JP3432783B2 - 集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体 - Google Patents

集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体

Info

Publication number
JP3432783B2
JP3432783B2 JP2000079900A JP2000079900A JP3432783B2 JP 3432783 B2 JP3432783 B2 JP 3432783B2 JP 2000079900 A JP2000079900 A JP 2000079900A JP 2000079900 A JP2000079900 A JP 2000079900A JP 3432783 B2 JP3432783 B2 JP 3432783B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon
silicon oxide
dielectric constant
dielectric
containing silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000079900A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000353702A (ja
Inventor
アロノウィッツ，シェルダン
サハレフ，ヴァレリー
ズブコフ，ウラジミール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LSI Corp
Original Assignee
LSI Logic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LSI Logic Corp filed Critical LSI Logic Corp
Publication of JP2000353702A publication Critical patent/JP2000353702A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3432783B2 publication Critical patent/JP3432783B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02304—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment formation of intermediate layers, e.g. buffer layers, layers to improve adhesion, lattice match or diffusion barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31633—Deposition of carbon doped silicon oxide, e.g. SiOC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y10T428/2993—Silicic or refractory material containing [e.g., tungsten oxide, glass, cement, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路構造物に関
する。更に詳しくは、本発明は集積回路構造物の誘電体
層の形成に有用な低誘電率の酸化ケイ素誘電体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路が収縮すると、互いに接近して
配置された金属相互接続を含む相互接続が複数レベルに
なり、またこのような相互接続の特定のレベルの金属ラ
イン間の水平間隔を減少させる。その結果、キャパシタ
ンスが上記導電部分の間で増大して、速度の損失が生
じ、漏話が増大する。この高キャパシタンスの問題を解
決するために提案された一つの手段は約4.0の誘電率
（ｋ）を有する従来の酸化ケイ素（SｉＯ2）誘電体を低
誘電率を有する別の絶縁物と交換して上記キャパシタン
スを低下させることである。
【０００３】半導体インターナショナルの21巻，Ｎo．1
0，1998年9月，64〜74頁に記載された“完全な低-K誘電
体の追求”と表題をつけられたL．ピーターズの論文に
おいて、この種の多数の誘電体が開示され討論されてい
る。これらの誘電体の中に、英国，ベント，ニューポー
トのトリコンテクノロジーズ(Trikon Technologies)に
より開発されたフロウフィル(Flowfill)の化学蒸着法(C
VD)を用いて形成された約3.0の低い誘電率の誘電体が記
載されている。この方法では、メチルシラン（CH3-Si
H3）は過酸化水素（H2O2）と反応してモノケイ酸を生成
し、これは冷たいウエハ上で凝縮してアモルファスメチ
ル-ドープ酸化ケイ素に変化し、水分を除去するために4
00℃でアニールされる。上記論文はメチルシラン以外に
も、フロウフィル法でジメチルシランを用いて2.75の誘
電率が得られることを示す。更に上記ピーターズの論文
は高密度プラズマ(HDP)CVDにおいて、メチルシラン又は
ジメチルシランとO2とから形成された誘電体は2.75のよ
うに低い誘電率を提供でき、そしてダウ-コーニング(Do
w-Corning)から入手できるトリメチルシランは低い誘電
率（2.6）の誘電薄膜を堆積するために使用できること
を開示する。
【０００４】またカルフォルニア州サンタクララで1998
年2月16-17日に開催された第4回国際ULSI用誘電体多重
レベル相互連絡会議(Dumic)の1998年の会報の311-318頁
に記載された“CVD技術を用いて堆積した低誘電率の酸
化物薄膜”と表題をつけられたＳ．マッククラッチー(M
cClatchie)及びその他の者の論文はメチルシランをH2O2
と反応させて2.9未満の誘電率を得るフロウフィル法に
よりメチル-ドープ酸化ケイ素を生成することを記述す
る。更にこの著者はジメチルシラン（CH3）2-SiH2を用
いて低誘電率の誘電体を形成し、これにより2.75未満の
誘電率を達成することを記述する。しかしながら、上記
著者は上記メチルシラン及びジメチルシランはシロキサ
ン鎖の末端になるＳi-CH3を経由して上記酸化物格子に
結合する炭素になることを指摘する。上記著者はCH3基
の数が増大すると、シロキサン鎖の形成に利用できる部
位の数が減少するため、ケイ素原子に結合するCH3基を
さらに添加することは禁じられるべきであると述べる。
その代わりに、上記著者はシロキサン鎖が破壊されない
ように炭素をシロキサン鎖自体の一部として導入する方
法を報告する。また上記著者はメチルシランの代わりに
メチレンビス-シラン（ＳiH3-CH2-SiH3)をH2O2と反応す
る前駆物質として使用し、これによりSiH3官能基がH2O2
との重合反応に参画してＳi-CH2-Si主鎖をシロキサン鎖
の一部としてそのまま残留させることができることを報
告し、またメチレンビスシランをメチルシランの代わり
に前駆物質として使用することにより、2.7未満の誘電
率を有する誘電体が得られることを述べる。
【０００５】フェニルシランを前駆物質として使用して
誘電薄膜中の炭素量を増大させることにより上記薄膜の
誘電率を低下させることが試みられている。フェニルシ
ラン前駆物質を用いて低誘電率を有する薄膜を得ること
はできるが、その誘電率が薄膜間で誘電率が2.1未満と
2.8未満の間を変動し、従って所定の誘電率の値を有す
る薄膜の形成は再現性がない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、好ましくは、
できるだけ低い誘電率、即ち前駆物質としてメチルシラ
ンを用いて形成される炭素-含有酸化ケイ素誘電体の誘
電率よりも低い誘電率を有する炭素-含有酸化ケイ素誘
電体を再現性よく形成することが望まれている。また得
られる炭素-含有酸化ケイ素誘電体のその他の物理的特
性を犠牲にしないで所望の誘電率を達成できるように、
炭素-含有シラン前駆物質を用いて形成される炭素-含有
酸化ケイ素誘電体の誘電率を制御することが望まれてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に依れば、集積回
路構造物に使用される低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体は炭素原子及び第１級水素から成る多数炭素
-含有基にそれぞれ結合するケイ素原子を含む酸化ケイ
素物質を包含する。好ましくは、上記多数炭素-含有基
は化学式‐(C)y(CH3)zを有し、ここで、ｙは枝分れアル
キル基について1〜4の整数であり、環状アルキル基につ
いて3〜5の整数であり、またｚは枝分れアルキル基につ
いて2ｙ＋1であり、環状アルキル基について2ｙ−1であ
る。
【０００８】1つの態様では、上記低誘電率の多数炭素-
含有酸化ケイ素誘電体は炭素原子に結合する第1級水素
のみを有し、そして化学式SiHx((C)y(CH3)z)(4-x)（但
し、ｘは1〜3であり、ｙは枝分れアルキル基について1
〜4の整数であり、環状アルキル基について3〜5の整数
であり、またｚは枝分れアルキル基について2ｙ＋1であ
り、環状アルキル基について2ｙ−1である）を有する多
数炭素-置換シランを穏やかな酸化剤と反応させること
により製造される。
【０００９】
【発明の実施の形態】ａ．炭素基の構造の概要 本発明は炭素原子及び第１級水素から成る多数炭素-含
有基にそれぞれ結合するケイ素原子を含む酸化ケイ素物
質を包含する集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素-
含有酸化ケイ素誘電体を含む。好ましくは、上記多数炭
素-含有基は化学式‐(C)y(CH3)zを有し、ここで、ｙは
枝分れアルキル基について1〜4の整数であり、環状アル
キル基について3〜5の整数であり、またｚは枝分れアル
キル基について2ｙ＋1であり、環状アルキル基について
2ｙ−1である。
【００１０】1つの態様では、上記低誘電率の多数炭素-
含有酸化ケイ素誘電体は炭素原子に結合する第1級水素
のみを有し、そして化学式SiHx((C)y(CH3)z)(4-x)（但
し、ｘは1〜3であり、ｙは枝分れアルキル基について1
〜4の整数であり、環状アルキル基について3〜5の整数
であり、またｚは枝分れアルキル基について2ｙ＋1であ
り、環状脂肪族炭化水素について2ｙ−1である）を有す
る多数炭素-置換シランを穏やかな酸化剤と反応させる
ことにより製造される。穏やかな酸化剤と上記化学式を
有する置換シランとの上述の反応は全てが同じ種類の多
数炭素-含有基を有する置換シランと上記酸化剤との反
応か、又は異なる置換シランの混合物であって、その全
てが上記式に含まれ、モノ，ジ，及びトリ置換シランの
混合物を含む混合物と上記酸化剤との反応を含むことが
できる。
【００１１】好ましくは、上記炭素-置換シランはモノ-
置換シランであり、そして上記化学式においてｘは3の
値を有する。この点に関して、本発明の低誘電率の多数
炭素-含有酸化ケイ素誘電体は以下に述べるように多数
炭素-含有基に結合しないケイ素原子も含んでもよいこ
とに注目すべきである。
【００１２】ｂ．概要における用語の定義 本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体に
関して、用語の“低誘電率”は、炭素を含まない従来の
酸化ケイ素誘電体の誘電率より小さい誘電率（ｋ）を意
味する。好ましくは、本発明の低誘電率の多数炭素-含
有酸化ケイ素誘電体の誘電率は3又はそれより小さい値
である。
【００１３】本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体に関して、用語の“炭素-含有”は、ケイ素
原子に結合するそれぞれの炭素-含有基において1つの炭
素原子を有する1又はそれ以上の多数炭素-含有基を有す
る酸化ケイ素-含有物質を意味する。
【００１４】本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体に関して、用語の“多数炭素-含有基”は、
上記基中の炭素原子の１つがケイ素原子に結合し、そし
て残りの炭素原子がそれぞれ複数の炭素原子又は単独炭
素原子に接合する構造体において互いに結合する少なく
とも4個の炭素原子と、3個の第１級水素原子とを含む炭
素基を意味する。
【００１５】用語の“第１級水素”は、例えば、-CH 2 -C
H 2 -CH 2 -構造体のように２つの他の炭素原子に結合する
炭素原子に結合する第２級水素とは対照的に、ただ1つ
の他の炭素原子に結合する単独炭素基に3の倍数で接合
する水素原子を意味する。
【００１６】用語の“脂肪族”は、多数炭素基中の炭素
原子の直鎖又は枝分れ鎖の配列、並びに多数炭素基の脂
環式配列、即ち、（非-芳香族）閉鎖環構造を意味す
る。
【００１７】用語の“穏やかな酸化剤”は、第１級水素
と多数炭素-含有基中の炭素原子との間のＣ-Ｈ結合を破
壊して炭素を酸化することなく、Ｓｉ-Ｈ結合を破壊し
てＳｉ-Ｏ結合を形成できる酸化剤を意味する。
【００１８】ｃ．一般式における特定炭素基の名前 第1級水素のみを含有し、そして化学式‐(C)y(CH3)
z（ここで、ｙは1〜4の整数であり、ｚは2ｙ＋1であ
る）を有し、そして上記酸化ケイ素物質中のケイ素原子
に結合する多数炭素-含有枝分れアルキル基は下記のも
のを含む：
【００１９】
【化１】
【００２０】
【化２】
【００２１】
【化３】
【００２２】第１級水素のみを含有し、そして化学式‐
(C)y(CH3)z（ここで、ｙは3〜5の整数であり、ｚは2ｙ
−1である）を有し、そして上記酸化ケイ素物質中のケ
イ素原子に結合する多数炭素-含有環状アルキル基は下
記のものを含む：
【００２３】
【化４】
【００２４】
【化５】
【００２５】
【化６】
【００２６】ｄ．多数炭素-含有基を有する酸化ケイ素
誘電体の造り方 上述したように、好ましい態様において、本発明の低誘
電率（低いｋ）の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体は炭
素置換シランを炭素原子と第1級水素との間のC-H結合を
破壊しないで炭素原子を酸化する穏やかな酸化剤と反応
させることにより形成される。上記穏やかな酸化剤は好
ましくは過酸化水素（H2O2）であり、また上記置換シラ
ンは上記シラン分子の1又はそれ以上の水素に置換する
ケイ素原子に結合する1又はそれ以上の上記多数炭素-含
有基を有する。その他の酸化剤が、Si-H結合に優先して
C-H結合を破壊するほど強くは酸化せず、従って上記酸
化剤と上記多数炭素-含有基を含む上記シランとの反応
生成物の上記薄膜形成能力を妨害しないという条件の下
で、上記その他の酸化剤を過酸化水素の代わりに使用で
きる。
【００２７】上記低いｋの誘電体をケイ素基板表面上に
形成する前に、後に形成される上記低いｋの誘電体のた
めの防湿層として作用する酸化ケイ素（SiO2）又は窒化
ケイ素の薄い基層を基板上に形成することが好ましい。
上記基層はその上に形成される低いｋの誘電層を適切に
保護するために、厚さが少なくとも約50ナノメートル(n
m)である。この最低値を越える厚さが採用されてもよい
が、おそらく不必要であり、そして上記複合層の全体の
誘電率の不所望な増大に否定的に貢献するであろう。好
ましくは、類似の防湿層が同様の理由で、また同じ厚さ
で上記低いｋの誘電層上に形成される。この防湿層は後
のプロセス工程を通じて上記の低いｋの誘電体を保護す
るために形成される。
【００２８】上記置換されたシラン及び酸化剤反応物
は、これらを反応生成物が堆積するケイ素基板を収容し
ている反応室内に導入することにより互いに反応する。
この反応室は好ましくは約0.1〜50トル、より好ましく
は約1〜10トル、最も好ましくは約1〜5トルの圧力に保
持される。上記置換シランと過酸化水素の両方が気相で
上記反応室内に導入される。上記反応物の配送装置は反
応物をガス又は蒸気として反応室中に供給するために、
約70℃〜約100℃の温度に維持される。それぞれの反応
物の流量は反応室の寸法に依存し、また特定の反応物に
応じて変動する。反応と堆積を通じて、反応室内のケイ
素基板の温度は反応生成物の形成時の早い架橋を避ける
ために、周囲温度（25℃未満）以下に、好ましくは約10
℃以下に維持される。上記反応はケイ素基板上に既に形
成された集積回路構造物上に低いｋの誘電体層を所望の
厚さに形成できるのに十分な時間で実施される。通常、
この厚さは下側の導電領域と上記低いｋの誘電体上に形
成される導電領域との間の十分な電気絶縁を保証する最
低約300ｎｍから最高約800ｎｍまでの範囲にある。より
厚い層も形成できるが、しかし不必要であり、単に構造
体の嵩を増すだけであると考えられる。
【００２９】本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体を製造する現在好ましい方法に依れば、反応
遅延剤が反応速度に影響を与えるために反応物に添加さ
れてもよく、これにより生成物の質が向上する。このよ
うな反応遅延剤は本出願と同日に本発明の発明者の1人
により出願され、そして本発明の譲り受け人に譲渡され
た“1又はそれ以上の反応遅延剤の存在下での炭素-含有
シランと酸化剤の反応による改良された低誘電率の炭素
-含有酸化ケイ素誘電体の形成”と表題を付けられた出
願中の米国特許出願明細書No．99-055に十分に記述され
ている。
【００３０】ｅ．シラン及び/又は種々の炭素-含有シラ
ンの混合物から製造される低誘電率 の酸化ケイ素誘電体 本発明は主に炭素-含有基中の炭素に結合する第１級水
素のみを有する低誘電率の（低いｋの）酸化ケイ素誘電
体を含むが、本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体とその他の酸化ケイ素物質との混合物を形成
することも本発明の範囲内に含まれる。上記その他の酸
化ケイ素物質は炭素原子を含有しない酸化ケイ素誘電体
を含むか、又は多数炭素を含有しないか、又は非-第１
級水素、例えば、炭素原子に結合する第２級水素を含有
するため、上記基準を満たさない少量のその他の炭素-
含有基を含む酸化ケイ素誘電体を含む。このような誘電
体を本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電
体と混合すれば、得られる低誘電率の誘電体薄膜の他の
物理的特性を高めることが可能となる。
【００３１】例えば、本発明の低誘電率の多数炭素-含
有酸化ケイ素誘電体の薄膜形成特性を高めるために、こ
の酸化ケイ素誘電体は ａ）炭素-含有基に接合するケイ素原子を持たない酸化
ケイ素誘電体； ｂ）それぞれが一又はそれ以上の単独炭素基に接合する
ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体（例えば、メチ
ルシランを過酸化水素と反応させるトリコンフロウフィ
ル法(Trikon Flowfill process)により形成された低い
誘電率の酸化ケイ素誘電体）； ｃ）それぞれが第2級水素を含有する炭素基に接合する
ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体（例えば、メチ
レンビス-シランを過酸化水素と反応させることにより
形成される低い誘電率の酸化ケイ素誘電体）； ｄ）それぞれが単独芳香族炭素基に接合するケイ素原子
を含有する酸化ケイ素誘電体；及び ｅ）上記ａ），ｂ），ｃ），及びｄ）の2つ又はそれ以
上の混合物：を混合されてもよい。
【００３２】このような本発明の低誘電率の多数炭素-
含有酸化ケイ素誘電体を含む誘電体の混合物は例えば、
過酸化水素（H2O2）を適切なシラン（シラン又は置換シ
ラン）の混合物と反応させることにより形成できる。例
えば、上記混合物ａ）に相当する酸化ケイ素誘電体の混
合物は過酸化水素をシラン（ＳiH4）と化学式SiHx((C)y
(CH3)z)(4-x)（但し、ｘは1〜3であり、ｙは枝分れアル
キル基について1〜4の整数であり、環状アルキル基につ
いて3〜5の整数であり、またｚは枝分れアルキル基につ
いて2ｙ＋1であり、環状アルキル基について2ｙ−1であ
る）を有する置換シランとの混合物に反応させることに
より製造できる。混合物ｂ）に相当する酸化ケイ素誘電
体の混合物を形成するために、メチルシランを混合物
ａ）を形成するために上記で使用されたシランと置換で
きる。ａ）とｂ）の両方を含む混合物を形成するために
は、シランとメチルシランの両方を化学式SiHx((C)y(CH
3)z)(4-x)を有する上述した置換シランと組み合わせて
使用できる。本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
イ素誘電体としての誘電体の混合物を形成するために単
独又は組み合わせて使用できる置換シランのその他の例
としては、酸化ケイ素、ジメチルシラン、エチルシラ
ン、イソプロピルシラン、ｎ-ブチルシラン、イソブチ
ルシラン、フェニルシラン、およびメチレンビス-シラ
ンが挙げられる。
【００３３】上述したように、本発明の低誘電率の多数
炭素-含有酸化ケイ素誘電体に添加できる誘電体の量は
少量であるべきである。用語の“少量”は上記混合物中
の誘電体の合計量の50容量％を越える量が本発明の低誘
電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体を包含すべきで
あることを意味する。しかしながら，場合によっては、
得られる混合物のその他の特性、例えば薄膜形成能力、
を高めるために、たとえこのような使用によって得られ
る混合物の誘電率が増大するとしても、他の誘電体を50
容量％を越えて、即ち、他の誘電体が約70容量％まで、
そして本発明の低誘電率の炭素-含有酸化ケイ素誘電体
が30容量％までの使用が許容されてもよい。
【００３４】このような混合物を使用すると、混合物の
平均誘電率を誘電体の特定比率について下記の式を用い
て決定できる： ｋav＝Σiｘiｋi ここで、ｘiは誘電成分ｉの容積分率であり、そしてｋi
は純粋な誘電成分の誘電率である。従って、例えば、得
られる混合物の薄膜形成特性を高めるために、誘電体ａ
及び誘電体ｂを本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化
ケイ素誘電体に加えることができる。混合物が10容量％
の誘電体ａと、15容量％の誘電体ｂと、75容量％の本発
明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体とを含
む場合、この混合物の平均誘電率はそれぞれの誘電体の
誘電率と上記混合物の容量％との積の合計を含むであろ
う。本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電
体の誘電率が2.8であり、誘電体ａの誘電率が3.5であ
り、誘電体ｂの誘電率が3.4である場合、平均誘電率ｋ
avは（2.8×.75）＋（3.5×.10）＋（3.4×.15）＝2.96
になるであろう。
【００３５】従って、本発明は少なくとも4個の炭素原
子及び第１級水素から成る1又はそれ以上の多数炭素-含
有基にそれぞれ結合するケイ素原子を含む酸化ケイ素物
質を含む新規な低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘
電体を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素
誘電体の形成を説明するフローシートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サハレフ，ヴァレリー アメリカ合衆国カリフォルニア州95014, クーパーチノ，ガーデン・テラス・ドラ イブ 11476 (72)発明者 ズブコフ，ウラジミール アメリカ合衆国カリフォルニア州94040, マウンテン・ビュー，カリフォルニア・ ストリート 2342，ナンバー ９ (56)参考文献 特開 平２−170974（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−16904（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−31683（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 21/768

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 炭素原子及び第１級水素から構成され
    て、化学式‐(C)y(CH3)z（但し、ｙは 1〜4の整数であ
    り、そしてｚは 2ｙ＋1である）を有する多数炭素-含有
    枝分れアルキル基にそれぞれ結合するケイ素原子を含む
    酸化ケイ素物質を包含する集積回路構造物用の低誘電率
    の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体であって、上記多数
    炭素-含有枝分れアルキル基が、化学式‐C7H15を有する
    1，1，2，2‐テトラメチルプロピル基、化学式‐C10H
    21を有する 1，1，2，2，3，3，‐ヘキサメチルブチル
    基、および化学式‐C13H27を有する 1，1，2，2，3，
    3，4，4‐オクタメチルペンチル基のいずれかを含む、
    低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  2. 【請求項２】 ａ）炭素-含有基に接合するケイ素原子
    を持たない酸化ケイ素誘電体； ｂ）それぞれが一又はそれ以上の単独炭素基に接合する
    ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体； ｃ）それぞれが第2級水素を含有する炭素基に接合する
    ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体； ｄ）それぞれが単独芳香族炭素基に接合するケイ素原子
    を含有する酸化ケイ素誘電体；及び ｅ）上記ａ），ｂ），ｃ），及びｄ）の2つ又はそれ以
    上の混合物：から成る群から選ばれる追加の物質を更に
    含む、請求項１の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素
    誘電体。
  3. 【請求項３】 上記追加の物質が上記低誘電率の多数炭
    素-含有酸化ケイ素誘電体の合計容量の70容量％以下で
    ある、請求項２の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素
    誘電体。
  4. 【請求項４】 上記追加の物質が上記低誘電率の多数炭
    素-含有酸化ケイ素誘電体の合計容量の50容量％未満で
    ある、請求項２の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素
    誘電体。
  5. 【請求項５】 酸化ケイ素、ジメチルシラン、エチルシ
    ラン、イソプロピルシラン、ｎ-ブチルシラン、イソブ
    チルシラン、フェニルシラン、メチレンビス-シラン、
    及び上記の２又はそれ以上の混合物から成る群から選ば
    れる追加の物質を更に含む、請求項１の低誘電率の多数
    炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  6. 【請求項６】 炭素原子及び第１級水素から構成され
    て、化学式‐(C)y(CH3)z（但し、ｙは 3〜5の整数であ
    り、そしてｚは 2ｙ−1である）を有する多数炭素-含有
    環状アルキル基にそれぞれ結合するケイ素原子を含む酸
    化ケイ素物質を包含する、集積回路構造物用の低誘電率
    の多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  7. 【請求項７】 上記多数炭素-含有環状アルキル基が化
    学式‐C8H15を有する1，2，2，3，3-ペンタメチルシク
    ロプロピル基を含む、請求項６の低誘電率の多数炭素-
    含有酸化ケイ素誘電体。
  8. 【請求項８】 上記多数炭素-含有環状アルキル基が化
    学式‐C11 H21を有する1，2，2，3，3，4，4，-ヘプタ
    メチルシクロブチル基を含む、請求項６の低誘電率の多
    数炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  9. 【請求項９】 上記多数炭素-含有環状アルキル基が化
    学式‐C14 H27を有する1，2，2，3，3，4，4-ノナメチ
    ルシクロペンチル基を含む、請求項６の低誘電率の多数
    炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  10. 【請求項１０】 ａ）炭素-含有基に接合するケイ素原
    子を持たない酸化ケイ素誘電体； ｂ）それぞれが一又はそれ以上の単独炭素基に接合する
    ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体； ｃ）それぞれが第2級水素を含有する炭素基に接合する
    ケイ素原子を含有する酸化ケイ素誘電体； ｄ）それぞれが単独芳香族炭素基に接合するケイ素原子
    を含有する酸化ケイ素誘電体；及び ｅ）上記ａ），ｂ），ｃ），及びｄ）の2つ又はそれ以
    上の混合物：から成る群から選ばれる追加の物質を更に
    含む、請求項６の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケイ素
    誘電体。
  11. 【請求項１１】 上記追加の物質が上記低誘電率の多数
    炭素-含有酸化ケイ素誘電体の合計容量の70容量％以下
    である、請求項１０の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
    イ素誘電体。
  12. 【請求項１２】 上記追加の物質が上記低誘電率の多数
    炭素-含有酸化ケイ素誘電体の合計容量の50容量％未満
    である、請求項１０の低誘電率の多数炭素-含有酸化ケ
    イ素誘電体。
  13. 【請求項１３】 酸化ケイ素，ジメチルシラン，エチル
    シラン，イソプロピルシラン，ｎ-ブチルシラン，イソ
    ブチルシラン，フェニルシラン，メチレンビス-シラ
    ン，及び上記の2又はそれ以上の混合物から成る群から
    選ばれる追加の物質を更に含む、請求項６の低誘電率の
    多数炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  14. 【請求項１４】 炭素及び第１級水素から成る多数炭素
    -含有環状アルキル基にそれぞれ結合するケイ素原子を
    含有する酸化ケイ素物質を含む集積回路構造物用の低誘
    電率の炭素-含有酸化ケイ素誘電体であって、炭素原子
    に結合する第1級水素を有し、化学式 SiHx((C)y(CH3)z)
    (4-x)（但し、ｘは 1〜3であり、ｙは3〜5の整数であ
    り、そしてｚは 2ｙ−1である）を有する炭素-置換シラ
    ンを穏やかな酸化剤と反応させることにより形成され
    る、酸化ケイ素誘電体。
  15. 【請求項１５】 ｘが 3である、請求項１４の低誘電率
    の炭素-含有酸化ケイ素誘電体。
  16. 【請求項１６】 上記穏やかな酸化剤が過酸化水素（H2
    O2）を含む、請求項１４の低誘電率の多数炭素-含有酸
    化ケイ素誘電体。
JP2000079900A 1999-03-22 2000-03-22 集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体 Expired - Fee Related JP3432783B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/274457 1999-03-22
US09/274,457 US6303047B1 (en) 1999-03-22 1999-03-22 Low dielectric constant multiple carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures, and method of making same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000353702A JP2000353702A (ja) 2000-12-19
JP3432783B2 true JP3432783B2 (ja) 2003-08-04

Family

ID=23048273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000079900A Expired - Fee Related JP3432783B2 (ja) 1999-03-22 2000-03-22 集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6303047B1 (ja)
EP (1) EP1039520A3 (ja)
JP (1) JP3432783B2 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040089482A1 (en) * 1991-04-10 2004-05-13 Uship Intellectual Properties, Llc Automated package shipping machine
US6800571B2 (en) * 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
JP2001044191A (ja) * 1999-07-27 2001-02-16 Sony Corp 積層絶縁膜とその製造方法および半導体装置とその製造方法
US6391795B1 (en) 1999-10-22 2002-05-21 Lsi Logic Corporation Low k dielectric composite layer for intergrated circuit structure which provides void-free low k dielectric material between metal lines while mitigating via poisoning
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
US6492731B1 (en) * 2000-06-27 2002-12-10 Lsi Logic Corporation Composite low dielectric constant film for integrated circuit structure
US6762132B1 (en) 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use
US6448186B1 (en) * 2000-10-06 2002-09-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for use of hydrogen and silanes in plasma
US6693051B2 (en) * 2001-02-01 2004-02-17 Lucent Technologies Inc. Silicon oxide based gate dielectric layer
US6858195B2 (en) 2001-02-23 2005-02-22 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material
US6649219B2 (en) 2001-02-23 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation
KR100432704B1 (ko) * 2001-09-01 2004-05-24 주성엔지니어링(주) 수소화된 ＳｉＯＣ 박막 제조방법
US6528423B1 (en) 2001-10-26 2003-03-04 Lsi Logic Corporation Process for forming composite of barrier layers of dielectric material to inhibit migration of copper from copper metal interconnect of integrated circuit structure into adjacent layer of low k dielectric material
US6613665B1 (en) 2001-10-26 2003-09-02 Lsi Logic Corporation Process for forming integrated circuit structure comprising layer of low k dielectric material having antireflective properties in an upper surface
KR101227664B1 (ko) * 2002-01-31 2013-01-29 도소 가부시키가이샤 유기실란화합물을 포함하여 구성되는 절연막용 재료, 그 제조방법 및 반도체장치
CN100335488C (zh) * 2002-01-31 2007-09-05 东粟株式会社 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
US6654226B2 (en) * 2002-03-08 2003-11-25 Lsi Logic Corporation Thermal low k dielectrics
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
US20030194495A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US7060330B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
US7101260B2 (en) * 2002-07-29 2006-09-05 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US6764385B2 (en) * 2002-07-29 2004-07-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7134941B2 (en) * 2002-07-29 2006-11-14 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for residue removal and corrosion prevention in a post-metal etch process
US7066789B2 (en) * 2002-07-29 2006-06-27 Manoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
US7297286B2 (en) * 2002-07-29 2007-11-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
FR2848036B1 (fr) 2002-11-28 2005-08-26 St Microelectronics Sa Support pour resonateur acoustique, resonateur acoustique et circuit integre correspondant
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
US20050214457A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US8241656B2 (en) * 2005-09-21 2012-08-14 Surmodics, Inc Articles including natural biodegradable polysaccharides and uses thereof
US20070134435A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ahn Sang H Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films
US7297376B1 (en) 2006-07-07 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers
TWI306288B (en) * 2006-08-18 2009-02-11 Promos Technologies Inc Memory structure and method for preparing the same
JP2011181672A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Taiyo Nippon Sanso Corp 低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法
JP6117799B2 (ja) * 2011-09-30 2017-04-19 アーケマ・インコーポレイテッド 大気圧化学蒸着法によるケイ素酸化物の蒸着
JP5947093B2 (ja) * 2012-04-25 2016-07-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3012861A (en) * 1960-01-15 1961-12-12 Du Pont Production of silicon
US3178392A (en) * 1962-04-09 1965-04-13 Rohm & Haas Heterocyclic and linear siliconmethylene and polysiloxane compounds containing siliconmethylene units and their preparation
US3652331A (en) 1968-03-22 1972-03-28 Shumpei Yamazaki Process for forming a film on the surface of a substrate by a gas phase
US3920865A (en) * 1969-03-29 1975-11-18 Degussa Process of hydrophorizing highly dispersed metal or metalloid oxides
US3832202A (en) * 1972-08-08 1974-08-27 Motorola Inc Liquid silica source for semiconductors liquid silica source for semiconductors
US4771328A (en) 1983-10-13 1988-09-13 International Business Machine Corporation Semiconductor device and process
US4705725A (en) * 1986-11-28 1987-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Substrates with sterically-protected, stable, covalently-bonded organo-silane films
US4981724A (en) * 1988-10-27 1991-01-01 Hochberg Arthur K Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources
JP2874297B2 (ja) * 1989-12-18 1999-03-24 東ソー株式会社 逆相クロマトグラフィー用充填剤及びその製造方法
JPH0677402A (ja) 1992-07-02 1994-03-18 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
US5376595A (en) 1992-08-28 1994-12-27 Allied-Signal Inc. Silicon carboxide ceramics from spirosiloxanes
US5364800A (en) 1993-06-24 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate
US5470801A (en) 1993-06-28 1995-11-28 Lsi Logic Corporation Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same
US5559367A (en) 1994-07-12 1996-09-24 International Business Machines Corporation Diamond-like carbon for use in VLSI and ULSI interconnect systems
US5625232A (en) 1994-07-15 1997-04-29 Texas Instruments Incorporated Reliability of metal leads in high speed LSI semiconductors using dummy vias
TW285753B (ja) * 1995-01-04 1996-09-11 Air Prod & Chem
KR100209365B1 (ko) 1995-11-01 1999-07-15 김영환 에스.오.아이 반도체 웨이퍼의 제조방법
US5882489A (en) 1996-04-26 1999-03-16 Ulvac Technologies, Inc. Processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5939763A (en) 1996-09-05 1999-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Ultrathin oxynitride structure and process for VLSI applications
US5858879A (en) 1997-06-06 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for etching metal lines with enhanced profile control
US6037248A (en) 1997-06-13 2000-03-14 Micron Technology, Inc. Method of fabricating integrated circuit wiring with low RC time delay
US6025263A (en) 1997-07-15 2000-02-15 Nanya Technology Corporation Underlayer process for high O3 /TEOS interlayer dielectric deposition
US5904154A (en) 1997-07-24 1999-05-18 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for removing fluorinated photoresist layers from semiconductor substrates
US5874745A (en) * 1997-08-05 1999-02-23 International Business Machines Corporation Thin film transistor with carbonaceous gate dielectric
US6066574A (en) 1998-11-06 2000-05-23 Advanced Micro Devices, Inc. Hot plate cure process for BCB low k interlevel dielectric
US6232658B1 (en) 1999-06-30 2001-05-15 Lsi Logic Corporation Process to prevent stress cracking of dielectric films on semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US6303047B1 (en) 2001-10-16
JP2000353702A (ja) 2000-12-19
EP1039520A2 (en) 2000-09-27
EP1039520A3 (en) 2001-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3432783B2 (ja) 集積回路構造物用の低誘電率の多数炭素−含有酸化ケイ素誘電体
US6333278B1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3762304B2 (ja) 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
JP4689026B2 (ja) 極限低誘電率膜のためのキャッピング層
US6583048B2 (en) Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
US6177143B1 (en) Electron beam treatment of siloxane resins
KR100689917B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100974042B1 (ko) 금속간 유전체로서 사용된 낮은 ｋ 및 극도로 낮은 ｋ의 오가노실리케이트 필름의 소수성을 복원하는 방법 및 이로부터 제조된 물품
US6365528B1 (en) Low temperature process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric-material characterized by improved resistance to oxidation and good gap-filling capabilities
KR101327640B1 (ko) 유전체막 형성 방법 및 상기 방법을 실행하는 신규한전구체
US6846755B2 (en) Bonding a metal component to a low-k dielectric material
US6949829B2 (en) Semiconductor device and fabrication method therefor
US6858195B2 (en) Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material
US6572925B2 (en) Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon containing silicon oxide dielectric material
KR20050013492A (ko) 구리/낮은 ｋ 상호 접속 구조를 위해 개선된 화학적평탄화 성능
JP2004095865A (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP1249040A2 (en) Method and structure for adhering msq material to liner oxide
EP1094509B1 (en) Low dielectric constant silicon oxide-based dielectric layer for integrated circuit structures having improved compatibility with via filler materials, and method of making same
US6649219B2 (en) Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation
US6562735B1 (en) Control of reaction rate in formation of low k carbon-containing silicon oxide dielectric material using organosilane, unsubstituted silane, and hydrogen peroxide reactants
JP4540961B2 (ja) エッチングストッパー層形成用組成物
US6583026B1 (en) Process for forming a low k carbon-doped silicon oxide dielectric material on an integrated circuit structure
JP2001035843A (ja) 層間絶縁膜の形成方法
JP2002134610A (ja) 半導体装置の製造方法
US20070077778A1 (en) Method of forming low dielectric constant layer

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080523

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100523

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees