JPH02163928A - 量子細線または量子箱の形成方法 - Google Patents
量子細線または量子箱の形成方法Info
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- JPH02163928A JPH02163928A JP31918488A JP31918488A JPH02163928A JP H02163928 A JPH02163928 A JP H02163928A JP 31918488 A JP31918488 A JP 31918488A JP 31918488 A JP31918488 A JP 31918488A JP H02163928 A JPH02163928 A JP H02163928A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
本発明は半導体のエネルギ・バンド構造を利用して、キ
ャリヤを閉じ込める量子井戸構造の形成方法に関し、 キャリヤを２次元或いは３次元方向に閉じ込める量子細
線或いは量子箱を精度良く形成する方法を提供すること
を目的とし、 単結晶半導体基板面に断面擬Ｖ字型の窪みを形成する工
程、 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する一
方のバリヤを形成すると共にＩＪＪＶ字型窪字型底面の
寸法を調整する工程、異方性のエピタキシャル成長法に
より、Ｉｖ字の底面に禁制帯幅の狭い半導体層を、キャ
リヤのド・ブロイ波長より小の厚さに形成する工程、お
よび 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する他
方のバリヤを形成する工程を包含して構成される。
ャリヤを閉じ込める量子井戸構造の形成方法に関し、 キャリヤを２次元或いは３次元方向に閉じ込める量子細
線或いは量子箱を精度良く形成する方法を提供すること
を目的とし、 単結晶半導体基板面に断面擬Ｖ字型の窪みを形成する工
程、 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する一
方のバリヤを形成すると共にＩＪＪＶ字型窪字型底面の
寸法を調整する工程、異方性のエピタキシャル成長法に
より、Ｉｖ字の底面に禁制帯幅の狭い半導体層を、キャ
リヤのド・ブロイ波長より小の厚さに形成する工程、お
よび 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する他
方のバリヤを形成する工程を包含して構成される。
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体のエネルギ・バンド構造を利用して、キ
ャリヤを閉じ込める量子井戸に関わるものであり、特に
キャリヤを２次元或いは３次元方向に閉じ込める量子井
戸構造である量子細線或いは量子箱の形成方法に関わる
ものである。
ャリヤを閉じ込める量子井戸に関わるものであり、特に
キャリヤを２次元或いは３次元方向に閉じ込める量子井
戸構造である量子細線或いは量子箱の形成方法に関わる
ものである。
量子井戸の形状は禁制帯幅の広い半導体層で禁制帯幅の
狭い半導体層を挟んだ、一種の超格子構造構造であり、
禁制帯幅の狭い半導体層の厚さはキャリヤのド・ブロイ
波長より小である。更に、量子井戸を能動素子に利用す
る場合には、キャリヤ閉じ込め障壁となる禁制帯幅の広
い半導体層の厚さも、キャリヤのトンネリング確率が有
意の値となる程度とすることがある。
狭い半導体層を挟んだ、一種の超格子構造構造であり、
禁制帯幅の狭い半導体層の厚さはキャリヤのド・ブロイ
波長より小である。更に、量子井戸を能動素子に利用す
る場合には、キャリヤ閉じ込め障壁となる禁制帯幅の広
い半導体層の厚さも、キャリヤのトンネリング確率が有
意の値となる程度とすることがある。
一般的に知られている１次元閉じ込め型の量子井戸は、
キャリヤの運動を１次元方向だけ抑制するものであるが
、これを２次元方向に抑制する構造は量子細線と呼ばれ
ており、更に、３次元方向に抑制する構造は量子箱と呼
ばれている。
キャリヤの運動を１次元方向だけ抑制するものであるが
、これを２次元方向に抑制する構造は量子細線と呼ばれ
ており、更に、３次元方向に抑制する構造は量子箱と呼
ばれている。
１次元の閉じ込め構造では、閉じ込め層の厚さだけを数
原子層に制御すれば良かったのに対し、量子細線ではそ
の幅も同程度の値とすることが要求され、量子箱ではそ
れに加えて長さも同程度の値に制御されていなければな
らない。
原子層に制御すれば良かったのに対し、量子細線ではそ
の幅も同程度の値とすることが要求され、量子箱ではそ
れに加えて長さも同程度の値に制御されていなければな
らない。
量子井戸構造を利用した能動素子には種々のものがある
が、例えば半導体レーザの再結合発Ｈ領域である活性層
を量子井戸構造とすることにより、量子変換効率が高め
られることが知られており、この量子井戸構造を１次元
の閉じ込め構造から２次元の閉じ込め構造である量子細
線に変えることで、量子変換効率は更に向上すると考え
られている。
が、例えば半導体レーザの再結合発Ｈ領域である活性層
を量子井戸構造とすることにより、量子変換効率が高め
られることが知られており、この量子井戸構造を１次元
の閉じ込め構造から２次元の閉じ込め構造である量子細
線に変えることで、量子変換効率は更に向上すると考え
られている。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕１次元閉
じ込め型の量子井戸構造は、原子層エピタキシー（ＡＬ
Ｅ）により形成される。ＡＬＥは、典型的には半導体を
構成する元素毎に１原子層ずつ基板に吸着させることを
繰り返し、それによって原子層単位でエピタキシャル成
長を行うもので、■原子層を越えて吸着を進行させない
ために、セルフリミティング効果を示す原料が用いられ
る。
じ込め型の量子井戸構造は、原子層エピタキシー（ＡＬ
Ｅ）により形成される。ＡＬＥは、典型的には半導体を
構成する元素毎に１原子層ずつ基板に吸着させることを
繰り返し、それによって原子層単位でエピタキシャル成
長を行うもので、■原子層を越えて吸着を進行させない
ために、セルフリミティング効果を示す原料が用いられ
る。
この方法では、量子井戸を構成する半導体層の厚さを原
子層数で示される程度に制御することは可能であるが、
幅や長さを同じ精度で制御するためには別な制御方法に
依ることが必要である。従来知られている幅および長さ
を制御する方法にはフォーカス・イオンビームを用いる
ものがあるが、成長方向に直角な方向の閉じ込めは量子
サイズ効果が観測される程度であり、量子細線或いは量
子箱の寸法の制御は不十分である。
子層数で示される程度に制御することは可能であるが、
幅や長さを同じ精度で制御するためには別な制御方法に
依ることが必要である。従来知られている幅および長さ
を制御する方法にはフォーカス・イオンビームを用いる
ものがあるが、成長方向に直角な方向の閉じ込めは量子
サイズ効果が観測される程度であり、量子細線或いは量
子箱の寸法の制御は不十分である。
本発明の目的はエピタキシャル成長させる半導体層の厚
みを制御すると共に、その幅や長さを厚さと同程度の値
に制御する処理法を提供することであり、それによって
量子細線や量子箱の形成をより容易とすることである。
みを制御すると共に、その幅や長さを厚さと同程度の値
に制御する処理法を提供することであり、それによって
量子細線や量子箱の形成をより容易とすることである。
上記目的を達成するため、本発明の量子細線または量子
箱の形成方法には 単結晶半導体基板面に、第１の結晶面を側面とし、前記
第１の結晶面とは異なる結晶面である第２の結晶面を底
面とする断面擬Ｖ字型の表面形状を形成する工程、 前記形状を設けた半導体基板面に、成長速度が下地結晶
方位に依存せず且つ原子層単位で成長厚を制御し得る成
長方法で第１の半導体層を形成する工程、 前記第１の半導体層を形成した半導体基板面の、前記擬
Ｖ字形状の底面をなす第２の結晶面上のみに、前記第１
の半導体よりも禁制帯幅の狭い第２の半導体層を原子層
単位で示される厚みに形成する工程、および 前記第２の半導体層を選択的に形成した半導体基板面に
、成長速度が下地結晶方位に依存せず且つ原子層単位で
成長厚を制御し得る成長方法で、前記第１の半導体層を
形成する工程が包含される。
箱の形成方法には 単結晶半導体基板面に、第１の結晶面を側面とし、前記
第１の結晶面とは異なる結晶面である第２の結晶面を底
面とする断面擬Ｖ字型の表面形状を形成する工程、 前記形状を設けた半導体基板面に、成長速度が下地結晶
方位に依存せず且つ原子層単位で成長厚を制御し得る成
長方法で第１の半導体層を形成する工程、 前記第１の半導体層を形成した半導体基板面の、前記擬
Ｖ字形状の底面をなす第２の結晶面上のみに、前記第１
の半導体よりも禁制帯幅の狭い第２の半導体層を原子層
単位で示される厚みに形成する工程、および 前記第２の半導体層を選択的に形成した半導体基板面に
、成長速度が下地結晶方位に依存せず且つ原子層単位で
成長厚を制御し得る成長方法で、前記第１の半導体層を
形成する工程が包含される。
これは換言すれば、
単結晶半導体基板面に断面擬Ｖ字型の窪みを持つ形状を
作る工程、 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する一
方のバリヤを形成すると共に擬Ｖ字型窪みの底面の寸法
を調整する工程、異方性のエピタキシャル成長法により
、擬Ｖ字の底面に禁制帯幅の狭い半導体層を、キャリヤ
のド・ブロイ波長より小の厚さに形成する工程、および 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する他
方のバリヤを形成する工程、が包含されることである。
作る工程、 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する一
方のバリヤを形成すると共に擬Ｖ字型窪みの底面の寸法
を調整する工程、異方性のエピタキシャル成長法により
、擬Ｖ字の底面に禁制帯幅の狭い半導体層を、キャリヤ
のド・ブロイ波長より小の厚さに形成する工程、および 等方性の原子層エビタキシャーで禁制帯幅が大である半
導体層を成長させることにより、量子井戸を構成する他
方のバリヤを形成する工程、が包含されることである。
［作 用〕
上記エピタキシャル成長工程の中、最初の等方性エピタ
キシャル成長では擬Ｖ字型形状の底面および側面に同じ
速度で結晶成長が進行するので、結晶成長の進行に伴っ
て底面の幅や長さといった寸法が縮小することになる。
キシャル成長では擬Ｖ字型形状の底面および側面に同じ
速度で結晶成長が進行するので、結晶成長の進行に伴っ
て底面の幅や長さといった寸法が縮小することになる。
それ故、該工程の成長層厚を適当な値に設定することに
より底面の幅或いは長さを原子層単位で制御することが
出来る。
より底面の幅或いは長さを原子層単位で制御することが
出来る。
このように設定された底面の幅或いは長さが、後続工程
によって形成される量子細線の幅或いは長さとなる。該
工程はまた量子井戸の一方のバリヤを形成する工程であ
る。
によって形成される量子細線の幅或いは長さとなる。該
工程はまた量子井戸の一方のバリヤを形成する工程であ
る。
続く異方性エピタキシャル成長工程では、結晶方位の関
係から底面のみに結晶成長が進行する処理法によって、
擬ｖ字型形状の底面のみに禁制帯幅の狭い半導体層をエ
ピタキシャル成長させる。
係から底面のみに結晶成長が進行する処理法によって、
擬ｖ字型形状の底面のみに禁制帯幅の狭い半導体層をエ
ピタキシャル成長させる。
これによって厚さと輻又は厚さと幅と長さが所定の値で
あるキャリヤ閉じ込め層が形成される。
あるキャリヤ閉じ込め層が形成される。
更にその次の等方性原子層エピタキシーでは、前工程で
形成されたキャリヤ閉じ込め層を包むように量子井戸の
バリヤ層が形成され、量子細線或いは量子箱が形成され
る。
形成されたキャリヤ閉じ込め層を包むように量子井戸の
バリヤ層が形成され、量子細線或いは量子箱が形成され
る。
以上の工程により、キャリヤ閉じ込め層が２次元或いは
３次元的に所定の微小寸法で形成され、さらにそれを包
んでバリヤ層が、これも所定の厚さに形成される。即ち
、量子細線或いは量子箱が原子層エピタキシーの層数制
御によって形成される。
３次元的に所定の微小寸法で形成され、さらにそれを包
んでバリヤ層が、これも所定の厚さに形成される。即ち
、量子細線或いは量子箱が原子層エピタキシーの層数制
御によって形成される。
以上の点については次の実施例の項でも具体的な説明が
行われる。
行われる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例の工程を示す断
面模式図である。以下、該図面を参照しながら説明を行
う。
面模式図である。以下、該図面を参照しながら説明を行
う。
同図（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板１の（１００）
面をＳｉＯ□膜２で被覆し、幅ｄ、の５ｉＯｚｌ漠２′
を挟む窓３を開ける。量子細線を形成する場合は、該窓
は紙面に垂直な方向に延びる２つの長方形であり、量子
箱形成の場合、ＳｉＯ□膜２′は一辺ｄ１の正方形であ
って、これを囲むように同心方形の窓が設けられる。
面をＳｉＯ□膜２で被覆し、幅ｄ、の５ｉＯｚｌ漠２′
を挟む窓３を開ける。量子細線を形成する場合は、該窓
は紙面に垂直な方向に延びる２つの長方形であり、量子
箱形成の場合、ＳｉＯ□膜２′は一辺ｄ１の正方形であ
って、これを囲むように同心方形の窓が設けられる。
上記処理を終えたＧａＡｓ基板に、有機金属を原料とす
る気相エピタキシャル成長法でＧａＡｓ層を成長させる
。該成長法はＭＯＶＰＥと略称される周知の処理法であ
って、成長速度に異方性があり、（１００）面では速く
、（１１１）、面では殆ど成長しない。
る気相エピタキシャル成長法でＧａＡｓ層を成長させる
。該成長法はＭＯＶＰＥと略称される周知の処理法であ
って、成長速度に異方性があり、（１００）面では速く
、（１１１）、面では殆ど成長しない。
従って、図のように窓を開けた（１．００）面に選択的
にＭＯＶＰＥを行うと、（１，１１）ｓ面で囲まれた、
断面三角形の突起を形成したところで結晶成長は停止し
、該突起に囲まれた断面［Ｖ字型の窪みが形作られるこ
とになる。この状態が同図（ｂ）に示されている。次に
、ＳｉＯ□膜を除去し、ＡＬＨによりＡ、 ｌ Ｇ ａ
Ａ、 ｓを成長させる。Ａ、 ｒ−Ｅは成分元素毎に
原料を供給して、１原子層づつ堆積させる処理法であり
、異方性を示すことがないので、（１００）面と同様に
（１，１１）ｓ面にも結晶成長が進行し、第１図（Ｃ）
に示すようにＡＱＧａＡｓ層５が全面に成長する。
にＭＯＶＰＥを行うと、（１，１１）ｓ面で囲まれた、
断面三角形の突起を形成したところで結晶成長は停止し
、該突起に囲まれた断面［Ｖ字型の窪みが形作られるこ
とになる。この状態が同図（ｂ）に示されている。次に
、ＳｉＯ□膜を除去し、ＡＬＨによりＡ、 ｌ Ｇ ａ
Ａ、 ｓを成長させる。Ａ、 ｒ−Ｅは成分元素毎に
原料を供給して、１原子層づつ堆積させる処理法であり
、異方性を示すことがないので、（１００）面と同様に
（１，１１）ｓ面にも結晶成長が進行し、第１図（Ｃ）
に示すようにＡＱＧａＡｓ層５が全面に成長する。
最初ｄ１の幅があった擬Ｖ字型底の（１００）面は、Ａ
ｌＧａＡｓのＡＬＥ進行に伴ってその幅が減少するので
、図示の如く、これがｄｔになるまでＡｎＧａＡｓを成
長させる。以後の説明で明らかになるように、このｄ２
が量子細線或いは量子箱の幅を定めることになる。
ｌＧａＡｓのＡＬＥ進行に伴ってその幅が減少するので
、図示の如く、これがｄｔになるまでＡｎＧａＡｓを成
長させる。以後の説明で明らかになるように、このｄ２
が量子細線或いは量子箱の幅を定めることになる。
続いて、ＭＯＶＰＥ法によりＧａＡｓ層を数原子層の厚
さに堆積形成する。この厚さはキャリヤ閉じ込めに適し
た値に設定され、原料の供給速度と時間によって制御さ
れる。既述したように、この成長法は異方性を示し、Ａ
ＬＥで形成されたＡｌＧａＡｓに於いても（１１１）ｍ
面の成長速度は殆どＯであるから、事実上（１００）面
のみに結晶成長が進行して、第１図（ｄ）の如く、擬Ｖ
字型の底面に幅ｄ２のＧａＡｓ層６が形成される。
さに堆積形成する。この厚さはキャリヤ閉じ込めに適し
た値に設定され、原料の供給速度と時間によって制御さ
れる。既述したように、この成長法は異方性を示し、Ａ
ＬＥで形成されたＡｌＧａＡｓに於いても（１１１）ｍ
面の成長速度は殆どＯであるから、事実上（１００）面
のみに結晶成長が進行して、第１図（ｄ）の如く、擬Ｖ
字型の底面に幅ｄ２のＧａＡｓ層６が形成される。
その後、再びＡＬＥによりＡｆＧａＡｓを成長させる。
このＡｊ！ＧａＡｓ層７は等方的に成長するので、第１
図（ｅ）のようにＧａＡｓ層６を包み込むことになり、
量子細線としての構造が出来上がる。量子箱の場合も同
様であって、幅および長さがｄ２で、厚さも同程度のＧ
ａＡｓ層がＡｌＧａＡｓに包まれた構造が得られる。
図（ｅ）のようにＧａＡｓ層６を包み込むことになり、
量子細線としての構造が出来上がる。量子箱の場合も同
様であって、幅および長さがｄ２で、厚さも同程度のＧ
ａＡｓ層がＡｌＧａＡｓに包まれた構造が得られる。
以上の方法で量子細線や量子箱を形成し、それによって
優れた機能が実現する半導体素子としては、既に述べた
如く半導体レーザが挙げられる。
優れた機能が実現する半導体素子としては、既に述べた
如く半導体レーザが挙げられる。
該素子に於いて、再結合発振領域である活性層を量子井
戸構造とすることにより、量子変換効率が高められるこ
とが知られており、この量子井戸構造を１次元の閉じ込
め構造から２次元の閉じ込め構造である量子細線に変え
ることで、量子変換効率は更に向上すると考えられてい
る。
戸構造とすることにより、量子変換効率が高められるこ
とが知られており、この量子井戸構造を１次元の閉じ込
め構造から２次元の閉じ込め構造である量子細線に変え
ることで、量子変換効率は更に向上すると考えられてい
る。
その他、光学装置におけるファブリ・ベロ干渉計の如く
、量子井戸に於ける電子の波動関数の共振を利用して特
定エネルギの電子のみを透過させる素子でも、量子井戸
構造を１次元の閉じ込め構造から２次元の閉じ込め構造
に、さらに３次元の閉じ込め構造とすることによって、
透過率分布をより優れたものとすることが出来る。
、量子井戸に於ける電子の波動関数の共振を利用して特
定エネルギの電子のみを透過させる素子でも、量子井戸
構造を１次元の閉じ込め構造から２次元の閉じ込め構造
に、さらに３次元の閉じ込め構造とすることによって、
透過率分布をより優れたものとすることが出来る。
以上説明したように、本発明の量子細線或いは量子箱の
形成方法では、閉じ込め領域の厚さと幅或いは厚さと幅
と長さはＡＬＥの成長層数により制御されるので、従来
の形成法に比べ、寸法精度が格段に高く、十分なキャリ
ヤ閉じ込め能力を持つ量子細線或いは量子箱が形成され
ることになる。
形成方法では、閉じ込め領域の厚さと幅或いは厚さと幅
と長さはＡＬＥの成長層数により制御されるので、従来
の形成法に比べ、寸法精度が格段に高く、十分なキャリ
ヤ閉じ込め能力を持つ量子細線或いは量子箱が形成され
ることになる。
る第２の半導体層、
７は（１００）及び（１１１）１面に形成されたＡｆＧ
ａＡｓである第１の半導体層
ａＡｓである第１の半導体層
第１図は実施例の工程を示す断面模式図であって、
図に於いて
ｌは（１，００）面ＧａＡｓ基板、
２．２′は５ｉＯｚ膜、
３は窓、
４はＧａＡｓＴ：断面凝■字形状構成体である突起部、
５は（１００）及び（ＩＩＩＬ面に形成されたＡｆｆｉ
ＧａＡｓである第１の半導体層、６は（ＩＩＩＬ面に形
成されたＧａＡｓであ（ａ） 上 ＧａＡｓ基板 （ｃ） 上 ＧａＡｓ 実施例の工程を示す断面模式図 第 図（そのｌ） ＜ｄ＞ 上 ＧａＡｓ 実施例の工程を示す断面模式図 第 図 （その２）
ＧａＡｓである第１の半導体層、６は（ＩＩＩＬ面に形
成されたＧａＡｓであ（ａ） 上 ＧａＡｓ基板 （ｃ） 上 ＧａＡｓ 実施例の工程を示す断面模式図 第 図（そのｌ） ＜ｄ＞ 上 ＧａＡｓ 実施例の工程を示す断面模式図 第 図 （その２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶半導体基板（１）の表面に、該基板面に略平行な
結晶面を底面とし、該底面とは異なる原子配列を持つ結
晶面を傾斜側面とする断面擬Ｖ字型の表面形状を設ける
工程、 前記形状を設けた半導体基板面に、成長速度が下地結晶
面方位に依存せず且つ原子層単位で成長厚を制御し得る
成長方法で第１の半導体層（５）を形成する工程、 前記第１の半導体層を形成した半導体基板面の、前記擬
Ｖ字形状の底面をなす結晶面上のみに、成長速度が下地
結晶面方位に依存し且つ原子層単位で成長厚を制御し得
る成長方法で、前記第１の半導体よりも禁制帯幅の狭い
第２の半導体層（６）を所定の原子層数だけ堆積形成す
る工程、および前記第２の半導体層を選択的に形成した
半導体基板面に、成長速度が下地結晶方位に依存せず且
つ原子層単位で成長厚を制御し得る成長方法で、前記第
１の半導体の層（７）を形成する工程とを包含すること
を特徴とする量子細線または量子箱の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31918488A JPH02163928A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 量子細線または量子箱の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31918488A JPH02163928A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 量子細線または量子箱の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163928A true JPH02163928A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18107352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31918488A Pending JPH02163928A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 量子細線または量子箱の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02163928A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513745A2 (en) * | 1991-05-13 | 1992-11-19 | CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. | A gain-coupled distributed-feed-back semiconductor laser |
| US5296719A (en) * | 1991-07-22 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quantum device and fabrication method thereof |
| US5518955A (en) * | 1994-02-08 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating quantum wire |
| JP2001148545A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31918488A patent/JPH02163928A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513745A2 (en) * | 1991-05-13 | 1992-11-19 | CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni S.p.A. | A gain-coupled distributed-feed-back semiconductor laser |
| US5276702A (en) * | 1991-05-13 | 1994-01-04 | Cselt-Centro Studi E Laboratori Telecommunicazioni S.P.A. | Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser |
| US5296719A (en) * | 1991-07-22 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quantum device and fabrication method thereof |
| US5518955A (en) * | 1994-02-08 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating quantum wire |
| US5684823A (en) * | 1994-02-08 | 1997-11-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a diffraction grating and a distributed feedback semiconductor laser incorporating the diffraction grating |
| JP2001148545A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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