JP3443808B2

JP3443808B2 - 積層基板および電子部品の製造方法

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Publication number: JP3443808B2
Application number: JP2001396705A
Authority: JP
Inventors: 稔高谷; 正美佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2001-02-05
Filing date: 2001-12-27
Publication date: 2003-09-08
Anticipated expiration: 2021-12-27
Also published as: JP2002305366A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた積層基板や電子部品の製造方法に関し、特
に層間の厚みを薄くすることが可能な積層基板、電子部
品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、これら焼結フェライトや焼
結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数
が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特
有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の
違い等によるクラックの発生等といった問題が多いこと
から、樹脂系材料への要求が年々高まっている。

【０００５】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、これと
併せて透磁率の向上を図ることも困難である。このた
め、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性
を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小
型、薄型化を図ることが困難である。

【０００６】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平１０−２７０２５５号
公報、同１１−１９２６２０号公報、同８−６９７１２
号公報に開示されているが、いずれも十分な誘電率や、
これと併せて透磁率を得られてはいない。誘電率を上げ
るためにセラミック粉末の充填率を上げると、強度が低
下し、ハンドリング時や加工時に破損しやすくなるとい
った問題もあった。

【０００７】また、これらの基板は、ガラスクロスなど
の補強材料にペーストを含浸させることにより構成され
ている。このため、ガラスクロスの厚み以下には構成層
の厚みを薄くすることができず、しかもガラスクロスと
素地間の吸湿による信頼性の面での特性劣化等の問題も
有していた。

【０００８】ガラスクロスを用いない基板の構成の例と
しては、例えば特公平６−１４６００号公報に開示され
ている。この公報では、ＰＥＴフィルムに塗布、乾燥す
ることにより、１５０μm 厚のシートを得ている。しか
し、この公報の基板はシート厚が１５０μm と厚く、し
かも電極の形成方法についての記載がみられないため、
通常の方法により作製されているものと考えると、それ
以上の薄型化は困難である。

【０００９】特に、近年、携帯機器の急速な発展と普及
により、小型、薄型の機器を実現する上で基板の薄型化
は極めて重要である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の基板よりも薄型化が可能で、ハンドリング時の強度的
な問題も生じない積層基板、電子部品の製造方法を提供
することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明の構成により達成される。（１）転写フィルム上に母材となるベースポリマー中
に発泡剤を配合した接着力が３．７〜７．０N/20mmであ
る接着層に、圧延法により製造され表面粗さＲｚが１．
０〜３．０μm 、膜厚が３〜３２μm である導電体層を
接着し、この導電体層をエッチングにより所定のパター
ンにパターニングし、転写フィルム上に形成されたパタ
ーンの占有面積が、８０％以下とし、前記プリプレグを
配置する前に、前記転写フィルムを１００〜１３０℃、
５〜２０分間熱処理し、転写フィルムの接着層をあらか
じめ発泡を行い、その後パターン形成された導電体層を
有する転写フィルムを、この導電体層側がプリプレグと
対向するように配置し、次いで、転写フィルムをプリプ
レグに加熱圧着した後、転写フィルムを剥離し導電体層
を有するプリプレグを得る積層基板の製造方法。（２）前記加熱圧着は、温度：１４０〜１６０℃、圧
力：４．９〜３９ＭPa、処理時間１２０〜１８０分間の
条件で行う上記（１）の積層基板の製造方法。（３）少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれかが樹
脂中に分散され、厚みが２〜４０μm であるプリプレグ
を得る上記（１）または（２）の積層基板の製造方法。（４）さらに、前記プリプレグのパターン形成面上に
他のプリプレグを配置し、この他のプリプレグを加熱圧
着することにより、内部導体パターンを有する積層基板
を得る上記（１）〜（３）のいずれかの積層基板の製造
方法。（５）前記導電体層が、Ｃｕ，Ａｌ，ＡｇおよびＡｕ
から選択される１種または２種以上の元素により構成さ
れている上記（１）〜（４）のいずれかの積層基板の製
造方法。（６）前記誘電体粉は、チタン−バリウム−ネオジウ
ム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミッ
クス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系
セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタ
ン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラ
ミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン
酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セ
ラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，
Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系
セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミ
ックス、およびＢａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系セラミ
ックスのいずれか１種または２種以上により形成されて
いる上記（３）〜（５）のいずれかの積層基板の製造方
法。（７）前記誘電体粉は、シリカ、アルミナ、ジルコニ
ア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウ
イスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイス
カ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、お
よび酸化マグネシウムのいずれか１種または２種以上に
より形成されている上記（３）〜（５）のいずれかの積
層基板の製造方法。（８）前記誘電体粉は、樹脂と誘電体粉末との合計量
を１００体積％としたとき、１０体積％以上６５体積％
未満含有する上記（３）〜（７）のいずれかの積層基板
の製造方法。（９）前記磁性体粉は、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−
Ｚｎ系、およびＭｎ−Ｚｎ系フェライトのいずれか１種
または２種以上により形成されている上記（３）〜
（８）のいずれかの積層基板の製造方法。（１０）前記磁性体粉は、カーボニール鉄、鉄−シリ
コン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系
合金、およびアモルファス系強磁性金属の１種または２
種以上により形成されている上記（３）〜（８）のいず
れかの積層基板の製造方法。（１１）前記誘電体粉または磁性体粉は、投影形状が
円形である球形度０．９〜１．０の球状であって、平均
粒径が０．１〜４０μm である上記（３）〜（１０）の
いずれかの積層基板の製造方法。（１２）上記（３）〜（１１）の積層基板の少なくと
も導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成
し、さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形
成し、前記各電子部品素子毎に前記スルーホール部分で
切断して電子部品を得る電子部品の製造方法。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の積層基板の製造方法は、
転写フィルムに導電体層を接着し、この導電体層を所定
のパターンにパターニングし、その後パターン形成され
た導電体層を有する転写フィルムを、この導電体層側が
プリプレグと対向するように配置し、次いで、転写フィ
ルムをプリプレグ方向に加熱圧着した後、転写フィルム
を剥離し導電体層を有するプリプレグを得るものであ
る。

【００１３】また、転写を行う前に、あらかじめ前記転
写フィルムを、１００〜１３０℃、５〜２０分間熱処理
し、転写フィルムの接着剤を発泡させてから転写を行う
ようにしてもよい。

【００１４】このような製造方法により、ガラスクロス
などの補強部材を包含せず、厚みが４０μm 以下の構成
層が得られ、薄型の積層基板を提供することができる。

【００１５】こうして得られた構成層を用いることによ
り、（１）小型で高性能で加工性がよく、比重が軽く、柔軟
性のある電子部品、多層回路基板を得ることができる。（２）異なった特性を有する材料を多層化しても、高い
柔軟性のため、クラック、剥がれ、反りなどの問題が生
じ難く高機能の電子部品を得ることができる。（３）焼成、厚膜印刷等の工程がないため、製造しやす
く、不具合の起き難いライン設計が可能となる。（４）ガラスクロスレスなので信頼性が高く、誘電体
粉、磁性体粉の充填度を上げることができ、高誘電率
化、高透磁率化を図ることができる。（５）エッチングによりパターン形成するので、パター
ン精度が非常に高くなる。（６）ガラスクロスを含有しないので、ロット間での特
性変動が少ない。（７）さらに、ガラスクロスを含有する層を積層するこ
とにより、容易に強度を増すことができる。（８）基板自体はエッチング工程を経ていないので、エ
ッチング液性分が残存することがなく、製品の信頼度が
向上する。等といった効果が得られる。

【００１６】さらに、具体的に説明すると、本発明の積
層基板は、図１，２に示すような方法により製造するこ
とができる。

【００１７】先ず、図１の工程Ａに示されるように、所
定厚さの転写フィルム１０３に所定厚さの導電体層であ
る銅（Ｃｕ）箔１０２を重ねて接着させる。なお、転写
フィルムの接着面を保護するシートを貼り付けておき、
Ｃｕ箔接着の際にこれを除くようにしてもよい。このと
きの転写フィルムの接着力としては、好ましくは７N/20
mm以下、特に３．７〜７．０N/20mmである。接着力が
３．７N/20mm以下になると、エッチング工程などで導電
体層が剥がれたり、エッチング液が層間に進入しやすく
なってくる。また、接着力が上記範囲より大きくなる
と、転写フィルムがプリプレグから剥離しにくくなって
くる。

【００１８】次に、工程Ｂに示すように、銅箔１０２を
所望のパターン形状にパターニングする。次に、工程Ｃ
に示すように、一対のパターン形成された銅箔１０２を
有する転写フィルム１０３を、プリプレグ１０１を挟ん
で上下に配置する。なお、転写フィルム１０３はどちら
か一方のみでもよい。このとき、予熱工程として転写フ
ィルム１０３を、あらかじめ温度：１００〜１３０℃、
特に１１０〜１２０℃、時間：５〜２０分、特に１０〜
１５分間熱処理し、接着層を発泡（軟化）させておいて
もよい。この予熱工程は、転写フィルム上に形成された
パターンの占有面積が、８０％以下、特に７０％以下の
ときに効果がある。従って、占有パターン面積が８０％
超のときには予熱工程は不要である。転写フィルム上の
パターンの占有面積が８０％超になると、プリプレグ面
と転写フィルム面の接触が少なくなり、転写フィルムか
ら剥がれやすくなり、転写が容易になる。

【００１９】そして、工程Ｄに示すように、上下の転写
フィルム１０３を、プリプレグ１０１方向に加熱圧着
（ラミネート）する。このとき、好ましい態様では、加
熱によりプリプレグが軟化し、銅箔パターン１０２との
接着性が格段に向上する。このため、転写フィルムから
銅箔が剥離しやすくなる。このときの、加熱・加圧条件
としては、温度：１３０〜１７０℃、特に１４０〜１６
０℃、圧力：４．９〜３０ＭPa、特に９．８〜２０ＭP
a、処理時間１２０〜１８０分間程度である。処理温度
が高すぎるとプリプレグの硬化が進みすぎて、それ自体
を多層化する際等に樹脂の流れが悪くなり、接着性が低
下してしまう。また、処理温度が低すぎるとパターンが
転写され難くなってくる。圧力が高すぎるとプリプレグ
に転写フィルムが貼り付いてしまい、剥離できなくな
る。圧力が低すぎると、パターンとフィルムとの間に樹
脂が流れ込んで、めっきが付着しなかったり、粗面化処
理や、エッチングができないなど、その後の工程で不具
合が生じてくる。

【００２０】次に、図２の工程Ｅに示すように、転写フ
ィルム１０３を剥離すると、両面銅箔１０２付プリプレ
グ１０１が得られる。さらに、工程Ｆに示すように、必
要によりこのプリプレグ１０１を挟んで上下に他のプリ
プレグ１０１ａを配置し、工程Ｇに示すようにプリプレ
グ１０１方向に加熱圧着（ラミネート）することによ
り、内部導体パターン１０２を有する積層基板が得られ
る。なお、一方の面にのみパターン転写した場合などに
は、他のプリプレグ１０１ａも一方のパターン面にのみ
配置すればよい。

【００２１】また、複数の構成層、具体的には２枚以上
の両面銅箔付プリプレグと、３枚以上のプリプレグを交
互に配置し、これらを一度に加熱加圧することにより、
ラミネートプレスしてもよい。このように、一度にラミ
ネートプレスすることにより、プレス回数を少なくする
ことができ、繰り返し加熱されることによる樹脂の劣化
を防止することができる。このときの、加熱・加圧条件
としては、温度：１８０〜２１０℃、特に１９０〜２０
０℃、圧力：１〜２ＭPa、特に１．３〜１．５ＭPa、処
理時間６０〜１２０分間程度である。

【００２２】本発明において、積層基板の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体粉、磁
性体粉と樹脂、必要により難燃剤とを含み、溶剤に混練
してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステ
ージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は
揮発性溶剤が好ましく、極性中性溶媒が特に好ましく、
ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いら
れる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によ
って行えばよい。ペーストを基材上に塗工することによ
り、プリプレグが得られる。

【００２３】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有する誘電体粉、磁性体粉、難燃剤の含有量などにより
適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後の厚み
は４０μm 以下が好ましく、その用途や要求される特性
（パターン幅および精度、直流抵抗）等により最適な膜
厚に調整すればよい。

【００２４】積層基板の構成層となる基板、およびプリ
プレグは、塗工法や、材料を混練し、固体状とした混練
物を成型することによっても得ることができる。

【００２５】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。

【００２６】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、４０μm 以下である。プリプレグの厚みは、積層
基板の所望する板厚、積層数、誘電体粉、磁性体粉の含
有率に応じて適宜調整すればよい。

【００２７】積層基板に用いられる構成層のうち、上記
方法により得られる構成層は、少なくとも誘電体粉、磁
性体粉のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロ
スを含有しない構成層を有し、この構成層の厚みを２〜
４０μm としたものが好ましい。

【００２８】構成層の厚みは２〜４０μm 、好ましくは
５〜３５μm 、より好ましくは１０〜３０μm である。
構成層の厚みが厚くなると、積層基板自体の厚みが増
し、小型、薄型の電子部品を得られ難くなる。また、コ
ンデンサを形成したときに、所望の容量が得られ難くな
る。厚みが薄すぎると強度が低下し、形状を保持するこ
とが困難になってくる。

【００２９】導電体層の転写に用いられる転写フィルム
としては、特に限定されるものではなく、エッチング工
程に耐えうる強度と化学的安定性を有し、導電体層の転
写に必要な接着性、剥離性を有するものであればよい。
具体的には、樹脂フィルム等の支持体上に、接着層を有
する構造のものがよい。

【００３０】支持体は、例えば、ポリテトラフルオロエ
チレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロ
エチレン−エチレンコポリマー、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル
などのフッ素樹脂からなるプラスチックフィルム、ポリ
エチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチ
レンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエステル
フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィ
ルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォ
ンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレン
スルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルム
が挙げられる。

【００３１】なかでも、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム、二軸延伸ポリプロピレン（ＯＰ
Ｐ）フィルム、メチルペンテンコポリマー（ＰＴＸ）フ
ィルム、フッ素樹脂フィルムなどが好ましい。なお、フ
ッ素樹脂フィルムは、フッ化エチレン（１Ｆ）、３フッ
化エチレン（３Ｆ）および４フッ化エチレン（４Ｆ）か
らなるフィルムが好ましい。

【００３２】これらプラスチックフィルムは、その厚み
が約１０μｍ〜２００μｍ、特に約１５μｍ〜１５０μ
ｍであることが好ましい。

【００３３】接着層は、特に加熱によりその接着力が低
下する特性を有することが望ましい。このような接着層
として、母材となるベースポリマー中に発泡剤を配合し
て構成され、加熱により発泡剤が発泡することにより、
接着力が低減または消失する特性を有するものが挙げら
れる。ベースポリマーは、具体的には高弾性ポリマーか
らなり、特に動的弾性率が常温から１５０℃において５
０万〜１０００万μN／cm² 、好ましくは５０万〜８０
０万μN／cm² の範囲内にあるものが好ましい。前記の
動的弾性率が５０万μN／cm² 未満では常温での接着力
が大きくて貼り直し性に劣り、加熱処理による接着力の
低下性に乏しく、接着力が上昇する場合もある。一方、
動的弾性率が１０００万μN／cm² を超えると常温での
接着力に乏しく、加熱処理時に発泡剤の膨脹ないし発泡
が抑制されて接着力が満足に低下しない。

【００３４】さらに高弾性ポリマーは、常温から１５０
℃における動的弾性率の変化率が小さいものが好まし
い。その変化程度は５倍以内、特に３倍以内が好まし
い。高弾性ポリマーを形成するモノマー成分等について
は特に限定はない。アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧
接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系感圧
接着剤など、公知の感圧接着剤の調製に用いられるモノ
マー成分のいずれも用いることができる。

【００３５】その具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イ
ソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル
基、ラウリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキ
サデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデ
シル基、エイコシル基の如き通例、炭素数が２０以下の
アルキル基を有するアクリル酸ないしメタクリル酸の如
きアクリル酸系アルキルエステル、アクリル酸、メタク
リル酸、イタコン酸、アクリル酸ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプ
ロピル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、Ｎ−メチロ
ールアクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジ
ル、酢酸ビニル、スチレン、イソプレン、ブタジエン、
イソブチレン、ビニルエーテルなどがあげられる。ま
た、上記した高弾性ポリマーの条件を満足する天然ゴム
や再生ゴムなどもベースポリマーに用いることができ
る。

【００３６】発泡剤は、種々の無機系や有機系の発泡剤
を用いることができ、その配合量は接着力を低下させる
程度に応じて適宜に決定してよい。一般には、ベースポ
リマー１００重量部あたり１〜１００重量部、好ましく
は５〜５０重量部、特に１０〜４０重量部配合される。

【００３７】無機系発泡剤の代表例としては、炭酸アン
モニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウ
ム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、ア
ジド類などがあげられる。

【００３８】有機系発泡剤の代表例としては、水、トリ
クロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタ
ン等の塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリル
やアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレ
ート等のアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラ
ジドやジフェニルスルホン−３，３′−ジスルホニルヒ
ドラジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニル
ヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等
のヒドラジン系化合物、ｐ−トルイレンスルホニルセミ
カルバジドや４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニ
ルセミカルバジド）の如きセミカルバジド系化合物、５
−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールの如
きトリアゾール系化合物、Ｎ，Ｎ′−ジニトロソペンタ
メチレンテトラミンやＮ，Ｎ′−ジメチル−Ｎ，Ｎ′−
ジニトロソテレフタルアミド等のＮ−ニトロソ系化合物
などがあげられる。発泡剤をマイクロカプセル化した熱
膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点により
好ましく用いられる。熱膨張性粒子には、マイクロスフ
ェア（商品名、松本油脂社製）などの市販品もある。な
お本発明においては、必要に応じて発泡助剤を添加して
もよい。なお本発明で用いる接着層の詳細は、熱剥離性
粘着剤等として、特願平３−２２８８６１号および特願
平５−２２６５２７号に記載されている。

【００３９】接着層の厚みとしては、特に限定されるも
のではないが、好ましくは１００μm 以下、より好まし
くは４０μm 以下である。また、その下限としては、２
０μm 程度である。接着層が厚すぎると発泡した面の凹
凸が大きく、パターンがよれてしまう。このため転写時
に皺がよってしまい正規のパターンが得られない。

【００４０】本発明の積層基板の構成層に用いられる樹
脂は、特に限定されるものではなく、成形性、加工性、
積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から
適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。

【００４１】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オ
キサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネー
トエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等
が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、ＢＴレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹
脂等が、ベースレジンとして好ましい。

【００４２】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。

【００４３】本発明に用いる誘電体粉は、セラミクス粉
末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹
脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であ
ればよく、２種類以上用いてもよい。

【００４４】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、測
定周波数１〜２ＧHzにおける比誘電率が１０〜２０００
０、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好
ましい。

【００４５】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。

【００４６】誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得る
ためには以下の材料を用いることが好ましい。

【００４７】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
（タルク）。

【００４８】これらは単独で用いてもよいし２種以上を
混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。

【００４９】具体的には、比較的高い誘電率を必要とし
ない場合には以下の材料が好ましい。

【００５０】Ｍｇ₂ＳｉＯ₄［ε＝７、Ｑ＝２００００：
測定周波数１ＧHz以下同じ］、Ａｌ ₂Ｏ₃［ε＝９．８、
Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ₃［ε＝１７、Ｑ＝２２
０００］、ＺｎＴｉＯ₃［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚ
ｎ₂ＴｉＯ₄［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ₂［ε＝
１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ₃［ε＝１７
０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ₃［ε＝２５５、Ｑ＝
７００］、ＳｒＺｒＯ₃［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、
ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００〜２００００］、ＢａＴｉ₂
Ｏ₅［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ₄Ｏ₉［ε＝
３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀［ε＝３９、Ｑ
＝９０００］、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀［ε＝３７、
Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ₄［ε＝３９、Ｑ＝７００
０］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ₄［ε＝３８、Ｑ＝７００
０］、ＢａＮｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８３、Ｑ＝２１０
０］、ＢａＳｍ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝７４、Ｑ＝２４０
０］、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝
８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＯ₂系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｐ
ｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝１０５、
Ｑ＝２５００］、Ｌａ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝４４、Ｑ＝４０
００］、Ｎｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、
（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ₃［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、
Ｂａ（Ｍｇ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝２５、Ｑ＝３５００
０］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝３０、Ｑ＝１
４０００］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４１、
Ｑ＝９２００］、Ｂａ（Ｍｇ_1/2Ｗ_1/2）Ｏ₃［ε＝２
０、Ｑ＝１３００００］、Ｂａ（Ｍｇ_1/3Ｃｒ_2/3）Ｏ₃
［ε＝１８、Ｑ＝１１５０００］、Ｂａ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ
_2/3）Ｏ₃［ε＝３２、Ｑ＝１１５０００］、（Ｓｒ_0.6
Ｂａ_0.4）（Ｇａ_1/2Ｔａ_1/2）Ｏ₃［ε＝２９、Ｑ＝１１
５０００］、Ｃａ（Ｇａ_1/2Ｔａ_1/2）Ｏ₃［ε＝３１、
Ｑ＝９９４００］、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝
４０、Ｑ＝４０００］、ＢａＷＯ₄［ε＝８、Ｑ＝２２
５０］、ＭｇＳｉＯ₃［ε＝６、Ｑ＝２５００］、3(Ａ
ｌ₂Ｏ₃)(ＳｉＯ₂)［ε＝７．８、Ｑ＝２５０］、Ｂａ
（ＺｒＴｉ）Ｏ₃［ε＝３８、Ｑ＝４８８００］、Ｂａ
ＺｒＯ₃［ε＝４０、Ｑ＝１４００］、（ＳｒＣａ）
（ＴｉＳｎ）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ＝７２０００］、Ｓｎ
Ｏ₂−ＴｉＯ₂［ε＝４３、Ｑ＝３１５００］、Ｓｍ（Ｔ
ｉＳｎ）ＮｂＯ₆［ε＝４６、Ｑ＝３１３００］、Ｎｄ
（ＴｉＺｒ）ＮｂＯ₆［ε＝５０、Ｑ＝２７６００］、
Ｎｄ（ＴｉＳｎ）ＮｂＯ₆［ε＝５０、Ｑ＝２７６０
０］、Ｓｒ₂Ｎｂ₂Ｏ₇［ε＝５２、Ｑ＝７００］、（Ｂ
ａＳｒ）₅Ｎｂ₄Ｏ₁₅［ε＝５０、Ｑ＝３５００］、Ｂａ
₂（ＴｉＭｎＮｉ）₉Ｏ₂₀［ε＝５０、Ｑ＝３７６０
０］、（ＳｒＣａ）ＴｉＯ₃−Ｌａ（ＺｎＭｇＴｉ）Ｏ₃
［ε＝６０、Ｑ＝２５１００］、ＭｇＴｉＯ₃−ＣａＴ
ｉＯ₃［ε＝２１、Ｑ＝４５０００］、Ｃａ（ＦｅＮｂ
Ｔｉ）Ｏ₃［ε＝６９、Ｑ＝４０００］、Ｂａ（ＳｍＬ
ａ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝７５、Ｑ＝９５００］、Ｂａ（Ｓ
ｍＬａＣｅ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝７６、Ｑ＝９５００］、
（ＢａＳｒ）Ｓｍ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８０、Ｑ＝１１１０
０］、ＢａＮｄ₂（ＴｉＭｎ）₅Ｏ₁₄［ε＝７７、Ｑ＝１
０２００］、Ｂａ（ＳｍＮｄ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝７７、
Ｑ＝９０００］、Ｂａ（ＮｄＳｍＬａＢｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄
［ε＝９０、Ｑ＝７５００］、Ｂａ（ＮｄＢｉ）₂（Ｔ
ｉＡｌ）₅Ｏ₁₄［ε＝９２、Ｑ＝５６００］、Ｂａ（Ｎ
ｄＢｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝９３、Ｑ＝５０００］、（Ｂ
ａＰｂ）Ｎｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝９３、Ｑ＝５３００］、
（ＢａＰｂ）（ＮｄＳｍＢｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝１５
３、Ｑ＝８００］、Ｂａ（ＮｄＳｍＢｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ
₁₄［ε＝１４７、Ｑ＝１１００］、Ｂａ（ＮｄＧｄ）₂
（ＴｉＡｌ）₅Ｏ₁₄［ε＝８２、Ｑ＝５４００］、（Ｂ
ａＰｂ）（ＮｄＳｍＢｉＭｇ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝１０
７、Ｑ＝２９００］、（ＢａＰｂ）（ＮｄＢｉ）₂Ｔｉ₅
Ｏ₁₄［ε＝１１０、Ｑ＝２５００］、Ｂａ（ＮｄＧｄＢ
ｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝１１５、Ｑ＝２９００］、Ｂａ
（ＬａＳｍＢｉ）₂（ＴｉＺｒ）₅Ｏ₁₄［ε＝１１７、Ｑ
＝３１００］、Ｂａ（ＮｄＧｄＢｉ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝
１４０、Ｑ＝１０００］、（ＢａＰｂ）（ＮｄＣｅＬ
ａ）₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝９８、Ｑ＝５４００］、ＣａＳｍ
₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝１４１、Ｑ＝３２００］、ＣａＮｄ₂
Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝１４３、Ｑ＝３２００］、ＣａＹ₂Ｔｉ
₅Ｏ₁₄［ε＝１３７、Ｑ＝３２００］、ＣａＧｄ₂Ｔｉ₅
Ｏ₁₄［ε＝１３８、Ｑ＝３２００］、ＣａＥｕ₂Ｔｉ₅Ｏ
₁₄［ε＝１３９、Ｑ＝３２００］、ＣａＰｒ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄
［ε＝１４０、Ｑ＝３２００］、（ＢａＳｒＰｂ）（Ｍ
ｇＴａ）Ｏ₃［ε＝１２５、Ｑ＝２０００］、Ｐｂ（Ｚ
ｒＣｅ）Ｏ₃［ε＝１４０、Ｑ＝２６００］、Ｓｒ（Ｚ
ｎＮｂ）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ＝３６８００］、Ｃａ（Ｆ
ｅＮｂ）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ＝２００００］、Ｂａ（Ｚ
ｎＮｂ）Ｏ₃［ε＝４１、Ｑ＝８６９００］、Ｂａ（Ｎ
ｄＮｂ）Ｏ₃［ε＝４２、Ｑ＝１５６００］、Ｃａ（Ｎ
ｉＮｂＴｉ）Ｏ₃［ε＝５５、Ｑ＝１２０００］、Ｃａ
（ＣａＮｂＴｉ）Ｏ₃［ε＝５５、Ｑ＝３５０００］、
（ＰｂＣａ）ＺｒＯ₃［ε＝１１８、Ｑ＝３２００］、
（ＰｂＣａ）ＨｆＯ₃［ε＝１００、Ｑ＝４７００］、
（ＰｂＣａ）（ＭｇＺｒ）Ｏ₃［ε＝１４３、Ｑ＝１５
００］、（ＰｂＣａ）（ＭｇＮｂ）Ｏ₃［ε＝８６、Ｑ
＝４１００］、（ＰｂＣａ）（ＺｒＴｉＳｎ）Ｏ₃［ε
＝１３７、Ｑ＝１７００］、（ＰｂＣａ）（ＦｅＮｂＴ
ｉ）Ｏ₃［ε＝１３２、Ｑ＝２８００］、（ＰｂＣａ）
（ＦｅＮｂＷ）Ｏ₃［ε＝９６、Ｑ＝３８００］、（Ｐ
ｂＣａ）（ＣｒＮｂ）Ｏ₃［ε＝４８、Ｑ＝３６０
０］、（ＰｂＣａ）（ＮｉＮｂ）Ｏ₃［ε＝７３、Ｑ＝
５１００］、（ＰｂＣａ）（ＣｏＮｂ）Ｏ₃［ε＝７
５、Ｑ＝１４００］、（ＰｂＣａ）（ＦｅＮｂ）Ｏ
₃［ε＝１０４、Ｑ＝３９００］、（ＰｂＣａ）（Ｚｒ
Ｓｎ）Ｏ₃［ε＝１４６、Ｑ＝１４００］、（ＰｂＣ
ａ）（ＭｇＮｉＮｂ）Ｏ₃［ε＝１１６、Ｑ＝１８０
０］、（ＰｂＣａ）（ＦｅＴａＮｂ）Ｏ₃［ε＝１１
８、Ｑ＝１５００］、（ＰｂＣａ）（ＦｅＮｂＺｒ）Ｏ
₃［ε＝１４４、Ｑ＝１６００］、（ＰｂＣａ）（Ｎｉ
ＮｂＺｒ）Ｏ₃［ε＝１４７、Ｑ＝５００］、（ＰｂＣ
ａ）（ＭｇＮｂＺｒ）Ｏ₃［ε＝１５１、Ｑ＝１００
０］、（ＰｂＣａ）（ＦｅＮｂＷ）Ｏ₃［ε＝１５２、
Ｑ＝１３００］、（ＰｂＳｒ）（ＺｎＮｂ）Ｏ₃［ε＝
１４１、Ｑ＝１０００］、（ＰｂＳｒＣａ）（ＦｅＴａ
Ｎｂ）Ｏ₃［ε＝１１５、Ｑ＝３１００］、（ＢａＳｒ
ＣａＰｂ）（ＺｎＴａＮｂ）Ｏ₃［ε＝８５、Ｑ＝８０
００］、（ＢａＳｒＰｂ）（ＭｇＴａＮｂ）Ｏ₃［ε＝
９０、Ｑ＝６０００］、（ＮｄＳｒ）ＴｉＯ₃［ε＝２
２０、Ｑ＝６０００］、（ＳｒＣａ）ＴｉＯ₃［ε＝２
６６、Ｑ＝１１００］、ＳｒＳｎＯ₃［ε＝１２９、Ｑ
＝１２００］、（ＳｒＣａ）₃Ｔｉ ₂Ｏ₃［ε＝７７、Ｑ
＝１０２００］、（ＢａＣａ）ＴｉＯ₃、Ｂａ（ＴｉＳ
ｎ）Ｏ₃［ε＝１５００〜１００００］、（ＰｂＳｒ）
ＴｉＯ₃［ε＝３００〜４００］、Ｐｂ（ＺｎＮｂ）Ｏ₃
−Ｐｂ（ＦｅＷ）Ｏ₃［ε＝２４０００］、Ｐｂ系複合
ペロブスカイト［ε＝数万］等。

【００５１】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。ＴｉＯ₂、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、
Ｂａ（Ｍｇ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）
Ｏ₃、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＴｉ
Ｏ₃、Ｎｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇、ＭｇＴｉＯ₃−ＣａＴｉＯ₃、Ｂａ
Ｓｍ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄、ＢａＮｄ₂Ｔｉ ₅Ｏ₁₄、ＢａＯ−Ｎｄ₂
Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ
₂系、ＢａＴｉＯ₃、ＢａＴｉ₂Ｏ₅、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、Ｂａ
₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、（ＢａＣａ）ＴｉＯ₃、（ＢａＳｒ）Ｔｉ
Ｏ₃、Ｂａ（ＴｉＳｎ）Ｏ₃、Ｂａ（ＴｉＺｒ）Ｏ₃、Ｂ
ａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系、Ｚｎ
Ｏ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂系、Ａｌ₂Ｏ₃ 等。

【００５２】一方、比較的高い誘電率を必要とする場合
には以下の材料が好ましい。

【００５３】ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００：測定周波数
１ＧHz以下同じ］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ₃系［ε＝６
０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系［ε＝９０００］
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系［ε＝７０００］。

【００５４】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系。

【００５５】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。

【００５６】セラミクス粉末の含有量は、樹脂とセラミ
クス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミ
クス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であ
り、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲で
ある。

【００５７】セラミクス粉末が６５体積％以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。

【００５８】本発明の積層基板は、各成分を上記の範囲
内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘
電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電
率と高いＱを得ることが可能となる。

【００５９】誘電体粉は、円形や楕円形でも破砕粉のよ
うに不定型であってもよい。投影形状が円形である球状
のものの平均粒径は、０．１〜４０μm 、特に０．５〜
２０μm が好ましく、球形度は０．９〜１．０、特に
０．９５〜１．０が好ましい。

【００６０】平均粒径が０．１μm より小さいと、粒子
の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上
昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難く
なってくる。逆に４０μm より大きいと、均一な分散・
混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均
一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密
な成型体を得られ難くなる。

【００６１】また、球形度が０．９より小さくなると、
例えば圧粉コア等の成型体の成型時において、粉末の均
一な分散が困難となり、誘電体特性のばらつきを生じる
原因となるなど、所望の特性が得られにくくなり、ロッ
ト間、製品間のばらつきが増大してくる。球形度は複数
のサンプルを任意に測定し、その平均値が上記値となっ
ていればよい。

【００６２】破砕粉を用いる場合、粒径は０．０１〜４
０μm 、特に０．０１〜３５μm であることが好まし
く、平均粒径は１〜３０μm であることが好ましい。こ
のような粒径とすることによって、破砕粉の分散性が良
好となる。これに対し、破砕粉の粒径がこれより小さい
と、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になって
くる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に
沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。ま
た、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合
に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径
をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１
μm 程度が限度である。

【００６３】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００６４】また、円形状の誘電体粉に加えて破砕粉を
含有していてもよい。誘電体破砕粉を含有することによ
り、さらに充填率を向上させることができる。

【００６５】本発明の積層基板は、誘電体粉とは別に、
あるいは誘電体粉に加えて１種または２種以上の磁性体
粉を含有していてもよい。

【００６６】磁性体粉材料であるフェライトとしては、
Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系など
であり、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚ
ｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００６７】磁性体粉材料である強磁性金属としては、
カーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪
素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金
（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバ
ルト系）などが好ましい。

【００６８】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００６９】磁性体粉の粒径や形状は、上記誘電体粉と
同様であり、誘電体粉と同様に表面が平滑な材料が好ま
しいが、破砕粉を用いてもよい。破砕粉を用いる効果は
上記と同様である。

【００７０】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性体粉
を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であ
り、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整す
ればよい。

【００７１】磁性体粉の測定周波数１〜２ＧHzにおける
透磁率μは１０〜１００００００であることが好まし
い。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶
縁性が向上して好ましい。

【００７２】樹脂と磁性体粉との混合比としては、形成
される構成層全体の測定周波数１〜２ＧHzにおける透磁
率が３〜２０となるように添加されることが好ましい。
特に成形するペースト段階で、樹脂と磁性体粉との比率
で示した場合、磁性体粉の含有量は１０〜６５体積
％、特に２０〜６０体積％であることが好ましい。こ
のような磁性体粉の含有量とすることで、構成層全体の
透磁率が３〜２０となり、所望の電気特性が得られ易く
なる。これに対し、磁性体粉の含有量が多くなると、ス
ラリー化して塗工することが困難になり、積層基板の作
製が困難になる。一方、磁性体粉の含有量が少なくなる
と透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性を付
与することが困難となる。

【００７３】本発明に用いられる難燃剤としては、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エス
テル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、
リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アン
チモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いること
ができる。

【００７４】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムのいずれか１種または２種以上など導電率の
良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これ
らのなかでも特に銅が好ましい。

【００７５】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。金属箔の表面粗さとして
は、Ｒz ＝１〜６μm の範囲が好ましい。特に、電解箔
のＲz は２．５〜６．０μm 、圧延箔のＲz は１．０〜
３．０μm の範囲が好ましい。

【００７６】金属箔の厚みとしては、３．０〜３２μm
が好ましく、薄型化を考えると３．０〜１８μm が好ま
しい。

【００７７】本発明の積層基板は、上記ガラスクロスレ
ス構成層に加えて、ガラスクロス等の強化繊維を含有す
る構成層を有していてもよい。強化繊維を含有する構成
層を有することにより、積層基板全体の強度を向上させ
ることができる。

【００７８】このようなガラスクロス含有構成層に用い
られるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じ
て種々のものであってよく、市販品をそのまま用いるこ
とができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応
じてＥガラスクロス（ε＝７、tanδ＝０．００３、
１ＧHz）、Ｄガラスクロス（ε＝４、tanδ＝０．００
１３、１ＧHz）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、tanδ
＝０．００３、１ＧHz）等を使い分けてもよい。ま
た、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行
ってもよい。その厚さは１００μm 以下、特に２０〜６
０μm であることが好ましい。布重量としては、１２０
g／m² 以下、特に２０〜７０g／m² が好ましい。

【００７９】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１である
ことが好ましい。このような配合比とすることによって
本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さく
なって、樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下
し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きく
なって、樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの
選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。

【００８０】本発明では２種以上の異なる構成層を用い
た積層体により、積層基板を構成してもよい。また、各
構成層に２種以上の異なる分散材料を含有させてもよ
い。このように２種以上の種類の異なる構成層を組み合
わせたり、２種以上の異なる粉体、また同種であっても
組成、電気（誘電率等）、磁気特性の異なる粉体と樹脂
とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整が容
易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整すること
ができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁率を
最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化が実
現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な電気
特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好
な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることができ
る。

【００８１】また、このようなハイブリッド層、つまり
樹脂と誘電体粉、磁性体粉とを混合した構成層を用いて
積層基板、電子部品等を形成する場合、接着剤等を用い
ることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、
かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニ
ングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程で
できるので、コストダウンおよび作業性の改善を図るこ
とができる。また、このようにして得られる基板による
積層基板は、高強度で、高周波特性の向上したものであ
る。

【００８２】まら、誘電率を高めることで波長短縮効果
が得られる。すなわち、基板上での実行波長λは、 λ＝λ0 ／（ε・μ）^1/2 で与えられる。ここで、λ0 は実際の波長、ε、μは電
子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例えば
λ／４の電子部品、回路を設計する場合、その回路を構
成する部材のε、μを高めることで、長さλ／４が必要
な部分を、ε、μの積の平方根で除した値だけ小さくす
ることができる。従って、積層基板、基板材料の少なく
ともεを高めることにより積層基板、基板の大きさを小
さくすることができる。

【００８３】また、比較的周波数の低い領域で良好な電
気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良
好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域、具体的には１〜２０００MHz、特
に５０〜１０００MHzの広い周波数帯域で良好なＨＰＦ
等の電気特性を得ることができる。

【００８４】具体的には、波長短縮効果だけを考えた場
合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を
達成することが可能である。しかし、このような高誘電
率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補
う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばＢａＴｉＯ
₃ 、ＢａＺｒＯ₃ 等と共に、高周波特性に優れた磁性材
料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高
周波領域においても所望の特性を得ることができる。

【００８５】このような、波長短縮と高周波特性の必要
な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、
誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ（電圧制御
発振器）、ＲＦ（高周波）ユニット、共振器等を挙げる
ことができる。

【００８６】さらに、ある材料を用いて一つの電気的特
性を高めたとき、他の材料により不足した電気特性を補
うことができる。

【００８７】積層基板を用いて電子部品を得るには、例
えば積層基板の少なくとも導電体層のパターニングによ
り電子部品素子を形成し、さらに電子部品素子の端子と
なるスルーホールを形成し、前記各電子部品素子毎に前
記ビアホール部分で切断して電子部品とすればよい。

【００８８】本発明の積層電子部品は、コンデンサ（キ
ャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の
他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅
素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュ
ール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パ
ワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピッ
クアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用
電子部品を得ることができる。

【００８９】

【実施例】以下、本発明の具体的実験例、実施例を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。

【００９０】＜実施例１＞先ずガラスクロスレスシート
（プリプレグ）を作製した。原材料としてポリビニルベ
ンジル樹脂を用い、誘電体粉：６８．４５g 、樹脂：３
１．５５g としてボールミルにて混合した、このとき、
カップリング剤として、シランカップリング剤をインテ
グラルブレンド法にて混合した。

【００９１】得られたスラリーを、ドクターブレード法
により、厚さ４０μm のガラスクロスレスプリプレグと
した。

【００９２】次に、転写フィルムとして、熱剥離シート
〔日東電工社製、商品名リバアルファー（支持体ポリエ
ステル、厚さ１００μm 、接着層厚さ４５μm ）〕を用
い、これに厚さ１８μm の銅箔を貼り付けた。このとき
の熱剥離シートの接着力は、４．９N/20mm、張り付け時
の圧力は１kg/mm² であった。

【００９３】次いで、銅箔面に所定パターンを、フォト
リソグラフィーの手法により形成し、塩化第二鉄組成の
エッチング液（３５％溶液、温度２０℃）に浸漬し、約
１０〜１５分間エッチングを行った。このエッチング工
程は、フォトリソグラフィーの手法を用いているため、
約３０〜３６μm の微細パターンも鮮明にパターニング
することができた。

【００９４】次に、得られたパターン銅箔付熱転写シー
トを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレグの上
下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、１２０℃、３０分で、プレ
ス圧は１．５ＭPaとした。プレス後、熱剥離シートを剥
がして、両面銅箔付プリプレグを得た。

【００９５】また、熱ラミネートの条件を変えて加熱プ
レスを行い、得られた銅箔付基板の状態（転写結果）を
評価した。結果を表１に示す。なお、サンプル４−１
は、転写フィルムの接着力が弱く、エッチング工程でパ
ターンが剥離したため、その後のラミネート作業は行わ
なかった。

【００９６】

【表１】

【００９７】次に、積層基板を用い、これに所定の回路
を構成するように、同様の操作により得られた複数の銅
箔付プリプレグ、およびこれらの間に配置されるプリプ
レグを用意し、これらを積層して熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、２００℃、６０分で、プレ
ス圧は１．５ＭPaとした。得られた積層基板を用いて下
記の電子部品を作製した。積層した導体同士を接続する
手段としては、貫通スルーホールやインナービアホール
等の適宜な方式を用いて行えばよい。

【００９８】＜実施例２＞実施例１のガラスクロスレス
シートを用いて、積層基板を作製した。

【００９９】転写フィルムとして、熱剥離シート〔ニッ
タ（株）のインテリマーウオームオフタイプ（支持体ポ
リエステル、厚さ１００μm 、接着層厚さ約２５〜３０
μm）〕を用い、これに厚さ１８μm の銅箔を貼り付け
た。このときの熱剥離シートの接着力は、１．５N/25m
m、張り付け時の圧力は１kg/mm² であった。

【０１００】次いで、銅箔面に所定パターンを、フォト
リソグラフィーの手法により形成し、塩化第二鉄組成の
エッチング液（３５％溶液、温度４０℃）に浸漬し、約
１０〜１５分間エッチングを行った。このエッチング工
程は、フォトリソグラフィーの手法を用いているため、
約３０〜３６μm の微細パターンも鮮明にパターニング
することができた。

【０１０１】次に、得られたパターン銅箔付熱転写シー
トを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレグの上
下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、１００℃でラミネーター速
度０．１m/minで、プレス圧は１．０ＭPaとした。プレ
ス後、熱剥離シートを剥がして、両面銅箔付プリプレグ
を得た。

【０１０２】このパターン構成プリプレグを所定の設計
になるように準備し、これに所定の回路を構成するよう
に、同様の操作により得られた複数の銅箔付プリプレ
グ、およびこれらの間に配置されるプリプレグを用意
し、これらを積層して熱ラミネートプレスを行った。こ
のときの条件は、２００℃、６０分で、プレス圧は１．
５ＭPaとした。得られた積層基板を用いて下記の電子部
品を作製した。

【０１０３】＜実施例３＞図３、図４は、インダクタを
示した図であり、図３は透視斜視図、図４は断面図を表
している。

【０１０４】図において、インダクタ１０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１
０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている
内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３
を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。
このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチン
グ等により形成することができる。また、形成されたコ
イルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成
された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア
１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断さ
れた構造となっている。これは、集合基板で複数の素子
を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の
中心から切断するためである。

【０１０５】このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０
ｅの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４
０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。

【０１０６】チップインダクタとしては、Ｌ値を大きく
するために、ベース基板の透磁率を大きくする必要があ
る。また、ＥＭＣ対策用として、ビーズを使用する場
合、インピーダンスを高くとるためにはできるだけ透磁
率を上げる必要がある。また、層間、すなわち構成層を
薄くし、漏れ電流を減らすことと、同形状で巻数（ター
ン数）を増やすことでＬ値を上げることができる。従っ
て、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガラスクロス
レスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整す
るために磁性体粉を含有させることで、小型でＬ値が高
い、あるいはインピーダンスが高いチップインダクタが
得られる。

【０１０７】また、高周波用のチップインダクタとして
の用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要
があることから１〜２ＧHzにおける比誘電率を２．６〜
３．５とすることが好ましい。また、共振回路を構成す
るインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場
合があり、このような用途では１〜２ＧHzにおける比誘
電率を５〜４０とすることが好ましい。このようにする
ことで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることがで
きる。また、このインダクタにおいては、材料の損失を
できるだけ抑える必要がある。このため、１〜２ＧHzに
おける誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７
５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高
いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去
のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数
でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。
このような場合には１〜２ＧHzにおける透磁率を３〜２
０と調整することが好ましい。これにより、高周波ノイ
ズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。ま
た、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組
み合わせを選択すればよい。

【０１０８】なお、その等価回路を図１２（ａ）に示
す。図１２（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する積層電子部品（インダクタ）となってい
る。

【０１０９】＜実施例４＞図５、図６は、他のインダク
タを示した図であり、図５は透視斜視図、図６は断面図
を表している。

【０１１０】この例では、実施例３において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例３と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。

【０１１１】＜実施例５＞図７、図８は、他のインダク
タを示した図であり、図７は透視斜視図、図８は断面図
を表している。

【０１１２】この例では、実施例３において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例３と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。

【０１１３】＜実施例６＞図９、図１０は、他のインダ
クタを示した図であり、図９は透視斜視図、図１０は断
面図を表している。

【０１１４】この例では、実施例３において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例３と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１１５】＜実施例７＞図１１は、他のインダクタを
示した透視斜視図である。

【０１１６】この例では、実施例３において単独で構成
されていたコイルを、４連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例３と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図１２（ｂ）に示す。図１２
（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜
３１ｄが４連装された積層電子部品（インダクタ）とな
っている。

【０１１７】＜実施例８＞図１３、図１４は、キャパシ
タ（コンデンサ）を示した図であり、図１３は透視斜視
図、図１４は断面図を表している。

【０１１８】図において、キャパシタ２０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２
０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている
内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２
３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成
された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン２１ととから構成されている。

【０１１９】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４
０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。

【０１２０】チップコンデンサを小型化するにあたって
は、対向電極の層間の誘電率を上げる必要がある。ま
た、容量を得るためには層間、すなわち構成層はできる
だけ薄い方がよい。従って、少なくとも厚みが２〜４０
μm であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させる
ことで、小型でＣ値が高いチップコンデンサが得られ
る。

【０１２１】また、得られる容量の多様性や精度の点を
考慮すると、１〜２ＧHzにおける比誘電率２．６〜４
０、誘電正接０．００２５〜０．０２５であることが好
ましい。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低
い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失を
できるだけ抑える必要がある。このため、１〜２ＧHzに
おける誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０２５
とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタ
とすることができる。また、各構成層は同一でも異なっ
ていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。

【０１２２】なお、その等価回路を図１６（ａ）に示
す。図１６（ａ）に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ３２を有する積層電子部品（コンデンサ）となっ
ている。

【０１２３】＜実施例９＞図１５は、他のキャパシタを
示した透視斜視図である。

【０１２４】この例では、実施例８において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例８と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図１６（ｂ）に示す。図１６（ｂ）
に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３
２ｄが４連装された積層電子部品（コンデンサ）となっ
ている。

【０１２５】＜実施例１０＞図１７〜図２０は、バルン
トランスを示している。ここで図１７は透過斜視図、図
１８は断面図、図１９は各構成層の分解平面図、図２０
は等価回路図である。

【０１２６】図１７〜１９において、バルントランス４
０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内
部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有
する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状
導体４３を、図２０の等価回路に示される結合ライン５
３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結
している。

【０１２７】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２
〜４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。こ
の構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整する
ために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場
合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成
層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料
により形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、
部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを
用いてもよい。

【０１２８】バルントランスを設計するにあたって小型
化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能のバルントランスが得られる。

【０１２９】また、ある用途によっては１〜２ＧHzにお
ける比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ tanδ）
を０．００２５〜０．０２５とすることが好ましい。ま
た、他の用途によっては１〜２ＧHzにおける透磁率を３
〜２０とすることが好ましい。なお、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。

【０１３０】＜実施例１１＞図２１〜図２４は、積層フ
ィルターを示している。ここで図２１は斜視図、図２２
は分解斜視図、図２３は等価回路図、図２４は伝達特性
図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして
構成されている。

【０１３１】図２１〜２３において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデン
サ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成
された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン６１と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接
続されている。

【０１３２】ストリップ線路６８は、図２３の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価
回路により、図２４に示すような２ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。

【０１３３】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜
４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。

【０１３４】積層フィルタを設計するにあたり、小型化
を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能の積層フィルタが得られる。

【０１３５】また、１〜２ＧHzにおける比誘電率を２．
６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの
帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。
また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ
抑えることが望ましく、１〜２ＧHzにおける誘電正接
（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが
好ましい。

【０１３６】＜実施例１２＞図２５〜図２８は、他の積
層フィルターを示している。ここで図２５は斜視図、図
２６は分解斜視図、図２７は等価回路図、図２８は伝達
特性図である。なお、この積層フィルターは４ポールと
して構成されている。

【０１３７】図２５〜２７において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例１１と
同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を
省略する。

【０１３８】＜実施例１３＞図２９〜図３３は、カプラ
を示している。ここで図２９は透過斜視図、図３０は断
面図、図３１は各構成層の分解平面図、図３２は内部結
線図、図３３は等価回路図である。

【０１３９】図２９〜３３において、カプラ１１０は、
構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に
形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部Ｇ
ＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有
する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトラ
ンスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１
４等で連結している。また。形成されたコイルの終端
と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３２に示すように、
それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接
続されている。このように構成することにより、図３３
の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１
２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。

【０１４０】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜
４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。

【０１４１】カプラを設計するにあたり、小型化を考え
ると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様
に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従
って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガラスクロ
スレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整
するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能
のカプラが得られる。なお、広帯域化を実現しようとし
た場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。

【０１４２】また、用途や、要求される性能、仕様等に
よりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、
１〜２ＧHzにおける比誘電率を２．６〜４０とすること
により、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望
の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダク
タのＱ値を上げるために、１〜２ＧHzにおける誘電正接
（tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが
好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値
の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得るこ
とができる。

【０１４３】＜実施例１４＞図３４〜図３６は、ＶＣＯ
（電圧制御発振器）を示している。ここで図３４は透過
斜視図、図３５は断面図、図３６は等価回路図である。

【０１４４】図３４〜３６において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図３６に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。

【０１４５】この例では、構成層２１０ａ〜２１０ｇの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１４６】特に、コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０
ｅに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、ＶＣＯをより小
型にすることができる。

【０１４７】共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０
ｇでは１〜２ＧHzにおける誘電正接が０．００２５〜
０．００７５の構成層を用いることが好ましい。コンデ
ンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、１〜２ＧHzにおけ
る誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５
〜４０となるような構成層を用いることが好ましい。配
線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、
１〜２ＧHzにおける誘電正接が０．００２５〜０．００
７５、比誘電率が２．６〜５．０の誘電体層を用いるこ
とが好ましい。

【０１４８】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図３６の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。

【０１４９】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１５０】＜実施例１５＞図３７〜図３９は、パワー
アンプ（電力増幅部）を示している。ここで図３７は各
構成層の分解平面図、図３８は断面図、図３９は等価回
路図である。

【０１５１】図３７〜３９において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図３９に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２
０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１５２】この例では、構成層の少なくともいずれか
には、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガラスクロ
スレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が
含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれ
ていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されてい
る必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組
み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、
その一部にガラスクロスを用いてもよい。

【０１５３】特に、コンデンサ構成層３００ａ〜３００
ｃに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、パワーアンプを
より小型にすることができる。

【０１５４】この場合、ストリップラインを構成する構
成層３００ｄ，３００ｅには、１〜２ＧHzにおける誘電
正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜
４０の構成を用いることが好ましい。コンデンサ構成層
３００ａ〜３００ｃには、１〜２ＧHzにおける誘電正接
が０．００２５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０とな
るような構成層を用いることが好ましい。

【０１５５】そして、これらの構成層３００ａ〜３００
ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル３１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品３６１が搭載されて図３９の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。

【０１５６】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１５７】＜実施例１６＞図４０〜図４２は、光ピッ
クアップなどに使用される重畳モジュールを示してい
る。ここで図４０は各構成層の分解平面図、図４１は断
面図、図４２は等価回路図である。

【０１５８】図４０〜４２において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
４２に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１５９】この例では、構成層４００ａ〜４００ｋの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１６０】特に、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００
ｈに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、重畳モジュール
をより小型にすることができる。

【０１６１】この場合、コンデンサ構成層４００ｄ〜４
００ｈには、１〜２ＧHzにおける誘電正接が０．００７
５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような構
成を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成
層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには、１〜
２ＧHzにおける誘電正接が０．００２５〜０．００７
５、比誘電率が２．６〜５．０となるような構成層を用
いることが好ましい。

【０１６２】そして、これらの構成層４００ａ〜４００
ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル４１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品４６１が搭載されて図４２の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。

【０１６３】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１６４】＜実施例１７＞図４３〜図４６は、ＲＦモ
ジュールを示している。ここで図４３は斜視図、図４４
は外装部材を外した状態での斜視図、図４５は各構成層
の分解斜視図、図４６は断面図である。

【０１６５】図４３〜４６において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。

【０１６６】この例では、構成層５００ａ〜５００ｉの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１６７】特に、コンデンサ構成層５００ｅ〜５００
ｆに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、ＲＦモジュール
をより小型にすることができる。

【０１６８】この場合、アンテナ構成、ストリップライ
ン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇは、
１〜２ＧHzにおける誘電正接が０．００２５〜０．００
７５、比誘電率が２．６〜５．０の構成層を用いること
が好ましい。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆに
は、１〜２ＧHzにおける誘電正接が０．００７５〜０．
０２５、比誘電率が１０〜４０となるような構成層を用
いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉ
には、１〜２ＧHzにおける透磁率が３〜２０となるよう
な構成層を用いることが好ましい。

【０１６９】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。

【０１７０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１７１】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コモンモードフィルタ、ＥＭＣ
フィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、チョーク
コイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、アン
テナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジ
ュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬ
Ｌモジュール、フロントエンドモジュール、チューナー
ユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー
（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、ＰＴＣサーミス
タ等に応用することができる。

【０１７２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の基
板よりも薄型化が可能で、高性能、しかもハンドリング
時の強度的な問題も生じない積層基板、および電子部品
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程
図である。

【図２】本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程
図である。

【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４５】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４６】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【符号の説明】

１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４ビアホール２０キャパシタ２０ａ〜２０ｇ構成層２１ランドパターン２２貫通ビア２３内部導体（内部電極パターン）４０バルントランス４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体６０積層フィルター８０ブロックフィルター１１０カプラ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｇ 4/12 ３５８Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１Ｄ３６４Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｒ 4/30 ３１１Ｈ０１Ｆ 1/14 ＡＨ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｃ (56)参考文献特開2000−71387（ＪＰ，Ａ) 特開平11−207870（ＪＰ，Ａ) 特開平11−192620（ＪＰ，Ａ) 特開平10−79593（ＪＰ，Ａ) 特開平７−30229（ＪＰ，Ａ) 特開平７−221444（ＪＰ，Ａ) 特開2000−154354（ＪＰ，Ａ) 特開2000−349437（ＪＰ，Ａ) 特開平５−299816（ＪＰ，Ａ) 特開平９−181443（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/20 H01F 1/147 H01F 1/153 H01F 1/34 H01G 4/12 H01G 4/30 H05K 1/03

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】転写フィルム上に母材となるベースポリ
マー中に発泡剤を配合した接着力が３．７〜７．０N/20
mmである接着層に、圧延法により製造され表面粗さＲｚ
が１．０〜３．０μm 、膜厚が３〜３２μm である導電
体層を接着し、この導電体層をエッチングにより所定のパターンにパタ
ーニングし、転写フィルム上に形成されたパターンの占
有面積が、８０％以下とし、前記プリプレグを配置する前に、前記転写フィルムを１
００〜１３０℃、５〜２０分間熱処理し、転写フィルム
の接着層をあらかじめ発泡を行い、その後パターン形成された導電体層を有する転写フィル
ムを、この導電体層側がプリプレグと対向するように配
置し、次いで、転写フィルムをプリプレグに加熱圧着した後、
転写フィルムを剥離し導電体層を有するプリプレグを得
る積層基板の製造方法。
【請求項２】前記加熱圧着は、温度：１４０〜１６０
℃、圧力：４．９〜３９ＭPa、処理時間１２０〜１８０
分間の条件で行う請求項１の積層基板の製造方法。
【請求項３】少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれ
かが樹脂中に分散され、厚みが２〜４０μm であるプリ
プレグを得る請求項１または２の積層基板の製造方法。
【請求項４】さらに、前記プリプレグのパターン形成
面上に他のプリプレグを配置し、この他のプリプレグを
加熱圧着することにより、内部導体パターンを有する積
層基板を得る請求項１〜３のいずれかの積層基板の製造
方法。
【請求項５】前記導電体層が、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇおよ
びＡｕから選択される１種または２種以上の元素により
構成されている請求項１〜４のいずれかの積層基板の製
造方法。
【請求項６】前記誘電体粉は、チタン−バリウム−ネ
オジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セ
ラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チ
タン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
₃ 系セラミックス、およびＢａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ
₃ 系セラミックスのいずれか１種または２種以上により
形成されている請求項３〜５のいずれかの積層基板の製
造方法。
【請求項７】前記誘電体粉は、シリカ、アルミナ、ジ
ルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシ
ウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウ
イスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊
維、および酸化マグネシウムのいずれか１種または２種
以上により形成されている請求項３〜５のいずれかの積
層基板の製造方法。
【請求項８】前記誘電体粉は、樹脂と誘電体粉末との
合計量を１００体積％としたとき、１０体積％以上６５体積％未満含有する請求項３〜７の
いずれかの積層基板の製造方法。
【請求項９】前記磁性体粉は、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、
Ｎｉ−Ｚｎ系、およびＭｎ−Ｚｎ系フェライトのいずれ
か１種または２種以上により形成されている請求項３〜
８のいずれかの積層基板の製造方法。
【請求項１０】前記磁性体粉は、カーボニール鉄、鉄
−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッ
ケル系合金、およびアモルファス系強磁性金属の１種ま
たは２種以上により形成されている請求項３〜８のいず
れかの積層基板の製造方法。
【請求項１１】前記誘電体粉または磁性体粉は、投影
形状が円形である球形度０．９〜１．０の球状であっ
て、平均粒径が０．１〜４０μm である請求項３〜１０
のいずれかの積層基板の製造方法。
【請求項１２】請求項３〜１１の積層基板の少なくと
も導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成
し、さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形成
し、前記各電子部品素子毎に前記スルーホール部分で切断し
て電子部品を得る電子部品の製造方法。