JP2008170353A - 物質検出装置、物質検出、物質検出プレート、及び、測定セル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の物質検出装置では、半導体上に物質感応膜を作製した物質検出プレートと、被検出物質を含む溶液を前記物質感応膜の表面へ接触させる手段と、溶液の電位を安定させる手段と、前記物質検出プレートにパルスレーザー光を照射することで、照射位置における被検出物質の量に依存する振幅強度を持ったパルス電磁波を発生させる手段と、前記パルス電磁波の振幅強度を計測する手段と、前記振幅強度より、被検出物質の有無を判定する手段を備える。
【選択図】図1
Description
半導体上に物質感応膜を作製した物質検出プレートと、
被検出物質を含む溶液を前記物質感応膜の表面へ接触させる手段と、
前記溶液の電位を安定させる手段と、
前記物質検出プレートにパルスレーザー光を照射することで、照射位置における被検出物質の量に依存する振幅強度を持ったパルス電磁波を発生させる手段と、
前記パルス電磁波の振幅強度を計測する手段と、
前記振幅強度より、被検出物質の有無を判定する手段検出物質検出物質検出物質を備えることとする。
前記パルスレーザー光を前記物質検出プレートの前記物質感応膜が作製される面の反対側から照射するものである。
前記パルス電磁波の振幅強度より被検出物質の量を定量的に計測する手段を備えることとするものである。
前記半導体の厚さは、前記パルスレーザー光の照射する位置で該パルスレーザーの波長と該半導体の種類によって決定される光侵入長と同等の大きさとするものである。
前記被検出物質を含む溶液の電位を安定させる手段として、溶液中に銀/塩化銀参照電極を設置するものである。
前記銀/塩化銀参照電極と半導体の間に電圧を印加することで、被検出物質の前記物質感応膜との反応に対する前記パルス電磁波の振幅強度の変化率を増加させる、こととするものである。
前記物質検出プレートの前記半導体上に複数の物質感応膜がアレイ状に作製されるとともに、
前記パルスレーザー光を2次元的に走査して照射する手段を備え、
前記パルスレーザー光を2次元的に走査して照射する手段によって、順次、前記パルスレーザー光を前記物質感応膜の各配置箇所に対して照射し、
前記照射によって発生されるパルス電磁波の振幅強度を、順次、計測するものである。
前記パルスレーザー光として波長が300ナノメートル以上、2ミクロン以下であることとするものである。
前記パルス電磁波に含まれる周波数の成分は、10ギガヘルツから100テラヘルツまでの範囲に含まれることとするものである。
前記物質感応膜として、酵素を固定化した膜を備えることとするものである。
前記物質感応膜として、抗原を固定化した膜を備えることとするものである。
前記半導体として、前記パルスレーザー光を透過する絶縁体基板上に、半導体薄膜を作製したものを使用することとするものである。
半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレートと、
前記物質検出プレートに装着されて、溶液を前記物質感応膜と接触させるための溶液セルと、
から測定セルを構成し、
前記溶液セルに溶液を注入し、
前記半導体における、前記絶縁体とは反対側であって、かつ、前記物質感応膜に対応する位置に、パルスレーザー光を照射し、
前記パルスレーザー光の照射によって発生するパルス電磁波の振幅強度を測定する、
物質検出方法とする。
半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレートとする。
半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレートと、
前記物質検出プレートに装着されて、溶液を前記物質感応膜と接触させるための溶液セルと、
を具備する、測定セルとする。
この物質検出装置1では、半導体上に物質感応膜を作製した物質検出プレート5と、被検出物質を含む溶液を前記物質感応膜の表面へ接触させる手段(溶液セル6)と、溶液の電位を安定させる手段(後述する参照電極31(図6)と、前記物質検出プレート5にパルスレーザー光を照射することで、照射位置における被検出物質の量に依存する振幅強度を持ったパルス電磁波を発生させる手段(パルスレーザー光源2)と、前記パルス電磁波の振幅強度を計測する手段(検出・変換装置4)と、前記振幅強度より、被検出物質の有無を判定する手段(制御・解析装置8)を備える構成とするものである。以下、原理、及び、装置構成の詳細について説明する。
図1は、本実施例の物質検出装置の概略図である。この図に示すように、本実施例の物質検出装置1は、照射装置、検出・変換装置4、及び制御・解析装置8を備える。
また、このパルスレーザー光9の波長は、300ナノメートル(300nm=0.3μm)以上、2ミクロン(2μm)以下の範囲に含まれるものであり、時間平均のエネルギーが0.1mW以上、10W以下であり、パルス幅が1フェムト秒(1fs=0.001ps)以上、10ピコ秒(10ps)以下であるのがよい。
すなわち、電磁波の励起に際しては、光源として時間の幅の小さなパルスレーザー光を用いることにより、半導体及び溶液に大きな影響を及ぼさない状態で、電磁波の励起ができる。なお、半導体及び溶液に熱的影響を及ぼさない最大光パルス幅は、約10ピコ秒と見積ることができる。
図3に示すごとく、物質検出プレート5に溶液が満たされた溶液セル6を装着して一つの測定セル20が構成される。この測定セル20を、図1に示すごとく、走査台7上の規定の位置に設置し、前記制御・解析装置8の制御によって、パルスレーザー光9の照射位置と、前記物質感応膜21のうちの一つが一致するように、走査台7上において、測定セル20が移動させられる。
2 パルスレーザー光源
3 集光装置
4 検出・変換装置
5 物質検出プレート
6 溶液セル
7 走査台
8 制御・解析装置
9 パルスレーザー光
10 パルス電磁波
11 制御信号線
21 物質感応膜
22 絶縁体
23 半導体
24 透明基板
25 リード線
31 参照電極
32 溶液流入口
33 溶液排出口
Claims (15)
- 半導体上に作製される絶縁体上に物質感応膜を作製した物質検出プレートと、
被検出物質を含む溶液を前記物質感応膜の表面へ接触させる手段と、
前記溶液の電位を安定させる手段と、
前記物質検出プレートにパルスレーザー光を照射することで、照射位置における被検出物質の量に依存する振幅強度を持ったパルス電磁波を発生させる手段と、
前記パルス電磁波の振幅強度を計測する手段と、
前記振幅強度より、被検出物質の有無を判定する手段を備えることを特徴とする物質検出装置。 - 前記パルスレーザー光を前記物質検出プレートの前記物質感応膜が作製される面の反対側から照射することを特徴とする請求項1に記載の物質検出装置。
- 前記パルス電磁波の振幅強度より被検出物質の量を定量的に計測する手段を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の物質検出装置。
- 前記半導体の厚さは、前記パルスレーザー光の照射する位置で該パルスレーザーの波長と該半導体の種類によって決定される光侵入長と同等の大きさとすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記被検出物質を含む溶液の電位を安定させる手段として、溶液中に銀/塩化銀参照電極を設置することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記銀/塩化銀参照電極と前記半導体の間に電圧を印加することで、被検出物質の前記物質感応膜との反応に対する前記パルス電磁波の振幅強度の変化率を増加させることを特徴とする請求項5に記載の物質検出装置。
- 前記物質検出プレートの前記半導体上に作製される絶縁体上に複数の物質感応膜がアレイ状に作製されるとともに、
前記パルスレーザー光を2次元的に走査して照射する手段を備え、
前記パルスレーザー光を2次元的に走査して照射する手段によって、順次、前記パルスレーザー光を前記物質感応膜の各配置箇所に対して照射し、
前記照射によって発生されるパルス電磁波の振幅強度を、順次、計測する、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の物質検出装置。 - 前記パルスレーザー光の波長は、300ナノメートル以上、2ミクロン以下の範囲に含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記パルス電磁波に含まれる周波数の成分は、10ギガヘルツから100テラヘルツまでの範囲に含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記物質感応膜として、酵素を固定化した膜を備えることを特徴とした請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記物質感応膜として、抗原を固定化した膜を備えることを特徴とした請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 前記半導体として、前記パルスレーザー光を透過する絶縁体基板上に、半導体薄膜を作製したものを使用することを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の物質検出装置。
- 半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレートと、
前記物質検出プレートに装着されて、溶液を前記物質感応膜と接触させるための溶液セルと、
から測定セルを構成し、
前記溶液セルに溶液を注入し、
前記半導体における、前記絶縁体とは反対側であって、かつ、前記物質感応膜に対応する位置に、パルスレーザー光を照射し、
前記パルスレーザー光の照射によって発生するパルス電磁波の振幅強度を測定する、
物質検出方法。 - 半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレート。 - 半導体と、
前記半導体上に作製される絶縁体と、
前記絶縁体上に作製される複数の物質感応膜と、
から構成される物質検出プレートと、
前記物質検出プレートに装着されて、溶液を前記物質感応膜と接触させるための溶液セルと、
を具備する、測定セル。
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