JP3449538B2 - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
光電変換素子およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光用、受光用など
の目的でプリント回路基板などに取付けられて用いられ
るＬＥＤランプ、受光素子あるいは受発光素子など光電
変換素子に関するものであり、詳細には、前記光電変換
素子のコストダウンを可能とする製造方法の提供を目的
とする。
の目的でプリント回路基板などに取付けられて用いられ
るＬＥＤランプ、受光素子あるいは受発光素子など光電
変換素子に関するものであり、詳細には、前記光電変換
素子のコストダウンを可能とする製造方法の提供を目的
とする。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の光電変換素子の構成をＬ
ＥＤランプの例を示すものが図８および図９であり、先
ず、図８に示すＬＥＤランプ９０においては、ＬＥＤチ
ップ９１をダイボンドしワイヤ９２による配線を行った
状態のリードフレーム９３を金型（図示は省略する）中
に所定位置として設置し、前記ＬＥＤチップ９１および
ワイヤ９２を覆うように透明な樹脂を注入するトランス
ファーモールドによりケース部９４を形成するものであ
る。
ＥＤランプの例を示すものが図８および図９であり、先
ず、図８に示すＬＥＤランプ９０においては、ＬＥＤチ
ップ９１をダイボンドしワイヤ９２による配線を行った
状態のリードフレーム９３を金型（図示は省略する）中
に所定位置として設置し、前記ＬＥＤチップ９１および
ワイヤ９２を覆うように透明な樹脂を注入するトランス
ファーモールドによりケース部９４を形成するものであ
る。
【０００３】また、図９に示すＬＥＤランプ８０におい
ては、予めにリードフレーム８１をインサートモールド
することでベース部８２中に埋設しておき、このリード
フレーム８１にＬＥＤチップ８３をダイボンドし、ワイ
ヤ８４による配線を行った後に貼着など適宜な手段によ
りケース部８５を取付け、ＬＥＤチップ８３を覆うもの
である。
ては、予めにリードフレーム８１をインサートモールド
することでベース部８２中に埋設しておき、このリード
フレーム８１にＬＥＤチップ８３をダイボンドし、ワイ
ヤ８４による配線を行った後に貼着など適宜な手段によ
りケース部８５を取付け、ＬＥＤチップ８３を覆うもの
である。
【０００４】尚、前記ＬＥＤチップ９１、８３をＰＤ
（ホトダイオード）チップに代替させれば、上記の製造
方法により受光素子が得られるものとなる。また、ＬＥ
ＤチップとＰＤチップとの双方を配置すればＬＥＤチッ
プから放射した光が対象物で反射するのをＰＤチップで
検知し検出する検出センサが得られるものと成る。
（ホトダイオード）チップに代替させれば、上記の製造
方法により受光素子が得られるものとなる。また、ＬＥ
ＤチップとＰＤチップとの双方を配置すればＬＥＤチッ
プから放射した光が対象物で反射するのをＰＤチップで
検知し検出する検出センサが得られるものと成る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の製造方法の図８に示したものでは、既にＬＥＤ
チップ９１が取付けられワイヤ９２で配線が行われたリ
ードフレーム９３に対してケース部９４の成形を行うも
のであるので、例えば樹脂の注入時の応力でワイヤ９２
が断線するなどの可能性がある。
た従来の製造方法の図８に示したものでは、既にＬＥＤ
チップ９１が取付けられワイヤ９２で配線が行われたリ
ードフレーム９３に対してケース部９４の成形を行うも
のであるので、例えば樹脂の注入時の応力でワイヤ９２
が断線するなどの可能性がある。
【０００６】これを防止するためには樹脂の注入速度な
どに厳密な管理を行うことも有効ではあるが、このため
にはケース部９４を成形するための成型機に非常に高精
度のものが必要となり高価なものと成るので、製品のコ
ストアップの要因となる。また、別の手段として、ケー
ス部８５の成型前にＬＥＤチップ９１とワイヤ９２とを
予めに覆う方法もあるが、この場合にも別工程の追加が
必要となり、コストアップは避けられないものとなる。
どに厳密な管理を行うことも有効ではあるが、このため
にはケース部９４を成形するための成型機に非常に高精
度のものが必要となり高価なものと成るので、製品のコ
ストアップの要因となる。また、別の手段として、ケー
ス部８５の成型前にＬＥＤチップ９１とワイヤ９２とを
予めに覆う方法もあるが、この場合にも別工程の追加が
必要となり、コストアップは避けられないものとなる。
【０００７】また、図９に示したものでは、ＬＥＤチッ
プ８３が所定の位置にダイボンドが行われるものとする
ためには、リードフレーム８１とベース部８２とに高い
精度が要求され上記と同様に厳密な管理が必要となり生
産性が低下すると共に、略摺鉢状の底面にＬＥＤチップ
８３のダイボンドと配線を行わなければならないものと
なるので、この面でも生産性が低下し、同様にコストア
ップする問題点を生じている。
プ８３が所定の位置にダイボンドが行われるものとする
ためには、リードフレーム８１とベース部８２とに高い
精度が要求され上記と同様に厳密な管理が必要となり生
産性が低下すると共に、略摺鉢状の底面にＬＥＤチップ
８３のダイボンドと配線を行わなければならないものと
なるので、この面でも生産性が低下し、同様にコストア
ップする問題点を生じている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記した従来の
課題を解決するための具体的手段として、半導体チップ
が搭載され、位置決めとともに接着樹脂の流入を促すこ
とを目的とした貫通孔または切欠きを有するリードフレ
ームと、前記半導体チップを覆う形状で前記リードフレ
ームに当接し、前記リードフレーム当接部には前記位置
決めのためのボスを有するケース部と、前記ケース部と
でお互いに前記リードフレームを挟む位置に設置される
ベース部と、前記ベース部と前記リードフレームの間に
は前記接着樹脂を含む接着シートとを有し、前記ケース
部、前記リードフレームおよび前記ベース部は前記接着
樹脂によって一体化されている光電変換素子の製造方法
であって、前記ケース部を前記ボスおよび前記リードフ
レームに設けられた貫通孔または切欠きによって仮止
し、前記ベース部を前記リードフレーム上の前記ケース
部と反対側の面に前記接着シートを挟み貼着した後、前
記ケース部と前記ベース部を前記リードフレームを挟む
方向に応力を加えつつ加熱することで前記接着シート中
の前記接着樹脂が溶融することにより、前記接着樹脂が
リードフレームの貫通孔または切欠きと、ケース部のボ
スとの間隙に流入し、前記リードフレーム、前記ケース
および前記ベース部を一体化することを特徴とする光電
変換素子の製造方法を提供することで課題を解決するも
のである。
課題を解決するための具体的手段として、半導体チップ
が搭載され、位置決めとともに接着樹脂の流入を促すこ
とを目的とした貫通孔または切欠きを有するリードフレ
ームと、前記半導体チップを覆う形状で前記リードフレ
ームに当接し、前記リードフレーム当接部には前記位置
決めのためのボスを有するケース部と、前記ケース部と
でお互いに前記リードフレームを挟む位置に設置される
ベース部と、前記ベース部と前記リードフレームの間に
は前記接着樹脂を含む接着シートとを有し、前記ケース
部、前記リードフレームおよび前記ベース部は前記接着
樹脂によって一体化されている光電変換素子の製造方法
であって、前記ケース部を前記ボスおよび前記リードフ
レームに設けられた貫通孔または切欠きによって仮止
し、前記ベース部を前記リードフレーム上の前記ケース
部と反対側の面に前記接着シートを挟み貼着した後、前
記ケース部と前記ベース部を前記リードフレームを挟む
方向に応力を加えつつ加熱することで前記接着シート中
の前記接着樹脂が溶融することにより、前記接着樹脂が
リードフレームの貫通孔または切欠きと、ケース部のボ
スとの間隙に流入し、前記リードフレーム、前記ケース
および前記ベース部を一体化することを特徴とする光電
変換素子の製造方法を提供することで課題を解決するも
のである。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。尚、この実施形態でも光
電変換素子がＬＥＤランプのときの例で示すが、上記し
たようにＬＥＤチップをＰＤチップ、受発光素子チップ
などに置換して実施することは自在である。図１〜図４
は、本発明に係るＬＥＤランプの製造方法を工程の順に
示すものであり、第一の工程としては図１に示すように
リードフレーム１の所定位置にＬＥＤチップ２のダイボ
ンドを行い、ワイヤ３による配線を行う。
態に基づいて詳細に説明する。尚、この実施形態でも光
電変換素子がＬＥＤランプのときの例で示すが、上記し
たようにＬＥＤチップをＰＤチップ、受発光素子チップ
などに置換して実施することは自在である。図１〜図４
は、本発明に係るＬＥＤランプの製造方法を工程の順に
示すものであり、第一の工程としては図１に示すように
リードフレーム１の所定位置にＬＥＤチップ２のダイボ
ンドを行い、ワイヤ３による配線を行う。
【００１０】尚、前記リードフレーム１は複数が外枠１
ａなどにより一体化されているものであるので、上記の
ダイボンド、配線は自動機、半自動機などで行うことが
可能であり、効率良く行えるものである。 ここで、本
発明においては、前記リードフレーム１の例えば２個所
には貫通孔１ｂが設けられていて、後に説明するケース
部４との位置決め手段とされている。
ａなどにより一体化されているものであるので、上記の
ダイボンド、配線は自動機、半自動機などで行うことが
可能であり、効率良く行えるものである。 ここで、本
発明においては、前記リードフレーム１の例えば２個所
には貫通孔１ｂが設けられていて、後に説明するケース
部４との位置決め手段とされている。
【００１１】図２は、同じく本発明に係るＬＥＤランプ
の製造方法の第二の工程を示すものであり、上記ＬＥＤ
チップ２の取付が行われたリードフレーム１にはＬＥＤ
チップ２を覆うようにしてケース部４の取付けが行われ
る。このときに前記ケース部４には前記貫通孔１ｂに対
応するボス４ａが設けられていて、貫通孔１ｂとボス４
ａとを嵌合させることで、リードフレーム１とケース部
４とが所定の位置として係合が行われるものとされてい
る。
の製造方法の第二の工程を示すものであり、上記ＬＥＤ
チップ２の取付が行われたリードフレーム１にはＬＥＤ
チップ２を覆うようにしてケース部４の取付けが行われ
る。このときに前記ケース部４には前記貫通孔１ｂに対
応するボス４ａが設けられていて、貫通孔１ｂとボス４
ａとを嵌合させることで、リードフレーム１とケース部
４とが所定の位置として係合が行われるものとされてい
る。
【００１２】そして、リードフレーム１のケース部４が
取付けられた面の背面側から接着シート５が貼着され、
更に、前記接着シート５に重ねてはベース部６が載置さ
れる。前記接着シート５は例えばガラス繊維の不繊布に
エポキシ樹脂を含浸したもの、あるいは、エポキシ樹脂
自体をフィルム状に形成したものであり、常温では形成
された形状を維持し、且つ、多少の粘着性を有するもの
であるので、前記リードフレーム１、ケース部４、ベー
ス部６に対して仮止め程度の作用は行うものとなる。
取付けられた面の背面側から接着シート５が貼着され、
更に、前記接着シート５に重ねてはベース部６が載置さ
れる。前記接着シート５は例えばガラス繊維の不繊布に
エポキシ樹脂を含浸したもの、あるいは、エポキシ樹脂
自体をフィルム状に形成したものであり、常温では形成
された形状を維持し、且つ、多少の粘着性を有するもの
であるので、前記リードフレーム１、ケース部４、ベー
ス部６に対して仮止め程度の作用は行うものとなる。
【００１３】図３は、同じく本発明に係るＬＥＤランプ
の製造方法の第三の工程を示すものであり、上記のよう
にしてケース部４とベース部６とを取付けた後には、適
宜な治具などにより前記ケース部４とベース部６とでリ
ードフレーム１を挟む方向に応力が加えられ、この状態
を維持してトンネル状の連続炉などにより加熱が行われ
る。
の製造方法の第三の工程を示すものであり、上記のよう
にしてケース部４とベース部６とを取付けた後には、適
宜な治具などにより前記ケース部４とベース部６とでリ
ードフレーム１を挟む方向に応力が加えられ、この状態
を維持してトンネル状の連続炉などにより加熱が行われ
る。
【００１４】図４は前記接着シート５の加熱時の特性Ｐ
を示すものであり、図は１５０℃に加熱した条件下で、
加えられた外部からの圧力により溶融したエポキシ樹脂
が拡がる面積を倍率で示してある。図によれば２５０ｇ
／ｃｍ2 程度の圧力下においては略３倍の面積に拡がる
流動性を有するものとなるので、前記したリードフレー
ム１の貫通孔１ｂとケース部４のボス４ａとの間隙にも
流入し、リードフレーム１の一方の面に接着シート５を
貼着した状態でもケース部４の接着が可能となる。
を示すものであり、図は１５０℃に加熱した条件下で、
加えられた外部からの圧力により溶融したエポキシ樹脂
が拡がる面積を倍率で示してある。図によれば２５０ｇ
／ｃｍ2 程度の圧力下においては略３倍の面積に拡がる
流動性を有するものとなるので、前記したリードフレー
ム１の貫通孔１ｂとケース部４のボス４ａとの間隙にも
流入し、リードフレーム１の一方の面に接着シート５を
貼着した状態でもケース部４の接着が可能となる。
【００１５】上記の接着が行われた後には、例えばリー
ドフレーム１の外枠１ａからの切断切り離し、あるい
は、リードフレーム１の端子部となる部分の成型加工な
ど通常のＬＥＤランプの工程が行われて、図５に示すＬ
ＥＤランプ１０が得られるものとなる。
ドフレーム１の外枠１ａからの切断切り離し、あるい
は、リードフレーム１の端子部となる部分の成型加工な
ど通常のＬＥＤランプの工程が行われて、図５に示すＬ
ＥＤランプ１０が得られるものとなる。
【００１６】図６、図７は本発明の別な実施形態であ
り、上記のＬＥＤランプ１０においては、ＬＥＤチップ
２はケース部４内で大気（屈折率＝１）に囲まれるもの
と成っている。よって、例えば屈折率≒３であるＬＥＤ
チップ２と大気との接触面ではＬＥＤチップ２側に内面
反射を生じて、光の取出し効率が低下するものとなる問
題点を生じる。
り、上記のＬＥＤランプ１０においては、ＬＥＤチップ
２はケース部４内で大気（屈折率＝１）に囲まれるもの
と成っている。よって、例えば屈折率≒３であるＬＥＤ
チップ２と大気との接触面ではＬＥＤチップ２側に内面
反射を生じて、光の取出し効率が低下するものとなる問
題点を生じる。
【００１７】この点の解決方法としては、ＬＥＤチップ
２が大気よりも屈折率の高い樹脂中に埋設することが有
効とされているが、本発明の製造方法においてはこの点
にも対応が可能であり、図６に示すようにベース部８に
開口部８ａを設け、このベース部８を貼着する接着シー
ト７も対応する形状としておく。
２が大気よりも屈折率の高い樹脂中に埋設することが有
効とされているが、本発明の製造方法においてはこの点
にも対応が可能であり、図６に示すようにベース部８に
開口部８ａを設け、このベース部８を貼着する接着シー
ト７も対応する形状としておく。
【００１８】そして、加熱、加圧によるベース部８およ
びケース部４のリードフレーム１への接着を行った後
に、前記開口部８ａからエポキシ樹脂など透明樹脂９の
滴下（ポッテング）モールドを行えば、ＬＥＤチップ２
とケース部４間は透明樹脂９で充填され、図７に示すＬ
ＥＤランプ１１が得られるものとなる。
びケース部４のリードフレーム１への接着を行った後
に、前記開口部８ａからエポキシ樹脂など透明樹脂９の
滴下（ポッテング）モールドを行えば、ＬＥＤチップ２
とケース部４間は透明樹脂９で充填され、図７に示すＬ
ＥＤランプ１１が得られるものとなる。
【００１９】このときには、既にケース部４によりＬＥ
Ｄランプ１１の外観形状は形成されているものであるの
で、上記した滴下モールド時には金型などは不要であ
り、よって、特に成型機なども用意する必要はなく、例
えば定量の樹脂の注入が行えるシリンダーなどで充分で
あり、組立工程への負担の増加も低いものとすることが
できる。
Ｄランプ１１の外観形状は形成されているものであるの
で、上記した滴下モールド時には金型などは不要であ
り、よって、特に成型機なども用意する必要はなく、例
えば定量の樹脂の注入が行えるシリンダーなどで充分で
あり、組立工程への負担の増加も低いものとすることが
できる。
【００２０】次いで、上記した本発明の製造方法とする
ときの作用および効果について説明を行う。先ず、本発
明においてはケース部４およびベース部６（８）を接着
シート５（７）で貼着するものであるので、ケース部４
およびベース部６（８）は、通常の樹脂成型機により予
めに形成しておくことが可能となる。
ときの作用および効果について説明を行う。先ず、本発
明においてはケース部４およびベース部６（８）を接着
シート５（７）で貼着するものであるので、ケース部４
およびベース部６（８）は、通常の樹脂成型機により予
めに形成しておくことが可能となる。
【００２１】従って、ＬＥＤランプ１０（１１）の製造
工程中で高価なトランスファ成型機などを使用すること
はなく、工程数が短縮されると共に設備投資も低減さ
れ、もって、ＬＥＤランプ１０（１１）の生産コストを
低減することが可能となる。また、前記ケース部４ある
いはベース部６（８）を変更するのみで生産工程に負担
を生じることなく各種の形状のＬＥＤランプの製造が可
能となるので、生産品種の切換などが速やかに行えるも
のとなり、更には、ＬＥＤチップ２をＰＤチップに代替
させることで工程に何らの変更もなく受光素子の生産も
可能となり、生産ラインの機動性も格段に向上する。
工程中で高価なトランスファ成型機などを使用すること
はなく、工程数が短縮されると共に設備投資も低減さ
れ、もって、ＬＥＤランプ１０（１１）の生産コストを
低減することが可能となる。また、前記ケース部４ある
いはベース部６（８）を変更するのみで生産工程に負担
を生じることなく各種の形状のＬＥＤランプの製造が可
能となるので、生産品種の切換などが速やかに行えるも
のとなり、更には、ＬＥＤチップ２をＰＤチップに代替
させることで工程に何らの変更もなく受光素子の生産も
可能となり、生産ラインの機動性も格段に向上する。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、ケ
ース部をボスおよびリードフレームに設けられた貫通孔
または切欠きによって仮止し、ベース部を前記リードフ
レーム上の前記ケース部と反対側の面に接着シートを挟
み貼着した後、前記ケース部と前記ベース部を前記リー
ドフレームを挟む方向に応力を加えつつ加熱することで
前記接着シート中の接着樹脂が溶融することにより、前
記接着樹脂がリードフレームの貫通孔または切欠きと、
ケース部のボスとの間隙に流入し、前記リードフレー
ム、前記ケースおよび前記ベース部を一体化する光電変
換素子の製造方法としたことで、第一には、通常の成形
機で予めに成形しておいたケース部あるいはベース部を
採用可能とし、ＬＥＤランプの生産工程中でケース部あ
るいはベース部を形成するという工程を排除し、生産工
程の短縮と、高価なトランスファ成形機を不要として、
この種のＬＥＤランプなど光電変換素子のコストダウン
に極めて優れた効果を奏するものである。
ース部をボスおよびリードフレームに設けられた貫通孔
または切欠きによって仮止し、ベース部を前記リードフ
レーム上の前記ケース部と反対側の面に接着シートを挟
み貼着した後、前記ケース部と前記ベース部を前記リー
ドフレームを挟む方向に応力を加えつつ加熱することで
前記接着シート中の接着樹脂が溶融することにより、前
記接着樹脂がリードフレームの貫通孔または切欠きと、
ケース部のボスとの間隙に流入し、前記リードフレー
ム、前記ケースおよび前記ベース部を一体化する光電変
換素子の製造方法としたことで、第一には、通常の成形
機で予めに成形しておいたケース部あるいはベース部を
採用可能とし、ＬＥＤランプの生産工程中でケース部あ
るいはベース部を形成するという工程を排除し、生産工
程の短縮と、高価なトランスファ成形機を不要として、
この種のＬＥＤランプなど光電変換素子のコストダウン
に極めて優れた効果を奏するものである。
【００２３】また、本発明によれば、ＬＥＤランプの生
産はリードフレームへのケース部とベース部との貼着で
良いものとなり、これらケース部とベース部との形状変
更にはそれ程に生産工程の変更を要しないものとなるの
で、例えば発光用、受光用など用途が異なるものを含む
多品種少量生産などにも対応が可能となり、生産ライン
の機動性が向上するという優れた効果も併せて奏するも
のとなる。
産はリードフレームへのケース部とベース部との貼着で
良いものとなり、これらケース部とベース部との形状変
更にはそれ程に生産工程の変更を要しないものとなるの
で、例えば発光用、受光用など用途が異なるものを含む
多品種少量生産などにも対応が可能となり、生産ライン
の機動性が向上するという優れた効果も併せて奏するも
のとなる。
【図１】 本発明に係る光電変換素子（ＬＥＤランプ）
の製造方法の第一の工程を示す平面図である。
の製造方法の第一の工程を示す平面図である。
【図２】 同じく本発明に係る製造方法の第二の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 同じく本発明に係る製造方法の第三の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】 同じく本発明が採用する接着シートの特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図５】 本発明に係る製造方法により製造されたＬＥ
Ｄランプを示す断面図である。
Ｄランプを示す断面図である。
【図６】 同じく本発明に係る製造方法の別の実施形態
を貼着工程の完了後の状態で示す断面図である。
を貼着工程の完了後の状態で示す断面図である。
【図７】 別の実施形態により得られる光電変換素子
（ＬＥＤランプ）を示す断面図である。
（ＬＥＤランプ）を示す断面図である。
【図８】 従来例を示す断面図である。
【図９】 別の従来例を示す断面図である。
１……リードフレーム
１ａ……外枠
１ｂ……貫通孔
２……ＬＥＤチップ
３……ワイヤ
４……ケース部
４ａ……ボス
５、７……接着シート
６、８……ベース部
８ａ……開口部
９……透明樹脂
１０、１１……ＬＥＤランプ（光電変換素子）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭50−68095（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−61271（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−144551（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−290982（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−61522（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−148906（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭58−25055（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 31/00 - 31/20
H01L 23/00 - 23/66
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載され、位置決めとと
もに接着樹脂の流入を促すことを目的とした貫通孔また
は切欠きを有するリードフレームと、前記半導体チップ
を覆う形状で前記リードフレームに当接し、前記リード
フレーム当接部には前記位置決めのためのボスを有する
ケース部と、前記ケース部とでお互いに前記リードフレ
ームを挟む位置に設置されるベース部と、前記ベース部
と前記リードフレームの間には前記接着樹脂を含む接着
シートとを有し、前記ケース部、前記リードフレームお
よび前記ベース部は前記接着樹脂によって一体化されて
いる光電変換素子の製造方法であって、前記ケース部を
前記ボスおよび前記リードフレームに設けられた貫通孔
または切欠きによって仮止し、前記ベース部を前記リー
ドフレーム上の前記ケース部と反対側の面に前記接着シ
ートを挟み貼着した後、前記ケース部と前記ベース部を
前記リードフレームを挟む方向に応力を加えつつ加熱す
ることで前記接着シート中の前記接着樹脂が溶融するこ
とにより、前記接着樹脂がリードフレームの貫通孔また
は切欠きと、ケース部のボスとの間隙に流入し、前記リ
ードフレーム、前記ケースおよび前記ベース部を一体化
することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記接着シート中に含まれる接着樹脂が
エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１記載の光
電変換素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記ケース部には前記半導体チップを囲
う空洞を有し、前記空洞内を前記半導体チップより大き
い屈折率を持つ樹脂で充填したことを特徴とする請求項
１または請求項２記載の光電変換素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３の何れかに記載の製
造方法により製造されたことを特徴とする光電変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548299A JP3449538B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548299A JP3449538B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353828A JP2000353828A (ja) | 2000-12-19 |
| JP3449538B2 true JP3449538B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15813251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16548299A Expired - Lifetime JP3449538B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449538B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1496551B1 (en) * | 2003-07-09 | 2013-08-21 | Nichia Corporation | Light emitting diode, method of manufacturing the same and lighting equipment incorporating the same |
| JP2005217369A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Three M Innovative Properties Co | 発光ダイオード装置用接着シート及び発光ダイオード装置 |
| JP4654639B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2007208061A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子，その製造方法，半導体発光素子アセンブリ |
| US20080089072A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Alti-Electronics Co., Ltd. | High Power Light Emitting Diode Package |
| JP4976982B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | Ｌｅｄユニット |
| JP6110528B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-04-05 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子用ホルダ、及び、半導体発光素子モジュール |
-
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- 1999-06-11 JP JP16548299A patent/JP3449538B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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