JP3439983B2 - グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents

グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法

Info

Publication number
JP3439983B2
JP3439983B2 JP10458198A JP10458198A JP3439983B2 JP 3439983 B2 JP3439983 B2 JP 3439983B2 JP 10458198 A JP10458198 A JP 10458198A JP 10458198 A JP10458198 A JP 10458198A JP 3439983 B2 JP3439983 B2 JP 3439983B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic substrate
glaze layer
laser
fold line
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10458198A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11298101A (ja
Inventor
正博 加藤
Original Assignee
日本特殊陶業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本特殊陶業株式会社 filed Critical 日本特殊陶業株式会社
Priority to JP10458198A priority Critical patent/JP3439983B2/ja
Publication of JPH11298101A publication Critical patent/JPH11298101A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3439983B2 publication Critical patent/JP3439983B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、グレーズ層付セラ
ミック基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、セラミック基板上に平滑な表
面を形成すべく、セラミック基板上にガラスペーストを
焼き付けてグレーズ層を形成したグレーズ層付セラミッ
ク基板が知られている。このグレーズ層付セラミック基
板は、FAX等の感熱プリンタヘッド等、平滑性の要求
されるものに使用される。例えば、セラミック基板及び
グレーズ層上に、金ペースト等の金属ペーストを所定配
線パターンに塗布し、焼き付けて厚膜配線層を形成し、
さらに、フォトリソグラフィ技術及び蒸着やスパッタリ
ング等の薄膜形成技術を用いて、グレーズ層上に微細な
薄膜配線層や抵抗体等を形成する。
【0003】このグレーズ層付セラミック基板は、例え
ば、図5に示す工程を経て製作される。まず、図5
(a),(b)に示すように、アルミナ96%等のアル
ミナセラミックからなる共通セラミック基板(粗形状セ
ラミック基板)CCBを用意する。この共通セラミック
基板CCBは、種々の寸法のセラミック基板の製造に対
応できるように、予め決められた寸法に形成されている
もので、そこから、各製品に対応した寸法の部分を切り
出すようにされたものである。この共通セラミック基板
CCBの表面CCBaに、炭酸ガスレーザを用いて折り
線(レーザスクライブライン)を形成する。本例では、
共通セラミック基板CCBの周縁部(ミミ部)CCBm
を除去するための枠切り折り線SL1と、グレーズ層付
セラミック基板に上記したように、厚膜配線層や薄膜配
線層を形成した後に、分割するための分割用折り線SL
2とを形成している。その後、図5(c)に示すよう
に、共通セラミック基板CCBのミミ部CCBmを枠切
り折り線SL1に沿って折り取り、裏面CCBbが上に
なるようにする。さらに、図5(d),(e)に示すよ
うに、裏面CCBbの所定位置に、スクリーン印刷によ
り所定パターンにガラスペーストを塗布・焼成して、グ
レーズ層GRを形成することにより、表面CBa(裏面
CCBbと同じ)にグレーズ層GRを備えたグレーズ層
付セラミック基板CBを完成する。なお、裏面CCBb
側にグレーズ層GRを形成するのは、分割用折り線SL
2が形成されている裏面CCBbに、ガラスペーストを
塗布し焼き付けると、ガラスペーストが流動して溝状の
分割用折り線SL2に流入し、これを埋めてしまうと、
分割の際、この折り線SL2に沿って分割し難くなるか
らである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして製作したグレーズ層付セラミック基板CBの側
面形状は、セラミック基板CCBのミミ部CCBmを、
枠切り用折り線SL1に沿って折り取ったのみであるの
で、図6(a)に示すように、レーザによって形成され
た滑らかな折り線側面部CBsと、この折り線側面部C
Bsから表面CBaに延びる破断面BCrとからなる。
ここで、上記したように、枠切り用折り線SL1に沿っ
てミミ部CBmを折り取る際、除去するミミ部CBmの
幅に比較して、残すセラミック基板CBの幅が大きいた
め、セラミック基板CBの厚さ方向に真っ直ぐ割れるこ
とは少ない。即ち、幅の小さい側、即ち、ミミ部CBm
側に傾いて割れ、グレーズ層GRを上にしてみると、側
面CBcがオーバーハングした状態となるのが大半であ
る。折り取るときにかかる応力が幅の違いにより不均一
になるためと考えられる。
【0005】このグレーズ層付セラミック基板CBに、
上記したように厚膜配線層や薄膜配線層を形成する際、
図6(b)に示すように、載置台PLから突設させた基
準ピンPIの側面PIaに、セラミック基板CBの側面
CBcを当接させて位置決めをする。このとき、側面C
Bcのオーバーハングした破断面CBrにおいてセラミ
ック基板CBの一部が破砕し、セラミック粉CPがセラ
ミック基板表面CBaやグレーズ層GR上に飛び散るこ
とがある。そのため、この状態で、例えば、金ペースト
を塗布し焼き付けると、焼き付けの際に、セラミック粉
CPがグレーズ層に固着してしまい、平滑性を要求され
るグレーズ層の表面粗度が低下する。このため、その後
形成する微細な薄膜配線にオープンやショート不良が発
生させる。また、フォトレジスト層の塗布や露光の際に
セラミック粉CPが飛び散ると、露光の際に不要部分に
影を作り、薄膜配線パターン不良となって、同じく薄膜
配線にオープンやショート不良を生じさせる。
【0006】かかる不具合に対して、図6(c)に示す
ように、セラミック基板CBの側面CBcを、ダイヤモ
ンド砥石G等で研磨する対策が考えられるが、研磨は時
間(工数)と費用がかかるため、セラミック基板CBの
価格を押し上げ好ましくない。本発明はかかる問題点に
鑑みてなされたものであって、側面を研磨することな
く、位置決めを行ってもグレーズ層上にセラミック粉が
飛び散らない、信頼性の高いグレーズ層付セラミック基
板、およびその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】そして、
その解決手段は、表面と裏面とこれらの間を結ぶ側面と
を有し、上記表面にはグレーズ層を備え、上記裏面には
分割用折り線を備えるグレーズ層付セラミック基板であ
って、上記側面のうち上記表面側は、該表面側から照射
したレーザ光によって形成された略漏斗状のレーザスポ
ット孔が連なってできる形状とされ、上記側面と上記表
面とのなす角が鈍角にされており、前記レーザスポット
孔の前記表面上の径をD、ピッチをPとしたとき、P≦
0.75Dの関係を有することを特徴とするグレーズ層
付セラミック基板である。
【0008】上記構成を有する本発明のグレーズ層付セ
ラミック基板では、側面のうち表面側は、表面側から照
射したレーザ光によって形成された略漏斗状のレーザス
ポット孔が連なってできる形状とされ、側面と表面との
なす角が鈍角にされている。このため、位置決めのため
に、セラミック基板の表面を上に向けて基準ピンなどの
基準治具と当接させるても、表面付近の側面は基準ピン
等と当接しないため、セラミック基板の表面付近が破砕
することはなく、セラミック粉が発生しない。また、た
とえ、側面の裏面側が破砕したとしても、その破片(セ
ラミック粉)が、表面上に形成されたグレーズ層上にま
で飛び散ることがない。従って、金属ペーストを焼き付
けた際に、セラミック粉がグレーズ層に焼き付き、その
後に形成する薄膜配線に、オープンやショートの不具合
を生じさせることがない。また、フォトレジスト中にセ
ラミック粉が混入したり、その上面にセラミック粉が飛
び散ったりしてフォトレジストのパターンの欠陥を生じ
させ、このパターンを用いて形成する薄膜配線に、オー
プンやショートの不具合を生じさせることも無くなる。
このため、不具合の生じにくい、信頼性の高い配線基板
とすることができる。
【0009】また、本発明では、前記レーザスポット孔
の前記表面上の径をD、ピッチをPとしたとき、P≦
0.75Dの関係を有する。レーザスポット孔が連なっ
て形成されていれば、つまり、P<Dであれば、レーザ
スポットが表面側に向けて開く漏斗形状であるため、側
面のうち表面側は、表面に近づくほど引き下がったテー
パ状となる。しかし、さらに、P≦0.75Dとする
と、レーザスポット孔が互いに十分重なり合うので、側
面のうち裏面側に近い部分からレーザスポット孔が連な
ったテーパ状となる。このため、側面のうち表面に近い
部分が基準ピン等と当接することが無くなるので、セラ
ミック粉が発生したとしても、グレーズ層上に飛び散る
ことを確実に防止できる。
【0010】さらに、P≧0.25Dとするのがよい。
ピッチPをあまりに小さくすると、折り線を形成するの
に多くのレーザスポット孔SLを形成することが必要と
なり、費用と時間がかかることとなるからである。
【0011】さらに、本発明のグレーズ層付セラミック
基板の製造方法は、表面と裏面とを有する粗形状セラミ
ック基板に、上記表面側からレーザ光を照射して略漏斗
形状のレーザスポット孔が連なった所定の平面形状の
切り用レーザ折り線であって、前記レーザスポット孔の
前記表面上の径をD、ピッチをPとしたとき、P≦0.
75Dの関係を有する枠切り用レーザ折り線を形成する
工程と、上記枠切り用レーザ折り線に沿って所定の平面
形状のセラミック基板を折り取る工程と、上記セラミッ
ク基板の上記裏面に基板分割用レーザ折り線を形成する
工程と、上記セラミック基板の上記表面側にグレーズ層
を形成する工程と、を備えることを特徴とするグレーズ
層付セラミック基板の製造方法である。
【0012】上記構成を有する本発明のグレーズ層付セ
ラミック基板の製造方法では、一旦粗形状セラミック基
板から所定形状のセラミック基板を折り取り、枠切り用
レーザ折り線を形成したセラミック基板の裏面側に分割
用レーザ折り線を、表面側にグレーズ層が形成する。こ
のため、セラミック基板の側面の表面側は、表面側から
照射したレーザ光によって形成された略漏斗状のレーザ
スポット孔が連なってできる形状とされ、側面と表面と
のなす角が鈍角にされる。従って、位置決めのためにセ
ラミック基板の表面を上に向けて基準ピンなどの基準治
具とセラミック基板を当接させても、表面付近の側面は
基準ピン等と当接せず、セラミック基板の表面付近が破
砕せず、セラミック粉が発生しない。また、たとえ、側
面の裏面側が破砕したとしても、その破片(セラミック
粉)が、表面上に形成されたグレーズ層上にまで飛び散
ることがない。また、基板分割用レーザ折り線を裏面に
形成したので、グレーズ層形成の際、基板分割用レーザ
折り線内にガラスペーストが流入して、この折り線がグ
レーズ層で埋まってしまうことが無く、確実にセラミッ
ク基板を折り取ることができる。しかも、レーザスポッ
ト孔の前記表面上の径をD、ピッチをPとしたとき、P
≦0.75Dとされているので、レーザスポット孔が互
いに十分重なり合うので、セラミック基板の側面のうち
裏面側に近い部分からレーザスポット孔が連なったテー
パ状となる。このため、側面のうち表面に近い部分が基
準ピン等と当接することが無くなるので、セラミック粉
が発生したとしても、グレーズ層上に飛び散ることを確
実に防止できる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面と共
に説明する。図1は、本実施形態のかかるグレーズ層付
セラミック基板10の平面図および側面図である。グレ
ーズ層付セラミック基板10は、アルミナ96%のアル
ミナセラミックからなり、厚さ1mm、縦横270×7
0mmの矩形状のセラミック基板1の表面1aに、所定
パターンのグレーズ層3(厚さ約70μm)を形成した
ものである。また、この裏面1bには、後に、セラミッ
ク基板10を小セラミック基板11(本例では、2×5
=10ヶ、54×35mm)に分割できるように、レー
ザ光により形成した基板分割用折り線2が形成されてい
る。後述するように、セラミック基板1は、深さがセラ
ミック基板1の厚さの20〜70%程度(本例では35
0μm)で、表面1aでの直径D=180μmの略漏斗
状(円錐状)のレーザスポット孔LSを、ピッチP=1
00μmの間隔で連ねて形成した枠切り用折り線22に
沿って共通セラミック基板21から折り取って得たもの
である(図2(c)参照)。このため、このセラミック
基板1の側面1cは、図2(a),(b)の各図に示す
ように、レーザによって形成された滑らかな折り線側面
部1sと、この折り線側面部1sから裏面1b方向外側
に傾いて延びる破断面1rとからなる。従って、側面1
c(折り線側面部1s)と表面1aとのなす角αは、9
0度以上の鈍角となる。さらに言えば、表面1a(グレ
ーズ層3)を上にした状態で側面1cを見ると、前記し
た従来技術では、オーバーハングした状態であったのに
対して(図6(a)参照)、本実施形態では、下側(裏
面1b側)に拡がる形状とされている。
【0014】そこで、図3に示すように、このグレーズ
層付セラミック基板10の表面1a(グレーズ層3)を
上に向けた状態で、セラミック基板10の側面1cを、
載置台PLから突設させた基準ピンPIの側面PIaに
当接させて、このセラミック基板10の位置決めをす
る。すると、この側面1cのうち、基準ピン側面PIa
と当接するのは、裏面1b側の破断面1rであり、表面
1a側の折り線側面部1sは当接しない。このため、セ
ラミック基板10を基準ピンPIに当接させた際に、表
面1a側において、セラミック基板1が破砕してセラミ
ック粉を発生することはない。また、たとえ、裏面1b
側で、セラミック基板1が破砕してセラミック粉が発生
したとしても、裏面側で発生したセラミック粉が、表面
1a上に形成されたグレーズ層3上に飛び散ることはな
い。従って、後に形成する薄膜配線に、オープンやショ
ートの不具合を生じさせることがない。このため、不具
合の生じにくい、信頼性の高い配線基板とすることがで
きる。
【0015】なお、本実施形態では、レーザスポット孔
LSの直径DとピッチPとの関係は、P=0.5Dとな
っているが、P≦0.75Dとされているのがよい。例
えば、図3(b)に示すように、P’=D’とした場合
には、側面1c’は、凹凸が大きくなり、その凸部1c
a’が破断線BLに近づくので、この凸部1ca’が、
基準ピン側面PIaに当接する可能性がある。これに対
し、P≦0.75Dとすると、図2(c)に示すよう
に、レーザスポット孔LSが互いに十分重なり合うの
で、側面1cのうち裏面側に近い部分からレーザスポッ
ト孔が連なったテーパ状となる。このため、側面1cの
うち表面に近い部分(凸部1ca)が基準ピンPIと当
接することが無くなるので、表面付近でセラミック粉が
発生することが無く、発生したとしても、表面から離れ
ているのでグレーズ層3上に飛び散ることを確実に防止
できる。
【0016】ついで、本発明のグレーズ層付セラミック
基板10の製造方法について説明する。まず、厚さ1m
m、縦横290×87mmの共通セラミック基板(粗形
状セラミック基板)21を用意する。様々な形状の多品
種に対応したセラミック基板を形成するのに、グリーン
シートを所定形状に打ち抜き、焼成するのでは、それぞ
れに対応した金型が必要となる上、焼成工程を経る必要
があるため、費用も時間もかかる。そこで、大きめの寸
法の共通セラミック基板21を予め形成しておき、必要
な寸法に整形してセラミック基板1を得るのである。つ
いで、図4(a),(b)に示すように、この共通セラ
ミック基板21から所定寸法のセラミック基板1を得る
ため、その表面21a上に、炭酸ガスレーザを用いて枠
切り用レーザ折り線22を形成する。本実施形態では、
共通セラミック基板21のミミ部(周囲部、幅8.5m
m及び10mm)21mを除去してセラミック基板1を
得るように、共通セラミック基板21の周縁近傍に4本
の枠切り用レーザ折り線22を形成する。
【0017】その後、図4(c)に示すように、ミミ部
21mを折り線22に沿って折り取り、セラミック基板
1を得、上下逆にして、セラミック基板裏面1a、即
ち、共通セラミック基板21の裏面21bに、炭酸ガス
レーザにより分割用レーザ折り線2を形成する。このセ
ラミック基板1の側面1cは、前記したように、略漏斗
状のレーザスポット孔LSが連なってできる形状とさ
れ、側面1cと表面1aとのなす角αが鈍角にされてい
る(図2(b)参照)。さらに、再度セラミック基板1
を上下逆にして、基板表面1a(21a)に、スクリー
ン印刷によって所定パターンにガラスペースト(図示し
ない)を塗布し、焼成して、厚さ約70μmのグレーズ
層3を形成し、グレーズ層付セラミック基板10を完成
させる(図1参照)。このとき、分割用レーザ折り線2
は、グレーズ層3と逆の裏面に形成されているので、ガ
ラスペーストが流入して折り線2が埋まることがない。
【0018】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、本実施形態で
は、96%アルミナセラミック基板を用いたが、アルミ
ナ含有量が他のものであってもよく、また、他の材質、
例えば、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、ムライ
ト、その他のセラミックを用いても良い。また、上記実
施形態においては、共通セラミック基板21からセラミ
ック基板1を、1枚得るようにしたが、共通セラミック
基板から複数のセラミック基板を得るようにしても良
い。
【0019】また、上記実施形態では、共通セラミック
基板21から幅細のミミ部21mを折り取ったため、側
面1cのうち破断面1rが厚さ方向に対して傾いた状態
になった。しかし、共通セラミック基板21が大きい場
合や小さなセラミック基板1を得る場合には、ミミ部2
1mが幅広となることにより、あるいは、上記したよう
に、共通セラミック基板から複数のセラミック基板を得
る場合などには、破断面が、表面1a(裏面1b)にほ
ぼ垂直になる場合もある。この場合にも、本発明を適用
すれば、表面1a側の側面が基準ピン側面PIaに当接
しないことは変わりが無く、従って、グレーズ層3上に
セラミック粉が飛び散ることがない。さらに、上記実施
形態では、P=0.5Dとしたが、P≧0.25Dとす
るのがよい。ピッチPをあまりに小さくすると、折り線
を形成するのに多くのレーザスポット孔SLを形成する
ことが必要となり、費用と時間がかかることとなるから
である。また、本実施形態では、グレーズ層3を部分的
に形成したが、使用目的に応じ、グレーズ層3を表面1
a全面に形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態にかかるグレーズ層付セラミック基板
のうち、(a)は平面図、(b)は側面図である。
【図2】図1に示すセラミック基板の側面の形状を示
し、(a)は部分判断斜視図、(b)は部分拡大断面
図、(c)は部分拡大平面図である。
【図3】(a)は図1に示すセラミック基板を基準ピン
に当接させて位置決めをする様子を示す説明図、(b)
はレーザスポット孔のピッチを大きくした場合のセラミ
ック基板の部分拡大平面図である。
【図4】図1に示すセラミック基板の製造工程を説明す
る説明図である。
【図5】従来のセラミック基板の製造工程を説明する説
明図である。
【図6】(a)は図5に示す従来のセラミック基板の側
面の部分拡大断面図、(b)はこれを基準ピンに当接さ
せて位置決めをする様子を示す説明図、(c)は側面を
研磨する様子を示す説明図である。
【符号の説明】
10 グレーズ層付セラミック基板 1 セラミック基板 1a 表面 1b 裏面 1c 側面 1s 折り線側面部 1r 破断面 1ca 凸部 2 分割用レーザ折り線 3 グレーズ層 21 共通セラミック基板(粗形状セラミック基
板) 21a 表面 21b 裏面 SL レーザスポット孔 D 直径(レーザスポット孔の) P ピッチ(レーザスポット孔の) PI 基準ピン

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面と裏面とこれらの間を結ぶ側面とを
    有し、上記表面にはグレーズ層を備え、上記裏面には分
    割用折り線を備えるグレーズ層付セラミック基板であっ
    て、 上記側面のうち上記表面側は、該表面側から照射したレ
    ーザ光によって形成された略漏斗状のレーザスポット孔
    が連なってできる形状とされ、上記側面と上記表面との
    なす角が鈍角にされており、 前記レーザスポット孔の前記表面上の径をD、ピッチを
    Pとしたとき、P≦0.75Dの関係を有することを特
    徴とするグレーズ層付セラミック基板。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のグレーズ層付セラミッ
    ク基板であって、 P≧0.25Dの関係を有することを特徴とするグレー
    ズ層付セラミック基板
  3. 【請求項3】 表面と裏面とを有する粗形状セラミック
    基板に、上記表面側からレーザ光を照射して略漏斗形状
    のレーザスポット孔が連なった所定の平面形状の枠切り
    用レーザ折り線であって、前記レーザスポット孔の前記
    表面上の径をD、ピッチをPとしたとき、P≦0.75
    Dの関係を有する枠切り用レーザ折り線を形成する工程
    と、 上記枠切り用レーザ折り線に沿って所定の平面形状のセ
    ラミック基板を折り取る工程と、 上記セラミック基板の上記裏面に基板分割用レーザ折り
    線を形成する工程と、 上記セラミック基板の上記表面側にグレーズ層を形成す
    る工程と、を備えることを特徴とするグレーズ層付セラ
    ミック基板の製造方法。
JP10458198A 1998-04-15 1998-04-15 グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3439983B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10458198A JP3439983B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10458198A JP3439983B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11298101A JPH11298101A (ja) 1999-10-29
JP3439983B2 true JP3439983B2 (ja) 2003-08-25

Family

ID=14384412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10458198A Expired - Fee Related JP3439983B2 (ja) 1998-04-15 1998-04-15 グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3439983B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007313774A (ja) * 2006-05-26 2007-12-06 Tdk Corp サーマルヘッド用基板の分割溝形成方法、サーマルヘッドの製造方法、サーマルヘッド及び印画装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11298101A (ja) 1999-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2051297A2 (en) Substrate dividing method
JPH0611071B2 (ja) 化合物半導体基板の分割方法
JP3439983B2 (ja) グレーズ層付セラミック基板およびその製造方法
JP4694263B2 (ja) 接合基板の切断方法
JP4187397B2 (ja) 切断刃
JPH091530A (ja) ブレークラインの形成方法
TWI725752B (zh) 半導體晶片製造裝置以及半導體晶片製造方法
JP2001113521A (ja) スクライブラインの形成方法
JP2001311745A (ja) コンタクトプローブの製造方法
JP2890193B1 (ja) ダイヤモンドスタイラス
JP2633309B2 (ja) チップ部品用セラミック製基板
JPH07221414A (ja) 半導体回路基板
JP4331838B2 (ja) セラミックス基板の製造方法
JP2003347684A (ja) セラミックス基板及びその製造方法
JPS6045011A (ja) 半導体ウエ−ハ及びその製造方法
JP2020027880A5 (ja)
JP4248481B2 (ja) プラズマディスプレイ装置
JP2002164264A (ja) ソフトレーザーマーク印字方法及び装置
JP2653981B2 (ja) セラミック回路基板の製造方法
JP2001058316A (ja) 切断刃
JP2001196333A (ja) オフアングル付き半導体ウエハ
JP2006186231A (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JP2020083668A (ja) ガラスフリット膜付きガラス基板のスクライブ方法
JP2004030978A (ja) 有機電界発光表示装置の基板切断方法及びその装置
JP2005303149A (ja) セラミックス基板及びその製造方法、およびこれを用いた電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees