JP2003318029A

JP2003318029A - 積層電子部品

Info

Publication number: JP2003318029A
Application number: JP2003153899A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】【課題】少なくとも誘電率が十分に高いか、十分に低
いハイブリッド樹脂基板と、透磁率が十分に高いハイブ
リッド樹脂基板と、Ｑの十分に高いハイブリッド樹脂基
板層を複数層用いることで、小型で高性能の、ひいては
総合的な電気的特性に優れた積層電子部品を提供する。【解決手段】ハイブリッド材により形成されている少
なくとも２種以上の構成層と、前記ハイブリッド材の少
なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記
導電体層によりインダクタンス、コンデンサ、バルント
ランス、積層フィルタ、およびカプラから選択されるい
ずれかの素子が形成されている積層電子部品とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数
領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、磁気特
性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使用に適
したプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、これら焼結フェライトや焼
結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数
が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特
有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の
違い等によるクラックの発生等といった問題が多いこと
から、樹脂系材料への要求が年々高まっている。

【０００５】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、透磁率
の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材
料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることがで
きず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図
ることが困難である。

【０００６】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平８−６９７１２号公
報、同１１−１９２６２０号公報に開示されているが、
いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られてはいな
い。

【０００７】また、特公平６−１４６００号公報には、
シート法による複数材料を多層化する例が示されている
が、工程数が多いなどの問題を有し、しかも個々で検討
されている周波数は高々数ＭHz程度であり、１００ＭHz
以上の高周波領域における性能については何ら検討され
ていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも誘電率が十分に高いか、十分に低いハイブリッド
樹脂基板と、透磁率が十分に高いハイブリッド樹脂基板
と、Ｑの十分に高いハイブリッド樹脂基板層を複数層用
いることで、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的
特性に優れた積層電子部品を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。（１）ハイブリッド材により形成されている少なくとも
２種以上の構成層を有する積層電子部品であって、前記
ハイブリッド材の少なくとも１層には導電体層が形成さ
れ、この導電体層によりインダクタンス、コンデンサ、
バルントランス、積層フィルタ、およびカプラから選択
されるいずれかの素子が形成されている積層電子部品。（２）１００ＭHz以上の周波数帯域で使用される上記
（１）の積層電子部品。（３）前記構成層のうち少なくとも強化繊維を包含する
層を１層有する上記（１）または（２）の積層電子部
品。（４）前記構成層に誘電体粉末が分散されていて、この
誘電体粉末の比誘電率が５〜１００００、誘電正接が
０．００００２〜０．０１であり、この誘電体粉末の含
有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が５〜
２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５である第
１の複合誘電体層を少なくとも１層有する上記（１）〜
（３）のいずれかの積層電子部品。（５）前記構成層に誘電体粉末が分散されていて、前記
誘電体粉末の比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１、含有量が１０〜６５体積％で
あり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なく
とも１層有する上記（１）〜（４）のいずれかの積層電
子部品。（６）前記構成層に磁性粉が分散されていて、前記磁性
粉の含有量が１０〜６５体積％であり、全体の透磁率が
３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有する上
記（１）〜（５）のいずれかの積層電子部品。（７）少なくともいずれかの層に１種または２種以上の
難燃剤を含有する上記（１）〜（６）のいずれかの積層
電子部品。

【００１０】

【作用】本発明は少なくとも樹脂と磁性粉との複合材
料、および樹脂と誘電体粉末との複合材料のいずれかを
用いて多層基板を構成することにより、比誘電率が小さ
く、高周波特性に優れた磁性基板と、高周波特性に優れ
た誘電体基板を可能としている。このことが、結果とし
て総合的に高周波特性に優れた積層電子部品を可能とし
ている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。

【００１２】本発明の積層電子部品は、ハイブリッド材
により形成されている少なくとも２種以上の構成層と、
前記ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている
導電体層とを有し、前記導電体層によりインダクタン
ス、コンデンサ、バルントランス、積層フィルタ、およ
びカプラから選択されるいずれかの素子が形成されてい
るものである。

【００１３】このような構成とすることによって、誘電
率の調整が容易となり、低誘電率化も可能で、高周波数
領域（１００MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下
の領域）での使用に好適である。また、複合磁性体層は
優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的と
した使用に適している。一方、複合誘電体層は高周波数
帯域で、比較的高いＱやεを得ることも可能であり、こ
うした特性が要求される用途（例えばストリップライン
や、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等
の電子部品）に適した複合誘電体基板となり、しかも高
強度である。

【００１４】また、このような複合磁性体層、あるいは
複合誘電体層を用いて基板、積層型電子部品を形成する
場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパタ
ーニングが実現でき、かつ多層化を実現することができ
る。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板
製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび
作業性の改善を図ることができる。また、このようにし
て得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特
性の向上したものである。

【００１５】さらに、本発明を詳細に説明する。

【００１６】本発明の積層電子部品に用いられる樹脂は
特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時
の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選
択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。

【００１７】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オ
キサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネー
トエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリ
エステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリ
エチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテ
ルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹
脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、
特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ
樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン等が、ベースレ
ジンとして好ましい。

【００１８】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。

【００１９】本発明の積層電子部品は、上記樹脂から形
成され、比誘電率が２．４〜４．５、誘電正接が０．０
０２〜０．０３である有機誘電体層を少なくとも１層有
することが好ましい。このような、有機誘電体層は、分
布容量を少なくすることができるため、特にコイル等の
インダクタ素子の形成に適している。

【００２０】本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘
電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率
が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００
２であり、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の
比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．０
０７５である第１の複合誘電体層を少なくとも１層有す
ることが好ましい。このような構成とすることにより、
適度な誘電率と、高いＱとを得ることができ、伝達ロス
が少なくなり、特にバルントランス、アンテナ、パワー
アンプ等の電子回路の形成に適している。

【００２１】本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘
電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率
が２０〜２００００、誘電正接が０．０５〜０．０００
１、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電
率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜０．０２５
である第２の複合誘電体層を少なくとも１層有すること
が好ましい。このような構成とすることにより、適度な
Ｑ値と高い誘電率を得ることができ、特にコンデンサや
パッチアンテナ、あるいはＶＣＯ（電圧制御発振器）、
パワーアンプ等の電子回路の形成に適している。

【００２２】本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に磁
性粉が分散されていて、この磁性粉の含有量が１０〜６
５体積％であり、全体の透磁率が３〜２０である複合磁
性体層を少なくとも１層有することが好ましい。このよ
うな構成とすることにより、適度な透磁率を確保しつつ
低誘電率となり、高周波数領域（１００MHz以上、特に
１００MHz以上１０GHz以下の領域）での使用が可能とな
り、磁性粉の含有量を大きくできることから磁気特性を
利用した電子部品や電子部品の磁気シールドに適したも
のとなる。

【００２３】これらの構成層は、少なくとも誘電率、
Ｑ、透磁率のいずれかが異なる、特に上記いずれかの層
が２種以上含まれていればよく、目的とする電子部品の
構成、機能等により適宜組み合わせて用いればよい。

【００２４】本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波
数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電
率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上
用いてもよい。

【００２５】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比
誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下の
ものを使用することが好ましい。

【００２６】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。

【００２７】誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得る
ためには以下の材料を用いることが好ましい。

【００２８】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
（タルク）。

【００２９】これらは単独で用いてもよいし２種以上を
混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。

【００３０】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．１〜１００μm 、特に０．
２〜１００μm 程度が好ましい。粒径が小さくなると、
粉末の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性
が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし
難くなる。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混
合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一
となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な
成型体を得られない。

【００３１】一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂
とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたと
き、セラミクス粉末１０体積％以上６５体積％未満であ
り、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲で
ある。

【００３２】上記第１の複合誘電体層に含有されるセラ
ミック粉末は高いＱとある程度の比誘電率を持つことを
必要とする。特に２GHzでの比誘電率が５〜１０００
０、誘電正接が０．０１〜０．００００２であることが
好ましく、さらにＱが２５０〜５００００であることが
好ましい。このような構成により高いＱと比誘電率の複
合誘電体を得ることが可能である。

【００３３】第１の複合誘電体層に用いるセラミック粉
末は、第１の複合誘電体層全体の比誘電率が５〜２０、
誘電正接が０．００２５〜０．００７５となるように含
有されていればよい。

【００３４】セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶
粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含め
て、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分
とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２GH
zにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。

【００３５】Ｍｇ₂ＳｉＯ₄［ε＝７、Ｑ＝２０００
０］、Ａｌ₂Ｏ₃［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、Ｍｇ
ＴｉＯ₃［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ
₃［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄［ε＝１
５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ₂［ε＝１０４、Ｑ＝１５０
００］、ＣａＴｉＯ₃［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、
ＳｒＴｉＯ₃［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ₃
［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ₂Ｏ₅［ε＝４
２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ₄Ｏ₉［ε＝３８、Ｑ＝９
０００］、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀［ε＝３９、Ｑ＝９００
０］、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀［ε＝３７、Ｑ＝５０
００］、ＺｒＴｉＯ₄［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ₄［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、
ＢａＮｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、Ｂａ
Ｓｍ₂ＴｉＯ₁₄［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ₂Ｏ ₃
−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝８８、Ｑ＝２０
００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝
９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ₂Ｏ₃、ＰｂＯ）−ＢａＯ
−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝１０５、Ｑ＝２５０
０］、Ｌａ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎ
ｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓ
ｍ）ＴｉＯ₃［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ
_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ
（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝３０、Ｑ＝１４００
０］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４１、Ｑ＝９
２００］、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ
＝４０００］等。

【００３６】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。ＴｉＯ₂、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、
ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎ
ｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、
Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系、Ｚ
ｎＯ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂系、Ａｌ₂Ｏ₃ 等。

【００３７】本発明の第１の複合誘電体層は、上記樹脂
と上記セラミクスとを主成分とするものであるが、樹脂
とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたと
き、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積
％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以
下の範囲である。

【００３８】セラミクス粉末が６５体積％以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。

【００３９】本発明の第１の複合誘電体層は、各成分を
上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から
得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応
じた比誘電率と高いＱを得ることが可能となる。

【００４０】第２の複合誘電体層に含有されるセラミッ
ク粉末は特に高い比誘電率を持つことを必要とする。

【００４１】好ましくは比誘電率が２０〜２００００、
誘電正接が０．０５〜０．０００１であることが好まし
い。このようなセラミクス粉末を樹脂中に分散させるこ
とで、より高い比誘電率の複合誘電体を得ることが可能
である。

【００４２】第２の複合誘電体層に用いられるセラミク
ス粉末は、高周波数帯域、特に２ＧHzにおいて、第２の
複合誘電体層全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が
０．００７５〜０．０２５とできる粉末であればよく、
２種類以上用いてもよいが、以下の組成を主成分とする
誘電体の粉末から選択されるものが好ましい。併せて２
GHzにおける比誘電率εを示す。

【００４３】ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００］、（Ｂａ，
Ｐｂ）ＴｉＯ₃系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ₃系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系
［ε＝７０００］。

【００４４】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系。

【００４５】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。

【００４６】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成形体を得られない。

【００４７】本発明の第２の複合誘電体層は、上記樹脂
と上記のセラミクスとを主成分とするものであるが、樹
脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたと
き、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積
％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以
下の範囲である。

【００４８】フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍ
ｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００４９】強磁性金属としては、カーボニル鉄、鉄−
シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：セ
ンダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロ
イ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ま
しい。

【００５０】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００５１】磁性粉の粒径は０．０１〜１００μm 、特
に０．０１〜５０μm であることが好ましく、平均粒径
は１〜５０μm であることが好ましい。このような粒径
とすることによって、磁性粉の分散性が良好となり、本
発明の効果が向上する。これに対し、磁性粉の粒径がこ
れより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が
困難になってくる。一方、これより大きくなるとペース
ト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなっ
てくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようと
した場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってく
る。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、
０．０１μm 程度が限度である。

【００５２】磁性粉の粒度は均一であることが好まし
く、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえて
もよい。磁性粉の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれ
のものでも良く、その用途により使い分ければよい。ま
た、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁
材のコーティングなどの処理を施してもよい。

【００５３】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性粉を
２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、
用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すれば
よい。

【００５４】磁性粉の透磁率μは１０〜１００００００
であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方
が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。

【００５５】本発明の樹脂と磁性粉との混合比として
は、形成される複合磁性体層全体の透磁率が３〜２０と
なるように添加されていればよい。特にガラスクロスな
どに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性粉との比率で
示した場合、磁性粉の含有量は１０〜６５体積％、特
に２０〜６０体積％であることが好ましい。このよう
な磁性粉の含有量とすることで、複合磁性体層全体の透
磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。これ
に対し、磁性粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗
工することが困難になり、基板、プリプレグの作製が困
難になる。一方、磁性粉の含有量が少なくなると透磁率
を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下してし
まう。

【００５６】本発明に用いられる難燃剤としては、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エス
テル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、
リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アン
チモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いること
ができる。

【００５７】本発明に用いられるガラスクロス等の強化
繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、
市販品をそのまま用いることができる。このときの強化
繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝
７、tanδ＝０．００３、１ＧHz）、Ｄガラスクロス
（ε＝４、tanδ＝０．００１３、１ＧHz）、Ｈガラ
スクロス（ε＝１１、tanδ＝０．００３、１ＧHz）
等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１０
０μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好まし
い。布重量としては、１２０g／m² 以下、特に２０〜７
０g／m² が好ましい。

【００５８】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１である
ことが好ましい。このような配合比とすることによって
本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さく
なって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力
が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が
大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できる
ガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保
が困難となる。

【００５９】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。

【００６０】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。

【００６１】金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好
ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。

【００６２】本発明において、電子部品の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に
混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂ
ステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶
剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好
ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的
で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の
方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、
またはガラスクロス上に含浸することにより、形成する
ことができる。

【００６３】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有するセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤の含
有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ
化した後の厚みは５０〜３００μm 程度が好ましく、そ
の用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流
抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。

【００６４】プリプレグは、図６３または図６４に示す
ような方法により製造することができる。この場合、図
６３の方法は比較的量産に適しており、図６４の方法
は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行
えるという特徴を有している。図６３において、（ａ）
に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０
１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドロ
ーラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗
工槽１１０には、溶剤中に分散されているセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂がスラリー状調整
されており、この塗工槽１１０をガラスクロスが通過す
ると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工
されるとともに、その中のすきまが埋められることにな
る。

【００６５】塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、
ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２
０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスク
ロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化され
るとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して
巻取ローラ１３０に巻回される。

【００６６】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にセラ
ミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂
が配置されたプリプレグが得られる。

【００６７】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて
複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設
けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧
プレスすればよい。

【００６８】次に、図６４の製造方法について説明す
る。図６４において、（ａ）に示すように、セラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散
したスラリー１０２ａをドクターブレード１５０等によ
ってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔
上に塗工する。

【００６９】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面にセラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置
されたプリプレグが得られる。

【００７０】さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロ
ス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０
３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを
加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属
箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよ
い。

【００７１】電子部品を構成する基板、およびプリプレ
グは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混
練物を成型することによっても得ることができる。この
場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比
較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として
適している。

【００７２】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。

【００７３】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚み
は、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて
適宜調整すればよい。

【００７４】さらに、上記同様に得られたプリプレグの
上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・
加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形
は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。な
お、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置すること
なく加熱・加圧プレスすればよい。

【００７５】このようにして得られる成形材料としての
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。

【００７６】本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。

【００７７】このような銅箔付基板には、両面パターン
ニング基板や多層基板などがある。

【００７８】図６５、図６６には両面パターンニング基
板形成例の工程図を示す。図６５、図６６に示されるよ
うに、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）
箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次に
スルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。
形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッ
キ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパ
ターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程
Ｄ）。その後、図６５に示されるように、外部端子等の
接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッ
キはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉ
メッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解
または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法によ
り行われる。

【００７９】図６７、図６８には多層基板形成例の工程
図であり、４層積層する例が示されている。図６７、図
６８に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定
厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する
（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、
導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにし
て得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所
定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧
加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリ
リングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホー
ルに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する
（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施
し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図
６７に示されるように、外部端子との接続のためのメッ
キを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後
にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらに
Ａｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッ
キ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。

【００８０】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。

【００８１】また、プリプレグや成形材料としての基板
と銅箔とを接着する態様において、前述のセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビト
ールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られた複
合誘電体材料や複合磁性材料ペーストをパターニングし
た基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、こ
れにより特性の向上を図ることができる。

【００８２】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、電子部品を得ることができる。

【００８３】本発明の電子部品は、上記のようなコンデ
ンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ
ー等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パター
ン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、Ｒ
Ｆモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回
路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回
路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等
の高周波用電子部品を得ることができる。

【００８４】

【実施例】以下、本発明の具体的実験例、実施例を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。

【００８５】＜実験例１＞表１に示す樹脂を用意し、こ
れに表１に示すセラミック粉を所定の割合で混合して得
られたハイブリッド材の誘電率ε、Ｑをそれぞれ測定し
た。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率
ε、Ｑも測定した。結果を表１に示す。また、このとき
のプレス条件を表２に示す。

【００８６】

【表１】

【００８７】

【表２】

【００８８】表１から明らかなように、用いる樹脂と、
これに含有される誘電粉の種類、含有量により、誘電
率、Ｑを所定の値に調整できることがわかる。

【００８９】＜実験例２＞表３に示す樹脂を用意し、こ
れに表３に示す磁性粉を所定の割合で混合して得られた
ハイブリッド材の誘電率ε、透磁率をそれぞれ測定し
た。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率
ε、透磁率も測定した。結果を表３に示す。

【００９０】

【表３】

【００９１】表３から明らかなように、用いる樹脂と、
これに含有される磁性粉の種類、含有量により、誘電
率、透磁率を所定の値に調整できることがわかる。

【００９２】＜実施例１＞図１、図２は、本発明の第１
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図１は
透視斜視図、図２は断面図を表している。

【００９３】図において、インダクタ１０は本発明のハ
イブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）１０ａ〜１０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に
形成されている内部導体（コイルパターン）１３と、こ
の内部導体１３を電気的に接続するためのビアホール１
４とを有する。このビアホール１４はドリル、レーザー
加工、エッチング等により形成することができる。ま
た、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ
１０の端面に形成された貫通ビア１２とそれから僅かに
上下面方向に形成されたランドパターン１１と接続され
ている。貫通ビア１２は、ダイシング、Ｖカット等によ
り、半分に切断された構造となっている。これは、集合
基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際
に貫通ビア１２の中心から切断するためである。

【００９４】このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０
ｅには、高周波用のチップインダクタとしての用途を考
えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があること
から比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましく、
上記の有機誘電体層を用いることが好ましい。また、共
振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布
容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率
を５〜４０とすることが好ましく、上記の第１、第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。このようにする
ことで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることがで
きる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損
失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接
（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることに
より、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを
得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を
考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダン
スをできるだけ大きくする必要がある。このような場合
には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合
磁性体層を用いることが好ましい。これにより、高周波
ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。
また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な
組み合わせを選択すればよい。

【００９５】なお、その等価回路を図１０（ａ）に示
す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。

【００９６】＜実施例２＞図３、図４は、本発明の第２
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は
透視斜視図、図４は断面図を表している。

【００９７】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。

【００９８】＜実施例３＞図５、図６は、本発明の第３
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は
透視斜視図、図６は断面図を表している。

【００９９】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。

【０１００】＜実施例４＞図７、図８は、本発明の第４
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は
透視斜視図、図８は断面図を表している。

【０１０１】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１０２】＜実施例５＞図９は本発明の第５の実施態
様であるインダクタを示した透視斜視図である。

【０１０３】この例では、実施例１において単独で構成
されていたコイルを、４連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０
（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜
３１ｄが４連装された電子部品（インダクタアレイ）と
なっている。

【０１０４】＜実施例６＞図１１、図１２は、本発明の
第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示し
た図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表
している。

【０１０５】図において、キャパシタ２０は本発明のハ
イブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に
形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、
この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシ
タの端面に形成された貫通ビア２２とそれから僅かに上
下面方向に形成されたランドパターン２１ととから構成
されている。

【０１０６】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇには、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると
比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０
０７５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ない
し第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なもの
を用いることが好ましい。これにより、得られる容量の
範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。ま
た、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このた
め、誘電正接（ tanδ）を０．００７５〜０．０２５と
することにより、材料損失の極めて少ないキャパシタと
することができる。また、各構成層は同一でも異なって
いてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。

【０１０７】なお、その等価回路を図１４（ａ）に示
す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となってい
る。

【０１０８】＜実施例７＞図１３は本発明の第７の実施
態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。

【０１０９】この例では、実施例６において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）
に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３
２ｄが４連装された電子部品（コンデンサアレイ）とな
っている。

【０１１０】＜実施例８＞図１５〜図１８は、本発明の
第８の実施態様を示したバルントランスを示している。
ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は
各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。

【０１１１】図１５〜１７において、バルントランス４
０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層４０ａ〜４０ｏ
が積層された積層体の上下および中間に配置された内部
ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成さ
れている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、
λg ／４長のスパイラル状導体４３を、図１８の等価回
路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するよう
にビアホール４４等で連結している。

【０１１２】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ t
anδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好まし
く、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合
誘電体層を用いることが好ましい。また、用途によって
は透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁
性体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一
でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれ
ばよい。

【０１１３】＜実施例９＞図１９〜図２２は、本発明の
第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。
ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は
等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積
層フィルターは２ポールとして構成されている。

【０１１４】図１９〜２１において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデン
サ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成
された端部電極（外部端子）７２とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン６１と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接
続されている。

【０１１５】ストリップ線路６８は、図２１の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価
回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。

【０１１６】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数
１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性
が得られるようになる。また、ストリップライン共振器
の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正
接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすること
が好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１
または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。な
お、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組
み合わせを選択すればよい。

【０１１７】＜実施例１０＞図２３〜図２６は、本発明
の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示してい
る。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２
５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、こ
の積層フィルターは４ポールとして構成されている。

【０１１８】図２３〜２６において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。このような４ポールの構成とする
ことにより、図２６に示されるような、より急峻な伝達
特性を得ることができる。その他の構成要素は実施例９
と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明
を省略する。

【０１１９】＜実施例１１＞図２７〜図３１は、本発明
の第１１の実施態様を示したカプラを示している。ここ
で図２７は透過斜視図、図２８は断面図、図２９は各構
成層の分解平面図、図３０は内部結線図、図３１は等価
回路図である。

【０１２０】図２７〜３１において、カプラ１１０は、
ハイブリッド樹脂を有する構成層１１０ａ〜１１０ｃが
積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ
導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成され
ている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３
は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにス
パイラル状にビアホール１１４等で連結している。ま
た。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５
とは、図３０に示すように、それぞれ端面に形成された
貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成され
たランドパターン１１１と接続されている。このように
構成することにより、図３１の等価回路図で示すよう
に、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ
１１０が得られる。

【０１２１】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０
とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域にお
いて、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内
部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（tan
δ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好まし
い。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高い
インダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることが
できる。従って、上記の有機誘電体層、または第１また
は第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、
各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合
わせを選択すればよい。

【０１２２】＜実施例１２＞図３２〜図３４は、本発明
の第１２の実施態様であるアンテナを示した図であり、
図３２は透視斜視図、図３３（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図３４は各構成層の
分解斜視図を表している。

【０１２３】図において、アンテナ１３０は本発明のハ
イブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３
０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパ
ターン）１３３を有する。また、この内部導体１３３の
終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビア１３２
およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパ
ターン１３１と接続されている。この例では内部導体１
３３は、使用周波数に対し、約λg ／４長となるような
リアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成さ
れている。

【０１２４】このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１
３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電
率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考
えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用
途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電
率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４
０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好
ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複
合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好まし
い。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成
できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要があ
る。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少な
いアンテナとすることができる。また、用途によっては
透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性
体層を用いることが好ましい。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。

【０１２５】＜実施例１３＞図３５、図３６は、本発明
の第１３の実施態様を示したアンテナを示している。こ
こで図３５は透過斜視図、図３６は分解斜視図である。
なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有す
るアンテナとして構成されている。

【０１２６】図３５、３６において、アンテナ１４０
は、本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプ
レグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１
４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体
（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを有する。そ
して、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール
１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子
を形成するようになっている。その他の構成要素は実施
例１２と同様であり、同一構成要素には同一符号を付し
て説明を省略する。

【０１２７】＜実施例１４＞図３７、図３８は、本発明
の第１４の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図３７は透視斜視図、図３８は断面図を表してい
る。

【０１２８】図において、パッチアンテナ１５０はハイ
ブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体
１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で
接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５と
は接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャッ
プ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５
５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われる
ようになっている。

【０１２９】このパッチアンテナ１５０の構成層１５０
ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、
誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好まし
く、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘
電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。
これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成でき
る。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。
このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０
０７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射
効率の高いアンテナとすることができる。

【０１３０】また、数１００ＭHz以下の周波数帯域にお
いては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得ら
れ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げること
ができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることによ
り、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。こ
のため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが
好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。
これにより、数１００ＭHz以下の周波数帯域において高
特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。

【０１３１】このパッチアンテナは、ベース基板の誘電
率を微調できると設計が容易になる。しかしながら、多
くの誘電率の材料を有することは管理上の問題が大き
い。そこで、数種類の誘電率の材料を組み合わせる（多
層化する）ことで、全体の誘電率を調整するようにする
とよい。これにより、誘電率の微調が可能となり、設計
の自由度が増大して、設計が容易となり、小型、高性能
のアンテナを得ることができる。

【０１３２】＜実施例１５＞図３９、図４０は、本発明
の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図３９は透視斜視図、図４０は断面図を表してい
る。

【０１３３】図において、パッチアンテナ１６０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体
１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導
体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから
給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、
メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理
を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等に
より形成することができる。その他の構成要素は実施例
１４と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して
説明を省略する。

【０１３４】＜実施例１６＞図４１、図４２は、本発明
の第１６の実施態様である多層型のパッチアンテナを示
した図であり、図４１は透視斜視図、図４２は断面図を
表している。

【０１３５】図において、パッチアンテナ１７０は、ハ
イブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５
０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅ
と、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するよう
に構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５
とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のス
ルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスル
ー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５
９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパ
ッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられて
いる。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導
体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われる
ようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパ
ッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４
とのギャップによって形成される容量により給電され
る。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一
構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１３６】＜実施例１７＞図４３、図４４は本発明の
第１７の実施態様である多連型のパッチアンテナを示し
たであり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表し
ている。

【０１３７】この例では、実施例１６において単独で構
成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて
４連とした態様を表している。図において、ハイブリッ
ド樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成
層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１
５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形
成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９
ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに
対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮ
Ｄ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１
６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説
明を省略する。

【０１３８】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。

【０１３９】＜実施例１８＞図４５〜図４７は、本発明
の第１８の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）
を示している。ここで図４５は透過斜視図、図４６は断
面図、図４７は等価回路図である。

【０１４０】図４５〜４７において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図４７に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。

【０１４１】この例では、共振器を構成する構成層２１
０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００
７５の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電
体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０
ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２
５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびイ
ンダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が
０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．
５の有機誘電体層を用いることが好ましい。

【０１４２】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図４７の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。

【０１４３】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１４４】＜実施例１９＞図４８〜図５０は、本発明
の第１９の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅
部）を示している。ここで図４８は各構成層の分解平面
図、図４９は断面図、図５０は等価回路図である。

【０１４５】図４８〜５０において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５０に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２
０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１４６】この例では、ストリップラインを構成する
構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５
〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の有機誘電体
層、または第１または第２の複合誘電体層を用いること
が好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃに
は、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が
５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を
用いることが好ましい。

【０１４７】そして、これらの構成層３００ａ〜３００
ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル３１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品３６１が搭載されて図５０の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。

【０１４８】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１４９】＜実施例２０＞図５１〜図５３は、本発明
の第２０の実施態様を示した光ピックアップなどに使用
される重畳モジュールを示している。ここで図５１は各
構成層の分解平面図、図５２は断面図、図５３は等価回
路図である。

【０１５０】図５１〜５３において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
５３に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１５１】この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜
４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、
比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層
を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層
４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接
が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。

【０１５２】そして、これらの構成層４００ａ〜４００
ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル４１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品４６１が搭載されて図５３の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。

【０１５３】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１５４】＜実施例２１＞図５４〜図５７は、本発明
の第２１の実施態様を示したＲＦモジュールを示してい
る。ここで図５４は斜視図、図５５は外装部材を外した
状態での斜視図、図５６は各構成層の分解斜視図、図５
７は断面図である。

【０１５５】図５４〜５７において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。

【０１５６】この例では、アンテナ構成、ストリップラ
イン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇに
は、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。コンデ
ンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるよう
な第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ラ
イン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０の上
記複合磁性体層を用いることが好ましい。

【０１５７】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。

【０１５８】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１５９】＜実施例２２＞図５８、図５９は、本発明
の第２２の実施態様を示したストリップ共振器を示して
いる。ここで図５８は透過斜視図、図５９は断面図であ
る。

【０１６０】図５８、５９において、ストリップ共振器
は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７
１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された
矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリッ
プ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８
１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されてい
る。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様
である。

【０１６１】この共振器の構成層７１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。

【０１６２】＜実施例２３＞図６０は、本発明の第２３
の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図
である。

【０１６３】図６０において、ストリップ共振器は実施
例２２と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、こ
れを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにし
て配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。ま
た、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用
ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され
接続されている。その他の形成方法は、実施例１のイン
ダクタと同様である。

【０１６４】この共振器の構成層８１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。

【０１６５】図６１は、上記実施例２２，２３の共振器
の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯ
Ｔ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構
成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その
他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。

【０１６６】＜実施例２４＞図６２は、本発明の第２４
の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロ
ック構成図である。

【０１６７】図において、ベースバンドユニット１０１
０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により
混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混
成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２
０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１
９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数の
ＲＦ信号が供給されるようになっている。

【０１６８】ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われ
た送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２
を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。この
パワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１０
０４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに
調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、
パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カ
ップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止
用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７
を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続さ
れているアンテナ１００９から送信される。

【０１６９】アンテナ１００９に入力された受信信号
は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力さ
れ、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出
力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経
てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１
３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力さ
れ、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１
０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０
１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１
０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回
路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力さ
れ、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１
０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユ
ニットへ送出される。

【０１７０】本発明では、上記アンテナ１００９，デュ
プレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むア
ンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレ
ータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，
パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプ
モジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブ
リッドモジュールとして構成することができる。また、
これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして
構成できることは既に実施例２１で示した通りであり、
ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１１および１８に示した
手法に倣って構成することができる。

【０１７１】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、
円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、
コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィル
タ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、ダイプレクサ、
デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナ
フロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアン
プモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジ
ュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバ
ランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配
器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウ
ンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザ
ー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石
等に応用することができる。

【０１７２】以上の各実施例において、必要によりハロ
ゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロ
ゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合
物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機
材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。

【０１７３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優れた
磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板とのいずれ
かを用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総合的
な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４５】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図４６】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図４７】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。

【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。

【図５１】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図５２】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図５３】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。

【図５４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図５５】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図５６】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図５７】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図５８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図５９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６０】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６１】本発明の電子部品の構成例である共振器の等
価回路を示す図である。

【図６２】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の
高周波部を示すブロック図である。

【図６３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工
程図である。

【図６４】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他
の工程図である。

【図６５】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。

【図６６】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図であ
る。

【図６７】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図６８】多層基板の形成例を示す工程図である。

【符号の説明】

１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４ビアホール２０キャパシタ２０ａ〜２０ｇ構成層２１ランドパターン２２貫通ビア２３内部導体（内部電極パターン）４０バルントランス４０４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体４３６０積層フィルター８０ブロックフィルター１１０カプラ１３０、１４０アンテナ１５０、１６０、１７０パッチアンテナ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E070 AA01 AA05 AA14 AB06 AB07 BA01 BB03 CB13 5E082 AB03 BB01 BC14 BC30 FF14 FG22 FG26 FG27 FG34 PP01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ハイブリッド材により形成されている少
なくとも２種以上の構成層を有する積層電子部品であっ
て、前記ハイブリッド材の少なくとも１層には導電体層が形
成され、この導電体層によりインダクタンス、コンデンサ、バル
ントランス、積層フィルタ、およびカプラから選択され
るいずれかの素子が形成されている積層電子部品。
【請求項２】１００ＭHz以上の周波数帯域で使用され
る請求項１の積層電子部品。
【請求項３】前記構成層のうち少なくとも強化繊維を
包含する層を１層有する請求項１または２の積層電子部
品。
【請求項４】前記構成層に誘電体粉末が分散されてい
て、この誘電体粉末の比誘電率が５〜１００００、誘電
正接が０．００００２〜０．０１であり、この誘電体粉末の含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜
０．００７５である第１の複合誘電体層を少なくとも１
層有する請求項１〜３のいずれかの積層電子部品。
【請求項５】前記構成層に誘電体粉末が分散されてい
て、前記誘電体粉末の比誘電率が２０〜２００００、誘
電正接が０．０１〜０．０００１、含有量が１０〜６５
体積％であり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５
〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なくとも１
層有する請求項１〜４のいずれかの積層電子部品。
【請求項６】前記構成層に磁性粉が分散されていて、前記磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくと
も１層有する請求項１〜５のいずれかの積層電子部品。
【請求項７】少なくともいずれかの層に１種または２
種以上の難燃剤を含有する請求項１〜６のいずれかの積
層電子部品。