JP2002203719A

JP2002203719A - 積層電子部品

Info

Publication number: JP2002203719A
Application number: JP2000401493A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-12-28
Filing date: 2000-12-28
Publication date: 2002-07-19

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】従来の基板よりも薄型化が可能で、ハンドリ
ング時の強度的な問題も生じない積層電子部品を提供す
る。【解決手段】少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが
樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成
層を有し、この構成層の厚みが２〜４０μmであり、こ
の構成層は、剥離シートにより導電体層が転写されてい
る構成の積層電子部品とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた積層電子部品や積層回路に関し、特に層間
の厚みを薄くすることが可能な積層電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、これら焼結フェライトや焼
結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数
が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特
有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の
違い等によるクラックの発生等といった問題が多いこと
から、樹脂系材料への要求が年々高まっている。

【０００５】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、これと
併せて透磁率の向上を図ることも困難である。このた
め、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性
を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小
型、薄型化を図ることが困難である。

【０００６】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平１０−２７０２５５号
公報、同１１−１９２６２０号公報、同８−６９７１２
号公報に開示されているが、いずれも十分な誘電率や、
これと併せて透磁率を得られてはいない。誘電率を上げ
るためにセラミック粉末の充填率を上げると、強度が低
下し、ハンドリング時や加工時に破損しやすくなるとい
った問題もあった。

【０００７】また、これらの基板は、ガラスクロスなど
の補強材料にペーストを含浸させることにより構成され
ている。このため、ガラスクロスの厚み以下には構成層
の厚みを薄くすることができず、しかもガラスクロスと
素地間の吸湿による信頼性の面での特性劣化等の問題も
有していた。

【０００８】ガラスクロスを用いない基板の構成の例と
しては、例えば特公平６−１４６００号公報に開示され
ている。この公報では、ＰＥＴフィルムに塗布、乾燥す
ることにより、１５０μm 厚のシートを得ている。しか
し、この公報の基板はシート厚が１５０μm と厚く、し
かも電極の形成方法についての記載がみられないため、
通常の方法により作製されているものと考えると、ハン
ドリング時、特にエッチング工程での強度面での問題も
あり、それ以上の薄型化は困難である。

【０００９】特に、近年、携帯機器の急速な発展と普及
により、小型、薄型の機器を実現する上で基板の薄型化
は極めて重要である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の基板よりも薄型化が可能で、ハンドリング時の強度的
な問題も生じない積層電子部品を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明の構成により達成される。（１）少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが樹脂中
に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有
し、この構成層の厚みが２〜４０μm である積層電子部
品。（２）前記構成層は、剥離シートにより導電体層が転
写されている上記（１）の積層電子部品。（３）１種または２種以上の難燃剤を含有する上記
（１）または（２）の積層電子部品。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の積層電子部品は、少なくとも誘電体、磁
性体のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロス
を含有しない構成層を有し、この構成層の厚みを２〜４
０μm としたものである。

【００１３】このように、ガラスクロスなどの補強部材
を包含せず、厚みが４０μm 以下の構成層を有すること
により、薄型の積層電子部品を提供することができる。

【００１４】このような厚みが４０μm 以下の構成層
は、剥離シートにより電極層を転写することにより形成
することができる。すなわち、転写シート上に銅箔を固
定し、これをエッチングしてパターン形成し、さらにこ
の銅箔パターンを厚みが４０μm 以下のプリプレグに転
写する。このように、あらかじめ転写シートに銅箔を設
けてパターニングすることにより、エッチング工程など
で必要とされるプリプレグの強度が不要となり、４０μ
m 以下の薄いプリプレグに導体パターンを形成すること
ができる。

【００１５】こうして得られた構成層を用いることによ
り、（１）小型で高性能で加工性がよく、比重が軽く、柔軟
性のある積層電子部品、多層回路基板を得ることができ
る。（２）異なった特性を有する材料を多層化しても、高い
柔軟性のため、クラック、剥がれ、反りなどの問題が生
じ難く高機能の積層電子部品を得ることができる。（３）焼成、厚膜印刷等の工程がないため、製造しやす
く、不具合の起き難いライン設計が可能となる。（４）ガラスクロスレスなので信頼性が高く、粉の充填
度を上げることができ、高誘電率化、高透磁率化を図る
ことができる。（５）エッチングによりパターン形成するので、パター
ン精度が非常に高くなる。（６）ガラスクロスを含有しないので、ロット間での特
性変動が少ない。（７）さらに、ガラスクロスを含有する層を積層するこ
とにより、容易に強度を増すことができる。（８）難燃剤を添加することにより、難燃性を有する積
層電子部品とすることもできる。等といった効果が得られる。

【００１６】構成層の厚みは２〜４０μm 、好ましくは
５〜３５μm 、より好ましくは１５〜２５μm である。
構成層の厚みが厚くなると、積層電子部品自体の厚みが
増し、小型、薄型の積層電子部品を得られ難くなる。ま
た、コンデンサを形成したときに、所望の容量が得られ
難くなる。厚みが薄すぎると強度が低下し、形状を保持
することが困難になってくる。

【００１７】導電体層の転写に用いられる剥離シートと
しては、特に限定されるものではなく、エッチング工程
に耐えうる強度と化学的安定性を有し、導電体層の転写
に必要な接着性、剥離性を有するものであればよい。具
体的には、樹脂フィルム等の支持体上に、接着層を有す
る構造のものがよい。

【００１８】支持体は、例えば、ポリテトラフルオロエ
チレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロ
エチレン−エチレンコポリマー、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル
などのフッ素樹脂からなるプラスチックフィルム、ポリ
エチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチ
レンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエステル
フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィ
ルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォ
ンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレン
スルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルム
が挙げられる。

【００１９】なかでも、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム、二軸延伸ポリプロピレン（ＯＰ
Ｐ）フィルム、メチルペンテンコポリマー（ＰＴＸ）フ
ィルム、フッ素樹脂フィルムなどが好ましい。なお、フ
ッ素樹脂フィルムは、フッ化エチレン（１Ｆ）、３フッ
化エチレン（３Ｆ）および４フッ化エチレン（４Ｆ）か
らなるフィルムが好ましい。

【００２０】これらプラスチックフィルムは、その厚み
が約１０μｍ〜２００μｍ、特に約１５μｍ〜１５０μ
ｍであることが好ましい。

【００２１】接着層は、特に加熱によりその接着力が低
下する特性を有することが望ましい。このような接着層
として、母材となるベースポリマー中に発泡剤を配合し
て構成され、加熱により発泡剤が発泡することにより、
接着力が低減または消失する特性を有するものが挙げら
れる。ベースポリマーは、具体的には高弾性ポリマーか
らなり、特に動的弾性率が常温から１５０℃において５
０万〜１０００万μN／cm² 、好ましくは５０万〜８０
０万μN／cm² の範囲内にあるものが好ましい。前記の
動的弾性率が５０万μN／cm² 未満では常温での接着力
が大きくて貼り直し性に劣り、加熱処理による接着力の
低下性に乏しく、接着力が上昇する場合もある。一方、
動的弾性率が１０００万μN／cm² を超えると常温での
接着力に乏しく、加熱処理時に発泡剤の膨脹ないし発泡
が抑制されて接着力が満足に低下しない。

【００２２】さらに高弾性ポリマーは、常温から１５０
℃における動的弾性率の変化率が小さいものが好まし
い。その変化程度は５倍以内、特に３倍以内が好まし
い。高弾性ポリマーを形成するモノマー成分等について
は特に限定はない。アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧
接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系感圧
接着剤など、公知の感圧接着剤の調製に用いられるモノ
マー成分のいずれも用いることができる。

【００２３】その具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イ
ソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル
基、ラウリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキ
サデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデ
シル基、エイコシル基の如き通例、炭素数が２０以下の
アルキル基を有するアクリル酸ないしメタクリル酸の如
きアクリル酸系アルキルエステル、アクリル酸、メタク
リル酸、イタコン酸、アクリル酸ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプ
ロピル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、Ｎ−メチロ
ールアクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジ
ル、酢酸ビニル、スチレン、イソプレン、ブタジエン、
イソブチレン、ビニルエーテルなどがあげられる。ま
た、上記した高弾性ポリマーの条件を満足する天然ゴム
や再生ゴムなどもベースポリマーに用いることができ
る。

【００２４】発泡剤は、種々の無機系や有機系の発泡剤
を用いることができ、その配合量は接着力を低下させる
程度に応じて適宜に決定してよい。一般には、ベースポ
リマー１００重量部あたり１〜１００重量部、好ましく
は５〜５０重量部、特に１０〜４０重量部配合される。

【００２５】無機系発泡剤の代表例としては、炭酸アン
モニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウ
ム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、ア
ジド類などがあげられる。

【００２６】有機系発泡剤の代表例としては、水、トリ
クロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタ
ン等の塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリル
やアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレ
ート等のアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラ
ジドやジフェニルスルホン−３，３′−ジスルホニルヒ
ドラジド、４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニル
ヒドラジド）、アリルビス（スルホニルヒドラジド）等
のヒドラジン系化合物、ｐ−トルイレンスルホニルセミ
カルバジドや４，４′−オキシビス（ベンゼンスルホニ
ルセミカルバジド）の如きセミカルバジド系化合物、５
−モルホリル−１，２，３，４−チアトリアゾールの如
きトリアゾール系化合物、Ｎ，Ｎ′−ジニトロソペンタ
メチレンテトラミンやＮ，Ｎ′−ジメチル−Ｎ，Ｎ′−
ジニトロソテレフタルアミド等のＮ−ニトロソ系化合物
などがあげられる。発泡剤をマイクロカプセル化した熱
膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点により
好ましく用いられる。熱膨張性粒子には、マイクロスフ
ェア（商品名、松本油脂社製）などの市販品もある。な
お本発明においては、必要に応じて発泡助剤を添加して
もよい。なお本発明で用いる接着層の詳細は、熱剥離性
粘着剤等として、特開平５−４３８５１号公報および特
開平６−３０６３３７号公報に記載されている。

【００２７】本発明の積層電子部品に用いられる樹脂は
特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時
の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選
択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。

【００２８】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オ
キサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネー
トエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等
が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、ＢＴレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹
脂等が、ベースレジンとして好ましい。

【００２９】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。

【００３０】本発明に用いる誘電体は、セラミクス粉末
が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂
よりも大きい比誘電率とＱを持つセラミクス粉末であれ
ばよく、２種類以上用いてもよい。

【００３１】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比
誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下の
ものを使用することが好ましい。

【００３２】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、ＣａＷＯ₄ 系セラミックス、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ
₃ 系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ₃ 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。

【００３３】誘電率をあまり高くせずに、高いＱを得る
ためには以下の材料を用いることが好ましい。

【００３４】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
（タルク）。

【００３５】これらは単独で用いてもよいし２種以上を
混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。

【００３６】具体的には、比較的高い誘電率を必要とし
ない場合には以下の材料が好ましい。

【００３７】Ｍｇ₂ＳｉＯ₄［ε＝７、Ｑ＝２０００
０］、Ａｌ₂Ｏ₃［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、Ｍｇ
ＴｉＯ₃［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ
₃［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ₂ＴｉＯ₄［ε＝１
５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ₂［ε＝１０４、Ｑ＝１５０
００］、ＣａＴｉＯ₃［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、
ＳｒＴｉＯ₃［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ₃
［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ₂Ｏ₅［ε＝４
２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ₄Ｏ₉［ε＝３８、Ｑ＝９
０００］、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀［ε＝３９、Ｑ＝９００
０］、Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀［ε＝３７、Ｑ＝５０
００］、ＺｒＴｉＯ₄［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ₄［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、
ＢａＮｄ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、Ｂａ
Ｓｍ₂ＴｉＯ₁₄［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ₂Ｏ ₃
−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝８８、Ｑ＝２０
００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝
９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ₂Ｏ₃、ＰｂＯ）−ＢａＯ
−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系［ε＝１０５、Ｑ＝２５０
０］、Ｌａ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎ
ｄ₂Ｔｉ₂Ｏ₇［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓ
ｍ）ＴｉＯ₃［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ
_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ
（Ｚｎ_1/3Ｔａ_2/3）Ｏ₃［ε＝３０、Ｑ＝１４００
０］、Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４１、Ｑ＝９
２００］、Ｓｒ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃［ε＝４０、Ｑ
＝４０００］等。

【００３８】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。ＴｉＯ₂、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、
ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、Ｂｉ₂Ｏ₃−ＢａＯ−Ｎ
ｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、
Ｂａ₂（Ｔｉ，Ｓｎ）₉Ｏ₂₀系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系、Ｚ
ｎＯ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂系、Ａｌ₂Ｏ₃ 等。

【００３９】一方、比較的高い誘電率を必要とする場合
には以下の材料が好ましい。

【００４０】ＢａＴｉＯ₃［ε＝１５００］、（Ｂａ，
Ｐｂ）ＴｉＯ₃系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚ
ｒ）Ｏ₃系［ε＝９０００］（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃系
［ε＝７０００］。

【００４１】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ
（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃系。

【００４２】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。

【００４３】セラミクスの含有量は、樹脂とセラミクス
粉末との合計量を１００体積％としたとき、セラミクス
粉末の含有量は１０体積％以上６５体積％未満であり、
好ましくは２０体積％以上６０体積％以下の範囲であ
る。

【００４４】セラミクス粉末が６５体積％以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が１０体積％未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。

【００４５】本発明の積層電子部品は、各成分を上記の
範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られ
る誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比
誘電率と高いＱを得ることが可能となる。

【００４６】誘電体は、円形や楕円形でも破砕粉のよう
に不定型であってもよい。投影形状が円形である球状の
ものの平均粒径は、０．１〜４０μm 、特に０．５〜２
０μm が好ましい。

【００４７】平均粒径が０．１μm より小さいと、粒子
の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上
昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難く
なってくる。逆に４０μm より大きいと、均一な分散・
混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均
一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密
な成型体を得られ難くなる。

【００４８】破砕粉を用いる場合、粒径は０．０１〜４
０μm 、特に０．０１〜３５μm であることが好まし
く、平均粒径は１〜３０μm であることが好ましい。こ
のような粒径とすることによって、破砕粉の分散性が良
好となる。これに対し、破砕粉の粒径がこれより小さい
と、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になって
くる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に
沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。ま
た、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合
に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径
をあまり小さくすることは実際上困難であり、０．０１
μm 程度が限度である。

【００４９】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００５０】また、円形状の誘電体に加えて破砕粉を含
有していてもよい。誘電体破砕粉を含有することによ
り、さらに充填率を向上させることができる。

【００５１】本発明の積層電子部品は、誘電体とは別
に、あるいは誘電体に加えて１種または２種以上の磁性
体を含有していてもよい。

【００５２】磁性体材料であるフェライトとしては、Ｍ
ｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などで
あり、特にこれらの単結晶、あるいはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００５３】磁性体材料である強磁性金属としては、カ
ーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素
系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金
（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバ
ルト系）などが好ましい。

【００５４】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００５５】磁性体材料粉の粒径や形状は、上記誘電体
材料と同様であり、誘電体と同様に表面が平滑な材料が
好ましいが、破砕粉を用いてもよい。破砕粉を用いる効
果は上記と同様である。

【００５６】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性体材
料粉を２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意で
あり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整
すればよい。

【００５７】磁性体材料粉の透磁率μは１０〜１０００
０００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は
高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。

【００５８】樹脂と磁性体材料粉との混合比としては、
形成される構成層全体の透磁率が３〜２０となるように
添加されることが好ましい。特に成形するペースト段階
で、樹脂と磁性材料粉との比率で示した場合、磁性材料
粉の含有量は１０〜６５体積％、特に２０〜６０体積
％であることが好ましい。このような磁性材料粉の含有
量とすることで、構成層全体の透磁率が３〜２０とな
り、所望の電気特性が得られ易くなる。これに対し、磁
性材料粉の含有量が多くなると、誘電率が低下し、スラ
リー化して塗工することが困難になり、積層電子部品の
作製が困難になる。一方、磁性材料粉の含有量が少なく
なると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性
を付与することが困難となる。

【００５９】本発明に用いられる難燃剤としては、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エス
テル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、
リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アン
チモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いること
ができる。

【００６０】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。

【００６１】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。

【００６２】金属箔の厚みとしては、９〜３２μm が好
ましく、薄型化を考えると５〜１８μm が好ましい。

【００６３】本発明の積層電子部品は、上記ガラスクロ
スレス構成層に加えて、ガラスクロス等の強化繊維を含
有する構成層を有していてもよい。強化繊維を含有する
構成層を有することにより、積層電子部品全体の強度を
向上させることができる。

【００６４】このようなガラスクロス含有構成層に用い
られるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じ
て種々のものであってよく、市販品をそのまま用いるこ
とができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応
じてＥガラスクロス（ε＝７、tanδ＝０．００３、
１ＧHz）、Ｄガラスクロス（ε＝４、tanδ＝０．００
１３、１ＧHz）、Ｈガラスクロス（ε＝１１、tanδ
＝０．００３、１ＧHz）等を使い分けてもよい。ま
た、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行
ってもよい。その厚さは１００μm 以下、特に２０〜６
０μm であることが好ましい。布重量としては、１２０
g／m² 以下、特に２０〜７０g／m² が好ましい。

【００６５】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
重量比で、樹脂／ガラスクロスが４／１〜１／１である
ことが好ましい。このような配合比とすることによって
本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さく
なって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との密着力
が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が
大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用できる
ガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保
が困難となる。

【００６６】本発明では２種以上の異なる構成層を用い
た積層体により、積層電子部品を構成してもよい。ま
た、各構成層に２種以上の異なる分散材料を含有させて
もよい。このように２種以上の種類の異なる構成層を組
み合わせたり、２種以上の異なる粉体、また同種であっ
ても組成、電気（誘電率等）、磁気特性の異なる粉体と
樹脂とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整
が容易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整する
ことができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁
率を最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化
が実現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な
電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で
良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることに
より、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることがで
きる。

【００６７】また、このようなハイブリッド層を用いて
多層回路基板、積層電子部品を形成する場合、接着剤等
を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現
でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパ
ターニングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ
工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を
図ることができる。また、このようにして得られる基板
による積層電子部品は、高強度で、高周波特性の向上し
たものである。

【００６８】まら、誘電率を高めることで波長短縮効果
が得られる。すなわち、基板上での実行波長λは、 λ＝λ0 ／（ε・μ）^1/2 で与えられる。ここで、λ0 は実際の波長、ε、μは積
層電子部品や多層回路基板の誘電率、透磁率である。従
って、例えばλ／４の積層電子部品、多層回路基板を設
計する場合、その回路を構成する部材のε、μを高める
ことで、長さλ／４が必要な部分を、ε、μの積の平方
根で除した値だけ小さくすることができる。従って、積
層電子部品、基板材料の少なくともεを高めることによ
り積層電子部品、多層回路基板の大きさを小さくするこ
とができる。

【００６９】また、比較的周波数の低い領域で良好な電
気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良
好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域、具体的には１〜２０００MHz、特
に５０〜１０００MHzの広い周波数帯域で良好なＨＰＦ
等の電気特性を得ることができる。

【００７０】具体的には、波長短縮効果だけを考えた場
合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を
達成することが可能である。しかし、このような高誘電
率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補
う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばＢａＴｉＯ
₃ 、ＢａＺｒＯ₃ 等と共に、高周波特性に優れた磁性材
料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高
周波領域においても所望の特性を得ることができる。

【００７１】このような、波長短縮と高周波特性の必要
な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、
誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、ＶＣＯ（電圧制御
発振器）、ＲＦ（高周波）ユニット、共振器等を挙げる
ことができる。

【００７２】さらに、ある材料を用いて一つの電気的特
性を高めたとき、他の材料により不足した電気特性を補
うことができる。

【００７３】本発明において、積層電子部品の基礎とな
るプリプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体材
料、磁性体材料と樹脂、必要により難燃剤とを含み、溶
剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥
（Ｂステージ化）する工程に従う。この場合に用いられ
る溶剤は揮発性溶剤が好ましく、極性中性溶媒が特に好
ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的
で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の
方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、
またはガラスクロス上に含浸することにより、形成する
ことができる。

【００７４】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有する誘電体材料粉、磁性体材料粉、難燃剤の含有量な
どにより適宜調整すればよい。乾燥、Ｂステージ化した
後の厚みは２０μm 以下が好ましく、その用途や要求さ
れる特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等により
最適な膜厚に調整すればよい。

【００７５】積層電子部品の構成層となる基板、および
プリプレグは、塗工法や、材料を混練し、固体状とした
混練物を成型することによっても得ることができる。

【００７６】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。

【００７７】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、４０μm 以下程度である。プリプレグの厚みは、
所望する板厚、誘電体材料粉、磁性体材料粉の含有率に
応じて適宜調整すればよい。

【００７８】本発明の積層電子部品は、図４５，４６に
示すような方法により製造することができる。

【００７９】先ず、図４５の工程Ａに示されるように、
所定厚さの転写フィルム１０３に所定厚さの導電体層で
ある銅（Ｃｕ）箔１０２を重ねて接着させる。次に、工
程Ｂに示すように、銅箔１０２を所望のパターン形状に
パターニングする。次に、工程Ｃに示すように、一対の
パターン形成された銅箔１０２を有する転写フィルム１
０３を、プリプレグ１０１を挟んで上下に配置する。そ
して、工程Ｄに示すように、上下の転写フィルム１０３
側から、プリプレグ１０１方向に加熱圧着（ラミネー
ト）する。このとき、好ましい態様では、加熱により転
写フィルムの発泡性接着層が膨張し、転写フィルムから
銅箔が剥離しやすくなる。このときの、加熱・加圧条件
としては、温度：９０〜１７０℃、特に１１５〜１２５
℃、圧力：静水圧加圧換算で５〜３０kg/m² 、特に１０
〜１５kg/m² 、処理時間２０〜３０分間程度である。

【００８０】次に、図４６の工程Ｅに示すように、転写
フィルム１０３を剥離すると、両面銅箔１０２付プリプ
レグ１０１が得られる。さらに、工程Ｆに示すように、
必要によりこのプリプレグ１０１を挟んで上下に他のプ
リプレグ１０１ａを配置し、工程Ｇに示すようにプリプ
レグ１０１方向に加熱圧着（ラミネート）することによ
り、内部導体パターン１０２を有する積層電子部品が得
られる。

【００８１】本発明の積層電子部品は、コンデンサ（キ
ャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルター等の
他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅
素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、ＲＦモジュ
ール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回路）、パ
ワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピッ
クアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用
電子部品を得ることができる。

【００８２】

【実施例】以下、本発明の具体的実験例、実施例を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。

【００８３】＜実施例１＞図１、図２は、本発明の第１
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図１は
透視斜視図、図２は断面図を表している。

【００８４】図において、インダクタ１０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１
０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている
内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３
を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。
このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチン
グ等により形成することができる。また、形成されたコ
イルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成
された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア
１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断さ
れた構造となっている。これは、集合基板で複数の素子
を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の
中心から切断するためである。

【００８５】このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０
ｅの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４
０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。

【００８６】チップインダクタとしては、Ｌ値を大きく
するために、ベース基板の透磁率を大きくする必要があ
る。また、ＥＭＣ対策用として、ビーズを使用する場
合、インピーダンスを高くとるためにはできるだけ透磁
率を上げる必要がある。また、層間、すなわち構成層を
薄くし、漏れ電流を減らすことと、同形状で巻数（ター
ン数）を増やすことでＬ値を上げることができる。従っ
て、少なくとも厚みが２〜２０μm であるガラスクロス
レスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整す
るために磁性体粉を含有させることで、小型でＬ値が高
い、あるいはインピーダンスが高いチップインダクタが
得られる。

【００８７】また、高周波用のチップインダクタとして
の用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要
があることから比誘電率を２．６〜３．５とすることが
好ましい。また、共振回路を構成するインダクタにおい
ては、積極的に分布容量を用いる場合があり、このよう
な用途では比誘電率を５〜４０とすることが好ましい。
このようにすることで、素子の小型化、容量素子の省略
を図ることができる。また、このインダクタにおいて
は、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このた
め、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５
とすることにより、材料損失の極めて少ない、Ｑの高い
インダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去の
ための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数で
インピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。こ
のような場合には透磁率を３〜２０と調整することが好
ましい。これにより、高周波ノイズの除去効果を飛躍的
に向上させることができる。また、各構成層は同一でも
異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよ
い。

【００８８】なお、その等価回路を図１０（ａ）に示
す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する積層電子部品（インダクタ）となってい
る。

【００８９】＜実施例２＞図３、図４は、本発明の第２
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は
透視斜視図、図４は断面図を表している。

【００９０】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。

【００９１】＜実施例３＞図５、図６は、本発明の第３
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は
透視斜視図、図６は断面図を表している。

【００９２】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。

【００９３】＜実施例４＞図７、図８は、本発明の第４
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は
透視斜視図、図８は断面図を表している。

【００９４】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【００９５】＜実施例５＞図９は本発明の第５の実施態
様であるインダクタを示した透視斜視図である。

【００９６】この例では、実施例１において単独で構成
されていたコイルを、４連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０
（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜
３１ｄが４連装された積層電子部品（インダクタ）とな
っている。

【００９７】＜実施例６＞図１１、図１２は、本発明の
第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示し
た図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表
している。

【００９８】図において、キャパシタ２０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２
０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている
内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２
３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成
された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン２１とから構成されている。

【００９９】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４
０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。

【０１００】チップコンデンサを小型化するにあたって
は、対向電極の層間の誘電率を上げる必要がある。ま
た、容量を得るためには層間、すなわち構成層はできる
だけ薄い方がよい。従って、少なくとも厚みが２〜４０
μm であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させる
ことで、小型でＣ値が高いチップコンデンサが得られ
る。

【０１０１】また、得られる容量の多様性や精度の点を
考慮すると比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２
５〜０．０２５であることが好ましい。これにより、得
られる容量の範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形
成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要が
ある。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜
０．０２５とすることにより、材料損失の極めて少ない
キャパシタとすることができる。また、各構成層は同一
でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれ
ばよい。

【０１０２】なお、その等価回路を図１４（ａ）に示
す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ３２を有する積層電子部品（コンデンサ）となっ
ている。

【０１０３】＜実施例７＞図１３は本発明の第７の実施
態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。

【０１０４】この例では、実施例６において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）
に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３
２ｄが４連装された積層電子部品（コンデンサ）となっ
ている。

【０１０５】＜実施例８＞図１５〜図１８は、本発明の
第８の実施態様を示したバルントランスを示している。
ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は
各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。

【０１０６】図１５〜１７において、バルントランス４
０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内
部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有
する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状
導体４３を、図１７の等価回路に示される結合ライン５
３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結
している。

【０１０７】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２
〜４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。こ
の構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整する
ために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場
合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成
層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料
により形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、
部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを
用いてもよい。

【０１０８】バルントランスを設計するにあたって小型
化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能のバルントランスが得られる。

【０１０９】また、ある用途によっては比誘電率を２．
６〜４０とし、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜
０．０２５とすることが好ましい。また、他の用途によ
っては透磁率を３〜２０とすることが好ましい。なお、
各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合
わせを選択すればよい。

【０１１０】＜実施例９＞図１９〜図２２は、本発明の
第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。
ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は
等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積
層フィルターは２ポールとして構成されている。

【０１１１】図１９〜２１において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。コンデンサ導体６７はそれぞれ端
面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続
されている。また、その両側面およびそこから僅かに上
下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体
６５と、各ストリップ線路６８の一方端とが接続されて
いる。

【０１１２】ストリップ線路６８は、図２１の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価
回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。

【０１１３】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜
４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。

【０１１４】積層フィルタを設計するにあたり、小型化
を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能の積層フィルタが得られる。

【０１１５】また、比誘電率を２．６〜４０とすること
により、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望
の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップラ
イン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望まし
く、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５
とすることが好ましい。

【０１１６】＜実施例１０＞図２３〜図２６は、本発明
の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示してい
る。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２
５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、こ
の積層フィルターは４ポールとして構成されている。

【０１１７】図２３〜２６において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同
様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省
略する。

【０１１８】＜実施例１１＞図２７〜図３１は、本発明
の第１１の実施態様を示したカプラを示している。ここ
で図２７は透過斜視図、図２８は断面図、図２９は各構
成層の分解平面図、図３０は内部結線図、図３１は等価
回路図である。

【０１１９】図２７〜３１において、カプラ１１０は、
構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に
形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部Ｇ
ＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有
する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトラ
ンスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１
４等で連結している。また。形成されたコイルの終端
と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図２７に示すように、
それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接
続されている。このように構成することにより、図３１
の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１
２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。

【０１２０】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜
４０μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。

【０１２１】カプラを設計するにあたり、小型化を考え
ると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様
に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従
って、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガラスクロ
スレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整
するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能
のカプラが得られる。なお、広帯域化を実現しようとし
た場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。

【０１２２】また、用途や、要求される性能、仕様等に
よりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、
比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数１００Ｍ
Hzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性が得られ
るようになる。また、内部インダクタのＱ値を上げるた
めに、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜０．００７
５とすることが好ましい。これにより、材料損失が極め
て少なく、Ｑ値の高いインダクタを形成でき、高性能の
カプラを得ることができる。

【０１２３】＜実施例１２＞図３２〜図３４は、本発明
の第１２の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）
を示している。ここで図３２は透過斜視図、図３３は断
面図、図３４は等価回路図である。

【０１２４】図３２〜３４において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図３４に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。

【０１２５】この例では、構成層２１０ａ〜２１０ｇの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１２６】特に、コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０
ｅに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、ＶＣＯをより小
型にすることができる。

【０１２７】共振器を構成する構成層２１０ｆ，２１０
ｇでは誘電正接が０．００２５〜０．００７５の構成層
を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０ｃ〜
２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、
比誘電率が５〜４０となるような構成層を用いることが
好ましい。配線、およびインダクタ構成層２１０ａ，２
１０ｂには、誘電正接が０．００２５〜０．００７５、
比誘電率が２．６〜５．０の誘電体層を用いることが好
ましい。

【０１２８】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図３４の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。

【０１２９】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１３０】＜実施例１３＞図３５〜図３７は、本発明
の第１３の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅
部）を示している。ここで図３５は各構成層の分解平面
図、図３６は断面図、図３７は等価回路図である。

【０１３１】図３５〜３７において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図３７に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２
０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１３２】この例では、構成層の少なくともいずれか
には、少なくとも厚みが２〜４０μm であるガラスクロ
スレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が
含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれ
ていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されてい
る必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組
み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、
その一部にガラスクロスを用いてもよい。

【０１３３】特に、コンデンサ構成層３００ａ〜３００
ｃに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、パワーアンプを
より小型にすることができる。

【０１３４】この場合、ストリップラインを構成する構
成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５〜
０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の構成を用いるこ
とが好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃに
は、誘電正接が０．００２５〜０．０２５、比誘電率が
５〜４０となるような構成層を用いることが好ましい。

【０１３５】そして、これらの構成層３００ａ〜３００
ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル３１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品３６１が搭載されて図３７の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。

【０１３６】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１３７】＜実施例１４＞図３８〜図４０は、本発明
の第１４の実施態様を示した光ピックアップなどに使用
される重畳モジュールを示している。ここで図３８は各
構成層の分解平面図、図３９は断面図、図４０は等価回
路図である。

【０１３８】図３８〜４０において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
４０に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１３９】この例では、構成層４００ａ〜４００ｋの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１４０】特に、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００
ｈに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、重畳モジュール
をより小型にすることができる。

【０１４１】この場合、コンデンサ構成層４００ｄ〜４
００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比
誘電率が１０〜４０となるような構成を用いることが好
ましい。インダクタを構成する構成層４００ａ〜４００
ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接が０．００２５〜
０．００７５、比誘電率が２．６〜５．０となるような
構成層を用いることが好ましい。

【０１４２】そして、これらの構成層４００ａ〜４００
ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル４１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品４６１が搭載されて図４０の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。

【０１４３】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１４４】＜実施例１５＞図４１〜図４４は、本発明
の第１５の実施態様を示したＲＦモジュールを示してい
る。ここで図４１は斜視図、図４２は外装部材を外した
状態での斜視図、図４３は各構成層の分解斜視図、図４
４は断面図である。

【０１４５】図４１〜４４において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。

【０１４６】この例では、構成層５００ａ〜５００ｉの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが２〜４０μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。

【０１４７】特に、コンデンサ構成層５００ｅ〜５００
ｆに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、ＲＦモジュール
をより小型にすることができる。

【０１４８】この場合、アンテナ構成、ストリップライ
ン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇは、
０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜５．
０の構成層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層
５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．００７５〜
０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるような構成層
を用いることが好ましい。電源ライン層５００ｈ〜５０
０ｉには、透磁率が３〜２０となるような構成層を用い
ることが好ましい。

【０１４９】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。

【０１５０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１５１】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コモンモードフィルタ、ＥＭＣ
フィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、チョーク
コイル、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、アン
テナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジ
ュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、ＰＬ
Ｌモジュール、フロントエンドモジュール、チューナー
ユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー
（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、ＰＴＣサーミス
タ等に応用することができる。

【０１５２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の基
板よりも薄型化が可能で、高性能、しかもハンドリング
時の強度的な問題も生じない積層電子部品を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図４５】本発明の積層電子部品の構成層の形成例を示
す工程図である。

【図４６】本発明の積層電子部品の構成層の形成例を示
す工程図である。

【符号の説明】

１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４ビアホール２０キャパシタ２０ａ〜２０ｇ構成層２１ランドパターン２２貫通ビア２３内部導体（内部電極パターン）４０バルントランス４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体６０積層フィルター１１０カプラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E070 AA01 AA05 AA16 AB10 BA11 BB03 BB10 CB02 CB12 CB13 CB17 5E082 AA01 AB03 BC21 BC39 FF14 FG26 FG34 PP09 5E346 AA12 AA13 AA22 AA51 CC08 CC21 DD01 DD02 EE09 GG28 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが
樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成
層を有し、この構成層の厚みが２〜４０μm である積層電子部品。
【請求項２】前記構成層は、剥離シートにより導電体
層が転写されている請求項１の積層電子部品。
【請求項３】１種または２種以上の難燃剤を含有する
請求項１または２の積層電子部品。