JP3431316B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法Info
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Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。
産業上の利用分野
従来の技術（図５及び図６）
発明が解決しようとする課題（図５及び図６）
課題を解決するための手段（図１〜図４）
作用（図１〜図４）
実施例（図１〜図４）
発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
び半導体チツプの実装方法に関し、例えばフリツプチツ
プに適用して好適なものである。
び半導体チツプの実装方法に関し、例えばフリツプチツ
プに適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体チツプの実装方法の１つと
して、フリツプチツプ実装法がある。フリツプチツプ実
装法は、図５に示すように、エポキシやフエノール等の
樹脂上に銅パターンを配線してなる有機基板や、アルミ
ナ又はガラスセラミツク等のセラミツク上に銅や銀パタ
ーンを配線してなるセラミツク基板等の回路基板１の各
リード部（電極）２上にそれぞれはんだメツキ等の手法
を用いてかまぼこ状のはんだ層３を形成し、これら各は
んだ層３と、半導体チツプ４の対応する電極パツド（図
示せず）上に形成されたはんだバンプ５とを加熱溶融さ
せて接合することにより半導体チツプ４を回路基板４上
に実装する方法で、近年広く用いられている。
して、フリツプチツプ実装法がある。フリツプチツプ実
装法は、図５に示すように、エポキシやフエノール等の
樹脂上に銅パターンを配線してなる有機基板や、アルミ
ナ又はガラスセラミツク等のセラミツク上に銅や銀パタ
ーンを配線してなるセラミツク基板等の回路基板１の各
リード部（電極）２上にそれぞれはんだメツキ等の手法
を用いてかまぼこ状のはんだ層３を形成し、これら各は
んだ層３と、半導体チツプ４の対応する電極パツド（図
示せず）上に形成されたはんだバンプ５とを加熱溶融さ
せて接合することにより半導体チツプ４を回路基板４上
に実装する方法で、近年広く用いられている。
【０００４】この場合半導体チツプ４と回路基板１との
間には封止樹脂６が充填されることが多く、これにより
半導体チツプ４と回路基板１との熱膨張係数差に起因す
る半導体チツプ４のはんだバンプ５近傍における破損等
を防止している。
間には封止樹脂６が充填されることが多く、これにより
半導体チツプ４と回路基板１との熱膨張係数差に起因す
る半導体チツプ４のはんだバンプ５近傍における破損等
を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来のフリツプチツプ実装法では、回路基板１のリー
ド部２上に形成されたはんだ３と、半導体チツプ４のは
んだバンプ５とを加熱接合する際、はんだ３及びはんだ
バンプ５の各表面にそれぞれ形成された酸化膜を除去す
るために、フラツクスを予めはんだ３又ははんだバンプ
５に塗布する必要があり、このためはんだ３とはんだバ
ンプ５とを接合した後に不要なフラツクスを洗浄して除
去する必要がある。
な従来のフリツプチツプ実装法では、回路基板１のリー
ド部２上に形成されたはんだ３と、半導体チツプ４のは
んだバンプ５とを加熱接合する際、はんだ３及びはんだ
バンプ５の各表面にそれぞれ形成された酸化膜を除去す
るために、フラツクスを予めはんだ３又ははんだバンプ
５に塗布する必要があり、このためはんだ３とはんだバ
ンプ５とを接合した後に不要なフラツクスを洗浄して除
去する必要がある。
【０００６】ところが、通常、半導体チツプ４及び回路
基板１間のギヤツプはわずか50〜100 〔μm 〕程度であ
り、このため当該半導体チツプ４及び回路基板１間に洗
浄液が充分に入り込めず、洗浄後も半導体チツプ４と回
路基板１との間にフラツクスが残存することが多かつ
た。このように洗浄終了後も半導体チツプ４と回路基板
１との間にフラツクスが存在していると、この後行われ
る封止樹脂充填工程において、半導体チツプ４及び回路
基板１間に封止樹脂を充分に充填できず、この結果半導
体チツプ４及び回路基板１間の封止樹脂６内部に図６の
ように空孔７が生じることがある。
基板１間のギヤツプはわずか50〜100 〔μm 〕程度であ
り、このため当該半導体チツプ４及び回路基板１間に洗
浄液が充分に入り込めず、洗浄後も半導体チツプ４と回
路基板１との間にフラツクスが残存することが多かつ
た。このように洗浄終了後も半導体チツプ４と回路基板
１との間にフラツクスが存在していると、この後行われ
る封止樹脂充填工程において、半導体チツプ４及び回路
基板１間に封止樹脂を充分に充填できず、この結果半導
体チツプ４及び回路基板１間の封止樹脂６内部に図６の
ように空孔７が生じることがある。
【０００７】このような状態において、半導体チツプ４
と回路基板１とを駆動すると、半導体チツプ４及び回路
基板１からの発熱や、周辺の温度変化によつて空孔７内
の空気が膨張又は収縮するため、これに伴つて封止樹脂
６及び半導体チツプ４のはんだバンプ５が膨張又は収縮
することにより、封止樹脂６やはんだバンプ５がクラツ
ク又は切断するなどして接続不良が発生することがあつ
た。また封止樹脂充填工程において、半導体チツプ４及
び回路基板１間にフラツクスが残存していると、このフ
ラツクスのために封止樹脂６及び回路基板１間や、封止
樹脂６及び半導体チツプ４間の密着力が不足するため、
半導体チツプ４及び回路基板１からの発熱時や、周辺の
温度変化時において、回路基板１と半導体チツプ４との
熱膨張差のために容易に回路基板１から封止樹脂６が剥
がれたり、封止樹脂６から半導体チツプ４が剥がれるこ
とがある。
と回路基板１とを駆動すると、半導体チツプ４及び回路
基板１からの発熱や、周辺の温度変化によつて空孔７内
の空気が膨張又は収縮するため、これに伴つて封止樹脂
６及び半導体チツプ４のはんだバンプ５が膨張又は収縮
することにより、封止樹脂６やはんだバンプ５がクラツ
ク又は切断するなどして接続不良が発生することがあつ
た。また封止樹脂充填工程において、半導体チツプ４及
び回路基板１間にフラツクスが残存していると、このフ
ラツクスのために封止樹脂６及び回路基板１間や、封止
樹脂６及び半導体チツプ４間の密着力が不足するため、
半導体チツプ４及び回路基板１からの発熱時や、周辺の
温度変化時において、回路基板１と半導体チツプ４との
熱膨張差のために容易に回路基板１から封止樹脂６が剥
がれたり、封止樹脂６から半導体チツプ４が剥がれるこ
とがある。
【０００８】このような場合、回路基板１と封止樹脂６
との間に生じた間隙や、封止樹脂６及び半導体チツプ４
間に生じた間隙から空気中の水分が半導体チツプ４及び
回路基板１間に浸入したり、回路基板１と半導体チツプ
４との熱膨張率差に起因する回路基板１と半導体チツプ
１との膨張差又は収縮差が助長されることによりはんだ
バンプ５が切断するなど半導体チツプ４と回路基板１と
の間で接続不良を生させることがあつた。
との間に生じた間隙や、封止樹脂６及び半導体チツプ４
間に生じた間隙から空気中の水分が半導体チツプ４及び
回路基板１間に浸入したり、回路基板１と半導体チツプ
４との熱膨張率差に起因する回路基板１と半導体チツプ
１との膨張差又は収縮差が助長されることによりはんだ
バンプ５が切断するなど半導体チツプ４と回路基板１と
の間で接続不良を生させることがあつた。
【０００９】さらに従来のフリツプチツプ実装法では、
半導体チツプ４のはんだバンプ５と回路基板１のリード
部２上のはんだ３とを加熱溶融して接続する際、所定の
装置を用いて回路基板１の各はんだ３と、半導体チツプ
４の対応するはんだバンプ５とがそれぞれ接触するよう
に位置決めし、マウントした後、加熱してはんだ３とは
んだバンプ５とを接続しているが、この際、上述のよう
に回路基板１のはんだ３がかまぼこ状、半導体チツプ４
のはんだバンプ５が球状にそれぞれ形成されているた
め、位置決めマウントした後に半導体チツプ４のはんだ
バンプ５がそれぞれ回路基板１の対応するはんだ３上か
らずれ落ちてしまい、この結果回路基板１上の所定位置
に正確かつ確実に半導体チツプ４を実装できないなどの
問題が生じ易かつた。
半導体チツプ４のはんだバンプ５と回路基板１のリード
部２上のはんだ３とを加熱溶融して接続する際、所定の
装置を用いて回路基板１の各はんだ３と、半導体チツプ
４の対応するはんだバンプ５とがそれぞれ接触するよう
に位置決めし、マウントした後、加熱してはんだ３とは
んだバンプ５とを接続しているが、この際、上述のよう
に回路基板１のはんだ３がかまぼこ状、半導体チツプ４
のはんだバンプ５が球状にそれぞれ形成されているた
め、位置決めマウントした後に半導体チツプ４のはんだ
バンプ５がそれぞれ回路基板１の対応するはんだ３上か
らずれ落ちてしまい、この結果回路基板１上の所定位置
に正確かつ確実に半導体チツプ４を実装できないなどの
問題が生じ易かつた。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製
造方法及び半導体チツプの実装方法を提案しようとする
ものである。
で、基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製
造方法及び半導体チツプの実装方法を提案しようとする
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、一面（１１Ａ）に電極（１
２）が形成された半導体チツプ（１１）の一面（１１
Ａ）全面上に、電極（１２）又は電極（１２）の一部分
を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層（１３）を形成する
第１の工程と、熱硬化層（１３）から露出した半導体チ
ツプ（１１）の電極（１２）上に、熱硬化層（１３）よ
りも低い高さではんだを積層することによりはんだ層
（１５）を形成する第２の工程とを設け、熱硬化物質は
フオトレジストでなり、第１の工程は、フオトレジスト
を半導体チツプ（１１）の一面（１１Ａ）全面上に塗布
する第３の工程と、半導体チツプ（１１）の一面（１１
Ａ）全面上に塗布されたフオトレジストを露光し、現像
することにより電極（１２）上又は電極（１２）の一部
分上のフオトレジストだけを除去する第４の工程とでな
るようにした。
め第１の発明においては、一面（１１Ａ）に電極（１
２）が形成された半導体チツプ（１１）の一面（１１
Ａ）全面上に、電極（１２）又は電極（１２）の一部分
を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層（１３）を形成する
第１の工程と、熱硬化層（１３）から露出した半導体チ
ツプ（１１）の電極（１２）上に、熱硬化層（１３）よ
りも低い高さではんだを積層することによりはんだ層
（１５）を形成する第２の工程とを設け、熱硬化物質は
フオトレジストでなり、第１の工程は、フオトレジスト
を半導体チツプ（１１）の一面（１１Ａ）全面上に塗布
する第３の工程と、半導体チツプ（１１）の一面（１１
Ａ）全面上に塗布されたフオトレジストを露光し、現像
することにより電極（１２）上又は電極（１２）の一部
分上のフオトレジストだけを除去する第４の工程とでな
るようにした。
【００１２】
【００１３】また本発明においては、半導体チツプ（１
１）の一面（１１Ａ）に形成された第１の電極（１２）
と、基板（２０）に形成された対応する第２の電極（２
１）とを接続するようにして導体チツプ（１１）を基板
に実装する半導体チツプ（１１）の実装方法において、
半導体チツプ（１１）の一面（１１Ａ）全面上に、第１
の電極（１２）又は第１の電極（１２）の一部分を避け
て熱硬化物質でなる熱硬化層（１３）を形成する第１の
工程と、熱硬化層（１３）から露出する半導体チツプ
（１１）の第１の電極（１２）上に、熱硬化層（１３）
よりも低い高さではんだを積層することにより第１のは
んだ層（１５）を形成する第２の工程と、半導体チツプ
（１１）を、第１のはんだ層（１５）が基板（２０）の
対応する電極（２１）上に形成されたはんだでなる第２
のはんだ層（２２）と接触又は対向するように基板（２
０）上に位置決めマウントする第３の工程と、半導体チ
ツプ（１１）を基板（２０）に所定の圧力で押しつけな
がら熱硬化層（１３）並びに第１及び第２のはんだ層
（１５）、（２０）を加熱することにより、熱硬化層
（１３）を硬化させると共に第１及び第２のはんだ層
（１５）、（２０）を溶融接合する第４の工程とを設
け、熱硬化物質はフオトレジストでなり、第１の工程
は、フオトレジストを半導体チツプ（１１）の一面（１
１Ａ）全面上に塗布する第５の工程と、半導体チツプ
（１１）の一面（１１Ａ）全面上に塗布されたフオトレ
ジストを露光し、現像することにより電極（１２）上又
は電極（１２）の一部分上のフオトレジストだけを除去
する第６の工程とでなるようにした。
１）の一面（１１Ａ）に形成された第１の電極（１２）
と、基板（２０）に形成された対応する第２の電極（２
１）とを接続するようにして導体チツプ（１１）を基板
に実装する半導体チツプ（１１）の実装方法において、
半導体チツプ（１１）の一面（１１Ａ）全面上に、第１
の電極（１２）又は第１の電極（１２）の一部分を避け
て熱硬化物質でなる熱硬化層（１３）を形成する第１の
工程と、熱硬化層（１３）から露出する半導体チツプ
（１１）の第１の電極（１２）上に、熱硬化層（１３）
よりも低い高さではんだを積層することにより第１のは
んだ層（１５）を形成する第２の工程と、半導体チツプ
（１１）を、第１のはんだ層（１５）が基板（２０）の
対応する電極（２１）上に形成されたはんだでなる第２
のはんだ層（２２）と接触又は対向するように基板（２
０）上に位置決めマウントする第３の工程と、半導体チ
ツプ（１１）を基板（２０）に所定の圧力で押しつけな
がら熱硬化層（１３）並びに第１及び第２のはんだ層
（１５）、（２０）を加熱することにより、熱硬化層
（１３）を硬化させると共に第１及び第２のはんだ層
（１５）、（２０）を溶融接合する第４の工程とを設
け、熱硬化物質はフオトレジストでなり、第１の工程
は、フオトレジストを半導体チツプ（１１）の一面（１
１Ａ）全面上に塗布する第５の工程と、半導体チツプ
（１１）の一面（１１Ａ）全面上に塗布されたフオトレ
ジストを露光し、現像することにより電極（１２）上又
は電極（１２）の一部分上のフオトレジストだけを除去
する第６の工程とでなるようにした。
【００１４】
【作用】第１の発明においては、半導体チツプ（１１）
の一面（１１Ａ）に電極（１２）又は電極（１２）の一
部分を避けて熱硬化層（１３）を形成すると共に、当該
電極（１２）上に熱硬化層（１３）よりも低くはんだ層
（１５）を形成するようにしたことにより、この結果と
して得られる半導体装置（１０）では、熱硬化層（１
３）の電極（１２）位置に対応する部分に窪みが形成さ
れる。従つて熱硬化層（１３）の窪みに、基板（２０）
上の対応する電極（２１）上に形成されたはんだ層（２
２）が嵌まり込むように当該半導体装置（１０）を基板
（２０）上にマウントすることで、半導体チツプ（１
１）の基板（２０）に対する位置合わせを容易に行うこ
とができる。
の一面（１１Ａ）に電極（１２）又は電極（１２）の一
部分を避けて熱硬化層（１３）を形成すると共に、当該
電極（１２）上に熱硬化層（１３）よりも低くはんだ層
（１５）を形成するようにしたことにより、この結果と
して得られる半導体装置（１０）では、熱硬化層（１
３）の電極（１２）位置に対応する部分に窪みが形成さ
れる。従つて熱硬化層（１３）の窪みに、基板（２０）
上の対応する電極（２１）上に形成されたはんだ層（２
２）が嵌まり込むように当該半導体装置（１０）を基板
（２０）上にマウントすることで、半導体チツプ（１
１）の基板（２０）に対する位置合わせを容易に行うこ
とができる。
【００１５】またこの半導体装置（１０）を基板（２
０）上にマウントした後、半導体チツプ（１１）を基板
（２０）に押しつけながら熱硬化層（１３）と、半導体
装置（１０）のはんだ層（１５）及び基板（２０）のは
んだ層（２２）とを加熱することで、熱硬化物質を半導
体チツプ（１１）及び基板（２０）間に封止させ、かつ
半導体装置（１０）のはんだ層（１５）及び基板（２
０）のはんだ層（２２）を溶融接合させることができ
る。従つて半導体チツプ（１１）及び基板（２０）間に
封止される物質内に空孔（７）（図６）が生じたり、当
該物質の半導体チツプ（１１）と基板（２０）との間の
密着力が弱くなることを防止でき、かくして基板（２
０）上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製造方
法を実現できる。
０）上にマウントした後、半導体チツプ（１１）を基板
（２０）に押しつけながら熱硬化層（１３）と、半導体
装置（１０）のはんだ層（１５）及び基板（２０）のは
んだ層（２２）とを加熱することで、熱硬化物質を半導
体チツプ（１１）及び基板（２０）間に封止させ、かつ
半導体装置（１０）のはんだ層（１５）及び基板（２
０）のはんだ層（２２）を溶融接合させることができ
る。従つて半導体チツプ（１１）及び基板（２０）間に
封止される物質内に空孔（７）（図６）が生じたり、当
該物質の半導体チツプ（１１）と基板（２０）との間の
密着力が弱くなることを防止でき、かくして基板（２
０）上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製造方
法を実現できる。
【００１６】
【００１７】また第２の発明においては、半導体チツプ
（１１）の一面（１１Ａ）全面上に電極（１２）又は電
極（１２）の一部分を避けて熱硬化層（１３）を形成す
ると共に、当該電極（１２）上に熱硬化層（１３）より
も低くはんだ層（１５）を形成し、当該半導体チツプ
（１１）を基板（２０）上に位置決めマウントした後、
半導体チツプ（１１）を基板（２０）に所定の圧力で押
しつけながら熱硬化層（１３）並びに第１及び第２のは
んだ層（１５）、（２２）を加熱するようにして、熱硬
化層（１３）を硬化させると共に第１及び第２のはんだ
層（１５）、（２２）を溶融接合するようにしたことに
より、半導体チツプ（１１）及び基板（２０）間に封止
される物質内に空孔（７）が生じたり、当該物質の半導
体チツプ（１１）と基板（２０）との間の密着力が弱く
なることを防止でき、かくして基板（２０）上に容易か
つ正確に実装し得る半導体チツプの実装方法を実現でき
る。
（１１）の一面（１１Ａ）全面上に電極（１２）又は電
極（１２）の一部分を避けて熱硬化層（１３）を形成す
ると共に、当該電極（１２）上に熱硬化層（１３）より
も低くはんだ層（１５）を形成し、当該半導体チツプ
（１１）を基板（２０）上に位置決めマウントした後、
半導体チツプ（１１）を基板（２０）に所定の圧力で押
しつけながら熱硬化層（１３）並びに第１及び第２のは
んだ層（１５）、（２２）を加熱するようにして、熱硬
化層（１３）を硬化させると共に第１及び第２のはんだ
層（１５）、（２２）を溶融接合するようにしたことに
より、半導体チツプ（１１）及び基板（２０）間に封止
される物質内に空孔（７）が生じたり、当該物質の半導
体チツプ（１１）と基板（２０）との間の密着力が弱く
なることを防止でき、かくして基板（２０）上に容易か
つ正確に実装し得る半導体チツプの実装方法を実現でき
る。
【００１８】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１９】図１において、１０は全体として実施例に
よる半導体装置を示し、半導体チツプ１１の回路面１１
Ａ上に電極１２を避けて熱硬化樹脂からなる熱硬化層１
３が形成されている。また半導体チツプ１１の各電極１
２上にはクロム又は銅等のはんだに対して濡れ性の良い
金属を積層してなるボールリミツテイングメタル（ＢＬ
Ｍ）層１４がそれぞれ形成されていると共に、当該各Ｂ
ＬＭ層１４上にはそれぞれ熱硬化層１４よりも低い高さ
ではんだ層１５が形成されている。
よる半導体装置を示し、半導体チツプ１１の回路面１１
Ａ上に電極１２を避けて熱硬化樹脂からなる熱硬化層１
３が形成されている。また半導体チツプ１１の各電極１
２上にはクロム又は銅等のはんだに対して濡れ性の良い
金属を積層してなるボールリミツテイングメタル（ＢＬ
Ｍ）層１４がそれぞれ形成されていると共に、当該各Ｂ
ＬＭ層１４上にはそれぞれ熱硬化層１４よりも低い高さ
ではんだ層１５が形成されている。
【００２０】かくしてこの半導体装置１０は、図２に示
すように、回路基板２０の各リード部２１上にそれぞれ
形成されたはんだでなる各はんだ層２２と、半導体装置
１０の対応する各電極１２上のはんだ層１５とをそれぞ
れ位置合わせして回路基板２０上にマウントした後、加
熱ツール３０を用いて半導体チツプ１１の裏面側から加
熱するようにして半導体装置１０のはんだ層１５と回路
基板２０のはんだ層２２とを溶融し、接合することによ
り、図３のように回路基板２０上に実装することができ
るようになされている。この場合加熱ツール３０を半導
体チツプ１１の裏面に押しつける圧力は、当該圧力によ
つて半導体装置１０の熱硬化層１３が変形することによ
り当該熱硬層１３を形成する熱硬化樹脂が半導体チツプ
１１と回路基板２０との間に隙間なく存在する程度と
し、加熱ツール３０による熱硬化層１３と半導体装置１
０及び回路基板２０の各はんだ層１５、２２への加熱
は、当該加熱ツール３０によつて半導体チツプ１１を回
路基板２０に押しつけた後で行うようにする。
すように、回路基板２０の各リード部２１上にそれぞれ
形成されたはんだでなる各はんだ層２２と、半導体装置
１０の対応する各電極１２上のはんだ層１５とをそれぞ
れ位置合わせして回路基板２０上にマウントした後、加
熱ツール３０を用いて半導体チツプ１１の裏面側から加
熱するようにして半導体装置１０のはんだ層１５と回路
基板２０のはんだ層２２とを溶融し、接合することによ
り、図３のように回路基板２０上に実装することができ
るようになされている。この場合加熱ツール３０を半導
体チツプ１１の裏面に押しつける圧力は、当該圧力によ
つて半導体装置１０の熱硬化層１３が変形することによ
り当該熱硬層１３を形成する熱硬化樹脂が半導体チツプ
１１と回路基板２０との間に隙間なく存在する程度と
し、加熱ツール３０による熱硬化層１３と半導体装置１
０及び回路基板２０の各はんだ層１５、２２への加熱
は、当該加熱ツール３０によつて半導体チツプ１１を回
路基板２０に押しつけた後で行うようにする。
【００２１】これによつて、半導体装置１０の熱硬化層
１３が上述のように変形した状態のまま加熱ツール３０
から与えられる熱によつて硬化するため、半導体チツプ
１１及び回路基板２０間に空孔７（図６）を生じさせる
ことなく、樹脂を封止することができる。またこの際、
フラツクスを回路基板２０のはんだ層２２の表面又は半
導体装置１０のはんだ層１５の表面に薄く塗布するよう
にすれば、回路基板２０のはんだ層２２と半導体装置１
０のはんだ層１５との接続を容易に行うことができる。
１３が上述のように変形した状態のまま加熱ツール３０
から与えられる熱によつて硬化するため、半導体チツプ
１１及び回路基板２０間に空孔７（図６）を生じさせる
ことなく、樹脂を封止することができる。またこの際、
フラツクスを回路基板２０のはんだ層２２の表面又は半
導体装置１０のはんだ層１５の表面に薄く塗布するよう
にすれば、回路基板２０のはんだ層２２と半導体装置１
０のはんだ層１５との接続を容易に行うことができる。
【００２２】この場合においても、従来よりも少ない量
のフラツクスで充分に回路基板２０のはんだ層２２と半
導体装置１０のはんだ層１５とを接続することができる
ため、フラツクスが半導体装置１０の熱硬化層１３の表
面上（すなわち熱硬化層１３と回路基板２０との間）に
はみ出すことがなく、従つて回路基板２０に熱硬化層１
３を高い密着力で付着させることができる。
のフラツクスで充分に回路基板２０のはんだ層２２と半
導体装置１０のはんだ層１５とを接続することができる
ため、フラツクスが半導体装置１０の熱硬化層１３の表
面上（すなわち熱硬化層１３と回路基板２０との間）に
はみ出すことがなく、従つて回路基板２０に熱硬化層１
３を高い密着力で付着させることができる。
【００２３】ここで実際上、この半導体装置１０は、以
下の手順により製造することができる。すなわち図４に
示すように、まず半導体チツプ１１の回路面１１Ａに形
成された各電極１２上にＢＬＭ層１４を形成し、続いて
この半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全面にフオトレジ
ストでなる熱硬化樹脂をスピンコート法により所定の厚
みで塗布する。
下の手順により製造することができる。すなわち図４に
示すように、まず半導体チツプ１１の回路面１１Ａに形
成された各電極１２上にＢＬＭ層１４を形成し、続いて
この半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全面にフオトレジ
ストでなる熱硬化樹脂をスピンコート法により所定の厚
みで塗布する。
【００２４】この場合熱硬化樹脂としては、通常のもの
で良く、例えばこれに透明シリカ球等を付加したものを
用いるようにすれば、熱硬化した後の熱硬化層１３の熱
膨張率をはんだ層１５、２２を形成するはんだの熱膨張
率に近づけることができる分、通常の熱硬化樹脂を用い
た場合に比べて、より一層熱に対する接続の信頼性を向
上させ得ることがヒートシヨツクテストにより確認され
ている。次いで、この熱硬化層１３を乾燥させた後、マ
スク等を用いて露光及び現像（フオトリソグラフイ）す
ることにより熱硬化層１３を、当該熱硬化層１３がＢＬ
Ｍ層１４上を除いて半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全
面を覆うようにパターニングし、この後蒸着法等を用い
て熱硬化層１３上及びＢＬＭ層１４上にはんだ層４０、
１５を熱硬化層１３の１／３程度の厚みで形成する。
で良く、例えばこれに透明シリカ球等を付加したものを
用いるようにすれば、熱硬化した後の熱硬化層１３の熱
膨張率をはんだ層１５、２２を形成するはんだの熱膨張
率に近づけることができる分、通常の熱硬化樹脂を用い
た場合に比べて、より一層熱に対する接続の信頼性を向
上させ得ることがヒートシヨツクテストにより確認され
ている。次いで、この熱硬化層１３を乾燥させた後、マ
スク等を用いて露光及び現像（フオトリソグラフイ）す
ることにより熱硬化層１３を、当該熱硬化層１３がＢＬ
Ｍ層１４上を除いて半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全
面を覆うようにパターニングし、この後蒸着法等を用い
て熱硬化層１３上及びＢＬＭ層１４上にはんだ層４０、
１５を熱硬化層１３の１／３程度の厚みで形成する。
【００２５】さらにこの後熱硬化層１３上のはんだ層４
０を当該熱硬化層１３から引き剥がす。この場合熱硬化
層１３と当該熱硬化層１３上のはんだ層４０との密着力
は非常に弱く、このためはんだ層４０を熱硬化層１３か
ら簡単に引き剥がすことができる。これに対してＢＬＭ
層１４と当該ＢＬＭ層１４上のはんだ層１５との密着力
は強く、このため熱硬化層１３上のはんだ層４０を当該
熱硬化層１３から引き剥がす際、ＢＬＭ層１４上のはん
だ層１５は熱硬化層１３上のはんだ層４０から引きちぎ
られる。この結果半導体チツプ１１上にはＢＬＭ層１４
上のはんだ層１５だけが残存し、かくして図１に示すよ
うな半導体装置１０を製造できる。
０を当該熱硬化層１３から引き剥がす。この場合熱硬化
層１３と当該熱硬化層１３上のはんだ層４０との密着力
は非常に弱く、このためはんだ層４０を熱硬化層１３か
ら簡単に引き剥がすことができる。これに対してＢＬＭ
層１４と当該ＢＬＭ層１４上のはんだ層１５との密着力
は強く、このため熱硬化層１３上のはんだ層４０を当該
熱硬化層１３から引き剥がす際、ＢＬＭ層１４上のはん
だ層１５は熱硬化層１３上のはんだ層４０から引きちぎ
られる。この結果半導体チツプ１１上にはＢＬＭ層１４
上のはんだ層１５だけが残存し、かくして図１に示すよ
うな半導体装置１０を製造できる。
【００２６】以上の構成において、この半導体装置１０
は、半導体チツプ１１上に各電極１２を避けて熱硬化樹
脂でなる熱硬化層１３を形成した後、各電極１２上には
んだ層１５を形成することにより製造することができ
る。またこの半導体装置１０は、半導体チツプ１１の各
電極１２上に形成されたはんだ層１５が回路基板２０の
対応するリード部２１上に形成されたはんだ層２２と接
触するように位置決めして回路基板２０上にマウントし
た後、熱硬化層１３が半導体チツプ１１及び回路基板２
０間に隙間なく存在するように当該半導体チツプ１１を
回路基板２０に押しつけ、この状態で当該半導体チツプ
１１を介して熱硬化層１３と、半導体装置１０のはんだ
層１５及び回路基板２０のはんだ層２２とを加熱するこ
とにより熱硬化層１３を硬化させ、かつ半導体装置１０
のはんだ層１５と回路基板２０のはんだ層２２とを溶融
させて接合することにより回路基板２０上に実装するこ
とができる。
は、半導体チツプ１１上に各電極１２を避けて熱硬化樹
脂でなる熱硬化層１３を形成した後、各電極１２上には
んだ層１５を形成することにより製造することができ
る。またこの半導体装置１０は、半導体チツプ１１の各
電極１２上に形成されたはんだ層１５が回路基板２０の
対応するリード部２１上に形成されたはんだ層２２と接
触するように位置決めして回路基板２０上にマウントし
た後、熱硬化層１３が半導体チツプ１１及び回路基板２
０間に隙間なく存在するように当該半導体チツプ１１を
回路基板２０に押しつけ、この状態で当該半導体チツプ
１１を介して熱硬化層１３と、半導体装置１０のはんだ
層１５及び回路基板２０のはんだ層２２とを加熱するこ
とにより熱硬化層１３を硬化させ、かつ半導体装置１０
のはんだ層１５と回路基板２０のはんだ層２２とを溶融
させて接合することにより回路基板２０上に実装するこ
とができる。
【００２７】従つてこの半導体装置１０によれば、半導
体チツプ１１の回路面１１Ａに予め封止樹脂が付着して
いるため、従来のフリツプチツプ実装法のように半導体
チツプ１１を回路基板２０上に接続した後、改めて封止
樹脂を半導体チツプ１１及び回路基板２０間に封入する
必要がなく、また使用するフラツクスの量を極めて少な
くすることができることにより、従来のフリツプチツプ
実装法のように、フラツクスの洗浄不足による半導体チ
ツプ１１及び回路基板２０間での空孔７（図６）の発生
や、半導体チツプ１１及び封止樹脂（熱硬化層１３を形
成する熱硬化樹脂）間並びに当該封止樹脂及び回路基板
２０間を密着力不足を解消することができる。
体チツプ１１の回路面１１Ａに予め封止樹脂が付着して
いるため、従来のフリツプチツプ実装法のように半導体
チツプ１１を回路基板２０上に接続した後、改めて封止
樹脂を半導体チツプ１１及び回路基板２０間に封入する
必要がなく、また使用するフラツクスの量を極めて少な
くすることができることにより、従来のフリツプチツプ
実装法のように、フラツクスの洗浄不足による半導体チ
ツプ１１及び回路基板２０間での空孔７（図６）の発生
や、半導体チツプ１１及び封止樹脂（熱硬化層１３を形
成する熱硬化樹脂）間並びに当該封止樹脂及び回路基板
２０間を密着力不足を解消することができる。
【００２８】またこの半導体装置１０では、半導体チツ
プ１１の各電極１２上に形成されるはんだ層１５の高さ
が熱硬化層１３の高さよりも低く選定されており、従つ
て半導体チツプ１１の電極１２上に形成されたはんだ層
１５と、回路基板２０の対応するリード部２１上に形成
されたはんだ層２２とを位置合わせした後当該回路基板
２０上にマウントする際、回路基板２０のはんだ層２２
が半導体装置１０の熱硬化層１３の窪み（すなわち半導
体装置１０のはんだ層１５が露出している部分）に嵌ま
り込む。従つてこの半導体装置１０によれば、半導体チ
ツプ１１の回路基板２０に対する位置合わせを容易に行
うことができると共に、位置合わせ後における回路基板
２０のはんだ層２２に対する半導体装置１０のはんだ層
１５の位置ずれを防止することができる。
プ１１の各電極１２上に形成されるはんだ層１５の高さ
が熱硬化層１３の高さよりも低く選定されており、従つ
て半導体チツプ１１の電極１２上に形成されたはんだ層
１５と、回路基板２０の対応するリード部２１上に形成
されたはんだ層２２とを位置合わせした後当該回路基板
２０上にマウントする際、回路基板２０のはんだ層２２
が半導体装置１０の熱硬化層１３の窪み（すなわち半導
体装置１０のはんだ層１５が露出している部分）に嵌ま
り込む。従つてこの半導体装置１０によれば、半導体チ
ツプ１１の回路基板２０に対する位置合わせを容易に行
うことができると共に、位置合わせ後における回路基板
２０のはんだ層２２に対する半導体装置１０のはんだ層
１５の位置ずれを防止することができる。
【００２９】以上の構成によれば、半導体チツプ１１上
に各電極１２を避けて熱硬化樹脂でなる熱硬化層１３を
形成すると共に、各電極１２上に熱硬化層１３よりも低
くはんだ層１５を形成するようにしたことにより、回路
基板２０に対する半導体チツプ１１の位置合わせを容易
にすることができる。
に各電極１２を避けて熱硬化樹脂でなる熱硬化層１３を
形成すると共に、各電極１２上に熱硬化層１３よりも低
くはんだ層１５を形成するようにしたことにより、回路
基板２０に対する半導体チツプ１１の位置合わせを容易
にすることができる。
【００３０】またこの半導体装置１０を、半導体チツプ
１１の各電極１２上に形成されたはんだ層１５と回路基
板２０の対応するリード部２１上に形成されたはんだ層
２２とが接触するように位置決めして回路基板２０上に
マウントした後、半導体チツプ１１の裏面側から所定の
圧力で当該半導体チツプ１１を回路基板２０に押しつけ
ながら加熱することにより熱硬化層１３を硬化させ、か
つ回路基板２０のはんだ層２２と半導体装置１０のはん
だ層１５とを溶融させて接合させるようにしたことによ
り、半導体チツプ１１及び回路基板２０間に空孔７（図
６）を発生させることなく、かつ高い密着力で回路基板
２０及び半導体チツプ１１に付着するように半導体チツ
プ１１及び回路基板２０間に封止樹脂（熱硬化層１３を
形成する熱硬化樹脂）を封止することができ、かくして
回路基板２０上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置
及び半導体装置の実装方法を実現できる。
１１の各電極１２上に形成されたはんだ層１５と回路基
板２０の対応するリード部２１上に形成されたはんだ層
２２とが接触するように位置決めして回路基板２０上に
マウントした後、半導体チツプ１１の裏面側から所定の
圧力で当該半導体チツプ１１を回路基板２０に押しつけ
ながら加熱することにより熱硬化層１３を硬化させ、か
つ回路基板２０のはんだ層２２と半導体装置１０のはん
だ層１５とを溶融させて接合させるようにしたことによ
り、半導体チツプ１１及び回路基板２０間に空孔７（図
６）を発生させることなく、かつ高い密着力で回路基板
２０及び半導体チツプ１１に付着するように半導体チツ
プ１１及び回路基板２０間に封止樹脂（熱硬化層１３を
形成する熱硬化樹脂）を封止することができ、かくして
回路基板２０上に容易かつ正確に実装し得る半導体装置
及び半導体装置の実装方法を実現できる。
【００３１】なお上述の実施例においては、熱硬化層１
３を熱硬化樹脂で形成するようにした場合について述べ
たが、本発明にこれに限らず、熱硬化樹脂に代えてこの
他の熱硬化物質を適用するようにしても良い。
３を熱硬化樹脂で形成するようにした場合について述べ
たが、本発明にこれに限らず、熱硬化樹脂に代えてこの
他の熱硬化物質を適用するようにしても良い。
【００３２】また上述の実施例においては、半導体チツ
プ１１の回路面１１Ａ全面に電極１２を避けて熱硬化層
１３を形成する方法として、熱硬化樹脂でなるフオトレ
ジストを半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全面に塗布
し、フオトリソグラフイにより熱硬化層１３から電極１
２を露出させるようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全
面上に電極１２を避けて熱によつて硬化する熱硬化層１
３を形成する手段としてはこの他種々の方法を適用でき
る。
プ１１の回路面１１Ａ全面に電極１２を避けて熱硬化層
１３を形成する方法として、熱硬化樹脂でなるフオトレ
ジストを半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全面に塗布
し、フオトリソグラフイにより熱硬化層１３から電極１
２を露出させるようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、半導体チツプ１１の回路面１１Ａ全
面上に電極１２を避けて熱によつて硬化する熱硬化層１
３を形成する手段としてはこの他種々の方法を適用でき
る。
【００３３】さらに上述の実施例においては、半導体装
置１０を回路基板２０上に位置決めマウントした後、熱
硬化層１３と、半導体装置１０のはんだ層１５及び回路
基板２０のはんだ層２２とを加熱する手段として加熱ツ
ール３０を用いるようにした場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、熱硬化層１３と、半導体装置１０
のはんだ層１５及び回路基板２０のはんだ層２２とを加
熱する方法としては、この他種々の加熱方法を適用でき
る。
置１０を回路基板２０上に位置決めマウントした後、熱
硬化層１３と、半導体装置１０のはんだ層１５及び回路
基板２０のはんだ層２２とを加熱する手段として加熱ツ
ール３０を用いるようにした場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、熱硬化層１３と、半導体装置１０
のはんだ層１５及び回路基板２０のはんだ層２２とを加
熱する方法としては、この他種々の加熱方法を適用でき
る。
【００３４】さらに上述の実施例においては、半導体装
置１０のはんだ層１５の厚みを熱硬化層１３の厚みの１
／３程度にするようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、要は、はんだ層１５を熱硬化層１３
よりも低く形成するのであれば、はんだ層１５の厚みと
しては、熱硬化層１３の厚みの１／３程度以外であつて
も良い。
置１０のはんだ層１５の厚みを熱硬化層１３の厚みの１
／３程度にするようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、要は、はんだ層１５を熱硬化層１３
よりも低く形成するのであれば、はんだ層１５の厚みと
しては、熱硬化層１３の厚みの１／３程度以外であつて
も良い。
【００３５】さらに上述の実施例においては、半導体チ
ツプ１１の回路面１１Ａ全面上に電極１２を避けて熱硬
化層１３を形成するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、半導体チツプ１１の回路面１１
Ａ全面上に電極１２の一部分だけを避けて熱硬化層１３
を形成するようにしても良い。
ツプ１１の回路面１１Ａ全面上に電極１２を避けて熱硬
化層１３を形成するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、半導体チツプ１１の回路面１１
Ａ全面上に電極１２の一部分だけを避けて熱硬化層１３
を形成するようにしても良い。
【００３６】
【発明の効果】上述のように第１の発明によれば、一面
に電極が形成された半導体チツプの一面全面上に、電極
又は電極の一部分を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層を
形成する第１の工程と、熱硬化層から露出した半導体チ
ツプの電極上に、熱硬化層よりも低い高さではんだを積
層することによりはんだ層を形成する第２の工程とを設
け、熱硬化物質はフオトレジストでなり、第１の工程
は、フオトレジストを半導体チツプの一面全面上に塗布
する第３の工程と、半導体チツプの一面全面上に塗布さ
れたフオトレジストを露光し、現像することにより電極
上又は電極の一部分上のフオトレジストだけを除去する
第４の工程とでなるようにしたことにより、製造された
半導体チツプを基板上に実装する際に、当該半導体チツ
プの基板に対する位置合わせを容易に行うことができ、
また当該半導体チツプ及び基板間に封止される物質内に
空孔が生じたり、当該物質の半導体チツプと基板との間
の密着力が弱くなることを防止でき、かくして基板上に
容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製造方法を実現
できる。
に電極が形成された半導体チツプの一面全面上に、電極
又は電極の一部分を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層を
形成する第１の工程と、熱硬化層から露出した半導体チ
ツプの電極上に、熱硬化層よりも低い高さではんだを積
層することによりはんだ層を形成する第２の工程とを設
け、熱硬化物質はフオトレジストでなり、第１の工程
は、フオトレジストを半導体チツプの一面全面上に塗布
する第３の工程と、半導体チツプの一面全面上に塗布さ
れたフオトレジストを露光し、現像することにより電極
上又は電極の一部分上のフオトレジストだけを除去する
第４の工程とでなるようにしたことにより、製造された
半導体チツプを基板上に実装する際に、当該半導体チツ
プの基板に対する位置合わせを容易に行うことができ、
また当該半導体チツプ及び基板間に封止される物質内に
空孔が生じたり、当該物質の半導体チツプと基板との間
の密着力が弱くなることを防止でき、かくして基板上に
容易かつ正確に実装し得る半導体装置の製造方法を実現
できる。
【００３７】また第２の発明によれば、半導体チツプの
一面に形成された第１の電極と、基板に形成された対応
する第２の電極とを接続するようにして導体チツプを基
板に実装する半導体チツプの実装方法において、半導体
チツプの一面全面上に、第１の電極又は第１の電極の一
部分を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層を形成する第１
の工程と、熱硬化層から露出する半導体チツプの第１の
電極上に、熱硬化層よりも低い高さではんだを積層する
ことにより第１のはんだ層を形成する第２の工程と、半
導体チツプを、第１のはんだ層が基板の対応する電極上
に形成されたはんだでなる第２のはんだ層と接触又は対
向するように基板上に位置決めマウントする第３の工程
と、半導体チツプを基板に所定の圧力で押しつけながら
熱硬化層並びに第１及び第２のはんだ層を加熱すること
により、熱硬化層を硬化させると共に第１及び第２のは
んだ層を溶融接合する第４の工程とを設け、熱硬化物質
はフオトレジストでなり、第１の工程は、フオトレジス
トを半導体チツプの一面全面上に塗布する第５の工程
と、半導体チツプの一面全面上に塗布されたフオトレジ
ストを露光し、現像することにより電極上又は電極の一
部分上のフオトレジストだけを除去する第６の工程とで
なるようにしたことにより、半導体チツプ及び基板間に
封止される物質内に空孔が生じたり、当該物質の半導体
チツプと基板との間の密着力が弱くなることを防止で
き、かくして基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体
チツプの実装方法を実現できる。
一面に形成された第１の電極と、基板に形成された対応
する第２の電極とを接続するようにして導体チツプを基
板に実装する半導体チツプの実装方法において、半導体
チツプの一面全面上に、第１の電極又は第１の電極の一
部分を避けて熱硬化物質でなる熱硬化層を形成する第１
の工程と、熱硬化層から露出する半導体チツプの第１の
電極上に、熱硬化層よりも低い高さではんだを積層する
ことにより第１のはんだ層を形成する第２の工程と、半
導体チツプを、第１のはんだ層が基板の対応する電極上
に形成されたはんだでなる第２のはんだ層と接触又は対
向するように基板上に位置決めマウントする第３の工程
と、半導体チツプを基板に所定の圧力で押しつけながら
熱硬化層並びに第１及び第２のはんだ層を加熱すること
により、熱硬化層を硬化させると共に第１及び第２のは
んだ層を溶融接合する第４の工程とを設け、熱硬化物質
はフオトレジストでなり、第１の工程は、フオトレジス
トを半導体チツプの一面全面上に塗布する第５の工程
と、半導体チツプの一面全面上に塗布されたフオトレジ
ストを露光し、現像することにより電極上又は電極の一
部分上のフオトレジストだけを除去する第６の工程とで
なるようにしたことにより、半導体チツプ及び基板間に
封止される物質内に空孔が生じたり、当該物質の半導体
チツプと基板との間の密着力が弱くなることを防止で
き、かくして基板上に容易かつ正確に実装し得る半導体
チツプの実装方法を実現できる。
【００３８】
【図１】実施例による半導体装置の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の半導体装置を回路基板上に実装する実装
方法の説明に供する断面図である。
方法の説明に供する断面図である。
【図３】図１の半導体装置を回路基板上に実装する実装
方法の説明に供する断面図である。
方法の説明に供する断面図である。
【図４】図１の半導体装置の製造方法の説明に供する断
面図である。
面図である。
【図５】従来のフリツプチツプの実装方法の説明に供す
る断面図である。
る断面図である。
【図６】従来のフリツプチツプの実装方法における問題
点の説明に供する断面図である。
点の説明に供する断面図である。
１０……半導体装置、１１……半導体チツプ、１１Ａ…
…回路面、１２……電極、１３……熱硬化層、１５、２
２、４０……はんだ層、２０……回路基板、２１……リ
ード部、３０……加熱ツール。
…回路面、１２……電極、１３……熱硬化層、１５、２
２、４０……はんだ層、２０……回路基板、２１……リ
ード部、３０……加熱ツール。
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/60 311
Claims (2)
- 【請求項１】一面に電極が形成された半導体チツプの上
記一面全面上に、上記電極又は上記電極の一部分を避け
て熱硬化物質でなる熱硬化層を形成する第１の工程と、 上記熱硬化層から露出した上記半導体チツプの上記電極
上に、上記熱硬化層よりも低い高さではんだを積層する
ことによりはんだ層を形成する第２の工程とを具え、 上記熱硬化物質はフオトレジストでなり、 上記第１の工程は、 上記フオトレジストを上記半導体チツプの上記一面全面
上に塗布する第３の工程と、 上記半導体チツプの上記一面全面上に塗布された上記フ
オトレジストを露光し、現像することにより上記電極上
又は上記電極の一部分上の上記フオトレジストだけを除
去する第４の工程とでなることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】半導体チツプの一面に形成された第１の電
極と、基板に形成された対応する第２の電極とを接続す
るようにして上記半導体チツプを上記基板に実装する半
導体チツプの実装方法において、 上記半導体チツプの上記一面全面上に、上記第１の電極
又は上記第１の電極の一部分を避けて熱硬化物質でなる
熱硬化層を形成する第１の工程と、 上記熱硬化層から露出する上記半導体チツプの上記第１
の電極上に、上記熱硬化層よりも低い高さではんだを積
層することにより第１のはんだ層を形成する第２の工程
と、 上記半導体チツプを、上記第１のはんだ層が基板の対応
する電極上に形成されたはんだでなる第２のはんだ層と
接触又は対向するように上記基板上に位置決めマウント
する第３の工程と、 上記半導体チツプを上記基板に所定の圧力で押しつけな
がら上記熱硬化層並びに上記第１及び第２のはんだ層を
加熱することにより、上記熱硬化層を硬化させると共に
上記第１及び第２のはんだ層を溶融接合する第４の工程
とを具え、 上記熱硬化物質はフオトレジストでなり、 上記第１の工程は、 上記フオトレジストを上記半導体チツプの上記一面全面
上に塗布する第５の工程と、 上記半導体チツプの上記一面全面上に塗布された上記フ
オトレジストを露光し、現像することにより上記電極上
又は上記電極の一部分上の上記フオトレジストだけを除
去する第６の工程とでなることを特徴とする半導体チツ
プの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28753494A JP3431316B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28753494A JP3431316B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124931A JPH08124931A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3431316B2 true JP3431316B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=17718593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28753494A Expired - Fee Related JP3431316B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431316B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6190940B1 (en) | 1999-01-21 | 2001-02-20 | Lucent Technologies Inc. | Flip chip assembly of semiconductor IC chips |
| WO2004070826A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | 電極間接続構造体の形成方法および電極間接続構造体 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP28753494A patent/JP3431316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08124931A (ja) | 1996-05-17 |
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