JP3423690B2 - オープンフォームの製造方法 - Google Patents

オープンフォームの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、ドーピングに依存してエッチン
グ処理可能な材料からなる、それぞれ二次元的に構造化
された複数の層から統合化されるオープンフォームの製
造方法に関する。
【０００２】本発明は特に“フォトニック結晶”として
適しているオープンフォームの製造に関している。
【０００３】オープンフォームとは、現状の関係では非
凸形の幾何学形状を意味する。このオープンフォーム
は、特に従来の位相幾何学の意味では単純でない関係の
幾何学形状を有する。すなわちホール、二次元的束縛チ
ャネル、多数のホール状部などを備え得る。
【０００４】そのようなオープンフォームはとりわけフ
ォトニック結晶として働き、つまり多かれ少なかれ周期
的な結晶質構造を有しており、これはフォトンつまり光
の透過に関して、従来の意味では伝導電子の透過を伴う
結晶質半導体のように働く。フォトニック結晶はとりわ
け半導体の“電子エネルギ禁制帯”と類似した“光のエ
ネルギ禁制帯”を有しており、このことは、フォトニッ
ク結晶が光のエネルギ禁制帯の範囲のエネルギを有する
光に対して非透過性の性質を有していることを意味す
る。このことはフォトニック結晶がそのような光に対し
て、それが外部から入射している場合には実質的に完全
なミラーのように作用することを意味する。このような
特性から、フォトニック結晶が光導波路や光共振器に限
れば重要であることが明らかである。というのも通常用
いられている光導波路や光共振器の全反射配置構成を用
いた制限手段とは異なって、フォトニック結晶の反射特
性は、反射すべきフォトンのフォトニック結晶に入射す
る角度に依存しないからである。
【０００５】フォトニック結晶として形成されるオープ
ンフォーム並びにその製造方法に関しては公知文献 WO
97/04340 A1 に基づいている。このオープンフォームは
材料としてシリコンからなり、電気化学的エッチングを
用いて形成される。前記文献WO 97/04340 A1 には適し
た材料として、ガリウムヒ素やアルミニウム−ガリウム
ヒ素が述べられており、それらの材料は所望のオープン
構造を反応性イオンエッチング手法によって製造するこ
とができる。
【０００６】フォトニック結晶の技術的分野に関する概
要は、例えば公知文献“Photonic Band Gaps and Local
izationC.by M. Soukoulis;Plenum Press,New York,N.
Y.,1993.”207頁の論文“Photonic Band Structure by
E. Yablonovitch”にも述べられている。またフォトニ
ック結晶の１例は222頁の図１５に記載されている。こ
の図にはこのフォトニック結晶の製造に関する示唆も含
まれている。
【０００７】本願との関連で重要なことは、公知文献
“Novel Applications of Photonic Band Gap Material
s: Low-loss Bends and High Q Catities by R.D. Mead
e et al.; Journal of Applied Physics 75(1994) 475
3”にも述べられており、この論文では、フォトニック
結晶によって束縛されている空洞共振器と導波路が述べ
られている。
【０００８】従来のフォトニック結晶では比較的複雑に
構成されたオープンフォームを必要としていた。さら
に、そのようなオープンフォームが電子的半導体素子に
用いられるような材料から形成されることと、フォトニ
ック結晶技法と半導体オプトエレクトロニクス技法によ
る集積化が可能なことが望まれている。
【０００９】従って本発明の課題は、それぞれ二次元的
に構造化された多数の層からの統合化が可能で、かつド
ーピングに依存してエッチング処理が可能な材料からな
る、オープンフォームの製造のための方法を実現するこ
とである。
【００１０】前記課題は、請求項１の特徴部分に記載さ
れた本発明による方法によって解決される。また本発明
の別の有利な実施例は従属請求項に記載されている。
【００１１】本発明による、それぞれ二次元的に構造化
された多数の層による統合化が可能で、かつドーピング
に依存してエッチング処理が可能な材料からなる、オー
プンフォームの製造のための方法には以下のステップが
含まれている。
【００１２】−材料からなる第１の層を設け、該第１の
層の当該フォームに属する部分を前記第１の層の少なく
とも１つの領域のドーピングによってマーキングし、−
材料からなるさらなる層を少なくとも一度被着させ、該
さらなる層の当該フォームに属する部分を前記さらなる
層の少なくとも１つの領域のドーピングによってマーキ
ングし、−前記層のマーキングされなかった各部分をエ
ッチングにより各層のそれぞれのドーピングに依存して
除去する。
【００１３】製造すべきオープンフォームは、それぞれ
二次元的に構造化された複数の層から統合化され得るよ
うに構造化されている。１つの層の構造化は、それが層
の厚さ方向に沿って均質であるならば、二次元的なもの
として存在する。つまりこの構造は、実質的に平坦な構
造である。各層の相応のドーピングによって層のフォー
ムに属する各部分はマーキングされ、それによってエッ
チング過程に対する準備がなされる。このエッチング過
程で、ドーピングまで均質な複合層から、製造すべきオ
ープンフォームが離される。このドーピングを用いるこ
とにより選択的に、材料のエッチングが容易にされるか
（この場合オープンフォームは度ピン具されずに残った
材料から形成される）、または困難に（この場合はオー
プンフォームがドーピングされた材料から形成される）
される。基本的には、第１の層に対する少なくとも１つ
のさらなる層の被着に関しての制限はない。このさらな
る層は、相転移によって既存の基板上に直接成長させて
形成してもよいし、あるいはまず別個の固体を場合によ
っては所望のドーピングによって形成し、後からの“ウ
エハボンディング”によって既存の基板に接続させても
よい。ドーピングに依存した選択性のエッチングを許容
する種々異なる方式のエッチング方法は、電子的半導体
素子のテクノロジ分野において周知である。個々のケー
スにおいては、選択された材料とドーピングに相応する
エッチング方式が用いられなければならない。
【００１４】さらなる層の被着は、有利には成長によっ
て行われる。この場合さらに有利には、第１の層が単結
晶として設けられ、各さらなる層はエピタキシャルに、
つまり単結晶構造の連続に基づいて成長される。
【００１５】オープンフォームの材料は有利には、半導
体、例えばシリコンである。この場合は、ドーピングが
シリコン内でｐ形伝導性の形成のもとに行われ、特に有
利には、ホウ素の注入によって行われる。さらに付加的
に有利には、各ドーピングの際に材料内でドーピング原
子、例えばホウ素の濃度が１０15/ｃｍ3よりも上、有利
には１０20/ｃｍ3よりも上におかれる。それによりエッ
チングはアルカリ性エッチング液によって行うことがで
きる。これに関する実施例は以下の明細書でさらに説明
する。その他にもこれに関連して有利には、オープンフ
ォームの前述した各部分のマーキングがこの部分のドー
ピングによって行われる。なぜならｐ形伝導性にドーピ
ングされるシリコンはアルカリ性エッチング溶液により
除去される量が通常は、ドーピングされていないシリコ
ン部分よりも著しく少ないからである。
【００１６】本発明によれば有利には、オープンフォー
ムが最大でも４回周期的に繰り返される構造で形成され
る。このことは特に、製造されるオープンフォームがフ
ォトニック結晶である場合には意味がある。というのも
製造に起因する寸法的偏差が構造体の頻繁な繰返しの増
加に伴って顕著に現われ、これがフォトニック結晶の機
能を巻き添えにしかねないからである。
【００１７】さらに別の有利な実施例によれば、各ドー
ピングが電子的半導体構成素子のテクノロジにおいて周
知であるマーキング手法を用いて行われる。この場合各
ドーピングの前に、ドーピングすべき各領域以外の相応
の層を覆うマスクが被着され、その後で所望のドーピン
グが行われ、このドーピング直後に当該マスクが再び除
去される。
【００１８】既に前述したように、製造すべきフォーム
は有利にはフォトニック結晶である。
【００１９】次に本発明を図面に基づいて以下の明細書
で詳細に説明する。これらの図面ではわかりやすくする
ために所定の特徴部分を強調的に示したものであって実
際のサイズを表すものではない。この場合、図１は、フ
ォトニック結晶として適している、製造されたオープン
フォームを示した図であり、図２から５はこのオープン
フォームの製造を示した図である。
【００２０】実施例 図１には、製造すべきフォトニック結晶を示すオープン
フォーム３が斜視図で示されている。このオープンフォ
ーム３は、複数のバーの平坦な配置構成の１つの層と、
相応に明らかな方式でそれぞれ二次元的に構造化された
層とみなされる。これらは図示の座標系のｚ軸方向に沿
って重ねられ、また解体可能である。さらにこのオープ
ンフォームは、周期的に繰り返される構造部７を有して
おり、これは直接上下に積み重ねられた４つの層からな
っている。但し図示のオープンフォーム３の周期性は、
所要の前提条件ではない。なぜなら周期性の個々の中断
又は連続した中断によってオープンフォーム３内で導波
路または光共振器の形式による導波構造が実現可能だか
らである。オープンフォーム３は、次のように選定され
る。すなわち赤外線スペクトル範囲としてのフォトンに
対するフォトニック結晶としての所期の機能を充すよう
に選定される。
【００２１】次に前述したようにオープンフォーム３の
中で周期的に繰り返されている固有構造部７の製造の例
のもとで本発明による方法を図２〜図５に基づいて以下
に説明する。
【００２２】図２によれば、開始点はシリコンからなる
単結晶の非ドーピング基板６である。この基板６上にま
ずエピタキシャル成長によって第１の層１が形成され
る。この第１の層もまずドーピングされていないシリコ
ンからなっている。この第１の層１の上に、従来の手法
で構造化されるマスク５が被着される。さらにこのマス
ク５の支援のもとで第１の層１の、製造すべきオープン
フォームに属する部分３が、ｐ形伝導性の形成のために
ホウ素によってドーピングされる。このドーピングは前
述した有利な基準の維持のもとで行われる。第１の層１
のマスク５によって覆われた領域４は、ドーピングなし
で残される。最終的にマスク５は除去され、第１の層１
には、最初はドーピングされていないシリコンからなる
さらなる層２がもとから存在する単結晶構造の維持と継
続のために再びエピタキシャル成長される。このさらな
る層２には再び構造化されたマスク５が図３に示されて
いるように被着される。このマスク５は、可視のドーピ
ングすべき唯一の領域３は開放している。ドーピングさ
れないまま残留する領域４は、さらなる層２の縁部にお
いてのみ存在する。さらなる層２のドーピングの後で、
マスク５は除去され、さらなる層２は新たに成長され、
並びに新たな構造化されたマスク５が設けられる（図４
参照）。層２のドーピングとマスク５の除去の後ではさ
らに別のさらなる層２が成長され、図５ではさらに新た
なマスク５が設けられる。図１からも明らかなように、
オープンフォーム３の相応の層は自由に見ることがで
き、図５による図ではマスク５が上方のさらなる層２を
完全に覆っている。それによりこのさらなる層２は図示
の位置では完全にドーピングされない。
【００２３】図５に示されているマスク５の除去の後で
は、所望のオープンフォーム３内で周期的に繰り返され
る構造部７が完全に製造される（もちろんこれはその他
ではドーピングされないシリコンからなる単純結合され
たモノリスにおいて複合的に関連してドーピングされる
マトリクスとしてのみである）。図２〜図５から見て取
れるプロセスステップの繰返しによって、構造部７は新
たに実現可能である。そしてこれは各々の所望の数で可
能である。既に前述したように有利には、この繰返しの
数は、過度に大きく選択する必要はない。５回以上の繰
返しは、とりわけ製造偏差の影響が過度に大きい場合に
オープンフォーム３の機能を損なわせる。それに応じて
図１では３回だけ重ね合わされて配置された構造部７が
示されている。
【００２４】所望の全てのさらなる層２が被着されて所
望のようにドーピングされた場合には、最後のプロセス
ステップとして最初にえられたモノリスからのオープン
フォーム３の取り出しが行われる。それに対してモノリ
スは、半導体エレクトロニクス技術分野からも周知のア
ルカリ性エッチング溶液によるエッチングによってエッ
チング処理される。この場合このエッチング溶液は、効
果的な成分としてエチレンジアミンとピィロカテコール
を含んでいる。そのようなエッチング溶液は周知のよう
に、ドーピングが１０15/ｃｍ3よりも上のドーピング原
子濃度を有する限り、ホウ素によってドーピングされた
シリコンのエッチングの顕著な変化例を示す。１０20/
ｃｍ3以上のドーピング濃度でホウ素ドーピングされた
シリコンと１０19/ｃｍ3以下のドーピング濃度でホウ素
ドーピングされたシリコンの間でのエッチングレートの
違いは、１０００の係数に達する。それにより前述した
方法は、ドーピングされたシリコンに対する著しい攻撃
なしでモノリスから、非ドーピングシリコンを取り除く
ことができる。それにより全てのドーピングされていな
いシリコンを、ドーピングされているマトリックスから
除去することが可能となり、エッチングの完全な終了後
は、所望のオープンフォーム３をドーピングされたシリ
コンから形成するドーピングされたマトリックスのみが
残る。 ［図面の簡単な説明］
【図１】フォトニック結晶として適している、製造され
たオープンフォームを示した図である。
【図２】オープンフォームの製造を示した図である。
【図３】オープンフォームの製造を示した図である。
【図４】オープンフォームの製造を示した図である。
【図５】オープンフォームの製造を示した図である。
フロントページの続き (72)発明者 フォルカー レーマン ドイツ連邦共和国 ミュンヘン ガイヤ ーシュペルガーシュトラーセ 53 (72)発明者 ラインハルト シュテングル ドイツ連邦共和国 シュタットベルゲン ベルクシュトラーセ ３ (72)発明者 ハンス ライジンガー ドイツ連邦共和国 グリューンヴァルト アイプゼーシュトラーセ 14 (56)参考文献 特開 昭58−76804（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263713（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−234985（ＪＰ，Ａ) 米国特許5600483（ＵＳ，Ａ) 国際公開97／04340（ＷＯ，Ａ２) 国際公開92／22820（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308 G02B 1/02,6/12

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれ二次元的パターンによって構造
    化された多数の層（１，２）から統合化されかつドーピ
    ングに依存してエッチング可能なシリコンからなるオー
    プンフォーム（３）の製造のための方法において、 −前記シリコンからなる第１の層（１）を設け、該第１
    の層（１）の当該フォーム（３）に属する部分（３）を
    前記第１の層の少なくとも１つの領域（３，４）のドー
    ピングによってマーキングするステップと、 −前記シリコンからなるさらなる層（２）を少なくとも
    一度被着させ、該さらなる層（２）の当該フォーム
    （３）に属する部分（３）を前記さらなる層（２）の少
    なくとも１つの領域（３，４）のドーピングによってマ
    ーキングし、その際各ドーピングによってシリコン中に
    １０15/ｃｍ3よりも上のドーピング原子濃度を有するｐ
    形伝導性を形成するステップと、 −前記層（１，２）のマーキングされなかった各部分
    （４）を、エチレンジアミンとピィロカテコールを含ん
    だアルカリ性エッチング溶液によるエッチングにより各
    層（１；２）のそれぞれのドーピングに依存して除去す
    るステップとを有していることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記被着は成長によって行われる、請求
    項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の層（１）は、単結晶として設
    けられ、前記さらなる各層（２）はエピタキシャル成長
    される、請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記各ドーピングをホウ素の注入によっ
    て行う、請求項１から３いずれか１項記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記オープンフォーム（３）を、最大で
    も４回の周期的な繰返しによる構造部（７）によって製
    造する、請求項１から４いずれか１項記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記各ドーピングの前に前記各領域
    （３，４）以外の相応する層（１）を覆うマスク（５）
    を被着させ、これをドーピングの直後に再び除去する、
    請求項１から５いずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記製造すべきフォーム（３）はフォト
    ニック結晶である、請求項１から６いずれか１項記載の
    方法。
  8. 【請求項８】 前記各ドーピングによって、シリコン中
    に１０20/ｃｍ3よりも上のドーピング原子濃度を有する
    ｐ形伝導性を形成する、請求項１から７いずれか１項記
    載の方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358854B1 (en) * 1999-04-21 2002-03-19 Sandia Corporation Method to fabricate layered material compositions
EP1094345A1 (en) * 1999-10-19 2001-04-25 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Method of making a photonic band gap structure
US6392787B1 (en) * 2000-09-01 2002-05-21 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating article comprising photonic band gap material
DE10113253A1 (de) * 2001-03-19 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Photonische Kristallstruktur und Verfahren zum Herstellen einer photonischen Kristallstruktur
DE10116500A1 (de) * 2001-04-03 2002-10-17 Deutsche Telekom Ag Photonische Kristalle
US6947215B2 (en) * 2001-12-27 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, optical functional device, polarization conversion device, image display apparatus, and image display system
CN100351652C (zh) 2003-06-05 2007-11-28 株式会社村田制作所 三维周期构造体以及其制备方法
JP4093281B2 (ja) 2004-03-03 2008-06-04 独立行政法人科学技術振興機構 フォトニック結晶結合欠陥導波路
JP4677276B2 (ja) * 2005-05-09 2011-04-27 キヤノン株式会社 ３次元フォトニック結晶の作製方法
JP4936530B2 (ja) * 2007-05-15 2012-05-23 キヤノン株式会社 ３次元フォトニック結晶の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5431777A (en) * 1992-09-17 1995-07-11 International Business Machines Corporation Methods and compositions for the selective etching of silicon
US5406573A (en) * 1992-12-22 1995-04-11 Iowa State University Research Foundation Periodic dielectric structure for production of photonic band gap and method for fabricating the same
US6042998A (en) * 1993-09-30 2000-03-28 The University Of New Mexico Method and apparatus for extending spatial frequencies in photolithography images
US5600483A (en) * 1994-05-10 1997-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional periodic dielectric structures having photonic bandgaps
DE19526734A1 (de) * 1995-07-21 1997-01-23 Siemens Ag Optische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
US6093246A (en) * 1995-09-08 2000-07-25 Sandia Corporation Photonic crystal devices formed by a charged-particle beam

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