールドするための電極シールド層
９１を設けてもよい。この電極シールド層７１は、導電
層５７のうち、上部シールド層の第２の部分５４ｂに対
向しない部分を覆うように設けられる。また、電極シー
ルド層７１は、例えば、上部磁極層８６を形成する際に
同時に、上部磁極層８６と同じ磁性材料を用いて形成さ
れる。

【０１２８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１２９】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
さない。例えば、上記各実施の形態では、基体側に読み
取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の誘
導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

【０１３０】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極の機能を有する磁性膜を下部磁
極として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介して、そ
れに対向するように上記実施の形態に示した下部磁極の
機能を有する磁性膜を上部磁極として形成することによ
り実現できる。この場合、誘導型磁気変換素子の上部磁
極とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させることが好ま
しい。

【０１３１】従って、このような構造の薄膜磁気ヘッド
では、ＭＲ素子の上部シールド層が、本発明における第
１のシールド層に対応し、ＭＲ素子の下部シールド層
が、本発明における第２のシールド層に対応する。つま
り、上部シールド層と下部シールド層の一部との間に、
導電層が配置される溝が形成される。

【０１３２】なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドで
は、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そし
て、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、
薄膜磁気ヘッド自体の大きさをさらに縮小化することが
できる。

【０１３３】更に、異なる形態としては、誘導型磁気変
換素子のコイル部を構成する各薄膜コイル間に形成され
る絶縁層を、全て無機絶縁層としてもよい。

【０１３４】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし７の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項８ないし
１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１のシールド層と第２のシールド層の一部が同
一平面上に形成され、磁気抵抗素子に接続される電極の
少なくとも一部が、第１のシールド層と第２のシールド
層の一部との間に形成された溝内に、第１のシールド層
と第２のシールド層に対して絶縁された状態で配置され
るようにしたので、電極と各シールド層との間の絶縁性
能を高くすることができると共に、電極が絶縁層を介し
て両シールド層間に介挿された構造ではないので、磁気
抵抗素子とシールド層との間の絶縁層を厚くすることな
く、磁気抵抗素子に接続される電極とシールド層との間
の絶縁性能を向上させることができるという効果を奏す
る。更に、電極を十分厚く形成することができるので、
電極の配線抵抗をより低くすることができるという効果
を奏する。更に、電極のうちの溝内に配置された部分
が、２つシールド層によって挟み込まれてシールドされ
るので、電極に対するノイズの影響を低減することがで
きるという効果を奏する。

【０１３５】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２のシールドが、書き込み用の誘導型磁気変換素
子の２つの磁性層のうちの一方を兼ね、薄膜コイルの少
なくとも一部が、第２のシールド層の第１の部分と２つ
の磁性層のうちの他方との間であって、第２のシールド
層の第２の部分の面に沿った方向の側方に配置されるよ
うにしたので、更に、山状に盛り上がったコイル部分の
高さを低くでき、記録ヘッドのトラック幅を決定する磁
極を微細に形成することが可能となるという効果を奏す
る。

【０１３６】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４もしくは１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、電極の少なくとも一部をシールドするた
めの電極シールド層を設けたので、更に、電極に対する
ノイズの影響をより低減することができるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図２１】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示す断面図であ
る。

【図２２】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図２６】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図２７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。

【図３６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造途中の状態を示
す平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４ａ…上
部シールド層の第１の部分、４ｂ…上部シールド層の第
２の部分、６…絶縁膜、７…導電層、８ａ…下部シール
ドギャップ膜、８ｂ…上部シールドギャップ膜、９…Ｍ
Ｒ素子、１０…電極層、１１…絶縁層、１２，１６…薄
膜コイル、１３…磁性層、１８…記録ギャップ層、１９
…上部磁極層、２０…オーバーコート層。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟ん
で対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシール
ドするための第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と各シールド層との間に設けられた絶
縁層と、前記磁気抵抗素子に接続される電極とを備えた薄膜磁気
ヘッドであって、前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の他の一
部は、両者の間に前記電極の少なくとも一部が配置され
る溝が形成されるように、同一平面上に、互いに絶縁さ
れた状態で配置され、前記電極の少なくとも一部は、前記溝内に、前記第１の
シールド層と前記第２のシールド層に対して絶縁された
状態で配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】前記電極は、前記溝内に設けられた絶縁
膜によって、前記第１のシールド層と前記第２のシール
ド層に対して絶縁されていることを特徴とする請求項１
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記第２のシールド層は、前記第１のシ
ールド層と同一平面上に配置された第１の部分と、前記
磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向する
ように配置され、且つ前記第１の部分に接続された第２
の部分とを有することを特徴とする請求項１または２記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体
に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向す
る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
る２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された
薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子
を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記第２のシールド層は、前記２つの磁
性層のうちの一方を兼ねていることを特徴とする請求項
４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】更に、磁気的に連結され、且つ記録媒体
に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向す
る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
る２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設された
薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子
を備え、前記第２のシールド層は、前記２つの磁性層のうちの一
方を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシール
ド層の第１の部分と前記２つの磁性層のうちの他方との
間であって、前記第２のシールド層の第２の部分の面に
沿った方向の側方に配置されていることを特徴とする請
求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】更に、前記電極の少なくとも一部をシー
ルドするための電極シールド層を備えたことを特徴とす
る請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項８】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側
の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置
され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１およ
び第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と各シールド
層との間に設けられた絶縁層と、前記磁気抵抗素子に接
続される電極とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
って、第１および第２のシールド層における記録媒体に対向す
る側の一部が、磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置され、且つ第１のシールド層と第２のシールド層の他
の一部が、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置
されて、両者の間に電極の少なくとも一部が配置される
溝が形成されるように、磁気抵抗素子、第１のシールド
層および第２のシールド層を形成すると共に、電極の少なくとも一部が、前記溝内に、第１のシールド
層と第２のシールド層に対して絶縁された状態で配置さ
れるように、電極を形成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記電極は、前記溝内に設けられた絶縁
膜によって、前記第１のシールド層と前記第２のシール
ド層に対して絶縁されることを特徴とする請求項８記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記第２のシールド層は、前記第１の
シールド層と同一平面上に配置された第１の部分と、前
記磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向す
るように配置され、且つ前記第１の部分に接続された第
２の部分とを有し、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分と
が、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置され
て、両者の間に電極の少なくとも一部が配置される溝が
形成されるように、第１のシールド層と第２のシールド
層の第１の部分とを形成する工程と、電極の少なくとも一部が、前記溝内に、第１のシールド
層と第２のシールド層に対して絶縁された状態で配置さ
れるように、電極を形成する工程と、前記第１のシールド層の上に、絶縁膜を介して磁気抵抗
素子を形成する工程と、前記磁気抵抗素子の上に、絶縁膜を介して、第２のシー
ルド層の第２の部分を形成する工程とを含むことを特徴
とする請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１１】更に、磁気的に連結され、且つ記録媒
体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向
する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層から
なる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設され
た薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素
子を形成することを特徴とする請求項８ないし１０のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記第２のシールド層は、前記２つの
磁性層のうちの一方を兼ねていることを特徴とする請求
項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】更に、磁気的に連結され、且つ記録媒
体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向
する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層から
なる２つの磁性層と、この２つの磁性層の間に配設され
た薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素
子を形成し、前記第２のシールド層は、前記２つの磁性層のうちの一
方を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部を、前記第２のシール
ド層の第１の部分と前記２つの磁性層のうちの他方との
間であって、前記第２のシールド層の第２の部分の面に
沿った方向の側方に配置することを特徴とする請求項１
０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】更に、前記電極の少なくとも一部をシ
ールドするための電極シールド層を形成することを特徴
とする請求項８ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項１５】更に、前記電極の少なくとも一部をシ
ールドするための電極シールド層を、前記誘導型磁気変
換素子における２つの磁性層のうちの、前記電極に対し
て厚み方向に遠い方の磁性層を形成する際に同時に形成
することを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項１６】前記電極の少なくとも一部と前記薄膜
コイルの少なくとも一部を、同一工程で形成することを
特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１７】同一平面上に配置される第１のシール
ド層と第２のシールド層の一部は、めっき法により形成
されることを特徴とする請求項８ないし１６のいずれか
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記電極は、めっき法により形成され
ることを特徴とする請求項８ないし１７のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。