JP2004006897A - 積層電子部品 - Google Patents
積層電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006897A JP2004006897A JP2003153900A JP2003153900A JP2004006897A JP 2004006897 A JP2004006897 A JP 2004006897A JP 2003153900 A JP2003153900 A JP 2003153900A JP 2003153900 A JP2003153900 A JP 2003153900A JP 2004006897 A JP2004006897 A JP 2004006897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- present
- resin
- conductor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】少なくとも誘電率が十分に低く、透磁率が十分に高いハイブリッド樹脂基板と、Ｑの十分に高いハイブリッド樹脂基板層を複数層用いることで、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた積層電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層と、前記ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている積層電子部品とした。
【選択図】 なし
【解決手段】樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層と、前記ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されている積層電子部品とした。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリプレグおよび基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数領域（１００ＭＨｚ以上）での使用に好適であり、磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使用に適したプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。
【０００３】
高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状に多層化、成形したものが一般に知られている。これらの材料を多層基板にすることは、小型化が図れるというメリットがあることから従来より用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、これら焼結フェライトや焼結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックの発生等といった問題が多いことから、樹脂系材料への要求が年々高まっている。
【０００５】
しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、透磁率の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図ることが困難である。
【０００６】
また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポジットする手法も、例えば特開平８−６９７１２号公報、同１１−１９２６２０号公報に開示されているが、いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られてはいない。
【０００７】
また、特公平６−１４６００号公報には、シート法による複数材料を多層化する例が示されているが、工程数が多いなどの問題を有し、しかも個々で検討されている周波数は高々数ＭＨｚ程度であり、１００ＭＨｚ以上の高周波領域における性能については何ら検討されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、少なくとも誘電率が十分に高いか、十分に低いハイブリッド樹脂基板と、透磁率が十分に高いハイブリッド樹脂基板と、Ｑの十分に高いハイブリッド樹脂基板層を複数層用いることで、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた積層電子部品を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の本発明によって達成される。
（１）樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層を有する積層電子部品からなり、
前記ハイブリッド材の少なくとも１層には導電体層が形成され、
この導電体層により所定の電気回路が構成されている積層電子部品。
（２）１００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使用される上記（１）の積層電子部品。（３）前記構成層のうち少なくとも強化繊維を包含する層を１層有する上記（１）または（２）の積層電子部品。
（４）前記ハイブリッド材の磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、
全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有する上記（１）〜（３）のいずれかの積層電子部品。
（５）少なくともいずれかの層に１種または２種以上の難燃剤を含有する上記（１）〜（４）のいずれかの積層電子部品。
【００１０】
【作用】
本発明は少なくとも樹脂と磁性粉との複合材料を用いて多層基板を構成することにより、比誘電率が小さく、高周波特性に優れた磁性基板を可能としている。このことが、結果として総合的に高周波特性に優れた積層電子部品を可能としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１２】
本発明の積層電子部品は、樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層と、前記ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されているものである。
【００１３】
このような構成とすることによって、誘電率の調整が容易となり、低誘電率化も可能で、高周波数領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適である。また、複合磁性体層は優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とした使用に適している。一方、複合誘電体層は高周波数帯域で、比較的高いＱやεを得ることも可能であり、こうした特性が要求される用途（例えばストリップラインや、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等の電子部品）に適した複合誘電体基板となり、しかも高強度である。
【００１４】
また、このような複合磁性体層、あるいは複合誘電体層を用いて基板、積層型電子部品を形成する場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることができる。また、このようにして得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特性の向上したものである。
【００１５】
さらに、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明の積層電子部品に用いられる樹脂は特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。
【００１７】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン等が、ベースレジンとして好ましい。
【００１８】
これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００１９】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂から形成され、比誘電率が２．４〜４．５、誘電正接が０．００２〜０．０３である有機誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような、有機誘電体層は、分布容量を少なくすることができるため、特にコイル等のインダクタ素子の形成に適している。
【００２０】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であり、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５である第１の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度な誘電率と、高いＱとを得ることができ、伝達ロスが少なくなり、特にバルントランス、アンテナ、パワーアンプ等の電子回路の形成に適している。
【００２１】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が０．０５〜０．０００１、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度なＱ値と高い誘電率を得ることができ、特にコンデンサやパッチアンテナ、あるいはＶＣＯ（電圧制御発振器）、パワーアンプ等の電子回路の形成に適している。
【００２２】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に磁性粉が分散されていて、この磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度な透磁率を確保しつつ低誘電率となり、高周波数領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用が可能となり、磁性粉の含有量を大きくできることから磁気特性を利用した電子部品や電子部品の磁気シールドに適したものとなる。
【００２３】
これらの構成層は、少なくとも誘電率、Ｑ、透磁率のいずれかが異なる、特に上記いずれかの層が２種以上含まれていればよく、目的とする電子部品の構成、機能等により適宜組み合わせて用いればよい。
【００２４】
本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上用いてもよい。
【００２５】
特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好ましい。
【００２６】
比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、ＣａＷＯ４系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。
【００２７】
誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得るためには以下の材料を用いることが好ましい。
【００２８】
シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。
【００２９】
これらは単独で用いてもよいし２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。
【００３０】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．１〜１００μｍ、特に０．２〜１００μｍ程度が好ましい。粒径が小さくなると、粉末の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くなる。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型体を得られない。
【００３１】
一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３２】
上記第１の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は高いＱとある程度の比誘電率を持つことを必要とする。特に２ＧＨｚでの比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であることが好ましく、さらにＱが２５０〜５００００であることが好ましい。このような構成により高いＱと比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。
【００３３】
第１の複合誘電体層に用いるセラミック粉末は、第１の複合誘電体層全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５となるように含有されていればよい。
【００３４】
セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含めて、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。
【００３５】
Ｍｇ２ＳｉＯ４［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ２Ｏ３［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ３［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ３［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ２ＴｉＯ４［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ２［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ３［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ３［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ３［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ２Ｏ５［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ４Ｏ９［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ４［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＳｍ２ＴｉＯ１４［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ３［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４０、Ｑ＝４０００］等。
【００３６】
より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。
ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０系、ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＺｎＯ−ＴｉＯ２系、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、Ａｌ２Ｏ３等。
【００３７】
本発明の第１の複合誘電体層は、上記樹脂と上記セラミクスとを主成分とするものであるが、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３８】
セラミクス粉末が６５体積％以上であると緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満であると、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。
【００３９】
本発明の第１の複合誘電体層は、各成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ることが可能となる。
【００４０】
第２の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は特に高い比誘電率を持つことを必要とする。
【００４１】
好ましくは比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が０．０５〜０．０００１であることが好ましい。このようなセラミクス粉末を樹脂中に分散させることで、より高い比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。
【００４２】
第２の複合誘電体層に用いられるセラミクス粉末は、高周波数帯域、特に２ＧＨｚにおいて、第２の複合誘電体層全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜０．０２５とできる粉末であればよく、２種類以上用いてもよいが、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択されるものが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εを示す。
【００４３】
ＢａＴｉＯ３［ε＝１５００］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系［ε＝７０００］。
【００４４】
より好ましくは、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択される。
ＢａＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系。
【００４５】
セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末でもよい。
【００４６】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．２〜１００μｍ程度が好ましく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくなる。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成形体を得られない。
【００４７】
本発明の第２の複合誘電体層は、上記樹脂と上記のセラミクスとを主成分とするものであるが、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００４８】
フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００４９】
強磁性金属としては、カーボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。
【００５０】
これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。
【００５１】
磁性粉の粒径は０．０１〜１００μｍ、特に０．０１〜５０μｍであることが好ましく、平均粒径は１〜５０μｍであることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μｍ程度が限度である。
【００５２】
磁性粉の粒度は均一であることが好ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえてもよい。磁性粉の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれのものでも良く、その用途により使い分ければよい。また、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁材のコーティングなどの処理を施してもよい。
【００５３】
さらに、種類、粒度分布の異なる磁性粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。
【００５４】
磁性粉の透磁率μは１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００５５】
本発明の樹脂と磁性粉との混合比としては、形成される複合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていればよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性粉との比率で示した場合、磁性粉の含有量は１０〜６５体積％、特に２０〜６０体積％であることが好ましい。このような磁性粉の含有量とすることで、複合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、基板、プリプレグの作製が困難になる。一方、磁性粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下してしまう。
【００５６】
本発明に用いられる難燃剤としては、通常基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【００５７】
本発明に用いられるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用いることができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝７、ｔａｎδ＝０．００３、 １ＧＨｚ）、Ｄガラスクロス（ε＝４、ｔａｎδ＝０．００１３、 １ＧＨｚ）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、ｔａｎδ＝０．００３、 １ＧＨｚ）等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１００μｍ以下、特に２０〜６０μｍであることが好ましい。布重量としては、１２０ｇ／ｍ２以下、特に２０〜７０ｇ／ｍ２が好ましい。
【００５８】
また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１であることが好ましい。このような配合比とすることによって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。
【００５９】
使用する金属箔としては、金、銀、銅、アルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好ましい。
【００６０】
金属箔を作製する方法としては、電解、圧延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少ない圧延箔を使用するとよい。
【００６１】
金属箔の厚みとしては、８〜７０μｍが好ましく、特に１２〜３５μｍが好ましい。
【００６２】
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上に含浸することにより、形成することができる。
【００６３】
プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含有するセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤の含有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後の厚みは５０〜３００μｍ程度が好ましく、その用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。
【００６４】
プリプレグは、図６３または図６４に示すような方法により製造することができる。この場合、図６３の方法は比較的量産に適しており、図６４の方法は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有している。図６３において、（ａ）に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドローラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗工槽１１０には、溶剤中に分散されているセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂がスラリー状調整されており、この塗工槽１１０をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋められることになる。
【００６５】
塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して巻取ローラ１３０に巻回される。
【００６６】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置されたプリプレグが得られる。
【００６７】
さらに、（ｃ）に示すように、得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００６８】
次に、図６４の製造方法について説明する。図６４において、（ａ）に示すように、セラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラリー１０２ａをドクターブレード１５０等によってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
【００６９】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面にセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置されたプリプレグが得られる。
【００７０】
さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。
【００７１】
電子部品を構成する基板、およびプリプレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによっても得ることができる。この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として適している。
【００７２】
混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。
【００７３】
この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、０．０５〜５ｍｍ程度である。プリプレグの厚みは、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。
【００７４】
さらに、上記同様に得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７５】
このようにして得られる成形材料としての基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐熱性に優れる。
【００７６】
本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μｍ程度である。
【００７７】
このような銅箔付基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【００７８】
図６５、図６６には両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図６５、図６６に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程Ｄ）。その後、図６５に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００７９】
図６７、図６８には多層基板形成例の工程図であり、４層積層する例が示されている。図６７、図６８に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図６７に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８０】
本発明では、前記例に限らず、種々の基板を形成することができる。例えば、成形材料としての基板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化することも可能である。
【００８１】
また、プリプレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様において、前述のセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られた複合誘電体材料や複合磁性材料ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【００８２】
このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせることにより、電子部品を得ることができる。
【００８３】
本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用電子部品を得ることができる。
【００８４】
【実施例】
以下、本発明の具体的実験例、実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００８５】
＜実験例１＞
表１に示す樹脂を用意し、これに表１に示すセラミック粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率ε、Ｑをそれぞれ測定した。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率ε、Ｑも測定した。結果を表１に示す。また、このときのプレス条件を表２に示す。
【００８６】
【表１】
【００８７】
【表２】
【００８８】
表１から明らかなように、用いる樹脂と、これに含有される誘電粉の種類、含有量により、誘電率、Ｑを所定の値に調整できることがわかる。
【００８９】
＜実験例２＞
表３に示す樹脂を用意し、これに表３に示す磁性粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率ε、透磁率をそれぞれ測定した。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率ε、透磁率も測定した。結果を表３に示す。
【００９０】
【表３】
【００９１】
表３から明らかなように、用いる樹脂と、これに含有される磁性粉の種類、含有量により、誘電率、透磁率を所定の値に調整できることがわかる。
【００９２】
＜実施例１＞
図１、図２は、本発明の第１の実施態様であるインダクタを示した図であり、図１は透視斜視図、図２は断面図を表している。
【００９３】
図において、インダクタ１０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。また、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断された構造となっている。これは、集合基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の中心から切断するためである。
【００９４】
このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０ｅには、高周波用のチップインダクタとしての用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があることから比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましく、上記の有機誘電体層を用いることが好ましい。また、共振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率を５〜４０とすることが好ましく、上記の第１、第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。このようにすることで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることができる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。このような場合には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、高周波ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【００９５】
なお、その等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。
【００９６】
＜実施例２＞
図３、図４は、本発明の第２の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は透視斜視図、図４は断面図を表している。
【００９７】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘリカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９８】
＜実施例３＞
図５、図６は、本発明の第３の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は透視斜視図、図６は断面図を表している。
【００９９】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様としたものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
＜実施例４＞
図７、図８は、本発明の第４の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は透視斜視図、図８は断面図を表している。
【０１０１】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミアンダー状のパターンとして構成したものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
＜実施例５＞
図９は本発明の第５の実施態様であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１０３】
この例では、実施例１において単独で構成されていたコイルを、４連とした態様を表している。このような構成とすることにより、省スペース化を図ることができる。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装された電子部品（インダクタアレイ）となっている。
【０１０４】
＜実施例６＞
図１１、図１２は、本発明の第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表している。
【０１０５】
図において、キャパシタ２０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン２１ととから構成されている。
【０１０６】
このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０ｇには、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．００７５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１０７】
なお、その等価回路を図１４（ａ）に示す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となっている。
【０１０８】
＜実施例７＞
図１３は本発明の第７の実施態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１０９】
この例では、実施例６において単独で構成されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサアレイ）となっている。
【０１１０】
＜実施例８＞
図１５〜図１８は、本発明の第８の実施態様を示したバルントランスを示している。ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１１１】
図１５〜１７において、バルントランス４０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、λｇ／４長のスパイラル状導体４３を、図１８の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結している。
【０１１２】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好ましく、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１３】
＜実施例９＞
図１９〜図２２は、本発明の第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして構成されている。
【０１１４】
図１９〜２１において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデンサ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）７２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【０１１５】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。
【０１１６】
この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１７】
＜実施例１０＞
図２３〜図２６は、本発明の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは４ポールとして構成されている。
【０１１８】
図２３〜２６において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。このような４ポールの構成とすることにより、図２６に示されるような、より急峻な伝達特性を得ることができる。その他の構成要素は実施例９と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１１９】
＜実施例１１＞
図２７〜図３１は、本発明の第１１の実施態様を示したカプラを示している。ここで図２７は透過斜視図、図２８は断面図、図２９は各構成層の分解平面図、図３０は内部結線図、図３１は等価回路図である。
【０１２０】
図２７〜３１において、カプラ１１０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３０に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接続されている。このように構成することにより、図３１の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。
【０１２１】
このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることができる。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１２２】
＜実施例１２＞
図３２〜図３４は、本発明の第１２の実施態様であるアンテナを示した図であり、図３２は透視斜視図、図３３（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図３４は各構成層の分解斜視図を表している。
【０１２３】
図において、アンテナ１３０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、約λｇ／４長となるようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成されている。
【０１２４】
このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１２５】
＜実施例１３＞
図３５、図３６は、本発明の第１３の実施態様を示したアンテナを示している。ここで図３５は透過斜視図、図３６は分解斜視図である。なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテナとして構成されている。
【０１２６】
図３５、３６において、アンテナ１４０は、本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子を形成するようになっている。その他の構成要素は実施例１２と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１２７】
＜実施例１４＞
図３７、図３８は、本発明の第１４の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図３７は透視斜視図、図３８は断面図を表している。
【０１２８】
図において、パッチアンテナ１５０はハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０１２９】
このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０１３０】
また、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。このため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１３１】
このパッチアンテナは、ベース基板の誘電率を微調できると設計が容易になる。しかしながら、多くの誘電率の材料を有することは管理上の問題が大きい。そこで、数種類の誘電率の材料を組み合わせる（多層化する）ことで、全体の誘電率を調整するようにするとよい。これにより、誘電率の微調が可能となり、設計の自由度が増大して、設計が容易となり、小型、高性能のアンテナを得ることができる。
【０１３２】
＜実施例１５＞
図３９、図４０は、本発明の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図３９は透視斜視図、図４０は断面図を表している。
【０１３３】
図において、パッチアンテナ１６０は本発明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成することができる。その他の構成要素は実施例１４と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３４】
＜実施例１６＞
図４１、図４２は、本発明の第１６の実施態様である多層型のパッチアンテナを示した図であり、図４１は透視斜視図、図４２は断面図を表している。
【０１３５】
図において、パッチアンテナ１７０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３６】
＜実施例１７＞
図４３、図４４は本発明の第１７の実施態様である多連型のパッチアンテナを示したであり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表している。
【０１３７】
この例では、実施例１６において単独で構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。図において、ハイブリッド樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３８】
このようにアレイ状に形成することにより、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０１３９】
＜実施例１８＞
図４５〜図４７は、本発明の第１８の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図４５は透過斜視図、図４６は断面図、図４７は等価回路図である。
【０１４０】
図４５〜４７において、ＶＣＯは、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図４７に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１４１】
この例では、共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００７５の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。
【０１４２】
そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図４７の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０１４３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１４４】
＜実施例１９＞
図４８〜図５０は、本発明の第１９の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図４８は各構成層の分解平面図、図４９は断面図、図５０は等価回路図である。
【０１４５】
図４８〜５０において、パワーアンプは、構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５０に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１４６】
この例では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１４７】
そして、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール３１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品３６１が搭載されて図５０の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。
【０１４８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１４９】
＜実施例２０＞
図５１〜図５３は、本発明の第２０の実施態様を示した光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図５１は各構成層の分解平面図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０１５０】
図５１〜５３において、重畳モジュールは、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図５３に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５１】
この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。
【０１５２】
そして、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図５３の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
【０１５３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１５４】
＜実施例２１＞
図５４〜図５７は、本発明の第２１の実施態様を示したＲＦモジュールを示している。ここで図５４は斜視図、図５５は外装部材を外した状態での斜視図、図５６は各構成層の分解斜視図、図５７は断面図である。
【０１５５】
図５４〜５７において、ＲＦモジュールは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５６】
この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０の上記複合磁性体層を用いることが好ましい。
【０１５７】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０１５８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１５９】
＜実施例２２＞
図５８、図５９は、本発明の第２２の実施態様を示したストリップ共振器を示している。ここで図５８は透過斜視図、図５９は断面図である。
【０１６０】
図５８、５９において、ストリップ共振器は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１６１】
この共振器の構成層７１０の材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１６２】
＜実施例２３＞
図６０は、本発明の第２３の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図である。
【０１６３】
図６０において、ストリップ共振器は実施例２２と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、これを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１６４】
この共振器の構成層８１０の材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１６５】
図６１は、上記実施例２２，２３の共振器の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０１６６】
＜実施例２４＞
図６２は、本発明の第２４の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロック構成図である。
【０１６７】
図において、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０１６８】
ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０１６９】
アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニットへ送出される。
【０１７０】
本発明では、上記アンテナ１００９，デュプレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブリッドモジュールとして構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に実施例２１で示した通りであり、ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１１および１８に示した手法に倣って構成することができる。
【０１７１】
本発明は、上記に例示した電子部品以外に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等に応用することができる。
【０１７２】
以上の各実施例において、必要によりハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。
【０１７３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、少なくとも高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優れた磁性基板を用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総合的な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２７】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２８】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図３０】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内部結線を示す図である。
【図３１】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等価回路を示す図である。
【図３２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３３】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３５】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３６】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４５】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図４６】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図４７】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５１】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５２】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５３】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５５】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５６】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５７】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図５９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６０】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６１】本発明の電子部品の構成例である共振器の等価回路を示す図である。
【図６２】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の高周波部を示すブロック図である。
【図６３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図６４】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図６５】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図６６】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図６７】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図６８】多層基板の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
１０ インダクタ
１０ａ〜１０ｅ 構成層
１１ ランドパターン
１２ 貫通ビア
１３ 内部導体（コイルパターン）
１４ ビアホール
２０ キャパシタ
２０ａ〜２０ｇ 構成層
２１ ランドパターン
２２ 貫通ビア
２３ 内部導体（内部電極パターン）
４０ バルントランス４０
４０ａ〜４０ｏ構成層
４５ ＧＮＤ導体
４３ 内部導体４３
６０ 積層フィルター
８０ ブロックフィルター
１１０ カプラ
１３０、１４０ アンテナ
１５０、１６０、１７０ パッチアンテナ
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリプレグおよび基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数領域（１００ＭＨｚ以上）での使用に好適であり、磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使用に適したプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。
【０００３】
高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状に多層化、成形したものが一般に知られている。これらの材料を多層基板にすることは、小型化が図れるというメリットがあることから従来より用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、これら焼結フェライトや焼結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックの発生等といった問題が多いことから、樹脂系材料への要求が年々高まっている。
【０００５】
しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、透磁率の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図ることが困難である。
【０００６】
また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポジットする手法も、例えば特開平８−６９７１２号公報、同１１−１９２６２０号公報に開示されているが、いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られてはいない。
【０００７】
また、特公平６−１４６００号公報には、シート法による複数材料を多層化する例が示されているが、工程数が多いなどの問題を有し、しかも個々で検討されている周波数は高々数ＭＨｚ程度であり、１００ＭＨｚ以上の高周波領域における性能については何ら検討されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、少なくとも誘電率が十分に高いか、十分に低いハイブリッド樹脂基板と、透磁率が十分に高いハイブリッド樹脂基板と、Ｑの十分に高いハイブリッド樹脂基板層を複数層用いることで、小型で高性能の、ひいては総合的な電気的特性に優れた積層電子部品を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の本発明によって達成される。
（１）樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層を有する積層電子部品からなり、
前記ハイブリッド材の少なくとも１層には導電体層が形成され、
この導電体層により所定の電気回路が構成されている積層電子部品。
（２）１００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使用される上記（１）の積層電子部品。（３）前記構成層のうち少なくとも強化繊維を包含する層を１層有する上記（１）または（２）の積層電子部品。
（４）前記ハイブリッド材の磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、
全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有する上記（１）〜（３）のいずれかの積層電子部品。
（５）少なくともいずれかの層に１種または２種以上の難燃剤を含有する上記（１）〜（４）のいずれかの積層電子部品。
【００１０】
【作用】
本発明は少なくとも樹脂と磁性粉との複合材料を用いて多層基板を構成することにより、比誘電率が小さく、高周波特性に優れた磁性基板を可能としている。このことが、結果として総合的に高周波特性に優れた積層電子部品を可能としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１２】
本発明の積層電子部品は、樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層と、前記ハイブリッド材の少なくとも１層に形成されている導電体層とを有し、前記導電体層により所定の電気回路が構成されているものである。
【００１３】
このような構成とすることによって、誘電率の調整が容易となり、低誘電率化も可能で、高周波数領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適である。また、複合磁性体層は優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とした使用に適している。一方、複合誘電体層は高周波数帯域で、比較的高いＱやεを得ることも可能であり、こうした特性が要求される用途（例えばストリップラインや、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等の電子部品）に適した複合誘電体基板となり、しかも高強度である。
【００１４】
また、このような複合磁性体層、あるいは複合誘電体層を用いて基板、積層型電子部品を形成する場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることができる。また、このようにして得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特性の向上したものである。
【００１５】
さらに、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明の積層電子部品に用いられる樹脂は特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。
【００１７】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン等が、ベースレジンとして好ましい。
【００１８】
これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合の混合比は任意である。
【００１９】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂から形成され、比誘電率が２．４〜４．５、誘電正接が０．００２〜０．０３である有機誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような、有機誘電体層は、分布容量を少なくすることができるため、特にコイル等のインダクタ素子の形成に適している。
【００２０】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であり、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５である第１の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度な誘電率と、高いＱとを得ることができ、伝達ロスが少なくなり、特にバルントランス、アンテナ、パワーアンプ等の電子回路の形成に適している。
【００２１】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に誘電体粉末が分散されていて、前記誘電体粉末の比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が０．０５〜０．０００１、含有量が１０〜６５体積％であり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度なＱ値と高い誘電率を得ることができ、特にコンデンサやパッチアンテナ、あるいはＶＣＯ（電圧制御発振器）、パワーアンプ等の電子回路の形成に適している。
【００２２】
本発明の積層電子部品は、上記樹脂中に磁性粉が分散されていて、この磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有することが好ましい。このような構成とすることにより、適度な透磁率を確保しつつ低誘電率となり、高周波数領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用が可能となり、磁性粉の含有量を大きくできることから磁気特性を利用した電子部品や電子部品の磁気シールドに適したものとなる。
【００２３】
これらの構成層は、少なくとも誘電率、Ｑ、透磁率のいずれかが異なる、特に上記いずれかの層が２種以上含まれていればよく、目的とする電子部品の構成、機能等により適宜組み合わせて用いればよい。
【００２４】
本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上用いてもよい。
【００２５】
特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好ましい。
【００２６】
比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、ＣａＷＯ４系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系セラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。
【００２７】
誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得るためには以下の材料を用いることが好ましい。
【００２８】
シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。
【００２９】
これらは単独で用いてもよいし２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。
【００３０】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．１〜１００μｍ、特に０．２〜１００μｍ程度が好ましい。粒径が小さくなると、粉末の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くなる。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型体を得られない。
【００３１】
一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３２】
上記第１の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は高いＱとある程度の比誘電率を持つことを必要とする。特に２ＧＨｚでの比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であることが好ましく、さらにＱが２５０〜５００００であることが好ましい。このような構成により高いＱと比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。
【００３３】
第１の複合誘電体層に用いるセラミック粉末は、第１の複合誘電体層全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５となるように含有されていればよい。
【００３４】
セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含めて、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。
【００３５】
Ｍｇ２ＳｉＯ４［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ２Ｏ３［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ３［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ３［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ２ＴｉＯ４［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ２［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ３［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ３［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ３［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ２Ｏ５［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ４Ｏ９［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ４［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＳｍ２ＴｉＯ１４［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ３［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３［ε＝４０、Ｑ＝４０００］等。
【００３６】
より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。
ＴｉＯ２、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ２（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０系、ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＺｎＯ−ＴｉＯ２系、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、Ａｌ２Ｏ３等。
【００３７】
本発明の第１の複合誘電体層は、上記樹脂と上記セラミクスとを主成分とするものであるが、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００３８】
セラミクス粉末が６５体積％以上であると緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満であると、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。
【００３９】
本発明の第１の複合誘電体層は、各成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ることが可能となる。
【００４０】
第２の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は特に高い比誘電率を持つことを必要とする。
【００４１】
好ましくは比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が０．０５〜０．０００１であることが好ましい。このようなセラミクス粉末を樹脂中に分散させることで、より高い比誘電率の複合誘電体を得ることが可能である。
【００４２】
第２の複合誘電体層に用いられるセラミクス粉末は、高周波数帯域、特に２ＧＨｚにおいて、第２の複合誘電体層全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜０．０２５とできる粉末であればよく、２種類以上用いてもよいが、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択されるものが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εを示す。
【００４３】
ＢａＴｉＯ３［ε＝１５００］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系［ε＝７０００］。
【００４４】
より好ましくは、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択される。
ＢａＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系。
【００４５】
セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末でもよい。
【００４６】
セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性等を考えると、平均粒径０．２〜１００μｍ程度が好ましく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくなる。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成形体を得られない。
【００４７】
本発明の第２の複合誘電体層は、上記樹脂と上記のセラミクスとを主成分とするものであるが、樹脂とセラミクス粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲である。
【００４８】
フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００４９】
強磁性金属としては、カーボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。
【００５０】
これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。
【００５１】
磁性粉の粒径は０．０１〜１００μｍ、特に０．０１〜５０μｍであることが好ましく、平均粒径は１〜５０μｍであることが好ましい。このような粒径とすることによって、磁性粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性粉の粒径がこれより小さいと、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になってくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１μｍ程度が限度である。
【００５２】
磁性粉の粒度は均一であることが好ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえてもよい。磁性粉の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれのものでも良く、その用途により使い分ければよい。また、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁材のコーティングなどの処理を施してもよい。
【００５３】
さらに、種類、粒度分布の異なる磁性粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。
【００５４】
磁性粉の透磁率μは１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００５５】
本発明の樹脂と磁性粉との混合比としては、形成される複合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていればよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階で、樹脂と磁性粉との比率で示した場合、磁性粉の含有量は１０〜６５体積％、特に２０〜６０体積％であることが好ましい。このような磁性粉の含有量とすることで、複合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効果が向上する。これに対し、磁性粉の含有量が多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、基板、プリプレグの作製が困難になる。一方、磁性粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性が低下してしまう。
【００５６】
本発明に用いられる難燃剤としては、通常基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【００５７】
本発明に用いられるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用いることができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝７、ｔａｎδ＝０．００３、 １ＧＨｚ）、Ｄガラスクロス（ε＝４、ｔａｎδ＝０．００１３、 １ＧＨｚ）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、ｔａｎδ＝０．００３、 １ＧＨｚ）等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１００μｍ以下、特に２０〜６０μｍであることが好ましい。布重量としては、１２０ｇ／ｍ２以下、特に２０〜７０ｇ／ｍ２が好ましい。
【００５８】
また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１であることが好ましい。このような配合比とすることによって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。
【００５９】
使用する金属箔としては、金、銀、銅、アルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好ましい。
【００６０】
金属箔を作製する方法としては、電解、圧延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少ない圧延箔を使用するとよい。
【００６１】
金属箔の厚みとしては、８〜７０μｍが好ましく、特に１２〜３５μｍが好ましい。
【００６２】
本発明において、電子部品の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上に含浸することにより、形成することができる。
【００６３】
プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含有するセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤の含有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した後の厚みは５０〜３００μｍ程度が好ましく、その用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。
【００６４】
プリプレグは、図６３または図６４に示すような方法により製造することができる。この場合、図６３の方法は比較的量産に適しており、図６４の方法は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有している。図６３において、（ａ）に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドローラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗工槽１１０には、溶剤中に分散されているセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂がスラリー状調整されており、この塗工槽１１０をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋められることになる。
【００６５】
塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して巻取ローラ１３０に巻回される。
【００６６】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置されたプリプレグが得られる。
【００６７】
さらに、（ｃ）に示すように、得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００６８】
次に、図６４の製造方法について説明する。図６４において、（ａ）に示すように、セラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラリー１０２ａをドクターブレード１５０等によってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
【００６９】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面にセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置されたプリプレグが得られる。
【００７０】
さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。
【００７１】
電子部品を構成する基板、およびプリプレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによっても得ることができる。この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として適している。
【００７２】
混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。
【００７３】
この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、０．０５〜５ｍｍ程度である。プリプレグの厚みは、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。
【００７４】
さらに、上記同様に得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７５】
このようにして得られる成形材料としての基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐熱性に優れる。
【００７６】
本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μｍ程度である。
【００７７】
このような銅箔付基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【００７８】
図６５、図６６には両面パターンニング基板形成例の工程図を示す。図６５、図６６に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程Ｄ）。その後、図６５に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００７９】
図６７、図６８には多層基板形成例の工程図であり、４層積層する例が示されている。図６７、図６８に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図６７に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８０】
本発明では、前記例に限らず、種々の基板を形成することができる。例えば、成形材料としての基板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化することも可能である。
【００８１】
また、プリプレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様において、前述のセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られた複合誘電体材料や複合磁性材料ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【００８２】
このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせることにより、電子部品を得ることができる。
【００８３】
本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用電子部品を得ることができる。
【００８４】
【実施例】
以下、本発明の具体的実験例、実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００８５】
＜実験例１＞
表１に示す樹脂を用意し、これに表１に示すセラミック粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率ε、Ｑをそれぞれ測定した。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率ε、Ｑも測定した。結果を表１に示す。また、このときのプレス条件を表２に示す。
【００８６】
【表１】
【表２】
表１から明らかなように、用いる樹脂と、これに含有される誘電粉の種類、含有量により、誘電率、Ｑを所定の値に調整できることがわかる。
【００８９】
＜実験例２＞
表３に示す樹脂を用意し、これに表３に示す磁性粉を所定の割合で混合して得られたハイブリッド材の誘電率ε、透磁率をそれぞれ測定した。また、原材料として用いた誘電粉と樹脂の誘電率ε、透磁率も測定した。結果を表３に示す。
【００９０】
【表３】
表３から明らかなように、用いる樹脂と、これに含有される磁性粉の種類、含有量により、誘電率、透磁率を所定の値に調整できることがわかる。
【００９２】
＜実施例１＞
図１、図２は、本発明の第１の実施態様であるインダクタを示した図であり、図１は透視斜視図、図２は断面図を表している。
【００９３】
図において、インダクタ１０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。また、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断された構造となっている。これは、集合基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の中心から切断するためである。
【００９４】
このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０ｅには、高周波用のチップインダクタとしての用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があることから比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましく、上記の有機誘電体層を用いることが好ましい。また、共振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率を５〜４０とすることが好ましく、上記の第１、第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。このようにすることで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることができる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。このような場合には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、高周波ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【００９５】
なお、その等価回路を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。
【００９６】
＜実施例２＞
図３、図４は、本発明の第２の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は透視斜視図、図４は断面図を表している。
【００９７】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘリカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９８】
＜実施例３＞
図５、図６は、本発明の第３の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は透視斜視図、図６は断面図を表している。
【００９９】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様としたものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
＜実施例４＞
図７、図８は、本発明の第４の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は透視斜視図、図８は断面図を表している。
【０１０１】
この例では、実施例１において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミアンダー状のパターンとして構成したものを表している。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
＜実施例５＞
図９は本発明の第５の実施態様であるインダクタを示した透視斜視図である。
【０１０３】
この例では、実施例１において単独で構成されていたコイルを、４連とした態様を表している。このような構成とすることにより、省スペース化を図ることができる。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装された電子部品（インダクタアレイ）となっている。
【０１０４】
＜実施例６＞
図１１、図１２は、本発明の第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表している。
【０１０５】
図において、キャパシタ２０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン２１ととから構成されている。
【０１０６】
このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０ｇには、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．００７５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１０７】
なお、その等価回路を図１４（ａ）に示す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となっている。
【０１０８】
＜実施例７＞
図１３は本発明の第７の実施態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。
【０１０９】
この例では、実施例６において単独で構成されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサアレイ）となっている。
【０１１０】
＜実施例８＞
図１５〜図１８は、本発明の第８の実施態様を示したバルントランスを示している。ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。
【０１１１】
図１５〜１７において、バルントランス４０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有する。この内部導体４３は、λｇ／４長のスパイラル状導体４３を、図１８の等価回路に示される結合ライン５３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結している。
【０１１２】
このバルントランス４０の構成層４０ａ〜４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好ましく、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１３】
＜実施例９＞
図１９〜図２２は、本発明の第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは２ポールとして構成されている。
【０１１４】
図１９〜２１において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデンサ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）７２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【０１１５】
ストリップ線路６８は、図２１の等価回路図に示されるλｇ／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。
【０１１６】
この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１１７】
＜実施例１０＞
図２３〜図２６は、本発明の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示している。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、この積層フィルターは４ポールとして構成されている。
【０１１８】
図２３〜２６において、積層フィルター６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。このような４ポールの構成とすることにより、図２６に示されるような、より急峻な伝達特性を得ることができる。その他の構成要素は実施例９と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１１９】
＜実施例１１＞
図２７〜図３１は、本発明の第１１の実施態様を示したカプラを示している。ここで図２７は透過斜視図、図２８は断面図、図２９は各構成層の分解平面図、図３０は内部結線図、図３１は等価回路図である。
【０１２０】
図２７〜３１において、カプラ１１０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１４等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３０に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接続されている。このように構成することにより、図３１の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。
【０１２１】
このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることができる。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１２２】
＜実施例１２＞
図３２〜図３４は、本発明の第１２の実施態様であるアンテナを示した図であり、図３２は透視斜視図、図３３（ａ）は平面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図３４は各構成層の分解斜視図を表している。
【０１２３】
図において、アンテナ１３０は本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、約λｇ／４長となるようなリアクタンス素子として構成され、ミアンダ状に形成されている。
【０１２４】
このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。また、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１２５】
＜実施例１３＞
図３５、図３６は、本発明の第１３の実施態様を示したアンテナを示している。ここで図３５は透過斜視図、図３６は分解斜視図である。なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテナとして構成されている。
【０１２６】
図３５、３６において、アンテナ１４０は、本発明のハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３ａ，１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３ａ，１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状のインダクタンス素子を形成するようになっている。その他の構成要素は実施例１２と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１２７】
＜実施例１４＞
図３７、図３８は、本発明の第１４の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図３７は透視斜視図、図３８は断面図を表している。
【０１２８】
図において、パッチアンテナ１５０はハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われるようになっている。
【０１２９】
このパッチアンテナ１５０の構成層１５０ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（ ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。
【０１３０】
また、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。このため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数１００ＭＨｚ以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。
【０１３１】
このパッチアンテナは、ベース基板の誘電率を微調できると設計が容易になる。しかしながら、多くの誘電率の材料を有することは管理上の問題が大きい。そこで、数種類の誘電率の材料を組み合わせる（多層化する）ことで、全体の誘電率を調整するようにするとよい。これにより、誘電率の微調が可能となり、設計の自由度が増大して、設計が容易となり、小型、高性能のアンテナを得ることができる。
【０１３２】
＜実施例１５＞
図３９、図４０は、本発明の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図であり、図３９は透視斜視図、図４０は断面図を表している。
【０１３３】
図において、パッチアンテナ１６０は本発明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成することができる。その他の構成要素は実施例１４と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３４】
＜実施例１６＞
図４１、図４２は、本発明の第１６の実施態様である多層型のパッチアンテナを示した図であり、図４１は透視斜視図、図４２は断面図を表している。
【０１３５】
図において、パッチアンテナ１７０は、ハイブリッド樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるようになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３６】
＜実施例１７＞
図４３、図４４は本発明の第１７の実施態様である多連型のパッチアンテナを示したであり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表している。
【０１３７】
この例では、実施例１６において単独で構成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連とした態様を表している。図において、ハイブリッド樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１６と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【０１３８】
このようにアレイ状に形成することにより、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。
【０１３９】
＜実施例１８＞
図４５〜図４７は、本発明の第１８の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図４５は透過斜視図、図４６は断面図、図４７は等価回路図である。
【０１４０】
図４５〜４７において、ＶＣＯは、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図４７に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１４１】
この例では、共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００７５の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。
【０１４２】
そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図４７の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０１４３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１４４】
＜実施例１９＞
図４８〜図５０は、本発明の第１９の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図４８は各構成層の分解平面図、図４９は断面図、図５０は等価回路図である。
【０１４５】
図４８〜５０において、パワーアンプは、構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５０に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１４６】
この例では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１４７】
そして、これらの構成層３００ａ〜３００ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール３１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品３６１が搭載されて図５０の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。
【０１４８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１４９】
＜実施例２０＞
図５１〜図５３は、本発明の第２０の実施態様を示した光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図５１は各構成層の分解平面図、図５２は断面図、図５３は等価回路図である。
【０１５０】
図５１〜５３において、重畳モジュールは、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図５３に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５１】
この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。
【０１５２】
そして、これらの構成層４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図５３の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
【０１５３】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１５４】
＜実施例２１＞
図５４〜図５７は、本発明の第２１の実施態様を示したＲＦモジュールを示している。ここで図５４は斜視図、図５５は外装部材を外した状態での斜視図、図５６は各構成層の分解斜視図、図５７は断面図である。
【０１５５】
図５４〜５７において、ＲＦモジュールは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。
【０１５６】
この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０の上記複合磁性体層を用いることが好ましい。
【０１５７】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦモジュールが形成される。
【０１５８】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。
【０１５９】
＜実施例２２＞
図５８、図５９は、本発明の第２２の実施態様を示したストリップ共振器を示している。ここで図５８は透過斜視図、図５９は断面図である。
【０１６０】
図５８、５９において、ストリップ共振器は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１６１】
この共振器の構成層７１０の材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１６２】
＜実施例２３＞
図６０は、本発明の第２３の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図である。
【０１６３】
図６０において、ストリップ共振器は実施例２２と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、これを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。また、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され接続されている。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様である。
【０１６４】
この共振器の構成層８１０の材料は、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭＨｚから数ＧＨｚの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ｔａｎδ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。
【０１６５】
図６１は、上記実施例２２，２３の共振器の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
【０１６６】
＜実施例２４＞
図６２は、本発明の第２４の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロック構成図である。
【０１６７】
図において、ベースバンドユニット１０１０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数のＲＦ信号が供給されるようになっている。
【０１６８】
ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。このパワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１００４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続されているアンテナ１００９から送信される。
【０１６９】
アンテナ１００９に入力された受信信号は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力され、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユニットへ送出される。
【０１７０】
本発明では、上記アンテナ１００９，デュプレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むアンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプモジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブリッドモジュールとして構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして構成できることは既に実施例２１で示した通りであり、ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１１および１８に示した手法に倣って構成することができる。
【０１７１】
本発明は、上記に例示した電子部品以外に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、ＰＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等に応用することができる。
【０１７２】
以上の各実施例において、必要によりハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。
【０１７３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、少なくとも高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優れた磁性基板を用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総合的な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。
【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す等価回路図である。
【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。
【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す等価回路図である。
【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。
【図２７】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２８】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図２９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示す図である。
【図３０】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内部結線を示す図である。
【図３１】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等価回路を示す図である。
【図３２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３３】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３４】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３５】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３６】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを示す図である。
【図３７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図３９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４１】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４２】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアンテナを示す図である。
【図４５】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図４６】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図４７】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図５１】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５２】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図５３】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図５４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５５】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５６】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５７】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュールを示す図である。
【図５８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図５９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６０】本発明の電子部品の構成例である共振器を示す図である。
【図６１】本発明の電子部品の構成例である共振器の等価回路を示す図である。
【図６２】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の高周波部を示すブロック図である。
【図６３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図６４】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図６５】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図６６】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図６７】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図６８】多層基板の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
１０ インダクタ
１０ａ〜１０ｅ 構成層
１１ ランドパターン
１２ 貫通ビア
１３ 内部導体（コイルパターン）
１４ ビアホール
２０ キャパシタ
２０ａ〜２０ｇ 構成層
２１ ランドパターン
２２ 貫通ビア
２３ 内部導体（内部電極パターン）
４０ バルントランス４０
４０ａ〜４０ｏ構成層
４５ ＧＮＤ導体
４３ 内部導体４３
６０ 積層フィルター
８０ ブロックフィルター
１１０ カプラ
１３０、１４０ アンテナ
１５０、１６０、１７０ パッチアンテナ
Claims (5)
- 樹脂中に磁性粉が分散されたハイブリッド材により形成されている少なくとも２種以上の構成層を有する積層電子部品からなり、
前記ハイブリッド材の少なくとも１層には導電体層が形成され、
この導電体層により所定の電気回路が構成されている積層電子部品。 - １００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使用される請求項１の積層電子部品。
- 前記構成層のうち少なくとも強化繊維を包含する層を１層有する請求項１または２の積層電子部品。
- 前記ハイブリッド材の磁性粉の含有量が１０〜６５体積％であり、
全体の透磁率が３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有する請求項１〜３のいずれかの積層電子部品。 - 少なくともいずれかの層に１種または２種以上の難燃剤を含有する請求項１〜４のいずれかの積層電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003153900A JP2004006897A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 積層電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003153900A JP2004006897A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 積層電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163418A Division JP2001345212A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 積層電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004006897A true JP2004006897A (ja) | 2004-01-08 |
Family
ID=30438193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003153900A Pending JP2004006897A (ja) | 2003-05-30 | 2003-05-30 | 積層電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004006897A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7864115B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| JP2012023392A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル |
-
2003
- 2003-05-30 JP JP2003153900A patent/JP2004006897A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7864115B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US8120538B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US8310399B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US8618987B2 (en) | 2005-04-27 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US9318800B2 (en) | 2005-04-27 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US9767406B2 (en) | 2005-04-27 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| US10396447B2 (en) | 2005-04-27 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip |
| JP2012023392A (ja) * | 2011-09-29 | 2012-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リアクトル |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100500150B1 (ko) | 전자부품 | |
| CN100409384C (zh) | 电子部件用基板和电子部件 | |
| US7060350B2 (en) | Composite magnetic material and magnetic molding material, magnetic powder compression molding material, and magnetic paint using the composite magnetic material, composite dielectric material and molding material, powder compression molding material, paint, prepreg, and substrate using the composite dielectric material, and electronic part | |
| US6808642B2 (en) | Method for producing multilayer substrate and electronic part, and multilayer electronic part | |
| EP1113459A2 (en) | Composite dielectric material containing ceramic powders and substrate coated with this material | |
| JP2001338813A (ja) | 電子部品 | |
| JP2003297634A (ja) | 電子部品 | |
| JP3546001B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2003273520A (ja) | 積層モジュール | |
| JP2004363553A (ja) | 基板と積層電子部品と基板の製造方法 | |
| JP2004221603A (ja) | カプラ | |
| JP3443808B2 (ja) | 積層基板および電子部品の製造方法 | |
| JP2002175921A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2004201333A (ja) | バルントランス | |
| JP2004111908A (ja) | 高周波電子部品 | |
| JP2003318029A (ja) | 積層電子部品 | |
| JP2002203719A (ja) | 積層電子部品 | |
| JP2004006897A (ja) | 積層電子部品 | |
| JP2004207747A (ja) | キャパシタ | |
| JP2004158879A (ja) | インダクタ | |
| JP2003309425A (ja) | パッチアンテナ | |
| JP2004096713A (ja) | アンテナ | |
| JP2004165698A (ja) | 基板 | |
| JP2004207746A (ja) | モジュール | |
| JP2004173308A (ja) | アンテナ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031215 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060221 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060620 |