JP3421595B2 - ドライフィルムフォトレジスト - Google Patents
ドライフィルムフォトレジストInfo
- Publication number
- JP3421595B2 JP3421595B2 JP31492998A JP31492998A JP3421595B2 JP 3421595 B2 JP3421595 B2 JP 3421595B2 JP 31492998 A JP31492998 A JP 31492998A JP 31492998 A JP31492998 A JP 31492998A JP 3421595 B2 JP3421595 B2 JP 3421595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dry film
- summit
- protective film
- film photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/092—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はドライフィルムフォ
トレジストに係るもので、詳しくは印刷回路基板(Print
ed Circuit Board、以下PCBという)、リードフレーム
(lead frame)及びBGA(Ball Grid Array)などの製作
に用いられるドライフィルムフォトレジストにおいて、
保護フィルム(cover film)として所定の表面特性を満
足するテレフタル酸ポリエチレンフィルムを用いること
によって高解像が要求される製品の不良率を最小化し得
るドライフィルムフォトレジストに関する。
トレジストに係るもので、詳しくは印刷回路基板(Print
ed Circuit Board、以下PCBという)、リードフレーム
(lead frame)及びBGA(Ball Grid Array)などの製作
に用いられるドライフィルムフォトレジストにおいて、
保護フィルム(cover film)として所定の表面特性を満
足するテレフタル酸ポリエチレンフィルムを用いること
によって高解像が要求される製品の不良率を最小化し得
るドライフィルムフォトレジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドライフィルムフォトレジスト(dry fi
lm photoresist)、即ち感光性フィルムは1968年米国デ
ュポン社により'RISTON'という商標名で開発されてから
現在に至るまで、電気・電子産業、特に印刷回路基板な
どの加工の際に重要な材料として用いられている。
lm photoresist)、即ち感光性フィルムは1968年米国デ
ュポン社により'RISTON'という商標名で開発されてから
現在に至るまで、電気・電子産業、特に印刷回路基板な
どの加工の際に重要な材料として用いられている。
【０００３】印刷回路基板はコンピューター、電子通信
機器などの産業用電子機器は勿論のこと、家庭用電子機
器の部品においても部品回路接続のベースに使われるも
のであって、フィルムフォトレジストはこの印刷回路基
板を製作する際の画期的な加工技術材料として用いられ
ている。
機器などの産業用電子機器は勿論のこと、家庭用電子機
器の部品においても部品回路接続のベースに使われるも
のであって、フィルムフォトレジストはこの印刷回路基
板を製作する際の画期的な加工技術材料として用いられ
ている。
【０００４】印刷回路基板上の回路形成に用いられるフ
ォトレジスト材料としては全体の50%ほどのものが感光
性スクリーン印刷インクを用いているが、高密度と高信
頼度が要求される両面板及び多層板の印刷回路基板を製
作するときは、必ずドライフィルムフォトレジストが用
いられている。
ォトレジスト材料としては全体の50%ほどのものが感光
性スクリーン印刷インクを用いているが、高密度と高信
頼度が要求される両面板及び多層板の印刷回路基板を製
作するときは、必ずドライフィルムフォトレジストが用
いられている。
【０００５】このようなドライフィルムフォトレジスト
は支持体フィルム(base film)、感光性高分子層(photo
sensitive layer)及び保護フィルム(cover film)の３
層から構成される。
は支持体フィルム(base film)、感光性高分子層(photo
sensitive layer)及び保護フィルム(cover film)の３
層から構成される。
【０００６】一般的に、支持体フィルムはテレフタル酸
ポリエチレンのようなポリエステルフィルムを用い、そ
の厚さは15-25μmほどである。
ポリエチレンのようなポリエステルフィルムを用い、そ
の厚さは15-25μmほどである。
【０００７】このようなポリエステル支持体フィルムは
ドライフィルムフォトレジストを製造する最中に支持体
として用いられ、保護フィルムは塵と取扱時のレジスト
の損傷を防止する保護蓋の役割をする。
ドライフィルムフォトレジストを製造する最中に支持体
として用いられ、保護フィルムは塵と取扱時のレジスト
の損傷を防止する保護蓋の役割をする。
【０００８】そして、感光性高分子層はポリエステルの
支持体フィルム上に塗布され、塗布の厚さは使用目的に
適合するように、15-100μmの厚さを備えている。感光
性高分子層はドライフィルムフォトレジストに要求され
る機械的・化学的性質や加工条件等に従って、様々な組
成を有する。
支持体フィルム上に塗布され、塗布の厚さは使用目的に
適合するように、15-100μmの厚さを備えている。感光
性高分子層はドライフィルムフォトレジストに要求され
る機械的・化学的性質や加工条件等に従って、様々な組
成を有する。
【０００９】具体的には、感光性高分子層は、光により
光重合する多官能性単量体、光重合が起こされるように
光によりラジカルを誘導する光開始剤(photoinitiato
r)、光重合組成物の機械的強度とテンティング性並びに
接着性を付与する高分子結合体(binder polymer)、そ
して染料、安定剤(stabilizer)、接着増進剤(adhesionp
romoter)又は熱重合禁止剤(inhibitor)などのような添
加剤からなる。これら成分を適当な溶媒で溶解させ、ポ
リエステル支持体フィルムに塗布した後乾燥させる。
光重合する多官能性単量体、光重合が起こされるように
光によりラジカルを誘導する光開始剤(photoinitiato
r)、光重合組成物の機械的強度とテンティング性並びに
接着性を付与する高分子結合体(binder polymer)、そ
して染料、安定剤(stabilizer)、接着増進剤(adhesionp
romoter)又は熱重合禁止剤(inhibitor)などのような添
加剤からなる。これら成分を適当な溶媒で溶解させ、ポ
リエステル支持体フィルムに塗布した後乾燥させる。
【００１０】このような感光性高分子は液状それ自体と
しても使用できるし、作業性及び汚染の防止のために光
硬化組成物からなる感光層を光透過性ポリエステルフィ
ルムと保護フィルム間に積層して使用することもでき
る。
しても使用できるし、作業性及び汚染の防止のために光
硬化組成物からなる感光層を光透過性ポリエステルフィ
ルムと保護フィルム間に積層して使用することもでき
る。
【００１１】各組成物を具体的に説明すると、多官能性
単量体は開始剤により光重合された後の工程で、現象液
(developing solution)に対して耐性を有し、剥離液(s
tripping solution)では除去される性質を有する。
単量体は開始剤により光重合された後の工程で、現象液
(developing solution)に対して耐性を有し、剥離液(s
tripping solution)では除去される性質を有する。
【００１２】通常、多官能性単量体としては、α,β-エ
チレン性不飽和結合を少なくとも１個以上有する化合物
を用いる。又、光重合からみると分子中に２個以上のア
クリロイル基或いはメタクリロイル基を有する化合物が
多官能性単量体として好ましい。その例としては、例え
ば、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、トリエチレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
プロピレングリコールジアクリレート、ジプロピレング
リコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジ
アクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,
5-ペンタンジオールジアクリレート又は1,6-ヘキサンジ
オールジアクリレートなどのようなグリコールジアクリ
レート誘導体；N,N'-メチレンビスアクリルアミド又は
N,N'-ベンジリデンビスアクリルアミドなどのようなビ
スフェノールAのエチレン或いはプロピレンオキシド付
加物；及び、グリセリントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート、トリメチロールエタン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールアクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート又はジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレートなどのように、
３個以上のアクリル酸を有する化合物又は前記アクリル
酸に対応するメタクリル酸化合物がある。
チレン性不飽和結合を少なくとも１個以上有する化合物
を用いる。又、光重合からみると分子中に２個以上のア
クリロイル基或いはメタクリロイル基を有する化合物が
多官能性単量体として好ましい。その例としては、例え
ば、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレング
リコールジアクリレート、トリエチレングリコールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
プロピレングリコールジアクリレート、ジプロピレング
リコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジ
アクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,
5-ペンタンジオールジアクリレート又は1,6-ヘキサンジ
オールジアクリレートなどのようなグリコールジアクリ
レート誘導体；N,N'-メチレンビスアクリルアミド又は
N,N'-ベンジリデンビスアクリルアミドなどのようなビ
スフェノールAのエチレン或いはプロピレンオキシド付
加物；及び、グリセリントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート、トリメチロールエタン
トリアクリレート、ペンタエリスリトールアクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート又はジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレートなどのように、
３個以上のアクリル酸を有する化合物又は前記アクリル
酸に対応するメタクリル酸化合物がある。
【００１３】光開始剤は紫外線により電子の励起(excit
ation)を伴って自体がラジカルを生成するか、または他
の化合物がラジカルを生成するように誘導して多官能性
単量体が重合されるようにする。光開始剤の種類と含量
に基づいて、組成物の光硬化速度が大きく左右される。
具体的な例としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル又はベンジル；ベンゾフェノン、4,4'-
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、クロロベンゾ
フェノン、4,4'-ジメチルアミノベンゾフェノン又は4,
4'-ジクロロベンゾフェノンなどのアルキルベンゾフェ
ノン類；2-エチルアントラキノン又は2-t-ブチルアント
ラキノンなどのようなアントラキノン類；及び、4-(ジ
アルキルアミノ）安息香酸アルキルエステル又は2,4,5-
トリアリールイミダゾールダイマーとこれらの誘導体も
しくはロビンダイマー(lobin dimer)、又はロイコトリ
フェニルメタン染料、トリアリールメタンロイコ染料、
もしくは、染料とロビンダイマーを含む組成物のような
染料が挙げられる。
ation)を伴って自体がラジカルを生成するか、または他
の化合物がラジカルを生成するように誘導して多官能性
単量体が重合されるようにする。光開始剤の種類と含量
に基づいて、組成物の光硬化速度が大きく左右される。
具体的な例としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
ーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプ
ロピルエーテル又はベンジル；ベンゾフェノン、4,4'-
ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、クロロベンゾ
フェノン、4,4'-ジメチルアミノベンゾフェノン又は4,
4'-ジクロロベンゾフェノンなどのアルキルベンゾフェ
ノン類；2-エチルアントラキノン又は2-t-ブチルアント
ラキノンなどのようなアントラキノン類；及び、4-(ジ
アルキルアミノ）安息香酸アルキルエステル又は2,4,5-
トリアリールイミダゾールダイマーとこれらの誘導体も
しくはロビンダイマー(lobin dimer)、又はロイコトリ
フェニルメタン染料、トリアリールメタンロイコ染料、
もしくは、染料とロビンダイマーを含む組成物のような
染料が挙げられる。
【００１４】一方、高分子結合材としては有機高分子、
例えばアクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ポリ
酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、
塩素化ポリプロピレン、塩化ビニリデン系ポリマー、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリビニルア
セタール、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、酢酸セルロース、セルロイド(硝化綿）、スチレ
ン-ブチレン共重合体、スチレン-アクリロニトリル共重
合体、塩素化されたゴムもしくは無水マレイン酸のビニ
ル共重合体、及び、芳香族スルホンアミドホルムアルデ
ヒド樹脂などが使用できる。
例えばアクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ポリ
酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、塩
化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン、
塩素化ポリプロピレン、塩化ビニリデン系ポリマー、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリビニルア
セタール、アルキッド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、酢酸セルロース、セルロイド(硝化綿）、スチレ
ン-ブチレン共重合体、スチレン-アクリロニトリル共重
合体、塩素化されたゴムもしくは無水マレイン酸のビニ
ル共重合体、及び、芳香族スルホンアミドホルムアルデ
ヒド樹脂などが使用できる。
【００１５】添加剤としては染料、安定剤、接着促進剤
及び熱重合禁止剤などがある。
及び熱重合禁止剤などがある。
【００１６】染料としてはロイコ系の染料が主に用いら
れ、メチルバイオレット、マラカイトグリーン、クリス
タルバイオレットなどを用いることができるが、それら
以外にも目的によって選択して添加することができる。
れ、メチルバイオレット、マラカイトグリーン、クリス
タルバイオレットなどを用いることができるが、それら
以外にも目的によって選択して添加することができる。
【００１７】ドライフィルムフォトレジストを構成する
保護フィルムとしては、一般に厚さ20〜30μmほどのポ
リオレフィンフィルムが用いられるが、前記ポリオレフ
ィンフィルムは粘着性を有する感光層が互いに接着せず
にコアに巻かれるようにするために、ドライフィルムフ
ォトレジストの製造・運送保管などにおいて重要な役割
を果たすものである。
保護フィルムとしては、一般に厚さ20〜30μmほどのポ
リオレフィンフィルムが用いられるが、前記ポリオレフ
ィンフィルムは粘着性を有する感光層が互いに接着せず
にコアに巻かれるようにするために、ドライフィルムフ
ォトレジストの製造・運送保管などにおいて重要な役割
を果たすものである。
【００１８】このような構造のドライフィルムフォトレ
ジストを使用するときは、保護フィルムを取り外し、銅
積層板上にラミネーション(lamination)した後、紫外線
(UV)を照射して露光(exposing)し、現像過程(developin
g)を経て画像を形成する。
ジストを使用するときは、保護フィルムを取り外し、銅
積層板上にラミネーション(lamination)した後、紫外線
(UV)を照射して露光(exposing)し、現像過程(developin
g)を経て画像を形成する。
【００１９】言い換えれば、ドライフィルムフォトレジ
スト組成物を金属表面などに塗布及びラミネーションに
より積層し、紫外線を照射して露光すると、露光部は硬
化し、未露光部は適当な溶剤により除去されて、所望の
画像が形成される。
スト組成物を金属表面などに塗布及びラミネーションに
より積層し、紫外線を照射して露光すると、露光部は硬
化し、未露光部は適当な溶剤により除去されて、所望の
画像が形成される。
【００２０】ここで、前記溶剤は大きく水溶性と非水溶
性に分けられる。非水溶性溶剤は作業環境と環境汚染、
そして製造単価の面で不利であるため、水溶性溶剤で現
像する光硬化組成物が増加しつつある。
性に分けられる。非水溶性溶剤は作業環境と環境汚染、
そして製造単価の面で不利であるため、水溶性溶剤で現
像する光硬化組成物が増加しつつある。
【００２１】前記ドライフィルムフォトレジスト組成物
で製造されたアルカリ現像性感光性レジストは、ドライ
フィルムフォトレジストから保護フィルム層を取り外
し、銅板にラミネーションし、フォトマスクフィルムな
どを用いて紫外線露光を行った後、任意の濃度及び温度
のアルカリ水溶液を用いて未露光部位を除去してフォト
レジスト像を形成する。
で製造されたアルカリ現像性感光性レジストは、ドライ
フィルムフォトレジストから保護フィルム層を取り外
し、銅板にラミネーションし、フォトマスクフィルムな
どを用いて紫外線露光を行った後、任意の濃度及び温度
のアルカリ水溶液を用いて未露光部位を除去してフォト
レジスト像を形成する。
【００２２】アルカリ水溶液を用い、未露光部位を除去
してフォトレジスト像を形成させる過程を現像という。
現像時に未露光部位の感光層が、25〜35℃の温度範囲
で、0.5〜1.5重量％炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム水
溶液に溶解されて画像が形成される。
してフォトレジスト像を形成させる過程を現像という。
現像時に未露光部位の感光層が、25〜35℃の温度範囲
で、0.5〜1.5重量％炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム水
溶液に溶解されて画像が形成される。
【００２３】印刷回路基板の製作工法は、メッキ工法と
テンティング工法とに分けられる。メッキ工法によれ
ば、メッキ液及び種々の添加剤により基板上にメッキが
行われる際に、ドライフィルムフォトレジストが浸食に
より剥がれないような耐メッキ性が必要とされる。これ
に対し、テンティング工法では、ドライフィルムフォト
レジスト膜自体の弾性が必要とされる。
テンティング工法とに分けられる。メッキ工法によれ
ば、メッキ液及び種々の添加剤により基板上にメッキが
行われる際に、ドライフィルムフォトレジストが浸食に
より剥がれないような耐メッキ性が必要とされる。これ
に対し、テンティング工法では、ドライフィルムフォト
レジスト膜自体の弾性が必要とされる。
【００２４】一方、ドライフィルムフォトレジストは、
基板の上下面に伝導性を付与する任意の大きさの孔をエ
ッチング液から保護するために当該孔を覆うレジストと
して作用する。
基板の上下面に伝導性を付与する任意の大きさの孔をエ
ッチング液から保護するために当該孔を覆うレジストと
して作用する。
【００２５】このとき、25〜35℃の温度で0.5〜1.5重量
％の炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム水溶液で噴射方式
により現像される現像条件と、45〜55℃のFeCl２、FeCl
３、CuCl２、CuCl３及び過硫酸アンモニアなどのエッチ
ング液が噴射されるエッチング条件に対し、基板上の孔
を塞いでいるドライフィルムの外部応力に対応する充分
な弾性が求められる。
％の炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム水溶液で噴射方式
により現像される現像条件と、45〜55℃のFeCl２、FeCl
３、CuCl２、CuCl３及び過硫酸アンモニアなどのエッチ
ング液が噴射されるエッチング条件に対し、基板上の孔
を塞いでいるドライフィルムの外部応力に対応する充分
な弾性が求められる。
【００２６】ところが、従来のアルカリ現像性感光性フ
ィルムは保護フィルムとしてポリエチレンのようなポリ
オレフィンフィルムを用いている。
ィルムは保護フィルムとしてポリエチレンのようなポリ
オレフィンフィルムを用いている。
【００２７】ポリエチレンフィルムは柔軟性、耐薬品性
及び離型性がよく、感光性樹脂組成物の保護フィルムと
して使用する場合には除去が容易である。また、テレフ
タル酸ポリエチレンとの摩擦係数が大きく、製品の巻き
取り時にテレスコープ(Telescope:製品形態が原状態を
維持せずに変形される現象）が少ない。
及び離型性がよく、感光性樹脂組成物の保護フィルムと
して使用する場合には除去が容易である。また、テレフ
タル酸ポリエチレンとの摩擦係数が大きく、製品の巻き
取り時にテレスコープ(Telescope:製品形態が原状態を
維持せずに変形される現象）が少ない。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ポリエチレン
は重合時に高分子量ゲル(gel)が生成され、このためフ
ィルムに成膜した後も魚眼のような微細な突起、即ちフ
ィッシュアイ(fisheye)ができる。
は重合時に高分子量ゲル(gel)が生成され、このためフ
ィルムに成膜した後も魚眼のような微細な突起、即ちフ
ィッシュアイ(fisheye)ができる。
【００２９】前記フィッシュアイは延伸したポリエチレ
ンフィルムにおいて1mm以上の大きさを有する大きなも
のができる場合もあり、0.3mm以上の大きさのものが１
ｍ２当たり500〜50,000個ほど生成され、0.3mm以下のも
のは数えきれないほど多く生成される。
ンフィルムにおいて1mm以上の大きさを有する大きなも
のができる場合もあり、0.3mm以上の大きさのものが１
ｍ２当たり500〜50,000個ほど生成され、0.3mm以下のも
のは数えきれないほど多く生成される。
【００３０】このようなフィッシュアイは、感光性高分
子層に転写されてラミネーションするときに空気混入を
誘発する。特に、感光性レジストの厚さが薄くなるほど
フィッシュアイによる影響が大きく、不良を誘発する確
率が増加する。
子層に転写されてラミネーションするときに空気混入を
誘発する。特に、感光性レジストの厚さが薄くなるほど
フィッシュアイによる影響が大きく、不良を誘発する確
率が増加する。
【００３１】図１は保護フィルムのフィッシュアイによ
り発生する空気混入を概略的に説明している。
り発生する空気混入を概略的に説明している。
【００３２】フィッシュアイ20が形成されたポリエチレ
ンフィルム13をエポキシ樹脂32と銅板31からなる銅積層
板にラミネーションする場合、感光性高分子層12に転写
されたフィッシュアイ20により銅板31との積層面に空気
混入が発生する。
ンフィルム13をエポキシ樹脂32と銅板31からなる銅積層
板にラミネーションする場合、感光性高分子層12に転写
されたフィッシュアイ20により銅板31との積層面に空気
混入が発生する。
【００３３】フィッシュアイの幅と高さに従って空気混
入の大きさが変化し、感光性レジストの厚さが薄くなる
ほど影響を多く受ける。
入の大きさが変化し、感光性レジストの厚さが薄くなる
ほど影響を多く受ける。
【００３４】空気混入は前記保護フィルムの影響の他に
も、種々の要因により発生する。基板に存在する溝及び
深い傷跡などの基板に起因する要因、感光性レジストの
異物による押さえ跡の存在、ラミネートロールの傷とス
クラッチによる要因がある。
も、種々の要因により発生する。基板に存在する溝及び
深い傷跡などの基板に起因する要因、感光性レジストの
異物による押さえ跡の存在、ラミネートロールの傷とス
クラッチによる要因がある。
【００３５】図１のように発生した空気混入の全てが不
良を惹起させるわけではないが、状況に従って不良を惹
起する。空気混入部分が露光と未露光の境界に位置した
場合には、内層工程では回路縮小、ひいては回路欠損を
起こし、メッキ工程では回路拡大、ひいては回路ショー
トを引き起こす。
良を惹起させるわけではないが、状況に従って不良を惹
起する。空気混入部分が露光と未露光の境界に位置した
場合には、内層工程では回路縮小、ひいては回路欠損を
起こし、メッキ工程では回路拡大、ひいては回路ショー
トを引き起こす。
【００３６】本発明は、前記のような従来のドライフィ
ルムフォトレジスト製造に際して、保護フィルムとして
用いられるポリオレフィンフィルムの表面特性が劣悪に
なることによりラミネーションの際に空気混入が起こ
り、結果的に印刷回路基板製造の際に不良を誘発する問
題点を解決するためのものであって、表面平滑性が優
れ、粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエチレンフィル
ムを保護フィルムとして使用することによりレジストの
物性には影響を与えずに、高解像が要求される印刷回路
基板の製造などの後に続く工程において発生する不良を
最小化し得るドライフィルムフォトレジストを提供する
ことを目的とする。
ルムフォトレジスト製造に際して、保護フィルムとして
用いられるポリオレフィンフィルムの表面特性が劣悪に
なることによりラミネーションの際に空気混入が起こ
り、結果的に印刷回路基板製造の際に不良を誘発する問
題点を解決するためのものであって、表面平滑性が優
れ、粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエチレンフィル
ムを保護フィルムとして使用することによりレジストの
物性には影響を与えずに、高解像が要求される印刷回路
基板の製造などの後に続く工程において発生する不良を
最小化し得るドライフィルムフォトレジストを提供する
ことを目的とする。
【００３７】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために、本発明に係るドライフィルムフォトレジス
トは保護フィルム、感光性高分子層及び支持体フィルム
を順次積層して製造されたドライフィルムフォトレジス
トにおいて、前記保護フィルムは下記式で表示される表
面特性を満足させるテレフタル酸ポリエチレン二軸延伸
フィルムであることを特徴とする。
するために、本発明に係るドライフィルムフォトレジス
トは保護フィルム、感光性高分子層及び支持体フィルム
を順次積層して製造されたドライフィルムフォトレジス
トにおいて、前記保護フィルムは下記式で表示される表
面特性を満足させるテレフタル酸ポリエチレン二軸延伸
フィルムであることを特徴とする。
【００３８】
【数３】3.0nm≦SRa≦50nm,
50nm≦Spv≦500nm,
300個≦サミット密度≦20,000個
【００３９】前記式でSRaは非接触式３次元表面粗度計
で測定した中心線の平均粗さで、Spvはピーク(peak)か
らバレー(valley)までの高さの差で、サミット密度(Sum
mit Density)は単位面積（１mm２）当たりのサミット
（サミットとは、あるポイント(１ポイントは2μm×2μ
m)における高さが、その四囲のポイントにおける高さよ
りも1nm以上高い場所のことをいう）の数を示す。
で測定した中心線の平均粗さで、Spvはピーク(peak)か
らバレー(valley)までの高さの差で、サミット密度(Sum
mit Density)は単位面積（１mm２）当たりのサミット
（サミットとは、あるポイント(１ポイントは2μm×2μ
m)における高さが、その四囲のポイントにおける高さよ
りも1nm以上高い場所のことをいう）の数を示す。
【００４０】なお、上記SRa、Spv、及びサミット密度
は、ＷＡＫＯ社製の測定装置ＴＯＰＯ-3Ｄ（モデル名）
により測定したものである。また、サミット密度の概念
を詳しく説明すると、次のようになる。即ち、図５
（Ａ）に示されるように、まず、中心ピクセルＡとそれ
に隣接する四囲にあるピクセルＢ、Ｃ、Ｄ及びＥとを想
定する。こられのピクセルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥの大き
さは、それぞれ１ポイント（2μm×2μm)であって、本
発明では、中心ピクセルＡの部分の高さとその四囲にあ
る４個のピクセルＢ、Ｃ、Ｄ及びＥの高さとを、それぞ
れ互いに比較するのである。そして、観測の対象となる
この部分が全くの平面である場合には中心ピクセルＡの
部分の高さとその四囲にある４個のピクセルの高さの差
は存在しないが、凹凸がある場合には高低差が生じるこ
とになる。
は、ＷＡＫＯ社製の測定装置ＴＯＰＯ-3Ｄ（モデル名）
により測定したものである。また、サミット密度の概念
を詳しく説明すると、次のようになる。即ち、図５
（Ａ）に示されるように、まず、中心ピクセルＡとそれ
に隣接する四囲にあるピクセルＢ、Ｃ、Ｄ及びＥとを想
定する。こられのピクセルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥの大き
さは、それぞれ１ポイント（2μm×2μm)であって、本
発明では、中心ピクセルＡの部分の高さとその四囲にあ
る４個のピクセルＢ、Ｃ、Ｄ及びＥの高さとを、それぞ
れ互いに比較するのである。そして、観測の対象となる
この部分が全くの平面である場合には中心ピクセルＡの
部分の高さとその四囲にある４個のピクセルの高さの差
は存在しないが、凹凸がある場合には高低差が生じるこ
とになる。
【００４１】ここで、本発明においては、中心ピクセル
Ａの部分の高さが、その四囲にある４個のピクセルＢ、
Ｃ、Ｄ及びＥの高さよりも１ｎｍ以上高かった場合に
は、当該ピクセルＡの部分をサミットとみなし、サミッ
ト密度の測定の際にサミットとしてカウントすることに
なる（そして、単位面積当たり（１mm２）のサミット数
がサミット密度になる）。より具体的には、例えば図５
（Ｂ）に示されるように、ピクセルＡ＝１２ｎｍ、ピク
セルＢ＝９ｎｍ、ピクセルＣ＝５ｎｍ、ピクセルＤ＝１
０ｎｍ、ピクセルＥ＝７ｎｍである場合には、中心ピク
セルＡの部分の高さが、その四囲にある４個のピクセル
の高さよりも１ｎｍ以上高いので、このピクセルＡの部
分は、いわゆる一つのサミットとしてカウントすること
になる。これに対して、図５（Ｃ）に示されるように、
ピクセルＡ＝１２ｎｍ、ピクセルＢ＝１３ｎｍ、ピクセ
ルＣ＝１０ｎｍ、ピクセルＤ＝７ｎｍ、ピクセルＥ＝９
ｎｍであった場合には、ピクセルＢのほうがピクセルＡ
よりも高いことになるので、このピクセルＡの部分は、
サミットとしてはカウントされないことになる。
Ａの部分の高さが、その四囲にある４個のピクセルＢ、
Ｃ、Ｄ及びＥの高さよりも１ｎｍ以上高かった場合に
は、当該ピクセルＡの部分をサミットとみなし、サミッ
ト密度の測定の際にサミットとしてカウントすることに
なる（そして、単位面積当たり（１mm２）のサミット数
がサミット密度になる）。より具体的には、例えば図５
（Ｂ）に示されるように、ピクセルＡ＝１２ｎｍ、ピク
セルＢ＝９ｎｍ、ピクセルＣ＝５ｎｍ、ピクセルＤ＝１
０ｎｍ、ピクセルＥ＝７ｎｍである場合には、中心ピク
セルＡの部分の高さが、その四囲にある４個のピクセル
の高さよりも１ｎｍ以上高いので、このピクセルＡの部
分は、いわゆる一つのサミットとしてカウントすること
になる。これに対して、図５（Ｃ）に示されるように、
ピクセルＡ＝１２ｎｍ、ピクセルＢ＝１３ｎｍ、ピクセ
ルＣ＝１０ｎｍ、ピクセルＤ＝７ｎｍ、ピクセルＥ＝９
ｎｍであった場合には、ピクセルＢのほうがピクセルＡ
よりも高いことになるので、このピクセルＡの部分は、
サミットとしてはカウントされないことになる。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明によるドライフィルムフォトレジストは、表面平
滑性が優れ、かつ粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエ
チレンフィルムを保護フィルムに適用するべく製造する
ものであって、保護フィルムを構成するテレフタル酸ポ
リエチレン２軸延伸フィルムは前記のような表面特性を
満足すべきものである。そして、このようなテレフタル
酸ポリエチレンフィルムは、常法により製造することが
可能である。
本発明によるドライフィルムフォトレジストは、表面平
滑性が優れ、かつ粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエ
チレンフィルムを保護フィルムに適用するべく製造する
ものであって、保護フィルムを構成するテレフタル酸ポ
リエチレン２軸延伸フィルムは前記のような表面特性を
満足すべきものである。そして、このようなテレフタル
酸ポリエチレンフィルムは、常法により製造することが
可能である。
【００４３】このような表面特性を満足させる場合、優
れた表面特性により保護フィルムのフィッシュアイによ
る不良が大幅に改善され、混入する塵などの影響も少な
くなることが確認された。
れた表面特性により保護フィルムのフィッシュアイによ
る不良が大幅に改善され、混入する塵などの影響も少な
くなることが確認された。
【００４４】より好ましくは下記式で表示される表面特
性を満足させるテレフタル酸ポリエチレンフィルムを用
いる。
性を満足させるテレフタル酸ポリエチレンフィルムを用
いる。
【００４５】
【数４】5.0nm≦SRa≦25nm,
100nm≦Spv≦250nm,
500個≦サミット密度≦10,000個
【００４６】前記式でSRa,Spv及びサミット密度は上述
したものと同様である。
したものと同様である。
【００４７】もし、前記式でSRa,Spv及びサミット密度
の値が大きくなると、粗大粒子が存在する可能性が増加
し、感光性組成物と保護フィルムとの間の密着力が増加
して、保護フィルムを除去する際にテレフタル酸ポリエ
チレンフィルム(保護フィルム）が破られるなどの問題
が発生する。その反面、前記値よりも低い値を有する
と、摩擦係数の急上昇のためにフィルム製造工程及びド
ライフィルムフォトレジスト製造工程中にスクラッチ、
静電気の発生及びその他の工程上の問題が発生する。
の値が大きくなると、粗大粒子が存在する可能性が増加
し、感光性組成物と保護フィルムとの間の密着力が増加
して、保護フィルムを除去する際にテレフタル酸ポリエ
チレンフィルム(保護フィルム）が破られるなどの問題
が発生する。その反面、前記値よりも低い値を有する
と、摩擦係数の急上昇のためにフィルム製造工程及びド
ライフィルムフォトレジスト製造工程中にスクラッチ、
静電気の発生及びその他の工程上の問題が発生する。
【００４８】また、化学処理によりポリエステルフィル
ムの密着性を減少させるようにすると、例えば前記保護
フィルムとして易接着インラインコーティング(In Lin
e Coating)されたポリエステルフィルムを用いると、
保護フィルムと感光性高分子層間の密着力が減少して安
全に保護フィルムを引き剥がすことができる。
ムの密着性を減少させるようにすると、例えば前記保護
フィルムとして易接着インラインコーティング(In Lin
e Coating)されたポリエステルフィルムを用いると、
保護フィルムと感光性高分子層間の密着力が減少して安
全に保護フィルムを引き剥がすことができる。
【００４９】なお、このように保護フィルムとしてテレ
フタル酸ポリエチレンフィルムを用いた場合、従来のポ
リエチレン製の保護フィルムを適用した場合と比べ摩擦
係数が低くなってテレスコープなどの問題点が発生され
るが、製品としてスリッティングして評価した結果、問
題のない良好な製品状態を得た。
フタル酸ポリエチレンフィルムを用いた場合、従来のポ
リエチレン製の保護フィルムを適用した場合と比べ摩擦
係数が低くなってテレスコープなどの問題点が発生され
るが、製品としてスリッティングして評価した結果、問
題のない良好な製品状態を得た。
【００５０】本発明で保護フィルムとして用いたテレフ
タル酸ポリエチレンフィルムの厚さは12〜25μmが好ま
しい。
タル酸ポリエチレンフィルムの厚さは12〜25μmが好ま
しい。
【００５１】もし、ポリエチルテレフタル酸フィルムの
厚さが25μmを超過すると、テレフタル酸ポリエチレン
の復元力が強く、製品の使用時にラミネーション工程に
おける緩み性が悪くなってスリップ(slip：感光層が緩
まれながら製品の形態が崩れる現象）が発生し、テレフ
タル酸ポリエチレンフィルムの厚さが12μm未満であれ
ばエッジヒュージョン(Edge Fusion)に不利である。
厚さが25μmを超過すると、テレフタル酸ポリエチレン
の復元力が強く、製品の使用時にラミネーション工程に
おける緩み性が悪くなってスリップ(slip：感光層が緩
まれながら製品の形態が崩れる現象）が発生し、テレフ
タル酸ポリエチレンフィルムの厚さが12μm未満であれ
ばエッジヒュージョン(Edge Fusion)に不利である。
【００５２】このように、保護フィルム層として一定の
表面特性を有するテレフタル酸ポリエチレンを用いてド
ライフィルムフォトレジストを製造する方法は、通常の
方法を用いればよく、このとき、支持体と感光性高分子
層の構成には制限がない。
表面特性を有するテレフタル酸ポリエチレンを用いてド
ライフィルムフォトレジストを製造する方法は、通常の
方法を用いればよく、このとき、支持体と感光性高分子
層の構成には制限がない。
【００５３】以下、本発明を実施例に基づき詳しく説明
するが、本発明はこの実施例によって限定されるもので
はない。
するが、本発明はこの実施例によって限定されるもので
はない。
【００５４】［製造例１：感光性高分子層(photosensit
ive layer)の組成］ドライフィルムフォトレジストを
構成する感光性高分子層の組成を次の表に示す。
ive layer)の組成］ドライフィルムフォトレジストを
構成する感光性高分子層の組成を次の表に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】ここで、高分子結合剤はアクリル酸10重量
％、メタクリル酸15重量％、メタクリル酸メチル60重量
％、2-ヘキシルアクリル酸エチル15重量％を混合して製
造したアクリル共重合体を用いた。しかしこれは本発明
の理解を助けるためのものであり、本発明はこれに限定
されるものではない。
％、メタクリル酸15重量％、メタクリル酸メチル60重量
％、2-ヘキシルアクリル酸エチル15重量％を混合して製
造したアクリル共重合体を用いた。しかしこれは本発明
の理解を助けるためのものであり、本発明はこれに限定
されるものではない。
【００５７】本発明では前記アクリル単量体の外に本発
明の目的を外れない範囲でアクリル酸メチル、アクリル
酸エチル又はアクリル酸プロピルなどのようなアクリル
酸アルキル、メタアクリル酸エチル又はメタクリル酸プ
ロピルなどのようなメタクリル酸アルキル、スチレン及
びその誘導体、フェノキシメチルアクリル酸、2-フェノ
キシアクリル酸エチル、マレイン酸、マレイン酸無水物
又はビニル酢酸などを混合して製造されたアクリル共重
合体を使用してもよい。
明の目的を外れない範囲でアクリル酸メチル、アクリル
酸エチル又はアクリル酸プロピルなどのようなアクリル
酸アルキル、メタアクリル酸エチル又はメタクリル酸プ
ロピルなどのようなメタクリル酸アルキル、スチレン及
びその誘導体、フェノキシメチルアクリル酸、2-フェノ
キシアクリル酸エチル、マレイン酸、マレイン酸無水物
又はビニル酢酸などを混合して製造されたアクリル共重
合体を使用してもよい。
【００５８】光開始剤、光重合性単量体及びその他の添
加剤は本発明の目的を外れない範囲内で自由に添加でき
る。
加剤は本発明の目的を外れない範囲内で自由に添加でき
る。
【００５９】［実施例１-３］前記製造例１に従い製造
された感光性組成物を支持体フィルムであるポリエステ
ルフィルム上に20μmの厚さで塗布し、以下の表に示し
たような表面粗度を有する保護フィルムで積層してドラ
イフィルムフォトレジストを製造した。ここで、実施例
３は易接着コーティングされたインラインコーティング
製品を用いたものである。
された感光性組成物を支持体フィルムであるポリエステ
ルフィルム上に20μmの厚さで塗布し、以下の表に示し
たような表面粗度を有する保護フィルムで積層してドラ
イフィルムフォトレジストを製造した。ここで、実施例
３は易接着コーティングされたインラインコーティング
製品を用いたものである。
【００６０】［比較例１-３］前記実施例と同様の方法
によりドライフィルムフォトレジストを製造し、比較例
１では保護フィルムとしてタマポリ(tamapoly)社のポリ
エチレンフィルムを用い、比較例２と比較例３は通常の
包装用テレフタル酸ポリエチレン(PET)フィルムを用い
た。評価は前記実施例と同様の方法により行った。
によりドライフィルムフォトレジストを製造し、比較例
１では保護フィルムとしてタマポリ(tamapoly)社のポリ
エチレンフィルムを用い、比較例２と比較例３は通常の
包装用テレフタル酸ポリエチレン(PET)フィルムを用い
た。評価は前記実施例と同様の方法により行った。
【００６１】
【表２】
【００６２】前記実施例１-３及び比較例１-３に従って
得たドライフィルムフォトレジストに対し、不良率評価
法に基づき銅積層板にラミネーションをして回路短絡と
サイドエッチングを評価した。
得たドライフィルムフォトレジストに対し、不良率評価
法に基づき銅積層板にラミネーションをして回路短絡と
サイドエッチングを評価した。
【００６３】具体的には保護フィルムにより発生する不
良を評価するために、図２に示したような単位回路を25
個有する40cm×50cmの大きさのフォトマスクを製作し
た。
良を評価するために、図２に示したような単位回路を25
個有する40cm×50cmの大きさのフォトマスクを製作し
た。
【００６４】図２で白い線の線幅は150μmで、白い線間
の間隔は50μmである。
の間隔は50μmである。
【００６５】ラミネーション前までの過程を同様に設定
し、保護フィルムを変更した試料に対してそれぞれ40cm
×50cmの大きさの基板10個ずつラミネーションをして、
図２に示したように単位回路が25個描かれた40cm×50cm
の大きさのフォトマスクで露光を施した。露光された基
板をブレークポイント(break point)50%で現像した
後、塩化銅エッチング液でブレークポイント80%でエッ
チングを施し、図３及び図４に示したような回路短絡と
サイドエッチングの数を評価した。
し、保護フィルムを変更した試料に対してそれぞれ40cm
×50cmの大きさの基板10個ずつラミネーションをして、
図２に示したように単位回路が25個描かれた40cm×50cm
の大きさのフォトマスクで露光を施した。露光された基
板をブレークポイント(break point)50%で現像した
後、塩化銅エッチング液でブレークポイント80%でエッ
チングを施し、図３及び図４に示したような回路短絡と
サイドエッチングの数を評価した。
【００６６】このとき、測定及び評価条件は次のようで
ある。 ＜ラミネーション(lamination)＞実施例及び比較例に従
い製作された感光性組成物で製作されたドライフィルム
フォトレジストを、パフ研磨処理された1.6mmの厚さの
銅積層板の一方の面に、ラミネータロール温度110℃、
ロール圧力3.0kg/cm２、そしてロール速度2.5m/minの条
件でDynachem360を用いてラミネーションした。
ある。 ＜ラミネーション(lamination)＞実施例及び比較例に従
い製作された感光性組成物で製作されたドライフィルム
フォトレジストを、パフ研磨処理された1.6mmの厚さの
銅積層板の一方の面に、ラミネータロール温度110℃、
ロール圧力3.0kg/cm２、そしてロール速度2.5m/minの条
件でDynachem360を用いてラミネーションした。
【００６７】＜露光(exposure)＞露光機はHI-TECH C
o., Ltd.のHTE-106 5Kwを用いた。ラミネーションさ
れた40cm50cmの大きさの銅積層板に、図２に示したよう
な単位回路が25個描かれた40cm×50cmの大きさのフォト
マスクで露光量30mJ/cm２(ORC Manufacturing Co.,
Ltd.のUV-350光量計でフォトマスクの下で測定した光
量）にて露光を施した。
o., Ltd.のHTE-106 5Kwを用いた。ラミネーションさ
れた40cm50cmの大きさの銅積層板に、図２に示したよう
な単位回路が25個描かれた40cm×50cmの大きさのフォト
マスクで露光量30mJ/cm２(ORC Manufacturing Co.,
Ltd.のUV-350光量計でフォトマスクの下で測定した光
量）にて露光を施した。
【００６８】＜最少現像時間＞銅積層板にラミネーショ
ンしたドライフィルムフォトレジストを20分放置した
後、30℃で1.0重量％の炭酸ナトリウム水溶液をスプレ
ー噴射方式により噴射して現像した。このとき銅積層板
上の未露光部位のドライフィルムフォトレジストが現像
液で完全に洗われるまでに要した時間（最少現像時間）
を秒時計を用いて測定した。
ンしたドライフィルムフォトレジストを20分放置した
後、30℃で1.0重量％の炭酸ナトリウム水溶液をスプレ
ー噴射方式により噴射して現像した。このとき銅積層板
上の未露光部位のドライフィルムフォトレジストが現像
液で完全に洗われるまでに要した時間（最少現像時間）
を秒時計を用いて測定した。
【００６９】＜エッチング及び剥離＞露光された基板を
20分放置した後、最小現像時間対比ブレークポイント(b
reakpoint)50％で現像し、塩化銅エッチング液でブレー
クポイント80％でエッチングを施した。エッチングされ
た基板を50℃で3.0重量％水酸化ナトリウム水溶液でブ
レークポイント60％になるように剥離した。
20分放置した後、最小現像時間対比ブレークポイント(b
reakpoint)50％で現像し、塩化銅エッチング液でブレー
クポイント80％でエッチングを施した。エッチングされ
た基板を50℃で3.0重量％水酸化ナトリウム水溶液でブ
レークポイント60％になるように剥離した。
【００７０】＜不良率評価＞40cm×50cmの大きさの銅積
層板をそれぞれの試料に対し10枚ずつ準備して不良率評
価用フォトマスクを用いて"表面処理→ラミネーション
→露光→現像→エッチング→剥離工程"を経て基板で発
見された、図３及び図４に示したような回路短絡とサイ
ドエッチング数で不良率を評価した。
層板をそれぞれの試料に対し10枚ずつ準備して不良率評
価用フォトマスクを用いて"表面処理→ラミネーション
→露光→現像→エッチング→剥離工程"を経て基板で発
見された、図３及び図４に示したような回路短絡とサイ
ドエッチング数で不良率を評価した。
【００７１】＜スリップ性＞感光性組成物を支持体フィ
ルムにコーティングし、保護フィルムを積層した後、40
0mmにスリッティングし、ラミネータで基板をラミネー
ションして製品形態の維持性を肉眼で観察した。
ルムにコーティングし、保護フィルムを積層した後、40
0mmにスリッティングし、ラミネータで基板をラミネー
ションして製品形態の維持性を肉眼で観察した。
【００７２】
【表３】
【００７３】前記表の結果から実施例１-３のように表
面平滑性に優れ、粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエ
チレンフィルムを保護フィルムとして用いた場合、後に
続く工程において発生する回路短絡及びサイドエッチン
グなどの不良が少ない反面、従来のようにポリエチレン
フィルムを保護フィルムとして用いるかまたは表面特性
が不適合であるテレフタル酸ポリエチレンフィルムを保
護フィルムとして用いた場合には、回路短絡及びサイド
エッチングなどの不良が高くスリップ性も劣ることがわ
かる。
面平滑性に優れ、粗大突起の少ないテレフタル酸ポリエ
チレンフィルムを保護フィルムとして用いた場合、後に
続く工程において発生する回路短絡及びサイドエッチン
グなどの不良が少ない反面、従来のようにポリエチレン
フィルムを保護フィルムとして用いるかまたは表面特性
が不適合であるテレフタル酸ポリエチレンフィルムを保
護フィルムとして用いた場合には、回路短絡及びサイド
エッチングなどの不良が高くスリップ性も劣ることがわ
かる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のような所
定の表面特性を満足させるテレフタル酸ポリエチレンフ
ィルムを保護フィルムとして積層して製造したドライフ
ィルムフォトレジストにおいては、従来のポリエチレン
フィルムを保護フィルムとして使用したものに比して、
フィッシュアイの発生が低減させられているので、これ
を印刷回路基板、リードフレーム及びBGA(Ball Grid
Array)などに適用した場合には空気の侵入が少なくな
り、結果的に回路短絡及び回路損失などの不良率を減少
させることができるようになる。
定の表面特性を満足させるテレフタル酸ポリエチレンフ
ィルムを保護フィルムとして積層して製造したドライフ
ィルムフォトレジストにおいては、従来のポリエチレン
フィルムを保護フィルムとして使用したものに比して、
フィッシュアイの発生が低減させられているので、これ
を印刷回路基板、リードフレーム及びBGA(Ball Grid
Array)などに適用した場合には空気の侵入が少なくな
り、結果的に回路短絡及び回路損失などの不良率を減少
させることができるようになる。
【図１】通常のポリエチレンフィルムを保護フィルムと
して用いて製造されたドライフィルムフォトレジストを
銅積層板に積層した時に発生する空気混入を概略的に示
した図である。
して用いて製造されたドライフィルムフォトレジストを
銅積層板に積層した時に発生する空気混入を概略的に示
した図である。
【図２】実施例及び比較例に従い製造されたドライフィ
ルムフォトレジストの保護フィルムにより発生する不良
率評価に用いられたフォトマスクを示した図である。
ルムフォトレジストの保護フィルムにより発生する不良
率評価に用いられたフォトマスクを示した図である。
【図３】実施例及び比較例に従い製造されたドライフィ
ルムフォトレジストの不良率評価時の回路短絡の概念図
である。
ルムフォトレジストの不良率評価時の回路短絡の概念図
である。
【図４】実施例及び比較例に従い製造されたドライフィ
ルムフォトレジストの不良率評価時のサイドエッチング
の概念図である。
ルムフォトレジストの不良率評価時のサイドエッチング
の概念図である。
【図５】本発明における概念であるサミット密度を説明
するための図である。
するための図である。
11：テレフタル酸ポリエチレンフィルム
12：感光性高分子層
13：ポリエチレンフィルム
20：フィッシュアイ
31,41,51：銅
32：エポキシ樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ジェオン イル−ヨン
大韓民国 キョンサンブク−ド クミ−
シ コア−ミョン ウォンホ−リ ダエ
ウーアパート 104−1101
(72)発明者 リ ビュオン−イル
大韓民国 キョンサンブク−ド クミ−
シ オッキョ−ドン 540 ダエバエク
タウン 106−1402
(72)発明者 パーク キエ−ジン
大韓民国 キョンサンブク−ド クミ−
シティ コア−ミョン ウォンホ−リ
ダエドンハンヌリアパート 303−1206
(56)参考文献 特開 平７−49565（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−324497（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−291400（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−229127（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−190941（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (4)
- 【請求項１】 支持体フィルム、感光性高分子層及び保
護フィルムを順次積層して製造されたドライフィルムフ
ォトレジストであって、前記保護フィルムは下記式で表
示される表面特性を満足させるテレフタル酸ポリエチレ
ン２軸延伸フィルムであることを特徴とするドライフィ
ルムフォトレジスト。 【数１】3.0nm≦SRa≦50nm, 50nm≦Spv≦500nm, 300個≦サミット密度≦20,000個 前記式でSRaは非接触式３次元表面粗度計で測定した中
心線の平均粗さで、Spvはピーク(peak)からバレー(vall
ey)までの高さの差で、サミット密度(Summit Density)
は単位面積（１mm２）当たりのサミット（サミットと
は、あるポイント(１ポイントは2μm×2μm)における高
さが、その四囲のポイントにおける高さよりも1nm以上
高い場所のことをいう）の数を示す。 - 【請求項２】 前記テレフタル酸ポリエチレンフィルム
は下記式で表示される表面特性を満足させる２軸延伸フ
ィルムであることを特徴とする請求項１に記載のドライ
フィルムフォトレジスト。 【数２】5.0nm≦SRa≦25nm, 100nm≦Spv≦250nm, 500個≦サミット密度≦10,000個 前記式でSRaは非接触式３次元表面粗度計で測定した中
心線の平均粗さで、Spvはピーク(peak)からバレー(vall
ey)までの高さの差で、サミット密度(Summit Density)
は単位面積（１mm２）当たりのサミット（サミットと
は、あるポイント(１ポイントは2μm×2μm)における高
さが、その四囲のポイントにおける高さよりも1nm以上
高い場所のことをいう）の数を示す。 - 【請求項３】 前記テレフタル酸ポリエチレンフィルム
は厚さ12〜25μmであることを特徴とする請求項１又は
２に記載のドライフィルムフォトレジスト。 - 【請求項４】 前記テレフタル酸ポリエチレンフィルム
は易接着用インラインコーティング(In Line Coatin
g)された製品であることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に記載のドライフィルムフォトレジスト。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19970058770 | 1997-11-07 | ||
| KR1019980009290A KR100247706B1 (ko) | 1997-11-07 | 1998-03-18 | 드라이 필름 포토레지스트 |
| KR97-58770 | 1998-03-18 | ||
| KR98-9290 | 1998-03-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202482A JPH11202482A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3421595B2 true JP3421595B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=26633168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31492998A Expired - Lifetime JP3421595B2 (ja) | 1997-11-07 | 1998-11-05 | ドライフィルムフォトレジスト |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6037100A (ja) |
| JP (1) | JP3421595B2 (ja) |
| KR (1) | KR100247706B1 (ja) |
| CN (1) | CN1189793C (ja) |
| MY (1) | MY115605A (ja) |
| TW (1) | TW531679B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY120763A (en) * | 1997-09-19 | 2005-11-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive film, process for laminating photosensitive resin layer, photosensitive resin layer-laminated substrate and process for curing photosensitive resin layer |
| US6455231B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Dry film photoimageable compositions |
| KR100789687B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2008-01-02 | 데이진 가부시키가이샤 | 드라이 필름 레지스트의 지지체로서의 폴리에스테르 필름 |
| WO2006062347A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Kolon Industries, Inc | Positive type dry film photoresist |
| US7749676B2 (en) * | 2004-12-09 | 2010-07-06 | Kolon Industries, Inc. | Positive type dry film photoresist and composition for preparing the same |
| KR100865781B1 (ko) | 2007-03-23 | 2008-10-28 | 한국과학기술원 | 광반응성을 갖는 분자 크기의 무기물이 포함된 높은광민감도를 갖는 광고분자 조성물 |
| KR101376477B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2014-03-20 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 다층 필름 및 이를 이용한 드라이 필름 레지스트 |
| WO2009084929A2 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-09 | Kolon Industries, Inc. | A multilayer film for dry film resist |
| KR100968949B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2010-07-14 | 삼성전기주식회사 | 인쇄 회로 패턴 형성 방법, 가이드 형성 방법 및 가이드형성용 잉크 |
| JP2013539072A (ja) * | 2010-09-16 | 2013-10-17 | エルジー・ケム・リミテッド | 感光性樹脂組成物、ドライフィルムソルダーレジスト及び回路基板 |
| US8647796B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoactive compound gradient photoresist |
| CN102523703A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-06-27 | 汕头超声印制板公司 | 一种pcb板上背钻孔的制作方法 |
| KR102194713B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2020-12-23 | 삼성전기주식회사 | 드라이 필름 포토레지스트 |
| TWI535563B (zh) | 2015-03-31 | 2016-06-01 | 長興材料工業股份有限公司 | 疊層結構 |
| CN105188267A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-23 | 昆山龙朋精密电子有限公司 | 镜像生产fpc单面板的方法 |
| KR102042617B1 (ko) | 2017-02-09 | 2019-11-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 점착제 조성물 및 이로부터 형성되는 점착 패턴 |
| KR102345769B1 (ko) * | 2020-04-16 | 2022-01-03 | 주식회사 디에이피 | 브레이크 포인트 테스트 방법 및 이에 적합한 브레이크 포인트 테스트용 워킹 필름 |
| KR102706712B1 (ko) * | 2021-11-30 | 2024-09-13 | 한국과학기술원 | 미세 유체 장치 및 이를 제조하는 방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3891441A (en) * | 1969-08-01 | 1975-06-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light-sensitive stencil printing material with porous support and cover sheets |
| US4339527A (en) * | 1979-01-31 | 1982-07-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for using photopolymerizable compositions |
| US4230790A (en) * | 1979-01-31 | 1980-10-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photopolymerizable compositions useful in dry film photoresist |
| US4631246A (en) * | 1982-04-14 | 1986-12-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Uniform cover sheet with rough surface in a photosensitive element |
| US4567128A (en) * | 1982-04-14 | 1986-01-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Cover sheet in a photosensitive element |
| DE3833650A1 (de) * | 1988-10-04 | 1990-04-05 | Basf Ag | Kontinuierliches verfahren zur herstellung eines lichtempfindlichen aufzeichnungselements |
| JPH0460642A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Konica Corp | 感光体 |
| EP0616702B1 (en) * | 1991-12-12 | 2001-05-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous-processable tonable imaging element |
| JP2910902B2 (ja) * | 1993-03-17 | 1999-06-23 | 東洋紡績株式会社 | 感光性樹脂印刷版用粘着防止層およびその組成物 |
| US5780202A (en) * | 1994-04-08 | 1998-07-14 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Antistatic photosensitive multilayered structure and method for producing the same |
| JP3789144B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2006-06-21 | 三菱化学ポリエステルフィルム株式会社 | フォトレジスト用積層ポリエステルフィルム |
-
1998
- 1998-03-18 KR KR1019980009290A patent/KR100247706B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-25 CN CNB981193811A patent/CN1189793C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-25 MY MYPI98004428A patent/MY115605A/en unknown
- 1998-09-29 US US09/161,948 patent/US6037100A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-30 TW TW087116233A patent/TW531679B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-05 JP JP31492998A patent/JP3421595B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1220413A (zh) | 1999-06-23 |
| MY115605A (en) | 2003-07-31 |
| CN1189793C (zh) | 2005-02-16 |
| US6037100A (en) | 2000-03-14 |
| TW531679B (en) | 2003-05-11 |
| KR19990044707A (ko) | 1999-06-25 |
| JPH11202482A (ja) | 1999-07-30 |
| KR100247706B1 (ko) | 2000-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3421595B2 (ja) | ドライフィルムフォトレジスト | |
| JP5115666B2 (ja) | 感光性エレメント | |
| JP5223923B2 (ja) | 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 | |
| TWI395058B (zh) | 薄膜型傳送材料 | |
| KR20150017384A (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| JPH0219941B2 (ja) | ||
| KR20150095193A (ko) | 감광성 엘리먼트 | |
| KR100599219B1 (ko) | 감광성 엘리먼트, 감광성 엘리먼트롤, 이것을 사용한레지스트패턴의 제조법, 레지스트패턴, 레지스트패턴적층기판, 배선패턴의 제조법 및 배선패턴 | |
| KR101167536B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그 적층체 | |
| KR101167537B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그 적층체 | |
| WO2009081925A1 (ja) | 感光性樹脂積層体 | |
| JP5646873B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びその積層体 | |
| JP3267703B2 (ja) | 新規な光重合性樹脂積層体 | |
| JPH0334056B2 (ja) | ||
| JP2012226254A (ja) | ドライフィルムレジストロール | |
| KR20080003948A (ko) | 4층 구조의 드라이 필름 포토레지스트 | |
| KR100428515B1 (ko) | 광경화성조성물 | |
| JP4336915B2 (ja) | ドライフィルムを使用したフォトレジスト形成用積層板の製造方法 | |
| WO2009097051A1 (en) | Method of creating an image in a photoresist laminate | |
| JP2009053388A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2006053352A (ja) | 感光性樹脂積層体 | |
| JP2005266166A (ja) | 感光性転写材料およびそれを用いたプリント配線基板の製造方法 | |
| JP3410527B2 (ja) | プリント回路基板の画像形成用フォトレジストフィルム | |
| KR20020052473A (ko) | 드라이 필름 포토레지스트 | |
| KR20230033718A (ko) | 감광성 수지 적층체 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030404 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |