JP2003289007A

JP2003289007A - 電子部品

Info

Publication number: JP2003289007A
Application number: JP2003011468A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤; Toshiyuki Abe; 敏之阿部; Hisashi Kosara; 恒小更; Masashi Takahara; 誠志高原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 2003-01-20
Publication date: 2003-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】少なくとも高周波特性に優れた樹脂基板と、
高周波特性に優れた磁性基板と、高周波特性に優れた誘
電体基板とのいずれかを用いることで、高周波特性に優
れ、ひいては総合的な電気特性に優れた高周波用電子部
品を提供する。【解決手段】少なくともポリビニルベンジルエーテル
化合物を有する有機誘電体層、ポリビニルベンジルエー
テル化合物に磁性粉が分散されている複合磁性体層、ポ
リビニルベンジルエーテル化合物に誘電体粉末が分散さ
れている複合誘電体層のいずれかを有する構成の電子部
品とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた電子部品や積層回路に関し、特に高周波数
領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、磁気特
性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使用に適
したプリプレグおよび基板を用いた電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。

【０００３】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。

【０００４】しかしながら、焼結フェライト材料では磁
気特性を示す透磁率μの周波数特性が５００ＭHz程度ま
でしか延びないため、ＧHzの高周波帯域での使用は限ら
れてしまっていたり、材料の比誘電率が大きく浮遊容量
の影響を受け、高周波特性の低下という課題を有してい
た。

【０００５】また、単に焼結セラミックを用いたのでは
比誘電率を４以下にすることが困難であり、高周波特性
を高めるためにはさらなる低誘電率かが望まれていた。

【０００６】高周波特性を改善する方法としては、焼結
フェライト等のセラミック磁性材料、もしくはセラミッ
ク誘電材料と有機樹脂材料の複合材料による基板を提供
する試みがなされている（特開平９−７６３４１号公
報、特開平１１−１９２６２０号公報、特開平８−６９
７１２号公報）。しかしながら、未だに所望の高周波特
性を得られていないというのが現状である。

【０００７】さらに、焼結フェライトと焼結セラミック
といった異材質を同一積層基板内部に含有させ、多層化
させる場合においては、線膨張係数の違いによりクラッ
クが発生し易いといった問題も有していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優
れた磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板とのい
ずれかを用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総
合的な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。（１）少なくともポリビニルベンジルエーテル化合物
に誘電体粉末が分散されている複合誘電体層を有し、１
００ＭＨｚ以上の周波数で使用される電子部品。（２）前記ポリビニルベンジルエーテル化合物は、下
記一般式（１）で示されるものである電子部品。

【００１０】

【化２】

【００１１】（式中、Ｒ¹ はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ² は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、Ｒ³ は水素原子またはビニルベンジル基を示
し（但し、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は６
０：４０〜０：１００である）、ｎは２〜４の数を示
す）（３）インダクタである上記（１）の電子部品。（４）キャパシタである上記（１）の電子部品。（５）アンテナである上記（１）の電子部品。（６）パワーアンプである上記（１）の電子部品。（７）ＲＦモジュールである上記（１）の電子部品。（８）フィルタである上記（１）の電子部品。（９）ＶＣＯ(電圧制御発振器）である上記（１）の
電子部品。

【００１２】

【作用】本発明は少なくともポリビニルベンジルエーテ
ル化合物、ポリビニルベンジルエーテル化合物と磁性粉
との複合材料、およびポリビニルベンジルエーテル化合
物と誘電体粉末との複合材料のいずれかを用いて多層基
板を構成することにより、比誘電率が小さく、高周波特
性に優れた磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板
を可能としている。このことが、結果として総合的に高
周波特性に優れた多層基板、これを用いた電子部品を可
能としている。

【００１３】なお、高周波用多層基板としては、フッ素
樹脂、ポリイミド樹脂等の材料により構成されたものも
検討されているが（特開平１１−１１６６７２号公報、
特開平７−３３５４４０号公報）、多層化が困難である
といった課題を有している。このため、本発明のポリビ
ニルベンジルエーテル化合物を用いた基板、およびその
複合材では従来のガラスエポキシ基板と同等の工程で容
易に多層化でき、既存の製造設備を使って製造できるこ
とから製造コストの面でも極めて有用である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の電子部品は、少なくともポリビニルベン
ジルエーテル化合物を有する有機誘電体層、ポリビニル
ベンジルエーテル化合物に磁性粉が分散されている複合
磁性体層、ポリビニルベンジルエーテル化合物に誘電体
粉末が分散されている複合誘電体層のいずれかを有する
樹脂複合型の電子部品である。

【００１５】このような構成とすることによって、誘電
率の調整が容易となり、低誘電率化も可能で、高周波数
領域（１００MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下
の領域）での使用に好適である。また、複合磁性体層は
優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的と
した使用に適している。一方、複合誘電体層は高周波数
帯域で、比較的高いＱやεを得ることも可能であり、こ
うした特性が要求される用途（例えばストリップライン
や、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等
の電子部品）に適した複合誘電体基板となり、しかも高
強度である。

【００１６】また、このような複合磁性体層、あるいは
複合誘電体層を用いて基板、積層型電子部品を形成する
場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパタ
ーニングが実現でき、かつ多層化を実現することができ
る。こうしたパターニングや多層化処理は、通常の基板
製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび
作業性の改善を図ることができる。また、このようにし
て得られる基板による電子部品は、高強度で、高周波特
性の向上したものである。

【００１７】さらに、本発明を説明する。本発明の電子
部品に用いられるポリビニルベンジルエーテル化合物
は、下記一般式（１）で示されるものが好ましい。

【００１８】

【化３】

【００１９】（式中、Ｒ¹ はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ² は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、Ｒ³ は水素原子またはビニルベンジル基を示
し（但し、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は６
０：４０〜０：１００である）、ｎは２〜４の数を示
す）

【００２０】また本発明は、下記一般式（２）

【００２１】

【化４】

【００２２】（式中、Ｒ¹ はメチル基またはエチル基を
示し、Ｒ² は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素
基を示し、ｎは２〜４の数を示す）で示されるポリフェ
ノールと、ビニルベンジルハライドとを、アルカリ金属
水酸化物の存在下で反応させて得られる、上記一般式
（１）で示されるポリビニルベンジルエーテル化合物を
用いてもよい。

【００２３】上記一般式（１）で示される本発明のポリ
ビニルベンジルエーテル化合物において、Ｒ¹ はメチル
基またはエチル基を示し、Ｒ² は水素原子または炭素数
１〜１０の炭化水素基、好ましくはベンジル基を表し、
Ｒ³ は水素原子またはビニルベンジル基を表すものであ
る。ここで、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は
６０：４０〜０：１００である。また、ｎは２〜４の値
を有する。本発明の一般式（１）のポリビニルベンジル
エーテル化合物は、例えば、特開平９−３１００６号公
報に記載されているように、上記一般式（２）に示され
るポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとを反応
させることにより合成することができる。

【００２４】一般式（２）のポリフェノールは、市販さ
れているものを利用することができ、例えば日本石油化
学社製ＰＰ−７００−３００、ＰＰ−１０００−１８０
等が挙げられる。

【００２５】ビニルベンジルハライドとしては、ｐ−ビ
ニルベンジルクロライド、ｍ−ビニルベンジルクロライ
ド、ｐ−ビニルベンジルクロライドとｍ−ビニルベンジ
ルクロライドとの混合体、ｐ−ビニルベンジルブロマイ
ド、ｍ−ビニルベンジルブロマイドおよびｐ−ビニルベ
ンジルブロマイドとｍ−ビニルベンジルブロマイドとの
混合体等が挙げられる。中でも好ましくは、ｐ−ビニル
ベンジルクロライド、およびｐ−ビニルベンジルクロラ
イドとｍ−ビニルベンジルクロライドとの混合体がよ
い。ｐ−ビニルベンジルクロライドを使用すると、対称
性がよくなり、高融点、高軟化点のポリビニルベンジル
エーテル化合物が得られる。また、ｐ−ビニルベンジル
クロライドとｍ−ビニルベンジルクロライドとの混合体
を使用すると、低融点、低軟化点のポリビニルベンジル
エーテル化合物が得られ、作業性が良好となる。

【００２６】ポリフェノールとビニルベンジルハライド
との反応は、とくに制限されるものではないが、例えば
ポリフェノールとビニルベンジルハライドとを、極性中
性溶媒中、アルカリ金属水酸化物を脱塩酸剤として用い
反応させる方法が挙げられる。

【００２７】ポリフェノールとビニルベンジルハライド
との配合割合は、適宜設計することができるが、例えば
モル比として、ポリフェノール：ビニルベンジルハライ
ド＝１００：４０〜１００：１２０であることができ
る。

【００２８】極性中性溶媒としては、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、
Ｎ−メチルピロリドン、ジオキサン、アセトニトリル、
テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエー
テル、１,３−ジメトキシプロパン、１,２−ジメトキシ
プロパン、テトラメチレンスルホン、ヘキサメチルホス
ホアミド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、アセトンおよびこれらの混合物が挙げられる。

【００２９】アルカリ金属水酸化物としては、水酸化カ
リウム、水酸化ナトリウムおよびこれらの混合物等が挙
げられる。アルカリ金属水酸化物の配合割合は、例えば
フェノール性水酸基１モルに対して１.１〜２.０倍モル
程度がよい。

【００３０】反応温度および反応時間は、それぞれ３０
〜１００℃で、０.５〜２０時間であればよい。

【００３１】これとは別の方法として、相間移動触媒、
例えば第４級アンモニウム塩の存在下で、上記ポリフェ
ノールとビニルベンジルハライドとを、水／有機溶剤混
合液中、アルカリ金属水酸化物を脱塩酸剤として１００
℃までの温度で反応させることにより、本発明のポリビ
ニルベンジルエーテル化合物が得られる。

【００３２】なお、上記方法で本発明のポリビニルベン
ジルエーテル化合物を製造した場合、ポリフェノールと
ビニルベンジルハライドの配合設計により、出発原料の
一つである一般式（２）のポリフェノールにおけるフェ
ノール性水酸基が、すべてビニルベンジル基に置換させ
ないものを作ることができる。この場合、上記反応によ
り得られるものは、本発明のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物と一般式（２）のポリフェノールとの混合体で
ある。本発明においては、特定割合未満、すなわち両者
に対して６０モル％未満であれば、このポリフェノール
は存在していてもよい。しかし、６０モル％を超える
と、後に行う硬化反応が十分に達成されず、また良好な
誘電特性を示さなくなるので好ましくない。

【００３３】一般式（２）のポリフェノール水酸基のビ
ニルベンジル基への置換率は、４０〜１００モル％、好
ましくは６０〜１００モル％である。この置換率は、当
然のことながら高ければ高いほど望ましい。この置換率
は、ポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとの配
合設計により適宜調整することができる。

【００３４】ポリフェノールの存在が許されない場合
は、ポリフェノールとビニルベンジルハライドとの配合
設計および適当な手段、例えば溶媒／非溶媒系の組み合
わせによる再沈殿精製法により未反応原料等を除去すれ
ばよい。

【００３５】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物は、それ自体あるいは他の共重合可能な単量体と重合
および硬化させることにより、広い周波数領域で良好で
一定で、且つ温度や吸湿性に依存しにくい誘電特性を示
し、さらに耐熱性にも優れる樹脂として使用することが
できる。

【００３６】共重合可能な単量体としては、例えばスチ
レン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、ジビニルベ
ンジルエーテル、アリルフェノール、アリルオキシベン
ゼン、ジアリルフタレート、アクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル、ビニルピロリドン等が挙げられる。
これらの単量体の配合割合は、ポリビニルベンジルエー
テル化合物に対して、２〜５０重量％程度である。

【００３７】また、本発明のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物は、既知の熱硬化性樹脂、例えばビニルエステ
ル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポ
リフェノールのポリシアナート樹脂、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ビニルベンジル化合物等や、既知の熱可
塑性樹脂、例えばポリエーテルイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂
等と組み合わせて使用することも可能である。その配合
割合は、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物に
対して５〜９０重量％程度である。中でも好ましくは、
ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイ
ミド樹脂、ポリフェノールのポリシアナート樹脂、エポ
キシド樹脂およびこれらの混合物からなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。

【００３８】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物自体、あるいはこの化合物と他の単量体または熱硬化
性樹脂とを含有してなる硬化性樹脂組成物の重合および
硬化は、公知の方法で行うことができる。硬化は、硬化
剤の存在下または不存在下のいずれでも可能である。硬
化剤を使用する場合は、例えば過酸化ベンゾイル、メチ
ルエチルケトンパーオキシド、ジクミルパーオキシド、
ｔ−ブチルパーベンゾエート等の公知のラジカル重合開
始剤を使用することができる。使用量は、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物１００重量部に対して０〜１０重
量部である。

【００３９】硬化温度は、硬化剤の使用の有無および硬
化剤の種類によっても異なるため一概に規定できない
が、２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２５０℃であ
る。温度が２０℃未満では、十分な硬化が得られない。

【００４０】また、硬化の調整のために、ハイドロキノ
ン、ベンゾキノン、銅塩等を配合できる。

【００４１】本発明の電子部品は、上記ポリビニルベン
ジルエーテル化合物から形成され、比誘電率が２．６〜
３．５、誘電正接が０．００２５〜０．００５である有
機誘電体層を少なくとも１層有することが好ましい。こ
のような、有機誘電体層は、分布容量を少なくすること
ができるため、特にコイル等のインダクタ素子の形成に
適している。

【００４２】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に誘電体粉末が分散されていて、前記
誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１であり、全体の比誘電率が５〜
２０、誘電正接が０．００２５〜０．００７５である第
１の複合誘電体層を少なくとも１層有することが好まし
い。このような構成とすることにより、適度な誘電率
と、高いＱとを得ることができ、伝達ロスが少なくな
り、特にバルントランス、アンテナ、パワーアンプ等の
電子回路の形成に適している。

【００４３】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に誘電体粉末が分散されていて、前記
誘電体粉末の比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１、含有量が４０〜６５ vol％で
あり、全体の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５である第２の複合誘電体層を少なく
とも１層有することが好ましい。このような構成とする
ことにより、適度なＱ値と高い誘電率を得ることがで
き、特にコンデンサやパッチアンテナ、あるいはＶＣＯ
（電圧制御発振器）、パワーアンプ等の電子回路の形成
に適している。

【００４４】本発明の電子部品は、ポリビニルベンジル
エーテル化合物中に磁性粉が分散されていて、この磁性
粉の含有量が２５〜６５体積％であり、全体の透磁率が
３〜２０である複合磁性体層を少なくとも１層有するこ
とが好ましい。このような構成とすることにより、適度
な透磁率を確保しつつ低誘電率となり、高周波数領域
（１００MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下の領
域）での使用が可能となり、磁性粉の含有量を大きくで
きることから磁気特性を利用した電子部品や電子部品の
磁気シールドに適したものとなる。

【００４５】これらの構成層は、少なくとも上記いずれ
かの層が一層以上含まれていればよく、目的とする電子
部品の構成、機能等により適宜組み合わせて用いればよ
い。

【００４６】本発明に用いるセラミクス粉末、特に上記
第１の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は高い
Ｑとある程度の比誘電率を持つことを必要とする。特に
２GHzでの比誘電率が２０〜１００００、誘電正接が
０．０１〜０．０００１であることが好ましく、さらに
Ｑが２５０〜５００００であることが好ましい。このよ
うな構成により高いＱと比誘電率の複合誘電体を得るこ
とが可能である。

【００４７】本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波
数帯域において、分散媒となる樹脂よりも大きい比誘電
率とＱを持つセラミクス粉末であればよく、２種類以上
用いてもよい。セラミック粉末は、第１の複合誘電体層
全体の比誘電率が５〜２０、誘電正接が０．００２５〜
０．００７５となるように含有されていればよい。

【００４８】セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶
粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含め
て、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分
とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて２GH
zにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。

【００４９】Mg₂SiO₄[ε=7、Q=20000]、Al₂O₃[ε=9.8、
Q=40000]、MgTiO₃[ε=17、Q=22000]、ZnTiO₃[ε=26、Q=
800]、Zn₂TiO₄[ε=15、Q=700]、TiO₂[ε=104、Q=1500
0]、CaTiO₃[ε=170、Q=1800]、SrTiO₃[ε=255、Q=70
0]、SrZrO₃[ε=30、Q=1200]、BaTi ₂O₅[ε=42、Q=570
0]、BaTi₄O₉[ε=38、Q=9000]、Ba₂Ti₉O₂₀[ε=39、Q=900
0]、Ba ₂(Ti,Sn)₉O₂₀[ε=37、Q=5000]、ZrTiO₄[ε=39、Q
=7000]、(Zr,Sn)TiO₄[ε=38、Q=7000]、BaNd₂Ti₅O₁₄[ε
=83、Q=2100]、BaSm₂TiO₁₄[ε=74、Q=2400]、Bi₂O₃-BaO
-Nd₂O₃-TiO₂系[ε=88、Q=2000]、PbO-BaO-Nd₂O₃-TiO₂系
[ε=90、Q=5200]、(Bi₂O ₃、PbO)-BaO-Nd₂O₃-TiO₂系[ε=
105、Q=2500]、La₂Ti₂O₇[ε=44、Q=4000]、Nd₂Ti ₂O₇[ε
=37、Q=1100]、(Li,Sm)TiO₃[ε=81、Q=2050]、Ba(Mg_1/3
Ta_2/3)O₃[ε=25、Q=35000]、Ba(Zn_1/3Ta_2/3)O₃[ε=30、
Q=14000]、Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃[ε=41、Q=9200]、Sr(Zn
_1/3Nb_2/3)O₃[ε=40、Q=4000]等。

【００５０】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。TiO₂、CaTiO₃、SrTiO₃、BaO-Nd₂O₃-TiO₂
系、Bi₂O₃-BaO-Nd₂O₃-TiO₂系、BaTi₄O ₉、Ba₂Ti₉O₂₀、Ba
₂(Ti,Sn)₉O₂₀系、MgO-TiO₂系、ZnO-TiO₂系、MgO-SiO
₂系、Al₂O ₃、等。

【００５１】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成型体を得られない。

【００５２】本発明の第１の複合誘電体層は、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂と上記セラ
ミクスとを主成分とするものであるが、ポリビニルベン
ジルエーテル化合物とセラミクス粉末との合計量を１０
０vol%としたとき、セラミクス粉末の含有量は１０vol%
以上７０vol%未満であり、好ましくは２０vol%以上６０
vol%以下の範囲である。

【００５３】セラミクス粉末が７０vol%以上であると緻
密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を
添加しない場合に比べて、Ｑが大きく低下することもあ
る。一方、セラミクス粉末が１０vol%未満であると、セ
ラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。

【００５４】本発明の第１の複合誘電体層は各成分を上
記の範囲内で適宜設定することにより、ポリビニルベン
ジルエーテル化合物から得られる樹脂よりも大きくする
ことができ、必要に応じた比誘電率と高いＱを得ること
が可能となる。

【００５５】本発明に用いるセラミクス粉末、特に上記
第２の複合誘電体層に含有されるセラミック粉末は特に
高い比誘電率を持つことを必要とする。

【００５６】比誘電率が、好ましくは比誘電率が２０〜
１００００、誘電正接が０．０１〜０．０００１である
ことが好ましく、さらにＱが２５０〜５００００である
ことが好ましい。このようなセラミクス粉末をポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂中に分散さ
せることで、より高い比誘電率の複合誘電体を得ること
が可能である。

【００５７】本発明に用いるセラミクス粉末は、高周波
数帯域、特に２ＧHzにおいて、第２の複合誘電体層全体
の比誘電率が１０〜４０、誘電正接が０．００７５〜
０．０２５とできる粉末であればよく、２種類以上用い
てもよいが、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末か
ら選択されるものが好ましい。併せて２GHzにおける比
誘電率εを示す。

【００５８】BaTiO₃[ε=1500]、(Ba,Pb)TiO₃系[ε=600
0]、Ba(Ti,Zr)O₃系[ε=9000](Ba,Sr)TiO₃系[ε=7000]。

【００５９】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。BaTiO₃、Ba(Ti,Zr)O₃
系。

【００６０】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。

【００６１】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径０．２〜１００μm 程度が好ま
しく、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成形体を得られない。

【００６２】本発明の第２の複合誘電体層は、ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から得られる樹脂と上記のセ
ラミクスとを主成分とするものであるが、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物とセラミクス粉末との合計量を１
００vol%としたとき、セラミクス粉末の含有量は４０vo
l%以上６５vol%未満であり、好ましくは４０vol%以上６
０vol%以下の範囲である。

【００６３】フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍ
ｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。

【００６４】強磁性金属としては、カーボニル鉄、鉄−
シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：セ
ンダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロ
イ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ま
しい。

【００６５】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。

【００６６】磁性粉の粒径は０．０１〜１００μm であ
ることが好ましく、平均粒径は１〜５０μm であること
が好ましい。このような粒径とすることによって、磁性
粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向上する。こ
れに対し、磁性粉の粒径が大きくなるとペースト化した
際に沈降し易くなり、均一に分散しにくい。また、肉薄
の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の
平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小
さくすることは実際上困難であり、０．０１μm 程度が
限度である。

【００６７】磁性粉の粒度は均一であることが好まし
く、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろえて
もよい。磁性分の形状は、球形、扁平、楕円形のいずれ
のものでも良く、その用途により使い分ければよい。ま
た、必要に応じて表面に酸化、カップリング、有機絶縁
材のコーティングなどの処理を施してもよい。

【００６８】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性粉を
２種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、
用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すれば
よい。

【００６９】磁性粉の透磁率μは１０〜１００００００
であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方
が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。

【００７０】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物と磁性粉との混合比としては、形成される複合磁性体
層全体の透磁率が３〜２０となるように添加されていれ
ばよい。特にガラスクロスなどに塗布するペースト段階
で、樹脂と磁性粉との比率で示した場合、磁性粉の含有
量は２５〜６５ vol％（５０〜９０wt% ）であることが
好ましい。このような磁性粉の含有量とすることで、複
合磁性体層全体の透磁率が３〜２０となり、本発明の効
果が向上する。これに対し、磁性粉の含有量が多くなる
とスラリー化して塗工することが困難になり、基板、プ
リプレグの作製が困難になる。一方、磁性粉の含有量が
少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があり、磁
気特性が低下してしまう。

【００７１】本発明の難燃剤としては、通常基板の難燃
化のために用いられている種々の難燃剤を用いることが
できる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロ
ム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エス
テルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水
素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
これらのなかでも、ハロゲン化リン酸エステル、リン酸
エステルアミド系等が好ましく、特にハロゲン化リン酸
エステルが好ましい。

【００７２】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物と難燃剤との混合比としては、難燃剤にハロゲン化リ
ン酸エステルを用いる場合、ガラスクロスなどに塗布す
るペースト段階で、樹脂とハロゲン化リン酸エステルと
の比率で示した場合、次の関係を満たすことが好まし
い。

【００７３】ポリビニルベンジルエーテル化合物：ハロ
ゲン化リン酸エステル＝１００：１００〜１００：９０
０

【００７４】すなわち、ハロゲン化リン酸エステルの含
有量は４０〜６０wt% であることが好ましい。このよう
な難燃剤の含有量とすることで、本発明の効果が向上す
る。これに対し、難燃剤の含有量が多くなると樹脂の有
する特性、特に電気的特性が劣化してくる。一方、難燃
剤の含有量が少なくなると難燃化が困難となり、特にＵ
Ｌ規格の９４Ｖ０を満足することが困難になってくる。

【００７５】本発明に用いられるガラスクロス等の強化
繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、
市販品をそのまま用いることができる。このときの強化
繊維は、電気的な特性に応じてＥガラスクロス（ε＝
７、tanδ＝０．００３、１ＧHz）、Ｄガラスクロス
（ε＝４、tanδ＝０．００１３、１ＧHz）、Ｈガラ
スクロス（ε＝１１、tanδ＝０．００３、１ＧHz）
等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは１０
０μm 以下、特に２０〜６０μm であることが好まし
い。布重量としては、１２０g／m² 以下、特に２０〜７
０g／m² が好ましい。

【００７６】また、ポリビニルベンジルエーテル化合物
とガラスクロスとの配合比は、重量比で、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物／ガラスクロスが４／１〜１／１
であることが好ましい。このような配合比とすることに
よって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が
小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくなると銅箔との
密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこ
の比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多くなると使用
できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度
の確保が困難となる。

【００７７】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。

【００７８】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。

【００７９】金属箔の厚みとしては、８〜７０μm が好
ましく、特に１２〜３５μm が好ましい。

【００８０】本発明において、電子部品の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物とを含み、溶剤に混練してスラリー化した
ペーストを塗布して、乾燥（Ｂステージ化）する工程に
従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好まし
く、上記極性中性溶媒が特に好ましく、ペーストの粘度
を調整し塗工しやすくする目的で用いられる。混練はボ
ールミル、撹拌等により公知の方法によって行えばよ
い。ペーストを金属箔上に塗工、またはガラスクロス上
に含浸することにより、形成することができる。

【００８１】プリプレグの乾燥（Ｂステージ化）は、含
有するセラミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤の含
有量などにより適宜調整すればよいが、通常、１００〜
１２０℃、０．５〜３時間とすればよい。乾燥、Ｂステ
ージ化した後の厚みは５０〜３００μm 程度が好まし
く、その用途や要求される特性（パターン幅および精
度、直流抵抗）等により最適な膜厚に調整すればよい。

【００８２】プリプレグは、図７２または図７３に示す
ような方法により製造することができる。この場合、図
７２の方法は比較的量産に適しており、図７３の方法
は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行
えるという特徴を有している。図７２において、（ａ）
に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０
１ａは、このロール１０１ａから繰り出され、ガイドロ
ーラ１１１を介して塗工槽１１０に搬送される。この塗
工槽１１０には、溶剤中に分散されているセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物がスラリー状調整されており、この塗工槽
１１０をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に
浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中
のすきまが埋められることになる。

【００８３】塗工槽１１０を通過したガラスクロスは、
ガイドローラー１１２ａ，１１２ｂを介して乾燥炉１２
０に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスク
ロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化され
るとともに、ガイドローラー１２１により方向転換して
巻取ローラ１３０に巻回される。

【００８４】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面にセラ
ミック粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂
が配置されたプリプレグが得られる。

【００８５】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１０３を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１０
０〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１０⁶
Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすればよく、このよ
うな条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好ま
しい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことが
できる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配
置することなく加熱・加圧プレスすればよい。

【００８６】次に、図７３の製造方法について説明す
る。図７３において、（ａ）に示すように、セラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジル
エーテル化合物を溶剤中に分散したスラリー１０２ａを
ドクターブレード１５０等によってクリアランスを一定
に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。

【００８７】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１０３の上面にセラミック
粉末、磁性粉、必要により難燃剤を含有した樹脂が配置
されたプリプレグが得られる。

【００８８】さらに、（ｃ）に示すように、ガラスクロ
ス１０１の上下両面に得られたプリプレグ１０２，１０
３をそれぞれ樹脂１０２側を内面にして配置し、これを
加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属
箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよ
い。

【００８９】電子部品を構成する基板、およびプリプレ
グは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混
練物を成型することによっても得ることができる。この
場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比
較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として
適している。

【００９０】混練は、少なくともポリビニルベンジルエ
ーテル化合物の融点以上である必要がある。ポリビニル
ベンジルエーテル化合物の融点は、通常、５０〜１５０
℃程度である。混練は、ボールミル、撹拌、混練機など
の公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を
用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化
してもよい。

【００９１】得られた、ペレット化、粉末化等された混
練物を金型を用いて加熱・加圧成型する。成型条件とし
ては、１００〜２００℃、０．５〜３時間、４．９×１
０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（５〜８０kgf/cm²）圧力とす
ればよい。

【００９２】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚み
は、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて
適宜調整すればよい。

【００９３】さらに、上記同様に得られたプリプレグの
上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・
加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。加熱
加圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜
７．８４×１０⁶Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすれ
ばよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形
することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分
けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合に
は、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすれば
よい。

【００９４】このようにして得られる成形材料としての
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。

【００９５】本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。

【００９６】このような銅箔付基板には、両面パターン
ニング基板や多層基板などがある。

【００９７】図７４、図７５には両面パターンニング基
板形成例の工程図を示す。図７４、図７５に示されるよ
うに、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）
箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次に
スルーホールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。
形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッ
キ膜４を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパ
ターニングを施し、導体パターン２１を形成する（工程
Ｄ）。その後、図７４に示されるように、外部端子等の
接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッ
キはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉ
メッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解
または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法によ
り行われる。

【００９８】図７６、図７７には多層基板形成例の工程
図であり、４層積層する例が示されている。図７６、図
７７に示されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定
厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する
（工程ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、
導体パターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにし
て得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所
定厚さのプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧
加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリ
リングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホー
ルに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する
（工程ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施
し、導体パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図
７６に示されるように、外部端子との接続のためのメッ
キを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後
にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらに
Ａｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッ
キ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。

【００９９】上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２
００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（１
０〜８０kgf/cm²）の圧力で、０．５〜２０時間とする
ことが好ましい。

【０１００】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。

【０１０１】また、プリプレグや成形材料としての基板
と銅箔とを接着する態様において、前述のセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤とポリビニルベンジルエ
ーテル化合物とブチルカルビトールアセテート等の高沸
点溶剤とを混練して得られた複合誘電体材料や複合磁性
材料ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン
印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図
ることができる。。

【０１０２】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、電子部品を得ることができる。

【０１０３】本発明の電子部品は、上記のようなコンデ
ンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ
ー等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パター
ン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、Ｒ
Ｆモジュール（ＲＦ増幅段）、ＶＣＯ（電圧制御発振回
路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回
路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等
の高周波用電子部品を得ることができる。

【０１０４】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。＜実施例１＞図１、図２は、本発明の第１の実施態様で
あるインダクタを示した図であり、図１は透視斜視図、
図２は断面図を表している。

【０１０５】図において、インダクタ１０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１０ａ〜１
０ｅと、この構成層１０ｂ〜１０ｅ上に形成されている
内部導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３
を電気的に接続するためのビアホール１４とを有する。
このビアホール１４はドリル、レーザー加工、エッチン
グ等により形成することができる。また、形成されたコ
イルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面に形成
された貫通ビア１２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン１１と接続されている。貫通ビア
１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に切断さ
れた構造となっている。これは、集合基板で複数の素子
を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア１２の
中心から切断するためである。

【０１０６】このインダクタ１０の構成層１０ａ〜１０
ｅには、高周波用のチップインダクタとしての用途を考
えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があること
から比誘電率を２．６〜３．５とすることが好ましく、
上記の有機誘電体層を用いることが好ましい。また、共
振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布
容量を用いる場合があり、このような用途では比誘電率
を５〜４０とすることが好ましく、上記の第１、第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。このようにする
ことで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることがで
きる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損
失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接
（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすることに
より、材料損失の極めて少ない、Ｑの高いインダクタを
得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を
考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダン
スをできるだけ大きくする必要がある。このような場合
には透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合
磁性体層を用いることが好ましい。これにより、高周波
ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。
また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な
組み合わせを選択すればよい。

【０１０７】なお、その等価回路を図１０（ａ）に示
す。図１０（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。

【０１０８】＜実施例２＞図３、図４は、本発明の第２
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図３は
透視斜視図、図４は断面図を表している。

【０１０９】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。

【０１１０】＜実施例３＞図５、図６は、本発明の第３
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図５は
透視斜視図、図６は断面図を表している。

【０１１１】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。

【０１１２】＜実施例４＞図７、図８は、本発明の第４
の実施態様であるインダクタを示した図であり、図７は
透視斜視図、図８は断面図を表している。

【０１１３】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１１４】＜実施例５＞図９は本発明の第５の実施態
様であるインダクタを示した透視斜視図である。

【０１１５】この例では、実施例１において単独で構成
されていたコイルを、４連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図１０（ｂ）に示す。図１０
（ｂ）に示されるように、等価回路ではコイル３１ａ〜
３１ｄが４連装された電子部品（インダクタ）となって
いる。

【０１１６】＜実施例６＞図１１、図１２は、本発明の
第６の実施態様であるキャパシタ（コンデンサ）を示し
た図であり、図１１は透視斜視図、図１２は断面図を表
している。

【０１１７】図において、キャパシタ２０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）２０ａ〜２
０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている
内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２
３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成
された貫通ビア２２とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン２１ととから構成されている。

【０１１８】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇには、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると
比誘電率２．６〜４０、誘電正接０．００２５〜０．０
０７５であることが好ましく、上記の有機誘電体層ない
し第１または第２の複合誘電体層のなかから好適なもの
を用いることが好ましい。これにより、得られる容量の
範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。ま
た、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このた
め、誘電正接（ tanδ）を０．００７５〜０．０２５と
することにより、材料損失の極めて少ないキャパシタと
することができる。また、各構成層は同一でも異なって
いてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。

【０１１９】なお、その等価回路を図１４（ａ）に示
す。図１４（ａ）に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となってい
る。

【０１２０】＜実施例７＞図１３は本発明の第７の実施
態様であるキャパシタを示した透視斜視図である。

【０１２１】この例では、実施例６において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例６と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図１４（ｂ）に示す。図１４（ｂ）
に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３
２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）となってい
る。

【０１２２】＜実施例８＞図１５〜図１８は、本発明の
第８の実施態様を示したバルントランスを示している。
ここで図１５は透過斜視図、図１６は断面図、図１７は
各構成層の分解平面図、図１８は等価回路図である。

【０１２３】図１５〜１７において、バルントランス４
０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内
部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有
する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状
導体４３を、図１７の等価回路に示される結合ライン５
３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結
している。

【０１２４】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏは、比誘電率を２．６〜４０とし、誘電正接（ t
anδ）を０．００７５〜０．０２５とすることが好まし
く、上記の有機誘電体層、または第１または第２の複合
誘電体層を用いることが好ましい。また、用途によって
は透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁
性体層を用いることが好ましい。なお、各構成層は同一
でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれ
ばよい。

【０１２５】＜実施例９＞図１９〜図２２は、本発明の
第９の実施態様を示した積層フィルターを示している。
ここで図１９は斜視図、図２０は分解斜視図、図２１は
等価回路図、図２２は伝達特性図である。なお、この積
層フィルターは２ポールとして構成されている。

【０１２６】図１９〜２１において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデン
サ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成
された端部電極（外部端子）１２とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン１１と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接
続されている。

【０１２７】ストリップ線路６８は、図２１の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。このような等価
回路により、図２２に示すような２ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。

【０１２８】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、数
１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特性
が得られるようになる。また、ストリップライン共振器
の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正
接（ tanδ）を０．００２５〜０．００７５とすること
が好ましい。従って、上記の有機誘電体層、または第１
または第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。な
お、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組
み合わせを選択すればよい。

【０１２９】＜実施例１０＞図２３〜図２６は、本発明
の第１０の実施態様を示した積層フィルターを示してい
る。ここで図２３は斜視図、図２４は分解斜視図、図２
５は等価回路図、図２６は伝達特性図である。なお、こ
の積層フィルターは４ポールとして構成されている。

【０１３０】図２３〜２６において、積層フィルター６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同
様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省
略する。

【０１３１】＜実施例１１＞図２７〜図３２は、本発明
の第１１の実施態様を示したブロックフィルターを示し
ている。ここで図２７は透過斜視図、図２８は正面図、
図２９は側面断面図、図３０は平面断面図、図３１は等
価回路図、図３２は金型の構造を示した透過側面図であ
る。なお、このブロックフィルターは２ポールとして構
成されている。

【０１３２】図２７〜図３２において、ブロックフィル
ター８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同
軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この
同軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロ
ック８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体
で構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲に
は、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されて
いる。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分に
コンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデン
サ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、およ
び部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体
８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０
ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導
電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形
成する。

【０１３３】同軸導体８１は、図３１の等価回路図に示
されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線
路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導
体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８
２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成す
る。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍ
および結合係数Ｍにより結合されている。このような構
成により、図３１に示すような等価回路となり、２ポー
ル型の伝達特性を有するブロックフィルターを得ること
ができる。

【０１３４】図３２はブロックフィルター８０の構成ブ
ロック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略
断面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース
１０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成
され、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが
形成されている。構成ブロック８０ａを形成するための
複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注
入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ，１
０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が
満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂
を固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不
要な部分を切断する。こうして、図２７〜図３０に示さ
れる構成ブロック８０ａが形成される。

【０１３５】このようにして形成された構成ブロック８
０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等
の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウ
ム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８
１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。

【０１３６】このブロックフィルタ８０の構成ブロック
８０ａは、比誘電率を２．６〜４０とすることにより、
数１００ＭHzから数ＧHzの帯域において、所望の伝達特
性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失
はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（ tan
δ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好まし
い。従って、上記の有機誘電体層、または第１または第
２の複合誘電体層を用いることが好ましい。

【０１３７】＜実施例１２＞図３３〜図３７は、本発明
の第１２の実施態様を示したカプラを示している。ここ
で図３３は透過斜視図、図３４は断面図、図３５は各構
成層の分解平面図、図３６は内部結線図、図３７は等価
回路図である。

【０１３８】図３３〜３７において、カプラ１１０は、
構成層１１０ａ〜１１０ｃが積層された積層体の上下に
形成、配置された内部ＧＮＤ導体１１５と、この内部Ｇ
ＮＤ導体１１５間に形成されている内部導体１１３を有
する。この内部導体１１３は、２つのコイルによりトラ
ンスが構成されるようにスパイラル状にビアホール１１
４等で連結している。また。形成されたコイルの終端
と、内部ＧＮＤ導体１１５とは、図３６に示すように、
それぞれ端面に形成された貫通ビア１１２とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン１１１と接
続されている。このように構成することにより、図３７
の等価回路図で示すように、２つのコイル１２５ａ，１
２５ｂが結合したカプラ１１０が得られる。

【０１３９】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率を２．６〜４０
とすることにより、数１００ＭHzから数ＧHzの帯域にお
いて、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内
部インダクタのＱ値を上げるために、誘電正接（tan
δ）を０．００２５〜０．００７５とすることが好まし
い。これにより、材料損失が極めて少なく、Ｑ値の高い
インダクタを形成でき、高性能のカプラーを得ることが
できる。従って、上記の有機誘電体層、または第１また
は第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。なお、
各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合
わせを選択すればよい。

【０１４０】＜実施例１３＞図３８〜図４０は、本発明
の第１３の実施態様であるアンテナを示した図であり、
図３８は透視斜視図、図３９（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４０は各構成層の
分解斜視図を表している。

【０１４１】図において、アンテナ１３０は本発明の樹
脂を有する構成層（プリプレグないし基板）１３０ａ〜
１３０ｃと、この構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞ
れ形成されている内部導体（アンテナパターン）１３３
を有する。また、この内部導体１３３の終端部は、アン
テナの端面に形成された貫通ビア１３２およびそれから
僅かに上下面方向に形成されたランドパターン１３１と
接続されている。この例では内部導体１３３は、使用周
波数に対し、約λg ／４長となるようなリアクタンス素
子として構成され、ミアンダ状に形成されている。

【０１４２】このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１
３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電
率はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考
えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用
途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電
率の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４
０、誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好
ましく、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複
合誘電体層のなかから好適なものを用いることが好まし
い。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成
できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要があ
る。このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることにより、材料損失の極めて少な
いアンテナとすることができる。また、用途によっては
透磁率を３〜２０とすることが好ましく、上記複合磁性
体層を用いることが好ましい。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。

【０１４３】＜実施例１４＞図４１、図４２は、本発明
の第１４の実施態様を示したアンテナを示している。こ
こで図４１は透過斜視図、図４２は分解斜視図である。
なお、この例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有す
るアンテナとして構成されている。

【０１４４】図４１、４２において、アンテナ１４０
は、本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基
板）１４０ａ〜１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４
０ｃ上にそれぞれ形成されている内部導体（アンテナパ
ターン）１４３ａを有する。そして、上下の内部導体１
４３ａはビアホール１４４にて接続され、ヘリカル状の
インダクタンス素子を形成するようになっている。その
他の構成要素は実施例１３と同様であり、同一構成要素
には同一符号を付して説明を省略する。

【０１４５】＜実施例１５＞図４３、図４４は、本発明
の第１５の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図４３は透視斜視図、図４４は断面図を表してい
る。

【０１４６】図において、パッチアンテナ１５０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１５９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１５９に対向するように構成層１５０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体
１５９には給電用のスルー導体１５４が給電部１５３で
接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５と
は接続されないようにＧＮＤ導体１５５との間にギャッ
プ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５
５の下部からスルー導体１５４を通って給電が行われる
ようになっている。

【０１４７】このパッチアンテナ１５０の構成層１５０
ａには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率は
できるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考える
と比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、用途
や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率
の材料を用いればよい。通常、比誘電率２．６〜４０、
誘電正接０．００７５〜０．０２５であることが好まし
く、上記の有機誘電体層ないし第１または第２の複合誘
電体層のなかから好適なものを用いることが好ましい。
これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成でき
る。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。
このため、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．０
０７５とすることにより、材料損失の極めて少ない放射
効率の高いアンテナとすることができる。

【０１４８】また、数１００ＭHz以下の周波数帯域にお
いては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得ら
れ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げること
ができる。また、Ｑの周波数ピークを合わせることによ
り、比較的低い周波数においても高いＱが得られる。こ
のため、用途によっては透磁率を３〜２０とすることが
好ましく、上記複合磁性体層を用いることが好ましい。
これにより、数１００ＭHz以下の周波数帯域において高
特性化、小型化を実現できる。また、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。

【０１４９】＜実施例１６＞図４５、図４６は、本発明
の第１６の実施態様であるパッチアンテナを示した図で
あり、図４５は透視斜視図、図４６は断面図を表してい
る。

【０１５０】図において、パッチアンテナ１６０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１６０ａと、この構成層１６０ａ上に形成されているパ
ッチ導体１６９（アンテナパターン）と、このパッチ導
体１６９に対向するように構成層１６０ａの底面に形成
されたＧＮＤ導体１６５とを有する。また、パッチ導体
１６９の近傍にこれと接触しないように給電用の給電導
体１６１が配置され、給電端子１６２を介してこれから
給電が行われるようになっている。給電端子１６２は、
メッキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理
を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等に
より形成することができる。その他の構成要素は実施例
１５と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して
説明を省略する。

【０１５１】＜実施例１７＞図４７、図４８は、本発明
の第１７の実施態様である多層型のパッチアンテナを示
した図であり、図４７は透視斜視図、図４８は断面図を
表している。

【０１５２】図において、パッチアンテナ１７０は本発
明の複合樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板）
１５０ａ、１５０ｂと、この構成層１５０ａ、１５０ｂ
上に形成されているパッチ導体１５９ａ，１５９ｅと、
このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに対向するように構
成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを
有する。また、パッチ導体１５９ａには給電用のスルー
導体１５４が給電部１５３ａで接続され、このスルー導
体１５４はＧＮＤ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅ
とは接続されないようにＧＮＤ導体１５５およびパッチ
導体１５９ｅとの間にギャップ１５６が設けられてい
る。このため、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体
１５４を通ってパッチ導体１５９ａに給電が行われるよ
うになっている。このときパッチ導体１５９ｅにはパッ
チ導体１５９ａとの容量結合およびスルー導体１５４と
のギャップによって形成される容量により給電される。
その他の構成要素は実施例１５と同様であり、同一構成
要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１５３】＜実施例１８＞図４９、図５０は本発明の
第１８の実施態様である多連型のパッチアンテナを示し
たであり、図４９は透視斜視図、図５０は断面図を表し
ている。

【０１５４】この例では、実施例１７において単独で構
成されていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて
４連とした態様を表している。図において、本発明の複
合樹脂を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成
層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１
５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形
成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９
ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに
対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮ
Ｄ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１
８と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説
明を省略する。

【０１５５】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。

【０１５６】＜実施例１９＞図５１〜図５３は、本発明
の第１９の実施態様を示したＶＣＯ（電圧制御発振器）
を示している。ここで図５１は透過斜視図、図５２は断
面図、図５３は等価回路図である。

【０１５７】図５１〜５３において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中
およびその上下面に形成されている導体パターン２６
２，２６３，２６４を有する。このＶＣＯは図５３に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン２６３、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。

【０１５８】この例では、共振器を構成する構成層２１
０ｆ，２１０ｇには誘電正接が０．００２５〜０．００
７５の有機誘電体層、または第１または第２の複合誘電
体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層２１０
ｃ〜２１０ｅには、誘電正接が０．００７５〜０．０２
５、比誘電率が５〜４０となるような第１または第２の
複合誘電体層を用いることが好ましい。配線、およびイ
ンダクタ構成層２１０ａ，２１０ｂには、誘電正接が
０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜３．
５の有機誘電体層を用いることが好ましい。

【０１５９】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図５３の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。

【０１６０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１６１】＜実施例２０＞図５４〜図５６は、本発明
の第２０の実施態様を示したパワーアンプ（電力増幅
部）を示している。ここで図５４は各構成層の分解平面
図、図５５は断面図、図５６は等価回路図である。

【０１６２】図５４〜５６において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。このパワーアンプは図５６に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２
０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１６３】この例では、ストリップラインを構成する
構成層３００ｄ，３００ｅには誘電正接が０．００７５
〜０．０２５、比誘電率が２．６〜４０の有機誘電体
層、または第１または第２の複合誘電体層を用いること
が好ましい。コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃに
は、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、比誘電率が
５〜４０となるような第１または第２の複合誘電体層を
用いることが好ましい。

【０１６４】そして、これらの構成層３００ａ〜３００
ｅの表面には、内部導体３１３、ＧＮＤ導体３１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル３１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品３６１が搭載されて図５６の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。

【０１６５】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１６６】＜実施例２１＞図５７〜図５９は、本発明
の第２１の実施態様を示した光ピックアップなどに使用
される重畳モジュールを示している。ここで図５７は各
構成層の分解平面図、図５８は断面図、図５９は等価回
路図である。

【０１６７】図５７〜５９において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
５９に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。

【０１６８】この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜
４００ｈには、誘電正接が０．００７５〜０．０２５、
比誘電率が１０〜４０となるような第２の複合誘電体層
を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層
４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには誘電正接
が０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。

【０１６９】そして、これらの構成層４００ａ〜４００
ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル４１４により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品４６１が搭載されて図５９の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。

【０１７０】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１７１】＜実施例２２＞図６０〜図６３は、本発明
の第２２の実施態様を示したＲＦモジュールを示してい
る。ここで図６０は斜視図、図６１は外装部材を外した
状態での斜視図、図６２は各構成層の分解斜視図、図６
３は断面図である。

【０１７２】図６０〜６３において、ＲＦモジュール
は、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜
５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン５１３，５１５、５７２と、アンテナパターン５７
３を有する。このＲＦモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。

【０１７３】この例では、アンテナ構成、ストリップラ
イン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇに
は、０．００２５〜０．００７５、比誘電率が２．６〜
３．５の有機誘電体層を用いることが好ましい。コンデ
ンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電正接が０．０
０７５〜０．０２５、比誘電率が１０〜４０となるよう
な第２の複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ラ
イン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０の上
記複合磁性体層を用いることが好ましい。

【０１７４】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆモジュールが形成される。

【０１７５】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Ｑ、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

【０１７６】＜実施例２３＞図６４、図６５は、本発明
の第２３の実施態様を示した共振器を示している。ここ
で図６４は透過斜視図、図６５は断面図である。

【０１７７】図６４、６５において、共振器は、ベース
材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１が形成されて
いる。その形成方法は、実施例１１のブロックフィルタ
と同様である。すなわち、金型成形されたベース材６１
０に、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の
処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム
等により形成された表面ＧＮＤ導体６４７、およびこの
表面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２で接続された同
軸導体６４１と、同軸導体６４１と接続されている共振
器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そして、同軸導体
６４１は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路
であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体６４７が形
成されている。

【０１７８】この共振器のベース材６１０は、比誘電率
を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数
ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるように
なる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えること
が望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．
００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘
電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いる
ことが好ましい。

【０１７９】＜実施例２４＞図６６、図６７は、本発明
の第２４の実施態様を示したストリップ共振器を示して
いる。ここで図６６は透過斜視図、図６７は断面図であ
る。

【０１８０】図６６、６７において、ストリップ共振器
は、長方形のストリップ導体７８４と、これを構成層７
１０を介して上下面より挟み込むようにして配置された
矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有する。また、ストリッ
プ導体７８４両端には共振器用共振器用ＨＯＴ端子７８
１、およびＧＮＤ端子７８２が形成され接続されてい
る。その他の形成方法は、実施例１のインダクタと同様
である。

【０１８１】この共振器の構成層７１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。

【０１８２】＜実施例２５＞図６８は、本発明の第２５
の実施態様を示した共振器を示す透過斜視図である。

【０１８３】図６８において、共振器は実施例２３同様
に、ベース材８１０に２つの貫通孔状の同軸型導電体８
４１，８４２が形成されている。そして、表面ＧＮＤ導
体８４７、およびこの表面ＧＮＤ導体８４７と端部電極
８８２で接続された同軸導体８４２と、同軸導体８４２
と接続用電極８８５を介して接続されている同軸導体８
４１と、この同軸導体８４１と接続されている共振器用
ＨＯＴ端子８８１等を形成する。そして、同軸導体８４
１、８４２は、ある特性インピーダンスを有する同軸型
線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ導体８４７
が形成されている。

【０１８４】この共振器のベース材８１０は、比誘電率
を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzから数
ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるように
なる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えること
が望ましく、誘電正接（ tanδ）を０．００２５〜０．
００７５とすることが好ましい。従って、上記の有機誘
電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用いる
ことが好ましい。

【０１８５】＜実施例２６＞図６９は、本発明の第２６
の実施態様を示したストリップ共振器を示す透過斜視図
である。

【０１８６】図６９において、ストリップ共振器は実施
例２４と同様に、コ字状のストリップ導体８８４と、こ
れを構成層８１０を介して上下面より挟み込むようにし
て配置された矩形状のＧＮＤ導体８８３とを有する。ま
た、ストリップ導体８８４の両端には共振器用共振器用
ＨＯＴ端子８８１、およびＧＮＤ端子８８２が形成され
接続されている。その他の形成方法は、実施例１のイン
ダクタと同様である。

【０１８７】この共振器の構成層８１０の材料は、比誘
電率を２．６〜４０とすることにより、数１００ＭHzか
ら数ＧHzの帯域において、所望の共振特性が得られるよ
うになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑える
ことが望ましく、誘電正接（tanδ）を０．００２５〜
０．００７５とすることが好ましい。従って、上記の有
機誘電体層、または第１または第２の複合誘電体層を用
いることが好ましい。

【０１８８】図７０は、上記実施例２３〜２６の共振器
の等価回路図を示している。図において、共振器用ＨＯ
Ｔ端子９８１は同軸路、またはストリップラインから構
成される共振器９８４，９４１の一端に接続され、その
他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。

【０１８９】＜実施例２７＞図７１は、本発明の第２７
の実施態様である携帯端末機器の高周波部を示したブロ
ック構成図である。

【０１９０】図において、ベースバンドユニット１０１
０から送出された送信信号は、ミキサー１００１により
混成回路１０２１からのＲＦ信号と混合される。この混
成回路１０２１には電圧制御発信回路（ＶＣＯ）１０２
０が接続されていて、フェーズロックループ回路１０１
９と共にシンセサイザー回路を構成し、所定の周波数の
ＲＦ信号が供給されるようになっている。

【０１９１】ミキサー１００１によりＲＦ変調が行われ
た送信信号は、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１００２
を経て、パワーアンプ１００３により増幅される。この
パワーアンプ１００３の出力の一部は、カップラー１０
０４から取り出され、減衰器１００５で所定のレベルに
調整された後、再びパワーアンプ１００３に入力され、
パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カ
ップラー１００４から送出された送信信号は、逆流防止
用のアイソレータ１００６、ローパスフィルタ１００７
を経てデュプレクサ１００８に入力され、これと接続さ
れているアンテナ１００９から送信される。

【０１９２】アンテナ１００９に入力された受信信号
は、デュプレクサ１００８からアンプ１０１１に入力さ
れ、所定のレベルに増幅される。アンプ１０１１から出
力された受信信号は、バンドパスフィルタ１０１２を経
てミキサー１０１３に入力される。このミキサー１０１
３には、前記混成回路１０２１からのＲＦ信号が入力さ
れ、ＲＦ信号成分が除去され、復調される。ミキサー１
０１３から出力された受信信号は、ＳＡＷフィルタ１０
１４を経てアンプ１０１５で増幅された後、ミキサー１
０１６に入力される。ミキサー１０１６には局部発信回
路１０１８から所定の周波数の局部発信信号が入力さ
れ、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ１
０１７で所定のレベルに増幅された後、ベースバンドユ
ニットへ送出される。

【０１９３】本発明では、上記アンテナ１００９，デュ
プレクサ１００８，ローパスフィルタ１００７を含むア
ンテナフロントエンドモジュール１２００や、アイソレ
ータ１００６、カップラー１００４，減衰器１００５，
パワーアンプ１００３を含むアイソレータパワーアンプ
モジュール１１００等を上記と同様の手法によりハイブ
リッドモジュールとして構成することができる。また、
これら以外の構成要素を含むものをＲＦユニットとして
構成できることは既に実施例２２で示した通りであり、
ＢＰＦ、ＶＣＯ等も実施例９〜１２および１９に示した
手法に倣って構成することができる。

【０１９４】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コイルコア、トロイダルコア、
円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、
コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィル
タ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ、ディレイライン、電波吸収シー
ト、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デ
ュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、アンテナフ
ロントエンドモジュール、アイソレータ・パワーアンプ
モジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュ
ール、チューナーユニット、方向性結合器、ダブルバラ
ンスドミキサー（ＤＢＭ）、電力合成器、電力分配器、
トナーセンサ、電流センサ、アクチュエータ、サウンダ
（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、Ｐ
ＴＣサーミスタ、温度ヒューズ、フェライト磁石等に応
用することができる。

【０１９５】以上の各実施例において、必要によりハロ
ゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロ
ゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合
物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機
材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。

【０１９６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も高周波特性に優れた樹脂基板と、高周波特性に優れた
磁性基板と、高周波特性に優れた誘電体基板とのいずれ
かを用いることで、高周波特性に優れ、ひいては総合的
な電気特性に優れた高周波用電子部品を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図２】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図３】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図４】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図５】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図６】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図７】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図８】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図９】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。

【図１０】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。

【図１１】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１２】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１３】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。

【図１４】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。

【図１５】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１６】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１７】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。

【図１８】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。

【図１９】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２０】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２１】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２２】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２３】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２４】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。

【図２５】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。

【図２６】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。

【図２７】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図２８】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図２９】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図３０】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタを示す図である。

【図３１】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの等価回路を示す図である。

【図３２】本発明の電子部品の構成例であるブロックフ
ィルタの金型を示す図である。

【図３３】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３４】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３５】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。

【図３６】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。

【図３７】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。

【図３８】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図３９】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図４０】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図４１】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図４２】本発明の電子部品の構成例であるアンテナを
示す図である。

【図４３】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４４】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４５】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４６】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４７】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４８】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図４９】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図５０】本発明の電子部品の構成例であるパッチアン
テナを示す図である。

【図５１】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図５２】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す図である。

【図５３】本発明の電子部品の構成例であるＶＣＯを示
す等価回路図である。

【図５４】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図５５】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。

【図５６】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。

【図５７】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図５８】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。

【図５９】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。

【図６０】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図６１】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図６２】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図６３】本発明の電子部品の構成例であるＲＦモジュ
ールを示す図である。

【図６４】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６５】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６６】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６７】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６８】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図６９】本発明の電子部品の構成例である共振器を示
す図である。

【図７０】本発明の電子部品の構成例である共振器の等
価回路を示す図である。

【図７１】本発明の電子部品の構成例である携帯機器の
高周波部を示すブロック図である。

【図７２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工
程図である。

【図７３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他
の工程図である。

【図７４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。

【図７５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図であ
る。

【図７６】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図７７】多層基板の形成例を示す工程図である。

【符号の説明】

１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４ビアホール２０キャパシタ２０ａ〜２０ｇ構成層２１ランドパターン２２貫通ビア２３内部導体（内部電極パターン）４０バルントランス４０４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体４３６０積層フィルター８０ブロックフィルター１１０カプラ１３０、１４０アンテナ１５０、１６０、１７０パッチアンテナ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｐ 5/10 Ｈ０１Ｐ 5/10 Ｃ 7/04 7/04 7/08 7/08 Ｈ０１Ｑ 1/38 Ｈ０１Ｑ 1/38 13/08 13/08 (72)発明者阿部敏之東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者小更恒東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者高原誠志東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB07 BA01 CB13 5E082 AB03 BC14 FF14 FG26 FG34 FG37 5J006 HA04 HA15 HA18 HA19 HA26 HB05 HB13 JA01 NA04 NC03 5J045 DA10 EA07 JA02 5J046 AA04 AB13 PA01 PA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともポリビニルベンジルエーテル
化合物に誘電体粉末が分散されている複合誘電体層を有
し、１００ＭＨｚ以上の周波数で使用される電子部品。
【請求項２】前記ポリビニルベンジルエーテル化合物
は、下記一般式（１）で示されるものである電子部品。【化１】（式中、Ｒ¹ はメチル基またはエチル基を示し、Ｒ² は
水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、Ｒ
³ は水素原子またはビニルベンジル基を示し（但し、水
素原子とビニルベンジル基とのモル比は６０：４０〜
０：１００である）、ｎは２〜４の数を示す）
【請求項３】インダクタである請求項１の電子部品。
【請求項４】キャパシタである請求項１の電子部品。
【請求項５】アンテナである請求項１の電子部品。
【請求項６】パワーアンプである請求項１の電子部
品。
【請求項７】ＲＦモジュールである請求項１の電子部
品。
【請求項８】フィルタである請求項１の電子部品。
【請求項９】ＶＣＯ(電圧制御発振器）である請求項
１の電子部品。