DE10116500A1 - Photonische Kristalle - Google Patents
Photonische KristalleInfo
- Publication number
- DE10116500A1 DE10116500A1 DE10116500A DE10116500A DE10116500A1 DE 10116500 A1 DE10116500 A1 DE 10116500A1 DE 10116500 A DE10116500 A DE 10116500A DE 10116500 A DE10116500 A DE 10116500A DE 10116500 A1 DE10116500 A1 DE 10116500A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- thermal expansion
- glass
- glass ceramic
- photonic crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B5/00—Single-crystal growth from gels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft photonische Kritalle, d. h. dreidimensionale dielektrische Strukturen, die für elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich unabhängig von der Einfallsrichtung undurchlässig sind. Ein erfindungsgemäßer photonischer Kristall weist zum Beispiel eine matrixartige Anordnung von freistehenden dielektrischen Mikrosäulen oder -zylindern mit sehr kleinen Durchmessern auf. Diese sin auf einem Substrat aufgebracht, dessen thermischer Ausfehnungskoeffizient im Temperaturbereich zwischen -60 DEG C und 85 DEG C um zumindest 50% kleiner als der Betrag des Ausdehnungskoeffizienten von Quarzglas ist. Hierdurch wird auch bei großen Temperaturschwankungen die thermische Ausdehnung des Substrats gering gehalten; damit ändert sich aber auch der Abstand der von dem Substrat getragenen Mikrosäulen bzw. -zylinder des photonischen Kristalls nur wenig, so daß die optischen Eigenschaften wesentlich stabiler als die von photonischen Kristallen mit Quarzglassubstrat sind. Als Substrat wird vorzugsweise Glaskeramik, z. B. ZERODUR·R· verwendet.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft photonische Kristalle.
Unter photonischen Kristallen werden allgemein
dreidimensionale dielektrische Strukturen verstanden, die für
elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten
Wellenlängenbereich unabhängig von der Einfallsrichtung
undurchlässig sind. Der Wellenlängenbereich wird dabei unter
anderem wesentlich durch die Anordnung, Form und Größe der
Strukturen bestimmt. Ein wichtiger Typ von photonischen
Kristallen wird durch eine regelmäßige, zum Beispiel
matrixartige, Anordnung von freistehenden dielektrischen
Mikrosäulen oder -zylindern mit sehr kleinen Durchmessern und
einer relativ dazu großen Höhe gebildet. Für sichtbares und
IR-Licht liegen typische Durchmesser von Mikrozylindern im
Bereich von hundert bis zu einigen hundert Nanometern.
Zur Herstellung von photonischen Kristallen mit
Mikrozylindern ist ein Substrat notwendig, das die
Mikrozylinder trägt. Hierzu wurde unter anderem wegen der
mechanischen und chemischen Stabilität bisher meist Quarzglas
verwendet. Im folgenden wird unter "photonischen Kristallen"
die dreidimensionale dielektrische Struktur mit Mikrosäulen
oder -zylindern einschließlich eines sie tragenden Substrates
verstanden.
Durch ihre ungewöhnlichen Eigenschaften eignen sich
photonische Kristalle sehr gut zur Herstellung von optischen
Bauelementen wie sehr schmalbandigen Filtern, modulierbaren
Filtern, Add-Drop-Filtern und integriert-optischen Strukturen
mit 90°-Umlenkung. Solche Bauelemente werden bei der DWDM-
Technik (Dense Wavelength Division Multiplexing) zur
übertragung von Daten in Lichtwellenleitern benutzt, bei der
als Träger elektromagnetische Strahlung verschiedener
Wellenlängen benutzt wird. Zur Zeit beträgt der Kanalabstand
zwischen gleichzeitig genutzten, benachbarten Kanälen 0,4 nm,
wobei Wellenlängen im Bereich um 1550 nm genutzt werden. In
Zukunft wird zur Erzielung einer höheren Bandbreite bei der
Übertragung über einen Lichtleiter der Kanalabstand auf 0,2 nm
oder weniger sinken. Dies erfordert schon jetzt, erst
recht aber für die Zukunft, Bauelemente mit sehr großer
Stabilität der Filtereigenschaften, insbesondere auch bei
großen Temperaturschwankungen.
Es ist jedoch bekannt, daß sich bei großen
Temperaturschwankungen die optischen Eigenschaften
photonischer Kristalle und damit insbesondere auch die
Durchlaßwellenlänge von Filtern auf der Basis photonischer
Kristalle deutlich ändern können.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, photonische Kristalle
bereitzustellen, die im technisch relevanten
Temperaturbereich zwischen -60°C und 85°C im Vergleich zu
bekannten photonischen Kristallen mit Quarzglassubstrat
stabilere optische Eigenschaften aufweisen.
Die Aufgabe wird gelöst durch photonische Kristalle mit den
Merkmalen des Anspruchs 1.
Ein erfindungsgemäßer photonischer Kristall weist ein
Substrat auf, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient im
Temperaturbereich zwischen -60°C und 85°C um zumindest 50%
kleiner als der Betrag des Ausdehnungskoeffizienten von
Quarzglas ist. Hierdurch wird auch bei großen
Temperaturschwankungen die thermische Ausdehnung des
Substrats gering gehalten; damit ändert sich aber auch der
Abstand der von dem Substrat getragenen Mikrosäulen bzw. -
zylinder des photonischen Kristalls nur wenig. Daher ändern
sich aber auch die optischen Eigenschaften des photonischen
Kristalls nur wenig, so daß die optischen Eigenschaften
wesentlich stabiler als die von photonischen Kristallen mit
Quarzglassubstrat sind.
Die thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Substrats
und/oder des Quarzglases sind z. B. lineare thermische
Ausdehnungskoeffizienten.
Bevorzugt ist der Betrag des thermischen
Ausdehnungskoeffizienten des Substrats im, vorzugsweise
gesamten, Temperaturbereich zwischen -60°C und 85°C um
zumindest 50% kleiner als der Betrag des thermischen
Ausdehnungskoeffizienten von Quarzglas.
Bevorzugt ist ein Substrat mit einem Grundkörper aus einer
Glaskeramik, die einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
hat, der im Temperaturbereich zwischen -60°C und 85°C kleiner
als 5 × 10-7/°C, kleiner als 4 × 10-7/°C, kleiner als
3 × 10-7/°C, kleiner als 2 × 10-7/°C, besonders bevorzugt
kleiner als 1 × 10-7/°C und am meisten bevorzugt kleiner als
5 × 10-8/°C oder kleiner als 2 × 10-8/°C ist. Eine Glaskeramik
mit Ausdehnungskoeffizienten innerhalb der letztgenannten
beiden Bereiche ist allerdings aufwendig in der Herstellung.
Glaskeramiken sind im Grundsatz Verbundwerkstoffe mit einer
amorphen Glasphase und darin eingelagerten Kristallen, die
durch Keramisierung, d. h. gesteuerte Entglasung
(Kristallisation), von Gläsern hergestellt werden. Sie
entstehen durch Wärmebehandlung eines geeigneten Glases, in
welchem dadurch Kristalle erzeugt werden. Hierfür wird bei
der Herstellung zunächst geeignetes Roh-Material geschmolzen,
rektifiziert, homogenisiert und dann in heißem Zustand
geformt. Nach dem Abkühlen und Vergüten des glasartigen
Rohlings folgt eine Temperaturbehandlung, bei welcher die
Kristallisation stattfindet. Während der Temperaturbehandlung
bilden sich Kristallisationskerne in dem Glas an denen
nachfolgend bei einer etwas höheren Temperatur die Kristalle
wachsen.
Die erfindungsgemäße Glaskeramik enthält zu mehr als
50 Gew.-% SiO2. Darüber hinaus kann sie verschiedene
Zuschlagstoffe enthalten, insbesondere z. B. Calciumoxid
(CaO), Natriumoxid (Na2O) mit z. T. größeren Mengen von
Bortrioxid (B2O3), Aluminiumoxid (Al2O3), Bleioxid (PbO),
Magnesiumoxid (MgO), Bariumoxid (BaO) oder Kaliumoxid (K2O).
Da das Substrat keine besonderen optischen Eigenschaften
aufweisen muß, können bei der Wahl der Zuschlagstoffe ihr
Einfluß auf die optischen Eigenschaften unberücksichtigt
bleiben. Glaskeramiken sind mechanisch und chemisch sehr
stabil, was bei der Herstellung von photonischen Kristallen,
aber auch bei ihrer späteren Verwendung von Vorteil ist.
Weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur
Herstellung der erfindungsgemäßen photonischen Kristalle mit
den Merkmalen des Anspruchs 8.
Durch die erfindungsgemäße Wahl des Substratmaterials, das
auf SiO2 basiert, können die erfindungsgemäßen photonischen
Kristalle auch mit allen bekannten Verfahren zur Herstellung
von photonischen Kristallen mit Quarzglassubstraten
hergestellt werden.
Dies hat den großen Vorteil, daß zur Herstellung der
erfindungsgemäßen photonischen Kristalle keine völlige
Neuentwicklung eines Verfahrens mit ansonsten grundsätzlich
anderen Schritten notwendig ist, sondern bei der Entwicklung
auf der Grundlage des bekannten Verfahren aufgebaut werden
kann.
Beispielsweise kann additive Lithographie zur Herstellung
verwendet werden. Dieses Verfahren ist in SPIE Vol. 2849
(1996), Seite 248 ff. genauer erläutert, wobei der Inhalt des
vorstehenden Artikels hiermit vollumfänglich zum Gegenstand
der Offenbarung dieser Beschreibung gemacht wird.
Weitere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in
der folgenden Beschreibung und den Unteransprüchen
beschrieben.
Bevorzugt weist die Glaskeramik eine Glasphase und eine darin
verteilte kristalline Phase mit einem thermischen
Ausdehungskoeffizienten auf, der im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C kleiner als der der Glasphase ist.
Besonders bevorzugt wird eine Glaskeramik verwendet, deren
kristalline Phase wenigstens in Teilen des Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C einen negativen thermischen
Ausdehnungskoeffizienten hat. Da der thermische
Ausdehnungskoeffizient eines Verbundmaterials unter anderem
stark von den thermischen Ausdehnungskoeffizienten seiner
Komponenten abhängt, ergibt sich so ein besonders kleiner
thermischer Ausdehnungskoeffizient der Glaskeramik.
Der Gewichtsanteil der kristallinen Phase beeinflußt auch den
thermischen Ausdehungskoeffizienten der Glaskeramik.
Bevorzugt wird daher in dem Fall, daß der thermische
Ausdehnungskoeffizient der kristallinen Phase kleiner als der
der Glasphase, insbesondere negativ ist, der Anteil der
kristallinen Phase so hoch gewählt, daß im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C die thermische Ausdehnung besonders
klein ist. Bevorzugt liegt der Gewichtsanteil der
kristallinen Phase an der Glaskeramik zwischen 60 und 90%,
besonders bevorzugt 70 und 80%.
Damit in der Glaskeramik die thermische Ausdehnung an allen
Stellen ungefähr gleich groß ist und dadurch thermische
Spannungen weitgehend vermieden werden, ist bevorzugt die
kristalline Phase weitgehend homogen in der Glaskeramik
verteilt.
Besonders geeignet zur Herstellung der erfindungsgemäßen
photonischen Kristalle und damit bevorzugt ist die
Glaskeramik ZERODUR® der Firma Schott (Mainz, Deutschland),
die einen sehr geringen thermischen Ausdehungskoeffizienten
von weniger als 10-7/°C = 0,1 µm/°C im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C und eine sehr homogene und feine
Verteilung der kristallinen Phase aufweist, wodurch eine
einfache Verarbeitung und sehr gute Eigenschaften des
Substrats erzielbar sind.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von bevorzugten
Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Darstellung eines
Ausschnitts einer bevorzugten Ausführungsform des
erfindungsgemäßen photonischen Kristalls und
Fig. 2 eine Draufsicht auf einen Ausschnitt des
photonischen Kristalls aus Fig. 1.
Fig. 1 zeigt den erfindungsgemäßen photonischen Kristall 1,
welcher mittels additiver Lithografie mit
elektronenstrahlinduzierter Ablagerung oder Deposition einer
dreidimensionalen Struktur 2 auf ein Substrat 3 hergestellt
wurde. Zur Herstellung wurde ein Strahlstrom von 100 pA bis
200 pA verwendet.
Die dreidimensionale Struktur 2 ist auf dem Substrat 3
angeordnet und haftet auf dem Substrat. Das abgelagerte
Material ist eine Zusammensetzung von im wesentlichen
kugelförmigen metallischen Nanokristallen in einer Matrix aus
isolierendem amorphen Kohlenstoff oder Polymeren, gewachsen
aus CHX-Radikalen. Beispielhaft finden Platin und/oder Gold
als Metalle Verwendung.
Die beispielhafte dreidimensionale Struktur 2 umfasst eine
Vielzahl von im wesentlichen zylinderförmigen, in einer
zweidimensional regelmäßigen Matrix angeordneten Mikrosäulen
oder Stäben 4 aus Me2Au. Der Bandabstand beträgt 1,38 eV,
entsprechend einer Photonenwellenlänge von 900 nm. Die Länge
h der Stäbe beträgt etwa 2000 nm. Die Struktur 2 ist, bzw.
die Stäbe 4 sind nanokristallin oder amorph.
Bezugnehmend auf Fig. 2 beträgt der Durchmesser d der Stäbe 4
etwa 140 nm und der Abstand a der Stäbe 4 innerhalb der
regelmäßigen matrixförmigen Anordnung in horizontaler und
vertikaler Richtung jeweils 320 nm von Zentrum zu Zentrum
benachbarter Stäbe 4.
Variationen der Abmessungen, z. B. ein Durchmesser der Stäbe
im Bereich von 80 nm bis 300 nm, sind ebenfalls herstell-
und/oder verwendbar. Ebenso sind andere Formen als
zylindrische Stäbe herstell- und/oder verwendbar
Alternative Herstellverfahren für die Herstellung der
photonischen Kristalle sind
- - chemisch assistiertes Ionenstrahlätzen,
- - Röntgen-Tiefenlithografie und Abformen,
- - optisch lithografisches Bonden (sog. On Top-Bonding),
- - dreidimensionale Laserdeposition oder
- - Elektronenstrahl Nanolithografie.
Es ist besonders vorteilhaft, ein Substrat, insbesondere eine
Glaskeramik, welches Mikrokristalle einer, vorzugsweise
mittleren, Größe im Bereich von etwa 50 nm umfaßt oder aus
solchen besteht, zu verwenden. Andere Mikrokristallgrößen als
die genannte, z. B. kleiner oder größer als 50 nm sind aber
ebenfalls im Rahmen der Erfindung verwendbar.
Weiter wird vorzugsweise ein Substrat 2 verwendet, welches
chemisch, mechanisch und/oder in Bezug auf die Polierbarkeit
dem Quarzglas im wesentlichen ähnlich oder sogar identisch
ist. Das Substrat 2 weist eine glatte, z. B. polierte
Oberfläche auf, was in Zusammenwirkung mit den
dreidimensionalen Strukturen des erfindungsgemäßen
photonischen Kristalls besonders vorteilhaft ist.
Claims (13)
1. Photonischer Kristall,
gekennzeichnet durch
ein Substrat mit einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten, der im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C höchstens halb so groß ist, wie
der Betrag des thermischen Ausdehnungskoeffizienten von
Quarzglas.
2. Photonischer Kristall nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
ein Substrat aus Glaskeramik mit einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten, der im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C kleiner als 5 × 10-7/°C ist.
3. Photonischer Kristall nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Glaskeramik eine Glasphase und eine darin
verteilte kristalline Phase mit einem thermischen
Ausdehungskoeffizienten, der im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C kleiner als der der Glasphase
ist, aufweist.
4. Photonischer Kristall nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der thermische Ausdehnungskoeffizient der
kristallinen Phase wenigstens in Teilen des
Temperaturbereichs zwischen -60°C und 85°C negativ ist.
5. Photonischer Kristall nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Gewichtsanteil der kristallinen Phase an der
Glaskeramik zwischen 60 und 90% liegt.
6. Photonischer Kristall nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Gewichtsanteil der kristallinen Phase an der
Glaskeramik zwischen 70 und 80% liegt.
7. Photonischer Kristall nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die kristalline Phase homogen in der Glaskeramik
verteilt ist.
8. Verfahren zur Herstellung photonischer Kristalle,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat der Kristalle ein Substrat aus
Glaskeramik mit einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten, der im Temperaturbereich
zwischen -60°C und 85°C kleiner als 10-7/°C ist,
verwendet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Glaskeramik eine Glasphase und eine darin
verteilte kristalline Phase mit einem thermischen
Ausdehungskoeffizienten, der kleiner als der der
Glasphase ist, aufweist.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß der thermische Ausdehnungskoeffizient der
kristallinen Phase negativ ist.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Gewichtsanteil der kristallinen Phase an der
Glaskeramik zwischen 60 und 90% liegt.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Gewichtsanteil der kristallinen Phase an der
Glaskeramik zwischen 70 und 80% liegt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die kristalline Phase homogen in der Glaskeramik
verteilt ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10116500A DE10116500A1 (de) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | Photonische Kristalle |
PCT/EP2002/003365 WO2002082135A2 (de) | 2001-04-03 | 2002-03-26 | Photonische kristalle |
JP2002579848A JP2004532427A (ja) | 2001-04-03 | 2002-03-26 | フォトニック結晶 |
EP02727481A EP1386187A2 (de) | 2001-04-03 | 2002-03-26 | Photonische kristalle |
US10/474,073 US7359605B2 (en) | 2001-04-03 | 2002-03-26 | Photonic crystals |
CA002439191A CA2439191A1 (en) | 2001-04-03 | 2002-03-26 | Low thermal expansion photonic crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10116500A DE10116500A1 (de) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | Photonische Kristalle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10116500A1 true DE10116500A1 (de) | 2002-10-17 |
Family
ID=7680166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10116500A Withdrawn DE10116500A1 (de) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | Photonische Kristalle |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7359605B2 (de) |
EP (1) | EP1386187A2 (de) |
JP (1) | JP2004532427A (de) |
CA (1) | CA2439191A1 (de) |
DE (1) | DE10116500A1 (de) |
WO (1) | WO2002082135A2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008151611A1 (de) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Mikro- und nanofluidsystem zur dynamischen strukturanalyse von linearen makromolekülen und anwendungen davon |
DE102018109345A1 (de) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg | Integriert-optisches Funktionselement |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1965446B1 (de) * | 2007-02-28 | 2011-11-16 | Corning Incorporated | Thermoelektrisches Glaskeramikmodul |
EP2180534B1 (de) * | 2008-10-27 | 2013-10-16 | Corning Incorporated | Energieumwandlungsvorrichtungen und Verfahren |
TW201024800A (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Ind Tech Res Inst | Negative refraction photonic crystal lens |
JP2012064824A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | 固体撮像素子、その製造方法、カメラ |
US10677965B2 (en) | 2014-01-27 | 2020-06-09 | Forelux Inc. | Optical apparatus for non-visible light applications |
US9651718B2 (en) | 2014-01-27 | 2017-05-16 | Forelux Inc. | Photonic apparatus with periodic structures |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5385114A (en) * | 1992-12-04 | 1995-01-31 | Milstein; Joseph B. | Photonic band gap materials and method of preparation thereof |
WO1995030917A1 (en) * | 1994-05-10 | 1995-11-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional periodic dielectric structures having photonic bandgaps |
DE19743296C1 (de) * | 1997-09-30 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer offenen Form |
EP1089095A2 (de) * | 1999-09-24 | 2001-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Methode und Anordnung zur Herstellung eines photonischen Kristalls, und optisches Element |
US6260388B1 (en) * | 1998-07-30 | 2001-07-17 | Corning Incorporated | Method of fabricating photonic glass structures by extruding, sintering and drawing |
DE10014723A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Juergen Carstensen | Herstellung dreidimensionaler photonischer Kristalle mit Porenätzungsverfahren in Silizium |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4993032A (en) * | 1989-12-28 | 1991-02-12 | General Dynamics Corp., Electronics Divn. | Monolithic temperature stabilized optical tuning circuit for channel separation in WDM systems utilizing tunable lasers |
US5303319A (en) * | 1992-12-28 | 1994-04-12 | Honeywell Inc. | Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators |
US5377285A (en) * | 1993-02-11 | 1994-12-27 | Honeywell Inc. | Technique for making ultrastable ring resonators and lasers |
JP2674680B2 (ja) * | 1994-02-23 | 1997-11-12 | 宇都宮大学長 | 超伝導超格子結晶デバイス |
US20030016895A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing photonic crystals |
US6768256B1 (en) * | 2001-08-27 | 2004-07-27 | Sandia Corporation | Photonic crystal light source |
-
2001
- 2001-04-03 DE DE10116500A patent/DE10116500A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-03-26 WO PCT/EP2002/003365 patent/WO2002082135A2/de not_active Application Discontinuation
- 2002-03-26 CA CA002439191A patent/CA2439191A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-26 EP EP02727481A patent/EP1386187A2/de not_active Ceased
- 2002-03-26 JP JP2002579848A patent/JP2004532427A/ja active Pending
- 2002-03-26 US US10/474,073 patent/US7359605B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5385114A (en) * | 1992-12-04 | 1995-01-31 | Milstein; Joseph B. | Photonic band gap materials and method of preparation thereof |
WO1995030917A1 (en) * | 1994-05-10 | 1995-11-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional periodic dielectric structures having photonic bandgaps |
DE19743296C1 (de) * | 1997-09-30 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer offenen Form |
US6260388B1 (en) * | 1998-07-30 | 2001-07-17 | Corning Incorporated | Method of fabricating photonic glass structures by extruding, sintering and drawing |
EP1089095A2 (de) * | 1999-09-24 | 2001-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Methode und Anordnung zur Herstellung eines photonischen Kristalls, und optisches Element |
DE10014723A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-09-27 | Juergen Carstensen | Herstellung dreidimensionaler photonischer Kristalle mit Porenätzungsverfahren in Silizium |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DHAR,Lisa,ROGERS,John,A.: High frequency one- dimensional phononic crystal characterized with a picosecond transient grating photoacoustic technique. In: Applied Physics Letters, Vol. 77, No. 9, 28. Aug. 2000, S.1402-1404 * |
Hanaizumi,Osamu, et.al.: Prop0agation of light beams along line defects formed in a-Si/SIO¶2· three-dimensional photonic crystals: Fabrication and observation. In: Applied Physics Letters, Vol. 74, No. 6, 8. Feb. 1999, S.777-779 * |
JP 2001072414 A., In: Patent Abstracts of Japan * |
LIN,S.Y., et.al.: A three-dimensional photonic crystal operating at infrared wavelengths. In. Nature, Vol. 394, 16. July 1998, S.251-253 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008151611A1 (de) | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Mikro- und nanofluidsystem zur dynamischen strukturanalyse von linearen makromolekülen und anwendungen davon |
DE102018109345A1 (de) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg | Integriert-optisches Funktionselement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040109657A1 (en) | 2004-06-10 |
JP2004532427A (ja) | 2004-10-21 |
CA2439191A1 (en) | 2002-10-17 |
US7359605B2 (en) | 2008-04-15 |
EP1386187A2 (de) | 2004-02-04 |
WO2002082135A2 (de) | 2002-10-17 |
WO2002082135A3 (de) | 2003-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112014001293B4 (de) | Vorrichtung zum Mie-Streuen von Licht aus einer optischen Faser und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE60026122T2 (de) | Glaskeramik und Temperaturkompensationselement | |
DE2723972C2 (de) | Optisches Kopplungselement sowie Positioniervorrichtungen für derartige Elemente | |
DE2824478C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kopplungselementes | |
DE10238607B4 (de) | Verfahren zur Formung von Glas oder Glaskeramik und dessen Verwendung | |
DE3607259A1 (de) | Mikrolinsenplatte und verfahren zu ihrer herstellung | |
EP1236695A2 (de) | Glaskeramik | |
DE102017101808A1 (de) | Verfahren zur Dickenkontrolle eines Substrates | |
DE102006056088B9 (de) | Verfahren zur Festigkeitssteigerung von Lithium-Alumino-Silikat-Glaskeramik durch Oberflächenmodifikation und durch dieses Verfahren hergestellte Lithium-Alumino-Silikat-Glaskeramik | |
DE1800983A1 (de) | Verfahren zum Herstellen duennschichtiger Membranen | |
WO2016055524A2 (de) | Glaslaminat mit erhöhter festigkeit | |
DE102010039779A1 (de) | Glas mit geringer wärmeausdehnung für euvl-anwendungen | |
DE10116500A1 (de) | Photonische Kristalle | |
DE10302342A1 (de) | Substrat für die EUV-Mikrolithographie und Herstellverfahren hierfür | |
DE102006035806A1 (de) | Farbeffekt-Schichtsystem und Beschichtungen auf Basis photonischer Kristalle, ein Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung | |
EP1534631A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hochorganisierten kristallen mit hilfe von sol-gel-methoden | |
DE4420024C2 (de) | Halbzeug in Form eines Verbundkörpers für ein elektronisches oder opto-elektronisches Halbleiterbauelement | |
DE60119192T2 (de) | Für optisch funktionierende Elemente geeignetes Glas und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4314301C1 (de) | Abtastvorrichtung zur Untersuchung von Oberflächenstrukturen mit Auflösung im submicron-Bereich und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69915420T2 (de) | Verfahren zur Herstellung synthetischen Kieselglases zur Anwendung für ArF-Excimer-Laserlithographie | |
DE102004037950A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Photonischen Kristalls, der aus einem Material mit hohem Brechungsindex besteht | |
EP2454205B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer meniskuslinse aus synthetischem quarzglas | |
DE69202277T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von integriert-optischen Wellenleitern in Glas. | |
DE102010035331B4 (de) | Verfahren zur Herstellung linsenförmiger optischer Bauelemente aus Glas und Reflow Asphäre | |
WO2024017936A1 (de) | HEIß-FÜGE-PROZESS ZUR HERSTELLUNG VON KOMPLEXEN LEICHTGEWICHTSSTRUKTUREN |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |