JP3434124B2 - マイクロカプセルの評価方法 - Google Patents
マイクロカプセルの評価方法Info
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- JP3434124B2 JP3434124B2 JP13575196A JP13575196A JP3434124B2 JP 3434124 B2 JP3434124 B2 JP 3434124B2 JP 13575196 A JP13575196 A JP 13575196A JP 13575196 A JP13575196 A JP 13575196A JP 3434124 B2 JP3434124 B2 JP 3434124B2
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- microcapsules
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンや化合物
を放出する微小な物質であるマイクロカプセルの評価方
法に関する。
を放出する微小な物質であるマイクロカプセルの評価方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロカプセルは、医療の分野などに
おいて、薬品の適切な投与を行うために広く用いられて
いる。このマイクロカプセルの内部からのイオンや化合
物の放出量の計測は、マイクロカプセルの性能の指標と
して重要である。
おいて、薬品の適切な投与を行うために広く用いられて
いる。このマイクロカプセルの内部からのイオンや化合
物の放出量の計測は、マイクロカプセルの性能の指標と
して重要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１ｍｍ
以下といった微小なマイクロカプセルからのイオンや化
合物の放出を計測するには、イオン電極、ガラス電極を
用いる測定や分光測定など既存の分析手法では、前記イ
オンや化合物の十分な放出があるまで、その放出を検出
することができないので、大量のサンプルが必要である
とともに、長時間を要するといった問題があるほか、分
光測定においては、そのための装置を必要とするといっ
た問題がある。
以下といった微小なマイクロカプセルからのイオンや化
合物の放出を計測するには、イオン電極、ガラス電極を
用いる測定や分光測定など既存の分析手法では、前記イ
オンや化合物の十分な放出があるまで、その放出を検出
することができないので、大量のサンプルが必要である
とともに、長時間を要するといった問題があるほか、分
光測定においては、そのための装置を必要とするといっ
た問題がある。
【０００４】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、マイクロカプセルにおけるイオ
ンや化合物を放出する能力を迅速かつ簡便に求めること
ができるマイクロカプセルの評価方法を提供することで
ある。
たもので、その目的は、マイクロカプセルにおけるイオ
ンや化合物を放出する能力を迅速かつ簡便に求めること
ができるマイクロカプセルの評価方法を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のマイクロカプセルの評価方法は、半導体
基板の一方の面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対
してプローブ光を照射するように構成された光走査型二
次元濃度分布測定装置の前記センサ面に接するように溶
液を設け、この溶液内にマイクロカプセルを浸し、その
ときマイクロカプセルから放出されるイオンの放出量や
放出速度を求め、これを指標とすることを特徴としてい
る。
め、この発明のマイクロカプセルの評価方法は、半導体
基板の一方の面にセンサ面を有し、前記半導体基板に対
してプローブ光を照射するように構成された光走査型二
次元濃度分布測定装置の前記センサ面に接するように溶
液を設け、この溶液内にマイクロカプセルを浸し、その
ときマイクロカプセルから放出されるイオンの放出量や
放出速度を求め、これを指標とすることを特徴としてい
る。
【０００６】この場合、マイクロカプセルから放出され
るイオンの放出量や放出速度を、マイクロカプセル近傍
に生じたイオン濃度の変動した領域がセンサ面と接する
部分の面積の時間的変化またはこの当接面のある点にお
けるイオン濃度の時間的変化に基づいて求めるようにし
てもよい。
るイオンの放出量や放出速度を、マイクロカプセル近傍
に生じたイオン濃度の変動した領域がセンサ面と接する
部分の面積の時間的変化またはこの当接面のある点にお
けるイオン濃度の時間的変化に基づいて求めるようにし
てもよい。
【０００７】この発明のマイクロカプセルの評価方法に
よれば、大量のサンプルを用いる必要がなく、例えばイ
オン交換樹脂一粒の単位で、そのイオン交換容量やイオ
ン交換速度を自動的、かつ、迅速簡便に求めることがで
きる。
よれば、大量のサンプルを用いる必要がなく、例えばイ
オン交換樹脂一粒の単位で、そのイオン交換容量やイオ
ン交換速度を自動的、かつ、迅速簡便に求めることがで
きる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好ましい実施例
を、図を参照しながら説明する。まず、この発明のマイ
クロカプセルの評価方法を実施するための光走査型二次
元濃度分布測定装置について、図２を参照しながら説明
する。
を、図を参照しながら説明する。まず、この発明のマイ
クロカプセルの評価方法を実施するための光走査型二次
元濃度分布測定装置について、図２を参照しながら説明
する。
【０００９】図２において、１は測定装置本体で、セン
サ部２とこれにプローブ光３を照射するための光照射部
４とからなる。
サ部２とこれにプローブ光３を照射するための光照射部
４とからなる。
【００１０】前記センサ部２は、例えばシリコンなどの
半導体よりなる基板５の一方の面（図示例では上面）に
ＳｉＯ2 層６、Ｓｉ3 Ｎ4 層７を熱酸化、ＣＶＤなどの
手法によって順次形成してなるもので、水素イオンに応
答するように形成されている。８はセンサ部２のセンサ
面（この場合、Ｓｉ3 Ｎ4 層７）を含み、これに臨むよ
うにして設けられるセルで、樹脂材料あるいは他の適宜
の材料よりなり、内部に溶液やゲルなどの試料９が収容
される。そして、ＣＥ、ＲＥはセル８内の試料９に接触
するようにして設けられる対極、比較電極で、後述する
ポテンショスタット１３に接続されている。また、ＯＣ
は半導体基板５に設けられる電流信号取出し用のオーミ
ック電極で、後述する電流−電圧変換器１４および演算
増幅回路１５を介してポテンショスタット１３に接続さ
れている。
半導体よりなる基板５の一方の面（図示例では上面）に
ＳｉＯ2 層６、Ｓｉ3 Ｎ4 層７を熱酸化、ＣＶＤなどの
手法によって順次形成してなるもので、水素イオンに応
答するように形成されている。８はセンサ部２のセンサ
面（この場合、Ｓｉ3 Ｎ4 層７）を含み、これに臨むよ
うにして設けられるセルで、樹脂材料あるいは他の適宜
の材料よりなり、内部に溶液やゲルなどの試料９が収容
される。そして、ＣＥ、ＲＥはセル８内の試料９に接触
するようにして設けられる対極、比較電極で、後述する
ポテンショスタット１３に接続されている。また、ＯＣ
は半導体基板５に設けられる電流信号取出し用のオーミ
ック電極で、後述する電流−電圧変換器１４および演算
増幅回路１５を介してポテンショスタット１３に接続さ
れている。
【００１１】そして、１０はセンサ部２を二次元方向、
つまり、Ｘ方向（図示例では左右方向）とＹ方向（図示
例では、紙面に垂直な方向）に走査するセンサ部走査装
置で、走査制御装置１１からの信号によって制御され
る。
つまり、Ｘ方向（図示例では左右方向）とＹ方向（図示
例では、紙面に垂直な方向）に走査するセンサ部走査装
置で、走査制御装置１１からの信号によって制御され
る。
【００１２】前記光照射部４は、例えばレーザ光源から
なるとともに、半導体基板５の下面側（センサ面７とは
反対側）に設けられており、後述するインターフェイス
ボード１６を介してコンピュータ１７の制御信号によっ
て断続光を発するとともに、センサ部走査装置１０によ
って二次元方向に走査されるセンサ部２の半導体基板５
に対して最適なビーム径になるように調整されたプロー
ブ光３を照射するように構成されている。
なるとともに、半導体基板５の下面側（センサ面７とは
反対側）に設けられており、後述するインターフェイス
ボード１６を介してコンピュータ１７の制御信号によっ
て断続光を発するとともに、センサ部走査装置１０によ
って二次元方向に走査されるセンサ部２の半導体基板５
に対して最適なビーム径になるように調整されたプロー
ブ光３を照射するように構成されている。
【００１３】１２は測定装置本体１を制御するための制
御ボックスであって、半導体基板５に適宜のバイアス電
圧を印加するためのポテンショスタット１３、半導体基
板５に形成されたオーミック電極ＯＣから取り出される
電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換器１４、
この電流−電圧変換器１４からの信号が入力される演算
増幅回路１５、この演算増幅回路１５と信号を授受した
り、走査制御装置１１に対する制御信号を出力するイン
ターフェイスボード１６などよりなる。
御ボックスであって、半導体基板５に適宜のバイアス電
圧を印加するためのポテンショスタット１３、半導体基
板５に形成されたオーミック電極ＯＣから取り出される
電流信号を電圧信号に変換する電流−電圧変換器１４、
この電流−電圧変換器１４からの信号が入力される演算
増幅回路１５、この演算増幅回路１５と信号を授受した
り、走査制御装置１１に対する制御信号を出力するイン
ターフェイスボード１６などよりなる。
【００１４】１７は各種の制御や演算を行うとともに、
画像処理機能を有する制御・演算部としてのコンピュー
タ、１８は例えばキーボードなどの入力装置、１９はカ
ラーディスプレイなどの表示装置、２０はメモリ装置で
ある。
画像処理機能を有する制御・演算部としてのコンピュー
タ、１８は例えばキーボードなどの入力装置、１９はカ
ラーディスプレイなどの表示装置、２０はメモリ装置で
ある。
【００１５】上記構成の光走査型二次元濃度分布測定装
置を用いて、溶液の水素イオン濃度（ｐＨ）を測定する
場合について説明すると、セル８内に溶液９を入れる。
これにより、センサ面７に溶液９が接する。そして、対
極ＣＥおよび比較電極ＲＥを溶液９に浸漬する。
置を用いて、溶液の水素イオン濃度（ｐＨ）を測定する
場合について説明すると、セル８内に溶液９を入れる。
これにより、センサ面７に溶液９が接する。そして、対
極ＣＥおよび比較電極ＲＥを溶液９に浸漬する。
【００１６】上記の状態で、半導体基板５に空乏層が発
生するように、ポテンショスタット１３からの直流電圧
を比較電極ＲＥとオーミック電極ＯＣとの間に印加し
て、半導体基板５に所定のバイアス電圧を印加する。こ
の状態で半導体基板５に対してプローブ光３を一定周期
（例えば、１０ｋＨｚ）で断続的に照射することによっ
て半導体基板５に交流光電流を発生させる。このプロー
ブ光３の断続照射は、コンピュータ１７の制御信号がイ
ンターフェイスボード１６を介して入力されることによ
って行われる。前記光電流は、半導体基板５の照射点に
対向する点で、センサ面７に接している溶液９における
ｐＨを反映した値であり、その値を測定することによ
り、この部分でのｐＨ値を知ることができる。
生するように、ポテンショスタット１３からの直流電圧
を比較電極ＲＥとオーミック電極ＯＣとの間に印加し
て、半導体基板５に所定のバイアス電圧を印加する。こ
の状態で半導体基板５に対してプローブ光３を一定周期
（例えば、１０ｋＨｚ）で断続的に照射することによっ
て半導体基板５に交流光電流を発生させる。このプロー
ブ光３の断続照射は、コンピュータ１７の制御信号がイ
ンターフェイスボード１６を介して入力されることによ
って行われる。前記光電流は、半導体基板５の照射点に
対向する点で、センサ面７に接している溶液９における
ｐＨを反映した値であり、その値を測定することによ
り、この部分でのｐＨ値を知ることができる。
【００１７】さらに、センサ部走査装置１０によって、
センサ部２をＸ，Ｙ方向に移動させることにより、半導
体基板５にはプローブ光３が二次元方向に走査されるよ
うにして照射され、溶液９における位置信号（Ｘ，Ｙ）
と、その場所で観測された交流光電流値により、表示装
置１９の画面上にｐＨを表す二次元画像が表示される。
センサ部２をＸ，Ｙ方向に移動させることにより、半導
体基板５にはプローブ光３が二次元方向に走査されるよ
うにして照射され、溶液９における位置信号（Ｘ，Ｙ）
と、その場所で観測された交流光電流値により、表示装
置１９の画面上にｐＨを表す二次元画像が表示される。
【００１８】なお、上記二次元イオン濃度測定装置にお
いて、比較電極ＲＥを省略し、対極ＣＥを介してバイア
ス電圧を印加してもよい。但し、比較電極ＲＥを設けて
いた場合の方が半導体基板５にバイアス電圧をより安定
に印加することができる。
いて、比較電極ＲＥを省略し、対極ＣＥを介してバイア
ス電圧を印加してもよい。但し、比較電極ＲＥを設けて
いた場合の方が半導体基板５にバイアス電圧をより安定
に印加することができる。
【００１９】そして、上記光走査型二次元濃度分布測定
装置において、センサ部２をＸ，Ｙ方向に移動させるの
に代えて、光照射部４に光照射部走査装置を設け、光照
射部４をＸ，Ｙ方向に移動させるようにしてもよく、ま
た、光照射部４とセンサ部２との間にプローブ光走査装
置を設け、プローブ光３をＸ，Ｙ方向に移動させるよう
にしてもよい。
装置において、センサ部２をＸ，Ｙ方向に移動させるの
に代えて、光照射部４に光照射部走査装置を設け、光照
射部４をＸ，Ｙ方向に移動させるようにしてもよく、ま
た、光照射部４とセンサ部２との間にプローブ光走査装
置を設け、プローブ光３をＸ，Ｙ方向に移動させるよう
にしてもよい。
【００２０】さらに、上記光走査型二次元濃度分布測定
装置においては、光照射部４によるプローブ光３を半導
体基板５のセンサ面７とは反対側から照射するようにし
ていたが、これに代えて、センサ面７側から照射するよ
うにしてもよい。そして、光照射部４として、例えば特
願平７−３９１１４号に示すように、半導体基板５に組
み込まれた光照射部を採用してもよい。
装置においては、光照射部４によるプローブ光３を半導
体基板５のセンサ面７とは反対側から照射するようにし
ていたが、これに代えて、センサ面７側から照射するよ
うにしてもよい。そして、光照射部４として、例えば特
願平７−３９１１４号に示すように、半導体基板５に組
み込まれた光照射部を採用してもよい。
【００２１】このように、溶液などにおけるｐＨの二次
元分布を測定し表示する光走査型二次元濃度分布測定装
置については、この出願人の一人が例えば特願平７−３
９１１２号、特願平７−３９１１４号、特願平７−３２
９８３７号など多数特許出願している。
元分布を測定し表示する光走査型二次元濃度分布測定装
置については、この出願人の一人が例えば特願平７−３
９１１２号、特願平７−３９１１４号、特願平７−３２
９８３７号など多数特許出願している。
【００２２】次に、上述の光走査型二次元濃度分布測定
装置を用いて、マイクロカプセルを評価する方法につい
て詳細に説明する。
装置を用いて、マイクロカプセルを評価する方法につい
て詳細に説明する。
【００２３】〔第１実施例〕マイクロカプセルとして、
内部にＫＯＨを含んだものを用いる。光走査型二次元濃
度分布測定装置のセル８内に０．１ＭのＫＣｌ溶液９を
満たし、その中に一粒のマイクロカプセル２１を入れ
る。
内部にＫＯＨを含んだものを用いる。光走査型二次元濃
度分布測定装置のセル８内に０．１ＭのＫＣｌ溶液９を
満たし、その中に一粒のマイクロカプセル２１を入れ
る。
【００２４】前記マイクロカプセル２１を浸漬した直後
に、上述したようにして、光走査型二次元濃度分布測定
装置によって、マイクロカプセル２１が存在する近傍の
ＫＣｌ溶液９のｐＨ分布画像を測定する。この場合、図
１（Ａ）に示すように、マイクロカプセル２１近傍にｐ
Ｈが高くなる領域（アルカリ化領域）２２が現れる。こ
のアルカリ化領域２２がセンサ面７と接した部分（当接
面）２３の形状は、図１（Ｂ）に示すように、円形（ま
たは楕円形）であり、当接面２３の面積をコンピュータ
１７において画像処理によって算出する。
に、上述したようにして、光走査型二次元濃度分布測定
装置によって、マイクロカプセル２１が存在する近傍の
ＫＣｌ溶液９のｐＨ分布画像を測定する。この場合、図
１（Ａ）に示すように、マイクロカプセル２１近傍にｐ
Ｈが高くなる領域（アルカリ化領域）２２が現れる。こ
のアルカリ化領域２２がセンサ面７と接した部分（当接
面）２３の形状は、図１（Ｂ）に示すように、円形（ま
たは楕円形）であり、当接面２３の面積をコンピュータ
１７において画像処理によって算出する。
【００２５】そして、前記測定から例えば３分後に、マ
イクロカプセル２１が存在する近傍のＫＣｌ溶液９のｐ
Ｈ分布画像を測定し、そのときの当接面２３をマイクロ
コンピュータ１７において画像処理によって算出して、
先に求めた面積から後に求めた面積を引算し、その差を
経過時間（この場合、３分）で割ることにより、当接面
２３の面積の変動速度を求める。この変動速度の大小
は、マイクロカプセル２１の放出能力の指標となる。
イクロカプセル２１が存在する近傍のＫＣｌ溶液９のｐ
Ｈ分布画像を測定し、そのときの当接面２３をマイクロ
コンピュータ１７において画像処理によって算出して、
先に求めた面積から後に求めた面積を引算し、その差を
経過時間（この場合、３分）で割ることにより、当接面
２３の面積の変動速度を求める。この変動速度の大小
は、マイクロカプセル２１の放出能力の指標となる。
【００２６】上記実施例では、ｐＨ分布画像の測定は２
回だけであるが、３分間隔で同様の測定を繰り返し、ア
ルカリ化領域２２がセンサ面７と当接する部分（当接
面）２３の面積の変動を記録し、マイクロカプセル２１
の放出能力の指標とすることもできる。
回だけであるが、３分間隔で同様の測定を繰り返し、ア
ルカリ化領域２２がセンサ面７と当接する部分（当接
面）２３の面積の変動を記録し、マイクロカプセル２１
の放出能力の指標とすることもできる。
【００２７】〔第２実施例〕上述の第１実施例において
は、マイクロカプセル２１を中心とするアルカリ化領域
２２がセンサ面７と当接する部分（当接面）２３の面積
の変動速度を求めるようにしていたが、これに代えて、
図１（Ｂ）に示すように、当接面２３におけるある点、
例えば中心部２４におけるｐＨ値の変化を２回の測定で
画像処理によって求めるようにしてもよい。
は、マイクロカプセル２１を中心とするアルカリ化領域
２２がセンサ面７と当接する部分（当接面）２３の面積
の変動速度を求めるようにしていたが、これに代えて、
図１（Ｂ）に示すように、当接面２３におけるある点、
例えば中心部２４におけるｐＨ値の変化を２回の測定で
画像処理によって求めるようにしてもよい。
【００２８】すなわち、上記と同様に、０．１ＭのＫＣ
ｌ溶液９を満たし、その中に一粒のマイクロカプセル２
１を入れ、その直後および３分経過後におけるマイクロ
カプセル２１のｐＨを測定するのである。つまり、マイ
クロカプセル２１からは、水酸イオンが放出されるの
で、その部分のｐＨは、一定の時間範囲内においては、
時間の経過とともに増大する。したがって、その増大速
度を、マイクロカプセル２１の放出能力の指標とするこ
とができる。
ｌ溶液９を満たし、その中に一粒のマイクロカプセル２
１を入れ、その直後および３分経過後におけるマイクロ
カプセル２１のｐＨを測定するのである。つまり、マイ
クロカプセル２１からは、水酸イオンが放出されるの
で、その部分のｐＨは、一定の時間範囲内においては、
時間の経過とともに増大する。したがって、その増大速
度を、マイクロカプセル２１の放出能力の指標とするこ
とができる。
【００２９】〔第３実施例〕上述の各実施例は、マイク
ロカプセル２１から放出される物質の計測を、水素イオ
ン濃度の変動によって求めるようにしていたが、カリウ
ムイオン濃度の変動によって求めるようにしてもよい。
すなわち、この場合、光走査型二次元濃度分布測定装置
のセンサ面７を、カリウムイオンに応答する物質、例え
ば、バリノマイシンやクラウンエーテルによって修飾す
ることにより、溶液９におけるカリウムイオン濃度を測
定するのである。
ロカプセル２１から放出される物質の計測を、水素イオ
ン濃度の変動によって求めるようにしていたが、カリウ
ムイオン濃度の変動によって求めるようにしてもよい。
すなわち、この場合、光走査型二次元濃度分布測定装置
のセンサ面７を、カリウムイオンに応答する物質、例え
ば、バリノマイシンやクラウンエーテルによって修飾す
ることにより、溶液９におけるカリウムイオン濃度を測
定するのである。
【００３０】この発明は、上述の実施例に限られるもの
ではなく、マイクロカプセル２１として、内部にイオン
や生化学物質、薬剤を含有したものの評価を行うことが
できる。この場合、光走査型二次元濃度分布測定装置の
センサ面７を、イオンや生化学物質、薬剤に対し選択的
に応答する物質で修飾することが必要である。
ではなく、マイクロカプセル２１として、内部にイオン
や生化学物質、薬剤を含有したものの評価を行うことが
できる。この場合、光走査型二次元濃度分布測定装置の
センサ面７を、イオンや生化学物質、薬剤に対し選択的
に応答する物質で修飾することが必要である。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、以上のような形態で実施さ
れ、以下のような効果を奏する。
れ、以下のような効果を奏する。
【００３２】上述のように、この発明のマイクロカプセ
ルの評価方法は、マイクロカプセルを、所定の溶液に入
れ、そのとき溶液におけるイオン濃度の二次元分布画像
を光走査型二次元濃度分布測定装置によって測定するだ
けであるので、イオン電極、ガラス電極を用いる測定や
分光測定など既存の分析手法に比べて、測定操作が簡単
であり、短時間に行うことができる。また、複雑な装置
などを必要としない。そして、サンプルとしてのマイク
ロカプセルは少量でよく、また、マイクロカプセルの評
価を再現性よく行うことができる。
ルの評価方法は、マイクロカプセルを、所定の溶液に入
れ、そのとき溶液におけるイオン濃度の二次元分布画像
を光走査型二次元濃度分布測定装置によって測定するだ
けであるので、イオン電極、ガラス電極を用いる測定や
分光測定など既存の分析手法に比べて、測定操作が簡単
であり、短時間に行うことができる。また、複雑な装置
などを必要としない。そして、サンプルとしてのマイク
ロカプセルは少量でよく、また、マイクロカプセルの評
価を再現性よく行うことができる。
【図１】この発明のマイクロカプセルの評価方法を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】この発明のマイクロカプセルの評価方法で用い
る光走査型二次元濃度分布測定装置の一例を示す図であ
る。
る光走査型二次元濃度分布測定装置の一例を示す図であ
る。
３…プローブ光、５…半導体基板、７…センサ面、９…
溶液、２１…マイクロカプセル、２２…イオン濃度の変
動した領域、２３…領域がセンサ面と当接する部分、２
４…当接面のある点。
溶液、２１…マイクロカプセル、２２…イオン濃度の変
動した領域、２３…領域がセンサ面と当接する部分、２
４…当接面のある点。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 冨田 勝彦
京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地
株式会社堀場製作所内
(56)参考文献 半導体表面とバイオセンサー，生産と
技術，日本，1993年 ４月25日，45
／２，54−56
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 27/416
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面にセンサ面を有
し、前記半導体基板に対してプローブ光を照射するよう
に構成された光走査型二次元濃度分布測定装置の前記セ
ンサ面に接するように溶液を設け、この溶液内にマイク
ロカプセルを浸し、そのときマイクロカプセルから放出
されるイオンの放出量や放出速度を求め、これを指標と
することを特徴とするマイクロカプセルの評価方法。 - 【請求項２】 マイクロカプセルから放出されるイオン
の放出量や放出速度を、マイクロカプセル近傍に生じた
イオン濃度の変動した領域がセンサ面と接する部分の面
積の時間的変化またはこの当接面のある点におけるイオ
ン濃度の時間的変化に基づいて求めるようにした請求項
１に記載のマイクロカプセルの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575196A JP3434124B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロカプセルの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575196A JP3434124B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロカプセルの評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297124A JPH09297124A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3434124B2 true JP3434124B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=15159023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13575196A Expired - Fee Related JP3434124B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロカプセルの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434124B2 (ja) |
-
1996
- 1996-05-01 JP JP13575196A patent/JP3434124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 半導体表面とバイオセンサー，生産と技術，日本，１９９３年 ４月２５日，４５／２，５４−５６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09297124A (ja) | 1997-11-18 |
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