JP3433933B2 - 光磁気ディスクの温度制御方法及び温度検出方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気効果を用い
て情報を記録、再生する光学式情報記録再生装置に係
り、特に、光磁気ディスク（以下、単にディスクとも言
う）の記録層を安定的にキュリー点に到達させる温度制
御方法及び温度検出方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ミニディスク（ＭＤ）等の光磁気ディス
クは、その基板上に磁性薄膜が形成されており、この磁
性薄膜の磁化方向を変化させることによって情報が記録
される。この記録の方法の一つに、バイアス磁界を変調
して記録する方法がある。この方法は、レーザビームを
直流的に発光させて記録媒体に照射し、その温度をキュ
リー点付近まで上昇させることにより保磁力が低下した
レーザビーム照射部分に、情報信号に応じてデジタル的
に変調した磁界を印加して、情報に応じた磁化パターン
を形成するものである。

【０００３】このようにして記録された情報は、記録時
より低出力で直流的に発光させたレーザビームを記録媒
体に照射することによりその戻り光から磁気光学効果を
用いて再生（読出し）することができる。ところで、か
かる情報の記録方法ではレーザビームを照射して記録媒
体を加熱しているため、レーザ光の出力が最適値からず
れると、記録状態が良好にならないことがある。その対
策として、磁界変調ヘツドの内部または近傍に温度セン
サを配置し、このセンサの出力に基づいてレーザビーム
のパワーを最適に制御することが提案されている。

【０００４】図１１(a),(b),(c) は特開平３−１５２７
４８号公報に示されたこの種の磁界変調ヘッドを示した
ものである。このうち(a) に示したものでは、磁界発生
部の光磁気ディスク１に対向する側、すなわち、１対の
電磁石11を支持するヨーク12の下面に、断熱材13を介し
て、温度センサ14が取り付けられており、(b) に示した
ものでは、電磁石11を支持するヨーク12の隙間に、断熱
材13を介して、温度センサ14が取り付けられており、さ
らに、(c) に示したものでは、コア15にコイル16を巻装
してオーバライト用磁気ヘッドを形成し、その側面に温
度センサ14のリード線を接着したものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した、磁界変調ヘ
ッドは、これに付帯せしめた温度センサの出力に基づき
レーザビームのパワーを制御することによって光磁気デ
ィスクの温度を安定的にキュリー点に到達させるように
したものである。しかしながら、これらの磁界変調ヘッ
ドはいずれもディスク面とは空間で隔てられた位置に温
度センサが配置され、しかも、ディスク自体がカートリ
ッジに収納されていたり、その回転中に温度検出をしな
ければならないことから、ディスクの温度よりも、むし
ろ周囲温度を検出するものになっていた。

【０００６】自動車用や携帯用の光学式情報記録再生装
置においては、ディスクを挿入してその直後に記録（以
下、書込みとも言う）をするとき、装置自体は暖かいけ
れどもディスクは冷たいことがある。この場合、上述し
た磁界変調ヘッドの温度センサの検出値に基づいてレー
ザビームのパワーを制御したのでは、ディスクの温度が
キュリー点に到達せず、うまく書込みができないことが
あった。また、データ用の光磁気記録再生装置におい
て、これと同様な条件で書込みをした場合、データの書
込みはできても書込みレベルが低く、エラーレートが増
大することがあった。

【０００７】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたもので、ディスクの温度を正確に検出すると共
に、装置若しくは装置内温度とこれに挿入されるディス
クの温度とが異なる場合でも、このディスクの温度を高
精度でキュリー点に到達させることのできる温度制御方
法及び温度検出方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、以下の１）及び２）の手段より成る。す
なわち、 １）着脱自在の光磁気ディスクを装着し、前記光磁気デ
ィスクを回転させた状態で、前記光磁気ディスクの記録
媒体に変調磁界を印加する磁界変調ヘッドと、レーザビ
ームを照射して前記記録媒体の温度をキュリー点付近ま
で到達させる加熱手段とを一体的に駆動して情報を記録
するに当たり、前記記録媒体の温度情報に基づいて前記
加熱手段のレーザビームパワーを制御する光磁気ディス
クの温度制御方法において、前記磁界変調ヘッドとし
て、前記光磁気ディスクのディクス面に接触せしめられ
る摺動部及びその摺動面内部で温度検出を行う温度検出
手段を含むものを用い、前記摺動部を前記光磁気ディス
クに接触させるときより前の時点と、前記摺動部を前記
光磁気ディスクに接触させてから所定の時間が経過した
時点とでそれぞれ温度を検出し、得られた検出温度に基
づき経過時間に対応した前記記録媒体の温度変化を予測
し、記録を開始した後は、所定の記録温度との偏差を零
に近付けるように前記加熱手段のレーザビームパワーを
制御する、ことを特徴とする光磁気ディスクの温度制御
方法。 ２）着脱自在の光磁気ディスクを装着し、前記光磁気デ
ィスクを回転させた状態で、前記光磁気ディスクの記録
媒体に変調磁界を印加する磁界変調ヘッドと、レーザビ
ームを照射して前記記録媒体の温度をキュリー点付近ま
で到達させる加熱手段とを一体的に駆動して情報を記録
するに当たり、前記記録媒体の温度を検出する光磁気デ
ィスクの温度検出方法において、前記磁界変調ヘッドと
して、前記光磁気ディスクに磁界を与えるための磁界発
生用コイルを有し、この磁界発生用のコイルを温度検出
に兼用するか、又は、前記磁界発生用コイルが巻装され
るコアに温度検出用のコイルが巻装された磁界発生部
と、前記光磁気ディスクのディスク面に接触せしめら
れ、前記磁界発生部と一体的に形成された摺動部とを有
するものを用い、前記摺動部を前記光磁気ディスクに接
触させ、前記磁界発生用コイル又は前記温度検出用コイ
ルにテスト電流を流して前記光磁気ディスクの温度を検
出するようにしたことを特徴とする光磁気ディスクの温
度検出方法。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。以下、本発明を図面に示す
実施例によって詳細に説明する。図１は本発明に適用さ
れる磁界変調ヘッドの第１の参考例の構成を示す断面図
である。図１において、ヘッドアーム21はその基端部、
すなわち、図示を省略した図面の左端部が光学式情報記
録再生装置のヘッド駆動部に結合されている。このヘッ
ドアーム21の中間部と先端部との間にサスペンション22
が、その先端部の上下動可能に支持されている。サスペ
ンション21の先端部の下面には、摺動部23と磁界発生部
24のフレーム２４Ａとを一体化したものが接合されてい
る。摺動部23は磁界発生部24より僅かにディスク１の方
向（図中下方向）に突出するようにこれらの底面が二段
になっている。このため、摺動部23が光磁気ディスク１
のディスク面に接触せしめられたとき、磁界発生部24は
一定の間隙を保ってディスク１と対向することになり、
これによって、ディスク面に印加される変調磁界の強度
を一定にすることができる。また、磁界発生部24には、
「Ｅ」型のコア25が装着されると共に、その中央脚に図
示省略のボビンを介してコイル26が巻装されている。ま
た、摺動部23の内部には、好ましくは、接触面から０．
５mmの位置にサーミスタ又はダイオードからなる温度セ
ンサ27が装着されている。サスペンション22の上面に、
ＦＰＣ（Flexible Print Circuit）からなる配線28が載
置され、その先端部の引出し線をコイル26及び温度セン
サ27に接続することによって、励磁電流の供給と、温度
検出とを可能にしている。

【００１０】かかる構成の磁界変調ヘッドは、ディスク
１との接触面の近傍に温度センサ27が装着されているの
で、この温度センサ27の摺動部23を光磁気ディスクに接
触させ、かつ、光磁気ディスクの回転停止状態では、デ
ィスク１と殆ど差のない温度を検出することができる。
なお、温度センサ27を接触面に接近させすぎると、摺動
部23の磨耗により温度センサ27が破壊される虞れがある
ため、図示のように接触面から０．５mmの位置が好適で
ある。

【００１１】図２は本発明に適用される磁界変調ヘッド
の第２の参考例の構成を示す断面図である。図中、図１
と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。第２実施例は、温度センサとして、コア25の中央脚
に温度検出用コイル29を巻装したものである。すなわ
ち、コア25の中央脚には、軸方向に二つの巻付け部を有
する樹脂製のボビン（図示を省略）を用いて、ディスク
１に近い側に磁界発生用コイル26が、その奥に温度検出
用コイル29がそれぞれ装着されている。この場合、磁界
発生用コイル26のターン数は３３で、抵抗値は５オーム
であり、温度検出用コイル29のターン数は３３で、抵抗
値は５０オーム（２５℃）である。

【００１２】図１に示した磁界変調ヘッドはディスク１
との接触面の近傍に温度センサ２７があるため、その摺
動部23を光磁気ディスクに接触させ、かつ、光磁気ディ
スク１の停止状態では、ディスク１と殆ど差のない温度
を検出することができるが、ディスク１が回転すると摩
擦熱の影響を受けて検出精度の低下を余儀なくされる。
この点、図２に示した磁界変調ヘッドは、光磁気ディス
ク１の停止状態での検出精度は若干劣るが、デイスク１
の回転による摩擦熱の影響を受け難いという利点があ
る。また、磁界発生用コイル２６と同じコアに、温度検
出用のもう一つのコイル２９を巻装するだけで済むこと
から、サーミスタ又はダイオードを装着することに比べ
て容易、かつ、安価に製作できるという利点もある。

【００１３】次に、図３は本発明の光磁気ディスクの温
度制御方法を実施する光学式情報記録再生装置の全体構
成を示すブロック図である。図３において、光磁気ディ
スク１は複数の渦巻状のトラックを有し、これらのトラ
ックにはＣＬＶ（線速度一定）で情報が記録されていた
り、あるいは、情報を書込むようになっている。スピン
ドルモータ２は光磁気ディスク１を回転駆動するもので
ある。ピックアップ装置３は、主に、レーザビームを収
束してその焦点を光磁気ディスク１のディスク面に合致
させる機能と、その反射光をセンサで検出し、得られた
信号の再生及び再生信号をトラックに対する位置制御に
供する機能と、読出しに際して高周波信号を重畳させる
機能とを有している。磁界変調ヘッド４は図１又は図２
を用いて説明したもので、情報の書込みに際して、その
摺動部をディスク面に所定の圧力で接触させるローディ
ング手段を付帯し、しかも、ピックアップ装置３と一体
的にトラックに追従するように位置制御されるようにな
っている。

【００１４】一方、スピンドルモータ制御回路31は、後
述する信号処理回路38の出力信号によりＣＬＶを維持す
るようにスピンドルモータ２の回転速度を制御するもの
で、ピックアップ駆動回路32はピックアップ装置３及び
磁界変調ヘッド４を一体的に駆動すると共に、トラック
に対する位置決め制御をするものである。また、電圧検
出回路33は、その詳細を後述するように、磁界変調ヘッ
ド４に装着された温度センサ若しくは温度検出コイルに
発生した電圧を増幅して出力する。

【００１５】また、プリアンプ34はピックアップ装置３
中のセンサで検出されたレーザ戻り光に対応する信号を
入力してこれを増幅した後、信号処理回路38に加える一
方、コントローラ35の出力指令に対応してピックアップ
装置３中のレーザ出力を制御する。コントローラ35はキ
ー36からの指令に応じて、信号処理回路38、メモリ40に
対するメモリコントローラ39、変換回路41等の一連のデ
ジタル信号処理系を用いて次の制御を行う。 再生時に、プリアンプ34を介してＲＦ信号が信号処理
回路38に入力されると、オーディオ信号に変換して出力
する。 再生時及び書込み時に、スピンドルモータ２の速度を
検出してＣＬＶとなる速度信号をスピンドルモータ制御
回路31に加える。 再生時及び書込み時に、レーザビームの正確なトレー
スに必要なトラッキングエラー及びフォーカスエラーを
検出し、これらのエラーを補正する信号をピックアップ
駆動回路32に加える。 書込み時に、オーディオ信号を量子化し、書込み回路
37を介して、磁界変調ヘッド４に加えると共に、レーザ
ビームのパワーの制御信号を、プリアンプ34を介して、
ピックアップ装置３に加える。 書込み開始時に、磁界変調ヘッド４の摺動部を光磁気
ディスク１に接触させるよりも前の時点と、摺動部を光
磁気ディスクに接触させてから所定の時間を経過した時
点とでそれぞれ電圧検出回路33の出力信号に基づいて温
度検出し、得られた検出温度に基づき経過時間に対応し
た記録層の温度変化を予測し、少なくとも記録を開始し
た初期は、所定の記録温度との偏差を零に近付けるよう
にレーザビームのパワーを制御する信号を、プリアンプ
34を介して、ピックアップ装置３に加える。

【００１６】次に、本発明の光磁気ディスクの温度制御
方法について説明する。磁界変調ヘッド４として図１に
示すものを用い、かつ、温度センサとしてサーミスタを
用いた場合、温度測定のために図４に示す回路が設けら
れている。すなわち、コントローラ35のテスト信号ＴＥ
ＳＴによって接点が閉じるスイッチＳＷ1 と、抵抗器Ｒ
1 、ダイオードＤ及び抵抗器Ｒ2 が高電位電源Ｖccと低
電位電源としての接地点との間に直列接続されている。
一方、ダイオードＤのアノードに抵抗器Ｒ3 の一端が接
続され、その他端が演算増幅器ＯＰの反転入力端子
（−）に接続され、さらに、ダイオードＤのカソードに
抵抗器Ｒ4 の一端が接続され、その他端が演算増幅器Ｏ
Ｐの非反転入力端子（＋）に接続されている。また、演
算増幅器ＯＰの反転入力端子と出力端子との間にフィー
ドバック用の抵抗器Ｒ5が接続され、演算増幅器ＯＰの
非反転入力端子と接地点との間に抵抗器Ｒ6 が接続され
ている。

【００１７】ここで、テスト信号ＴＥＳＴが印加される
とスイッチＳＷ1 が閉じられ、そのときの温度に応じた
電圧がサーミスタＴＨの両端に発生する。この電圧は演
算増幅器ＯＰを含む増幅回路で増幅された後、コントロ
ーラ35のＡ／Ｄ変換器35Aによりデジタルデータに変換
されてレーザビームのパワーの制御に供される。温度セ
ンサとしてダイオードを用いた場合には、図５に示すよ
うに、サーミスタＴＨの代わりにダイオードＤを接続し
た回路構成となる。図５の他の構成は図４と同一である
ので説明を省略する。

【００１８】図６は図４に示した演算増幅器ＯＰの出力
に基づいてコントローラ35がレーザビームのパワーを制
御する場合の動作説明図である。周囲温度が０℃の環境
に置かれた光学式情報記録再生装置に電源を投入したと
き、装置内温度は曲線Ａに示すように２５℃まで上昇す
るものとする。そこで、電源投入から１０分以上、例え
ば、１６分を経過した時刻ｔ1 にて、それ自体の温度が
０℃の光磁気ディスクを挿入したとする。この光磁気デ
ィスクの温度は曲線Ｂに示すように０℃から２５℃まで
急速に上昇する。光磁気ディスクへの書込みは、これに
磁界変調ヘッドをローディングして行うが、本実施例で
はローディングする以前に２５℃になっている周囲温度
を演算増幅器ＯＰの出力に基づいて検出する。次に、光
磁気ディスク上に磁界変調ヘッドをローディングし、所
定の時間、例えば、２００msecを経過したときに光磁気
ディスクの温度を同じく演算増幅器ＯＰの出力に基いて
検出する。ここまでの温度検出はスピンドルモータ２の
回転を停止させた状態で行う。これら二つの検出値から
時間の変化に対応した光磁気ディスクの温度変化を予測
することができる。つまり、装置全体の熱容量とディス
クの熱容量から決まる温度変化を予めＲＯＭに記憶さ
せ、光磁気ディスク上に磁界変調ヘッドをローディング
したときの温度検出値からその後の時間に対応した温度
変化が分かる。そこで、時刻ｔ2 で書込みを開始する場
合、この時刻ｔ2 以降の光磁気ディスクの温度を全て予
測することができる。従って、この予測値に対して予め
設定した温度値に近付くようにレーザビームのパワーを
制御する。

【００１９】因みに、図４に示した回路構成にあって
は、温度センサとしてのサーミスタＴＨが、０℃にて抵
抗値が１．１ｋΩで、２５℃にて抵抗値が１ｋΩであっ
たとする。抵抗値が１ｋΩである状態でスイッチＳＷ1
を閉じてこれに高電位電源Ｖccを接続したとき、ちょう
ど１Ｖの電圧が発生するように抵抗器Ｒ1 ，Ｒ2 の抵抗
値を決定する。従って、０℃では１．１Ｖの電圧が演算
増幅器ＯＰに加えられ、２５℃では１．０Ｖの電圧が演
算増幅器ＯＰに加えられる。ここで、増幅率が１になる
ように抵抗器Ｒ3 ，Ｒ5 の抵抗値を決定したとすれば、
これらの電圧がそのままＡ／Ｄ変換器３５Ａに加えられ
る。もし、Ａ／Ｄ変換器３５Ａとして電源電圧が３Ｖで
８ビット出力のものを用いると、３Ｖの電圧でデジタル
データが「２５６」になることから、１Ｖの電圧に対し
てはデジタルデータ「８５」が得られ、１．１Ｖの電圧
に対してデジタルデータ「９４」が得られる。磁界変調
ヘッドを光磁気ディスクにローディングしないとき、Ａ
／Ｄ変換器からデジタルデータ「８５」が出力され、光
磁気ディスク上に磁界変調ヘッドをローディングしたと
きにＡ／Ｄ変換器からデジタルデータ「９４」が出力さ
れたとすれば、この差がディスクと周囲の温度差を表す
ことになる。また、これらのデジタルデータと、前述し
たＲＯＭに書込まれたテーブルと対照することより、以
降の光磁気ディスクの温度を予測することができる。こ
れらの処理を含めた書込み時の処理手順は、図７のステ
ップ101〜116の処理として示すことができる。

【００２０】次に、図８は図２に示した磁界変調ヘッド
に対応する電圧検出回路33及び書込み回路37の構成例で
あり、磁界発生部24に並設された磁界発生用のコイル26
及び温度検出用コイル29が直列接続されている。一方、
高電位電源Ｖccと接地点との間に、ＰチャネルＭＯＳＦ
ＥＴＱ1 及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴＱ3 （以下、Ｐチ
ャネルＭＯＳＦＥＴを単にＰＭＯＳＦＥＴと称し、Ｎチ
ャネルＭＯＳＦＥＴを単にＮＭＯＳＦＥＴと称す）の直
列接続回路と、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ4 の直列接続回路とが接続されている。ＰＭＯＳＦＥ
ＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 の接続点、つまり、ドレ
インどうしの接続点に磁界発生用のコイル26の一端が接
続され、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 の
接続点、つまり、ドレインどうしの接続点に磁界発生用
のコイル26の他端と、温度検出用コイル29の一端とが接
続されている。この温度検出用コイル29の他端にはＮＭ
ＯＳＦＥＴＱ5 のドレインが接続され、このＮＭＯＳＦ
ＥＴＱ5 のソースが接地点に接続されている。スイッチ
ＳＷ1 は書込みデータＷ．ＤＡＴＡと、接地電圧とをテ
スト信号ＴＥＳＴによって切り替えて入力するようにな
っており、このスイッチＳＷ1 の出力端は、インバータ
ＩＮを介して、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ3 の各ゲートに接続されると共に、バッファＢＵを介
して、それぞれ切替えスイッチＳＷ2 の常閉側の入力
端、及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 のゲートに接続されてい
る。なお、切替えスイッチＳＷ2 の常開側の入力端は接
地点に接続され、その出力端はＰＭＯＳＦＥＴＱ2 のゲ
ートに接続されている。もう一つの切替えスイッチＳＷ
3 の常閉側の入力端は接地され、常開側の入力端には高
電位電源Ｖccが接続され、その出力端はＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ5 のゲートに接続されている。また、温度検出用コイ
ル29の両端間に発生した電圧は、前述した演算増幅器Ｏ
Ｐ及び抵抗器Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5からなる増幅器で増幅され
てＡ／Ｄ変換器３５Ａに加えられる。

【００２１】この図８に示した回路中、演算増幅器Ｏ
Ｐ、抵抗器Ｒ3 ，Ｒ4，Ｒ5が図３の電圧検出回路33の構
成要素とすれば、これらの要素と磁界発生部24とを除い
たものが、図３の書込み回路37の構成要素になってい
る。また、これらの回路は、書込みを開始する以前の温
度検出中に温度検出用コイル29にテスト電圧を印加し、
書込み中に磁界発生用のコイル26に正方向及び負方向に
切り替わる電流を流すものである。ここで、温度検出に
際しては、テスト信号ＴＥＳＴによって切替えスイッチ
ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，ＳＷ4 は全て、図示の方向とは反対側
に切り替えられる。これによって、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2
，ＮＭＯＳＦＥＴＱ3，Ｑ5 はオン状態に、ＰＭＯＳＦ
ＥＴＱ1 ，ＮＭＯＳＦＥＴＱ4 はオフ状態になって、磁
界発生用のコイル26及び温度検出用コイル29の両方に電
流が流れる。このとき、温度検出用コイル29の両端に発
生した電圧を演算増幅器ＯＰを中心とする増幅回路で増
幅する。

【００２２】いま、書込み指令が加えられた時、スピン
ドルモータ２を停止させたまま、温度検出用コイル29に
テスト電圧を印加して周囲温度を検出する。続いて、ス
ピンドルモータ２を停止させたまま磁界変調ヘッド４を
光磁気ディスク１上にローディングし、摺動部をディス
ク面に接触させる。そして、周囲温度と光磁気ディスク
１の温度との差で抵抗値が変化するまで、例えば、２０
０msecを経過するまで待つ。なお、磁界変調ヘッドの温
度が完全に光磁気ディスクの温度に一致するまで待つ必
要はない。その後、再度温度検出用コイル29にテスト電
圧を印加してその時の磁界変調ヘッドの温度を検出す
る。これら温度の差から光磁気ディスク１の現在温度を
検出し、これによってレーザビームのパワーの制御を行
う。

【００２３】因みに、温度検出用コイル29としては、デ
ィスクの温度が０℃で４５Ω、２５℃で５０Ωになるも
のを用いる。そして、４０ｍＡの電流を流すことによっ
て０℃では温度検出用コイル29の両端に１．８Ｖの電圧
を発生させる。この電圧を演算増幅器ＯＰで１／２倍に
増幅すると０．９Ｖが得られる。そして、電源電圧が３
Ｖで８ビットのＡ／Ｄ変換器３５Ａに入力することによ
ってデジタルデータ「７５」が得られる。一方、書込み
中は、切替えスイッチＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 はいずれ
も図示した状態に保持される。そして、書込みデータ
Ｗ．ＤＡＴＡとして「Ｈ」レベルの信号が加えられたと
き、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 をオン
状態に、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 を
オフ状態にして磁界発生用のコイル26に正方向（図面の
右から左方向）の電流を流し、反対に、書込みデータ
Ｗ．ＤＡＴＡとして「Ｌ」レベルの信号が加えられたと
き、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 をオフ
状態に、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 を
オン状態にして磁界発生用のコイル26に負方向（図面の
左から右方向）の電流を流す。

【００２４】なお、この実施例では、磁界発生用のコイ
ル26及び温度検出用コイル29を接続して、いわば、セン
タータップ型にしたが、これらのコイルは互いに切り離
して、温度検出用コイル29には専用の測定回路を付加し
てもよい。ところで、上記実施例はそれぞれ磁界発生用
のコイル26の他に温度センサ又は温度検出用のコイルを
設けた磁界変調ヘッドを対象にしたが、摺動部がディス
ク面に接触せしめられることを前提にすれば、磁界発生
用のコイル26そのものを温度センサとして、ディスクの
温度を検出することができる。

【００２５】図９は磁界発生用のコイル26を温度センサ
としても利用する場合の構成例である。ここでは、高電
位電源Ｖccにソースが接続されたＰＭＯＳＦＥＴＱ1 の
ドレインにＮＭＯＳＦＥＴＱ3 のドレインが接続され、
このＮＭＯＳＦＥＴＱ3 のソースがスイッチＳＷ5 の入
力端に接続されている。また、高電位電源Ｖccにソース
が接続されたＰＭＯＳＦＥＴＱ2 のドレインにＮＭＯＳ
ＦＥＴＱ4 のドレインが接続され、このＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ4 のソースがスイッチＳＷ5 の入力端に接続されてい
る。スイッチＳＷ5 の常閉側出力端子は接地され、常開
側出力端子は定電流源Ｊを介して低電位電源Ｖssに接続
されている。ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ
3 の接続点と、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ4 の接続点との間に、抵抗器Ｒ1 、磁界発生用のコイ
ル26及び抵抗器Ｒ2 の直列接続回路が接続されている。
スイッチＳＷ3 は常閉側の入力端子に書込みデータＷ．
ＤＡＴＡが加えらけれ、常開側入力端子は接地され、こ
の切替えスイッチＳＷ3 の出力端は、インバータＩＮを
介して、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 の
各ゲートに接続されると共に、バッファＢＵを介して、
ＰＭＯＳＦＥＴＱ2及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 のゲートに
接続されている。また、磁界発生用のコイル26の両端に
発生した電圧を、前述の演算増幅器ＯＰ及び抵抗器Ｒ3
，Ｒ4 ，Ｒ5，Ｒ6 からなる増幅器で増幅してＡ／Ｄ変
換器に加えるようになっている。

【００２６】ここで、温度検出に際しては、テスト信号
ＴＥＳＴによって切替えスイッチＳＷ3 ，ＳＷ5 は全
て、図示の方向とは反対側に切替えられる。これによっ
て、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 ，ＮＭＯＳＦＥＴＱ3 はオン状
態に、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 ，ＮＭＯＳＦＥＴＱ4 はオフ
状態になって、磁界発生用のコイル26に電流が流れると
共に、定電流源Ｊによって電流が一定に制御される。こ
のとき、磁界発生用のコイル26の両端に発生した電圧が
演算増幅器ＯＰを中心とする増幅回路で増幅される。そ
こで、書込み指令が加えられた時、スピンドルモータ２
を停止させたまま、磁界変調ヘッドをアンローディング
の状態にして温度検出用コイル29にテスト電流を流して
周囲温度を検出する。この場合、磁界発生用のコイル26
は温度が２５℃において５．０Ω、０℃において４．５
Ωになるものを用いる。したがって、２５℃において
５．０Ωの温度検出用コイル29に２００ｍＡの電流を流
すことによって１．０Ｖの電圧が発生する。この電圧を
演算増幅器ＯＰで１倍に増幅すると１．０Ｖが得られ
る。また、電源電圧が３Ｖで８ビットのＡ／Ｄ変換器に
入力することによってデジタルデータ「８５」が得られ
る。ここで、テスト電流を遮断すると共に、予めＲＯＭ
又はＥＥＰＲＯＭに書込んであるデジタルデータと温度
との関係を示すテーブルを用いてその時点の温度、すな
わち、周囲温度を求める。

【００２７】続いて、スピンドルモータ２を停止させた
まま磁界変調ヘッド４を光磁気ディスク１上にローディ
ングし、摺動部をディスク面に接触させる。そして、周
囲温度と光磁気ディスク１の温度との差で抵抗値が変化
するまで、例えば、２００msecを経過するまで待つ。な
お、磁界変調ヘッドの温度が完全に光磁気ディスクの温
度に一致するまで待つ必要はない。その後、再度温度検
出用コイル29にテスト電圧を印加してその時の磁気変調
ヘッドの温度を検出する。その時、０℃であったとすれ
ば、磁界発生用のコイル26の両端に０．９Ｖが発生す
る。この電圧を演算増幅器ＯＰで１倍に増幅すると０．
９Ｖが得られる。この電圧をＡ／Ｄ変換器に入力するこ
とによってデジタルデータ「７６」が得られる。またこ
こで、テスト電流を遮断すると共に、前記のデジタルデ
ータ「８５」との差「９」より予めＲＯＭ又はＥＥＰＲ
ＯＭに書込んであるデジタルデータと温度との関係を示
すテーブルを用いてその時点の温度を求める。

【００２８】このように、光磁気ディスク１に磁界変調
ヘッド４をローディングする前と、ローディングしてか
ら一定時間を経過した時点の温度との差が周囲温度とデ
ィスクとの温度差である。時間の経過に応じて、ディス
クの温度は周囲温度に近付こうとするから、装置全体の
熱容量及びディスクの熱容量に基づいて予めＲＯＭに設
定した温度漸近線のテーブルと、光磁気ディスク１に磁
界変調ヘッド４をローディングしてからの時間を計測す
るタイマの値とにより、書込み指示のあった時点の記録
ディスク温度を予測する。そして、ＲＯＭに書込んでお
いた予測温度と電圧との関係に従ってレーザビーム出力
を制御する。もちろん、書込みの直前に磁界変調ヘッド
４を光磁気ディスク１にローディングするので、この時
点で温度を測定しても構わない。

【００２９】その後、スピンドルモータ２を起動し、レ
ーザビームのトラックに対するフォーカスエラーと、ト
ラッキングエラーを検知し、これらのエラーを零に近付
けるようにピックアップ装置３を制御すると共に、ＣＬ
Ｖにて回転駆動することによりピックアップ部をディス
クの最内周付近ＴＯＣ（Table Of Contents）又はＵＴ
ＯＣ（User Table Of Contents）に移動し、必要な情報
を読出し、そこで書込みを行う。なお、光磁気ディスク
１に磁界変調ヘッド４をローディングしてからの時間を
計時するタイマは、光磁気ディスク１の温度が周囲温度
と実質的に一致したと判断した段階でクリアされる。

【００３０】書込み中は、切替えスイッチＳＷ3 ，ＳＷ
5 はいずれも図示した状態に保持される。書込みデータ
Ｗ．ＤＡＴＡとして「Ｈ」レベルの信号が加えられたと
き、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 をオン
状態に、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 を
オフ状態にして磁界発生用のコイル26に正方向（図面の
右から左方向）の電流を流し、反対に、書込みデータ
Ｗ．ＤＡＴＡとして「Ｌ」レベルの信号が加えられたと
き、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4をオフ
状態に、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ3 を
オン状態にして磁界発生用のコイル26に負方向（図面の
左から右方向）の電流を流す。

【００３１】図１０は磁界発生用のコイル26を温度セン
サとしても利用するもう一つの構成例である。ここで
は、高電位電源Ｖccにソースが接続されたＰＭＯＳＦＥ
ＴＱ1のドレインにＮＭＯＳＦＥＴＱ3 のドレインが接
続され、このＮＭＯＳＦＥＴＱ3 のソースが接地されて
いる。また、高電位電源Ｖccにソースが接続されたＰＭ
ＯＳＦＥＴＱ2 のドレインにＮＭＯＳＦＥＴＱ4 のドレ
インが接続され、このＮＭＯＳＦＥＴＱ4 のソースが接
地されている。ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ3 の接続点と、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥ
ＴＱ4 の接続点との間に、抵抗器Ｒ1 、磁界発生用のコ
イル26及び抵抗器Ｒ2 の直列接続回路が接続されてい
る。スイッチＳＷ3 は常閉側の入力端子に書込みデータ
Ｗ．ＤＡＴＡが加えらけれ、常開側入力端子は接地さ
れ、この切替えスイッチＳＷ3 の出力端は、インバータ
ＩＮを介して、ＰＭＯＳＦＥＴＱ1 及びＮＭＯＳＦＥＴ
Ｑ3 の各ゲートに接続されると共に、バッファＢＵを介
して、ＰＭＯＳＦＥＴＱ2 及びＮＭＯＳＦＥＴＱ4 のゲ
ートに接続されている。また、磁界発生用のコイル26の
両端に発生した電圧を、前述の演算増幅器ＯＰ及び抵抗
器Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6からなる増幅器で増幅してＡ
／Ｄ変換器に加えるようになっている。

【００３２】ここで、温度検出に際しては、テスト信号
ＴＥＳＴによって切替えスイッチＳＷ3 は図示の方向と
は反対側に切替えられる。これによって、ＰＭＯＳＦＥ
ＴＱ2 ，ＮＭＯＳＦＥＴＱ3 はオン状態に、ＰＭＯＳＦ
ＥＴＱ1 ，ＮＭＯＳＦＥＴＱ4 はオフ状態になって、磁
界発生用のコイル26にテスト電圧が印加される。このと
き、磁界発生用のコイル26の両端に発生した電圧が演算
増幅器ＯＰを中心とする増幅回路で増幅される。

【００３３】いま、書込み指令が加えられた時、スピン
ドルモータ２を停止させたまま磁界変調ヘッド４を光磁
気ディスク１上にローディングし、摺動部をディスク面
に接触させる。そして、周囲温度と光磁気ディスク１の
温度との差で抵抗値が変化するまで、例えば、２００ms
ecを経過するまで待つ。なお、磁界変調ヘッドの温度が
完全に光磁気ディスクの温度に一致するまで待つ必要は
ない。その後、再度温度検出用コイル29にテスト電圧を
印加してその時の磁気変調ヘッドの温度を検出する。そ
の時、０℃において４．５Ωであったとすれば、４００
ｍＡの電流を流すことによって磁界発生用のコイル26の
両端に１．８Ｖの電圧が発生する。この電圧を演算増幅
器ＯＰで１／２倍に増幅すると０．９Ｖが得られる。こ
の電圧をＡ／Ｄ変換器に入力することによってデジタル
データ「７６」が得られる。またここで、テスト電流を
遮断すると共に、予めＲＯＭ又はＥＥＰＲＯＭに書込ん
であるデジタルデータと温度の絶対値との関係を示すテ
ーブルを用いてその時点の温度を求める。次に、この温
度に対応してレーザビームのパワーを設定し、所定の書
込みを行う。

【００３４】図１０に示した回路構成を採用した場合、
切替えスイッチＳＷ3を追加して、これをテスト信号Ｔ
ＥＳＴによって切替えるだけで済むが、書込み時にに実
際に供している大きめの電流（４００ｍＡ）が流れてし
まうので、コイルが発熱しないように短時間にて測定を
行う必要性がある。なお、上述の実施例のうち、温度検
出用コイル29又は磁界発生用のコイル26を用いるもの
は、抵抗値の変化を利用して光磁気ディスクの温度を検
出したが、磁界発生部の温度が変化すると、コアを構成
するフェライトの透磁率も変化してインダクタンスも変
化するため、抵抗値及びインダクタンスを含むインピー
ダンスの変化を利用して光磁気ディスクの温度を検出す
ることができる。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明の光磁気ディスクの温度制御方法によれば、摺動部
を光磁気ディスクに接触させるよりも前の時点と、摺動
部を光磁気ディスクに接触させてから所定の時間を経過
した時点とでそれぞれ温度検出し、その検出値に基づき
経過時間に対応した記録層の温度変化を予測し、記録を
開始した後は、所定の記録温度との偏差を零に近付ける
ように加熱手段のレーザビームのパワーを制御するの
で、ディスクの温度を正確にキュリー点に到達させるこ
とができるという効果が得られる。また、磁気ディスク
の温度検出方法によれば、レーザビームのパワーを制御
するに当たり、磁界発生用コイル又はこれに付随的に巻
装するだけで済む温度検出用コイルにテスト電流を流す
という特有な方法で光磁気ディスクの温度を検出してい
るので、ディスクの温度を正確にキュリー点に到達させ
ることができるという効果が得られる他、温度検出のた
めの専用の素子、例えば、サーミスタやダイオード等を
装着する必要がなくなり、これによって、磁界変調ヘッ
ドの構成の簡易化および装置コストの低廉化が達成でき
るという効果も得られている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に適用される光磁気デイスクの磁界変調
ヘッドの第１の参考例の構成を示す断面図である。

【図２】本発明に適用される光磁気デイスクの磁界変調
ヘッドの第２の参考例の構成を示す断面図である。

【図３】本発明に係る光磁気テイスクの温度制御方法を
実施するための情報記録再生装置の構成例を示すブロッ
ク図である。

【図４】図３に示した情報記録再生装置の主要素の詳細
な構成を示す回路図である。

【図５】図３に示した情報記録再生装置の主要素の詳細
な構成を示す回路図である。

【図６】本発明に係る光磁気ディスクの温度制御方法を
説明するために、時間と温度との関係を示した線図であ
る。

【図７】本発明に係る光磁気ディスクの温度制御方法を
説明するために、図３に示した情報記録再生装置の処理
手順を示すフローチャートである。

【図８】本発明に係る光磁気ディスクの温度制御方法を
実施する装置の他の構成例を示す回路図である。

【図９】本発明に係る光磁気ディスクの温度制御方法を
実施する装置のもう一つ他の構成例を示す回路図であ
る。

【図１０】本発明に係る光磁気ディスクの温度制御方法
を実施する装置のさらに他の構成例を示す回路図であ
る。

【図１１】従来の光磁気デイスクの磁界変調ヘッドの構
成例を示した断面図及び側面図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ティスク ３ ピックアップ装置 ４ 磁界変調ヘッド ２３ 摺動部 ２４ 磁界発生部 ２４Ａ 磁界発生部のフレーム ２５ コア ２６ 磁界発生用コイル ２７ 温度センサ ２９ 温度検出用コイル ３１ スピンドルモータ制御回路 ３２ ピックアップ駆動回路 ３３ 電圧検出回路 ３５ コントローラ ３７ 書込み回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−283435（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191329（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−242548（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191330（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−68748（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 5/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】着脱自在の光磁気ディスクを装着し、前記
   光磁気ディスクを回転させた状態で、前記光磁気ディス
   クの記録媒体に変調磁界を印加する磁界変調ヘッドと、
   レーザビームを照射して前記記録媒体の温度をキュリー
   点付近まで到達させる加熱手段とを一体的に駆動して情
   報を記録するに当たり、前記記録媒体の温度情報に基づ
   いて前記加熱手段のレーザビームパワーを制御する光磁
   気ディスクの温度制御方法において、 前記磁界変調ヘッドとして、前記光磁気ディスクのディ
   クス面に接触せしめられる摺動部及びその摺動面内部で
   温度検出を行う温度検出手段を含むものを用い、 前記摺動部を前記光磁気ディスクに接触させるときより
   前の時点と、前記摺動部を前記光磁気ディスクに接触さ
   せてから所定の時間が経過した時点とでそれぞれ温度を
   検出し、得られた検出温度に基づき経過時間に対応した
   前記記録媒体の温度変化を予測し、記録を開始した後は 、所定の記録温度との偏差を零に近
   付けるように前記加熱手段のレーザビームパワーを制御
   する、 ことを特徴とする光磁気ディスクの温度制御方法。
2. 【請求項２】着脱自在の光磁気ディスクを装着し、前記
   光磁気ディスクを回転させた状態で、前記光磁気ディス
   クの記録媒体に変調磁界を印加する磁界変調ヘッドと、
   レーザビームを照射して前記記録媒体の温度をキュリー
   点付近まで到達させる加熱手段とを一体的に駆動して情
   報を記録するに当たり、前記記録媒体の温度を検出する
   光磁気ディスクの温度検出方法において、 前記磁界変調ヘッドとして、前記光磁気ディスクに磁界
   を与えるための磁界発生用コイルを有し、この磁界発生
   用のコイルを温度検出に兼用するか、又は、前記磁界発
   生用コイルが巻装されるコアに温度検出用のコイルが巻
   装された磁界発生部と、前記光磁気ディスクのディスク
   面に接触せしめられ、前記磁界発生部と一体的に形成さ
   れた摺動部とを有するものを用い、 前記摺動部を前記光磁気ディスクに接触させ、前記磁界
   発生用コイル又は前記温度検出用コイルにテスト電流を
   流して前記光磁気ディスクの温度を検出するようにした
   ことを特徴とする光磁気ディスクの温度検出方法。