JP3447103B2

JP3447103B2 - 磁気浮上型搬送装置

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Publication number: JP3447103B2
Application number: JP4741994A
Authority: JP
Inventors: 真次小谷野
Original assignee: セイコーインスツルメンツ株式会社
Priority date: 1994-03-17
Filing date: 1994-03-17
Publication date: 2003-09-16
Anticipated expiration: 2018-09-16
Also published as: JPH07257750A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気浮上型搬送装置に
係り、例えば、半導体製造装置における真空環境下で半
導体ウエハ等を搬送する磁気浮上型搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造装置のような高度なク
リーン環境が要求される装置では、半導体ウエハ等の被
搬送物を、磁力により被接触で浮上支持される浮上体に
載せて移動させる磁気浮上型搬送装置が用いられてい
る。

【０００３】図５は磁気浮上型搬送装置の一例を表した
ものである。磁気浮上型搬送装置１０は、上下動及び回
転動するターンテーブル１１上に載置された円筒形状の
シールドチューブ１２を備えている。このシールドチュ
ーブ１２は両端が閉塞され、内部が密閉されている。シ
ールドチューブ１２の内部には、図示しない複数の電磁
石が配設されており、シールドチューブ１２内を長手方
向に移動するようになっている。シールドチューブ１２
の外周には、これを包囲するように、円筒形状の浮上体
１４が配設されている。浮上体１４の上部には、搬送棒
１８が取り付けられ、この搬送棒１８の先端のサーバ１
８ａには、半導体ウエハ１６が載置されるようになって
いる。また、浮上体１４は、シールドチューブ１２内部
の電磁石が発生する電磁力によって磁気浮上されると共
に、電磁石の長手方向への移動に伴って矢印ａ方向にス
ライドし、例えば、点線で示す位置をとる。

【０００４】本例の磁気浮上型搬送装置１０は、半導体
製造装置において使用されるもので、６角形状の真空容
器の中に配置され、この真空容器を取り囲むように配設
された処理室２０、２１、２２、あるいはロード／アン
ロード室等に対し、各開口２４、２６、２８等を通して
半導体ウエハ１６の出し入れを行うようになっている。

【０００５】例えば、磁気浮上型搬送装置１０は、ター
ンテーブル１１の回転運動によって、２点鎖線で示す位
置に移動し、磁気浮上した浮上体１４がシールドチュー
ブ１２に対してスライドすることで、サーバ１８ａの半
導体ウエハ１６を処理室２２内に搬入する。

【０００６】このような搬送作業では、半導体ウエハ１
６がサーバ１８ａの所定位置に正確に載置されないと、
搬送途中で開口２４、２６、２８や、ロード／アンロー
ド室内の半導体ウエハを収納するカセット（図示せず）
等に、半導体ウエハ１６を接触させてしまうことがあ
る。また、接触するほどずれていなかったとしても、サ
ーバ１８ａによって設置された半導体ウエハ１６の位置
が正規の位置からずれていれば、半導体ウエハ１６に対
する処理が正常に行われない等の不具合が発生する。

【０００７】そこで、従来では、以下のような手段によ
って半導体ウエハの位置ずれを検出し、前記不具合を防
止していた。図６〜図９は、従来のウエハ位置ずれ検出
手段を表したものである。図６に示す装置では、（Ｂ）
に示すように、磁気浮上型搬送装置を収容した真空容器
３０外の特定位置において、光学式センサの発光部３１
ａと受光部３１ｂとが、石英ガラス３４、３５を介して
サーバ３２を上下に挟むように対向配置されている。

【０００８】発光部３１ａは、サーバ３２上に載置され
た半導体ウエハ１６の、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒで示す部分に投
光し、各部Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒでの受光部３１ｂ側の受光の
有無によって、半導体ウエハ１６が正規の位置からずれ
ているか否かを検出する。図７に示す装置では、（Ａ）
に示すように、マイクロスイッチ等の接触式センサの接
点部３７〜４２がサーバ３６に設けられている。そし
て、サーバ３６上に半導体ウエハ１６が載置されたとき
の各接点部３７〜４２のスイッチング（ＯＮ、ＯＦＦ）
状態から、各接触式センサ４４、４５、４６等が、半導
体ウエハ１６の位置ずれを検出する。

【０００９】図８に示す装置では、サーバ４７に設けら
れた複数の光学式センサ４８〜５３によって、半導体ウ
エハ１６の位置ずれを検出する。また、図９に示す装置
では、（Ａ）に示すように、空気吸引口５４〜５９及び
その流通路がサーバ６０に設けられており、サーバ６０
上に載置される半導体ウエハ１６を図示しない吸引ポン
プによって真空吸着するようになっている。そして、こ
の空気吸引時の圧力変動をバキュウムセンサ６２、６
３、６４、６５等で検知することで、半導体ウエハ１６
の位置ずれを検出するようになっている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図６に示した
装置では、特定の位置でのみ半導体ウエハ１６の位置ず
れを検出できるようになっている。従って、特定位置か
ら搬送先に半導体ウエハ１６を移動させる途中で半導体
ウエハ１６がずれてしまった場合には、そのずれを検出
することができない。

【００１１】また、図７及び図８に示した装置では、高
真空雰囲気内において使用する場合に、接点部３７〜４
２のバネ等の可動部から発塵が起こったり、光学式セン
サ４８〜５３のケーブルから放出ガスが発生したりし
て、真空度を悪化させてしまう。

【００１２】図９に示した装置では、空気吸引を前提と
しているため、真空内での使用が不可能である。そこ
で、本発明の目的は、真空度を下げることなく、全搬送
動作中で被搬送物の位置ずれを検出することができる磁
気浮上型搬送装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、被搬送物が載置される搬送部材と、この搬送部材を
電磁力により浮上させて支持する電磁石と、この電磁石
の電流値から前記搬送部材に載置された前記被搬送物の
所定位置からの位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と
を磁気浮上型搬送装置に具備させて前記目的を達成す
る。

【００１４】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
磁気浮上型搬送装置において、前記位置ずれ検出手段
が、前記電磁石の電流値を所定の電流値と比較すること
で、前記被搬送物の位置ずれを検出することによって前
記目的を達成する。請求項３記載の発明では、請求項１
記載の磁気浮上型搬送装置において、前記電磁石が、複
数の電磁石から構成されると共に前記搬送部材を複数の
箇所で支持し、前記位置ずれ検出手段が、前記複数の電
磁石の内少なくとも２つの電磁石の電流値を比較するこ
とで、前記被搬送物の位置ずれを検出することによって
前記目的を達成する。

【００１５】請求項４記載の発明では、請求項１記載の
磁気浮上型搬送装置において、前記電磁石が、複数の電
磁石から構成されると共に前記搬送部材を複数の箇所で
支持し、前記位置ずれ検出手段が、前記複数の電磁石の
内少なくとも２つの電磁石の電流値から、前記搬送部材
に載置された前記被搬送物の、前記所定の位置からのず
れの方向を検出することで前記目的を達成する。

【００１６】

【作用】請求項１記載の磁気浮上型搬送装置では、被搬
送物が載置される搬送部材が電磁石の電磁力によって浮
上支持される。位置ずれ検出手段は、電磁石の電流値か
ら搬送部材に載置された被搬送物の所定位置からの位置
ずれを検出する。

【００１７】請求項２記載の磁気浮上型搬送装置では、
位置ずれ検出手段が、電磁石の電流値を所定の電流値と
比較することで、被搬送物の位置ずれを検出する。請求
項３記載の磁気浮上型搬送装置では、複数の電磁石が搬
送部材を複数の箇所で支持し、位置ずれ検出手段は、複
数の電磁石の内少なくとも２つの電磁石の電流値を比較
することで、被搬送物の位置ずれを検出する。

【００１８】請求項４記載の磁気浮上型搬送装置では、
複数の電磁石が搬送部材を複数の箇所で支持し、位置ず
れ検出手段は、複数の電磁石の内少なくとも２つの電磁
石の電流値から、搬送部材に載置された被搬送物の、所
定の位置からのずれの方向を検出する。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の磁気浮上型搬送装置における
一実施例を図１ないし図４を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施例による磁気浮上型搬送装置における機
械構成を表したものであり、図２及び図３は、それぞ
れ、図１におけるＳ−Ｓ線方向断面とＴ−Ｔ線方向断面
を表したものである。なお、以下の説明において、図１
における右側を前側、左側を後側とする。

【００２０】本実施例の磁気浮上型搬送装置７０は、例
えば、半導体製造装置において真空容器内に配置され
る。図１に示すように、磁気浮上型搬送装置７０は、磁
気浮上型搬送装置１０と同様に、内部が密閉された円筒
形状のシールドチューブ７２を備えている。このシール
ドチューブ７２の内部には、ボールネジ７４によって矢
印Ｘ方向（前後方向）に移動するマグネットキャリア７
６が配設されている。

【００２１】マグネットキャリア７６の後側には、図２
に示すように、４つの電磁石８１、８２、８３、８４が
固定されている。また、マグネットキャリア７６の前側
には、図３に示すように、下側にのみ２つの電磁石８
６、８７が固定されている。図１に示すように、電磁石
８７の鉄心８７ａには、電磁石８７の磁力を補うための
永久磁石８８が組み込まれており、電磁石８６に対して
も同様に永久磁石が組み込まれている。電磁石８１と８
２、及び電磁石８３と８４は、図２においてそれぞれ左
右に対称になるように配置されている。また、電磁石８
６と８７も図３において左右で対称になるように配置さ
れている。

【００２２】マグネットキャリア７６の前端と後端に
は、電磁石８１、８４等と同様に図１において上下に対
を成す変位センサ９０及び９２、変位センサ９１及び９
３が設けられている。また、図２の電磁石８２、８３と
同じ取付け角度にも、図１において前後に、変位センサ
９０〜９３と同様に４つの図示しない変位センサが設け
られている。

【００２３】電磁石シールドチューブ７２の外周には、
円筒形状の浮上体９４が配設されている。この浮上体９
４の上側には、搬送棒９５が取り付けられており、その
先端には、半導体ウエハ等の被搬送物８９が載置される
サーバ９５ａが設けられている。なお、図１において
は、説明の便宜上、搬送棒９５の位置を周方向にずらし
て電磁石８１の直上方に位置するように図示している。

【００２４】浮上体９４の内側の、各電磁石８１、８
２、８３、８４、８６、８７と対向する部分、及び変位
センサ９０、９１、９２、９３や図示しない４つの変位
センサと対向する部分には、強磁性材料からなるターゲ
ット９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０
２、及び１０３、１０４（図２）、１０５（図３）等が
取り付けられている。

【００２５】各電磁石８１〜８７は、ターゲット９７、
１００、１０１、１０３、１０４、１０５を電磁力によ
り吸引することで、浮上体９４を磁気浮上させるように
なっている。変位センサ９０〜９３及び図示しない変位
センサは、インダクタンス変換型の変位センサであり、
高周波電流が供給されるコイルのインダクタンスが、タ
ーゲット９６、９８、９９、１０２等との距離によって
変化することを利用して、浮上体９４の位置変位を検出
するようになっている。なお、変位センサとしては、他
のセンサ、例えば、差動トランス型変位センサ、静電容
量型変位センサ、ホール素子変位センサ、渦電流変位セ
ンサ等を用いてもよい。

【００２６】本実施例では、前記の各変位センサ９０、
９１、９２、９３等の出力をフィードバックすること
で、電磁石８１、８２、８３、８４、８６、８７の電流
を制御し、浮上体９４の浮上位置を制御するようになっ
ている。図４は、磁気浮上型搬送装置７０の制御系の一
部を表したものである。

【００２７】変位センサ９０、９２には、センサ出力か
ら浮上体９４の位置変位を示す位置信号を得るためのブ
リッジ回路１０８が接続されている。このブリッジ回路
１０８には、浮上体９４の浮上位置を指令する基準信号
１０９が供給される比較器１１０が接続されている。比
較器１１０は、基準信号Ｓからブリッジ回路１０８より
供給された位置信号を減算して、処理後の信号を信号処
理回路１１２に供給するようになっている。信号処理回
路１１２は、比較器１１０からの信号に位相補償や位相
反転等の処理を加え、それぞれ増幅回路１１４、１１６
に供給する。増幅回路１１４、１１６は、信号処理回路
１１２からの信号に基づいて増幅した電流を各電磁石８
１、８４に供給するようになっている。

【００２８】電磁石８７に対しても、変位センサ９１、
９３の出力を基に同様のフィードバックループを形成す
るブリッジ回路１１８、比較器１２０、信号処理回路１
２２及び増幅回路１２４が設けられている。また、図示
しないが、電磁石８２、８４、及び電磁石８６に対して
も同様の制御回路が設けられている。

【００２９】本実施例の磁気浮上型搬送装置７０は、電
磁石８１、８２、８３、８４、８６、８７の電流から搬
送棒９５のサーバ９５ａに載置された被搬送物８９の位
置ずれを検出する位置ずれ検出部１３０を備えている。
なお、本実施例では、サーバ９５ａの中心線上に被搬送
物８９が左右対称に載置される位置を、被搬送物８９を
載置すべき正規の位置とする。

【００３０】位置ずれ検出部１３０は、電磁石８１、８
４、８７の電流値をそれぞれ検出する電流検出器１３
２、１３４、１３６及び電磁石８２、８３、８６の電流
値を検出する図示しない電流検出器と、これら各電流検
出器１３２、１３４、１３６等の検出値をＡ／Ｄ変換す
ると共にデータフォーマットする信号処理部１４０と、
データフォーマットされた電流値を記憶するメモリ１３
８とを備えている。また、位置ずれ検出部１３０は、メ
モリ１３８に記憶された各電流値から被搬送物８９の位
置ずれを判断する演算処理部１５０を備えている。

【００３１】演算処理部１５０は、図示しないＣＰＵ
（中央処理装置）と、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモ
リ）やＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等の図示
しないメモリとを備えており、メモリに格納されたプロ
グラムに基づいて、各種判断・処理を行うようになって
いる。

【００３２】すなわち、演算処理部１５０は、電磁石８
１、８２、８３、８４、８６、８７の電流値が、サーバ
９５ａへの荷重によって変動するので、サーバ９５ａに
被搬送物８９が載置されたときの各電流値を、被搬送物
８９が載置されていないときのそれと比較することで、
被搬送物８９がサーバ９５ａ上に載置されているか否か
を判断する。

【００３３】また、演算処理部１５０は、図２や図３に
おいて左右に位置する電磁石８１と８２の電流値、電磁
石８３と８４の電流値、及び電磁石８６と８７の電流値
をそれぞれ比較するようになっている。そして、左右の
電流値の差が所定のしきい値より大きい電磁石の組が、
少なくとも１組あれば、被搬送物８９の載置位置が正規
の位置から左右方向にずれていると判断するようになっ
ている。

【００３４】演算処理部１５０が、被搬送物８９の位置
ずれ判断において、３組の電磁石の電流値を使用するの
は、被搬送物８９がずれていても、各電磁石の位置や浮
上体９４の重心位置、及び被搬送物８９の重量やずれの
方向等によって、左右の電流値の差が所定のしきい値以
上に顕著に現れない電磁石の組が存在する場合があるか
らである。

【００３５】なお、被搬送物８９の位置ずれ判断時にお
いて用いる、左右の電磁石の差のしきい値は、演算処理
部１５０の図示しないメモリに格納されている。また、
この図示しないメモリには、例えば、サーバ９５ａに何
も載置していないときの各電磁石８１、８２、８３、８
４、８６、８７の電流値が、設定電流値として格納され
ている。

【００３６】演算処理部１５０は、各種判断の結果、イ
ンターフェイス１４２を介して外部装置１４４、警報装
置１４６、データ表示装置１４８に所定の指令信号やメ
モリ１３８に記憶された電流値データを出力するように
なっている。外部装置１４４は、磁気浮上型搬送装置７
０が、例えば半導体製造装置において使用された場合
の、装置全体を管理するホストコンピュータ等である。

【００３７】警報装置１４６は、演算処理部１５０で位
置ずれが検出された場合に、警報ランプを点灯させた
り、ブザーを出力したりして、作業者等に異常を知らせ
るものである。また、データ表示装置１４８は、各電磁
石８１、８２、８３、８４、８６、８７の電流値や位置
ずれ発生の日時等を表示、あるいは音声出力する装置で
ある。

【００３８】次に、このように構成された実施例の動作
について説明する。先ず、ブリッジ回路１０８、１１８
や信号処理回路１１２、１２２等の制御回路による各電
磁石８１、８２、８３、８４、８６、８７の電流のフィ
ードバック制御で、浮上体９４を所定の位置に磁気浮上
させる。このとき、浮上体９４は、図２や図３における
右側と左側とで、その重量がバランスしている。従っ
て、左右に位置する電磁石８１と８２、電磁石８３と８
４、及び電磁石８６と８７の電流値は、それぞれほぼ同
じになる。

【００３９】次に、サーバ９５ａに被搬送物８９を載置
する。このとき、被搬送物８９の重量で、搬送棒９５は
サーバ９５ａ側が下方に、その反対側端部が上方に移動
し、各ターゲット９６、９８、９９、１０２等と変位セ
ンサ９０、９１、９２、９３等との距離が変化する。こ
のため、各電磁石８１、８２、８３、８４、８６、８７
の制御回路は、各センサとターゲットとの隙間が一定に
なるように、各電磁石８１、８２、８３、８４、８６、
８７の電流（電磁力）を変化させて、浮上体９４の姿勢
を元に戻す。このように、電磁石８１、８２、８３、８
４、８６、８７の電流値は、サーバ９５ａに対する荷重
（重力）に応じて変化する。

【００４０】また、荷重位置（被搬送物８９の載置位
置）の変化による搬送棒９５の重心移動によっても、浮
上体９４は姿勢を変化させようとする。従って、本実施
例では、このような各電磁石８１、８２、８３、８４、
８６、８７の電流値変化から、演算処理部１５０が被搬
送物８９の有無や位置ずれを判断する。

【００４１】以下、この被搬送物８９の有無や位置ずれ
判断についての処理の詳細を説明する。まず、電流検出
器１３２、１３４、１３６等が、被搬送物８９を載置し
たときの各電磁石８１、８４、８７等の電流をそれぞれ
検出する。検出した各電流値は、メモリ１３８の所定の
格納エリアにそれぞれ記憶される。

【００４２】演算処理部１５０は、先ず、メモリ１３８
に格納された各電流値を、設定電流値とそれぞれ比較す
る。そして、メモリ１３８の検出電流値がそれぞれ設定
電流値と同じであれば、サーバ９５ａ上に何も載置され
ていないと判断する。また、設定電流値と異なる検出電
流値が少なくとも１つあれば、サーバ９５ａ上に被搬送
物８９が載置されていると判断する。

【００４３】次に、演算処理部１５０は、メモリ１３８
に格納された各電流値のうち、図２または図３において
左右に位置する２つの電磁石、すなわち、電磁石８１と
８２の電流値の差、電磁石８３と８４の電流値の差、及
び電磁石８６と８７の電流値の差をそれぞれ求める。そ
して、各電流値の差が、図示しないメモリに予め格納し
ておいたしきい値より大きいか判断し、しきい値よりも
電流値の差が大きい電磁石の組が、少なくとも１組あれ
ば、被搬送物８９が正規の位置からずれていると判断す
る。

【００４４】演算処理部１５０は、被搬送物８９の位置
ずれを検出した場合には、異常を知らせる信号や各電磁
石の電流値データを外部装置１４４、警報装置１４６、
データ表示装置１４８に出力する。例えば、磁気浮上型
搬送装置７０を半導体製造装置に使用し、外部装置１４
４が半導体製造装置のホストコンピュータである場合に
は、演算処理部１５０からの信号によって外部装置１４
４が装置全体を停止させて、位置ずれをした被搬送物８
９の搬送や処理等を行わないようにする。また、警報装
置１４６がブザーを鳴らす。

【００４５】以上説明したように、本実施例では、被搬
送物８９の位置ずれ判断のために、電磁石８１と８２、
電磁石８３と８４、電磁石８６と８７の電流値を比較す
るようにしているので、位置ずれを確実に検出すること
ができる。また、本実施例では、ボールネジ７４等の駆
動部分が外部と密閉されたシールドチューブ７２内に収
容され、被搬送物８９のずれ検出もシールドチューブ７
２内の電磁石の電流値を基に行われるので、シールドチ
ューブ７２の外を真空にして磁気浮上型搬送装置７０を
使用する場合でも、発塵や放出ガス等の発生させること
なく、被搬送物８９の位置ずれを検出することができ
る。

【００４６】本実施例では、電磁石の電流値から被搬送
物８９の位置ずれを判断するので、特定の場所に限定さ
れず、搬送途中の必要とする場所で被搬送物８９の位置
ずれを検出することができる。なお、以上の実施例で
は、電磁石８１と８２、電磁石８３と８４等、複数の組
の電磁石の電流値を比較していたが、左右１組の電磁石
のみを比較することで、被搬送物８９の位置ずれ判断を
行ってもよい。

【００４７】また、以上の実施例では、被搬送物８９の
ずれの有無のみを検出するようにしていたが、左右の電
磁石における電流値の大小関係も比較することで、被搬
送物８９が左右どちらの方向にずれているかを検出して
もよい。例えば、被搬送物８９が左側にずれ、被搬送物
８９の重量を含めた浮上体９４の重心位置が左側に移動
した場合、右側の電磁石８４に比して左側の電磁石８３
への負荷が増大する。従って、電流検出の結果、電磁石
８３の電流値の方が、電磁石８４の電流値よりも大きか
った場合には、被搬送物８９が左側にずれていると判断
するようにしてもよい。

【００４８】また、被搬送物８９が正規の載置位置から
前後にずれた場合は、図１において前後の電磁石への負
荷の配分が変化するので、電磁石８４や電磁石８７、あ
るいは、電磁石８３や電磁石８６の電流値の差が変化す
る。従って、前後の電磁石の電流値も比較して、前後方
向への位置ずれを判断するようにしてもよい。

【００４９】この場合、被搬送物８９が正規の位置に載
置されたときの前後の電流値の差を正規の値として予め
演算処理部１５０のメモリに格納しておく。そして、実
際に被搬送物８９を載置したときに、例えば、電磁石８
４と電磁石８７の電流値の差が、正規の値と異なった場
合、被搬送物８９が前後方向にずれていると判断するよ
うにしてもよい。

【００５０】更に、被搬送物８９が前方にずれていると
きは、前側の電磁石８６、８７への負荷が、後側の電磁
石８３、８４に比して増大するので、前後の電流値の差
は、増大し、被搬送物８９が後方にずれているときは、
後側の電磁石８３、８４への負荷が増大するので、前後
の電流値の差は小さくなる。

【００５１】従って、前後の電磁石の電流値の差の増減
を調べることで、被搬送物８９が前側と後側のどちらに
ずれているかを検出してもよい。また、前後や左右方向
のみならず、斜め方向への位置ずれも判断してもよい。
例えば、左右の電磁石の電流値の大小関係と、前後の電
流値の差の増減とから総合的にずれの方向を判断しても
よい。すなわち、被搬送物８９を載置したときに、例え
ば、左側の電磁石８３の方が右側の電磁石８４より大き
くなり、かつ、前側の電磁石８６と後側の電磁石８３の
電流値の差が大きくなった場合には、左斜め前方に被搬
送物８９がずれていると判断する。

【００５２】以上の実施例では、左右の電磁石の電流値
を比較することで、被搬送物８９の位置ずれを検出する
ようにしていたが、任意の１つの電磁石の電流値を基
に、被搬送物８９の位置ずれを検出してもよい。例え
ば、任意に決めた１つの電磁石の、被搬送物８９が正規
の位置に載置されているときの電流値を、予め演算処理
部１５０のメモリに記憶させておく。そして、実際の搬
送動作時において、任意に決めた電磁石の検出電流値
を、予め記憶しておいた電流値と比較することで、被搬
送物８９の位置ずれを検出するようにしてもよい。

【００５３】また、以上の実施例では、図３に示すよう
に、前側に２つの電磁石８６、８７のみが配設されてい
たが、後側の４つの電磁石８１、８４、８２、８３と同
様に、前側の上下においても４つ電磁石が配設されてい
てもよい。この場合、前側の上方に配設される２つ電磁
石の電流値も測定し、この測定値も用いて演算処理部１
５０が被搬送物８９のずれ判断を行ってもよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明の磁気浮上型搬送装置によれば、
位置ずれ検出手段が電磁石の電流値から搬送部材に載置
された被搬送物の所定位置からの位置ずれを検出するよ
うにしているので、真空度を下げることなく、全搬送動
作中で被搬送物の位置ずれを検出することができる

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による磁気浮上型搬送装置の
機械構成を示した断面図である。

【図２】図１におけるＳ−Ｓ線方向断面を示した図であ
る。

【図３】図１におけるＴ−Ｔ線方向断面を示した図であ
る。

【図４】同磁気浮上型搬送装置の制御系の一部を示した
ブロック図である。

【図５】磁気浮上型搬送装置の外観の一例を示した斜視
図である。

【図６】従来のウエハ位置ずれ検出手段を示した説明図
である。

【図７】従来のウエハ位置ずれ検出手段を示した説明図
である。

【図８】従来のウエハ位置ずれ検出手段を示した説明図
である。

【図９】従来のウエハ位置ずれ検出手段を示した説明図
である。

【符号の説明】

７０磁気浮上型搬送装置７２シールドチューブ７４ボールネジ７６マグネットキャリア８１、８２、８３、８４、８６、８７電磁石８８永久磁石８９被搬送物９０、９１、９２、９３変位センサ９４浮上体９５搬送棒９５ａサーバ９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１
０３、１０４、１０５ターゲット１０８、１１８ブリッジ回路１０９、１１９基準信号１１０、１２０比較器１１２、１２２信号処理回路１１４、１１６、１２４増幅回路１３０位置ずれ検出部１３２、１３４、１３６電流検出器１３８メモリ１４０信号処理部１４２インターフェイス１４４外部装置１４６警報装置１４８データ表示装置１５０演算処理部

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被搬送物が載置される搬送部材と、この搬送部材を電磁力により浮上させて支持する電磁石
と、この電磁石の電流値から、前記搬送部材に載置された前
記被搬送物の、所定位置からの位置ずれを検出する位置
ずれ検出手段とを具備することを特徴とする磁気浮上型
搬送装置。
【請求項２】前記位置ずれ検出手段は、前記電磁石の
電流値を所定の電流値と比較することで前記被搬送物の
位置ずれを検出することを特徴とする請求項１記載の磁
気浮上型搬送装置。
【請求項３】前記電磁石は、複数の電磁石から構成さ
れると共に前記搬送部材を複数の箇所で支持し、前記位置ずれ検出手段は、前記複数の電磁石の内少なく
とも２つの電磁石の電流値を比較することで、前記被搬
送物の位置ずれを検出することを特徴とする請求項１記
載の磁気浮上型搬送装置。
【請求項４】前記電磁石は、複数の電磁石から構成さ
れると共に前記搬送部材を複数の箇所で支持し、前記位置ずれ検出手段は、前記複数の電磁石の内少なく
とも２つの電磁石の電流値から、前記搬送部材に載置さ
れた前記被搬送物の、前記所定の位置からのずれの方向
を検出することを特徴とする請求項１記載の磁気浮上型
搬送装置。